DE3035944A1 - Optoelektronische halbleiteranordnung - Google Patents
Optoelektronische halbleiteranordnungInfo
- Publication number
- DE3035944A1 DE3035944A1 DE19803035944 DE3035944A DE3035944A1 DE 3035944 A1 DE3035944 A1 DE 3035944A1 DE 19803035944 DE19803035944 DE 19803035944 DE 3035944 A DE3035944 A DE 3035944A DE 3035944 A1 DE3035944 A1 DE 3035944A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- luminescent
- optoelectronic semiconductor
- photo
- arrangement according
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910000897 Babbitt (metal) Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000006830 Luminescent Proteins Human genes 0.000 description 1
- 108010047357 Luminescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/04—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions
- G09G3/06—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions using controlled light sources
- G09G3/12—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of a single character by selection from a plurality of characters, or by composing the character by combination of individual elements, e.g. segments using a combination of such display devices for composing words, rows or the like, in a frame with fixed character positions using controlled light sources using electroluminescent elements
- G09G3/14—Semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/10—Controlling the intensity of the light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
- Optoelektronische Halbleiteranordnung
- Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Halbleiteranordnung aus mindestens einem lichtaussendenden Lumineszenz-Halbleiterbauelement. Bei Lumineszenzeinzeldioden oder Leuchtdisplays aus einer Vielzahl von zusammengefügten oder monolythisch integrierten Einzel-Lumineszenzdioden wird vielfach eine Regelung der Leuchtstärke gewünscht, um eine Kontrastverbesserung zu erzielen bzw. die jeweilige Leuchtstärke der Umgebungshelligkeit anzupassen. Hierzu ist in der Regel ein fotoempfindliches Halbleiterbauelement mit einem angeschlossenen Fotoverstärker vorgesehen. Über die Ausgangsgröße dieses Fotoverstärkers wird dann die Helligkeit der Lumineszenz-Halbleiterbauelemente geregelt. Bei Gerätefrontplatten, die meist mit einer Vielzahl an unterschiedlichen Stellen angeordneten Lumineszenzdioden bzw.
- Leuchtdisplays versehen sind, wird zur Helligkeitsregelung der gesamten Leuchtbausteine ein zentraler Optosensor mit in die Geräteplatte eingebaut. Dieser zentrale optosensor steuert dann einheitlich die Helligkeit sämtlicher Leuchtbausteine, wobei die Verdrahtung jedoch vielfach ziemlich aufwendig ist.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese bekannte Art der Helligkeitsregelung zu vereinfachen und zu verbilligen. Hierzu wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß bei optoelektronischen Halbleiteranordnungen mit wenigstens einem Lumineszenz-Halbleiterbauelement in Sendepausen das Lumineszenz-Halbleiterbauelement zur Messung der Umgebungshelligkeit als Fotodetektor betrieben wird.
- Bei der erfindungsgemäßen Lösung erzeugen die Leuchtdioden bzw. die Displays die zur Helligkeitsregelung erforderliche Information selbst. Dabei besteht die Möglichkeit, daß wiederum über ein Lumineszenzbauelement zentral auch die Helligkeit aller anderen im System enthaltenen Leuchtbausteine geregelt wird. Andererseits kann jedoch auch jeder Displaybaustein bzw. jede einzelne Lumineszenzdiode für sich selbst die Umgebungshelligkeit messen und daraus die eigene Leuchtstärke ableiten. Dies vereinfacht die Verdrahtung des Gesamtsystems und läßt eine individuelle Helligkeitsregelung, die den jeweiligen Gegebenheiten angepaßt ist, zu. Das Lumineszenz-Halbleiterbauelement bzw. die Leuchtdisplays werden vorzugsweise im Taktbetrieb angesteuert, so daß die Taktpausen zur Messung des Fotostroms und damit der Umgebungshelligkeit zur Verfügung stehen. Dieser Taktbetrieb läßt sich sowohl bei Einzellumineszenz-Halbleiterdioden als auch bei Sieben-Segment-Ziffern oder großflächigen monolythisch integrierten Leuchtdisplays vorteilhaft einsetzen. Die Taktfrequenz für die einzelnen Leuchtbauelemente muß dabei über der Ansprechempfindlichkeit des menschlichen Auges liegen, wenn ein gleichmäßiges flackerfreies Leuchtbild erwünscht ist.
- Die erforderlichen integrierten Halbleiterschaltkreise, die den Fotoverstärker, den Taktgeber und die Helligkeitssteuerung bzw. die Treiberschaltung für die Lumineszenzbausteine enthalten, werden vorzugsweise in die Gehäuse für die Bauelemente bzw. Leuchtdisplays mitintegriert.
- Selbst bei einer Einzeldiode ist eine derartige Integration aufgrund der großen Fortschritte bei der Miniaturisierung ohne weiteres möglich. Bei Halbleiteranordnungen, die mehrere Lumineszenzdioden umfassen, können in den Sende- oder Betriebspausen mehrere Dioden parallel geschaltet werden, um den Gesamt-Fotostrom, zu erhöhen.
- Die erfindungsgemäße Doppelausnutzung von Lumineszenz-Halbleiterbauelementen als Sende- und Empfangselement kann praktisch bei allen möglichen Leuchtfarben durchgeführt werden. Beispielsweise bei einer rotleuchtenden Lumineszenzdiode beträgt der Fotostrom 50 pA/Lx. Dies gilt für Leuchtdioden mit eingefärbtem Kunststoffgehäuse. Bei nicht eingefärbten Gehäusen ist der Fotostrom etwa 50 % größer. Ähnliche Verhältnisse liegen bei orange-, gelb-und grünemittierenden Leuchtdioden vor.
- Mit vertretbarem Aufwand lassen sich Fotoströme bis herab zu ca. 100 pA verarbeiten, so daß eine Helligkeitssteuerung von ca. 2 lx an aufwärts möglich ist.
- Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung, soll noch anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
- Die Figur 1 zeigt ein Blockschema für die Ansteuerung einer Lumineszenzdiode.
- Die Figur 2 zeigt eine Einzelleuchtdiode, die zusammen mit dem erforderlichen integrierten Schaltkreis in ein Kunststoffgehäuse eingebaut ist.
- Figur 3a zeigt eine Sieben-Segment-Ziffer.
- Figur 3b gibt den Taktbetrieb für eine derartige Sieben-Segment-Ziffer an.
- Das Blockschaltbild gemäß der Figur 1 umfaßt eine helligkeitsgesteuerte Treiberschaltung G für das Lumineszenz-Halbleiterbauelement LED. Diese Treiberschaltung G, die beispielsweise aus einer der bekannten Treiberschaltungen besteht, führt dem Lumineszenz-Halbleiterbauelement den die Leuchthelligkeit bestimmenden Betriebsstrom über den Umschalter U zu. Durch den Umschalter wird einmal das Lumineszenzbauelement LED direkt mit dem Geber G und zum anderen direkt mit dem Fotoverstärker V verbunden. Die Umschaltung wird beispielsweise über den Taktgeber T so gesteuert, daß bei ankommenden Impulsen der Geber mit der LED verbunden ist und in den Impulspausen der Fotostrom der LED zum Fotoverstärker V gelangt, über den dann seinerseits die Treiberschaltung G so geregelt wird, daß die Leuchtdichte den in den Impulspausen jeweils gemessenen Verhältnissen der Umgebungshelligkeit angepaßt ist. Die Treiberschaltung G und der Fotoverstärker V bilden somit zusammen mit dem Lumineszenzbauelement LED eine Regelschleife.
- Als Fotoverstärker eignet sich beispielsweise der im Handel erhältliche Schaltkreis CA 3130. Dies ist ein Operationsverstärker, der mit einer Versorgungsspannung von 5 V auskommt und auch sehr schwache Eingangströme ausreichend verstärkt, wenn ein großer Rückkopplungswiderstand (10 - 100 MQ) verwendet wird.
- In Figur 2 ist eine Einzellumineszenzdiode in einem Kunststoffgehäuse dargestellt. In das Kunststoffgehäuse führen zwei Anschlußstreben 1 und 2. Das Halbleiterbauelement wird mit der bekannten Streifentechnik aufgebaut, bei der die Kontaktierungsstreben Teil eines tragenden Metallstreifens sind und die Strebenenden nach der Kontaktierung der Halbleiterbauelemente in lichtdurchlässigen Kunststoff eingegossen werden. Die Kunststoffgehäusekappe 4 kann aus eingefärbtem oder nicht eingefärbtem Kunststoff bestehen.
- Auf das Ende der einen Strebe 1 ist die Lumineszenzdiode 5 unter Bildung eines ersten elektrischen Anschlusses angeordnet. Der zweite Kontakt des Halbleiterbauelementes 5 führt über einen Kontaktierungsdraht zum integrierten Halbleiterschaltkreis 6, der auf der Stirnseite der Strebe 2 befestigt ist. Dieser integrierte Schaltkreis 6 enthält den Fotoverstärker und die Helligkeitssteuerung für die Lumi- neszenzdiode 5 sowie gegebenenfalls die Taktgeberschaltung.
- Über die aus dem Kunststoffgehäuse 4 herausragenden Streben 1 und 2 werden Lumineszenzdiode und Schaltkreis an die Versorgungsspannung angeschlossen. Es handelt sich somit bei der Anordnung gemäß der Figur 3 um eine zweipolige Halbleiteranordnung mit in das Gehäuse integrierten Schaltungsbausteinen.
- Bei der erfindungsgemäßen Doppelausnutzung der Lumineszenzdiode als Sende- und Empfangsbauelement wirkt sich vorteilhaft aus, daß die spektrale Empfindlichkeit der Lumineszenzdiode recht genau der Augenempfindlichkeit angepaßt ist.
- Dadurch wird eine Registrierung von Infrarotlicht, die sich störend auswirken würde, verhindert.
- Das Lumineszenzbauelement gemäß der Figur 2 wird beispielsweise im Taktbetrieb angesteuert. Die Puls zeit beträgt bei einem Ausführungsbeispiel 10 msec und ist identisch mit der Dauer der Pulspause während der der durch das Halbleiterbauelement fließende Fotostrom gemessen wird. Generell gilt, daß die Meßzeit und damit die Pulspause kleiner als 50 msec sein muß, um ein wahrnehmbares Flackern der Lumineszenzdiode auszuschließen.
- In der Figur 3a ist in der Draufsicht ein herkömmliches Sieben-Segment-Ziffernelement dargestellt, das insgesamt acht Einzeldioden enthält. Die Einzeldioden leuchten die sieben Lichtleitbalken a bis g und den Leuchtpunkt dp aus.
- Diese Sieben-Segment-Ziffer wird beispielsweise gemäß der Figur 3b im Taktbetrieb angesteuert. Die Gesamtzykluszeit Tz veträgt beispielsweise 20 msec, wobei für jede Einzeldiode eine Ansteuerzeit von 2 msec vorgesehen ist. Dabei wird die Lumineszenzdiode unter dem Leuchtbalken a beispielsweise während der ersten 2 msec des Gesamtzyklusses angesteuert, danach folgt die Leuchtdiode unter dem Balken b und sofort bis schließlich als letzte Lumineszenzdiode der Punkt dp mit gleichfalls 2 msec angesteuert wird. Nun kann eine der Lumineszenzdioden, beispielsweise der Leuchtpunkt DP, zugleich zur Messung der Umgebungshelligkeit durch Messung des Fotostroms ausgenutzt werden. Der Leuchtpunkt dp wird erst in den letzten 2 msec des Taktzyklusses angesteuert, so daß insgesamt die Zeit TF1 = 18 msec zur Messung des Fotostromes zur Verfügung stehen. Zur Erhöhung des Fotostroms können in den Taktpausen auch mehrere der Lumineszenzdioden parallel geschaltet werden. Schaltet man beispielsweise in den Taktpausen die Lumineszenzdioden unter den Balken a, b, c und d parallel, so kann der Fotostrom in diesen vier Lumineszenzdioden nach 10 msec des Gesamtzyklusses während einer weiteren Zeit von TF2 = 10 msec gemessen werden.
- Die erfindungsgemäße Doppelausnutzung von Lumineszenzbauelementen als Fotoelement in Betriebspausen kann selbstverständlich auch bei Analoganzeige-Einheiten, wie beispielsweise Leuchtbändern, zur integrierten Lichtstärkeregelung ausgenutzt werden. Das gleiche gilt für numerische und a-numerische Displays und Leuchtfelder, die im Zeitmultiplex betrieben werden.
- Leerseite
Claims (9)
- Patentansprüche Optoelektronische Halbleiteranordnung aus mindestens einem Licht aussendenden Lumineszenz-Halbleiterbauelement, dadurch gekennzeichnet, daß in Sendepausen das Lumineszenz-Halbleiterbauelement zur Messung der Umgebungshelligkeit als Fotodetektor betrieben wird.
- 2) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der in den Sendepausen durch das Lumineszenz-Halbleiterbauelement fließende Fotostrom zur Helligkeitssteuerung des vom Lumineszenzbauelement ausgesendeten Lichtes verwendet wird.
- 3) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenz-Halbleiterbauelement im Taktbetrieb angesteuert wird und daß die Taktpausen zur Messung des Fotostroms als Maß für die Umgebungshelligkeit verwendet werden.
- 4) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von Einzel-Lumineszenzdioden zur alternierenden Lichtaussendung und Lichtmessung.
- 5) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von Leuchtdisplays aus einer Vielzahl von integrierten oder einzeln aneinander gefügten Lumineszenz-Bauelementen, wobei wenigstens ein Lumineszenzbauelement in den Betriebs- bzw. Taktpausen zur Messung der Umgebungshelligkeit als Fotobauelement betrieben und der Fotostrom zur Helligkeitssteuerung des Displays herangezogen wird.
- 6) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Verwendung von Sieben-Segment-Ziffern aus im Taktbetrieb angesteuerten einzelnen oder monolythisch integrierten Lumineszenzdioden, wobei wenigstens eine Diode in den Taktpausen dieser Diode als Fotoelement betrieben wird.
- 7) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Fotoverstärker, Taktgeber und die Helligkeitssteuerung enthaltende Schaltkreis (e) in das Gehäuse für die Lumineszenz-Halbleiteranordnung mit integriert ist.
- 8) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in den Sende- oder Betriebspausen mehrere, während dieser Zeit als Fotodioden betriebene Lumineszenzdioden zur Erhöhung des Fotostroms parallel geschaltet sind.
- 9) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Taktfrequenz für die Lumineszenzdioden oberhalb der zeitlichen Auflösbarkeitsgrenze des menschlichen Auges liegt.lo) Optoelektronische Halbleiteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch die Verwen dung von grün, rot, orange oder gelb emittierenden Lumineszenzdioden, deren spektrale Empfindlichkeit weitgehend mit der des menschlichen Auges übereinstimmt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3035944A DE3035944C2 (de) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Optische Halbleiteranzeigevorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3035944A DE3035944C2 (de) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Optische Halbleiteranzeigevorrichtung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3035944A1 true DE3035944A1 (de) | 1982-04-08 |
DE3035944C2 DE3035944C2 (de) | 1983-06-01 |
Family
ID=6112715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3035944A Expired DE3035944C2 (de) | 1980-09-24 | 1980-09-24 | Optische Halbleiteranzeigevorrichtung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3035944C2 (de) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0180642A1 (de) * | 1984-02-24 | 1986-05-14 | Japan Traffic Management Technology Association | Datenanzeigevorrichtung |
EP0398736A2 (de) * | 1989-05-19 | 1990-11-22 | Henry Ilari Kuronen | Verfahren und Vorrichtung zum Anzeigen eines Treffers eines Leuchtstrahles auf einer Zielscheibe |
WO1997015040A1 (de) * | 1995-10-18 | 1997-04-24 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsanordnung zur umgebungslichtabhängigen helligkeitssteuerung von anzeigemitteln eines gerätes |
EP0809371A1 (de) * | 1996-05-23 | 1997-11-26 | Horst Prof. Dr. Ziegler | Datensende- und -empfangsschaltung |
DE19813650A1 (de) * | 1998-03-27 | 1999-07-22 | Transit Media Gmbh | Lumineszenzdiode, Matrixanzeige und Kippsegmentanzeige |
EP0974140A2 (de) * | 1998-02-06 | 2000-01-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organische elektroluminescente vorrichtung |
EP1179637A1 (de) * | 2000-02-17 | 2002-02-13 | Sekisui Jushi Kabushiki Kaisha | Verkehrszeichen und in diesem verwendetes lichtsystem mit spontaner lichtemission |
EP1298963A1 (de) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Sende- und Empfangs-LED |
WO2003054980A2 (en) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dual-function electroluminescent device and method for driving the same |
GB2389229A (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Roke Manor Research | A light emitting diode |
US7550930B2 (en) | 2002-03-05 | 2009-06-23 | Asulab S.A. | Method and device for lighting an electronic or electromechanical apparatus |
WO2009095829A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor package with incorporated light or temperature sensors and time multiplexing |
EP2194761A1 (de) * | 2008-12-03 | 2010-06-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | LED-Beleuchtungsvorrichtung |
DE10239449B4 (de) * | 2002-02-06 | 2013-10-24 | Ulrich Kuipers | Verfahren und Vorrichtung zur Realisierung von LED-Leuchten mit Farb- und Helligkeitseinstellung und dem dazugehörigen Bedienelement |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005042082A1 (de) * | 2005-09-05 | 2007-03-08 | Austriamicrosystems Ag | Schaltungsanordnung mit Leuchtdiode und Verfahren zur Steuerung einer Leuchtdiode |
DE102008005391B4 (de) * | 2008-01-21 | 2011-06-09 | Ingenieurbüro Spies GbR (vertretungsberechtigte Gesellschafter: Hans Spies, Martin Spies, 86558 Hohenwart) | Autarke Leuchtdiodenuhr mit Daueranzeige |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2311417A1 (de) * | 1972-03-14 | 1973-09-20 | Philips Nv | Elektrolumineszierende anordnung |
-
1980
- 1980-09-24 DE DE3035944A patent/DE3035944C2/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2311417A1 (de) * | 1972-03-14 | 1973-09-20 | Philips Nv | Elektrolumineszierende anordnung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
US-Z.: Practical Electronics" August 1977, S. 586-587 * |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0180642A1 (de) * | 1984-02-24 | 1986-05-14 | Japan Traffic Management Technology Association | Datenanzeigevorrichtung |
EP0180642A4 (de) * | 1984-02-24 | 1989-06-13 | Japan Traffic Manage Tech Ass | Datenanzeigevorrichtung. |
EP0398736A2 (de) * | 1989-05-19 | 1990-11-22 | Henry Ilari Kuronen | Verfahren und Vorrichtung zum Anzeigen eines Treffers eines Leuchtstrahles auf einer Zielscheibe |
EP0398736A3 (de) * | 1989-05-19 | 1991-11-21 | Henry Ilari Kuronen | Verfahren und Vorrichtung zum Anzeigen eines Treffers eines Leuchtstrahles auf einer Zielscheibe |
WO1997015040A1 (de) * | 1995-10-18 | 1997-04-24 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsanordnung zur umgebungslichtabhängigen helligkeitssteuerung von anzeigemitteln eines gerätes |
EP0809371A1 (de) * | 1996-05-23 | 1997-11-26 | Horst Prof. Dr. Ziegler | Datensende- und -empfangsschaltung |
EP0974140A2 (de) * | 1998-02-06 | 2000-01-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organische elektroluminescente vorrichtung |
DE19813650A1 (de) * | 1998-03-27 | 1999-07-22 | Transit Media Gmbh | Lumineszenzdiode, Matrixanzeige und Kippsegmentanzeige |
EP1179637A1 (de) * | 2000-02-17 | 2002-02-13 | Sekisui Jushi Kabushiki Kaisha | Verkehrszeichen und in diesem verwendetes lichtsystem mit spontaner lichtemission |
EP1179637A4 (de) * | 2000-02-17 | 2005-04-27 | Sekisui Jushi Kk | Verkehrszeichen und in diesem verwendetes lichtsystem mit spontaner lichtemission |
EP1298963A1 (de) * | 2001-09-26 | 2003-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Sende- und Empfangs-LED |
WO2003054980A2 (en) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dual-function electroluminescent device and method for driving the same |
WO2003054980A3 (en) * | 2001-12-20 | 2003-12-04 | Koninkl Philips Electronics Nv | Dual-function electroluminescent device and method for driving the same |
DE10239449B4 (de) * | 2002-02-06 | 2013-10-24 | Ulrich Kuipers | Verfahren und Vorrichtung zur Realisierung von LED-Leuchten mit Farb- und Helligkeitseinstellung und dem dazugehörigen Bedienelement |
US7550930B2 (en) | 2002-03-05 | 2009-06-23 | Asulab S.A. | Method and device for lighting an electronic or electromechanical apparatus |
GB2389229A (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Roke Manor Research | A light emitting diode |
WO2009095829A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor package with incorporated light or temperature sensors and time multiplexing |
US9113533B2 (en) | 2008-01-30 | 2015-08-18 | Koninklijke Philips N.V. | Semiconductor package with incorporated light or temperature sensors and time multiplexing |
EP2194761A1 (de) * | 2008-12-03 | 2010-06-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | LED-Beleuchtungsvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3035944C2 (de) | 1983-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3035944A1 (de) | Optoelektronische halbleiteranordnung | |
EP1643227B1 (de) | Beleuchtungseinrichtung und Verfahren zur Regelung | |
EP1938667B1 (de) | Lichtquelle, die mischfarbiges licht aussendet, und verfahren zur steuerung des farbortes einer solchen lichtquelle | |
DE69906260T2 (de) | Led leuchte | |
DE60115927T2 (de) | Led leuchte | |
DE2914147A1 (de) | In-situ fluorometer | |
EP2659735A1 (de) | Signalisierungsvorrichtung und sensorvorrichtung | |
DE10227487A1 (de) | Beleuchtungsvorrichtung | |
EP1298963A1 (de) | Sende- und Empfangs-LED | |
DE4336669C1 (de) | Eingabefeld | |
DE3438511A1 (de) | Zeigerlose messwertanzeigeeinheit | |
HU200507B (en) | Circuit arrangement for controlling differential measurements based on light intensity | |
DE19844980C2 (de) | Meßvorrichtung zur Messung der Zwischenkreisspannung von Gradientenverstärkern | |
DE2338287C3 (de) | Schaltung zur Helligkeitssteuerung der Anzeigeeinheiten einer Digitaluhr | |
CH635714A5 (de) | Verfahren und schaltungsanordnung zum betreiben einer gluehlampe. | |
DE3416275C2 (de) | ||
WO2011070062A1 (de) | Anzeigen-led-einheit und verfahren zum steuern von anzeigen-leds | |
DE704730T1 (de) | Sendemodul für optische Verbindungen | |
DE2330738C3 (de) | Schaltungsanordnung fur eine Bildwandler- bzw. Bildverstärkerröhre | |
DE2115317B2 (de) | Schaltungsanordnung zur kompensation von lichtschwankungen bei photoelektrischen geraeten | |
DE2441620C3 (de) | Elektronischer Verschluß | |
WO1982004117A1 (en) | Optical measuring member for threads and wires | |
EP0088972A1 (de) | Faseroptische Messanordnung | |
DE1774889A1 (de) | Lichtpegelregulierung | |
DE3339530A1 (de) | Verfahren zum steuern der helligkeit einer anzeigevorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SCHAIRER, WERNER, DIPL.-PHYS. DR., 7102 WEINSBERG, |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |