DE2611749A1 - Halbleiteranordnung mit einem durch druck kontaktierbaren halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem durch druck kontaktierbaren halbleiterbauelement

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Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA 76 P 1028 BRD
Halbleiteranordnung mit einem durch Druck kontaktierbaren Halbleiterbauelement
Durch Druck kontaktierbare Halbleiterbauelemente bestehen im wesentlichen aus einem zwischen zwei Zuführungselektroden liegenden Halbleiterelement, das mit den Zuführungselektroden lediglich unter Druck, das heißt nicht durch Löten, Schweißen, Legieren oder sonstwie stoffschlüssig verbunden ist. So ist beispielsweise in der DT-PS 1 276 209 eine Halbleiteranordnung beschrieben worden, bei der das Halbleiterelement in einem scheibenförmigen Gehäuse eingeschlossen ist. An das Gehäuse werden Kühlkörper angedrückt, welche auch die Funktion von Zuführungselektroden haben. Die durch Druck vorgenommene Kontaktierung machen Maßnahmen zur Zentrierung des Halbleiterelements und der Zuführungselektroden notwendig. Das Zentrieren eines unter Druck kontaktierten Halbleiterelements ist von ausschlaggebender Bedeutung für die Funktionsfähigkeit, da eine schiefe Belastung zur Zerstörung des Halbleiterelements führt. Bei der bekannten Anordnung weist das Gehäuse, in dem das Halbleiterelement eingeschlossen ist, nach innen weisende ringförmige Einprägungen auf, durch die das Halbleiterelement zentriert ist. Die Kühlkörper werden durch Spannbolzen an die Ober- und Unterseite des Gehäuses angedrückt. Die Spannbolzen greifen in am Außenrand des Gehäuses vorgesehene Kerben ein
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und zentrieren das Gehäuse. Bei der bekannten Halbleiteranordnung sind beispielsweise vier der genannten Spannbolzen erforderlich.
Es ist auch bekannt, in Gehäuse eingeschlossene Halbleiterelemente dadurch zu zentrieren, daß in Ober- und Unterseite des Gehäuses bildenden Zuführungselektroden Sacklöcher vorgesehen sind, in die zu Kühlkörpern gehörende Zentrierstifte eingreifen. Solche Halbleiterbauelemente werden ebenfalls mittels mehrerer, um den Gehäuseumfang herum verteilter Spannbolzen unter Druck kontaktiert. Es ist auch bekannt, ein in einem Gehäuse eingeschlossenes Halbleiterelement dadurch zu zentrieren, daß ein Teil des Gehäuses in einer in einem Kühlkörper vorgesehenen Vertiefung sitzt. Auch diese Anordnungen werden mittels mehrerer am Umfang verteilter Spannbolzen oder Schrauben druckkontakt! er t-.
Die beschriebenen Lösungen erfordern also mehrere Spannbolzen und außerdem besondere Vorrichtungen zum Zentrieren des HaIbleiterelements und damit einen hohen konstruktiven Aufwand.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit einem durch Druck kontaktierbaren Halbleiterbauelement, welches ein zwischen Zuführungselektroden·liegendes Halbleiterelement aufweist.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, eine Halbleiteranordnung dieser Art einfacher als bisher zu kontaktieren, wobei der Kontaktdruck und die Zentrierung mittels eines einzigen einfachen Teils bewirkt werden.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführungselektroden und das Halbleiterelement mit je einem zur Aufnahme eines Spannbolzens bestimmten Loch versehen sind.
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Weiterbildungen und vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Es sind bereits Halbleiterbauelemente beschrieben worden, bei denen das Gehäuse ein zur Aufnahme eines Bolzens bestimmtes Loch aufweist. Der Bolzen hält das Gehäuse zusammen. Im Innern des Gehäuses sind mehrere Halbleiterelemente und Zuführungselektroden angeordnet. Solche Halbleiterbauelemente sind in der Herstellung offensichtlich teuer und kompliziert, da jedes Halbleiterelement für sich kontaktiert werden muß. Außerdem wird das Gehäusevolumen schlecht ausgenützt.
Die Erfindung wird an Hand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 und 2 näher erläutert:
In Fig. 1 ist ein durch Druck kontaktierbares Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterelement 1_ dargestellt, welches zwischen zwei Zuführungselektroden 6 und 8 liegt. Das Halbleiterelement 1_ besteht aus einem beispielsweise aus Silicium gefertigten Halbleiterkörper 2, an dem eine beispielsweise aus Molybdän bestehende Elektrode 3 anlegiert oder angelötet ist. Das Halbleiterelement Λ_ ist mit einem auf die Ränder des Halbleiterkörpers 2 aufgebrachten Schutzlack 4 oder einer sonstigen Passivierungsschicht versehen, Das Halbleiterelement I^ und die Zuführungselektroden 6, 8 sind mit zentrischen Löchern 5 beziehungsweise 7 beziehungsweise 9 versehen. Die Löcher 5, 7» 9 dienen zur Aufnahme eines Spannbolzens, der in Fig. 1 der besseren Übersichtlichkeit halber nicht gezeigt ist. Der Spannbolzen, der sowohl gegen das Halbleiterelement 1_ als auch .30 gegen mindestens einen der Zuführungselektroden 6, 8 elektrisch isoliert ist, hat einen nur wenig kleineren Durchmesser als die Löcher 5, 7, 9 und dient somit zur Zentrierung der genannten Einzelteile. Gleichzeitig bringt der Spannbolzen, beispielsweise über entsprechende Druckringe, den für die Kontaktierung des Halbleiterelements ± notwendigen Druck auf. Dieser
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liegt üblicherweise zwischen 100 und 500 kp/cm . Die Anordnung nach Fig. 1 kann, muß jedoch insbesondere für geringe Sperrspannungen nicht notwendigerweise in einem Gehäuse unterge-' bracht sein. Die Zuführungselektroden 6,.8 können Bestandteile des Gehäuses oder von Kühlkörpern sein. Sie können aber auch außerhalb des Gehäuses liegen. Das Gehäuse kann beispielsweise aus einem um die Zuführungselektroden 6, 8 herumgelegten Dichtungsring vervollständigt werden, wobei in die Hohlräume in an sich bekannter Weise beispielsweise aus Silikonkautschuk bestehende Ringe eingelegt werden. Beim Zusammenpressen dichten diese Ringe das Innere des Halbleiterbauelements ab. Die Hohlräume können jedoch in .an sich bekannter Weise beispielsweise auch mit einem Kunststoff vergossen sein.
In der Anordnung nach Fig. 2 wird wiederum das mit 1_ bezeichnete Halbleiterelement verwendet. Es sitzt auf einer Zuführungselektrode auf, die als Kühlkörper 13 ausgebildet ist. Dieser Kühlkörper hat einen Kanal 14, der beispielsweise von Kühlwasser durchflossen wird. Der Kühlkörper kann jedoch auch ein mittels Luft oder eines anderen Mediums gekühlter sein. Auf der Oberseite des Halbleiterelements 1_ sitzt die Zuführungselektrode 8 auf. Darauf sitzt ein Anschluß 16, der ebenfalls mit einem zur Aufnahme des Spannbolzens bestimmten Loch versehen ist. Auf dem Anschluß 16 sitzt eine Ringscheibe 17, die beispielsweise aus Isoliermaterial bestehen kann. Auf der anderen Seite des Kühlkörpers sitzt in spiegelbildlicher Anordnung ein Halbleiterelement 1_1_, eine Zuführungselektrode 12, ein Anschluß 15 und eine Druckscheibe 18. Die Zuführungselektroden 8 und 12 besitzen Absätze, in die Dichtungsringe 23»
.30 beziehungsweise 25, 26 eingelegt sind.
Durch die Löcher der oben aufgezählten Teile wird ein Spannbolzen 21 durchgesteckt, der mittels einer Mutter 22 über Tellerfedern 23 den für die Halbleiterelemente 1_ und ΛΛ_ notwendi-
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gen Kontaktdruck liefert und diese zentriert. Beim Anziehen der Mutter 22 verformen sich die Ringe 23, 24, 25 und 26 und dichten so die Halbleiterelemente gegen die Außenatmosphäre ab. . \
Die Halbleiterelemente 1_ und 1_1_ können elektrisch in Reihe oder auch gegeneinander geschaltet sein. Sind sie gegeneinander geschaltet, so kann die Anordnung nach Fig. 2 einen Teil einer Einphasen- oder Dreiphasen-Gleichrichterbrücke bilden. In diesem Fall wird der Anordnung am Anschluß 27 und an weiteren gleichartigen Anschlüssen anderer gleichartiger Halbleiteranordnungen Einphasen- beziehungsweise Dreiphasen-Wechselstrom zugeführt, wobei der gleichgerichtete Strom an den Anschlüssen 15, 16 abgenommen werden kann. Die Anschlüsse 15, bilden dann zweckmäßigerweise für alle diese Halbleiteranordnungen gemeinsame Sammelschienen.
Sind beide Halbleiterelemente 1_ und 1_1_ in Reihe geschaltet, so läßt sich die Schaltungsanordnung als einfacher Gleichrichter betreiben. Die Sperrspannung verteilt sich dann auf beide Halbleiterelemente.
6 Ansprüche
2 Figuren
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Leerseite

Claims (6)

Patentansprüche
1.',· Halbleiteranordnung mit einem durch Druck kontaktierbaren Halbleiterbauelement, welches ein zwischen Zuführungselektroden liegendes Halbleiterelement aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführungselektroden (6, 8) und das Halbleiterelement (I-) mit je einem zur Aufnahme eines Spannbolzens bestimmten Loch (5, 7, 9) versehen sind.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das Loch (5) zentrisch im Halbleiterelement (Y) und in den Zuführungselektroden (6, 8) sitzt.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen mit einem Loch versehenen Kühlkörper (13), der am Halbleiterelement (1_, 1J_) oder an einer Zuführungselektrode anliegt, und durch einen durch die Löcher hindurchgehenden, Kühlkörper (13), Halbleiterelement (1_, VV) und Zuführungselektroden (8, 12) zusammenpressenden Spannbolzen (21).
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet , daß zu beiden Seiten des Kühlkörpers ein Halbleiterelement liegt und daß an der dem Kühlkörper abgewandten Seite je eine Zuführungselektrode und je ein mit·einem zur Aufnahme des Spannbolzens bestimmten Loch versehener Anschlußleiter (15, 16) liegt.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß die Halbleiterelemente in Reihe geschaltet sind.
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6. Anordnung nach Anspruch k, dadurch gekennzeichnet , daß die Halbleiterelemente elektrisch gegensinnig geschaltet sind.
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DE2611749A 1976-03-19 1976-03-19 Halbleiteranordnung mit einem über Spannbolzen durch Druck kontaktierbaren Halbleiterbauelement Expired DE2611749C3 (de)

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GB49360/76A GB1564965A (en) 1976-03-19 1976-11-26 Semiconductor components
US05/775,979 US4126883A (en) 1976-03-19 1977-03-09 Pressure-mounted semiconductive structure
JP2853577A JPS52114273A (en) 1976-03-19 1977-03-15 Pressure contact type semiconductor device
FR7707651A FR2344964A1 (fr) 1976-03-19 1977-03-15 Dispositif a semi-conducteur comprenant un composant semi-conducteur raccordable par pression
IT21291/77A IT1077522B (it) 1976-03-19 1977-03-16 Dispositivo a semiconduttori con un componente a semiconduttori che puo' essere messo in contatto mediante l'applicazione di una pressione
SE7703078A SE7703078L (sv) 1976-03-19 1977-03-17 Halvledaranordning med en medelst tryck kontakterbar halvledarkomponent

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SE (1) SE7703078L (de)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224663A (en) * 1979-02-01 1980-09-23 Power Control Corporation Mounting assembly for semiconductive controlled rectifiers
US4559580A (en) * 1983-11-04 1985-12-17 Sundstrand Corporation Semiconductor package with internal heat exchanger
US4686499A (en) * 1984-09-28 1987-08-11 Cincinnati Microwave, Inc. Police radar warning receiver with cantilevered PC board structure
FR2592988B1 (fr) * 1986-01-16 1988-03-18 Jeumont Schneider Dispositifs de refroidissement de semi-conducteurs
KR960012649B1 (en) * 1987-04-22 1996-09-23 Hitachi Ltd Wafer scale or full wafer memory system, package, method thereof and wafer processing method employed therein
US5191224A (en) * 1987-04-22 1993-03-02 Hitachi, Ltd. Wafer scale of full wafer memory system, packaging method thereof, and wafer processing method employed therein
US5539151A (en) * 1992-09-25 1996-07-23 Vlsi Technology, Inc. Reinforced sealing technique for an integrated-circuit package
DE4421319A1 (de) * 1994-06-17 1995-12-21 Abb Management Ag Niederinduktives Leistungshalbleitermodul
US5549155A (en) * 1995-04-18 1996-08-27 Thermacore, Inc. Integrated circuit cooling apparatus
KR100363834B1 (ko) * 2000-03-29 2002-12-11 조준상 대전력용 회로부품의 특성을 향상시키기 위한 방열장치
JP5338980B2 (ja) * 2011-09-13 2013-11-13 トヨタ自動車株式会社 半導体モジュール
DE102012206407B4 (de) * 2012-04-18 2017-05-04 Infineon Technologies Ag Druckkontaktanordnung und verfahren zur herstellung und zum betrieb einer druckkontaktanordnung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2826725A (en) * 1953-11-10 1958-03-11 Sarkes Tarzian P-n junction rectifier
US2766409A (en) * 1955-02-28 1956-10-09 Internatioanl Rectifier Corp Fluid cooled encapsulated rectifier stack
US2959718A (en) * 1957-04-08 1960-11-08 Int Rectifier Corp Rectifier assembly
US2852723A (en) * 1957-04-22 1958-09-16 Int Rectifier Corp Interplate contactor for a rectifier
CH396220A (de) * 1962-03-30 1965-07-31 Bbc Brown Boveri & Cie Halbleiteranordnung
US3445738A (en) * 1967-01-20 1969-05-20 Int Rectifier Corp Non-polarized clamping selenium rectifier
US3532942A (en) * 1967-05-23 1970-10-06 Int Rectifier Corp Pressure-assembled semiconductor device housing having three terminals
US3475660A (en) * 1967-12-01 1969-10-28 Int Rectifier Corp Hollow cylindrical semiconductor device
DE1924011C3 (de) * 1969-05-10 1979-02-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Stromrichter mit zwei parallelen, durch Abstandsstücke getrennten Schienen
US3646407A (en) * 1970-09-21 1972-02-29 Philips Corp Radiation detector having a semiconductor crystal
US3652903A (en) * 1971-02-01 1972-03-28 Gen Electric Fluid cooled pressure assembly
US3727114A (en) * 1971-08-03 1973-04-10 Mitsubishi Electric Corp Air cooled semiconductor stack
US3925802A (en) * 1973-02-27 1975-12-09 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
FR2344964A1 (fr) 1977-10-14
SE7703078L (sv) 1977-09-20
US4126883A (en) 1978-11-21
DE2611749C3 (de) 1980-11-13
JPS52114273A (en) 1977-09-24
DE2611749B2 (de) 1980-02-21
IT1077522B (it) 1985-05-04
GB1564965A (en) 1980-04-16

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