DE2603908A1 - Verfahren zur herstellung eines aus mehreren zonen unterschiedlicher dotierungskonzentration bestehenden halbleiterbauelementes und lawinenlaufzeitdiode hergestellt nach diesem verfahren - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines aus mehreren zonen unterschiedlicher dotierungskonzentration bestehenden halbleiterbauelementes und lawinenlaufzeitdiode hergestellt nach diesem verfahren

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Andre Dr Jaecklin
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BBC BROWN BOVERI and CIE
BBC Brown Boveri AG Switzerland
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BBC BROWN BOVERI and CIE
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/40—Transit-time diodes, e.g. IMPATT or TRAPATT diodes 
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4806497A (en) * 1986-09-17 1989-02-21 Bbc Brown Boveri Ag Method for producing large-area power semiconductor components
CH670332A5 (https=) * 1986-09-17 1989-05-31 Bbc Brown Boveri & Cie

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