DE2654532B2 - Disc-shaped semiconductor cell - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine scheibenförmige Halbleiterzelle der im Oberbegriff des Patentanspruchs angegebenen Art. Eine derartige Halbleiterzelle ist aus der DE-OS 21 18 356 bekannt.The invention relates to a disk-shaped semiconductor cell in the preamble of the claim specified type. Such a semiconductor cell is known from DE-OS 21 18 356.
Es ist auch durch die DE-PS 20 21 158 eine Halbleiteranordnung mit einem scheibenförmigen Gehäuse und einem darin eingesetzten Halbleiterbauelement bekannt, bei welcher ein Zylinderring aus Keramik das Gehäuse bildet, in dessen oberer und unterer Stirnseite eine gegen das Ringinnere gerichtete Stufe eingelassen ist, in der an der oberen Stirnseite ein Blechstützring zur Abstützung eines die obere Gehäusestirnseite dicht abschließenden membranartigen, kreisförmigen Kontaktierungsbleches aus Kupfer mit einer Randwulst eingelötet ist. In der Stufe an der unteren Stirnseite des Zylinderringes ist ebenfalls ein solches Kontaktierungsblech mit einer Ringwulst, jedoch ohne Stützring eingelötet, welches die untere Gehäusestirnseite dicht abschließt. Das Halbleiterbauelement ist an einer seiner Hauptflächen mit einer durch das Kontaktierungsblech an der unteren Gehäusestirnseite kontaktierten Tragscheibe verbunden und ist an der anderen Hauptfläche mittels einer Kontaktierscheibe mit dem Kontaktierungsblech an der oberen Gehäusestirnseite in Kontakt. Bei dieser Anordnung befindet sich sonach das Halbleiterbauelement einerseits mit seiner Tragscheibe und andererseits mit einer Kontaktierscheibe zwischen den zwei die Halbleiterzelle dicht abschließenden membranartigen Kontaktierungsblechen und wird mit diesen bei Druckausübung auf die Halbleiterzelle kontaktiert. Außerdem ist das Halbleiterbauelement zentriert und umspannfähig in die Zelle eingesetzt.It is also from DE-PS 20 21 158 a semiconductor device with a disc-shaped housing and a semiconductor component used therein is known, in which a cylinder ring made of ceramic the housing forms, in its upper and lower end face, a step directed towards the inside of the ring is let in, in which a sheet metal support ring on the upper face to support the upper housing face tightly sealing membrane-like, circular contacting sheet made of copper with a Edge bead is soldered. There is also one in the step on the lower face of the cylinder ring Contacting sheet with an annular bead, but without a support ring, soldered into the lower end of the housing seals tightly. The semiconductor component is on one of its main surfaces with a through the Contacting plate connected to the lower housing face contacted support disk and is on the other main surface by means of a contacting disk with the contacting plate on the upper housing face in contact. In this arrangement, the semiconductor component is on the one hand with it its support disk and on the other hand with a contact disk between the two the semiconductor cell tightly final membrane-like contacting sheets and is with these when pressure is applied to the Contacted semiconductor cell. In addition, the semiconductor component is centered and capable of being reclamped into the Cell inserted.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Halbleiterzelle mit den eingangs angegebenen Anordnungs- und Aufbaumerkmalen zu finden, die aus einfachen Bauteilen herstellbar ist, welche leicht zu einem dicht abschließenden Gehäuse zusammenzusetzen sind.The object of the invention is to provide a semiconductor cell with the features of arrangement and construction specified at the beginning to find, which can be produced from simple components, which easily to a tightly sealed Housing are to be assembled.
Eine solche Halbleiterzelle wird durch die Erfindung geschaffen und weist zusätzlich die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs angegebenen Merkmale auf.Such a semiconductor cell is created by the invention and additionally has the in the characterizing Part of the claim specified features.
In der Zeichnung sind drei Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt und nachstehend beschrieben. Es zeigenIn the drawing, three exemplary embodiments of the invention are shown and described below. It demonstrate
F i g. 1 und F i g. 2 einen Durchmesserquerschnitt durch eine scheibenförmige Halbleiterzelle für ein Thyristorbauelement,F i g. 1 and F i g. 2 shows a diameter cross section through a disk-shaped semiconductor cell for a Thyristor component,
Fig.3 einen Durchmesserquerschnitt durch eine scheibenförmige Halbleiterzelle für ein Diodenelement3 shows a diameter cross section through a disk-shaped semiconductor cell for a diode element
In diesen Figuren haben gleichartige Einzelteile die gleichen Bezugszeichen.In these figures, individual parts of the same type have the same reference symbols.
Bei den scheibenförmigen Halbleiterzellen nach Fig. I, 2 und 3 bildet ein Zylinderring 1 aus einem Isolator, beispielsweise aus Keramik oder aus einem starrfesten Kunststoff, die Gehäusewand (Gehäusemantel). An den zwei Stirnseiten sind die Halbleiterzellen durch zwei gleiche Kontaktierscheiben 2 und 2' abgeschlossen, deren Durchmesser dem Durchmesser der Innenmantelfläche des Zylinderringes 1 angepaßt ist und welche beide einen Außenflansch 21,21' aufweisen. Ein Halbleiterbauelement 3 ist nach F i g. 2 und 3 in der Zelle zwischen den Kontaktierscheiben mittels eines das Bauelement umschließenden Isolierringes 4 zentriert angeordnet. Zwischen zwei an der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes umlaufenden Anschlägen, die an dem Außenflansch 21 bzw. 2V anliegen, sind die zwei Kontaktierscheiben gegeneinander festgehalten. Mindestens ein elastischer Dichtungsring 5 aus temperaturbeständigem und ölfestem Material, wie z. B. Silikongummi, welcher das Halbleiterbauelement ebenfalls umschließt, befindet sich zwischen den Kontaktierscheiben 2 und 2'. Die Außenmantelfläche 13 des Zylinderringes 1 ist, wie z. B. die F i g. 1 es zeigt, mit vielen parallel umlaufenden Rillen versehen, damit der Spannungskriechweg der Zelle groß wird. Bei der Halbleiterzelle nach Fig. 1 dienen zwei Sesgeringe 6 und 6' als Anschläge für die zwei Kontaktierscheiben. Die Seegeringe sind in zwei in der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes in der Nähe von dessen Stirnflächen umlaufende Nuten 12 und 12' einsetzbar. Diese Seegeringe sind, wie bekannt, Sprengringe, die z. B. an ihren gegenüberstehenden Enden mit je einem Greifloch versehen sind. In der Mitte der Innenmantelfläche hat der Zylinderring 1 einen Rechteckprofil aufweisenden Vorsprung 14. Zwischen einer Kontaktierscheibe und einem Vorsprung andererseits befindet sich ein Dichtungsring 5 bzw. 5' mit den oben angegebenen Materialeigenschaften. Mittels dieser zwei Dichtungsringe schließen die zwischen den Sprengringen 6, 6' angeordneten Kontaktierscheiben die Halbleiterzelle genügend dicht ab. Die Dichtungsringe ermöglichen einen ausreichenden Bewegungsweg, damit die Zelle den zur Druckkontaktierung des Thyristorbauelementes erforderlichen Druck aufnehmen kann. Die Höhe des Vorsprungs 14 kann so bemessen werden, daß die lichte Weite des Zylinderringes beim Vorsprung dem Außendurchmesser der Tragscheibe 31 des Thyristors 3 angepaßt ist. Nach F i g. 1 befindet sich das Bauelement 3 des Thyristors zwischen den Kontaktierscheiben 2, 2' in einer zentrierenden Ausnehmung 22' der Kontaktierscheibe 2'. Einfacher wird ein Halbleiterbauelement mittels eines Isolierringes, wie in den Fig. 2 und 3 gezeigt, zentriert gehalten.In the disk-shaped semiconductor cells according to FIGS. 1, 2 and 3, a cylinder ring 1 made of an insulator, for example made of ceramic or a rigid plastic, forms the housing wall (housing jacket). At the two end faces, the semiconductor cells are closed off by two identical contact disks 2 and 2 ', the diameter of which is adapted to the diameter of the inner circumferential surface of the cylinder ring 1 and which both have an outer flange 21, 21'. A semiconductor component 3 is shown in FIG. 2 and 3 arranged centered in the cell between the contact disks by means of an insulating ring 4 surrounding the component. The two contact disks are held against one another between two encircling stops on the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring, which abut against the outer flange 21 or 2V. At least one elastic sealing ring 5 made of temperature-resistant and oil-resistant material, such as. B. silicone rubber, which also encloses the semiconductor component, is located between the contact disks 2 and 2 '. The outer circumferential surface 13 of the cylinder ring 1 is such. B. the F i g. 1 it shows, provided with many parallel circumferential grooves so that the voltage creepage distance of the cell becomes large. In the semiconductor cell according to FIG. 1, two Sesgerings 6 and 6 'serve as stops for the two contact disks. The circlips can be inserted in two circumferential grooves 12 and 12 'in the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring in the vicinity of its end faces. These circlips are, as is known, snap rings which, for. B. are each provided with a gripping hole at their opposite ends. In the middle of the inner circumferential surface, the cylinder ring 1 has a rectangular profile having a projection 14. Between a contact washer and a projection on the other hand there is a sealing ring 5 or 5 'with the material properties specified above. By means of these two sealing rings, the contact disks arranged between the snap rings 6, 6 'close off the semiconductor cell sufficiently tightly. The sealing rings allow a sufficient movement path so that the cell can absorb the pressure required to make pressure contact with the thyristor component. The height of the projection 14 can be dimensioned so that the clear width of the cylinder ring at the projection is adapted to the outer diameter of the support disk 31 of the thyristor 3. According to FIG. 1, the component 3 of the thyristor is located between the contacting disks 2, 2 'in a centering recess 22' of the contacting disk 2 '. A semiconductor component is more simply held centered by means of an insulating ring, as shown in FIGS. 2 and 3.
Bei der Halbleiterzelle nach F i g. 2 dienen ebenfallsIn the case of the semiconductor cell according to FIG. 2 also serve
zwei Seegeringe 6,6' in gleicher Weise wie nach F i g. 1 als Anschläge für die Kontaktierscheiben 2 und 2'. Im Unterschied zu der Zelle nach F i g. 1 sind zwei aufeinanderliegende Dichtungsringe S und S' zwischen der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes und einem ·"· wiederum ein Thyristorbauelement 3 umschließenden Isolierring 4 so eingepaßttwo circlips 6,6 'in the same way as in FIG. 1 as stops for the contact disks 2 and 2 '. In contrast to the cell according to FIG. 1 are two sealing rings S and S 'lying on top of one another between the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring and a · "· in turn, an insulating ring 4 enclosing a thyristor component 3 so fitted
Der Druckkontaktierung bieten die Dichtungsringe auch hier genügend Bewegungsweg. Nach F i g. 2 dient außerdem der Isolierring 4 zur Zentrierung des ι» Bauelementes 3. Er kann zu diesem Zweck in einer in der Kontaktierscheibe 2' befindlichen Kreisnut eingesetzt werden. Die Kontaktierscheiben 2 und 2' schließen die Halbleiterzelle mittels der Dichtungsringe 5 und 5' dicht ab. Ein Anschlußleiter T für die Steuerelektrode G ι "> des Thyristors ist in einer rohrartigen Hülle 7 durch den Zylinderring 1 hindurch in die Halbleiterzelle eingeführt und geht frei zwischen den dicht aufeinander liegenden Dichtungsringen hindurch.Here, too, the sealing rings offer sufficient movement path for pressure contact. According to FIG. 2, the insulating ring 4 also serves to center the component 3. For this purpose, it can be inserted in a circular groove located in the contact disk 2 '. The contact disks 2 and 2 'close the semiconductor cell tightly by means of the sealing rings 5 and 5'. A connection conductor T for the control electrode G ι "> of the thyristor is inserted in a tubular sheath 7 through the cylinder ring 1 into the semiconductor cell and passes freely between the sealing rings lying close together.
Anders als bei den scheibenförmigen Zellen nach F i g. 1 und 2 dienen bei einer Halbleiterzelle nach F i g. 3 ein in dem Zylinderring 1 ausgebildeter Innenflansch 15, welcher dem Außenflansch 21 einer Kontaktierscheibe 2 umfaßt, und wiederum ein Seegering 6' als Anschläge für die zwei Kontaktierscheiben 2 und 2'. Wie nach F i g. 2 sind zwei unmittelbar aufeinander liegende Dichtungsringe 5 und 5' zwischen der Innenmantelfläche 11 des Zylinderringes 1 und einem Isolierring 4 eingepaßt, welcher das Halbleiterbauelement 3, hier ein Diodenbauelement, zentrierend umschließt Mittels der Dichtungsringe schließen die Kontaktierscheiben die Halbleiterzelle dicht ab. Wiederum sind die Dichtungsringe 5, 5' zwischen Zylinderring 1 und Isolierring 4 so eingepaßt, daß ihre Ringhöhe größer als die Höhe des Isoüerringes 4 ist, wenn kein Druck auf die Halbleiterzelle ausgeübt wird, so daß die Dichtungsringe genügend Bewegungsweg für die Druckkontaktierung des Bauelementes 3 aufweisen.In contrast to the disc-shaped cells according to FIG. 1 and 2 are used in a semiconductor cell according to FIG. 3 an inner flange 15 formed in the cylinder ring 1, which is attached to the outer flange 21 of a contact disk 2 includes, and in turn a circlip 6 'as stops for the two contact disks 2 and 2'. How after F i g. 2 are two sealing rings 5 and 5 'lying directly on top of one another between the inner circumferential surface 11 of the cylinder ring 1 and an insulating ring 4 fitted, which the semiconductor component 3, here a Diode component, centering encloses by means of the Sealing rings tightly seal the contact discs of the semiconductor cell. Again are the O-rings 5, 5 'between the cylinder ring 1 and insulating ring 4 fitted so that their ring height is greater than the height of the Isoüerringes 4 is when no pressure is exerted on the semiconductor cell, so that the sealing rings have sufficient movement path for the pressure contact of the component 3.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (1)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3143335A1 (en) * | 1981-10-31 | 1983-05-11 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Semiconductor device |
DE3221794A1 (en) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR CELL FOR PRESSURE-CONTACTABLE POWER SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2825682C2 (en) * | 1978-06-12 | 1984-09-20 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Semiconductor component with insulating housing |
DE3308720A1 (en) * | 1983-03-11 | 1984-09-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DISC-SHAPED HOUSING |
US4829364A (en) * | 1985-11-29 | 1989-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
USRE34696E (en) * | 1985-11-29 | 1994-08-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki | Semiconductor device housing with electrodes in press contact with the opposite sides of chip |
DE102006014145C5 (en) * | 2006-03-28 | 2015-12-17 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Pressure contacted arrangement with a power device, a metal moldings and a connecting device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3437887A (en) * | 1966-06-03 | 1969-04-08 | Westinghouse Electric Corp | Flat package encapsulation of electrical devices |
DE2118356A1 (en) * | 1971-04-15 | 1972-10-26 | Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München | Disc-shaped semiconductor component |
BE790502A (en) * | 1971-10-26 | 1973-04-25 | Westinghouse Electric Corp | ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE USING AN ELASTOMER |
-
1976
- 1976-12-02 DE DE2654532A patent/DE2654532C3/en not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3143335A1 (en) * | 1981-10-31 | 1983-05-11 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Semiconductor device |
DE3221794A1 (en) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR CELL FOR PRESSURE-CONTACTABLE POWER SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2654532A1 (en) | 1978-06-08 |
DE2654532C3 (en) | 1982-03-11 |
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