DE2740764C2 - - Google Patents

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DE2740764C2
DE2740764C2 DE2740764A DE2740764A DE2740764C2 DE 2740764 C2 DE2740764 C2 DE 2740764C2 DE 2740764 A DE2740764 A DE 2740764A DE 2740764 A DE2740764 A DE 2740764A DE 2740764 C2 DE2740764 C2 DE 2740764C2
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DE
Germany
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electron beam
resist
semiconductor
resist mask
resist layer
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DE2740764A
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DE2740764A1 (de
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Hugo Dr.Rer.Nat. Dipl.-Phys. 8035 Gauting De Ruechardt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • H10P76/2045—

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
DE19772740764 1977-09-09 1977-09-09 Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung Granted DE2740764A1 (de)

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DE2740764A1 DE2740764A1 (de) 1979-03-22
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4508952A (en) * 1983-02-17 1985-04-02 University Patents, Inc. Electron beam cutting

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DE2740764A1 (de) 1979-03-22

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