DE2512660B2

DE2512660B2 - CIRCUIT ARRANGEMENT FOR TELECOMMUNICATIONS EXCHANGE SYSTEMS, IN PARTICULAR TELEPHONE EXCHANGE SYSTEMS, WITH TEST AND USE CIRCUITS

Info

Publication number: DE2512660B2
Application number: DE19752512660
Authority: DE
Inventors: Justus 8000 München König
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1975-03-21
Filing date: 1975-03-21
Publication date: 1976-12-30
Also published as: AU505559B2; FR2305082B1; SE405194B; AU1223076A; CH607512A5; DE2512660A1; ATA29476A; IT1057556B; SE7602897L; AT346394B; FR2305082A1; NL7600914A

Description

Erfindungsgeraäß ist also der zeitliche Stromverlauf in PrQf- und Belegungsstromkreisen den Erfordernissen für Prüfrelais angepaßt, und zwar auf eine für relaislose pro Verbindung erforderliche Schalteinrichtungen, z. B. Relaisverbindungssätze, besonders zweckmäßige Weise, nämlich unter Ausnutzung von die Relaisschaltfunktionen in herkömmlichen Relaisverbindungssätzen ersetzenden elektronischen Schaltmitteln z. B. Transistoren. The device of the invention is therefore the course of the current over time the requirements in test and occupancy circuits adapted for test relays, namely to a switching devices required for relayless per connection, z. B. Relay connection sets, particularly expedient way, namely by taking advantage of the relay switching functions in conventional relay connection sets replacing electronic switching means z. B. Transistors.

In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung nur in wesentlich zu ihrem Verständnis beitragenden Bestandteilen dargestellt worauf sie jedoch keinesfalls beschränkt istIn the drawing, an embodiment of the invention is only essential for your understanding contributing components to which it is in no way limited

Von einem Wähler Wist der Prüf Stromkreis mit den beiden Wicklungen I und H eines Prüfrelais P dargestellt Die Wicklung 11 des Prüfrelais ist über einen relaiseigenen Kontakt Ip kurzschließbar. Der Prüfstromkreis des Wählers Wist in bekannter Weise über über einen Prüfschaltarm emit den Prüfpunkten PPvon belegbaren nachgeordneten Schalteinrichtungen U verbindbar. Bei diesen belegbaren Schalteinrichtungen U kann es sich z. B. um Verbindungssätze handeln. Verbindungssätze sind z.B. lnterverbindungssätze, sogenannte Amtsübertragungen, Leitungsabschlußschaltungen von Fernverbindungsleitungen u.dgl. Die belegbaren Schalteinrichtungen U zählen zu den »pro Verbindung erforderlichen Schalteinrichtungen«, also Einrichtungen, die für die Dauer des Bestehens einer Verbindung dieser individuell zugeordnet ist wie z. B. auch Wähler, Verbindungsleitungen, Zwischenleitungen in Koppelfelder u. dgl.The test circuit with the two windings I and H of a test relay P is represented by a selector W. The winding 11 of the test relay can be short-circuited via a relay's own contact Ip. The test circuit of the selector W can be connected in a known manner via a test switch arm to the test points PP of verifiable downstream switching devices U. In these assignable switching devices U it can be, for. B. be connection sets. Connection sets are, for example, interconnection sets, so-called office transfers, line termination circuits of long-distance connection lines, etc. The assignable switching devices U count among the "switching devices required per connection" B. also voters, connecting lines, intermediate lines in switching networks and the like.

Die belegbaren Sohalteinrichtungen U sind zu mehreren jeweils zu einer Gruppe zusammengefaßt der eine gemeinsame Verbindungssatz-Steuerung G gemäß dem deutschen Patent 20 55 745 (»gruppenindividueller Pufferspeicher«) zugeordnet ist Jede der Schalteinrichtungen U steht mit der gemeinsamen Steuerung G über die beiden Stromkreise z\ und zl in Kriterienaustausch. Über den Stromkreis zl signalisiert jede der Schalteinrichtungen U zur gemeinsamen Steuerung G den Schaltzustand der Belegung. Über den Stromkreis zl signalisiert die gemeinsame Steuerung G an jede der Schalteinrichtungen U den Schaltbefehl »Hochohmigschalten« mindesten 40 Millisekunden nach erfolgter Belegung bzw. »Sperren« gegen Neubelegung, sofern die betreffende Schalteinrichtung U sich im Ruhezustand befindet und vorläufig nicht belegbar sein soll.The assignable Sohalteinrichtungen U are assigned to several to a group each combined of a common connection set-control G in accordance with German Patent 20 55 745 ( "group of individual buffer memory"), each of the switching devices U is connected to the common control G via the two circuits z \ and zl in criteria exchange. Via the circuit zl, each of the switching devices U for the common control G signals the switching status of the occupancy. Via the circuit zl, the common control G signals to each of the switching devices U the switching command “high-resistance switching” at least 40 milliseconds after the assignment or “blocking” against re-assignment, provided that the respective switching device U is in the idle state and should not be able to be assigned for the time being.

Im Ruhezustand der Schalteinrichtung L/liegt von der gemeinsamen Steuerung G her über nicht gezeigte Vorwiderstände und über den Stromkreis τ2 Minuspotential an der Basis des Transistors 73, sofern die Schalteinrichtung U belegbar sein soll. Das Pluspotential von 5 Volt am Widerstand Ri wird durch das von der gemeinsamen Steuerung G zugeführte Minuspotential unwirksam gemacht. Wenn die Schalteinrichtung U im Ruhezustand belegbar ist, ist der Transistor 73 stromdurchlässig. Über die Widerstände R2 und Ri liegt Erdpotential an der Basis des Transistors 71 und der Basis des Transistors 72. Über die Emitter-Basis-Strekke jedes dieser beiden Transistoren fließt ein relativ geringer Ruhestrom. Diese beiden Transistoren sind dadurch für eine Durchschaltung eines Prüf- und Belegungsstromkreises vorbereitet.In the idle state of the switching device L / there is a negative potential at the base of the transistor 73 from the common control G via series resistors (not shown) and via the circuit τ2, if the switching device U is to be assignable. The plus potential of 5 volts at the resistor Ri is rendered ineffective by the minus potential supplied by the common controller G. If the switching device U can be assigned in the idle state, the transistor 73 is current-permeable. Ground potential is applied to the base of transistor 71 and the base of transistor 72 via resistors R2 and Ri . A relatively low quiescent current flows through the emitter-base path of each of these two transistors. These two transistors are prepared for a through-connection of a test and occupancy circuit.

Der Transistor 74 ist im Ruhezustand der Schalteinrichtung U durch das von der gemeinsamen Steuerung G zugeführte Minuspotential gesperrt, sofern die Schalteinrichtung U belegbar ist Ebenfalls ist in diesem Schaltzustand der Transistor 75 gesperrt, und zwar durch das an seiner Basis Aber die Widerstände RA und RS anliegende Pluspotential von 5 Volt Da an Basis und Emitter des Transistors 76 im Ruhezustand gleiches Potential (Minuspotential von 60 Volt) anliegt, ist auch dieser Transistor im Ruhezustand stromundurchlässig.The transistor 74 is locked in the rest state of the switching device U by the signal supplied from the common control G minus potential, the switching means U provided assignable Also the transistor 75 is locked in this switching state, namely applied by the at its base, but the resistors RA and RS Plus potential of 5 volts Since the base and emitter of transistor 76 have the same potential in the idle state (minus potential of 60 volts), this transistor is also impermeable to current in the idle state.

Wird im Zuge eines Freiwahlvorganges des Wählers W sein Prüf relais P über den Prüfschaltarm emit dem Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U verbunden, so kommt ein Prüf- und Belegungsstromkreis zustande, der über die Wicklungen 1 und II des Prüfrelais P, die Widerstände RS, R7 und J29 und über die Parallelschaltung der beiden Transistoren 71 und 72 verläuft, wobei in Reihe mit dem Transistor 72 noch der weitere Widerstand RS geschaltet ist Der am Widerstand Rl auftretende Spannungsabfall wird von einem Vergleicher Verkannt der ein bis dahin über seinen Ausgang ν abgegebenes Ausgangssignal in Form von plus 1 Volt gegen ein Ausgangssignal von minus 11 Volt vertauscht Dadurch wird über den Stromkreis z\ die erfolgte Belegung zur gemeinsamen Steuerung G hin signalisiert Der Vergleicher Kreagiert auf den am Widerstand RT auftretenden Spannungsabfall mit einer Verzögerung, die groß genug ist um kurzzeitige Störimpulse zu ignorieren.If, in the course of a free selection process of the selector W, his test relay P is connected via the test switch arm to the test point PP of the switching device U , a test and occupancy circuit is established, which is via the windings 1 and II of the test relay P, the resistors RS, R7 and J29 and runs through the parallel connection of the two transistors 71 and 72, the further resistor RS being connected in series with transistor 72. The voltage drop occurring at resistor Rl is misunderstood by a comparator of the output signal that has been output via its output ν up to then in the form of plus 1 volt is exchanged for an output signal of minus 11 volts.This means that the circuit z \ signals that it has been assigned to the common controller G. The comparator reacts to the voltage drop across the resistor RT with a delay that is long enough to cause brief interference pulses to ignore.

Durch das vom Vergleicher V über seinen Ausgang ν abgegebene Ausgangssignal von minus 11 Volt wird außerdem ein Stromkreis über die Widerstände RiO, RS und R4 eingeschaltet Hierin liegt eine Vorbereitung dafür, den Transistor 75 stromdurchlässig zu schalten, was weiter unten beschrieben wird.The output signal of minus 11 volts emitted by the comparator V via its output ν also switches on a circuit via the resistors RiO, RS and R4.

In dem über den Prüfpunkt PPverlaufenden Prüf- und Belegungsstromkeis spricht das Prüfrelais P des Wählers W an. Es schließt seinen Kontakt Ip und schließt dadurch seine höherohmige Wicklung II kurz. Es bleibt über seine Wicklung I weiterhin erregt Über seinen Kontakt Ip und seine Wicklung I liegt nunmehr Erdpotential relativ niederohmig am Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U. Dadurch werden weitere Wähler gehindert in Freiwahl auf die belegte und durch das Ansprechen des Prüfrelais P bereits gesperrte Schalteinrichtung U aufzuprüfen. Die durch das Ansprechen des Prüf relais P ferner bewirkte Stromerhöhung u. a. im Widerstand Rl hat an diese eine Erhöhung des Spannungsabfalles zur Folge, die auf den Vergleicher V jedoch keinen Einfluß hat The test relay P of the selector W responds in the test and occupancy current circuit running through the test point PP. It closes its contact Ip and thereby short-circuits its higher-resistance winding II. It remains energized via its winding I. Its contact Ip and its winding I now have a relatively low-resistance earth potential at the test point PP of the switching device U. This prevents further voters from freely checking the occupied switching device U, which has already been blocked by the response of the test relay P. . The further increase in current caused by the response of the test relay P, among other things, in the resistor Rl results in an increase in the voltage drop which, however, has no effect on the comparator V.

Etwa 40 Millisekunden nachdem der Vergleicher V über seinen Ausgang ν und über den Stromkreis zl die eingangsseitige Belegung der Schalteinrichtung U an die gemeinsame Steuerung G signalisiert hat schaltet diese das über den Stromkreis Δ bis dahin angeschaltete Minuspotential ab. Nunmehr vermag sich das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Ri durchzusetzen. Dadurch wird der Transistor 73 stromundurchlässig. Infolgedessen werden auch die Transistoren 71 und 72 stromundurchlässig. Durch das Pluspotential von 5 Volt über den Widerstand Al wird jedoch der Transistor 74 stromdurchlässig. Er schaltet Erdpotential art den Verhindungspunkt zwischen den beiden Widerständen A4 und RS. Infolgedessen stellt sich am Verbindungspunkt der beiden Widerstände RS und /710 negatives Teilpotential ein. durch welches der Transistor 75 stromdurchlässig geschaltet wird. Dadurch wird der aus den Widerständen RH und /712 gebildete Spannungsteiler eingeschaltet, an dessen Spannungsteilermittelpunkt ein negatives Teilpotential entsteht, durch welches der Transistor 76 stromdurchlässig geschaltet wird. Der zunächst über die Transistoren 71 und 72 verlaufende BelegungsstromkreisAbout 40 milliseconds after the comparator V has signaled the input-side occupancy of the switching device U to the common control G via its output ν and via the circuit zl, the latter switches off the negative potential connected via the circuit Δ up to that point. Now the plus potential of 5 volts can assert itself through the resistor Ri . This makes the transistor 73 current-impermeable. As a result, the transistors 71 and 72 also become current-impermeable. However, due to the positive potential of 5 volts across the resistor A1, the transistor 74 becomes current-permeable. It switches the ground potential type the connection point between the two resistors A4 and RS. As a result, a negative partial potential occurs at the connection point of the two resistors RS and / 710. through which the transistor 75 is switched to be conductive. As a result, the voltage divider formed from the resistors RH and / 712 is switched on, at whose voltage divider center point a negative partial potential arises, through which the transistor 76 is switched to be conductive. The occupancy circuit initially running through transistors 71 and 72

verlauft nunmehr nicht mehr Ober diese, sondern über die Widerstände i?13 und KM. Durch die Kondensatoren Cl und C2 ist dafür gesorgt, daß bei den zuletzt beschriebenen Vorgingen die Transistoren 71 und 72 mit einer gewissen Verzögerung nach dem Transistor $ 73 stromundurchlässig werden, so daß der über den Widerstand Ä9 verlaufende beschriebene Belegungsstromkreis erst unterbrochen wird, wenn der BeIegungs-HaUestromkreis über die Widerstände Ä13 und Λ14 mittels des Transistors 76 durchgeschaltet worden ist. Dadurch wird sichergestellt, daß in dem über den Prüfpunkt P verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreis keine Unterbrechung eintritt.now no longer runs above this, but via the resistances i? 13 and KM. The capacitors C1 and C2 ensure that in the processes described last, the transistors 71 and 72 become current-impermeable with a certain delay after the transistor $ 73, so that the described occupancy circuit running through the resistor Ä9 is only interrupted when the BeIegungs -HaUestromkreis has been switched through via the resistors 13 and Λ14 by means of the transistor 76. This ensures that there is no interruption in the test and occupancy circuit running via test point P.

Durch diese Umschaltung des über den Prüfpunkt PP verlaufenden Prüf- und Belegungsstromkreises von seinem aber die Transistoren 71 und 72 verlaufenden Abschnitt auf den über den Transistor 76 verlaufenden Abschnitt wird der Gesamtwiderstand zwischen dem Prüfpunkt PP und der Minusspannung erhöht. Durch diesen auch als »Hochohmigschalten« des Belegungs-Stromkreises bezeichneten Schaltvorgang wird die Sperrsicherheit der Schalteinrichtung U erhöht, d. h. die Sicherheit dafür, daß kein anderer Wähler mehr auf den belegten und gesperrten Belegungsstromkreis der Schalteinrichtung Uaufprüfen kann.This switching of the test and occupancy circuit running via the test point PP from its section running through the transistors 71 and 72 to the section running via the transistor 76 increases the total resistance between the test point PP and the negative voltage. This switching process, also known as "high-resistance switching" of the occupancy circuit, increases the blocking security of the switching device U , ie the security that no other voter can check the occupied and blocked occupancy circuit of the switching device U.

Durch die beschriebene Umschaltung des Belegungsstromkreises von seinem Verlauf über den Widerstand RB auf den Verlauf über die Widerstände RU und Ä14 wird ferner der dem Vergleicher V zugeführte Spannungsabfall noch erhöht. Dadurch wird der Prüf- und Belegungsstromkreis während der Dauer der ihm entsprechenden durchgeschalteten Verbindung gegenüber Störungen durch induzierte oder kapazitiv übertragene Fremdspannungen gesichert Ferner wird die Sperrsicherheit gegen Doppelprüfen erhöht und der Stromverbrauch vermindertAs a result of the described switching of the occupancy circuit from its course via the resistor RB to the course via the resistors RU and A14, the voltage drop supplied to the comparator V is further increased. As a result, the test and occupancy circuit is secured against interference from induced or capacitively transmitted external voltages for the duration of the connected connection corresponding to it. Furthermore, the blocking security against double testing is increased and the power consumption is reduced

Wird der Prüf- und Belegungsstromkreis vom vorgeordneten Wähler her aufgetrennt, also die ihm entsprechende Verbindung ausgelöst, so werden unter anderem die Widerstände R7 und Ä13 stromlos. Der an ihnen bis dahin vorhandene Spannungsabfall entfällt Der Vergleicher V schaltet das bis dahin über seinen Ausgang ν abgegebene Signal von minus 11 Volt wieder ab und legt stattdessen das breite erwähnte Potential von plus 1 Volt an. Dadurch wird über den Stromkreis z\ zur gemeinsamen Steuerung G signalisiert daß die Schalteinrichtung U vom vorgeordneten Wähler her ausgelöst worden ist Die gemeinsame Steuerung G veranlaßt nun auf im einzelnen nicht beschriebene Weise die Auslösung aller übrigen Teile der Schalteinrichtung U Die gemeinsame Steuerung schaltet vorläufig nicht das Minuspotential über den Stromkreis 22 ein.If the test and occupancy circuit is disconnected from the upstream selector, i.e. if the connection corresponding to it is triggered, then resistors R7 and Ä13, among other things, are de-energized. The voltage drop present on them up to that point is no longer applicable. The comparator V switches off the signal of minus 11 volts that was emitted up to then via its output ν and instead applies the broad potential of plus 1 volt mentioned. This signals via the circuit z \ to the common control G that the switching device U has been triggered by the upstream selector.The common control G now triggers all other parts of the switching device U in a manner not described in detail Negative potential across circuit 22.

Durch den Wechsel des Ausgangssignales seitens des Vergleichers Vvon minus 11 Vollauf plus 1 Volt wird der Transistor 35 wieder gesperrt und demzufolge auchAs a result of the change in the output signal on the part of the comparator V from minus 11 full to plus 1 volt, the transistor 35 is blocked again and consequently also

• (derTransistor IS. Versucht null ein Wähler, auf die noch im Schaltzustand der nicht vollständig abgewickelten Auslösung befindliche Schalteinrichtung l/aufzuprüfen, so findet er das den Freizustand kennzeichnende fotential von «ünus'6O Volt wedenüber die Transistoren '4Π «ad 72 noch über den Transistor 76 vor. Die• (derTransistor IS. If a selector tries zero to check the switching device I / that is still in the switching state of the incompletely processed triggering, it will find the photential of "ünus'6O volts", which characterizes the free state, over the transistors' 4Π "ad 72 the transistor 76. The

• Schalteinrichtung t#ist also vorläufig gegen Neubele-•^unggespeirt • Switching device t # is therefore temporarily unspeirted against reloading

* Wie beschriebe«, schaltet der Vergleicher V bei der Ansfösungv also bei Auftrenmmg des Prüf- und •Belegungsstromkreises an seinen Ausgang ν wieder fföspotential von etwa 1 Volt anstelle des Minuspotentials von 11 Volt an. Der Vergleicher V reagiert jedoch auf das Verschwinden des Spannungsabfalles an den Widerständen Rl und Ä13 mit einer gewissen Verzögerung. Dadurch wird sichergestellt, daß eine fälschliche Auslösung nicht etwa durch Störimpulse herbei geführt werden kann, die auf induktivem oder kapazitivem Wege auf den im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkreis einer durchgeschalteten Verbindung übertragen werden können.* As described «, the comparator V switches on the connection, ie when the test and occupancy circuit is disconnected, at its output ν again on open potential of about 1 volt instead of the negative potential of 11 volts. However, the comparator V reacts to the disappearance of the voltage drop across the resistors Rl and Ä13 with a certain delay. This ensures that false triggering cannot be caused by interference pulses that can be transmitted inductively or capacitively to the test and occupancy circuit of a connected connection that is in the blocked state.

Im Hinblick auf das Problem des Aufprüfens auf auslösende Verbindungen kann der Fall eintreten, daß ein prüfender Wähler sein Prüfrelais über seinen Prüfschaltarm mit dem Prüfpunkt einer seitens eines anderen Wählers belegten und gesperrten Schalteinrichtung verbindet, und daß unmittelbar anschließend der bis dahin mit dieser Schalteinrichtung verbundene und diese sperrende Wähler ausgelöst wird und den bis dahin bestehenden und im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkreis auftrennt In einem solchen Falle besteht in herkömmlichen Vermittlungsanlagen die Möglichkeit, daß das Prüfrelais des genannten prüfenden Wählers anspricht und daß dadurch eine Falschverbindung zustandekommt Um diese Möglichkeit zu unterbinden, ist der Vergleicher V eingangsseitig mit Schaltmitteln ausgerüstet, die ein Absinken des Spannungsabfalles an den Widerständen RJ und Ä13 zu erkennen vermögen. Dies können Spannung nach der Zeit differenziererde Schaltmittel sein. — Beachtlich ist in diesem Zusammenhang, daß der zunächst bestehende und im Sperrzustand befindliche Prüf- und Belegungsstromkreis lediglich die Wicklung I des Prüfrelais des betreffenden sperrenden Wählers W enthält, daß jedoch dieser bei Auftrennung des im Sperrzustand befindlichen Prüf- und Belegungsstromkreises weiter bestehende Prüf- und Belegungsstromkreis des prüfenden Wählers außer der niederohmigen Wicklung I auch die höherohmige Wicklung II des Prüfrelais P enthält In diesem besonderen Betriebsfall ist also die Auslösung der ersten Verbindung nicht an einer Auftrennung des Prüf- und Belegungsstromkreises, also nicht an einem völligen Fortfall des Spannungsabfalles an den Widerständen RJ und Ri3 zu erkennen, sondern an einer Stromabsenkung, also an einer Absenkung des Spannungsabfalles an den genannten beiden Widerständen. Der in diesem besonderen Betriebsfall nach der Stromabsenkung am Vergleicher eingangsseitig wirksame Spannungsabfall tritt an den Wideiständen Kl und Λ13 auf, ist also sogar größer als der beim normalen Prüf- und Belegungsvorgang vor Ansprechen des betreffenden Prüfrelais am Vergleicher wirksame Spannungsabfall, weil dieser nur am Widerstand RJ entsteht Um nun diesen besonderen Betriebsfall (Aufprüfen auf auslösende Verbindung) von einem normalen PrOf' und Belegungsvorgang mit «einer im Freizustand befindlichen Schalteinrichtung i/unterscheiden zu können, genügt es für den Vergleicher V nicht, eingangsseitig lediglich den Spannungsabfall zu messen; um diese beiden Betriebsfälle eindeufig voneinander unterscheiden zu können* ist der Vergleicher Veingangsseitig mit Schaltmitteln ausgestattet, mil deren Hilfe der zeitliche Verlauf der eingangssenigen Spannung, also die Absenkung des Spannungsabtaües an den Widerständen ίσ und (RI3 erkannt wei€enfeiiHii Dadurch IaBt sich nrit Sicherheit ein AufpfÜlen: aut auslesende Verbindungen auch für solche Wihlef verhindern, te denen keine eigenen Vod£emaingeft4fir die Vermeidung des Aufprüfens auf auslösende Veäjntdungen getroffen sind.With regard to the problem of checking for triggering connections, the case can arise that a testing voter connects his test relay via his test switch arm to the test point of a switching device that is occupied and blocked by another voter, and that immediately afterwards the one connected to this switching device and this blocking voter is triggered and disconnects the test and seizure circuit that was in place until then. the comparator V is equipped on the input side with switching means that are able to detect a drop in the voltage drop across the resistors RJ and Ä13. These can be switching means that differentiate voltage according to time. - It is noteworthy in this context that the initially existing test and occupancy circuit only contains the winding I of the test relay of the respective blocking selector W , but that this test and occupancy circuit still exists when the test and occupancy circuit is disconnected In addition to the low-resistance winding I, the occupancy circuit of the selector under test also contains the higher-resistance winding II of the test relay P. RJ and Ri3 can be recognized, but rather from a decrease in current, i.e. a decrease in the voltage drop across the two resistors mentioned. The voltage drop that is effective on the input side after the current reduction at the comparator occurs in this particular operating case at the widths Kl and Λ13 and is therefore even greater than the voltage drop that is effective at the comparator during the normal test and assignment process before the relevant test relay responds, because this only occurs at the resistor RJ arises In order to be able to differentiate this special operating case (checking for the triggering connection) from a normal test and assignment process with a switching device i / in the free state, it is not sufficient for the comparator V to merely measure the voltage drop on the input side; In order to be able to differentiate these two operating cases from one another in one step *, the comparator V is equipped with switching means on the input side, with the help of which the temporal progression of the input voltage, i.e. the reduction of the voltage defrost at the resistors ίσ and (RI3 recognized, is not a sure thing AufpfÜlen: Prevent read-out connections also for those who do not have their own instructions to avoid checking for triggering events.

Wie beschrieben, verläuft der Belegungsstromkreis der Regelbereich des Transistors 71. Jedoch erhöht sich der Schalteinrichtung U vom Prüfpunkt PP Qber die dadurch zugleich auch die im Transistor 71 umzusetzenwiderstände /76, /77, /78 und /79 und über die de Verlustleistung.As described, the occupancy circuit runs the control range of transistor 71. However, switching device U increases from test point PP Q over the resistances / 76, / 77, / 78 and / 79 to be implemented in transistor 71 and over the power loss.

Transistors 71 and 72. When switching to high resistance, the current-regulating effect is then the

derjenige Teil des Belegungsstromkreises, der die s beschriebenen Konstantstromquelle erläutert. Hierbei Widerstände /78 und /79 und die Transistoren 71 und 72 sind der Einzelprüffall und der Parallelprüffall miteinanumfaßt, ausgeschaltet und statt dessen ein über die der zu vergleichen. Unter der Voraussetzung, daß es Widerstände /713 und /714 und über den Transistor 76 sich bei zwei parallel prüfenden Wählern um Wähler mit verlaufende Haltestromkreis eingeschaltet. — Besonde- gleichen Prüfstromkreisen handelt, weist die Parallelre Beachtung kommt dem die Widerstände /78 und /79 io schaltung der beiden PrUfstromkeise im Parallelprüffall und die Transistoren 71 und 72 enthaltenden Teil des bekanntlich den halben Innenwiderstandswert auf Bclegungsstromkreises zu. Dieser Teil des Belegungs- gegenüber dem Innenwiderstand nur eines einzigen Stromkreises wirkt in Verbindung mit dem Anschluß an dieser beiden Prüfstromkreise. Die Konstantstromqueldie Spannungsquelle von minus 60 Volt als Konstant- Ie findet also jenseits des Prüfpunktes PP der stromquelle. Der Transistor 71 hat hierzu eineis Schalteinrichtung U im Parallelprüffall nur einen halb so stromregelnde Wirkung. Das dem über den Widerstand großen Widerstand vor, wie im Einzelprüffall. Sie sorgt /79 angeschaltete Batteriepotential von minus 60 Volt aber dafür, daß in beiden Fällen nur der gleiche Strom gegenüber positive Potential, das der Basis des im Belegungsstromkreis der Schalteinrichtung LJ fließt. Transistors 71 über den Transistor 73 und den Dadurch wird erreicht daß in einem Prüfrelais eines Widerstand /72 zugeführt wird, ist durch die Zenerdiode μ Wählers im Parallelprüffall nur halb so viel Strom fließt, Di so begrenzt daß der Absolutwert des Basispotentials wie im Einzelprüffall. Dadurch wird der Parallelprüffall des Transistors 71 nicht über einen durch die gegenüber dem Einzelprüffall besser unterscheidbar für Zenerdiode Di vorgegebenen Wert hinaus ansteigen die Prüfrelais der betreffenden Wähler. Dadurch läßt kann. Der im Belegungsstromkreis fließende Strom ruft sich also die Sicherheit gegen Doppelprüfen im am Widerstand /79 einen Spannungsabfall hervor. Die 25 Parallelprüffall erhöhen.that part of the occupancy circuit that explains the constant current source described. Here resistors / 78 and / 79 and transistors 71 and 72 are included in the single test case and the parallel test case, switched off and instead a comparison can be made via the. Assuming that there are resistors / 713 and / 714 and switched on via the transistor 76 in the case of two parallel testing selectors for selectors with running holding circuit. - If special test circuits are concerned, the parallel consideration is given to the resistors / 78 and / 79 io circuit of the two test current circuits in the parallel test case and the transistors 71 and 72 of the part of the known circuit containing half the internal resistance value. This part of the occupancy compared to the internal resistance of only one single circuit acts in connection with the connection to these two test circuits. The constant current source the voltage source of minus 60 volts as constant Ie is found beyond the test point PP of the current source. For this purpose, the transistor 71 has a switching device U only half the current-regulating effect in the case of a parallel test. The resistance above the resistance, as in the individual test case. It ensures that the battery potential of minus 60 volts is connected, but that in both cases only the same current flows in relation to the positive potential that the base of the in the occupancy circuit of the switching device LJ . Transistor 71 via transistor 73 and the result is that a resistor / 72 is fed into a test relay, only half as much current flows through the Zener diode μ selector in the parallel test case, Di limited so that the absolute value of the base potential as in the individual test case. As a result, the parallel test case of the transistor 71 will not rise above a value that is predetermined by the Zener diode Di which can be better distinguished from the individual test case. This lets you can. The current flowing in the occupancy circuit creates the security against double testing in the resistor / 79 a voltage drop. Increase the 25 parallel test case.

Zener voltage of the diode DX minus this span- In this context it should also be noted that

nungsabfalles wirkt steuernd am Transistor 71 und Prüf- und Belegungsstromkreise jeweils über eine der bestimmt seinen Basistrom. Da also das Basispotential Adern einer Verbindungsleitung verlaufen, die verschieam voraussetzungsgemäß stromdurchlässigen Transi- den lang sein kann und demgemäß unterschiedlich stör 71 positiv gegenüber seinem Emitterpotential sein 30 großen zusätzlichen Leitungswiderstand in den jeweili- und bleiben muß, kann der durch den Strom im gen Belegungsstromkreis einer Schalteinrichtung U Belegungsstromkreis erzeugte Spannungsabfall im unterbringen kann. Der Leitungswiderstand einer Widerstand /79 nur so groß werden, daß dieser Verbindungsleitung ist zwischen dem Widerstand /76 Spannungsabfall höchstens einen der um die für den der Schalteinrichtung U und ihrem Prüfpunkt PP Transistor 71 notwendige Steuerspannung verminder- 35 eingefügt, zu denken. Die Konstantstromquelle wirkt ten Zenerspannung entsprechenden Spannungsgrenz- nun außerdem dahingehend, den von Verbindungsleiwert erreichen kann. Da also der Spannungsabfall am tung zu Verbindungsleitung variierenden Leitungs-Widerstand /79 begrenzt ist, ist folglich auch dem Strom widerstand der betreffenden Belegungsstromkreise im Belegungsstromkreis selbst eine nicht zu überschrei- auszugleichen. — Darüberhinaus bietet die Konstanttende Grenze gesetzt Folglich wirkt der Transistor 71 40 stromquelle eine gute Sicherheit gegen Erdschluß am stromregelnd. Er bildet praktisch einen zwischen Null Prüfpunkt PP der Schalteinrichtung U. In einem Ohm und unendlich großem Widerstand regelbaren derartigen Kurzschlußfall verhindert die Konstant-Widerstand nach. stromquelle also eine Überlastung der den Kurzschluß-voltage drop has a controlling effect on transistor 71 and test and occupancy circuits each via one of the determines its base current. Since the base potential leads to cores of a connecting line, which can be of different lengths according to the current-permeable transid, and accordingly must remain in the respective circuit with a large additional line resistance in relation to its emitter potential Switching device U occupancy circuit generated voltage drop can accommodate. The line resistance of a resistor / 79 will only be so great that this connecting line is inserted between the resistor / 76 voltage drop at most one of the control voltage required for the switching device U and its test point PP transistor 71, inserted. The constant current source affects the voltage limit corresponding to the Zener voltage - now also to the effect that the vonverbinding value can be reached. Since the voltage drop across the line resistance / 79, which varies from line to connection line, is limited, the current resistance of the relevant occupancy circuits in the occupancy circuit itself must not be exceeded. - In addition, the constant tend limit set. Consequently, the transistor 71 40 current source acts a good security against earth fault on the current regulating. It practically forms a test point between zero PP of the switching device U. In one ohm and infinitely large resistance controllable such a short circuit prevents the constant resistance. power source so an overload of the short-circuit

Dem Transistor 71 parallel liegt der Widerstand /78 strom führenden Widerstände /76 und /77.
über den in diesem Betriebszustand niederohmig 45 Die Kondensatoren Cl und CZ haben außer der stromdurchlässigen Transistor 72. Der Regelbereich der beschriebenen Aufgabe, beim Hochohmigschalten die durch die Transistoren 71 und 72 und die Widerstände Abschaltung des über den Widerstand /79 verlaufenden /78 und /79 sowie die Diode Di gebildeten Konstant- Zweig des Belegungsstromkreises zu verzögern, die stromquelle ist durch den Widerstandswert des weitere Aufgabe, beim Beginn eines Prüf- und Be Widerstandes /78 bestimmt Diese Konstantstromquelle 50 legungsvorganges für einen verzögerten Stromanstieg vermag also mittels des durch den Transistor 71 jeweils im Prüf- und Belegungsstromkreis zu sorgen. Denn nachgebildeten Widerstandes den Strom im Prüf- und bekanntlich setzen Prüfrelais in von ihnen erreichbaren Belegungsstromkreis in den Grenzen zu regeln, die Belegungsstromkreisen Belegungsrelais voraus, deren durch Kurzschließung des Widerstandes /78 einerseits Wicklungen einen komplexen Widerstand aufweisen und durch seine volle Wirksamkeit andererseits 55 der beim Beginn eines jeden Prüf- und Belegungsvorbestimmt sind. Der Widerstand /78 dient im wesentli- ganges einen verzögerten Stromanstieg verursacht Un eben dazu, die durch die Stromregelung bedingte eine möglichst kurze Ansprechzeit des jeweiliger Vernichtungder zwischen den Widerständen /77 und /79 Prüf relais zu erreichen, tragen die Belegungsrelais in dei umzusetzenden Verlustleistung vom Transistor 71 so Regel eine im !Ruhezustand kurzgeschlossene Zweit weit wie mögDch abzuziehen, also teOweise außerhalb «0 wicklung, wodurch in emem geschlossenen Prüf- one dieses Transistors umzusetzen und abzuführen. Dadurch Belegungsstromkreis der Stromansäeg sich steüei kann die im transistor 71 maximal auftretende gestaltet als wenn die kurzgeschlossene Zweitwicklunt Verlustleistung in einem praktischen Anwendungsfall nicht vorgesehen ware» Dadurch wird für die PrOfrelaii Im Verhältnis von ungefähr 2 zu 1 herabgesetzt werden eine relativ kurze Ansprechzeit «rzidt In Motorwähler (also im Vergleich dazu,daß der Widerstand/78 und der <s schaltungen weiden bekanntlich Piüfrelais verwendfei Transistor 72 nicht vorgesehen wären). die im Vergleich zu anderen bekannten dekfiOmeehamThe transistor 71 is paralleled by the resistor / 78 current-carrying resistors / 76 and / 77.
The capacitors Cl and CZ have, in addition to the current-permeable transistor 72. The control range of the task described, when switching to high resistance, the transistors 71 and 72 and the resistors switch off the / 78 and / 79 running across the resistor / 79 as well as the diode Di to delay the constant branch of the occupancy circuit, the current source is determined by the resistance value of the further task at the beginning of a test and load resistance / 78 This constant current source 50 laying process for a delayed current increase is thus able to use the through the transistor 71 to be provided in each case in the test and occupancy circuit. Because simulated resistance sets the current in the test and, as is well known, test relays in the occupancy circuit they can reach within the limits, the occupancy circuits require occupancy relays whose, due to short-circuiting of the resistor / 78, have a complex resistance on the one hand and, due to its full effectiveness, 55 of the on the other hand The beginning of each test and occupancy are predetermined. Resistor / 78 essentially serves to delay the rise in current caused by the current control to achieve the shortest possible response time of the respective destruction of the test relays between resistors / 77 and / 79 As a rule, a second short-circuited in the quiescent state must be withdrawn as much as possible, i.e., partially outside the winding, so that this transistor can be converted and discharged in a closed test. As a result, the power consumption circuit of the power supply can control the maximum occurring in transistor 71 as if the short-circuited secondary winding power loss were not provided in a practical application (So in comparison to the fact that the resistor / 78 and the <s circuits, as is known, pilot relays used would not be provided). which compared to other well-known dekfiOmeeham

Esist jedoch auch mögüch,den Transistor 72 und den sehen Relais Oberaus schnell ansprechen. Bie« Widerstand #78 wegzulassen. Dadurch vergrößert sich Prüfrelais besitzen also eine besonders hohe EmpfindHowever, it is also possible to respond quickly to transistor 72 and the relay Oberaus. Bie « Omit resistance # 78. As a result, test relays have a particularly high sensitivity

#648e# 648e

Zb IZ bbU Eg IZ bbU

lichkeit Sie sind so aufgebaut, daß sie die Motorstillsetzung zu bewerkstelligen vermögen, obwohl ihr Ansprechstromkreis Ober eine Wicklung eines elektromagnetischen Belegungsrelais im Belegungsstromkreis einer nachfolgenden belegbaren Schalteinrichtung verläuft, und obwohl dieses Belegungsrelais trotz seiner kurzgeschlossenen Zweitwicklung aufgrund der verbleibenden Induktivität einen in gewissem Maße verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis zur Folge hat Würden nun solche hochempfindlichen und schnell ansprechenden Prüfrelais von Motorwählern auf Belegungsstromkreise aufprüfen, die lediglich rein ohmsche Widerstände enthalten, so würde dadurch die Ansprechgeschwindigkeit noch weiter gesteigert werden. Eine Folge davon wären Kontaktprellungen und eine erhöhte Abnutzung der betreffenden Kontakte, insbesondere derjenigen Kontakte, die unmittelbar zur Motorstillsetzung dienen und deshalb einer besonders hohen Strombelastung unterworfen sind. Dieser unerwünschte Effekt wird durch die vorliegende Schaltungsanordnung dadurch beseitigt, daß beim Beginn jedes Prüf- und Belegungsvorganges der Stromanstieg im Transistor 71 mittels des Kondensators Ci verzögert ist. Im Ruhezustand fließt über den Transistor 73, den Widerstand R2, die Basis-Emitter-Strecke des Transistors 71 und den Widerstand R9 ein Ruhestrom, sofern die Schalteinrichtung U von der gemeinsamen Steuerung G her als belegbar gekennzeichnet ist. Der Widerstand R2 ist relativ hochohmig gegenüber dem Widerstand R9. Deshalb tritt an diesem Widerstand ein relativ geringer Spannungsabfall auf. Ebenfalls ist der an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors 71 auftretende Spannungsabfall sehr klein. Der Kondensator Ci ist deshalb im Ruhezustand auf nur etwa 1 V aufgeladen. Wird nun ein Prüf- und Belegungsstromkreis geschlossen, so kommt durch die beschriebene stromregelnde Wirkung des Transistors 71 im Prüf- und Belegungsstromkreis zunächst nur ein relativ geringer Strom zustande. Da nämlich — wie beschrieben — der im Belegungsstromkreis fließende Strom am Widerstand Ä9 einen dementsprechenden Spannungsabfall hervorruft, und da dieser höchstens einen gegenüber der Kondensatorspannung um die für den Transistor 71 notwendige Steuerspannung geringeren Wert erreichen kann, bestimmt die Spannung am Kondensator Ci den Höchststrom im Belegungsstromkreis. — Der Kondensator Ci wird nun über den Widerstand R2 aufgeladen. Entsprechend diesem Aufladungsvorgang steigt das Steuerpotential am Transistor 71. Demgemäß steigt auch der Strom im Prüf- und Belegungsstromkreis mit an. Der Aufladungsvorgang des Kondensators Cl wird bei Erreichen der Zenerspannung der Diode Di beendet. Der Kondensator behält danach diese Spannung bei. Der Strom im Belegungsstromkreis steigt von diesem Zeitpunkt an nicht mehr weiter an. BeimThey are constructed in such a way that they are able to bring the motor to a standstill, although their response circuit runs over a winding of an electromagnetic occupancy relay in the occupancy circuit of a subsequent occupancy switch, and although this occupancy relay, despite its short-circuited secondary winding, has a somewhat delayed current increase due to the remaining inductance Test and occupancy circuit would now test such highly sensitive and quickly responding test relays from motor selectors on occupancy circuits that only contain purely ohmic resistances, the response speed would be increased even further. One consequence of this would be contact bruises and increased wear and tear on the relevant contacts, in particular those contacts which are used directly to shut down the motor and are therefore subject to a particularly high current load. This undesirable effect is eliminated by the present circuit arrangement in that, at the beginning of each test and assignment process, the rise in current in transistor 71 is delayed by means of capacitor Ci. In the idle state, a quiescent current flows through the transistor 73, the resistor R2, the base-emitter path of the transistor 71 and the resistor R9 , provided that the switching device U is identified as assignable by the common controller G. Resistor R2 has a relatively high resistance compared to resistor R9. Therefore there is a relatively small voltage drop across this resistor. The voltage drop occurring at the base-emitter path of the transistor 71 is also very small. The capacitor Ci is therefore charged to only about 1 V in the idle state. If a test and occupancy circuit is now closed, the described current-regulating effect of the transistor 71 initially produces only a relatively low current in the test and occupancy circuit. Since - as described - the current flowing in the occupancy circuit causes a corresponding voltage drop across resistor Ä9, and since this can at most achieve a value lower than the control voltage required for transistor 71 by the control voltage required for transistor 71, the voltage across capacitor Ci determines the maximum current in the occupancy circuit . - The capacitor Ci is now charged via the resistor R2. The control potential at transistor 71 rises in accordance with this charging process. Accordingly, the current in the test and occupancy circuit also rises. The charging process of the capacitor Cl is ended when the Zener voltage of the diode Di is reached . The capacitor then maintains this voltage. From this point on, the current in the occupancy circuit no longer increases. At the

S Hochohmigschalten, wenn also der Transistor 73 und der Widerstand R2 stromlos werden, wird der Kondensator Cl über den Widersstand Ä5 entladen.S switching to high resistance, that is to say when transistor 73 and resistor R2 are de-energized, capacitor C1 is discharged via resistor λ5.

Ebenso wie dem Transistor 71 ein aus dem Widerstand Rl und dem Kondensator Cl bestehenderJust like the transistor 71, one consisting of the resistor R1 and the capacitor C1

ίο Ä-C-Kreis zum verzögerten Stromanstieg in der Emitter-Kollektor-Sttrecke zugeordnet ist, ist auch dem Transistor 72 ein aus dem Widerstand A3 und dem Kondensator Cl bestehender Ä-C-Kreis zugeordnet. Beide Ä-C-Kreise sind ungefähr gleich dimensioniert.ίο Ä-C circuit is assigned to a delayed rise of current in the emitter-collector Sttrecke, also the transistor 72 is associated with an A3 of the resistor and the capacitor Cl of existing Ä-C circuit. Both Ä-C circles are roughly the same size.

Da mit der Emitter-Kollektor-Strecke des TransistorsAs with the emitter-collector path of the transistor

72 der Widerstand Ä8 in Reihe geschaltet ist, bestimmt den verzögerten Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis im wesentlichen der Transistor 71. 72 the resistor Ä8 is connected in series, is determined the delayed current rise in the test and occupancy circuit is essentially the transistor 71.

Soll die Schalteinrichtung U im Ruhezustand gegen Neubelegung seitens eines vorgeordneten Wählers gesperrt werden, so entzieht die gemeinsame Steuerung G das bis dahin im Ruhezustand über den Stromkreis 22 angelegte Minuspotential Dadurch wird der TransistorIf the switching device U is to be blocked from being reassigned by an upstream selector in the idle state, the common control unit G withdraws the negative potential applied via the circuit 22 in the idle state. This turns the transistor

73 stromundurchlässig. Ebenfalls werden die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren 71 und 72 stromlos.73 impermeable to current. The base-emitter lines are also used of transistors 71 and 72 de-energized.

Infolgedessen kann auch kein vorgeordneter Wähler auf die im Ruhezustand gesperrte Schalteinrichtung U aufprüfen. — Die Schalteinrichtung U empfängt also von der gemeinsamen Steuerung G über ein und denselben Stromkreis z2 sowohl das Schaltkennzeichen »Hochohmigschalten« als auch das Schaltkennzeichen »Sperrung im Ruhezustand«. Diese beiden Schaltkennzeichen, die die gemeinsame Steuerung G in der gleichen Form an die Schalteinrichtung U abgibt, sind in dieser dadurch voneinander unterscheidbar, daß die gemeinsame Steuerung die über den Stromkreis z2 angelegte Minusspannung zum Hochohmigschalten nach erfolgter Belegung, dagegen zum Sperren des Belegungsstromkreises im Ruhezustand anlegt. BeideAs a result, no upstream voter can check the switching device U, which is locked in the idle state. - The switching device U thus receives from the common control G via one and the same circuit z2 both the switching indicator “high-resistance switching” and the switching indicator “blocking in the idle state”. These two switching indicators, which the common control G sends to the switching device U in the same form, can be distinguished from one another in this by the fact that the common control uses the negative voltage applied via the circuit z2 for high-resistance switching after the occupancy has taken place, but to block the occupancy circuit in the idle state applies. Both

Schaltkennzeichen werden aber über ein und denselben Stromkreis Δ an die Schalteinrichtung U übertragen.Switching indicators are transmitted to the switching device U via one and the same circuit Δ.

Anschließend sei noch bezüglich der Spannung nachThen there was still tension regarding the tension

der Zeit differenzierenden eingangsseitigen Schaltmittelthe time differentiating input-side switching means

des Vergleichers V auf die DT-PS 11 65 677 hingewie-of comparator V referring to DT-PS 11 65 677

sen, in der Spannung nach der Zeit differenzierende Schaltmittel verwendet sind. Diese bekannte Schaltungsanordnung betrifft zwar eine Prüfschaltung; jedoch lassen sich die hierin dargestellten und beschriebenen Schaltmittel zur Differenzierung dersen, in which switching means differentiating voltage according to time are used. This known circuit arrangement Although concerns a test circuit; however, those shown herein and described switching means for differentiating the

Spannung nach der Zeit auch in der vorliegenden Schaltungsanordnung verwenden.Also use voltage according to time in the present circuit arrangement.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. Circuit arrangement for telecommunications switching systems, in particular telephone switching systems, with test and occupancy circuits, in which test switches for bounce-free contact actuation require a delayed current increase given by switching means in the occupancy circuit, characterized in that a test resistor located in the occupancy circuit is connected in series with a transistor limiting the occupancy circuit, and that the potential at a control electrode of the transistor depends on the charging voltage of an associated one Ä-C-member is determined and according to a with At the beginning of a test and assignment process, the transistor is increasingly reloading makes current permeable.

2. Circuit arrangement according to Claim 1, characterized in that both the current for the charge reversal process of a capacitor in the λ-C element and the control current of the transistor flows via the resistance of the / λ-C element

3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that the transistor is a current in the occupancy circuit has a regulating effect and that the potential at its control electrode in the sense the regulation is under the influence of a reaction of the current in the occupancy circuit

4. Circuit arrangement according to claim 3, characterized in that one by the reaction of the current in the occupancy circuit caused a shift in the potential at the control electrode of the transistor brings about the charge reversal in the Ä-C element

5. Circuit arrangement according to claim 4, characterized in that the reloading process brought about by the shift of the potential at the control electrode of the transistor in the RC-CWtA causes the potential at the control electrode of the transistor and accordingly the current in the occupancy circuit with by the time constant of / ? -C element of certain time delay increases

6. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that the transistor with the emitter-collector path lies in the Aufprüfkreis and on the emitter side via an auxiliary resistor serving for regulation is connected to a first pole of a voltage source whose potential! the free state of the occupancy circuit indicates, and that the base of the transistor serving as a control electrode about the resistance of the Ä-C link with a second pole of the voltage source is connected, which carries the required control potential.

7. Circuit arrangement according to claim 6, characterized in that the base of the transistor with the first pole of the voltage source via a voltage-dependent resistor, in particular a zener diode is connected. the - or the - the reloading process a voltage limit sets and when the same is reached a further increase in the potential at the base of the transistor and accordingly prevents a further increase in a current in the occupancy circuit.

The invention relates to a circuit arrangement for telecommunications switching systems, in particular Telephone switching systems, with test and occupancy circuits, in which test switching means for bounce-S-free contact actuation by switching means im Occupancy circuit given delayed increase in current presuppose.

A circuit arrangement of this type is already known from German patent specification 1013 701 Das herein

ίο shown test relay P takes, among other things, the shutdown of the voter motor by actuating its contacts. The test relay is designed in such a way that it responds extremely quickly compared to other known electromechanical relays.

iS circuit runs over the occupancy circuit of a downstream switching element. In conventional circuit arrangements, this occupancy circuit contains an electromechanical relay, how it z. B. the German Auslegeschrift 19 40 847 shows In order to achieve the shortest possible response time of the test relay, the occupancy relays usually have a in the idle state short-circuited secondary winding, resulting in a closed test and occupancy circuit a relatively steep increase in current and thus a relatively short response time of the test relay is achieved will.

By the German Auslegeschrift 11 73 538 it is also known for the in occupancy circuits required test resistors to use purely ohmic resistors. The necessary switching functions are carried out by transistors

Allocation circuits according to the German interpretation document 11 73 538 show an even steeper rise in current when a test and occupancy circuit is switched on on as occupancy circuits according to the German Auslegeschrift 19 40847. Although the latter the occupancy relay has a secondary winding short-circuited in the idle state, causes the remaining one Inductance of the occupancy relay nevertheless a certain delay in the current rise in the test and Occupancy circuit. In the allocation circuits according to the German Auslegeschrift 11 73 537, however, is omitted such a delay in current rise in the occupancy circuit. This will make the response process accelerated by fast-working test relays This results in the problem of contact bruises. The test relay contacts are therefore still one or more times after they have been closed for the first time open for a short time until they finally close. This has one for the test relay contact for motor shutdown increased contact wear due to the particularly high current load on this contact.

The object of the invention is to slightly reduce the current rise in occupancy circuits

Delay SS and do so in ways other than through

Use of inductive resistors in the

Occupancy circuits, e.g. B. of relay windings, too

realize.

According to the invention, this object is achieved by

that a test resistor lying in the occupancy circuit with a limiting the occupancy current Transistor is connected in series, and that the potential at a control electrode of the transistor of the charging voltage of an assigned Ä-C element is determined and according to a test at the beginning of and the charging process, which begins with the charging process, the transistor increasingly permeates current power