DE2806922A1 - Halbleiter-wechselrichter - Google Patents

Halbleiter-wechselrichter

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DE2806922A1
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transistor
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Jurij Aleksandrovi Efimuschkin
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EFIMUSCHKIN JURY A
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EFIMUSCHKIN JURY A
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/538Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration
    • H02M7/53803Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration with automatic control of output voltage or current
    • H02M7/53806Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration with automatic control of output voltage or current in a push-pull configuration of the parallel type

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  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Description

  • Halbleiter-Wechselrichter
  • Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Wechselrichter.
  • Ein derartiger Wechselrichter kann insbesondere in der Meßtechnik und in Stromversorgungen von Elektro- und Rundfunkgeräten als Wechselstromquelle eingesetzt werden.
  • Ein bekannter derartiger Wechselrichter ist auf der Grundlage eines Transistor-Multivibrators mit resistivinduktiven Kollektor-Basis-Kopplungen ausgeführt, der zwei HaupttransistorenX zwei Widerstände und einen Thermowiderstand im Emitterkreis der beiden Haupttransistoren aufweist, dessen einer Anschluß an den einen Pol einer Gleichstromquelle geschaltet ist 9 an deren anderen Pol die Mittelanzapfung der Primärwicklung eines Ausgangstransformators angeschlossen istg deren Anschlüsse mit den Transistorkollektoren verbunden sind (vgl. z. B. SU-Erfinderschein 181 724, Kl. H02m 7/52).
  • Eine erhebliche Spannungsänderung (20 bis 30 %) der Gleichstromquelle stört die erforderliche Betriebsart des Multivibrators, indem sie von der Gleichstromquelle den Transistorbasen über die Primärwicklung des Ausgangstransformators und über die Widerstände zugeführt wird.
  • Bei Temperaturänderungen in weiten Grenzen (von -40 bis +50 OC) ändert sich die Wechselstromfrequenz des Transistor-Multivibrators aufgrund unterschiedlicher Anderung des induktiven Widerstandswerts der Primärwicklung des Ausgangstransformators und des Wirkwiderstandswerts des Thermowiderstandes, was die Kennlinien-Stabilität des Wechselrichters beeinträchtigt.
  • Infolgedessen fällt die Stabilität des Ausgangswechselstroms ab, und unter Umständen setzt dieser überhaupt aus.
  • Zur Sicherung eines stabilen Betriebs des bekannten Wechselrichters in einem weiten Temperaturbereich sowie bei beträchtlichen Spannungsänderungen der Gleichstromquelle wird letztere an den Eingang des Wechselrichters über einen getrennten Gleichspannungsstabilisator angeschlossen, der aber eine erhebliche Verlustleistung hat, die bei Spannungsanstieg (insbesondere bei größeren Strömen) zunimmt, was den Umwandlungs-Wirkungsgrad verringert.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Halbleiter-Wechselrichter zu schaffen, bei dem ein neuer schaltungstechnischer Aufbau des Transistor-Multivibrators seinen stabilen Betrieb in einem weiten Temperaturbereich sowie bei beträchtlichen Spannungsänderungen der Gleichstromquelle sichert, um gleichzeitig mit der Erhöhung des Umwandlungs-Wirkungsgrades die Stabilität des Ausgangswechselstroms zu verbessern.
  • Die Lösung dieser Aufgabe bei einem Halbleiter-Wechselrichter der eingangs genannten Art erfolgt erfindungsgemäß durch die Lehre nach dem Kennzeichen des Patentanspruchs 1.
  • Beim erfindungsgemäßen Wechselrichter ist die Verringerung der Abhängigkeit des Ausgangsstroms von der Spannung der Gleichstromquelle und der Umgebungstemperatur durch Stabilisierung des Basisstroms der Schalttransistoren, der deren Hauptbetriebsart bestimmt, und durch Regelung des Kollektorstroms unter Einführung einer Gegenkopplung über den Basis-Emitter-Kreis der Schalttransistoren erreicht, der die instabilisierende Wirkung von Spannungsänderungen der Gleichstromquelle und der Umgebungstemperatur ausgleicht.
  • Dies gestattet, die den Großteil der Leistung aufnehmenden Schalttransistoren von der nichtstabilisierten Gleichstromquelle zu speisen.
  • Hierbei werden Verluste ausgeschlossen, die im bekannten Wechselrichter bei Anwendung eines leistungsfähigen Spannungsstabilisators auftreten, und wird der Wirkungsgrad der Umwandlung erhöht.
  • Die Ausführung des Transistor-Multivibrators als Schaltung mit resistiv°kapazitiven Kollektor-Basis-Kopplungen erlaubt, eine Abhängigkeit der Wechselstromfrequenz von Spannungsänderungen der Gleichstromquelle zu vermeiden sowie eine Anderung der Wechselstromfrequenz mit der Temperatur in weiten Grenzen wesentlich zu verringern, was die Stabilität des Ausgangswechselstroms des Wechselrichters zusätzlich verringert.
  • Besonders zweckmäßig ist die Lehre nach dem Patentanspruch 2.
  • Anhand der Zeichnung wird die Erfindung beispielsweise näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 ein Prinpschaltbild des Wechselrichters; Fig. 2 denselben Wechselrichter mit einem nichtlinearen Spannungsbegrenzer; und Fig. 3 den Wechselrichter mit einer anderen Ausführungsvariante des nichtlinearen Spannungsbegrenzers.
  • Der Wechselrichter enthält einen mit resistiv-kapazitiven Kopplungen ausgeführten Transistor-Multivibrator 1 (Fig. 1), der zweiHaupttransistoren 2 und 3, einen Widerstand 4 im Kollektorkreis des Transistors 2, einen Widerstand 5 im Kollektorkreis des Transistors 3, einen Widerstand 6 im Basiskreis des Transistors 2, einen Widerstand 7 im Basiskreis des Transistors 3 und Kondensatoren 8 und 9 aufweist.
  • Der Multivibrator 1 enthält auch zwei Schalttransistoren 10 und 11, deren Basis je an den Emitter eines der Haupttransistoren 2 und 3 angeschlossen sind, Widerstände 12 und 13 und einen Thermowiderstand 14.
  • Der Verbindungspunkt 15 der Basis mit dem Emitter der Transistoren 11 und 3 ist an einem der Anschlüsse des Widerstandes 13 und der Verbindungspunkt 16 der Basis mit dem Emitter der Transistoren 10 und 2 an einem der Anschlüsse des Widerstandes 12 angeschlossen. Der zweite Anschluß der Widerstände 12 und 13 ist je an einen der Anschlüsse des Thermowiderstandes 14 gekoppelt, dessen zweiter Anschluß an einen Verbindungspunkt 17 der Emitter der Schalttransistoren 10 und 11 geschaltet ist. Der Kollektor der Schalttransistoren 10 und 11 ist an die Anschlüsse der Primärwicklung 18 eines Ausgangstransformators 19 gekoppelt, dessen Anschlüsse der Sekundärwicklung 20 als Ausgänge des Wechselrichters wirken.
  • Eine Mittelanzapfung 21 der Primärwicklung 18 ist an den Minuspol 22 der Gleichstromquelle angeschlossen.
  • Der Pluspol 23 der Gleichstromquelle ist an einen Verbindungspunkt 24 der Anschlüsse der Widerstände 12 und 13 und des Thermowiderstandes 14 geschaltet.
  • In den Kollektorkreis der Haupttransistoren 2 und 3 des Multivibrators -1 ist eine stabilisierte Gleichspannungsquelle 25 geschaltet, die sich aus einem Widerstand 26 und einer Stabilisierdiode 27 zuss ansetzt9 deren einer Anschluß mit einem der Anschlüsse les Widerstandes 5 des Kollektorkreises des Haupttransistors 3 und deren anderer Anschluß mit dem Pluspol 23 vel den ist.
  • Vom Widerstand 26 ist der eine Anschluß mit einem der Anschlüsse des Widerstandes 4 des Kollektorkreises des Haupttransistors 2 und der andere Anschluß mit dem Minuspol 22 verbunden.
  • Fig. 2 zeigt die Verbindung des Punktes 17 mit dem Punkt 21 über einensnichtlinearen Spannungsbegrenzer, der eine Reihenschaltung aus einem Widerstand 28, einer Diode 29 deren Polung der Polarität der Gleichstromquelle entspricht, und einer Bezugsspannungsquelle 30 darstellt.
  • Der .«.chtlineare Spannungsbegrenzer kann auch als Reihenschaltung des Widerstands 28 (Fig. 3) und einer Stabilisierdiode 31 ausgeführt sein.
  • Der Wechselrichter gemäß der Erfindung arbeitet wie folgt: Bei einer Spannungsänderung (Spannungsanstieg) der Gleichstromquelle um 10 bis 15 % steigt die Spannung am Kollektor der Schalttransistoren 10 und 11 (Fig. 1) und am Eingang der stabilisierten Gleichspannungsquelle 25 an, während sie an deren Ausgang konstant bleibt.
  • Die Betriebsart der aus den Widerständen 4 und 5 des Kollektorstromkreises sowie den Widerständen 6 und 7 des Basiskreises der Transistoren 2 und 3 und den Kondensatoren 8 und 9 zusammengesetzten Zeitgeber wird nicht gestört, und die Schwingungsfrequenz des Multivibrators bleibt erhalten. Darüber hinaus bleibt der Kollektorstrom der Haupttransistoren 2 und 3, der über den Basis-Emitter-Übergang der Schalttransistoren 10 und 11 fließt, unverändert.
  • Der Spannungsanstieg am Kollektor der Schalttransistoren 10 und 11 wird folgendermaßen kompensiert: Die am Thermowiderstand 14 bei abwechselnder Einschaltung der Schalttransistoren 10 und 11 unter Einwirkung des Kollektorstroms der Haupttransistoren 2 und 3 abfallende Spannung nimmt bei Spannungsanstieg am Kollektor der Schalttransistoren 10 und 11 zu.
  • Dieser erhöhte Spannungsabfall am Thermowiderstand 14, der über die Widerstände 12 und 13 an den Basis-Emitterübergang der Schalttransistoren 10 und 11 angelegt wird, polt den genannten Übergang in Sperr-Richtung, wodurch der über den Basis-Emitter-Ubergang des in der betreffenden Halbperiode leitenden Schalttransistors 10 bzw. 11 fließende Gesamtstrom reduziert wird.
  • Infolgedessen gleicht die Verringerung dieses Gesamtstroms den Spannungsanstieg am Kollektor der Schalttransistoren 10 und 11 aus.
  • In ähnlicher Weise arbeitet der erfindungsgemäße Wechselrichter bei Erhöhung der Umgebungstemperatur, die einem Spannungsanstieg der Gleichstromquelle äquivalent ist.
  • Hierbei nehmen der ursprüngliche Basisstrom der im Schaltbetrieb für größere Ströme arbeitenden Schalttransistoren 10 und 11 und ein über deren Kollektor fließender Strom zu.
  • Am Thermowiderstand 14 nimmt der Spannungsabfall zu, der an den Basis-Emitter-Übergang der Schalttransistoren 10 und 11 gelegt wird.
  • Der über den Basis-Emitter-Ubergang des in der betreffenden Halbperiode leitenden Schalttransistors 10 bzw. 11 fließende Gesamtstrom nimmt ab, und gleichzeitig wird die an die Basis des in der betreffenden Halbperiode gesperrten Schalttransistors 11 bzw. 10 angelegte Sperrspannung vergrößert.
  • Eine zusätzliche Stabilisierung des Ausgangswechselstroms bei erheblichen Spannungsänderungen der Gleichstromquelle (in der Größenordnung von 20 bis 30 %) wird durch den nichtlinearen Spannungsbegrenzer sichergestellt.
  • Die Bezugsspannung der Bezugsspannungsquelle 30 (Fig. 2) ist derart gewählt, daß der Sperrzustand der Diode 29 bei minimaler Spannung der Gleichstromquelle gewährleistet ist.
  • Die Diode 29 wird leitend, wenn die Spannung der Gleichstromquelle über die Bezugsspannung der Bezugsspannungsquelle 30 steigt, wobei über den Thermowiderstand 14 ein Ausgleichsstrom fließt, der eine zusätzliche Polung des Basis-Emitter-Übergangs der Schalttransistoren 10 und 11 in Sperr-Richtung hervorruft.
  • In der Folge fällt der durch den Kollektor-Emitter-Übergang der Schalttransistoren 10 und 11 kommutierte Strom ab und gleicht den Spannungsanstieg an der Gleichstromquelle aus.
  • Der Widerstandswert 28 ist derart gewählt, daß der über den Thermowiderstand 14 fließende Strom den Einfluß zunehmender Spannung der Gleichstromquelle auf den Ausgangsstrom des Wechselrichters kompensiert.
  • Der in Fig. 3 gezeigte Wechselrichter arbeitet ähnlich, nur daß der Betrieb des nicht linearen Spannungsbegrenzers bei einer durch die Stabilisierungsspannung der Stabilisierdiode 31 bestimmten Spannung der Gleichstromquelle einsetzt.
  • Der erfindungsgemäße Wechselrichter kann wirksam als Wechselstromgenerator in Meßgeräten eingesetzt werden.
  • Die Anwendung des Wechselrichters z. B. als Stromsteller in einem Meßgerät für Mikrowiderstände führt zu folgenden Ergebnissen: Bei Entladung einer als Gleichstromquelle verwendeten Akkumulatorenbatterie von 11 auf 8 V, d. h. bei einer Spannungsabnahme um 27 %, änderte sich der Kollektorstrom der Schalttransistoren 10 und 11 von 0,66 auf 0,6 A, d. h.
  • um 9 %.
  • Bei Anschluß des nichtlinearen Spannungsbegrenzers zwischen den Punkten 17 und 21 lag die Änderung des Kollektorstroms unterhalb 0,5 %.
  • In beiden Fällen wurden die erforderlichen Kennlinien des Wechselrichters bei einer Änderung der Umgebungstemperatur im Bereich von -30 bis +50 0C gewährleistet.

Claims (2)

  1. Ansprüche 1. Halbleiter-Wechselrichter auf der Grundlage eines Transistor-Multivibrators mit einem im Emitterkreis der Haupttransistoren liegenden Thermowiderstand, dessen einer Anschluß an den einen Pol der Gleichstromquelle geschaltet ist, deren anderer Pol mit der Mittelanzapfung der Primärwicklung eines Ausgangstransformators des Wechselrichters verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß eine stabilisierte Gleichspannungsquelle (25) vorgesehen ist, und daß der Transistor-Multivibrator (1) mit resistivkapazitiven Kollektor-Basis-Kopplungen der beiden Haupttransistoren (2, 3) ausgeführt ist, in deren Kollektorkreis die stabilisierte Gleichspannungsquelle (25) und in deren Emitterkreis je ein Schalttransistor (10, 11) und je ein Widerstand (12, 13) liegen, wobei mit dem Emitter der Haupttransistoren (2, 3) die Basis des zugehörigen Schalttransistors (10, 11) und einer der Anschlüsse des zugehörigen Widerstands (12, 13) verbunden sind, dessen anderer Anschluß mit dem ersten Anschluß des Thermowiderstands (14) verbunden ist, und wobei von den Schalttransistoren (10, 11) der Emitter mit dem zweiten Anschluß des Thermowiderstands (14) und der Kollektor mit den Anschlüssen der Primärwicklung (18) des Ausgangstransformators (19) des Wechselrichters verbunden ist (Fig. 1).
  2. 2. Wechselrichter nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen nichtlinearen Spannungsbegrenzer (28 - 30; 28, 31) zwischen dem zweiten Anschluß (17) des Thermowiderstands (14) und der Mittelanzapfung (21) der Primärwicklung (18) des Ausgangstransformators (19) des Wechselrichters (Fig. 2; 3).
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