DE3002642A1 - Thermomagnetischer datentraeger und optischer speicher mit einem derartigen datentraeger - Google Patents

Thermomagnetischer datentraeger und optischer speicher mit einem derartigen datentraeger

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DE3002642A1 DE19803002642 DE3002642A DE3002642A1 DE 3002642 A1 DE3002642 A1 DE 3002642A1 DE 19803002642 DE19803002642 DE 19803002642 DE 3002642 A DE3002642 A DE 3002642A DE 3002642 A1 DE3002642 A1 DE 3002642A1
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Description

.V. Philips' GlceiLnpi.ifei;·:!:!;;;], Einu'hovsn
24.11-1979 /T —3- PHN
30026Λ2
Thermomagnetischer Datenträger und optischer Speicher mit
einem derartigen Datenträger
Die Erfindung betrifft einen Datenträger, der sich
dazu eignet, auf thermostatischem Wege Daten einzuschreiben und auf magneto—optischem ¥ege Daten auszulesen, mit einem nichtmagnetischen Substrat das eine amorphe Schicht einer
Seltenen Erd-Eisenlegierung mit einer bevorzugten Magnetisierungsrichtung senkrecht auf der Ebene der Schicht trägt, sowie einen optischen Speicher mit einem derartigen Datenträger.
Datenträger nach obiger Beschreibung sind aus der
niederländischen offengelegten Patentanmeldung 750870?
bekannt. Insbesondere ist daraus ein Datenträger mit einer auf einem Substrat mittels thermischer Verdampfung im
Vakuum angebrachten Eisen-Gadoliniumschicht mit etwa
kO Atomprozenten Gadolinium, Rest Eisen, bekannt. Thermo-
magnetisches Einschreiben erfolgt durch örtliches Erwärmen der in einem Magnetfeld angeordneten Schicht auf die Curie-Temperatur, beispielsweise mit Hilfe eines fokussierten
Laserbündels und anschliessendem Abkühlen, wobei unter dem Einfluss magnetischer Streufelder benctchbarter, nicht
erwärmter Bereiche sich die Magnetisierungsrichtung der
erwäi-mten Stelle umkehrt. (Beim Umkehren der Magnetisierungsrichtung wird manchmal auch ein äusseres Magnetfeld verwendet, das dem Feld in dem sich die Schicht befindet,
entgegengesetzt gerichtet ist).
Ein Nachteil des bekannten Datenträgers besteht darin, dass der amorphe Werkstoff bereits bei verhältnismässig
niedrigen Temperaturen (ab 100 ... 150°C) irreversibel
seine Struktur ändert. Hierbei ändern sich die Eigenschaften ebenfalls, insbesondere die magnetischen. Allmählich führt
■*° dieser Vorgang zu Kristallisierung das Werkstoffs. Da in
der Praxis beim Einschreiben von Daten der Werkstoff immer wieder einen Temperaturanstige erfährt, um ihn in die Nähe der Curie-Temperatur zu bringen, ist der erwähnte Kristall!-
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24.11.1979 yr ~-H -
sierungsvorgang besonders unerwünscht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Datenträger der eingangs erwähnten Art mit einer erhöhten Stabilität hinsichtlich der Kristallisierung zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass die Seltene Erd-Eisenlegierung 15-30 At.$ Bor enthält.
Es hat sich herausgestellt, dass dünne amorphe
Schichten Seltene Erd-Eisenlegierungen mit mindestens 15 At.$ Bor erst Kristallisierungserscheinungen bei einer Temperatur aufweisen, die um etwa 2000C höher als die Temperatur liegt, bei der borfreie Legierungen dieser Art Kristallisierungserscheinungen aufweisen. Beim Zusatz von mehr als 30 At.$ Bor zeigt es sich, dass sich die magnetischen Eigenschaften der betreffenden Schichten für ein thermomagnetisches Einschreibverfahren weniger eignen.
Hat man einmal eine Zusammensetzung, die zu einer stabileren amorphen Legierung als der bisherigen führt, so kann man die Gedanken dahin gehen lassen, unter Beibehaltung der Stabilität die Basi'szusammens teilung derart zu ändern, dass eine Werkstoffreihe mit voreinstellbarer Curie-Temperatur zur Verfügung steht. Dies ist deshalb interessant, weil dabei bei jedem zum Einschreiben benutzten Laser ein Werkstoff mit einer an die Leistung des Lasers angepassten Schreibempfindlichkeit gewählt werden kann. Die zum Einschreiben erforderliche Leistung wird nämlich auch durch die Temperatur bestimmt, auf die der Werkstoff erwärmt werden muss.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass ein Zusammensetzungsgebiet für die amorphe Schicht des Datenträgers der eingangs erwähnten Art, in welchem Gebiet sich die Curie-Temperatur ständig ändert, von nachstehender Formel definiert wird:
wobei ZA zumindest ein Vertreter der Gruppe Ho, Dy, Tb und 0,2^x^0,3
0 -C y έ- 1
0, 15 ^. V£0,3
ist.
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J4.11.1979 y~ & - PHN
Bei der Werkstoffreihe, die die erwähnte Formel beschreibt, liegt die Curie-Temperatur, abhängig vom Wert von y, zwischen etwa 20 und 230°C, so dass ein Werkstoff mit einer gewünschten Schreibempfindlichkeit gewählt werden kann, ohne dass sogar bei den Werkstoffen mit höheren Curie-Temperaturen befürchtet zu werden braucht, dass sie beim thermomagnetischen Einschreibverfahren Kristallisierungserscheinungen aufweisen werden. Weiter zeigt es sich, dass dünne Schichten mit einer erfindungsgemässen Zusammen-Setzung bis zu sehr geringer Dicke ihre Eigenschaften beibehalten (relevant ist in dieser Beziehung insbesondere die senkrechte magnetische Anisotropie), so dass sie sowohl in der Reflektion (mit Hilfe des Kerr-Effekts) als auch in der Transmission (mit Hilfe des Faraday-Effekts) ausgelesen werden können.
Vorzugsweise enthält die amorphe Schicht Holmium als zweites Seltene Erdmetall neben Gadolinium, weil in dieser Kombination die Zusammensetzung an verschiedene Verwendungen optimal angepasst werden kann.
Die Erfindung bezieht sich ebenfalls auf einen optischen Speicher zum Einschreiben von Daten auf thermomagnetischem Wege und zum Auslesen von Daten auf magnetooptischem Wege, mit einem Datenträger in Form eines Substrats, das eine dünne amorphe Schicht nach obiger Be-Schreibung trägt, und weiter mit einer Strahlenquelle, mit Mitteln, um die von der Strahlenquelle erzeugte Strahlung auf ausgewählte Stellen der amorphen Schicht zu richten und die Temperatur dieser Stellen kurzzeitig zu erhöhen, mit Mitteln, um die amorphe Schicht senkrecht auf ihrer Oberfläche vorzumagnetisieren, und mit magneto-optischen Auslesemitteln.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläutert". Es zeigen Fig. 1 einen Teil des Zusammensetzungsdiagramms des Systems Gd-Fe-B,
Fig. 2 eine grpahische Darstellung des Bor-Gehalts (T,*""") von Gd-Fe-B-Legierungen im Verhältnis zur Kristallisierungstemperatur T1 von Schichten mit dieser Zusammensetzung, k
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2k. 11.1979 J^ ^ " PHN 934ο
Fig. 3 eine graphische Darstellung des Bor-Gehalts (Xr-) von (Gd,Ho)-Fe-B-Legierungen im Verhältnis zur Kristallisierungstemperatur T. von Schichten mit dieser Zusammensetzung,
Fig. k eine graphische Darstellung der Curie-Temperatur von drei verschiedenen mit Ho1Dy oder Tb substituierten Gd-Fe-Schichten als Funktion der Art und Grosse der Substitution, und
Fig. 5 schematisch eine Anordnung zum thermomagnetisehen Schreiben und zum magneto-optischen Lesen. BEISPIEL -
Eine Anzahl dünner Gd-Fe-B-Schichten mit den im Zusammensetzungsdiagramm nach Fig. 1 mit geschlossenen Kreisen und Kreuzen angegebenen Zusammensetzungen wurde in einem (Ultra-)Hochvakuum-Aufdampfgerät hergestellt. (Diese dünnen amorphen Schichten können übrigens auch mittels eines Kathodenzerstäubungsverfahrens gebildet werden) Um sehr genaue Zusammensetzungen zu verwirklichen, wurden die Elemente einzeln mit Hilfe dreier Elektronenstrahlerzeugungssysteme verdampft. Ein jedes dieser Erzeugungssysteme wurde mit einer Quarzoszillatorregelung geregelt, die sieh im Metalldampfbündel befand. Vor dem Aufdampfverfahren betrug der Druck in der Aufdampfglocke etwa 3 x 10 Torr, während beim Aufdampfen der Druck nied—
-8
riger als 5 x 10 Torr war. Als Substrat wurde Quarz benutzt. Auch andere nichtmagnetische Werkstoffe wie Barium-Titanat, Glas, Silicium, kommen jedoch als Substratwerkstoff in Betracht. Das Substrat befand sich beim Aufdampfen im Schnittpunkt der drei Dampfbündel und 27 cm über den Quellen. Es wurde mit einer Geschwindigkeit von 20 A s aufgedampft und die Dicke der aufgedampften
Schichten betrug etwa I5OO A.
Es zeigte sich aus Röntgendiffraktionsmessungen der amorphe Zustand der Werkstoffe.
In Fig. 1 sind mit geschlossenen Kreisen Beispiele von Zusammensetzungen angegeben, die bei Raumtemperatur eine Vorzugsmagnetisierungsrichtung, senkrecht auf der Oberfläche des Films zeigen. Es stellt sich dabei heraus,
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dass in der Nähe der Zusammensetzung Fe „Gdn„„ bis etwa
U / / Ott j
U , / / 30 At.$ B zugesetzt werden kann, bevor diese besondere, senkrechte magnetische Anisotropie verschwindet. Die gestrichelte Linie in dieser Figur gibt an, bei welchen Zusammensetzungen das Fe : Gd-Verhältnis 77 : 23 beträgt. Auf dieser Linie sind von zwei Zusammensetzungen die Curie-Temperaturen mit einer Genauigkeit von _+ 50C bestimmt:
tc(°c)
Fe0,62Gd0,18B0,20
FeO,54GdO,i6Bo,3O
Stabilität
In Fig. 2 ist gezeigt, dass bei gleichbleibendem Gd/Fe-Verhältnis und ansteigendem Borgehalt ^"der Übertrag vom amorphen zum kristallinen Zustand bei (Gd „ Fe oo)1 ,.B^- Schichten verzögert wird. Als Kriterium ist hier die Temperatur T, genommen, bei der die amorphe Struktur in ein Gd-O>;idnetz und ^-Fe bzw. FeB-Phasen aufgeteilt wird = Yenn Gd teilweise durch Ho, Dy oder Tb ersetzt wird, zeigt es sich, dass dies keinen merklichen Einfluss auf die MikroStruktur der Schichten hat. In Fig. 3 ist auf gleiche Weise wie in Fig. 2 ersichtlich, dass bei gleichbleibendem Gd/Fe/Ho-Verhältnis und ansteigendem Borgehalt der Übergang vom amorphen zum kristallinen Zustand bei "C(GdHo)n »_Fe __j B f _- Schicht en verzögert wird. Curie-Temperatur T
In Fig. h ist T gegen den Ersatzprozentsatz y für amorphe Legierungen mit der Zusammensetzung
{ Gd (Ho, Dy, Tb)-Jn ?qFe77 aufgetragen. Es zeigt 2Q '"Ύ y u»'-J it
sich dabei, dass sowohl bei teilweisem Ersatz von Gd durch Ho (geschlossene Kreise) als auch durch Tb (offene Vierecke) und Dy (offene Kreise) ein fliessender Verlauf von T mit y auftritt. Wichtig in dieser Figur ist die dargestellte
Möglichkeit, für T einen gewünschten Wert zwischen Raumtemperatur und 230°C durch Schwankungen im betreffenden Zusammensetzungsbereich zu verwirklichen» Der mögliche, (geringe) Einfluss des Zusatzes von Bor auf Tc ist hier
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-R-
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ausser Betracht gelassen.
Es ist bekannt, dass das magnetische Moment der schweren Seltenen Erdelemente (Ordnungszahl Z =t 64) mit dem von Eisen antiparallel koppelt. Dies bedeutet, dass in manchen dieser Werkstoffe die Magnetisierung bei einer Temperatur unter der Curie—Temperatur (T ) gleich Null wird. Diese Temperatur wird mit Ausgleichstemperatur (T ) bezeichnet. Zum thermomagnetisehen Einschreiben von Daten kann sowohl T (man spricht dabei von Ausgleichspunktschreiben) als auch T (man spricht dabei von Curie—Punkt-
schreiben) verwendet werden. Eine Beschreibung der T - bzw.
T -Schreibtechnik ist z.B. in der Veröffentlichung c omp &
"An Overview of Optical Data Storage Technology", in Proceedings of the IEEE, Vol. 63, Nr.8, August 1975,
S. 1207 ... 1215 gegeben.
Anordnung
In Fig. 4 ist eine Anordnung für thermomagnetisch^ Datenspeicherung mit magneto-optischer Auslesung teilweise in Form einer Zeichnung und teilweise in Form eines Block-Schaltbilds dargestellt. Die Anordnung enthält eine Datenspeichereinheit mit einer amorphen Schicht magnetisierbaren Werkstoffs 6, angebracht auf einem Substrat 7· Der magnetisierbare Werkstoff hat eine der bereits erwähnten Gd-Fe-B-Zusammensetzungen. Zum Einschreiben von Datenbits ist die Anordnung mit einer Strahlenquelle 1 versehen.
Diese kann beispielsweise ein Laser sein. Mit dieser Quelle werden Energieimpulse erzeugt, die nach der Fokusierung durch die Linse 2 und nach der Ablenkung durch die Ablenkanordnung 3 eine ausgewählte Stelle oder Adresse der Schicht 6 treffen (der Deutlichkeit halber ist der Winkelet , den das einfallende Lichtbündel mit der Normalen bildet, als ein Winkel von etwa 45° dargestellt. In der Wirklichkeit ist cK nahezu gleich 0°). An dieser Stelle wird durch den Temperaturanstieg, der durch die einfallende Strahlung
" bewirkt wird, eine Abnahme der Koerzitivkraft bewirkt.
Das Auswählen einer Stelle besorgt die Adressieranordnung Simultan wird durch das Erregen der Spule 9 ein magnetisches Feld mit einer geeigneten Feldstärke.eingeschaltet, um die
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Magnetisierung der Schicht senkrecht auf der Oberfläche zu orientieren. Die magnetischen Streufelder der umgebenden Stellen bewirken, dass beim Abkühlen die Magnetisierungsrichtung der angestrahlten Quelle umgekehrt wird. Zum Auslesen der gespeicherten Information ist ein Polarisator zwischen der Ablenkanordnung 3 und der Schicht 6 angeordnet und es sind ein Analysator 10, eine Linse 11 und eine photoelektrische Zelle 12 in dieser Reihenfolge in der Richtung des reflektierenden Bündels angeordnet. Zum Auslesen ist die Strahlenquelle 1 zum Erzeugen eines Strahlenbündels mit niedrigerer Energie als zum Einschreiben eingerichtet, da es unerwünscht ist, dass die Schicht 6 vom Auslese— bündel erwärmt wird. Der Analysator 10 ist derart gedreht, dass das Licht, das die Teile der Schicht 6 reflektieren, die in einer vorgegebenen Richtung magnetisiert sind, erlischt. Es erreicht also die photoelektrische Zelle 12 nur Licht das die Teile der Platte reflektieren, die entgegengesetzt zur ersten Richtung magnetisiert sind. Schreibverfahren
Schreibversuche sind mit einem fokusierten Laserbündel mit einer Wellenlänge von 530/um durchgeführt worden. Es wurde durch das Substrat durchstrahlt unter gleichzeitiger Anlegung eines äusseren Hilfsfeldes mit einer Feldstärke von 45 Oersted. Die amorphe Schicht war eine Schicht mit der Zusammensetzung (Ee nGd„ 2?^n 8oBn und mit einer Dicke von I5OO A.
Reihen von Datenbits mit einem Durchmesser von 4-5/um und gegenseitigem Abstand von ebenfalls 4-5 /um konnten in die Schicht mit Hilfe des erwähnten Laserbündels eingeschrieben werden, das dabei eine Leistung von I7 mW an die Schicht lieferte und mit einer Impulsdauer TT von 10 s gepulst wurde.
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Claims (5)

24.11.1979 /^ PHN 934ο PATENTANSPRÜCHE
1. Datenträger mit der Eignung zum Einschreiben von Daten auf thermomagnetischem Wege und zum Auslesen von Daten auf magneto-optischem Wege mit einem Substrat, das eine dünne amorphe Schicht einer Seltenen Erd-Eisen-Legie-
° rung mit einer bevorzugten Magnetisierungsrichtung senkrecht auf der Ebene der Schicht trägt, dadurch gekennzeichnet, dass die Seltene Erd-Eisen-Legierung 15 bis 30 At.$ Bor enthält.
2. Datenträger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Seltene-Erd-Eisen-Legierung eine Zusammensetzung hat, die folgender Formel entspricht:
•i (ZA Gd1 ) Fe1 1 , . B {r,
i y 1 -y' χ i-xj i-!f "
wobei ZA zumindest ein Vertreter der Gruppe Ho, Dy, Tb und 0,2 -L χ -^, 0,3
0 ^ y /. 1
0,15 ώ tr- ^- 0,3
ist.
3. Datenträger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
dass ZA gleich Ho ist.
h. Optische Speicheranordnung zum Einschreiben von Daten auf thermomagnetischem Wege und zum Auslesen von Daten auf magneto-optischem Wege, mit einem Datenträger in Form eines Substrats, das eine dünne amorphe Schicht aus einer Seltenen Erd-Eisen-Legierung trägt, und weiter mit einer Strahlenquelle, mit Mitteln, um die durch die Strahlenquelle erzeugte Strahlung auf ausgewählte Stellen der amorphen Schicht zu richten und ihre Temperatur kurzzeitig zu erhöhen, mit Mitteln, um die amorphe Schicht in einer Richtung senkrecht auf ihrer Oberfläche vorzumagnetisieren, und mit magneto-optischen Auslesemitteln, dadurch gekennzeichnet, dass die Seltene Erd-Eisenlegierung 15 bis 30 % Bor enthält.
5. Speicheranordnung nach Anspruch h, dadurch gekenn-
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BAD ORIGINAL
tf02642
zelcliriet, dass die Seltene Erd-Eisen-Legierung eine Zusammensetzung hat, die nachstehender Formel entspricht:
-f (ZA Gd1 ) Fe1 I1 B r. , wobei ZA zumindest ein Vertreter der Gruppe Ho, Dy, Tb und 0,2 ^ x^. 0,3 O ^: y -C
0,15 ^ t/- ^ 0,3 ist.
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DE19803002642 1979-02-06 1980-01-25 Thermomagnetischer datentraeger und optischer speicher mit einem derartigen datentraeger Granted DE3002642A1 (de)

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