DE2118356A1 - Disc-shaped semiconductor component - Google Patents

Disc-shaped semiconductor component

Info

Publication number
DE2118356A1
DE2118356A1 DE19712118356 DE2118356A DE2118356A1 DE 2118356 A1 DE2118356 A1 DE 2118356A1 DE 19712118356 DE19712118356 DE 19712118356 DE 2118356 A DE2118356 A DE 2118356A DE 2118356 A1 DE2118356 A1 DE 2118356A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
cover plates
ring
component according
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712118356
Other languages
German (de)
Inventor
Reimer Dipl.-Phys.Dr.; Martin Heinz; 8000 München Emeis
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19712118356 priority Critical patent/DE2118356A1/en
Priority to FR7146963A priority patent/FR2133561B1/fr
Priority to GB1000172A priority patent/GB1330081A/en
Priority to NL7202856A priority patent/NL7202856A/xx
Priority to IT721272A priority patent/IT957175B/en
Priority to SE480872A priority patent/SE383583B/en
Publication of DE2118356A1 publication Critical patent/DE2118356A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

SIEMENS AKTIEIiGESELLSCUA?! München 2, 15.ÄPR1971SIEMENS AKTIEIiGESELLSCUA ?! Munich 2, April 15, 1971

Berlin und München Witteisbacherplatz 2Berlin and Munich Witteisbacherplatz 2

VPA 71/1058 VPA 71/1058

Scheibenförmiges HalbleiterbauelementDisc-shaped semiconductor component

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein scheibenförmiges Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterlement und einem Gehäuse, bestehend aus zwei starren, Hauptflächen und einen Rand aufweisenden Deckplatten und einem κ-'Λ diesen dicht verbundenem Isolierring.The present invention relates to a disk-shaped semiconductor component with a semiconductor element and a housing, consisting of two rigid cover plates having main surfaces and an edge and an insulating ring which is tightly connected to this.

Ein solches Halbleiterbauelement ist bereits beschrieben worden. Der Isolierring ist mit den starren Deckplatten über einen Stahlring verbunden. Der Stahlring ist mit dem Isolierring und mit den starren Deckplatten verlötet. Dazu muß der Isolierring vorher mit einer Metallschicht versehen werden. Dies ist jedoch recht aufwendig. Außerdem besteht die Gefahr, daß beim Verlöten des Gehäuses schädliche Dämpfe oder Gase in das Gehäuseinnere gelangen und dort die Eigenschaften des Halbleiterelementes beeinträchtigen.Such a semiconductor component has already been described been. The insulating ring is connected to the rigid cover plates via a steel ring. The steel ring is with the Insulating ring and soldered to the rigid cover plates. For this purpose, the insulating ring must be provided with a metal layer beforehand will. However, this is quite time-consuming. In addition, there is a risk of harmful vapors when soldering the housing or gases get into the interior of the housing and impair the properties of the semiconductor element there.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Halbleiterbauelement gemäß der angegebenen Gattung so weiterzubilden, daß das Zusammensetzen und Verschließen auf einfachere Weise möglich ist.The present invention is therefore based on the object of providing a semiconductor component according to the specified type to develop that the assembly and closing is possible in a simpler way.

Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Deckplatten in der Nähe des Randes mindestens je einen der anderen Deckplatte zugewandten Ringbuckel aufweisen, daß der Isolierring aus elastischem Isoliermaterial besteht, daß die Ringbuckel auf dessen Ober- und Unterseite aufliegen, und daß Mittel vorgesehen sind, die die Deckplatten gegeneinander- und die Ringbuckel an den Isolierring an- oder wenigstens teilweise in ihn einpressen.The invention is characterized in that the cover plates in the vicinity of the edge each have at least one of the other cover plates facing annular hump that the insulating ring consists of elastic insulating material that the annular hump rest on the top and bottom, and that means are provided that the cover plates against each other and the Press the ring boss onto the insulating ring or at least partially press it into it.

VPA 9/110/1020 Hab/Hob - 2 -VPA 9/110/1020 Hab / Hob - 2 -

209844/0961209844/0961

Vorzugsweise ist der Eand der Deckplatten mit einem Kranz versehen, der geringere Dicke als die Deckplatten hat. Die Ringbuckel sind auf diesem Kranz angeordnet. Die Mittel können vorteilhafterweise aus mit dem Ring verbundenen9 die Kränze auf der dem Halbleiterelement abgewandten Seite umfassenden federnden Krallen bestehen. Die Krallen und der Isolierring können dabei aus einem einzigen Stück bestehen9 Die Krallen und die Kränze können in diesem Fall so geformt sein, daß sie miteinander einen Sehnappmechanismus bilden«,The end of the cover plates is preferably provided with a rim which is less thick than the cover plates. The ring humps are arranged on this wreath. The means can advantageously consist of resilient claws that are connected to the ring and encompass the rings on the side facing away from the semiconductor element. The claws and the insulating ring can consist of a single piece 9 The claws and the rings can in this case be shaped in such a way that they form a tendon mechanism with one another «,

. ■. ■

Die Mittel können aber auch aus einem beide Kränze auf der dem Halbleiterelement abgewandten Seite umfassenden Schrumpfschlauch bestehen. Vorteiliiafterweise können die Mittel auch aus einer den Kranz der ersten Deckplatte auf der dem Halbleiterelement abgewandten Seite umfassenden ersten Schraubkappe und einer den Kranz der zweiten Deck- platte auf der dem Halbleiterelement abgewandten Seite umfassenden zweiten Schraubkappe bestehen, wobei beide Schraubkappen miteinander verschraubbar ausgebildet sind.However, the means can also consist of a shrink tube encompassing both rings on the side facing away from the semiconductor element. Advantageously, the means can also consist of a first screw cap encompassing the rim of the first cover plate on the side facing away from the semiconductor element and a second screw cap encompassing the rim of the second cover plate on the side facing away from the semiconductor element, both screw caps being designed to be screwable to one another.

Der Isolierring kann in allen aufgezählten Fällen z.B. fe aus Teflon bestehen»The insulating ring can be made of Teflon in all of the cases listed, for example »

Die Erfindung wird anhand einiger Alisführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren 1 bis 4 näher erläutert. Es zeigen?The invention is explained in more detail with the aid of a few examples of implementation in conjunction with FIGS. 1 to 4. Show it?

Figur 1 einen Querschnitt durch ein HalbleiterbauelementFigure 1 shows a cross section through a semiconductor component

gemäß eiaen ersten Ausfüiirungsbeispiel der Erfindung f Figur 2 den Querschnitt durch sin aweites Ausführungsbei- "according eiaen first Ausfüiirungsbeispiel of the invention, f 2 is the cross section through the exemplary embodiment aweites sin "

spiele
Figur 3 den Querschnitt durch, eis drittes A'asx'ühruBgstoei—games
FIG. 3 shows the cross section through the third A'asx'ührstoei—

spiel undgame and

Figur 4 ein vergrößertes9 alles Atasiilhrimgs Beispielen ge- ■ meinsames Detail e Figure 4 is an enlarged 9 Atasiilhrimgs all examples ■ overall concomitantly detail e

9/110/1020 209S44/0'96 1 - 3 _9/110/1020 209S44 / 0'96 1 - 3 _

Das Halbleiterbauelement gemäß Figur 1 weist zwei starre Deckplatten 1 und 2 auf. Zwischen diesen Deckplatten liegt ein.Halbleiterelement 3, das nur schematisch angedeutet ist. Der Rand der Deckplatte 1 ist mit einem Kranz 4 und der Rand der Deckplatte 2 mit einem Kranz 6 versehen. Die einander zugewandten Seiten der Kränze 4 und 6 weisen einen Ringbuckel 5 bzw. 7 auf. Die Ringbuckel 5 und 7 liegen dabei auf der Ober- und Unterseite eines elastischen Isolierringes auf. Dieser Isolierring kann zoB. aus Teflon bestehen.The semiconductor component according to FIG. 1 has two rigid cover plates 1 and 2. A semiconductor element 3, which is only indicated schematically, is located between these cover plates. The edge of the cover plate 1 is provided with a ring 4 and the edge of the cover plate 2 is provided with a ring 6. The mutually facing sides of the rings 4 and 6 have an annular hump 5 and 7, respectively. The ring bosses 5 and 7 lie on the top and bottom of an elastic insulating ring. Z o B. This insulating ring can be made of Teflon.

Die Ringbuckel 5» 7 werden durch eine äußere Kraft in den Isolierring 8 eingepreßt, wodurch ein Zusammenhalt der Einzelteile des Gehäuses und eine gewisse Abdichtung des Innenraumes des Halbleiterbauelementes erreicht wird. Diese äußere Kraft wird von ringförmigen Krallen 9 aufgebraht, die die Kränze 4 und 6 an ihrer dem Halbleiterelement 3 abgewandten Seite umschließen. Die Krallen 9 sind hferbei Bestandteil des Isolierringes 8 und bestehen aus dem gleichen Material also z.B. aus Teflon.The ring bosses 5 »7 are pressed into the insulating ring 8 by an external force, whereby the cohesion of the Individual parts of the housing and a certain sealing of the interior of the semiconductor component is achieved. These external force is applied by annular claws 9, the enclose the rings 4 and 6 on their side facing away from the semiconductor element 3. The claws 9 are part of the package of the insulating ring 8 and are made of the same material, e.g. Teflon.

Die Krallen 9 und die Kränze 4, 6 sind innen bzw. außen etwas abgeschrägt, so daß die Grundplatten 1, 2 von außen auf die Krallen 9 gedruckt werden können. Die Krallen 9 bewegen sich dann federnd nach außen und die Kränze 4, 6 der Deckplatten 1,'2 schnappen in die durch die Krallen 9 und den Ring 8 gebildete Ringnut ein. Hierbei werden die Ringbuckel 5 und 7 an den Ring 8 an- oder bei einem relativ weichen Isoliermaterial wenigstens teilweise in ihn eingepreßt, so daß die Einzelteile des Halbleiterbauelementes zusammengehalten werden. Außerdem wird eine Abdichtung des Gehäuses erreicht.The claws 9 and the rings 4, 6 are slightly beveled on the inside and outside, so that the base plates 1, 2 from the outside can be printed on the claws 9. The claws 9 then move resiliently outward and the rings 4, 6 of the Cover plates 1, '2 snap into the annular groove formed by the claws 9 and the ring 8. Here are the ring humps 5 and 7 on the ring 8 or, in the case of a relatively soft insulating material, at least partially pressed into it, so that the individual parts of the semiconductor component are held together. In addition, the Housing achieved.

Das Halbleiterelement 3 liegt dann an den Deckplatten 1 und 2 an. Die am Halbleiterelement 3 anliegenden Hauptflächen der Deckplatten 1 und 2 sowie die Elektroden des Halbleiter-The semiconductor element 3 then rests against the cover plates 1 and 2. The main surfaces resting on the semiconductor element 3 of the cover plates 1 and 2 as well as the electrodes of the semiconductor

VPA 9/110/1020 - 4 -VPA 9/110/1020 - 4 -

209844/0961209844/0961

. · bauelementes werden zweckmäßigerweise geläppt. Die Deckplatten, die z.B. aus Kupfer bestehen, oder aus einem Verbundkörper bestehend aus Kupfer und Molybdän,, können an ihrer am Halbleiterelement anliegenden Hauptfläche z.B. vernickelt und die Elektroden des Halbleiterelementes versilbert werden. Die Deckplatten und das Halbleiterelement werden dann über Kühlkörper aneinandergepreßt, wobei der Kontaktdruck zwischen 100 und 500 kp/cm liegen kann. Damit werden die Ringbuckel ganz in den Isolierring eingepreßt.. · Components are expediently lapped. The cover plates, which are made of copper, for example, or of a composite body consisting of copper and molybdenum ,, can on their main surface adjacent to the semiconductor element e.g. nickel-plated and the electrodes of the semiconductor element silver-plated. The cover plates and the Semiconductor elements are then pressed against one another via heat sinks, the contact pressure being between 100 and 500 kp / cm can lie. In this way, the ring bosses are pressed completely into the insulating ring.

P Die Deckplatten 1 und 2 können noch mit zentralen Bohrungen 10 bzw. 11 versehen seinj in die z.B. zu den Kühlkörpern gehörende Bolzen hineinpassen. Damit ist einer einwandfreien Zentrierung von Halbleiterbauelement und Kühlkörpern möglicheThe cover plates 1 and 2 can also be provided with central bores 10 and 11, for example, to the heat sinks Fit the corresponding bolts. This enables perfect centering of the semiconductor component and heat sinks

In Figur 2 ist ein anderes Halbleiterbauelement gezeigt, bei dem die die Deckplatten 1 und 2 zusammenhaltende Kraft durch einen Schrumpfschlauch oder Schrumpfformteil 13 aufgebracht wird. Der Schrumpfschlauch 13 umfaßt mindestens die Kränze 4 und 6 auf der dem Halbleiterelement abgekehrten Seite. Dadurch werden die Ringbuckel 5 und 7 an den Isolierring, der hier mit 12 bezeichnet ist, angepreßt.FIG. 2 shows another semiconductor component in which the force holding the cover plates 1 and 2 together is applied by a shrink tube or shrink molded part 13. The shrink tube 13 comprises at least the rings 4 and 6 on the side facing away from the semiconductor element. As a result, the ring bosses 5 and 7 are pressed against the insulating ring, which is designated here by 12.

Als Schrumpfschlauch kann beispielsweise ein Schlauch aus vorgerecktem Polyester verwendet werden. Ein solcher Schlauch schrumpft beim Erhitzen und legt sich eng an die von ihm umschlossene Teile an. .For example, a tube made of pre-stretched polyester can be used as the shrink tube. Such a tube shrinks when heated and fits tightly to the parts it encloses. .

In Figur 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt, in dem die die Deckplatten 1 und 2 an den Isolierring pressende Kraft durch zwei Schraubkappen 15 und 16 erzeugt wird. Die erste Schraubkappe 15 umfaßt hier den Kranz der ersten Deckplatte 1 und die zweite Schraubkappe 16 umfaßt den Kranz 6 der Deckplatte 2. Die Schraubkappe 15 ist In Figure 3, a further embodiment of the invention is shown in which the cover plates 1 and 2 on the insulating ring pressing force is generated by two screw caps 15 and 16. The first screw cap 15 here includes the wreath the first cover plate 1 and the second screw cap 16 comprises the rim 6 of the cover plate 2. The screw cap 15 is

YPA 9/110/1020 - 5 -YPA 9/110/1020 - 5 -

2 0.9 8U/09612 0.9 8U / 0961

an der Außenseite mit einem Gewinde 17 und die Schraubkappe 16 an der Innenseite mit einem Gewinde 18 versehen. Wird die Schraubkappe 16 auf die Schraubkappe 15 aufgeschraubt, so werden die Ringbuckel 5 und 7 in den Isolierring 12 eingepreßt. Dadurch wird das Innere des Gehäuses abgedichtet. Die Schraubkappen 15 und 16 sind zweckmäßigerweise so gestaltet, daß die dem Halbleiterelement 3 abgekehrten Hauptflächen der Deckplatten 1 und durch Öffnungen in den Schraubkappen hindurchtreten können. Damit ist eine unmittelbare Verbindung von Deckplatten und Kühlkörpern möglich, so daß eine gute Kühlung gewährleistet ist. ' -on the outside with a thread 17 and the screw cap 16 provided with a thread 18 on the inside. If the screw cap 16 is placed on the screw cap 15 screwed on, the ring bosses 5 and 7 are pressed into the insulating ring 12. This will make the inside of the Housing sealed. The screw caps 15 and 16 are expediently designed so that the semiconductor element 3 facing away main surfaces of the cover plates 1 and can pass through openings in the screw caps. This enables a direct connection between cover plates and heat sinks, so that good cooling is guaranteed is. '-

Bei den Ausführungsbeispielen nach Figur 2 und 3 können die Halbleiterelemente 3 mit den Deckplatten 1 und 2 über ■einen Druckkontakt verbunden oder auch mit den Deckplatten verlötet sein.In the embodiments according to Figures 2 and 3 can the semiconductor elements 3 are connected to the cover plates 1 and 2 via a pressure contact or else to the cover plates be soldered.

In Figur 4 ist ein Detail des Kranzes 4 der oberen Deckplatte 1 gezeigt. In dieser Figur ist der Ringbuckel 5 deutlich zu erkennen. Der Ringbuckel 5 wird dabei an die Oberseite des Isolierringes 12 angepreßt. Vorteilhaft ist es, wenn der innere Durchmesser des Isolierringes, der Außendurchmesser des Halbleiterelementes und der Außendurchmesser der Deckplatten innerhalb der Kränze so aufeinander abgestimmt ist, daß der Isolierring das Halbleiterelement und die Deckplatten zentriert. Besonders wirtschaftlich ist die. Herstellung das Halbleiterbauelement dann, wenn beide Deckplatten identisch ausgeführt sind.A detail of the ring 4 of the upper cover plate 1 is shown in FIG. In this figure, the ring boss is 5 clearly visible. The ring boss 5 is pressed against the top of the insulating ring 12. Is beneficial it if the inner diameter of the insulating ring, the outer diameter of the semiconductor element and the outer diameter the cover plates within the wreaths are matched to one another so that the insulating ring is the semiconductor element and the cover plates centered. It is particularly economical. Manufacture the semiconductor component when both cover plates are identical.

10 Patentansprüche
4 Figuren10 claims
4 figures

VPA 9/110/1020 209844/0961 -6-VPA 9/110/1020 209844/0961 -6-

Claims (10)

PatentansprücheClaims ( 1.O/Scheibenförmiges Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterelement und einem Gehäuse, bestehend aus zwei starren, Hauptflächen und einen Rand aufweisenden Deckplatten und einem mit diesen dicht verbundenem Isolierring, dadurch g e k e η η ζ e i ohne t , daß die Deckplatten (1,2) in der Nähe des Randes mindestens je einen . der anderen Deckplatte zugewandten Ringbuckel(1.O / disc-shaped semiconductor component with a Semiconductor element and a housing, consisting of two rigid, main surfaces and having an edge Cover plates and an insulating ring tightly connected to these, thereby g e k e η η ζ e i without t that the cover plates (1,2) at least one each near the edge. the other cover plate facing annular hump fe (5j7) aufweisen, daß der Isolierring aus elastischemfe (5j7) have that the insulating ring made of elastic Isoliermaterial besteht, daß die Ringbuckel auf dessen Ober- und Unterseite aufliegen, und daß Mittel vorgesehen sind, die die Deckplatten (1,2) gegeneinander- und die Ringbuckel (5,7) an den Isolierring an- oder wenigstens teilv/eise in ihm einpressen. Insulating material is that the ring bosses rest on the top and bottom, and that Means are provided that the cover plates (1,2) against each other and the annular bosses (5,7) on the insulating ring press partially or at least partially into it. 2.) Halbleiterbauelement nacli Anspruch 1, dadurch gekenn ze iehnet , daß der Rand der Deckplatten (1,2) mit einem Kranz (4,6) versehen ist, der geringere Dicke als die Deckplatten (1,2) hat und daß die Eingbuckel (5>7) auf diesem Kranz angeordnet sind<2.) Semiconductor component according to claim 1, characterized gekenn ze iehnet that the edge of the cover plates (1,2) is provided with a ring (4,6) which thinner than the cover plates (1,2) and that the humps (5> 7) are arranged on this wreath < 3«) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 und 2, d a durch gekennzeichnet, daß die Mittel aus mit dem Ring (8) verbundenen, die Kränze (4,6) auf der dem Halbleiterelement (3) abgewandten Seite umfassenden federnden Krallen (9) bestehen.3 «) semiconductor component according to claim 1 and 2, d a through characterized in that the means are connected to the ring (8) and the rings (4, 6) on the one facing away from the semiconductor element (3) Side comprehensive resilient claws (9) exist. 4·) Halbleiterbauelement nach Anspruch 3t dadurch gekennzeichnet , daß die Krallen (9) und der Isolierring (8) aus einem einzigen Stück bestehen. 4 ·) Semiconductor component according to claim 3t thereby characterized in that the claws (9) and the insulating ring (8) consist of a single piece. YPA 9/110/1020 - 7 -YPA 9/110/1020 - 7 - 208844/0961208844/0961 5.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 3 oder 4, dadurch 'gekennzeichnet } daß die Krallen (9) und die Kränze (4,6) einen Schnappmechanismus bilden.5.) Semiconductor component according to claim 3 or 4, characterized in that the claws (9) and the rings (4,6) form a snap mechanism. 6.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel aus einem beide Kränze (4,6) auf der dem Halbleiterelement (3) abgewandten Seite und den Isolierring (12) außen umfassenden Schrumpfschlauch (13) bestehen.6.) Semiconductor component according to claim 1 and 2, characterized in that that the means consist of one of the two rings (4, 6) on the side facing away from the semiconductor element (3) and the insulating ring (12) on the outside encompassing shrink tubing (13). 7.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel aus einer den Kranz (4) der ersten Deckplatte (1) auf der dem Halbleiterelement (3) abgewandten Seite umfassenden ersten Schraubkappe (15) und einer den Kranz (6) der zweiten Deckplatte (2) auf der dem Halbleiterelement, abgewandten Seite umfassenden zweiten Schraubkappe (16) bestehen und daß beide Schraubkappen miteinander verschraubbar ausgebildet sind.7.) Semiconductor component according to claim 1 and 2, characterized in that that the means consist of a ring (4) of the first cover plate (1) on the semiconductor element (3) facing away from the side comprising the first screw cap (15) and the rim (6) of the second cover plate (2) consist of the second screw cap (16) comprising the side facing away from the semiconductor element and that both screw caps are designed so that they can be screwed together. 8«) Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß die Schraubkappen (15,16) eine Öffnung aufweisen, durch die die dem Halbleiterelement abgewandten Hauptflächen der Deckplatten (1,2) ,hindurchtreten.8 «) semiconductor component according to claim 7, characterized characterized in that the screw caps (15,16) have an opening through which the main surfaces of the cover plates (1, 2) facing away from the semiconductor element pass through. 9.) Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierring (8;12) aus Teflon besteht.9.) Semiconductor component according to one of claims 1 to 8, characterized in that that the insulating ring (8; 12) consists of Teflon. 10.) Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet,10.) Semiconductor component according to one of claims 1 to 9, characterized in that VPA 9/110/1020 - 8 -VPA 9/110/1020 - 8 - 209844/0961209844/0961 daß an die Deckplatten (1,2) Kühlkörper angepreßt sind und daß der Anpreßdruck 100 - 500 kp/cm beträgt.that heat sinks are pressed against the cover plates (1,2) and that the contact pressure is 100 - 500 kp / cm. VPA 9/110/1020VPA 9/110/1020 2 09844/09612 09844/0961
DE19712118356 1971-04-15 1971-04-15 Disc-shaped semiconductor component Pending DE2118356A1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712118356 DE2118356A1 (en) 1971-04-15 1971-04-15 Disc-shaped semiconductor component
FR7146963A FR2133561B1 (en) 1971-04-15 1971-12-28
GB1000172A GB1330081A (en) 1971-04-15 1972-03-03 Semiconductor components
NL7202856A NL7202856A (en) 1971-04-15 1972-03-03
IT721272A IT957175B (en) 1971-04-15 1972-04-12 COMPONENT DISCS AND HALF-WITH DUCTORS
SE480872A SE383583B (en) 1971-04-15 1972-04-13 DISC SUMMARIZED COMPONENT INCLUDING A SEMICONDUCTOR ELEMENT AND A COVER

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712118356 DE2118356A1 (en) 1971-04-15 1971-04-15 Disc-shaped semiconductor component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2118356A1 true DE2118356A1 (en) 1972-10-26

Family

ID=5804825

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712118356 Pending DE2118356A1 (en) 1971-04-15 1971-04-15 Disc-shaped semiconductor component

Country Status (6)

Country Link
DE (1) DE2118356A1 (en)
FR (1) FR2133561B1 (en)
GB (1) GB1330081A (en)
IT (1) IT957175B (en)
NL (1) NL7202856A (en)
SE (1) SE383583B (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2654532A1 (en) * 1976-12-02 1978-06-08 Licentia Gmbh Disc shaped semiconductor cell with ring shaped housing - has contact discs with flanges fitting internal dia. and stops and seals
DE3640801A1 (en) * 1985-11-29 1987-06-04 Mitsubishi Electric Corp SEMICONDUCTOR COMPONENT
USRE34696E (en) * 1985-11-29 1994-08-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Semiconductor device housing with electrodes in press contact with the opposite sides of chip
DE102015113111A1 (en) * 2015-08-10 2017-02-16 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with improved sealing

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2440077A1 (en) * 1978-10-23 1980-05-23 Transformation En Cie Indle Semiconductor power module casing - with metal discs pressed against O=ring by insulating lipped clamp ring
DE3221794A1 (en) * 1982-06-09 1983-12-15 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR CELL FOR PRESSURE-CONTACTABLE POWER SEMICONDUCTOR COMPONENTS
JP5187343B2 (en) * 2010-04-27 2013-04-24 三菱電機株式会社 Pressure contact type semiconductor device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE316534B (en) * 1965-07-09 1969-10-27 Asea Ab
US3476986A (en) * 1966-09-17 1969-11-04 Nippon Electric Co Pressure contact semiconductor devices
GB1189062A (en) * 1967-03-23 1970-04-22 Motorola Inc Semiconductor Rectifier Assembly
GB1219570A (en) * 1967-08-04 1971-01-20 Lucas Industries Ltd Diode units
CH494471A (en) * 1967-11-09 1970-07-31 Ckd Praha Semiconductor component

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2654532A1 (en) * 1976-12-02 1978-06-08 Licentia Gmbh Disc shaped semiconductor cell with ring shaped housing - has contact discs with flanges fitting internal dia. and stops and seals
DE3640801A1 (en) * 1985-11-29 1987-06-04 Mitsubishi Electric Corp SEMICONDUCTOR COMPONENT
USRE34696E (en) * 1985-11-29 1994-08-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Semiconductor device housing with electrodes in press contact with the opposite sides of chip
DE102015113111A1 (en) * 2015-08-10 2017-02-16 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with improved sealing
DE102015113111B4 (en) * 2015-08-10 2020-01-30 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with improved sealing

Also Published As

Publication number Publication date
SE383583B (en) 1976-03-15
NL7202856A (en) 1972-10-17
IT957175B (en) 1973-10-10
GB1330081A (en) 1973-09-12
FR2133561A1 (en) 1972-12-01
FR2133561B1 (en) 1977-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1639039A1 (en) Disc-shaped semiconductor device
DE1944515A1 (en) Semiconductor component with plastic filling
DE2160302A1 (en) COOLER FOR INSTALLATION IN DISC CELL STACKS
DE2118356A1 (en) Disc-shaped semiconductor component
DE1539643A1 (en) Semiconductor component
DE2611749A1 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH A PRESSURE-CONTACTABLE SEMICONDUCTOR COMPONENT
DE1810448A1 (en) Semiconductor component with plastic jacket
DE1564107A1 (en) Encapsulated semiconductor device
DE1564665C3 (en) Semiconductor component and method for its manufacture
EP0124705B1 (en) Semiconductor device with a semiconductor wafer and ring-shaped insulating body
DE3308720A1 (en) SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH DISC-SHAPED HOUSING
DE3221794C2 (en)
DE2926342A1 (en) COOLER FOR DISC-SHAPED SEMICONDUCTOR COMPONENTS
DE2654532C3 (en) Disc-shaped semiconductor cell
DE2825682C2 (en) Semiconductor component with insulating housing
DE2246423A1 (en) THYRISTOR WITH DISC-SHAPED HOUSING
DE2718228C2 (en) Condenser cover plate
DE3640801C2 (en)
DE202015102948U1 (en) Semiconductor device
DE3107282A1 (en) ELECTROSTATIC SOUND CONVERTER
DE2426113B2 (en) THYRISTOR SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT
DE3425176C2 (en)
DE2711711C3 (en) Semiconductor arrangement with a disk-shaped semiconductor component clamped between heat sinks
DE3342102C2 (en) Structure of stackable, housing-less power semiconductors for evaporative cooling
DE2826898A1 (en) HEAT SINK FOR ELECTRICAL COMPONENTS

Legal Events

Date Code Title Description
OHA Expiration of time for request for examination