DE1173538B

DE1173538B - Circuit arrangement for telecommunication, especially telephone systems with occupancy circuits

Info

Publication number: DE1173538B
Application number: DES83960A
Authority: DE
Inventors: Helmuth Seeger; Josef Roehrig; Manfred Dohrer
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1963-03-01
Filing date: 1963-03-01
Publication date: 1964-07-09

Description

Schaltungsanordnung für Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen mit Belegungsstromkreisen Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung für Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen, in welchen von Belegungszuständen belegbarer Schaltglieder der Freizustand durch ein über Widerstände von Belegungsstromkreisen an individuelle Prüfpunkte angelegtes bestimmtes Spannungspotential und deren Sperrzustand durch Fehlen desselben an den Prüfpunkten markiert wird und in welchen die Sperrung eines Schaltgliedes und seine Belegungssignalisierung durch Anschalten eines anderen Spannungspotentials seitens eines belegenden, vorgeordneten Schaltgliedes an den individuellen Prüfpunkt bewirkt wird.Circuit arrangement for telecommunications, in particular telephone systems with occupancy circuits The invention relates to a circuit arrangement for telecommunication, in particular telephone systems, in which of occupancy states Assignable switching elements of the free state through a resistors of assignment circuits Specific voltage potential applied to individual test points and their blocking state is marked by the absence of the same at the checkpoints and in which the blocking of a switching element and its occupancy signaling by switching on another Voltage potential on the part of an occupying, upstream switching element to the individual test point is effected.

In Schaltungsanordnungen dieser Art bestehende Aufgaben, einem belegbaren Schaltglied, zu welchem eine Durchschaltung seitens eines im Verbindungsaufbau vorgeordneten Schaltgliedes, z. B. Wählers, erfolgen soll, sowohl das Belegungssignal zu übertragen und dieses in ihm weiterzuleiten als auch dasselbe belegbare Schaltglied gegen weitere Belegungen seitens anderer vorgeordneter Schaltglieder zu sperren.In circuit arrangements of this type existing tasks, a verifiable Switching element to which a through connection on the part of an upstream connection establishment Switching element, z. B. voter should be done to transmit both the occupancy signal and forward this in it as well as the same assignable switching element against others To block assignments on the part of other upstream switching elements.

In bekannten Schaltungsanordnungen werden hierzu Relais verwendet, von welchen Wicklungen im Belegungsstromkreis liegen; diese stellen die Widerstände in den Belegungsstromkreisen dar. Derartige Belegungsrelais erfüllen in einfacher Weise die genannten Aufgaben, indem durch Anschalten eines anderen als das den Freizustand kennzeichnende Spannungspotential zur Sperrung des Schaltgliedes in der Relaiswicklung ein Strom eingeschaltet wird, durch welchen das Relais erregt wird, so daß es anspricht und über seine Kontakte die Belegung im Schaltglied signalisiert.In known circuit arrangements, relays are used for this purpose, of which windings are in the occupancy circuit; these represent the resistances in the occupancy circuits. Such occupancy relays meet in a simple Manage the tasks mentioned by switching on something other than the idle state Characteristic voltage potential for blocking the switching element in the relay winding a current is switched on by which the relay is energized so that it responds and signals the assignment in the switching element via its contacts.

Derartige Belegungsrelais weisen die wesentlichen Nachteile auf, daß sie zur Erregung Energie aufnehmen müssen und deshalb verzögert arbeiten und daß ihre Spulen induktiven Widerstand aufweisen und dadurch den Stromanstieg im Prüf- und Belegungsstromkreis verzögern. Entsprechend dieser Verzögerung ist auch der Wechsel der die Belegungszustände kennzeichnenden Spannungspotentiale vom Freipotential zum Sperrpotential verzögert. Diese Verzögerung erhöht die Gefahr des Doppelprüfens und ermöglicht Doppelverbindungen.Such occupancy relays have the main disadvantages that they have to absorb energy for excitation and therefore work delayed and that their coils have inductive resistance and thus the current rise in the test and delay the occupancy circuit. Corresponding to this delay is also the Change of the voltage potentials characterizing the occupancy states from the free potential delayed to the blocking potential. This delay increases the risk of double checking and enables double connections.

Außerdem besteht ein Nachteil der Verwendung von Relais in Belegungsstromkreisen in der allgemeinen Gefahr für Kontakte kommerzieller Relais, durch Prellerscheinungen Funktionsstörungen zu verursachen. Das kann zu Blindbelegungen u. dgl. in dem betreffenden zu belegenden Schaltglied führen und Doppelverbindungen verursachen, wenn Relaiskontakte in den Belegungsstromkreis geschaltet sind, durch welche dieser zur Sperrung gegen Belegung aufgetrennt oder nach einem Belegungsvorgang im Belegungszustand hochohmig geschaltet werden kann, um durch Erhöhung des Widerstandes im Belegungsstromkreis die Gefahr nachträglichen Doppelprüfens und Aufschleuderns und den Stromverbrauch herabzusetzen.There is also a disadvantage of using relays in seizure circuits in general danger for contacts of commercial relays, due to bouncing phenomena To cause malfunction. This can lead to blind assignments and the like in the relevant lead to be assigned switching element and cause double connections if relay contacts are switched in the occupancy circuit, through which this to block against Separated occupancy or high-resistance in the occupancy state after an occupancy process can be switched to by increasing the resistance in the occupancy circuit the risk of subsequent double testing and spinning and power consumption to belittle.

Die Aufgabe der Erfindung, unter Vermeidung der genannten Nachteile und der Verwendung herkömmlicher Relais eine Schaltungsanordnung anzugeben, durch welche die erwähnten Funktionsbedingungen für Belegungsstromkreise erfüllt werden, wird dadurch gelöst, daß im Belegungsstromkreis in ihm einen unverzögerien Stromanstieg und eine unverzögerte Spannungsänderung am Prüfpunkt zulassende, vorzugsweise reale Widerstände teilweise wirksam und/oder unwirksam schaltbar sind durch Anschaltung entsprechender Steuerspannungspotentiale an die Steuerelektroden elektronischer Schaltmittel, welche mit ihren einen Strompfad durchschaltenden - Elektroden die Widerstände überbrücken, und daß ein Belegungssignal für das betreffende Schaltglied durch hochohmig einen Spannungsabfall an den Widerständen im Belegungsstromkreis messende Schaltmittel einschaltbar ist.The object of the invention while avoiding the disadvantages mentioned and to specify a circuit arrangement using conventional relays which the mentioned functional conditions for occupancy circuits are met, is achieved in that in the occupancy circuit there is an instantaneous rise in current and an instantaneous voltage change at the test point, preferably real Resistors can be switched partially effective and / or ineffective by connection corresponding control voltage potentials to the control electrodes electronic Switching means, which with their through-switching a current path - electrodes the Bridge resistors, and that an occupancy signal for the relevant switching element due to a high-resistance voltage drop across the resistors in the occupancy circuit measuring switching means can be switched on.

Ein Vorteil der Erfindung liegt in der unverzögerten Reaktion des Belegungsstromkreises bezüglich seiner Sperrung und der Signalisierung des Belegungsvorganges.One advantage of the invention is the instantaneous response of the Occupancy circuit with regard to its blocking and the signaling of the occupancy process.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht in der Möglichkeit, durch Anschaltung von Signalspannungen an den Belegungsstromkreis seinen Widerstand heraufzusetzen, ohne dabei z. B. durch Kurzschließungen den gesamten Stromverbrauch zu erhöhen.Another advantage of the invention is the possibility of Connection of signal voltages to the occupancy circuit its resistance raise, without z. B. to increase the total power consumption by short circuits.

Ein Vorteil gemäß weiterer Ausbildung der Erfindung liegt darin, daß durch einen nur im Freizustand über die hochohmig Spannung messenden Schaltmittel fließenden Meßstrom der Belegungsstromkreis im Belegtzustand keine Stromverzweigung über diese Schaltmittel darstellt. Daraus ergibt sich als weiterer Vorteil, daß Rückwirkungen von den hochohmig einen Spannungsabfall an den Widerständen des Belegungsstromkreises messenden Schaltmitteln auf denselben während des Belegungsvorganges vermieden werden.An advantage according to a further embodiment of the invention is that by means of a switching device that only measures the high-resistance voltage in the free state measuring current flowing the occupancy circuit in the occupied state no current branching represents via this switching means. Another advantage of this is that Effects of the high resistance a voltage drop across the resistors of the occupancy circuit measuring switching means can be avoided on the same during the occupancy process.

Ein Vorteil gemäß weiterer Ausbildung der Erfindung liegt darin, daß der Belegungsstromkreis nur gesperrt werden kann, wenn er unbelegt ist.An advantage according to a further embodiment of the invention is that the occupancy circuit can only be blocked if it is unoccupied.

Ein Vorteil gemäß weiterer Ausbildung der Erfindung liegt darin, daß durch die den Spannungsabfall an den Widerständen des Belegungsstromkreises hochohmig messenden Schaltmittel die Wirkung eines bestimmten Transistors bzw. einer bestimmten Elektronenröhre aufgehoben wird, durch welche eine unbelegte Belegungsader gegen Belegung gesperrt werden kann.An advantage according to a further embodiment of the invention is that due to the high resistance of the voltage drop across the resistors of the occupancy circuit measuring switching means the effect of a certain transistor or a certain Electron tube is lifted, through which an unoccupied occupancy wire against Occupancy can be blocked.

In den F i g. 1 und 2 ist nur in wesentlich zum Verständnis der Erfindung beitragenden Bestandteilen ein Ausführungsbeispiel von ihr gezeigt, auf welches dieselbe jedoch keineswegs beschränkt ist.In the F i g. 1 and 2 is only essential for understanding the invention contributing components shown an embodiment of it to which however, it is by no means limited.

In F i g. 1 ist von einem Wähler Q lediglich der das Prüfrelais P enthaltende Prüfstromkreis und der Prüfschaltarm e gezeigt. Von einer Belegungsschaltanordnung R ist eine vereinfachte Ausführung dargestellt. Die Belegungsschaltanordnung R gehört zu einem Schaltglied S, von welchem lediglich ein das Belegungssignal aufnehmendes Relais C und Kon- Die Transistoren T 1 und T 2 sind in diesem Stromkreis durchlässig, das Relais P wird erregt, spricht an, setzt den Wähler über nicht gezeigte Stromkreise still und schaltet sich mit seinem Kontakt p in bekannter Weise niederohmig. Das Erdpotential am Kontakt f gelangt über die niederohmige Wicklung PII und den Prüfpunkt a auf die Belegungsschaltanordnung R. Die Transistoren T1 und 72 bleiben dabei weiterhin stromdurchlässig. Das Teilspannungspotential am Emitter des Transistors T2 wird bereits bei Zustandekommen des Stromkreises 3, d. h. schon bevor das Relais P anspricht, wesentlich zum Erdpotential hin verschoben. Dadurch wird der Stromkreis 1 unwirksam, da die Spannung an der Diode D 1 die Zenerspannung unterschreitet und die Diode sperrend wirkt. Ober den Widerstand W 7 greift das Erdpotential auf den Transistor T3 durch, wodurch dieser in folgendem Stromkreis leitend wird: Das Minuspotential greift nun über die Widerstände W 11 und W8, gegenüber welchen der Widerstand W10 relativ hochohmig ist, durch auf die Basis des Transistors T4, so daß dieser im Stromkreis 4 ebenfalls leitend wird und das Relais C antakte b und d gezeigt sind, durch welche die Kriterien »Hochohmigschalten« und »Sperren« vom Schaltglied S zu der ihm zugeordneten Belegungsschaltanordnung R signalisiert werden. Diese Schaltmittel, das sind das Relais C und die Kontakte b und d, können auch in anderer Art realisiert werden, z. B. durch elektronische Schaltmittel, wie Transistoren u. dgl.In Fig. 1 shows only the test circuit containing the test relay P and the test switch arm e of a selector Q. A simplified version of an occupancy switch arrangement R is shown. The occupancy switching arrangement R belongs to a switching element S, of which only a relay C and contact receiving the occupancy signal The transistors T 1 and T 2 are permeable in this circuit, the relay P is energized, responds, stops the selector via circuits not shown and switches to its contact p in a known manner with low resistance. The ground potential at the contact f reaches the occupancy switching arrangement R via the low-resistance winding PII and the test point a. The transistors T1 and 72 remain current-permeable. The partial voltage potential at the emitter of the transistor T2 is already shifted significantly towards the ground potential when the circuit 3 is established, ie before the relay P responds. This makes the circuit 1 ineffective, since the voltage at the diode D 1 falls below the Zener voltage and the diode has a blocking effect. The earth potential reaches through the resistor W 7 to the transistor T3, whereby this becomes conductive in the following circuit: The negative potential now reaches through the resistors W 11 and W8, compared to which the resistor W10 is relatively high resistance, through to the base of the transistor T4, so that it is also conductive in the circuit 4 and the relay C clocks b and d are shown which the criteria “high-resistance switching” and “blocking” are signaled by the switching element S to the occupancy switching arrangement R assigned to it. This switching means, that is the relay C and the contacts b and d, can also be implemented in other ways, e.g. B. by electronic switching means, such as transistors and the like.

Die Belegungsschaltanordnung R ist belegungsbereit, wenn die Kontakte b und d geöffnet sind. In diesem Zustand fließt Strom in folgendem Stromkreis: 1. -, W4, W3, W l, W2, Dl, W7, Erde. Da der Widerstand W 7 relativ hochohmig ist gegenüber den Widerständen W 1, W 2, W 3 und W 4, greift das Minuspannungspotential, vermindert um die Zenerspannung der Diode D 1, bis zur Basis des Transistors T3 durch, wodurch dieser geperrt ist.The occupancy switch arrangement R is ready for occupancy when the contacts b and d are open. In this state, current flows in the following circuit: 1. -, W4, W3, W1, W2, Dl, W7, earth. Since the resistor W 7 has a relatively high resistance compared to the resistors W 1, W 2, W 3 and W 4, the negative voltage potential, reduced by the Zener voltage of the diode D 1, reaches the base of the transistor T3, whereby it is blocked.

Wird im Ruhezustand der Sperrkontakt b geschlossen, so entsteht folgender Stromkreis: 2. +, b, W 9, G 1, W 6, W 4, - In diesem ist der Widerstand W 6 gegenüber den anderen Widerständen relativ hochohmig, so daß an dem Widerstand W 9 und dem Gleichrichter G 1 eine sehr kleine Spannung abfällt. Die Basis des Transistors T1 wird dadurch positiv, und der Transistor T1 wird dadurch gesperrt gegen das Erdpotential prüfender Wähler. Die Belegungsschaltanordnung R ist gesperrt, und das Schaltglied S kann durch prüfende Wähler nicht belegt werden.If the blocking contact b is closed in the idle state, the following circuit is created: 2. +, b, W 9, G 1, W 6, W 4, - In this the resistor W 6 is relatively high ohmic to the other resistors, so that at the Resistor W 9 and the rectifier G 1 drops a very small voltage. The base of the transistor T1 becomes positive as a result, and the transistor T1 is thereby blocked against the ground potential of the selectors testing. The occupancy switching arrangement R is blocked, and the switching element S cannot be occupied by checking voters.

Ist nun aber der Kontakt b geöffnet, und ein prüfender Wähler schaltet mit seinem Schaltarm e seinen Prüfstromkreis an den Prüfpunkt a an, so entsteht folgender Stromkreis: spricht. Der Gleichrichter G3 dient in bekannter Weise als Induktionsspannungsschutz für den Transistor T4.But if contact b is now open and a checking voter switches with his switching arm e to his test circuit at test point a, so arises following circuit: speaks. The rectifier G3 is used in a known manner as Induction voltage protection for transistor T4.

Wird nach erfolgter Belegung der Kontakt b geschlossen, so entsteht folgender Stromkreis: Das Minuspotential greift über den Gleichrichter G2 durch, da der Widerstand W9 gegenüber dem Widerstand W 11 relativ hochohmig ist. Die zuvor beschriebene Sperrwirkung des über den Kontakt b angeschalteten Pluspotentials auf den Transistor T1 bleibt aus, kommt aber nach Auslösung, d. h. Ruftrennung des Stromkreises 2 zur Wirkung.If contact b is closed after it has been assigned, the following circuit is created: The negative potential takes effect via the rectifier G2, since the resistor W9 has a relatively high resistance to the resistor W11. The previously described blocking effect of the positive potential connected via the contact b on the transistor T1 does not occur, but comes into effect after triggering, ie disconnection of the circuit 2.

In Belegungsstromkreisen wird bekanntlich nach erfolgter Belegung der Widerstand durch entsprechende Schaltvorgänge heraufgesetzt, um die Sperrsicherheit zu erhöhen. Dieser auch als »Hochohmigschalten« bezeichnete Vorgang wird in der in der F i g. 1 gezeigten Schaltungsanordnung durch Schließen des Kontaktes d eingeleitet, wodurch folgender Stromkreis entsteht: Da der Widerstand W 5 relativ hochohmig gegenüber dem Widerstand W 4 ist, fällt die in dem Stromkreis 6 treibende Spannung fast nur am Widerstand W5 ab. Das Pluspotential an der Basis des Transistors T2 macht diesen sperrend, so daß der durch den bis dahin durchlässigen Transistor T2 überbrückte Widerstand W 1 im Stromkreis 3 in vollem Maße wirksam wird. Dadurch wird der Widerstand des Belegungsstromkreises um das Maß des Wertes des Widerstandes W 1 heraufgesetzt.As is known, in the occupancy circuits, the resistance is increased by appropriate switching operations after the occupancy has taken place, in order to increase the locking security. This process, also referred to as "high-resistance switching", is shown in the FIG. 1 initiated by closing the contact d, which creates the following circuit: Since the resistor W 5 has a relatively high resistance to the resistor W 4 , the voltage driving in the circuit 6 drops almost only at the resistor W5. The positive potential at the base of the transistor T2 makes it blocking, so that the resistor W 1 bridged by the transistor T2, which was previously permeable, becomes fully effective in the circuit 3. As a result, the resistance of the occupancy circuit is increased by the value of the resistance W 1.

Durch den Kondensator K kann die Signalisierung des Belegungskriteriums geringfügig verzögert werden, um die Belegungsschaltanordnung R unempfindlich z. B. gegen Induktionspannungsspitzen u. dgl. auf der Prüfader zu machen.The capacitor K can signal the occupancy criterion be slightly delayed to make the occupancy switching arrangement R insensitive z. B. against induction voltage peaks and the like on the test wire.

In F i g. 2 ist eine Abwandlung der in der F i g. 1 dargestellten Schaltungsanordnung gezeigt. Die in der F i g. 2 gezeigte Schaltungsanordnung wird von vorgeordneten Schaltgliedern mit einem gleichen Prüfkreis belegt, wie er in F i g. 1 dargestellt ist. Ebenfalls sind die den Spannungsabfall messenden Schaltmittel in F i g. 2 nicht dargestellt, da sie z. B. ähnlich wie in F i g. 1 (D1, W7, T3, W 11, W8, W10, T4, G3, C) ausgebildet sind; sie sind z. B. an den Widerstand W 2 angeschaltet.In Fig. 2 is a modification of the one shown in FIG. 1 shown circuit arrangement. The in the F i g. The circuit arrangement shown in FIG. 2 is occupied by upstream switching elements with the same test circuit as is shown in FIG. 1 is shown. The switching means measuring the voltage drop are also shown in FIG. 2 not shown as they are e.g. B. similar to FIG. 1 (D1, W7, T3, W11, W8, W10, T4, G3, C) are formed; they are z. B. connected to the resistor W 2.

Im Zustand der Belegungsbereitschaft liegt das Minusspannungspotential über die Widerstände R 1, R 3, R 4 an der c-Ader, das ist am Prüfpunkt a. Wird über das Prüfrelais z. B. eines prüfenden Wählers Erdpotential an den Prüfpunkt a angeschaltet, so wird zunächst folgender Stromkreis wirksam: In diesem spricht das Prüfrelais an und wird der Kondensator C 1 aufgeladen. Mit zunehmender Rufladung wird der Widerstand R 1 wirksam als Parallelzweig für den Kondensator C 1 und den Gleichrichter Gr 1. Nach Rufladung des Kondensators C 1 ist der Stromkreis wirksam. Die Rufladung des Kondensators C1 bewirkt, daß während derselben die Belegungsader relativ niederohmig ist zur ausreichenden Erregung des oder der Prüfrelais zum Ansprechen und daß nach derselben die Belegungsader relativ hochohmig ist zur Verbesserung der Sperrbedingungen und zur Herabsetzung des Stromverbrauches.In the state of readiness for occupancy, the negative voltage potential is across the resistors R 1, R 3, R 4 on the c-wire, that is at test point a. If the test relay z. If, for example, a testing selector is connected to the ground potential at test point a, the following circuit is initially effective: In this the test relay responds and the capacitor C 1 is charged. As the call charge increases, the resistor R 1 becomes effective as a parallel branch for the capacitor C 1 and the rectifier Gr 1. After the call charge of the capacitor C 1, the circuit is complete effective. The call charge of the capacitor C1 causes the seizure wire to be relatively low-resistance during the same time for sufficient excitation of the test relay or relays to respond and that after the same the seizure wire is relatively high-resistance to improve the blocking conditions and to reduce power consumption.

Durch die Belegung, d. h. Bildung des Stromkreises 7, tritt am Widerstand R 4 ein Spannungsabfall auf, der über den Widerstand W 2 durch hochohmig Spannung messende Schaltmittel ausgewertet wird, welche z. B. in ähnlicher Weise wie die in F i g. 1 dargestellte Schaltungsanordnung (insbesondere die Transistoren T 3 und T 4 usw.) arbeiten.By occupancy, i. H. Formation of the circuit 7, occurs at the resistor R 4 shows a voltage drop across the resistor W 2 due to high-resistance voltage measuring switching means is evaluated, which z. B. in a manner similar to that in Fig. 1 shown circuit arrangement (in particular the transistors T 3 and T 4 etc.) work.

Die Sperrung der Belegungsstromkreise erfolgt über den Kontakt sp, durch welchen Erdpotential als Sperrpotential an der Basis des Transistors T wirksam wird. Diese Sperrung kann nur an einer unbelegten Belegungsader vorgenommen werden, da eine bestehende Belegung abgebrochen werden würde. Es ist aber auch möglich, die Schaltungsanordnung entsprechend F i g. 1 dahingehend weiter auszubilden, daß der Sperrvorgang nur auf unbelegte und nicht auf belegte Belegungsstromkreise wirksam wird. Das Sperrpotential greift ebenfalls auf den Prüfpunkt a durch, so daß auch hochohmige Oberwachungsrelais in einem vorgeordneten Schaltglied nicht über die Widerstände R 1, R 3 und R 4 gehalten werden können.The blocking of the occupancy circuits takes place via the contact sp, by which ground potential as blocking potential at the base of the transistor T effective will. This blocking can only be carried out on an unoccupied occupancy wire. because an existing assignment would be canceled. But it is also possible the circuit arrangement according to FIG. 1 to the effect that the locking process is only effective for unoccupied and not for occupied circuits will. The blocking potential also reaches through to the test point a, so that too high-resistance monitoring relays in an upstream switching element do not have the Resistors R 1, R 3 and R 4 can be held.

Durch Auslösung entfällt der Spannungsabfall am Widerstand R l, und der ebensoweit aufgeladene Kondensator C 1 wird nun in folgendem Stromkreis entladen: Ein Teil der Ladung teilt sich also auch dem Kondensator C2 mit. Ist der Kondensator Cl über die Widerstände R 1 und R 2 nahezu entladen, so wird der Kondensator C2 über folgenden Stromkreis entladen: 10. C2, Gr 3, R6, R7, Gr 4, R l, R2, C2. Wird nun während der Entladung der Kondensatoren C1 und C2 erneut ein Prüfstromkreis gebildet, so bleibt der Transistor so lange gesperrt, bis der Kondensator C2 sich über den Stromkreis 11. -I-, f,. . ., P II, PI, e, (a), R I, R2, C2, G3, R5, -60V wieder entladen hat.When triggered, the voltage drop across the resistor R l is eliminated, and the capacitor C 1, which has been charged to the same extent, is now discharged in the following circuit: Part of the charge is also shared with capacitor C2. If the capacitor Cl is almost discharged via the resistors R 1 and R 2, the capacitor C2 is discharged via the following circuit: 10. C2, Gr 3, R6, R7, Gr 4, R1, R2, C2. If a test circuit is now formed again during the discharge of the capacitors C1 and C2, the transistor remains blocked until the capacitor C2 passes through the circuit 11. -I-, f ,. . ., P II, PI, e, (a), RI, R2, C2, G3, R5, -60V has discharged again.

Eine Belegung wird nur durch eine am Kondensator C2 liegende Spannung dadurch verhindert, daß der im Normalfall an den Gleichrichtern Gr2 bei einer Belegung auftretende Spannungsabfall entfällt und statt dessen zwischen den Gleichrichtern Gr 2 und Gr 3 ein gegenüber dem Potential zwischen den Gleichrichtern Grl und Gr2 positives Spannungspotential wirksam wird, welches als Sperrpotential über den Gleichrichter Gr3 auf die Basis des Transistors T wirksam wird und diesen sperrt. Damit wird der Belegungsstromkreis durch den relativ hochohmigen Widerstand R 3 hochohmig geschaltet, so daß ein Prüfvorgang verhindert wird bis zur völligen Entladung des Kondensators C 2 im Stromkreis 10 bzw. 11.An occupancy is prevented only by a across the capacitor C2 voltage that occurs in the normal case, the rectifiers Gr2 with an occupancy voltage drop is eliminated and, instead, between the rectifier Gr 2 and Gr 3 positive relative to the potential between the rectifiers Grl and Gr2 Voltage potential becomes effective, which becomes effective as blocking potential via the rectifier Gr3 on the base of the transistor T and blocks it. The occupancy circuit is thus switched to a high resistance by the relatively high resistance R 3, so that a test process is prevented until the capacitor C 2 in the circuit 10 or 11 is completely discharged.

Claims

Claims: 1. Circuit arrangement for telecommunication systems, in particular telephone systems, in which switching elements that can be occupied by occupancy states are marked by a certain voltage potential applied to individual test points via resistors of occupancy circuits and their blocking state due to the absence of the same at the test points, and in which the blocking of a switching element is marked and its occupancy signaling is effected by connecting another voltage potential on the part of an occupying, upstream switching element to the individual test point, characterized in that in the occupancy circuit in it an instantaneous current rise and an instantaneous voltage change at the test point (a), preferably real resistances (W1, W3 , W4) can be switched partially effective and / or ineffective by connecting appropriate control voltage potentials (-I-, -) to the control electrodes of electronic switching means (base of transistors e.g. TI, T 2 or control grid of electron tubes), which bridge the resistors (W1, W3, W4) with their electrodes (emitter and collector or cathode and anode) which switch through a current path, and that an occupancy signal for the relevant switching element (S) through high-resistance switching means (T3, T4) measuring a voltage drop across the resistors (W1, W3, W4) in the occupancy circuit can be switched on.

2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that that the switching means (T3, T4) measuring the voltage drop have voltage-dependent Resistors (D 1) are switched off to the occupancy circuit so that only in Free state a measuring current flows.

3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized characterized in that the switching means (T3, T4) measuring the voltage drop the control circuit of electronic switching means (transistor, e.g. T1, or electron tube) is ineffective switchable, through which the occupancy circuit can be switched blocking is.

4. A circuit arrangement according to claim 1, characterized in that in the free state of the occupancy circuit, the control electrodes (base, control grid) of the electronic switching means (transistors T 1, T 2 or electron tubes) with a voltage potential (-) that switches permeable to these switching means via series resistors (W5 , W6) are connected and that the current in the series resistors (W5, W6) remains in the series resistors (W5, W6) and the current in the said switching means is reduced or interrupted by switching on a voltage potential (-f-) which switches impermeably.

5. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that that the voltage change at the resistors (W 1, W 3, W 4) of the occupancy circuit becomes effective after a delay by delay switching means (K).

6. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that a first capacitor (C 1) and a resistor (R 1) parallel to it are connected in the occupancy circuit and that when testing an upstream switching element test switching means of the same through a charge reversal in the first capacitor (C1) becoming effective and remaining effective and not becoming effective through a current determined by the resistor (R 1) in parallel with the first capacitor (C 1).

7. Circuit arrangement according to claim 6, characterized in that after the occupancy circuit has been disconnected (e.g. by triggering) the first capacitor (C1) recharged during the occupancy process is reversely recharged. B. Circuit arrangement according to claim 7, characterized in that during and as a result of the reverse charge reversal of the first capacitor (C1) the charge state of a second capacitor (C2) is changed and that by simultaneous testing and by the changed charge state of the second capacitor (C2) a control voltage potential switching the electronic switching means (T) to be impermeable is effective at the control electrodes [base of the transistor (T)].