DE2508817A1 - Laststromabhaengige ansteuerung eines schalttransistors - Google Patents

Laststromabhaengige ansteuerung eines schalttransistors

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DE2508817A1
DE2508817A1 DE19752508817 DE2508817A DE2508817A1 DE 2508817 A1 DE2508817 A1 DE 2508817A1 DE 19752508817 DE19752508817 DE 19752508817 DE 2508817 A DE2508817 A DE 2508817A DE 2508817 A1 DE2508817 A1 DE 2508817A1
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H02M1/092Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices the control signals being transmitted optically
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    • H02M1/081Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters wherein the phase of the control voltage is adjustable with reference to the AC source

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  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • taststromabhängige Ansteuerung eines Schalttransistors Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur laststromabhängigen Ansteuerung eines Schalttransistors mit minimalem externen Steuerleistungsaufwand.
  • Das netzsynchrone Ein- und Ausschalten von großen Gleich-und Wechsel strömen konnte bisher nur mit Thyristorschaltern erfolgen, die über aufwendige und teure Zwangskommutierungseinrichtungen verfügen. Ausschalthare Thyristoren, sogenannte Gate-Turn-Off-Thyristoren (GTO), gibt es derzeit nur für kleie Ströme-Außerdem weisen sie gegenüber normalen Thyristoren weitere wesentliche Nachteile auf, die einenEinsatz in Lastschaltern ausschließen, insbesondere einen größeren Durchlaßspannungsabfall und Steuerleistungsbedarf sowie einen höheren Preis. Demgegenüber eröffnete die weitere Entwicklung der Transistoren zu hohen Kollektor-Emitter-Spannungen und größeren Strömen einen Weg, elektronische Lastschalter zum netzsyn chronen Ein- und Ausschalten ohne aufwendige Zwangskommutierungseinrichtungen zu entwickeln.
  • In der Figur 1 ist die Anwendung von Transistor-Schalteinheiten nach Figur 2 als Wechselstromschalter dargestellt.
  • Die Figur la zeigt das Blockschaltbild eines Wechselstrom-Transistorschalters mit zwei Transistor-Schalteinheiten ST, denen je eine Diode gegenparallel geschaltet ist.
  • Der in Figur ib dargestellte zeitliche Verlauf der Ströme und Spannungen macht die Funktionsweise des Wechselstrom-Transistorschalters nach Figur la deutlich. Durch wechselweises Zuführen von Zündimpulsen in iz und Löschimpulsen il werden in der positiven Halbwelle der anliegenden Wechselspannung u gestrichelte Stromblöcke i und in der negativen Halbwelle strichpunktierte Stromblöcke herausgeschnitten, deren Fläche durch Verlagerung der Zünd- und Löschimpulse verändert werden kann.
  • Zwei andere schaltungsmäßige Anordnungen von Wechselstrom-Transistorschaltern zeigen die Figuren lc und ld.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anordnung zur laststromabhängigen Ansteuerung eines Transistorschalters für große Gleich- und Wechsel ströme zu schaffen, bei der auch bei externer minimaler<Steuerleistung zum Ansteuern ein zuverlässiger und optimaler Betrieb des Schalttransistors gewährleistet ist.
  • Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß a) in Reihe zur laststromdurchflossenen Emitter-Kollektor-Strecke des Schalttransistors die Primärwicklung eines Stromwandlers, b) parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors sowohl die Sekundärwicklung des Stromwandlers, als auch die Reihenschaltung der Emitter-Kollektor-Strecke eines ersten Transistors und der Parallelschaltung aus Speicherkondensator und Zenerdiode, c) parallel zur Basis-Kollektor-Strecke des Schalttransistors die Reihenschaltung der Tertiärwicklung und einer ersten Diode mit kathodenseitigem Anschluß am Kollektor des Schalttransistors, d) parallel zur ersten Diode die Reihenschaltung einer Quartiärwicklung des Stromwandlers mit einer zweiten in Durchlaßrichtung zum kollektorseitigen Anschluß des Transistorschalters gepolten Diode, eIner in Durchlaßrichtung auf die Kathode der zweiten Diode geschalteten Ladediode und eines Ladewiderstandes angeordnet ist, daß an die Kathodenverbindung der zweiten Diode und der Ladediode sowohl die Verbindung zwischen Kollektor des ersten Transistors und Speicherkondensators als auch der Kollektor eines zweiten Transistors angeschlossen sind, daß der Emitter des zweiten Transistors mit dem Steueranschluß eines Halbleiterschalters verbunden ist, dessen einer Hauptanschluß an den Emitteranschluß des Transistorschalters und dessen anderer Hauptaschluß an einen beliebigen Abgriff der Tertiärwicklung oder Quartiärwicklung oder zwischen beiden Wicklungen angeschlossen sind, und daß die Basis des zweiten Transistors mit einem Löschimpulseingang und die Basis des ersten Transistors mit einem Zündimpulseingang verbunden sind.
  • Die erfindungsgemäße Lösung ermöglicht ein laststromabhängiges Ansteuern des Schalttransistors mit minimaler externer Steuerleistung wie sie beispielsweise beim Ansteuern mit Lichtenergie oder mit integrierten Schaltungen gegeben ist.
  • Eine vorteilhafte Gestaltung des Stromwandlers besteht darin, die vier Stromwandlerwicklungen auf einem gemeinsamen Kern anzubringen.
  • Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbei spieles soll der der Erfindung zugrundeliegende Gedanke näher erläutert werden. Es zeigen Figur 2 das Prinzipschaltbild einer Anordnung zur Ansteuerung eines Schalttransistors Figur 3 und Figur 4 Anordnungen zur Ansteuerung von Transistorschaltern eines Wechselstromschalters.
  • Das in Figur 2 dargestellte Prinzipschaltbild zur laststromabhängigen Ansteuerung eines Schalttransistors 1 wird bestimmt durch die Funktionseinheit des einen Vier-Wicklungs-Stromwanaler darstellenden Stromwandlers 2. Whrend die Primärwicklung 21 des Stromwandlers 2 in Reihe zur Kollektor-Emitter-Strecke des Schalttransistors 1, der Laststrecke, geschaltet ist, sind o die Sekundärwicklung 22 und die Tertlärwicklung 23 mit einer in Reihe geschalteten kathodenseitig mit dem Kollektor des Schalttransistors 1 verbundenen ersten Diode 7 parallel zur Basis-Emitter-Strecke bzw. parallel zur Basis-Kollektor-Strecke des Transistorschalters 1 geschaltet. Parallel zur Sekundärwicklung 22 ist die Reihenschaltung eines als Zünd- und Löschquelle energie'dienenden Speicherkondensators 3 mit der Kollektor-Emitter-Strecke eines ersten Transistors 4 angeordnet. Die Aufladung des Speicherkondensators 3 erfolgt entweder über eine in Reihe zu ihm geschaltete Reihenschaltung einer Ladediode 9 und eines Widerstandes 10, die am Kollektor des Schalttransistors 1 angeschlossen sind, oder über die Reienschaltung einer Quartiärwicklung 24 des Stromwandlers 2 und einer kathodenseitig auf dem Kathodenpotential der Ladediode 9 befindlichen zweiten Diode 8, die zwischen Ladediode 9 und Speicherkondensator 3 sowie zwischen Tertiärwicklung 23 und erster Diode 7 angeschlossen ist. Ebenfalls an die Verbindung zwischen Ladediode 9 und Speicherkondensator 3 ist der Kollektor eines zweiten Transistors 5 angeschlossen, dessen Emitter mit dem Steueranschluß eines Halbleiterschal ters 6, im Ausführur.gsbei spiel ein Thyristor, verbunden ist. Die Schaltstrecke des Halbleiterschalters 6 ist einerseits durch den Anschluß an den Emitter des Schalttransistors 1 und anderseits durch den Anschluß an einen Abgriff, der an der Tertiär- und der Quartiärwicklung oder dazwischen liegen kann, gegeben.
  • Der Steueranschluß für die Löschimpulse i1 ist mit der Basis des zweiten Transistors 5, wahlweise über einen Widerstand, und der Steueranschluß für die Zündimpulse in iz mit der Basis des ersten Transistors 4, ebenfalls wahlweise über einen Widerstand, verbunden.
  • Zur funktionellen Vervollständigung wird parallel zum Speicherkondensator 3 zum Zwecke der Spannungskonstanz eine erste Zenerdiode 14, und parallel zur Sekundärwicklung 22 des Stromwandlers 2 zum Zwecke des Schutzes der Basis-Emitter-Stre&,ce des Schalttransistors 1 die Reihenschaltung einer dritten Diode 1 und einer zweiten Zenerdiode 12 mit entgegengesetzter Polung der Durchlaßrichtung geschaltet, so daß die Diode 11 kathodenseitig mit der Basis des Schalttransistors 1 verbunden ist.
  • Beim Abschalten eines Laststromes mit induktivem Anteil, treten am Schalttransistor 1 Überspannungen auf, die dessen Zerstörung zur Folge haben können. Die Parallelschaltung einer modifizierten RC-Kombination 13, die aus der Reihenschaltung eier Diode mit parallelgeschaltetem Widerstand und eines Überspannungsbedämpfungskondensators besteht, verhindert dies. Dabei muß der Überspannungsbedämpfungskondensator so dimensioniert sein, daß die beim Abschalten auftretende Kollektor-Emitter-Spannung ces Schalttransistors 1 den vom Transistorhersteller garantierten Maximalwert nicht überschreitet. Der parallel zur Diode angeordnete Widerstand ist so zu dimensionieren, daß er einerseits die Einschaltverluste des Schalttransistors 1 begrenzt, andererseits aber ein sicheres Entladen des Überspannungsbedämpfungs kondensators während der Einschaltphase erlaubt.
  • Bei geeigneter Dimensionierung kann der Vier-Wicklung-Stromwandler 2 in einem weiten Frequenzbereich (einige Hertz bis einige zehn Kilohertz) eingesetzt werden. Für Wechselstromanwendungen bieten sich die in den Figuren 3 und 4 dargestellten Schaltungsvarianten an, wobei das Zusammenfassen der Vielfachwicklungen auf einen Transformatorkern möglich ist.
  • Die Funktionsweise der Anordnung soll nachfolgend erläutert werden.
  • Unter Vernachlässigung der genauen Verläufe der statischen (und dynamischen) Stromverstärkungsfaktoren erfordert jeder als Schalttransistor dienende Leistungstransistor eine kollektorstromproportionale Basisansteuerung, um im Bereich der Sättigung oder an dessen Grenze betrieben werden zu können.
  • Unter diesem Gesichtspunkt bietet sich bei dem Betrieb von Leistungstransistoren mit zeitlich veränderlichem Kollektorstrom das Prinzip eines über einen Stromwandler in den Basis-Emitter-Kreis eingeprägten kollektorstromproportionalen Ansteuerstromes an. Dieses Verfahren wird dadurch verwirklicht, daß der durch die Primärwicklung 21 fließende Laststrom an der Sekundärwicklung 22 eine Spannung induziert, die einen durch das Wicklungsverhältnis von Primärwicklung zu Sekundärwicklung festgelegten Basisstrom treibt. Das Wicklungsverhältnis Sekundärwicklung zu Primärwicklung muß mindestens gleich der Stromverstärkung gewählt werden, die für den maximal zu erwartenden Kollektorstrom bei dem verwendeten Transistortyp im ungünstigsten Fall zutrifft, damit jener stets mindestens an der Sättigungsgrenze betrieben wird.
  • Da die Speicherzeit von Leistungstransistoren stark mit dem Grad der Sättigung wächst und die husschaltverluste mit wachsender Speicherzeit vergrößert werden, wird mit Hilfe der Tertiärwicklung 23 und der am Kollektor angeschlosseren ersten Diode 7 dafür gesorgt, daß der verwendete Leistungstransistor stets an der Grenze des Sättigungsbereiches betrieben wird. Dabei wird die Tatsache ausgenutzt, daß die Basis-Emitter-Spannung unabhängig vom Laststrom und dem Sättlgungs zustand des Schalttransistors bei ca. 1,0 Volt liegt, während die Kollektor-Emitter-Spannung abhängig vom Sättigungsgrad bis unter 0,5 Volt absinken kann. Bei geeigneter Wahl des Wicklungsverhältnisses von Primar- zu Tertiarwicklung ist es somit möglich, einen Teil des Basisstromes abzuzweigen und über die erste Diode 7 in den Kollektor des Transistorschalters 1 fließen zu lassen, sobald die Kollektor-Emitter-Spannung des Leistungstransistors 1 einen für die Sättigungsgrenze typischen Wert, beispielsweise 1,5 Volt erreicht.
  • Das Ziel, einen Transistorschalter für große Gleich- und Wechsel ströme mit minimalem externen Steuerleistungsaufwand zu betreiben, kann erreicht werden, wenn die erforderliche Steuerleistung von der am Transistorschalter anliegenden Spannung und/oder vom Laststrom abgeleitet wird. Das kann im dargestellten Ausführungsbeispiel entweder über eine Ladediode 9 und Widerstand 10, oder mit Hilfe einer Quartiärwicklung 24 des Stromwandlers und eine Diode 8 erfolgen. Da, wie oben erläutert, die Spannung an der Sekundärwicklung 22 des Stromwandlers 2 aus transistorphysikalischen Gründen bei ca. 1,0 Volt liegt, kann durch angemessene Wahl des Übersetzungsverhältnisses von Quartiär- zu Sekundärwicklung erreicht werden, daß während der Dauer der Stromführung der Speicherkondensator 3 aus dem Stromwandler 2 nachgeladen wird, was während der stromlosen Zeit über die Reihenschaltung Ladediode 9 und Widerstand 10 erfolgt.
  • Während für die Dauer der Stromführung die Ansteuerung des Schalttransistors 1 selbsttätig von der Sekundär- und Tertiärwicklung des Stromwandlers 2 vorgenommen wird, ist es erforderlich, zur einleitung und zur Beendigung der Einschaltphase externe Steuerbefehle zu erteilen. In dem in Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel wird durch das Steuersignal i über den ersten Transistor 4 der Speicherkondensator 3 auf die Transistorbasis geschaltet und so die Stromführung eingeleitet.
  • Mit dem Löschimpuls il kann über den zweiten Transistor 5 der Halbleiterschalter 6 eingeschaltet werden. Dieser ruft einen niederohmigen Kurzschluß der Windungen des Stromwandlers hervor, die zwischen seinen Hauptanschlüssen liegen, so daß der in die Basis fließende Ansteuerstrom in den Halbleiterschalter 6 kommutiert und der stromführende Schalttransistor 1 gelöscht wird.
  • Für den ersten und zweiten Transistor 4 und 5 bieten sich beispielsweise Darlington-Transistoren oder optoelektronische Koppelelemente an. Für den als Thyristor dargestellten i3albleiterschalter 6 kann auch ein Transistor eingesetzt werden.
  • Die Ansteuerung der Basen der Transistoren 4 und 5 und damit des Schalttransistors kann sowohl optoelektronisch bei der Verwendung von optoelektronischen Koppelelementen als auch galvanisch getrennt oder galvanisch verbunden bei der Verwendung von Transistoren oder Darlington-Transistoren erfolgen.
  • Die in den Figuren 3 und 4 dargestellten Schaltbilder zeigen Anwendungen der erfindungsgemäßen Ansteueranordnung auf Wechselstrom-Transistorschalter. Dabei entspricht die Anordnung der Figur 3 einer Anwendung der erfindungsgemäßen Anordnung auf die Figur la und die der Figur 4 einer Anwendung der erfindungsgemäßen Anordnung auf die Figur 1c. Bei einer Anordnung nach Figur 3 und 4 ist das Zusammenfassen der Vielfachwicklungen auf einen Transforatorkern möglich. Die Ansteueranordnungen der Schalttransistoren ST1 und ST2 entsprechen ansonsten der Anordnung nach Figur 2.

Claims (8)

  1. Patentansprüche
    Anordnung zur laststromabhängigen Ansteuerung eines Schalttransistors, dadurch gekennzeichnet, daß a) in Reihe zur laststromdurchflossenen Emitter-Kollektor-Strecke des Schalttransistors (1) die Primärwicklung (21) eines Stromwandlers (2), b) parallel zur Basis-Emitter-Strecke des Schalttransistors (1) sowohl die Sekundärwicklung (22) des Stromwandlers (2), als auch die Reihenschaltung der Emitter-Kollektor-Strecke eines ersten Transistors (4) und der Parallelschaltung aus Speicherkondensator (3) und Zenerdiode (14), c) parallel zur Basis-Kollektor-Strecke des Schalttransistors (1) die Reihenschaltüng der Tertiärwicklung (23) und einer ersten Diode (7) mit kathodenseitigrm Anschluß am Kollektor des Schalttransistors (1), d) parallel zur ersten Diode (7) die Reihenschaltung einer Quartiärwicklung (24) des Stromwandlers (2) mit einer zweiten in Durchlaßrichtung zum kollektorseitigen Anschluß des Transistorschalters (1) gepolten Diode (8), einer in Durchlanrichtung auf die Kathode der zweiten Diode (8) geschalteten Ladediode (9) und eines Ladewiderstandes (10) angeordnet ist, daß an die Kathodenverbindung der zweiten Diode (8) und der Ladediode (9) sowohl die Verbindung zwischen Kollektor des ersten Transistors (4) und Speicherkondensators (3) als auch der Kollektor eines zweiten Transistors (5) angeschlossen sind, daß der Emitter des zweiten Transistors (5) mit dem Steueranschluß eines Halbleiterschalters (6) verbunden ist, dessen einer Hauptanschluß an den Emitteranschluß des Transistorschalters (1) und dessen anderer Hauptanschluß an einen beliebigen Abgriff der Tertiärwicklung (23) oder Quartiärwicklung (24) oder zwischen beiden Wicklungen (23, 24) angeschlossen sind, und daß die Basis des zweiten Transistors (5) mit einem Löschimpulseingang und die Basis des ersten Transistors (4) mit einem Zündimpulseingang verbunden sind.
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die vier Wicklungen des Stromwandlers (2) auf einem Kern angeordnet sind.
  3. 3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Primärwicklung (21) des Stromwandlers (2) entweder mit dem Emitter- oder Kollektoranschluß des Schalttransistors (1) verbunden ist.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die vier Wicklungen (21, 22, 23, 24) des Stromwandlers (2) zu einer gemeinsamen Wicklung mit drei oder vier Anzapfungen zusammengefaßt werden können.
  5. 5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Transistoren (1, 4 und 5) und der Halbleiterschalter (6) aus Darlingtontransistoren bestehen.
  6. 6. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transistor (5) entfällt und der Halbleiterschalter (6) und/oder der Transistor (4) direkt optisch angesteuert werden.
  7. 7. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterschalter (6) aus einem Transistor oder einem Thyristor besteht.
  8. 8. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle des Schalttransistors (1) eine Parallelschaltung mehrerer Transistoren tritt.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH444287A (de) * 1965-08-13 1967-09-30 Asea Ab Zündanordnung für reihengeschaltete steuerbare Halbleiterventile
DE2040793B2 (de) * 1970-08-17 1974-05-09 Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen Steuerschaltungsanordnung für einen Schalttransistor
DE2417575A1 (de) * 1973-04-11 1974-10-31 Acec Vorrichtung zum steuern von thyristoren oder anderen halbleiterelementen

Patent Citations (3)

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