DE2022616A1 - Disc-shaped semiconductor component - Google Patents
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Description
S c h e i b e n f ö r m i g e s H a l b l e i t e r - B a u e l e m e n t Halbleiter-Bauelemente, insbesondere Leistungsgleichrichterelemente mit scheibenförmiger Kontaktierung und Umhüllung des Halbleiterkörpers ermöglichen durch beidseitige optimale Ableitung der Verlustleistungswärme höhere spezifische Strombelastbarkeit. S c h e i b e n f ö r m i g e s H a l b l e i t e r - B a u e l e m e nt semiconductor components, in particular power rectifier elements disk-shaped contacting and sheathing of the semiconductor body allow through Optimal dissipation of the heat loss on both sides, higher specific current carrying capacity.
Es sind Gleichrichterelemente bekannt, bei denen die Halbleiterscheibe mit an ihren beiden Kontaktseiten angeordneten Kontaktplatten, die aus einem Material mit einer derjenigen des Halbleitermaterials annähernd gleichen Wärmedehnzahl bestehen, gasdicht zwiscben membranförmigen Kontaktblechen angeordnet ist, die nd mit ihrem zentralen Kontaktbereich in einen ringförmigen Isolierstoffkörper hineinragen und mit diesem durch Lötung verbunden sind. Die gehäuseäußeren Flächen der Kontaktblecbe dienen zur flächenhaften Anlage von Stromleiterteilen.There are known rectifier elements in which the semiconductor wafer with contact plates arranged on their two contact sides, which are made of one material consist of a thermal expansion coefficient that is approximately the same as that of the semiconductor material, gas-tight between membrane-shaped contact plates is arranged, which nd with their central contact area protrude into an annular insulating body and are connected to this by soldering. The outer surfaces of the contact plates are used to lay out electrical conductor parts over a large area.
Weiterhin sind Ausführungsformen bekannt, bei denen die an beiden Seiten der Halbleiterscheibe befestigten Kontaktplatten an ihrer Randzone über kreisringförmige Verbindungsbleche durch Lötung oder Schweißung mit einem ringförmigen Isolierstoffkörper verbunden sind und die freie Stirnfläche der Kontaktplatten jeweils zur Kontaktierung mit Stromleiterteilen dient.Furthermore, embodiments are known in which the on both Sides of the semiconductor wafer attached contact plates at their edge zone via circular rings Connection plates by soldering or welding with an annular insulating body are connected and the free end face of the contact plates each for contacting is used with electrical conductor parts.
Andere bekannte Anordnungen zeigen anstelle des einen ringförmigen Isolierstoffkörpers zwei achsengleich aneinandergereihte Isolierringe, die an ihren einander zugewandten Flächen über metallische, nach außen und bedarfsweise auch nach innen überstehende Kreisringscheiben fest miteinander verbunden sind.Other known arrangements show annular instead of one Insulating body has two insulating rings lined up on the same axis, which are attached to their facing surfaces via metallic, to the outside and as required circular ring disks protruding inwards are also firmly connected to one another.
Ferner sind scheibenförmige Halbleiter-Bauelemente bekannt geworden, bei denen die als Deckplatten des Gehäuses vorgesehenen und vorzugsweise membranförmig ausgebildeten Kontaktbleche an ihrer Randzone über einen Isolierstoffring geführt sind an unter Einhaltung eines ausreichenden gegenseitigen Isolationsabstandes mit diesem mit Hilfe von geeigneten mechaniscben Bauelementen, z.B. von Sprengringen, fest verbunden sind.Furthermore, disk-shaped semiconductor components have become known, in which the cover plates of the housing are provided and are preferably membrane-shaped formed contact plates guided at their edge zone over an insulating ring are on while maintaining a sufficient mutual isolation distance this with the help of suitable mechanical components, e.g. snap rings, are firmly connected.
Die bekannten Ausführungsformen erfordern teilweise einen erheblichen Aufwand an Bauteilen und Verfahrenstechnik zur Herstellung der scheibenförmigen Anordnung . Weiterhin besteht bei Lötprozessen zum Verschluß des Gehäuses die Gefahr einer Beeinträchtigung der physikalischen und elektrischen Eigenschaften der Halbleiterscheibe und schließlich ist durch spezielle Ausgestaltung des Gehäuses die besondere Ausbildung von angrenzenden Kontaktbauteilen notwendig.The known embodiments sometimes require a considerable amount Expenditure on components and process technology for the production of the disk-shaped Arrangement. Furthermore, there is a risk of closing the housing during soldering processes an impairment of the physical and electrical properties of the semiconductor wafer and finally, the special training is due to the special design of the housing of adjacent contact components necessary.
Das erfindungsgemäße Halbleiter-Baneleme.nt weist diese Nachteile nicht auf und ermöglicht darüberhinaus einen einfachen Zusammenbau der Gehäusebauteile, wobei eine dichte Verkapselung der Halbleiterscheibe ohne Lötprozess am Gehäuse erzielt wird.The semiconductor baneleme.nt according to the invention has these disadvantages does not and also enables simple assembly of the housing components, a tight encapsulation of the semiconductor wafer without a soldering process on the housing is achieved.
Die Erfindung betrifft ein scheibenförmiges Halbleiter-Bauelement bei dem zwei metallische, gleichzeitig zur Kontaktierung mit angrenzenden Stromleiterteilen vorgesehene Seitenteile und ein zwischen deren Randzonen befestigter ringförmiger Isolierstoff-Umfangskörper das Gehäuse bilden und ein Halbleiterkörper mit seinen Kontaktelektroden zwischen den Gehäuse-Seitenteilen angeordnet ist und besteht darin, daß jeweils einander zugeordnete, gegenseitig angepasst ausgebildete Randzonen wenigstens eines Gehäuse-Seitentejis und des Umfangskörpers konzentrisch ineinandergreifend zusammengefügt und mit Hilfe eines auf die jeweils konzentrisch umfassend angeordnete Randzone aufgesteckten Schrumpfringes mechanisch fest verbunden sind.The invention relates to a disk-shaped semiconductor component in which two metallic, simultaneously for contacting with adjacent electrical conductor parts provided side parts and an annular one fastened between their edge zones Insulating material peripheral body form the housing and a semiconductor body with its Contact electrodes are arranged between the housing side parts and consists of that in each case associated, mutually adapted edge zones at least a housing side part and the peripheral body concentrically interlocking put together and with the help of one on each concentrically arranged comprehensively Edge zone attached shrink ring are mechanically firmly connected.
Anhand der in den Figuren 1 bis 3 im Schnitt dargestellten Ausführungsbeispiele wird die konstruktive Ausgestaltung des Gegenstandes der Erfindung aufgezeigt und erläutert. Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewäblt.On the basis of the exemplary embodiments shown in sections in FIGS. 1 to 3 the structural design of the subject matter of the invention is shown and explained. The same designations are used in all figures for the same parts.
Gemäß der Darstellung in Figur 1 ist eine wenigstens einen pn-Übergang aufweisende Halbleiterscheibe 1 beidseitig mit Kontaktplatten 11 und 12, die aus einem Mater.ial mit einer dem Halbleitermaterial annähernd gleichen Wärmedehnzabl bestehen und eine für beidseitig optimale Ableitung der Verlustleistungswärme an der Halbleiterscheibe 1 angepasste Flächenausdehnung aufweisen, fest verbunden. Die beiden Kontaktplatten können gleichen Durchmesser und gleiche Dicke aufweisen, und der dadurch zwischen ihren Randzonen bestehende Luftspalt, in dem sich die Mantelfläche der Halbleiterscbeibe mit dem Austrittsbereich des pn-8bergangs befindet, kann vorzugsweise mit einem Schutzlack zur Stabilisierung der Halbleiteroberfläche ausgefüllt sein. Die aus Kontaktplatten 11, 12 und Halbleiterscheibe 1 bestehende Halbleitertablette ist lose, jedoch flächenhaft anliegend und bedarfsweise über je eine Edelmetallfolie 31, 32 zwischen wannenförmig ausgebildeten Gebäuse-Seitenteilen 21, 22 angeordnet Beide Seitenteile, die beispielsweise gleiche Ausbildung und Ausdehnung aufweisen können und über welche eine gehäuseäußere Druckkontaktierung der Halbleitertablette bei Anordnung des Bauelements zwischen angepasst ausgebildeten Anschlußbauteilen vorgesehen ist, bestehen aus duktilem, thermisch und elektrisch gut leitendem Material, beispielsweise aus einem Edelmetall, aus Kupfer oder aus einer an sich bekannten Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung. Sie bilden zusammen mit einem zwischen ihren einander zugewandten Randzonen angeordneten, ringförmigen Isolierstoff-Um-fangskörper 40 das Gehäuse der Halbleitertablette Im Anschluß an ihren zentralen, zur Kontaktierung vorgesehenen Bereich weisen die Seitenteile 21, 22 jeweils mindestens eine bogenförmige, konzentrisch verlaufende und in sich geschlossene Ausbildung 21a, 22a auf, die zur Zentrierung der Halbleitertablette und/oder zurn Ausgleich von beim Betrieb der Anordnung entstehenden Wärmedehnungen dient.According to the illustration in FIG. 1, one is at least one pn junction having semiconductor wafer 1 on both sides with contact plates 11 and 12, which from a mater.ial with a thermal expansion coefficient that is approximately the same as that of the semiconductor material exist and an optimal dissipation of the heat loss on both sides the semiconductor wafer 1 have adapted surface area, firmly connected. The two contact plates can have the same diameter and the same thickness, and the resulting air gap between their edge zones in which the lateral surface is located The semiconductor disk with the exit region of the pn junction is preferably located be filled with a protective varnish to stabilize the semiconductor surface. The semiconductor tablet consisting of contact plates 11, 12 and semiconductor wafer 1 is loose, but flat and, if necessary, over a precious metal foil 31, 32 arranged between trough-shaped housing side parts 21, 22 Both side parts, which, for example, have the same training and dimensions can and via which a housing-external pressure contact of the semiconductor tablet when the component is arranged between adapted connection components are made of ductile, thermally and electrically good conductive material, for example from a noble metal, from copper or from one known per se Iron-nickel-cobalt alloy. They form together with one between their each other facing Ring-shaped insulating material circumferential body 40 arranged at the edge zones, the housing the semiconductor tablet in connection with its central, intended for contacting The side parts 21, 22 each have at least one arcuate, concentric area running and self-contained training 21a, 22a, which is used for centering of the semiconductor tablet and / or to compensate for those arising during operation of the arrangement Thermal expansion is used.
Der an die bogenförmige Ausbildung 21a, 22a anschließende, ringscheibenförmige Flächenabschnitt der Seitenteile liegt an der jeweils zugeordneten Stirnfläche des Umfangskörpers 40 an, und die abgewinkelte, vorzugsweise achsial verlaufende Randzone 21b, 22b der Seitenteile umfasst nach dem Aufsetzen derselben auf den Umfangskörper den an dessen jeweilige Stirnfläche angrenzenden Abschnitt seiner Außenmantelfläche. Auf diese, den Umfangskörper umfassenden, einander zugewandten Randzonen der Seitenteile 21, 22 ist zur Erzielung einer festen und dichten Verbindung derselben mit dem Umfangskörper 40 jeweils ein metallischer Ring 51, 52 aufgeschrumpft. Diese Schrumpfringe können runden oder vieleckigen Querschnitt aufweisen und bestehen aus einem Material, das in dem für den Schrumpfprozess vorgesehenen Temperaturbereich, der bedarfsweise mit Rücksicht auf die zwischen den Seitenteilen angeordnete Halbleitertablette entsprechend begrenzt ist, eine höhere Wärmedehnzahl aufweist als das Material der Seitenteile 21, 22 und auch des Umfangskörpers 40. Bestehen beispielsweise die Seitenteile aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, so können die Schrumpfringe 51, 52 aus Kupfer hergestellt sein, und bei Verwendung von Kupfer für die Seitenteile können die Schrumpfringe aus einem anderen geeigneten Material bestehen.The annular disk-shaped adjoining the arcuate formation 21a, 22a Surface section of the side parts lies on the respectively assigned end face of the Circumferential body 40, and the angled, preferably axially extending edge zone 21b, 22b of the side parts comprises after they have been placed on the peripheral body the section of its outer lateral surface adjoining its respective end face. On these facing edge zones of the side parts that encompass the circumferential body 21, 22 is to achieve a firm and tight connection of the same with the peripheral body 40 each has a metallic ring 51, 52 shrunk on. These shrink rings can have round or polygonal cross-section and are made of a material that in the temperature range provided for the shrinking process, the required with regard to the semiconductor tablet arranged between the side parts is limited, has a higher coefficient of thermal expansion than the material of the side parts 21, 22 and also of the peripheral body 40. For example, the side parts consist of an iron-nickel-cobalt alloy, the shrink rings 51, 52 made of copper be made, and when using copper for the side parts, the shrink rings consist of another suitable material.
Für den Aufbau erfindungsgemäßer Halbleiter-Bauelemente kann z.B. ein Seitenteil mit dem Umfangskörper an geeigneten Stellen in an sich bekannter Weise durch Lötung oder Schweißung fest verbunden sein und ein vorgefertigtes, becherförmiges Bauteil darstellen, welches mit dem weiteren Seitenteil erfindungsgemäß mit Hilfe eines Schrumpfringes das Gehäuse für die Halbleitertablette bildet Für das feste und gleichmäßige Anpressen der Seitenteil-Randabschnitte 21b, 22b an den Umfangskörper 40 ist das Innen maß der Schrumpfringe ausschlaggebend. Seine Bemessung richtet -sich nach dem Temperaturverhalten des Ringmaterials sowie nach dem Außenmaß des Umfangskörpers und des zugeordneten Seitenteil-Abschnitts und soll gewährleisten, daß die erwärmten Schrumpfringe mit Gleitsitz auf dem jeweiligen Seitenteil-Randabschnitt angeordnet sind und abgekühlt das vorzugsweise duktile Material geeigneter Dicke der Seitenteile einwandfrei und dicht an den Umfangskörper anpressen. Zu diesem Zweck können die Schrumpfringe unter Berücksichtigung eines ausreichenden gegenseitigen Isola tionsaistanies noch in Richtung gegenseitiger Annäherung über die Randzone der Seitenteile überstehend angeordnet sein. Zur Erhöhung des elektrischen Isolationsabstandes zwischen den beiden Seitenteil-Randabschnitten an der Außenfläche des Umfangskörpers kann dieser in dem dafür vorgesehenen Bereich jeweils einen gehäuseäußeren, stufenförmigen Absatz 41 aufweisen, wie dies in Figur 2 dargestellt ist. Bedarfsweise kann dabei das Außenmaß des Umfangs körpers zwischen den beiden Absätzen größer sein als das Außenmaß der Schrumpfringe 51, 52.For the construction of semiconductor components according to the invention, e.g. a side part with the peripheral body in appropriate places in on be firmly connected in a known manner by soldering or welding and a prefabricated, Represent cup-shaped component, which according to the invention with the further side part Für forms the housing for the semiconductor tablet with the help of a shrink ring the firm and uniform pressing of the side part edge sections 21b, 22b against the Circumferential body 40, the inside dimension of the shrink rings is crucial. Its dimensioning depends on the temperature behavior of the ring material as well as on the external dimensions of the peripheral body and the associated side part section and is intended to ensure that the heated shrink rings with a sliding fit on the respective side part edge section are arranged and cooled the preferably ductile material of suitable thickness of the side parts properly and tightly pressed against the peripheral body. To this Purpose can the shrink rings taking into account a sufficient mutual Isola tionaistanies still move towards mutual approach over the edge zone the side parts be arranged protruding. To increase the electrical insulation distance between the two side part edge sections on the outer surface of the peripheral body this can be a step-shaped exterior in the area provided for this Have paragraph 41, as shown in FIG. If necessary, can thereby the outside dimension of the perimeter body between the two paragraphs must be greater than that External dimensions of the shrink rings 51, 52.
Anstelle der stufenförmigen Ausbildung kann die Randzone des Umfangskörpers auch eine gehäuseäußere Abschrägung aufweisen.Instead of the stepped design, the edge zone of the peripheral body also have a bevel on the outside of the housing.
Eine andere Ausführungsform des Gegenstandes der Erfindung kann darin bestehen, daß anstelle der in Figur 1 gezeigten Seitenteile für das Gehäuse gemäß der Darstellung in Figur 3 die an den beiden Kontaktseiten der Halbleiterscheibe I vorgesehenen Kontaktplatten 11, 12 mit ihrem von der Halbleiterscheibe abgewandten Abschnitt gleichzeitig die Gehäuse-Seitenteile mit Kontaktflächen zu angrenzenden gehäussäußeren Kontaktbauteilen bilden. Die Verbindung derselben mit dem Umfangskörper 40 stellt jeweils ein metallischer Zwischenring 61,62 her, dessen radial verlaufender, äußerer Flächenabschnitt auf der jeweiligen Stirnseite des Umfangskörpers beispielsweise mittels Lötung befestigt ist, dessen bogenförmig ausgebildeter mittlerer Abschnitt 61a, 62a zwn Ausgleich von Wärmedehnungen beim Einsatz der Anordnung dient, und dessen achsial verlaufender innerer Abschnitt an der Mantelfläche der Kontaktplatten 11, 12 anliegt und mit diesen mit Hilfe eines entsprechenden Schrumpfringes 51, 52 flächenhaft fest und dicht verbunden ist. Bezüglich des Materials für die Zwischenringe und für die Schrumpfringe und bezüglich der Bemessung der letzteren gelten die in der Erläuterung zu Figur 1 jeweils aufgezeigten Gesichtspunkte in entsprechender Weise, Eine vorteilhafte Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelements kann darin bestehen, daß die zur konzentrischen Umfassung vorgesehene Randzone der Gehäuse-Seitenteile eine der Funktion als Schrumpfing entsprechende Ausbildung und Ausdehnung aufweist.Another embodiment of the subject invention can therein exist that instead of the side parts shown in Figure 1 for the housing according to the illustration in Figure 3 on the two contact sides of the semiconductor wafer I provided contact plates 11, 12 with their facing away from the semiconductor wafer section at the same time the side parts of the housing with contact surfaces to the adjacent exterior of the housing Form contact components. The connection of the same to the peripheral body 40 provides in each case a metallic intermediate ring 61,62, whose radially extending, outer one Surface section on the respective end face of the circumferential body, for example is attached by soldering, the arcuate middle portion of which 61a, 62a is used to compensate for thermal expansions when using the arrangement, and its axially extending inner section on the outer surface of the contact plates 11, 12 and with the help of a corresponding shrink ring 51, 52 is firmly and tightly connected over a large area. Regarding the material for the intermediate rings and for the shrink rings and with regard to the dimensioning of the latter, the in the explanations for Figure 1 in each case indicated points of view Way, an advantageous development of the semiconductor component according to the invention can consist in the fact that the edge zone provided for the concentric enclosure of the Housing side parts one of the function as a shrinkage appropriate training and Has expansion.
Zur Gewährleistung einer dichten Verbindung zwischen Seitenteilen und Umfangskörper kann dieser an den zur Anordnung von Schrumpfringen vorgesehenen Stellen eine Metallisierung aus duktilem Material aufweisen.To ensure a tight connection between side parts and circumferential body can this on the provided for the arrangement of shrink rings Make a metallization of ductile material.
Der Gegenstand der Erfindung kann beispielsweise auch derart ausgebildet sein, daß die der Halbleiterscheibe zugeordneten Kontaktplatten an ihrem jeweils von der Halbleiterscheibe abgewandten Abschnitt einen flanschförmigen und der Randzone des Umfangskörpers angepasst ausgebildeten Ansatz auftweiserl, und daß der den Umfangskörper konzentrisch umfassende Bereich des flanschförmigen Ansatzes mit Hilfe eines auf diesem aufgesteckten Schrumpfringes mit dem Umfangskörper fest verbunden rist.The subject matter of the invention can, for example, also be designed in this way be that the contact plates associated with the semiconductor wafer at their respective a flange-shaped section facing away from the semiconductor wafer and the edge zone of the circumferential body adapted trained approach auftweiserl, and that of the circumferential body concentrically comprehensive area of the flange-shaped approach with the help of a this attached shrink ring rist firmly connected to the peripheral body.
Die Halbleiterscheibe 1 ist über eine Sd.blmetallfolie lose zwischen den Kontaktplatten 11, 12 angeordnet.The semiconductor wafer 1 is loosely between the contact plates 11, 12 arranged.
Erfindungsgemäß kann ein anderes Ausführungsbeispiel in der Weise ausgebildet sein, daß der jeweils von der Halbleiterscheibe abgewandte Abschnitt der Kontaktplatten als Gehäuse-Seitenteil vorgesehen ist, daß die Randzone des Umfangskörpers mit einem flanschförmigen metallischen Ring versehen ist, und daß der die zugeordnete Kontaktplatte konzentrisch umfassende Bereich des metallischen Ringes mit Hilfe eines auf diesen aufgesteckten Schrumpfringes mit der Kontaktplatte fest verbunden, ist.According to the invention, another embodiment in the manner be designed that the portion facing away from the semiconductor wafer the contact plates is provided as the housing side part that the edge zone of the peripheral body is provided with a flange-shaped metallic ring, and that the associated Contact plate concentrically comprehensive area of the metallic ring with the help a shrink ring attached to this firmly connected to the contact plate, is.
Je nach verwendetem Material und gewünschter Anordnung können die Seitenteile 21, 22 und/oder die Kontaktplatten 11, 12 an ihren zur Kontaktierung vorgesehenen Flächen einen geeigneten metallischen Überzug mit guter thermischer und elektrischer Leitfähigkeit aufweisen.Depending on the material used and the desired arrangement, the Side parts 21, 22 and / or the contact plates 11, 12 on their for contacting provided surfaces a suitable metallic coating with good thermal and have electrical conductivity.
Zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen gemäß der Erfindung wird auf einen Umfangskörper, der vorzugsweise aus Keramik besteht und an entsprechenden Stellen geeignet vorbehandelt sein kann, ein Seitenteil 21 bis zu dessen Anliegen an der Sirnfläche des Umfangskörpers aufgesetzt und mit diesem durch Aufstecken eines entsprechend erwärmten Schrumpfringes 51 fest verbunden. Danach wird in dieses vorgefertigte, becherförmige Bauteil die aus Halbleiterscheibe 1 und den an ihren beiden Kontaktseiten befestigten Kontaktplatten 11, 12 bestehende Halbleitertablette innerhalb der einen Ring bildenden bogenförmigen Ausbildung 21a des Seitenteils über eine Edelmetallfolie 31 eingelegt. Anschließend wird auf die freie Kontaktfläche der weiteren Kontaktplatte 12 der Halbleiterscheibe die Edelmetallfolie 32 aufgelegt und über die freie Stirnfläche des Umfangskörpers 210 das weitere Seitenteil 22 aufgesetzt.For the production of semiconductor components according to the invention on a circumferential body, which is preferably made of ceramic, and on corresponding Places can be suitably pretreated, a side part 21 up to its concern placed on the end face of the peripheral body and with this by plugging a correspondingly heated shrink ring 51 firmly connected. After that, in this prefabricated, cup-shaped component made of semiconductor wafer 1 and the on their both contact sides attached contact plates 11, 12 existing semiconductor tablet within the arcuate formation 21a of the side part which forms a ring inserted over a noble metal foil 31. Then it is applied to the free contact area the noble metal foil 32 is placed on the further contact plate 12 of the semiconductor wafer and the further side part 22 via the free end face of the circumferential body 210 put on.
Über dasselbe wird nun der Schrumpfring 52 mit Gleitpassung aufgesteckt. Um während des Schrumpfprozesses eine unerwünscht hohe Erwärmung der i.m Gehäuseinneren befindlichen Halbleitertablette durch Wärmeleitung vom erwärmten Schrumpfring über das Seitenteil zur zugewandten Kontaktplatte zu vermeiden, kann auf die Seitenteil-Außenfläche vor dem Aufstecken des Schrumpfringes ein entsprechend ausgebildeter Metallkörper der eine bessere thermische Leitfähigkeit als die benachbarte Kontaktplatte besitzt, aufgelegt werden.The shrink ring 52 with a sliding fit is now pushed over the same. To be undesirable during the shrinking process high heating the inside of the housing located semiconductor tablet by heat conduction from the heated To avoid shrink ring over the side part to the facing contact plate, can on the outer surface of the side part before attaching the shrink ring formed metal body which has a better thermal conductivity than the neighboring one Contact plate has to be placed.
Die Erfindung ist bei entsprechender Ausbildung des Umfangskörpers zur isolierten Durchführung von Steuerelektrodenanschlüssen auch bei steuerbaren Halbleiter-Bauelementen mit zwei oder mehr pn-Übergängen anwendbar.The invention is with an appropriate design of the peripheral body for the isolated implementation of control electrode connections, also with controllable ones Semiconductor components with two or more pn junctions can be used.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702022616 DE2022616A1 (en) | 1970-05-08 | 1970-05-08 | Disc-shaped semiconductor component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702022616 DE2022616A1 (en) | 1970-05-08 | 1970-05-08 | Disc-shaped semiconductor component |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2022616A1 true DE2022616A1 (en) | 1971-11-25 |
Family
ID=5770641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702022616 Pending DE2022616A1 (en) | 1970-05-08 | 1970-05-08 | Disc-shaped semiconductor component |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2022616A1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3141643A1 (en) * | 1980-10-30 | 1982-08-19 | Cableform Ltd., Romiley, Stockport, Cheshire | HIGH-PERFORMANCE SEMICONDUCTOR STRUCTURE EQUIPPED WITH A REFRIGERATOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| DE3136730A1 (en) * | 1981-09-16 | 1983-03-31 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Semiconductor diode |
| DE4404035A1 (en) * | 1994-02-09 | 1995-08-10 | Sel Alcatel Ag | Thermal conduction device for electrical components |
| DE19615112A1 (en) * | 1996-04-17 | 1997-10-23 | Asea Brown Boveri | Power semiconductor component with two-lid housing |
-
1970
- 1970-05-08 DE DE19702022616 patent/DE2022616A1/en active Pending
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