DE3034681A1

DE3034681A1 - Verfahren zur herstellung eines waermereflexionsfilters

Info

Publication number: DE3034681A1
Application number: DE19803034681
Authority: DE
Inventors: Günter Dipl.-Phys. Frank; Heiner Dipl.-Phys. Dr. 5100 Aachen Köstlin
Original assignee: Philips Patentverwaltung GmbH
Current assignee: Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Priority date: 1980-09-13
Filing date: 1980-09-13
Publication date: 1982-04-29
Also published as: GB2084551A; JPS5779906A; NL8104155A

Description

PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH * PHD 8Ö'-122~ '

"Verfahren zur Herstellung eines Wärmereflexionsfilters"

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Wärmereflexionsfilters, insbesondere für Lichtquellen mit starkem Infrarotanteil, bei dem eine mit Zinn dotierte Schicht aus Indiumoxid In„O auf einen lichtdurchlässigen Träger aufgebracht und der Träger während oder nach der Beschichtung auf eine Temperatur zwischen 30O⁰C und der Erweichungstemperatur des Trägers in einer reduzierenden Atmosphäre erhitzt wird.

Ein derartiges Filter, z.B. bekannt aus DE-PS 23 41 647 verhält sich gegenüber elektromagnetischer Strahlung, wie sichtbarem Licht oder Infrarotstrahlung, dessen Wellenlänge größer als die sogenannte.Plasmawellenlänge λ des Materials ist, wie ein Metall, bei Kleineren Wellenlängen aber wie ein Dielektrikum, d.h., in dem einen Spektralbereich also stark reflektierend, in dem anderen aber weitgehend transparent. Die normale Bandabsorption des Materials setzt erst im nahen ultravioletten Spektralbereich ein.

Die spektrale Lage dieser als Plasmakante bezeichneten mehr oder Tisniger abrupten Änderung der optischen Eigenschaft des Materials ist durch die Dichte der freien Elektronen (Ladungsträgerdichte) bestimmt.

Derartige Filter können immer dann mit Vorteil eingesetzt werden, wenn entweder eine Wärmestrahlung unterdrückt oder Wärmestrahlung auf den Strahler zurückreflektiert werden soll, um dadurch z.B. seinen Wirkungsgrad zu erhöhen.

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Anwendungszwecke für derartige Wärmereflexionsfilter sind z.B. die Wärmeisolation von Natrium-Niederdruck-Gasentladungslampen, Verringerung der Strahlungsverluste bei Solarkollektoren oder die Verbesserung der Wärmeisolation bei Fensterscheiben mit Mehrfachverglasung.

Es hat sich gezeigt, daß Wärmereflexionsfilter der genannten Art und für die genannten Verwendungszwecke je nach Bedarf nicht nur eine mehr oder minder hohe Ladungstragerdichte haben sollten, sondern daß immer auch eine möglichst hohe Beweglichkeit der Ladungsträger im Schichtvolumen wünschenswert ist. Die Ladungsträgerbeweglichkeit ist über Hall-Effekt-Messungen zu ermitteln.

Die nach dem bekannten Verfahren hergestellte, als Wärmefilter verwendete Schicht aus mit Zinn dotiertem Indium-

21 oxid mit einer Ladungsträgerdichte N_p von etwa 1,3 · 10 /cm

2 weist eine Ladungsträgerbeweglichkeit /u von etwa 30 cm /Vs auf. Diese Werte sind für verschiedene Anwendungszwecke nicht optimal, z.B. für die Wärmeisolation von Solarkollektoren und auch für eine Natrium-Niederdruck-Gasentladungslampe mit besonders hohem Wirkungsgrad.

Grundsätzlich ist es bekannt, daß bei Halbleitern mit zunehmender Dichte der Ladungsträger ihre Beweglichkeit abnimmt .

In der Veröffentlichung "Physikalische Blätter" 34 (1978), Nr. 3, Seite 106 ff, ist z.B. gezeigt, daß bei einer Ladungsträgerdichte von nur N ~ 5 · 10 /cm Ladungsträgerbeweglichkeiten von /U % 40 cwr/Vs erreicht werden können. Der Fachmann kann dieser Vorveröffentlichung jedoch nicht entnehmen, wie, unabhängig vom primären Herstellungsprozeß der Schicht, für verschiedene Ladungsträgerdichten jeweils die optimale Ladungsträgerbeweglichkeit nachträglich einge-

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• ··· β · ^ * r c »τ ₉

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stellt werden kann. Das gleiche gilt für die Wertepaare von Ladungsträgerdichte und Lsdungsträgerbeweglichkeit von mit Sn dotierten In₂O -Schichten, wie sie in DE-PS 12 60 627 angegeben sind.

Aufgabe der Erfindung ist es, das bekannte Verfahren zur Herstellung eines Wärmereflexionsfilters aus mit Zinn
dotiertem Indiumoxid, das für sichtbare Strahlung (Licht) weitestgehend transparent ist, Infrarotstrahlung jedoch reflektiert, so zu verbessern, daß eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit und insbesondere bei vorgegebener
Ladungsträgerdihte ein Optimum an Ladungsträgerbeweglichkeit eingestellt werden kann.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Indiumoxidschicht mit weniger als 7 Atom% Zinn, bezogen auf die Menge des Indiums, dotiert wird und daß zum Reduzieren ein Gasgemisch, bestehend aus 5 bis 20 Vol.%
Wasserstoff mit Stickstoff als Rest auf 100 Vol.% unter Zusatz von 0,5 bis 3 % Sauerstoff oder 2,5 bis 15 % Luft, jeweils bezogen auf den Wasserstoffanteil, 10 Minuten bis 2 Stunden über die auf dem auf eine Temperatur zwischen 350 und 400⁰C erhitzten Träger befindliche Schicht geleitet wird.

Nach vorteilhaften Weiterbildungen der Erfindung wird die Indiumoxidschicht mit 0,5 "bis 6,5 Atom% Zinn, bezogen auf die Menge des Indiums, dotiert und es wird ein Gasgemisch, bestehend aus 5 bis 20 Vol.% Wasserstoff mit Stickstoff als Rest auf 100 Vol.% unter Zusatz von 1 % Sauerstoff oder 5 % Luft, jeweils bezogen auf den Wasserstoffanteil, 15 bis 30 Minuten über die auf dem auf eine Temperatur
zwischen 350 und 400⁰C erhitzten Träger befindliche Schicht geleitet.

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..J UJ 4 b Ö I

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Mit dem vorliegenden Verfahren wird ein Weg gewiesen, wie die Ladungsträgerbeweglichkeit in als Wärmereflexionsfilter wirkenden mit Zinn dotierten Indiumoxid-Schichten erhöht werden kann und darüberhinaus ein Optimum der Ladungsträgerbeweglichkeit ^eyieils für eine vorgegebene Ladungsträgerdichte eingestellt werden kann.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Wärmereflexionsfiltern der genannten Art immanenten optischen Eigenschaften, also weitestgehende Durchlässigkeit für den sichtbaren Strahlungsanteil des Spektrums und möglichst hohe Reflexion im Bereich der Infrarotstrahlung, sehr variabel abgestimmt werden können auf einen beliebigen Anwendungs zweck.

Bei den bekannten Herstellungsverfahren für Sn-dotierte InpO-2-Schichten, sei es durch Heißsprühen, Kathodenzerstäubung oder reaktives Aufdampfen, besteht die Schwierigkeit, daß immer damit gerechnet werden muß, daß freie Ladungsträger durch überschüssigen Sauerstoff gebunden werden, die dann auch für die übrigen verbliebenen freien Ladungsträger als zusätzliche Streuzentren wirken und deren Beweglichkeit stark herabsetzen. . Überraschenderweise wird dieser Effekt durch das vorliegende Verfahren vermieden.

Zur Verdeutlichung der Wirkung des vorliegenden Verfahrens möge das folgende Beispiel dienen:

Es wurde eine Indiumoxidschicht mit einer Dotierung mit 2 Aton$ Zinn im Heißsprühverfahren mit einem Aerosol von InCl, in Butylacetat, dotiert mit SnCl^, bei etwa 500⁰C hergestellt. Bei dieser Schicht wurden zunächst eine Ladungsträgerdichte Np von 2,2 · 10 /cur⁵ und eine Ladungsträgerbeweglichkeit /U von 40 cm^/Vs erhalten.

Nach Reduktion gemäß dem vorliegenden Verfahren ergaben sich Werte für die Ladungsträgerdichte N_e von

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5,5 · 10 /cm und für die LadungsträgerbeweglichKeit

/U von 58 cm /Vs.

Ein weiterer Vorteil, der mit dem Verfahren gemäß der Erfindung erzielt wird, ist folgender: Mit dem verwendeten ReduKtionsgasgemisch ist es möglich geworden, den ungiftigen (was für einen FabriKationsprozeß im HinblicK auf das Bedienungspersonal eine wichtige Eigenschaft ist), thermodynamisch wie dynamisch bei niedrigen Temperaturen jedoch schwer beherrschbaren Wasserstoff als Reduktionsgas einzusetzen. Durch die aufgezeigte Pufferung des Wasserstoffes mit Sauerstoff wird der Reduktionsprozeß nach dem Verfahren der Erfindung thermodynamisch und dynamisch in der gleichen optimalen Weise beherrschbar, wie es von ReduKtionsprozessen begannt ist, die mit einem Gasgemisch aus CO/CO2 arbeiten. Der entscheidende Nachteil für eine großtechnische Fertigung ist, daß CO hochgiftig ist und deshalb nicht in einem FabriKationsbetrieb eingesetzt werden sollte.

In einer Versuchsreihe mit verschiedenen Zinndotierungen c in einer Indiumoxidschicht, die nach dem Verfahren der

Erfindung hergestellt wurde, wurden die in der folgenden Tabelle aufgeführten, zusammengehörigen Werte von Dotierstofficonzentration c_Q , Ladungsträgerdichte N und La-

oH e

dungsträgerbeweglichKeit m ermittelt.

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U.O H- U CJ I

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TABELLE

⁰Sn	N e	/^U	/
(AtonöO	(10²⁰/cm³)	(cm²/Vs)	(10"⁴cm)
0,8	2,5	70	3,6
IV)	5,5	58	2,0
4	9,5	46	. 1,4
6	13	38	1,3
9	14	34	1,3
12	13	27	1,8

= Dotierstoffkonzentration, Zinn

= Ladungsträgerdichte

= Ladungsträgerbeweglichkeit

= spez. Schichtwiderstand.

Zwischen diesen Werten Kann mit geeigneten Formeln interpoliert werden. Die Ladungsträgerdichte N_e ergibt sich aus

3 -

N X

ti

.20

Sn

1 = zwischen 6 bis 8.

Die LadungsträgerbeweglichKeit ,u ergibt sich aus _/U = a - (N_e/10²⁰)^b cm²/Vs
a. = zwischen 100 bis 200
b = zwischen -1/3 bis -2/3

Die Kenntnis dieser Zusammenhänge ermöglicht es nun, für joden ins Auge gefaßten Anwendungszweck die optimale Dotierung einer Indiumoxidschicht zu berechnen, wobei folgender Gedankengang zugrundeliegt: Die zu reflektierende Wärmestrahlung liegt je nach Anwendungsfall in sehr unterschiedlichen Wellenlängenbe-

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reichen, z.B. im Bereich von 5 bis 50 /um bei der 80⁰C-Strahlung eines Solarabsorbers, zwischen.3 bis 30 /Um bei der 270°C-Strahlung, wie sie beispielsweise in einer Natrium-NiederdrucK-Gasentladungslampe auftritt oder zwischen 0,5 bis 5 /um bei der 3000 K-Strahlung einer Glühlampe.

Andererseits wird im sichtbaren SpeKtralbereich hohe Transparenz verlangt. In dünner Schicht zeigen Materialien wie mit Zinn dotiertes Indiumoxid den Übergang von hohem Transmissionsvermögen im sichtbaren SpeKtralbereich zu hohem Reflexionsvermögen im Infraroten bei ihrer Plasmawellenlänge χ , die mit der Dichte der freien EleKtronen (Ladungsträger) entsprechend χ = 4,0/V N ^l (χ .in /um;

20 3 ^ ep/ N_e in Vielfachen von 10 /cm ) verknüpft ist. Entsprechend dem Anwendungsfall wird also N_e geeignet zu wählen sein, es ist also mit Zinn in geeigneter Menge zu dotieren.

Aus theoretischen Überlegungen ergeben sich für die Verluste im sichtbaren SpeKtralbereich und im Infraroten, die beide auf Absorption der In₂O -Schichten auf Glassubstraten beruhen, folgende Näherungs-AusdrücKe:

^Avis = ¹ -^Tvis -^Rvis ~ 0,526 . χ²/ {η(χ) · m*²} . N_e · d//U

^AIR= ¹ -^i_R -6,6 - i/(N_e - d . _/U)

worin bedeuten A . = Absorption im sichtbaren Sprktralbereich

A_TD = Absorption im Infraroten

T = Transmission

R = Reflexion

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--O U-O HUOI

AO

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= Brechungsindex für mit Zinn dotiertes Indiumoxid (In₂O, : Sn) bei der Wellenlänge \,

η Z 2,0 für χ Z 0,5 /tun

*
m Z 0,35; effektive Masse der freien EleKtronen

in In₂O : Sn

d = Dicke der In₀O -Schicht

2 3

Die Zahlenwerte gelten, wenn N in Vielfachen von 10 /cm , d in /um, /U in cm²/Vs und χ. in /Um eingesetzt werden.

Die Variation von Ladungsträgerdichte N_e und SchichtdicKe d der refleKtierenden Filterschicht wirKt auf die Verluste in den beiden SpeKtralbereichen genau entgegengesetzt. Die beiden Verluste sind also miteinander ver-Knüpft, und es läßt sich folgende Hyperbelbeziehung formulieren:

^Avis * ^AIR-3,5 · X²/

Aus dieser Hyperbelbeziehung wird deutlich, daß in jedem Fall hohe Werte der LadungsträgerbeweglichKeit /U die Verluste des Wärmereflexionsfilters Klein halten. Dies bedeutet nach obiger Tabelle stets, möglichst geringe LadungsträgerKonzentrationen, das heißt, entsprechend geringe Zinn-Dotierungen, zu wählen. Diese Forderung bleibt auch erhalten, wenn den beiden FaKtoren in der Minimumbedingung nicht das gleiche Gewicht zugemessen würde, wenn es z.B. zugelassen würde, daß die Absorption auf Kosten einer besseren Wärmereflexion weniger starK berücK-sieht igt werden sollte.

Zur Optimierung eines Wärmereflexionsfilters muß N_e also so Klein gewählt werden, wie es gerade mit der Forderung vereinbar ist, daß der Übergang von hohem Transmissionsvermögen im sichtbaren SpeKtralbereich zu hohem Reflexions-

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vermögen im Infraroten derart liegt, daß der Wellenlängenbereich, in dem die Wärmestrahlung reflektiert werden soll, möglichst vollständig bei längeren Wellenlängen als χ liegt.

Der Absolutwert des Wärmereflexionsvermögens muß dann nur noch über die Schichtdicke d beeinflußt werden, die als Kompromiß zwischen einem hohen Wert für R·™ und einem hohen

Wert für A . (beide £ N · d) gewählt werden muß unter Bevis θ

rücksichtigung der Tatsache, daß im allgemeinen ein Transmissionsmaximum im sichtbaren Spektralbereich bei einer <*-■ Wellenlänge zu erwarten ist, die durch χ 2hd/m (m = 1,2,3...) gegeben ist, wobei der Brechungsindex η der Indiumoxidschicht wieder zu η ~ 2 angenommen werden kann.

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Die angegebenen Daten erlauben es auch, die geringste Schichtdicke d zu berechnen, mit der ein gewünschter Flächenwiderstand R =j /d(inJCl), z.B. für eine transparente elektrisch leitende Elektrode, erreicht werden kann, indem mit etwa 6 bis 10 Atom% Zinn dotiert (womit die höchste Ladungsträgerkonzentration zu erreichen ist) und d = 1,3/R (in /Um) berechnet wird,-

Nach einer weiteren vorteilhaften Ausbildung der Erfindung wird das Gasgemisch über einen Katalysator geleitet, der sich auf der gleichen Temperatur befindet, wie der Träger.

Der Katalysator besteht vorteilhafterweise aus Platin. Durch Einschaltung eines Katalysators, über den das Gasgemisch gleitet wird, bevor es die In_?0 -Schicht erreicht, ergibt sich der Vorteil, daß eine Schicht mit inhomogener Struktur, die durch entweder das Aufbringverfahren, die Morphologie der Substratoberfläche oder ungleiche Temperaturverteilung im Substrat verursacht sein kann, in der durch den Katalysator definiert gepufferten Atmosphäre

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homogener zu reduzieren ist und darüberhinaus die Prozeßdauer weniger kritisch wird.

Für das genannte Reduktionsverfahren soll vorteilhafterweise eine I^/Np-Gasmischung eingesetzt werden; es kann aber auch ein anderes geeignetes reduzierendes Gas benutzt werden. Der Reduktionsprozeß muß gestoppt werden, bevor das Indiumoxid der Schicht sich zersetzt, d.h. zu Indiummetall reduziert wird, was sich durch eine Schwarzfärbung der Schiebt bemerkbar macht.

Dies kann auf zweierlei Weise vermieden werden: Entweder kann der Reduktionsvorgang früh genug durch Abkühlen der Schicht unterbrochen werden, wobei zur Peststellung des Zeitpunktes der Unterbrechung vorzugsweise der elektrische Widerstand R der Schicht während des Reduzier ens gemessen und der Ofen ausgeschaltet wird, wenn dieser Widerstand ein Minimum erreicht hat. Zu diesem Zeitpunkt hat die Schicht ihre optimalen Eigenschaften erreicht - maximale Ladungsträgerdichte N_e und maximale Ladungsträgerbeweglichkeit /U, die jedoch für jede gewählte Zinndotierung c„ verschieden sind, R Z 1/N d/U (d = Schichtdicke), wie aus der oben angeführten Tabelle hervorgeht. Yfird länger reduziert, wird der Schichtwiderstand wieder größer, es liegt eine Uberreduktion vor, wobei im wesentlichen die Ladungsträgerbeweglühkeit abnimmt. Eine sichtbare Dunkelfärbung der Schicht infolge einer Überreduktion tritt erst ein, wenn der Widerstand bereits etwa 10 bis 30 % über seinen Optimalwert angestiegen ist.

Die zweite Möglichkeit, eine Uberreduktion der dotierten Indiumoxidschicht zu verhindern, ist die Reduktionswirkung des reduzierenden Gasgemisches zu puffern, wobei eine Gp. smischung benutzt wird, die einen niedrigen Sauerstoffpartialdruck aufweist, der nicht wesentlich größer ist, als der Zersetzungsdruck des Indiumoxids bei der Reduk-

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Ai

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tionstemperatur. Dieser Zersetzungsdruck ist aus thermo-' dynamischen Daten bekannt.

Aus der DE-PS 2 341 647 ist die Möglichkeit, mit einem durch COp oder HpO-Dampf gepufferten reduzierenden Gas, · z.B. CO oder Hp, zu arbeiten, bekannt. Es wurde nun erkannt, daß deutlich bessere Ergebnisse erreicht werden können, was die Beweglichkeit der Ladungsträger besonders auch in schwach dotierten In_?0 -Schichten betrifft, wenn die reduzierende Gasmischung, im vorliegenden Fall Hp/N_,

C- C-

nicht mit H^O-Dampf gepuffert wird, sondern mit Sauerstoff, wobei das Gasgemisch entweder direkt oder über einen vor der zu reduzierenden Schicht angeordneten Katalysator, vorzugsweise aus Platin, auf die Schicht geleitet wird.

Der Katalysator soll dabei die gleiche Temperatur haben wie der Träger, auf dem sich die Schicht befindet. Die Temperatur, bei der der Reduktionsprozeß ablaufen soll und auf die sowohl der Träger mit der Schicht erhitzt wird als auch das Gasgemisch über den Katalysator, soll während des Reduktionsprozesses möglichst für alle am Verfahren beteiligten Systeme gleichmäßig beibehalten werden.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nunmehr beschrieben.

Einer Lösung von 10Og InCl, in 1000 ml Essigsäure-n-Butylester werden 3 ml SnCl, zugesetzt. Die Lösung wird in einer Zerstäuberdüse mit Luft zerstäubt und das gebildete Aerosol auf einen ebenen transparenten Träger, z.B. aus Glas, geleitet. Der Träger wird durch einen Ofen auf etwa 500⁰C aufgeheizt. Der Aerosolstrahl wird so lange über den Träger geführt, bis sich auf ihm eine Schicht mit einer Dicke von etwa 0,3 /um abgeschieden hat. Die in die In„O,-Schicht eingebaute Dotierung beträgt Atom?6 Zinn, bezogen auf die Menge des Indiums. Anschließend

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wird der beschichtete Träger in einem Reaktor auf 35O°C erhitzt. In dem Reaktor befindet sich an einer Stelle, die das in ihn einzuleitende reduzierende Gasgemisch früher passiert als den beschichteten Träger, ein ebenfalls auf 35O⁰C aufgeheizter Katalysator, vorzugsweise aus Platin. Der Reaktor wird zunächst mit dem Reduktionsgasgemisch gespült.

Die dem Hp/Np-Gasgemisch zuzusetzende Sauerstoffmenge ist ίο abhängig von der Redukt ions temp eratur, da sowohl der Zersetzungsdruck des Indiumoxids als auch die Gleichgewichtszusammensetzung des I^/NgA^-Gasgemisches temperaturabhängig - aus bekannten thermodynamisehen Daten zu berechnen - sind.

Dem Reduziergasgemisch aus 85 % Stickstoff N₂ und 15 % Wasserstoff H₂ werden zusätzlich 2 % Sauerstoff O₂, bezogen auf den Wasserstoffanteil, zugemischt. Dieses Gasgemisch wird mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 6 l/h bei Normaldruck durch den Reaktor geleitet. Der Reaktor wird mit den die Schichten tragenden Trägern in etwa 30 Minuten auf eine Temperatur von etwa 35O⁰C aufgeheizt.

Bei hohen Reduktionstemperaturen sind die Reduktionszeiten zwar kurz, was im allgemeinen ein technischer Vorteil ist, die Gefahr einer schnellen Überreduktion bei nicht genauer Einhaltung der Gaszusammensetzung ist aber ebenfalls groß. Bei niedrigerer Reduktionstemperatur kann die Überreduktion erfahrungsgemäß relativ lange vermieden werden.

Während des Abkühlens der Indiumoxidschicht muß entweder die Sauerstoffzufuhr abgeschaltet werden, oder es darf der Katalysator nicht mit abgekühlt werden, da sich sonst das Gasgleichgewicht zu sehr zum Sauerstoff hin verschiebt, wodurch die optimal reduzierten Schichten in der Abkühl-

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Λ φ * * * ti ■*

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phase teilweise oxidieren und ihre optimalen Eigenschaften, insbesondere die hohe BeweglichKeit der Ladungsträger, wieder verlieren.

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Claims

PHD 80-122" ■ PATENTANSPRÜCHE:

1. Verfahren zur Herstellung eines Wärmereflexionsfilters, insbesondere für Lichtquellen mit starkem Infrarotanteil, bei dem eine mit Zinn dotierte Schicht aus Indiumoxid In₂O-* auf einen lichtdurchlässigen

Träger aufgebracht und der Träger während oder nach der Beschichtung auf eine Temperatur zwischen 300 C und der Erweichungstemperatur des Trägers in einer reduzierenden Atmosphäre erhitzt wird,

dadurch gekennzeichnet, daß die Indiumoxidschicht mit weniger als 7 Atom% Zinn, bezogen auf die Menge des Indiums, dotiert wird und daß zum Reduzieren ein Gasgemisch, bestehend aus 5 bis 20 Vol.% Wasserstoff mit Stickstoff als Rest auf 100 Vol.% unter Zusatz von 0,5 bis 3 % Sauerstoff oder 2,5 bis 15 9^ Luft, jeweils bezogen auf den Wasserstoffanteil, 10 Minuten bis 2 Stunden über die auf dem auf eine Temperatur zwischen 350 und 400°C erhitzten Träger befindliche Schicht geleitet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1,

dadurch gekennzeichnet, daß ein Gasgemisch, bestehend aus 5 bis 20 Vol.% Wasserstoff mit Stickstoff als Rest auf 100 Vol.% unter Zusatz von 1 % Sauerstoff oder 5 % Luft, jeweils bezogen auf den Wasserstoffanteil, 15 bis 30 Minuten über die auf dem auf eine Temperatur zwischen 350 und 400⁰C erhitzten Träger befindliche Schicht geleitet wird.

3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Indiumoxidschicht mit 0,5 bis 6,5 Atom% Zinn, bezogen auf die Menge des Indiums, dotiert wird.

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4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, daß das Gasgemisch über einen Katalysator geleitet wird, der sich auf der gleichen Temperatur befindet wie der Träger mit der Indiumoxidschicht .

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Katalysator aus Platin verwendet wird.

6. Verwendung des nach dem Verfahren gemäß der vorhergehenden Ansprüche hergestellten Wärmereflexionsfilters im Mantelrohr einer Natrium-Niederdruck Gasentladungslampe.

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