DE2606308C2 - Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor - Google Patents

Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor

Info

Publication number
DE2606308C2
DE2606308C2 DE2606308A DE2606308A DE2606308C2 DE 2606308 C2 DE2606308 C2 DE 2606308C2 DE 2606308 A DE2606308 A DE 2606308A DE 2606308 A DE2606308 A DE 2606308A DE 2606308 C2 DE2606308 C2 DE 2606308C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
mos
charge
line
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2606308A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2606308A1 (de
Inventor
Kurt Dipl.-Ing. 8021 Taufkirchen Hoffmann
Rudolf Dipl.-Ing. 8000 München Koch
Hans-Jörg Dr. 8011 Zorneding Pfleiderer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE2606308A priority Critical patent/DE2606308C2/de
Publication of DE2606308A1 publication Critical patent/DE2606308A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2606308C2 publication Critical patent/DE2606308C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • H01L27/1057—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components comprising charge coupled devices [CCD] or charge injection devices [CID]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

Bei XY-adressierten Sensoren ist, wie in der Veroeffentlichung Carnes, J.E. "Charge Coupled Imaging: State of the Art", Essderc 1973, Solid State Devices, 1973, Seiten 83 - 108 beschrieben ist, das Signal-Rauschverhaeltnis (S/N-Verhaeltnis) von dem Verhaeltnis der Elementkapazitaet zur Kapazitaet der Ausleseleitung abhaengig. Da das Signal-Rauschverhaeltnis bei steigender Bildpunkteanzahl immer unguenstiger wird, wird die maximale Bildpunkteanzahl begrenzt. Ein wesentlicher Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass dadurch, dass die Ladung beispielsweise in MOS-Kondensatoren integriert wird und praktisch verlustlos ueber MOS-Leitungen unter die CCD-Elektroden transportiert wird, ein Ausfall eines Bildpunktes nicht den Ausfall des gesamten Sensors zur Folge hat. Es tritt bei der Anordnung kein Schmiereffekt auf, wie er bei CCD-Sensoren nach dem bildorganisierten Prinzip eine Fehlerquelle darstellt. angunterschied zwischen dem ordentlichen und dem ausserordentl

Description

— daß die MOS-Ausleseanordnung eine MOS-Leitung (5) ist, die an jedem Ende einen Steueranschluß (52,53) aufweist,
— daß jeweils am Ausgang der MOS-Leiterbahn (51) eine Speicherelektrode (41) angeschlossen ist,
— daß neben der Speicherelektrode (41) elektrisch von dieser isoliert eine Gateelektrode (3t) vorgesehen ist und
— daß neben der Gateelektrode (31) elektrisch von dieser isoliert eine der CCD-Elektroden (21) des CCD-Ausgangsregisters vorgesehen ist.
2. Halbleitersensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sensorelektroden (71) zellenförmig angeordnet sind und daß jeder Sensorelektrode (71) eine Zeilenansteuerungselektrode (61), eine MOS-Leiterbahn (51), eine Speicherelektrode (41), eine Gateelektrode (31) und eine CCD-Elektrode (21) zugeordnet ist.
3. Halbleitersensor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleitende Schicht (1) aus Silizium besteht.
4. Halbleitersensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch isolierende Schicht aus S1O2 besteht.
5. Halbleitersensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die CCD-Elektrode (21), die MOS-Leiterbahn (51), die dazugehörige Speicherelektrode (41) und die Sensorelektrode (71) auf der elektrisch isolierenden Schicht angeordnet sind und aus Silizium bestehen und daß die Gateelektrode (31) und die Zeilenansteuerungselektrode (61) in einer zweiten Ebene auf einer elektrisch isolierenden Schicht (H'), welche auf der Sensorelektrode (71), der MOS-Leiterbahn (51), der Speicherelektrode (41), der CCD-Elektrode (21) und den nicht von diesen Elektroden bedeckten Bereichen der elektrisch isolierenden Schicht (11) aufgebracht ist, in einer zweiten Ebene angeordnet sind und aus Aluminium bestehen.
6. Halbleitersensor nach Anspruch 5,.dadurch gekennzeichnet, daß die weitere elektrisch isolierende Schicht (11') aus SiO2 besteht.
7. Verfahren zum Betrieb eines Halbleitei'sensors nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß im Ruhezustand an der Sensorelektrode (71) ein Potential anliegt, welches unter dieser Elektrode eine Potentialmulde zur Aufnahme von Ladungen erzeugt, daß an die Zeilenansteuerungselektrode (61) ein Potential angelegt wird, das unterhalb dieser Elektrode einen Potentialberg, der ein Abfließen von unterhalb der Sensorclcktrode (71) befindlichen Ladungen verhindert, erzeugt, daß an die Enden der MOS-Leiterbahn (51) Potentiale angelegt werden, die unterhalb der Leiterbahn (51) ein Potentialgefälle hervorrufen, daß an die Gateelektrode (31) ein Potential angelegt wird, das neben der Speicherelektrode (41) einen Potentialberg erzeugt, daß beim Auslesen an die Zeilenansteuerungselektrode (61) ein Potential angelegt wird, das den unter dieser Elektrode im Ruhezustand befindlichen Potentialberg abbaut, so daß unter der Sensorelektrode (71) befindliche Ladungen über das Potentialgefälle unterhalb der MOS-Leiterbahn (51) zur Speicherelektrode (41) hin abfließen können und dort gesammelt werden, daß zum Verschieben der Ladung unter die CCD-Elektrode (21) an die Elektrode (32) und an die Elektrode (21) Potentiale angelegt werden, die den Potentialberg unterhalb der Elektrode (31) abb?uen und zur CCD-Elektrode (21) hin ein Potentialgefälle (10) bewirken, über das die unterhalb der Speicherelektrode (41) befindliche Ladung unter die CCD-Elektrode (21) abfließen kann.
Die Erfindung bezieht sich auf einen zweidimensionalen optoelektronischen Halbleitersensor nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Aus der Veröffentlichung Carnes, J. E. »Charge coupled imaging: state of the art«, ESSDERC 1973, Solid State Devices, 1973, Seiten 83—108, vergleiche insbesondere Fig. 8, ist ein xy-adressierter Sensor der eingangs genannten Art bekannt. Bei derarten Sensoren ist das Signal-Rauschverhältnis (S/N-Verhältnis) von dem Verhältnis der Elementkapazität zur Kapazität der Ausleseleitung abhängig. Da das Signal-Rauschverhältnis bei steigender Büdpunkteanzah! immer ungünstiger wird, wird die maximale Bildpunkteanzahl begrenzt.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine.i zweidimensionalen optoelektronischen Halbleitersensor zu schaffen, bei dem unter Vermeidung der oben angegebenen Nachteile beim Stand der Technik das Verhältnis zwischen möglicher Bildpunkteanzahl pro Spalte und dem Signalstörabstand verbessert ist.
Diese Aufgabe wird durch einen wie eingangs bereits erwähnten optoelektronischen Halbleitersensor gelöst, der durch die in dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 aufgeführten Merkmale gekennzeichnet ist. Ein wesentlicher Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß dadurch, daß die Ladung beispielsweise in MOS-Kondensatoren integriert wird und praktisch verlustlos über MOS-Leitungen unter die CCD-Elektroden transportiert wird, ein Ausfall eines Bildpunktes nicht den Ausfall des gesamten Sensors zur Folge hat.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren und der Beschreibung näher erläutert.
Die Fig. 1 zeigt in schematischer Darstellung einen Schnitt I-I durch einen erfindungsgemäßen optoelektronischen Halbleitersensor und den Verlauf des Oberflächenpotentials in den verschiedenen Detriebszuständen. Die Fig. 2 zeigt das Layout einer erfindungsgemäßen Schaltung nach der F i g. 1.
In der F i g. 1 ist das halbleitende Substrat, auf dem der erfindungsgemäße optoelektronische Halbleitersensor aufgebaut ist, mit 1 bezeichnet. Vorzugsweise besteht dieses Substrat aus Silizium. Auf dem Substrat 1 ist eine elektrisch isolierende Schicht 11, die Vorzugs-
weise aus S1O2 besteht, aufgebracht Mit dem Bezugszeichen 2 ist der CCD-Verschiebekanal, der sich senkrecht zur Zeichenebene erstreckt, bezeichnet Eine in der F i g. 1 dargestellte Elektrode dieses Kanals 2 ist mit 21 bezeichnet Die Elektrode 21 weist eine;} Anschluß 22 auf. Von der Elektrode 21 isoliert ist neben dieser die Gateelektrode 31 angeordnet, die einen Anschluß 32 aufweist Von der Gateelektrode 31 isoliert ist neben dieser die Speicherelektrode 41 vorgesehen. Diese ist unmittelbar mit der MOS-Leiterbahn 51 verbunder. Die Länge der ,ViOS-Leitung 51 ist durch das Bezugszeichen 54 angegeben. Die MOS-Leitung 51 weist jeweils an einem Ende einen Anschluß 52 bzw. 53 zum Anlegen von Potentialen auf. Von der MOS-Leitung 5 elektrisch isoliert ist neben dieser die Zeilenansteuerungselektrode 61 angeordnet Schließlich ist neben dieser elektrisch isoliert in aus der Figur ersichtlichen Weise die Sensorelektrode 71 angeordnet Vorzugsweise handelt es sich bei der Elektrode 21 und bei der MOS-Leiterbahn 51 um Elektroden der ersten Ebene, die vorzugsweise aus Silizium bestehen. Dasselbe gilt für die Elektrode 7t. Bei den Elektroden 31 und 61 handelt es sich dann um Elektroden der zweiten Ebene, die vorzugsweise aus Aluminium bestehen.
Im folgenden soll nun die Funktion des erfindungsgemäßen optoelektronischen Halbleitersensors näher erläutert werden. In der älteren Patentanmeldung DE-OS 25 23 683 ist die Funktion einer MOS-Leitung erläutert Dabei wird mit Hilfe dieser MOS-Leitung durch Anlegen von unterschiedlichen Potentialen an die jeweiligen Enden der MOS-Leitung in einer unterhalb der MOS-Leitung befindlichen Verarmungszone ein Driftfeld erzeugt, das ein in der Verarmungszone eintretendes Ladungspaket nahezu verlustlos transportiert. Dabei wird das Ladungspaket entlang der Halbleiteroberfläche transportiert. Wird das Ladungspaket am Ende der MOS-Leitung unter einer Speicherelektrode gesammelt, so läßt sich die Ladung nahezu verlustlos von einem Ort zu einem anderen übertragen. In der Figur ist eine solche Speicherelektrode am Ende der MOS-Leitung 54 mit 41 bezeichnet. Für den Ladungstransport ist wesentlich, daß die Leitungskapazität keinen Einfluß auf die übertragene Ladung hat. Infolge der unvermeidlichen Diffusion und der selbstinduzierenden Drift strebt das transportierte Ladungspaket auseinander und entspricht der zeitliche Verlauf des Stromes an der Speicherelektrode 41 nicht mehr dem Stromimpuls am Leitungseingang 52. Die Zeitkonstante, die für den Transport maßgeblich ist, kann nach dir Formel Γ= L2I\ί · ΔΦ abgeschätzt werden. In dieser Formel bedeuten dabei:
L die Weglänge, die das Ladungspaket zurücklegen muß, ΔΦ den Unterschied des Oberflächenpotentials zwischen den Punkten 52 und 53, zwischen denen das Ladungspaket transportiert wird und μ die Beweglichkeit der Ladungsträger. Als Abschätzung gilt dabei, daß das Maximum des Ladungspakets nach der Zeit Γ nach Durchlaufen der Länge 54 (F i g. 1) die Speicherelektrode 41 erreicht. Als weitere grobe Abschätzung gilt, daß das Ladungspaket eine zeitliche Ausdehnung derselben Größenordnung raufweist. Sollen auch die Ladungsreste erfaßt werden, so ergibt sich dann eine Laufzeit von etwa 1,5 T.
Für ein Fernsehbild ist beispielsweise eine Zeilenfrequenz von 16 kHz vorgeschrieben, was einer Zeit von 64 μς entspricht. Mit einer Beweglichkeit von μ = 500 cmVVs und einem Potentialunterschied von ΛΦ = 10 V zwischen den Punkten 52 und 53 kann eine Länge der MOS-Leitung L = ^ΤΔΦ von ungefähr 5 mm abgeschätzt werden. Nach dem obigen Modell ist dann die Ladung in einem Zeitraum von 64 us nahezu vollständig von dem Anfang 52 der MOS-Leitung in die Speicherelektrode 43 übertragen. Die Laufzeit auf der Leitung kann ausgeglichen werden, indem die Zeilen um die halbe Laufzeit früher angesteuert werden. Die Länge 54 der MOS-Leitung legt den nutzbaren Frequenzbereich fest Für den Aufbau einer Fernsehkamera wird daher vorgeschlagen, die Sensoren 7 einer Zeile mittels vieler parallel verlaufender Leitungen 5 auszulesen und die Ladung in Speicherelektroden 4 zu sammeln, von denen aus die Ladung weiter über die Gateelektroden 31 an Elektroden 21 des CCDs 2 gegeben werden.
In der F i g. 1 ist der Verlauf des Oberflächenpotentiais im Ruhezustand mit 8 bezeichnet und durch eine durchgehende Linie dargestellt. Dabei befindet sich unterhalb der Sensorelektrode 71 eine Potentialmulde, in der Ladungsträger angesammelt werden können. Unterhalb der Zeilenansteuerungselektrode 61 befindet sich ein Potentialberg, der zunächst ein Abfließen von unterhalb der Sensorelektrode 71 befindlichen Ladungsträger verhindert. Durch Anlegen von unterschiedlichen Potentialen an die Anschlüsse 52 und 53 der Elektrode 51 der MOS-Leitung 5 wird unterhalb der MOS-Leitung 5 ein Driftfeld erzeugt, das dem in der F i g. 1 dargestellten Oberflächenpotential entspricht. Unterhalb der Speicherelektrode 41 herrscht das dem Punkt 53 entsprechende Oberflächenpotential. Unterhalb der Gateelektrode 31 befindet sich im Ruhezustand ein Potentialwall 10. Unterhalb der CCD-Elektrode 21 befindet sich beispielsweise schon eine Potentialmulde zum späteren Aufnehmen der transportierten Ladung. Beim Auslesen und Sammeln der Ladung wird durch Anlegen eines Potentials an die Zeilenansteuerelektrode 61 der dort bislang herrschende Potentialwall abgebaut, so daß die in der bislang unterhalb der Sensorelektrode 71 bestehenden Potentialmulde befindliche Ladung an das Driftfeld der MOS-Leitung 5 gelangt und unter die Speicherelektrode 41 verschoben wird. Der zum Auslesen und Sammeln der Ladung unter der Elektrode 41 maßgebliche Potentialverlauf ist in der F i g. 1 mit 9 bezeichnet und durch eine gestrichelte Linie dargestellt. Zur wei'eren Verschiebung der dann dort befindlichen Lidung unter die Elektrode 21 des CCDs 2 wird an die Gateelektrode 31 ein solches Potential angelegt, daß der bislang darunter bestehende Potentialwall verschwindet, so daß zwischen der Speicherelektrode 41 und der CCD-Elektrode 21 ein Potentialgefälle, das durch eine strichpunktierte Linie 10 dargestellt ist, aufgebaut wird, über das die unterhalb der Speicherelektrode 41 befindliche Ladung unter die Elektrode 21 gelangen kann.
In der F i g. 2, in der auch der in der F i g. 1 dargestell-
-■■"> te Schnitt I-I eingetragen ist, ist das Layout einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Halbleiteranordnung in einer ZweiJagen-Technologie, beispielsweise in der Aluminium-Silizium-Gate-Technologie, dargestellt. Dabei bedeuten Flächen, die nicht schraffiert sind, AIuminiumelektroden bzw. Leiterbahnen, Flächen, die rechts-schraffiert sind, Siliziumelektroden bzw. Leiterbahnen, Flächen, die durch eine strichlierte Linie umrandet sind, ein Dünnoxid, und Flächen mit Kreisen Κ,οη-taktlöcher zwischen Silizium- und Aluminium-Belegungen. Einzelheiten der F i g. 2, die bereits im Zusammenhang mit der F i g. 1 beschrieben wurden, sind entsprechend bezeichnet.
Nach der F i g. 2 ergibt sich, bei der Annahme, daß die
Elektroden 71 und 61 und die MOS-Leiterbahn 51 jeweils 5 μηι breit sind und bei einer Justiertoleranz von 2 μιη auf jeder Seite eine Spaltenbreite von 19 μιη. Die Zeilenbreite beträgt, bei einer Breite der Leitung 62 von 5 μιη, bei einer Breite der Elektrode 61 von 5 μιη und bei 5 einer Justiertoleranz von 2 μπι auf jeder Seite, 14μηι. Damit wird ein Bildpunktverhältnis von etwa 4 :3 erreicht. Mit einer Gesamtlänge von 4,2 mm für die MOS-Leitung 5 sind demnach gerade die halbe Zeilenzahl eines Fernsehbildes mit ca. 300 Zeilen möglich. Die letzten Endes gewünschte Auflösung von 600 Zeilen ist mit Leiterbahnbreiten von 2,5 μιη möglich.
Eine längere MOS-Leitung kann dann zugelassen werden, wenn die geraden Zeilen der Sensoren unier einer rechts verlaufenden Leiterbahn und die ungeraden Zeilen unter einer iinks von einer Spaite verlaufenden Leiterbahn ausgelesen werden. Da in diesem Fall die doppelte Zeit zur Verfügung steht, könnte eine \IT- längere Leitung zugelassen werden.
Die Anordnung nach der F i g. 2 ist deshalb besonders vorteilhaft, da parallel zur Sensoreleklrodenbahn ein an sich bekannter Überlaufkanal geführt werden kann, der Überschußladungen aufnehmen kann. Auf diese Weise kann ein störendes »Blooming« weitgehend unterdrückt werden. Dabei wird unter »Blooming« ein Abfließen von überschüssiger Ladung an benachbarte Bildpunkte verstanden.
Vorteilhafterweise tritt bei der erfindungsgemäßen Anordnung kein Schmiereffekt auf, wie er bei CCD-Sensoren nach dem bildorganisierten Prinzip eine Fehlerquelle darstellt.
Die oben erwähnten Störeffekte sind in dem Buch »Charge Transfer Devices«, Carlo H. Sequin und Michael F. Tompsett, Bell Telephone Laburatories Murray Hill, New Jersey, Academic Press. Inc. New York. San Francisco, London 1975 näher beschrieben.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
40
45
55
60

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor, bei dem auf einer halbleitenden Schicht eine elektrisch isolierende Schicht mit darauf befindlichen Elektroden aufgebracht ist und bei dem neben jeder Sensorelektrode elektrisch von dieser isoliert eine Zeilenansteuerungselektrode, über welche die Signalladung in eine vertikale MOS-Ausleseanordnung und von dieser zu einem CCD-Ausgangsregister übertragen wird, vorgesehen ist. dadurch gekennzeichnet,
DE2606308A 1976-02-17 1976-02-17 Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor Expired DE2606308C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2606308A DE2606308C2 (de) 1976-02-17 1976-02-17 Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2606308A DE2606308C2 (de) 1976-02-17 1976-02-17 Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2606308A1 DE2606308A1 (de) 1977-08-18
DE2606308C2 true DE2606308C2 (de) 1985-05-23

Family

ID=5970091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2606308A Expired DE2606308C2 (de) 1976-02-17 1976-02-17 Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2606308C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2735651A1 (de) * 1976-08-19 1978-02-23 Philips Nv Bildaufnahmeanordnung

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8004328A (nl) * 1980-07-29 1982-03-01 Philips Nv Schakelinrichting voor het ontladen van een capaciteit.
DE3586279D1 (de) * 1984-04-25 1992-08-06 Josef Dr Kemmer Verarmtes halbleiterelement mit einem potential-minimum fuer majoritaetstraeger.

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1476192A (en) * 1974-05-29 1977-06-10 Mullard Ltd Semiconductor switching circuit arrangements
JPS5732547B2 (de) 1974-12-25 1982-07-12
JPS5937629B2 (ja) 1975-01-30 1984-09-11 ソニー株式会社 固体撮像体
DE2523683C2 (de) 1975-05-28 1985-03-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Integrierte Schaltung mit einer Leitung zum Transport von Ladungen zwischen Speicherelementen eines Halbleiterspeichers und einer Schreib-Lese-Schaltung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2735651A1 (de) * 1976-08-19 1978-02-23 Philips Nv Bildaufnahmeanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
DE2606308A1 (de) 1977-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0025168B1 (de) Monolithisch integrierte Schaltung mit einem zweidimensionalen Bildsensor
DE3021470A1 (de) Festkoerper-bildaufnahmevorrichtung
DE2354755A1 (de) Angepasstes analogfilter
DE2643704C2 (de) Transversalfilter mit mindestens einem analogen Schieberegister und Verfahren zu dessen Betrieb
DE69110797T2 (de) Bildsensor.
DE2628820C2 (de) Ladungsgekoppelter Halbleiter-Bildaufnehmer
DE2200455C3 (de) Ladungsgekoppelte Halbleiterschaltung
DE2939518C2 (de)
DE69119624T2 (de) Festkörperbildabtaster
DE2939403C2 (de)
DE2606308C2 (de) Zweidimensionaler optoelektronischer Halbleitersensor
DE3144163A1 (de) "festkoerperbildabtaster mit ladungsgekoppelten bildspeicherelementen"
DE2634312A1 (de) Ladungsuebertragvorrichtung auf halbleiterbasis
DE3105910C2 (de)
AT393181B (de) Bildaufnahmeanordnung
DE69226120T2 (de) CCD-Bildsensor mit Zwischenzeilen-Restübertragung (FIT-CCD)
DE4123191C2 (de) Dreidimensionaler CCD-Bildwandler
DE3689901T2 (de) Bildsensor mit leiterelementen, die normierte flächen aufweisen, um eine einheitliche kapazitive belastung zu bewirken.
DE4203837C2 (de) CCD-Bildsensor mit verbessertem Speicher- und Transferwirkungsgrad
DE2334116A1 (de) Ueberstroemkanal fuer ladungsuebertragende abbildungs-baueinheiten
DE2558337C2 (de) Nach dem Prinzip der Ladungsverschiebung arbeitender Halbleiter-Bildsensor
DE2820580A1 (de) Transversalfilter mit elektronisch einstellbaren gewichtungsfaktoren
DE69330223T2 (de) Ladungsverschiebeanordnung
DE2808620C2 (de)
DE2553658C2 (de) Optoelektronische Sensoranordnung und Verfahren zu ihrem Betrieb

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H04N 3/15

8126 Change of the secondary classification

Ipc: G11C 13/08

D2 Grant after examination
Q176 The application caused the suspense of an application

Ref document number: 2735651

Country of ref document: DE

8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee