DE2453730A1 - Verfahren und schaltungsanordnung zum ueberspannungsschutz von transistoren von betriebsschaltungen eines telefonapparates - Google Patents
Verfahren und schaltungsanordnung zum ueberspannungsschutz von transistoren von betriebsschaltungen eines telefonapparatesInfo
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Description
Deutsche ITT Ind. GmbH 6. März 19 75
Neue Beschreibung
(ersetzt ursprüngliche Boschreibung)
(ersetzt ursprüngliche Boschreibung)
Verfahren und Schaltungsanordnung zum Überspannungsschutz von
Transistoren von Betriebsschaltungen eines Telefonapparates
Zusatz zu P 22 38 225.8
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und auf Schaltungsanordnungen zum Überspannungsschutz von Transistoren, die in
elektronischen Schaltungen der Betriebsschaltunger. eines Telefonapparates
entsprechend dem Hauptpatent ·.. (Patentanmeldung P 22 38.225.8) enthalten sind.
Das Hauptpatent ... (Patentanmeldung P 22 38 225.8) betrifft
eine Betriebsschaltung eines Telcfonapparates, bei dem eine elektronische
Steuerschaltung entsprechend den über eine Wähltastatur eingegebenen Ziffern die Wählimpulsfolge als elektrische
Impulse des Nnmmernschaltcrimpulskontaktes und des Nummernschalterarbeitskontaktes
erzeugt. Beim Hauptpatent ist unter Schutz gestellt, daß die ankommende Amts leitung über den Arbeitskontakt
des Gabelumschalters einer Gleichrichterbrücke zugeführt ist,
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daß von deren positivem Ausgang der bekannte Sprechkreis aus
Gabelübertrager, Mikrophon, Fernhörer und Leitungsnachbildung, mit einem den Nummernschhlterimpulskontakt nachbildenden ersten
elektronischen Schalter und einer Parallelschaltung aus einem
Kondensator und einer Begrenzerdiode in Serie geschaltet, zum
negativen Abschluß der Gleichrichterbrücke führt, daß ein den NummernschaItorarbeitskontakt nachbildender zweiter elektronischer
Schalter dem Sprechkreis parallelgoschaltet ist und daß die Spannung
des Kondensators als Betriebsspannung der Steuerschaltung dient.
Zur Erläuterung der Problemstellung der Erfindung ist in Fig. 1 der Zeichnung ein Prinzipschaltbild der zum Verständnis wesentli- ,·
chen Teile der Betriebsschaltung nach dem Hauptpatent gezeigt. In Fig. 1 wird die ankommende Amtsleitung a, b über den nichtbezeichneten
Widerstand, der den Gabelumschalter symbolisieren soll, an die Gleichrichterbrücke GL gelegt, wobei zum Schutz diese
beiden Anschlüsse der Gleichrichterbrücke mit der aus zwei entgegengesetzt
in Reihe geschalteten Z-Dioden bestehenden Begrenzerdiode ZS beschaltet sind. '
Auf der Gleichspannungsseite der Gleichrichterbrücke GL sind an
deren negativem Pol - in Fig. 1 die elektronische Steuerschaltung S
und der Kondensator C angeschlossen. In Fig. 1 ist der positive Pol + der Gleichrichterbrücke GL über den den Nummernschalterimpulskontakt
nachbildenden ersten elektronischen Schalter X mit dem anderen Anschluß des Sprechkreises SK verbunden. Dem Sprechkreis
selbst ist zwischen seinen beiden Anschlüssen der den Nummernschalterarbeitskontakt
nachbildende zweite elektronische Schalter Y parallelgeschaltet. Die Steuerung der beiden elektronischen
Schalter X, Y geschieht von den entsprechenden Ausgängen nsi, nr»a
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der elektronischen Steuerschaltung 5 aus, was in Fig. 1 durch die gestrichelte Linie angedeutet ist.
In Fig. 1 dient die Spannung des Kondensators C als Versorgungsspannung der elektronischen Steuerschaltung S.
Die Betriebsschaltungen nach dem Hauptpatent haben sich in der
Fraxis bewährt. Es zeigte sich jedoch bei deren Einsatz, daß der induktive Innenwiderstand der Vermittlungsstelle, an den der TeIcfonapparat
über die Amtsleitung a, b angeschlossen ist» am Ausgang der Gleichrichterbri'cke GL beim periodischen Arbeiten dos
elektronischen Nummernschalterimpulskontaktes X (Fig. 1) den in
Fig. 2 gezeigten Spannungsverlauf hervorruft. Während dor Dauer t
ist der elektronische Nummcrnschalterimpulskontakt X geschlossen.
Beim Wählvorgang fließt somit innerhalb der Schließzeit t_ Schleifenstrom.
T ist dabei die Periodendauer des Wählimpulses, die im
allgemeinen 100 ms beträgt. Während der Schließzeit t ist die Spannung am Ausgang der Gleichrichterbrücke GL gering und hauptsächlich
durch die am Kondensator C bzw. an der elektronischen Steuerschaltung S auftretende Spannung bestimmt. Am Ende der
Schließzeit t steigt jedoch die Spannung am Brückenausgang bis auf den Wert U17 an, der durch die Abbruchspannung der symmetrischen
Begrenzerdiode ZS und/oder durch evtl. den Schaltstreckon des
elektronischen Nummernschalterimpulskontaktes X parallelgeschal~ tete RC-Glieder bestimmt ist. Anschließend klingt die Spannung
auf den Wert UA ab, der den Leerlaufspannungswert der in der
Vermittlungsstelle angeordneten sogenannten Zentralbatterie darstellt.
Die in den Schaltstrecken des elektronischen Nummernschalterimpulskontaktes angeordneten Halbleiterbauelemente müssen daher
für die Spannung U2 oder für höhere Spannungen hinsichtlich ihrer
zulässigen Grenzwerte ausgelegt sein, d. h. diese Halbleiterbauelemente müssen im stromlosen Zustand einen mindestens der Spannung U„ entsprechenden Sperrspannungswert aufweisen.
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Zusätzlich zu den durch die Wirkung des induktiven Innenwiderstands
der Vermittlungsstelle hervorgerufenen Induktionsspannungen treten außerdem auch Spannungsspitzen zwischen den beiden Adern
der Amtsleitung a, b und somit am Gleichrichterausgang auf, die durch induktive oder kapazitive Koppelungen in Kabelstrangen
und auch durch Entladevorgänge auf Leitungen (beispielsweise
durch ßlitzcinschlag) bewirkt weiden. Tritt eine solche Spannungsspitze
auf, so wird sie durch die symmetrische Begrenzerdiode ZS in ihrer Amplitude zwar begrenzt, diese Begrenzung
schützt aber die Schaltstrecken des elektronischen Nummernschal-· terimpulskontaktos nur, wenn sie im gesperrten Zustand, also
stromlos sind. Sind die Schaltstrecken aber gerade leitend, so fließt der zu schaltende Strom bei gleichzeitigem Anliegen einer
beträchtlichen, durch die Spannung U^ vorgegebene Spannung. Transistoren
/.önnen einer solchen Beanspruchung nur bedingt v/egen
der Gefahr des sogenannten zweiten Durchbruches (second breakdown)
standhalten.
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, ein Verfahren zum vollständigen Schutz der Schaltstrecken der ersten und zweiten
elektronischen Schalter nach dem Hauptpatent anzugeben. Diese Aufgäbe wird durch die in Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
Die Erfindung weist den Vorteil auf, daß sie den normalen,
nicht durch Überspannungen gestörten Betrieb des Telefonapparates nicht beeinträchtigt.
Die Erfindung wird nun anhand von in den weiteren Figuren der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 3 zeigt die Betriebsschaltung eines Telefonapparates nach Fig. 1 des Hauptpatentes,
Fig. 4 zeigt die Betriebsschaltung eines Telefonapparates nach Fig. 2 des Haur'patentes,
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Γ _
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Fig. 5 zeigt eine Schaltungsanordnung zur Durchführung
des Verfahrens der Erfindung bei der Anordnung nach Fig. 3,
Fig. 6 zeigt eine Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens der Erfindung bei einer Schaltungsanordnung
nach Fig. 4.
Zum besseren Verständnis der Erfindung werden zunächst anhand der Fig. 3 und 4 die in dem Hauptpat.ent beschriebenen Betriebsschaltungen
eines Telefonapparates erläutert.
In den Fig. 3 und 4 sind außer der Betriebsschaltung jeweils
noch die für die Funktion des Telefonapparates üblichen Bauelemente
gezeigt, nämlich der Gabelumschalter HU1 der Wecker W und der dem Wecker in Serie geschaltete Kondensator CW. Die
Serienschaltung aus Wecker und Weckerkondensator ist bekanntlich bei unbenutztem Telefonapparat über den Ruhekontakt des
Gabelumschalters HU mit der Amtsleitung a, b verbunden.
Ferner enthalten die Fig. 3 und 4 den Sprechkreis SK, der aus
dem Gabelübertrager GU, dem Mikrophon M, dem Gehörschutzgleichrichter GR, dem Fernhörer F und der Leitungsnachbildung LN besteht,
die üblicherweise aus einem Parallel-RC-Glied aufgebaut
ist. Ferner ist in don Fig. 3 und 4 die Steuerschaltung S gezeigt,
die die elektronische Steuerschaltung, die Wähltastatur und die von außen an die elektronische Steuerschaltung anzuschaltenden
und für deren Betrieb erforderlichen Teilschaltungen enthält.
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Die Fig. 3 und 4 unterscheiden sich lediglich hinsichtlich
der Lage und der Ausbildung des elektronischen Nummornschalterimpulskontaktes,
während der elektronische Nummernschalterarbeitskontakt
in beiden Figuren gleichartig angeordnet und aufgebaut
In Fig. 3 liegt der elektronische Nummernschalterimpulskoritakt
zwischen dem Sprechkreis SK und dem Kondensator C und besteht aus dem npiv-Transistor T1 , dem Widerstand R1 und dem ersten
npn-Zusatztransistor T2. Diese Bauelemente sind untereinander
so angeordnet, daß die Basis des npn-Transistors T1 einerseits über den Vorwiderstand R1 mit dem positiven Pol der Gleichrichterbrücke
GL und somit auch mit dem an diesem Pol angeschlossenen Anschluß des Sprechkreises liegt und andererseits
mit dem Kollektor des ersten npn-Zusatztransistors T2 verbunden ist.
Der Emitter des ersten npn-Zusatztransistors T2 liegt am
negativen Pol der Gleichrichterbrücke GL, während dessen Basis, gegebenenfalls über Widerstände, mit dem Nummernschalterimpulskontaktausgang
1 der Steuerschaltung S verbunden, ist.
In Fig.4 liegt der elektronische Numnernschalterimpulskontakt
zwischen dem positiven Pol der Gleichrichterbrücke GL und dem Sprechkreis SK. Für diesen Fall ist öer elektronische Nummernschalterimpulskcntakt
als ein erster pnp-Transistor T3 ausgebildet, dessen Kollektor am Sprechkreis SK und dessen Emitter
am positiven Pol der Gleichrichtorbrttcke GL angeschlossen ist,
während dessen Basis mit dem Kollektor eines zweiten npn-Zusatztransistors T4, gegebenenfalls über den Widerstand R3, in
Verbindung steht.
Der Emitter des ?woiten npn-Zusatztronsistors T4 ist mit dem
positiven Pol dos Kondensators C, also mit der Betriebsspannung
Uß für die Steuerschaltung St verbunden, während dessen Basis
einerseits über den Widerstand R4 mit dem positiven Pol der
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Glcichrichterbrücke GL und andererseits am Kollektor einer»
dritten npn-Zusatztransistors T5 angeschlossen ist. Der Emitter des dritter. npn-Zusatztransistors T5 liegt am negativen Pol
des Kondensators C, während dessen Basis von Kutnracrnschalterimpulskontaktnusgang
1 der Steuerschaltung S, gegebenenfalls über Widerstände, angesteuert wird. Bei dieser Ausführungsform
ist schließlich zwischen Sprechkreis SK und Kondensator C
gegebenenfalls die Flußdiode D2 einzufügen.
Der npn-Transistor TI nach Fig. 3 kann vorteilhaft durch den
weiteren npn-Transistor T6 nach Art einer Darlington-Schaltung erweitert werden. Andererseits ist es jedoch auch möglich,
wenn der weitere Transistor T6 nicht vorgesehen wird, in die
Basisleitung des npn-Transistors T1 eine Flußdiodo einzufügen.
In Fig.3 ist eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung gezeigt,
nämlich daß die am Kondensator C abgenommene Betriebsspannung U
über den Schalter K der Steuerschaltung S zugeführt wird, wobei dieser Schalter entweder als zusätzlicher Arbeitskontakt
auf dem Gabelumschalter HU angeordnet sein kann oder auch durch einen weiteren elektronischen Schalter realisiert werden
kann.
Hierfür kann ein npn-Transistor verwendet werden, der in der
negativen Betriebsspannungsleitung der Steuerschaltung mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke angeordnet wird (Emitter an
Kondensator C) und dessen Basis einerseits vom positiven Pol
der Gleichrichterbrücke GL und andererseits vom Emitter des unten näher erläuterten vierten npn-Transistors T8 angesteuert
wird. Durch diesen Schalter wird bewirkt, daß die Steuerschaltung in dem Augenblick stromlos wird, in dem der Handapparat
auf die Gabel gelegt wird. Der stromlose Zustand der
Steuerschaltung ermöglicht es,insbesondere einerder oben erwähnten
Teilschaltungen, in deren Ausgangszustand zurückzukehren,
so daß beim erneuten Abnehmen des Handapparates von der Gabel ein erforderlicher Normierimpuls erzeugt wird.
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Der Kontakt K bzw. der geschilderte elektronische Ersatz in
Form eines Transistors ermöglicht es, daß bereits nach
äußerst kurzem öffnen des Stromkreises diese Funktion erfüllt
wird, da die Ladung des Kondensators C nicht abgebaut werden muß, was sonst erst erfolgen müßte.
Der elektronische Numracrnschalterarbeitskontakt ist in den
Fig. 3 und 4 gleichartig aufgebaut. Er besteht aus dem zweiten
pnp-Transistor T7, dessen Knitter am mit dem positiven Pol
der Gleichrichterbrücke GL gekoppelten Anschluß des Sprechkreises SK angeschlossen ist, während dessen Kollektor an dom
mit dem Kondensator C gekoppelten Anschluß des Sprechkreises liegt. Somit ist in Fig.3 der Emitter des zweiten pnp-Tiemsistors T7
mit dem positiven Pol der Gleichrichterbrücke verbunden, während
er in Fig.3 am Kollektor des ersten pnp-Transistors T3 angeschlossen
ist.
Die Basis des zweiten pnp-Transistors T7 ist über den Widerstand R5 mit dem Emitter des vierten npn-Zusatztransistors T8
gekoppelt, wobei zweckmäßigerweise der dritte pnp-Zusatztransistor
T7 nach Art einer Dz.T-Iington-Schaltung vorgesehen
werden kann. Allerdings ist der Kollektor des dritten pnp-Zusatz trans is tors T9 dann mit dem positiven Pol der Betriebsspannung
Uß zu verbinden und in die Basis-Emitter-Loitung der
Transistoren T6 und T8 der Widerstand R6 einzufügen. Die Basis cos vierten pnp-Zusatztransistors T8 ist, gegebenenfalls über
Widerstünde, mit dem Nummernschalterarbeitskontaktausgang 2 der Steuerschaltung S verbunden.
In Fig.4 ist eine wahlweise mögliche Variante der Betriebsschaltung
gezeigt, bei der zwischen den Sprechkreis und den positiven Pol des Kondensators C die Anoden-Kathoden-Strecke
der weiteren Diode D2 geschaltot ist. Auch kann es von Vorteil
sein, den Sprcchkrois mittels der weiteren Diode D3 derart
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zu überbrücken, daß deren Kathode am mit dem positiven Pol
der Glcichrichtorbrücke gekoppelten Anschluß und doi.;.<>n
Anode mit dom dem Kondenstor C zugcv/nndlcn Anschluß dor.
Sprcchkruir.es verbunden ist.
Falls erforderlich, können in allen Aur.führungr.be.i rpiolcn
der Eingang der Gleichrichterbrücke GL durch eine symmetrische Begrenzerdiode ZS überbrückt worden und/oder der Aur.giui'; der
Gleichrichtcrbrückc GL mit einer üblichen Begrenzerdiode abgeschlossen worden. Dies kann entfallen, wenn die Gleichrichterbrücke
selbst aus Z-Dioden besteht bzw. '/.-Dioden enthält.
In den Fig. 5 und 6 sind zur Durchführung des Verfahrens der Erfindung geeignete Schaltungsanordnung«! gezeigt, die jeweils
den Betriebsschfiltungen der Fig. 3 tind 4 hinzuzufügen
r.ind. Im wesentlichen handelt es sich dabei um die Scrienschaltung
des Spannungsstabilinatorc SV mit mindestens einem
Spannungsteiler, welche Scrienschnltung mit dem positiven und
dem negativen Pol der Glcichrichtcrbrückc GL derart verbunden ist, daß der Spannungsstabilisator ST am positiven und der
Spannungsteiler am negativen Pol angeschlossen sind. Am Abgriff.
jeden Spannungsteilers ist die Basis eines npn-Sperrtransistors
angeschlossen, dessen Emitter am negativen Pol der Gleichrichterbrücke GL liegt und dessen Kollektor mit entsprechenden
Schaltungspunkten der Fig. 3 und 4 verbunden werden muß. Die Spannungsteiler bestehen jeweils aus zwei Widerständen, an
deren Verbindungspunkten die Basis des npn-Sperrtransistors angeschlossen ist. · .
Im einzelnen ist in Fig. 5 eine Schaltung gezeigt/ die als Spannungsstabilisator ST vorteilhafterweine eine Z-Diode verwendet,
Die Stabilisierungsspannung υς_ des Spannungsstabilisators
ST, im Falle einer Z-Diodc also die Abbruchspannung dieser Z-Diode, wird so gewählt, daß sie einerseits kleiner als die
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Begrcnzvmgr.npnnnung V7 der symmetrischen Begrenzerdiode ZS und
anderer se it;; großer air. die Spannung. IU der Zentralbatterie dor
Vermittlungsstelle ist. Im konkreten Fall sind die negativen
Toleranzen der Bcgronzungr.r.pannung U1, und die positiven ToIeranzen
der Spannung U- der Zentrnlbattcrie in Rechnung v.u
stellen. Nimmt man für U. eine Toleranz von £ 101 bei 60 V und
für U,. eine; Toleranz von + 20" bei 150 V an, so kann die
It ""■
Stabilir.ierungr.spannung IV-, 90 V + 201J betragen.
3j» Fig. 5 ist dor Z-Diedo ST der Spannungsteiler R23, R24 in
Serie geschaltet. Dienern liegt dor Spannungsteiler R25, R26
parallel. Am Verbindungr.punkt der Spnnnungsteilcrwidcrntünclo P2?,
R24 liegt die Har.ir. den npn-Spcrrrtransistors T21 , dessen Kollektor
zum Punkt η in Fig. 3 führt, d.h. also zur Basis dos dortigen
weiteren npn-Transistors T6.
Am Verbindvngspunkt der SpannupgstcilcrwiderstSmlo R23, R24 ist
die Basis des npn-Sporrtransistors T?.2 angeschlossen, dessen
Kollektor zum Schaltungspunkt B in Fig.3 führt, also zur Basis
des dortigen vierten npn-Zusatztransistors T8. Bei Auftreten einer schädlichen Überspannung tvz eingeschalteten Zustand der
Transistoren T6, T7 werden somit die Transistoren T21, T22 leitend
gesteuert, wodurch einerseits die Transistoren T6, T1 direkt gesperrt worden, während andererseits zunächst Transistor TO
gesperrt, somit Transistor T9 leitend und dadurch Transistor T7 ebenfalls gesperrt wird.
In Fig.6 ist die zu Fig.4 gehörende Betriebsschaltung gezeigt.
Sie besteht wiederum aus dem Spannungsstabilisator ST, vorzugsweise einer Z-Diode, und dem diesem in Serie geschalteten
Spannungsteiler R25, R26, an dessen Verbindungspunkt die Basis des npn-Sporrtransistors T23 angeschlossen ist. Sein Kollektor
führt zum Punkt D in Fig.4, also zur Anode der dortigen Diode D1.
"Für. die Betriebsschaltung nach Fig.4 ist kein weiterer Spannungsteiler
mit zugehörigem Sperrtransistor erforderlich. Wird boi Auftreten einer überspannung der npn-Sporrtransistor T?.3 leitend
gesteuert, so werden die Transistoren T4, T3 nach Fig.4 gesperrt.
fin9 8 21/0091 -11-
1 1 -
W
Fl
P 24 53 7 30.2 6. März
mit dom
5 Patentansprüche
/1 Blatt Zeichnung mit
6 Figuren
/1 Blatt Zeichnung mit
6 Figuren
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Claims (5)
- A Γ O Π Ό Πj NACHQSIREtCHT6. März 1975Neue Patentansprüche 1 bis 5 (ersetzen die ursprünglichen Patentansprüche)Verfahren zum überspannungsschutz von Transistoren, die in elektronischen Schaltern einer Betriebsschaltung eines Telefonapparates enthalten sind, bei dem eine elektronische Steuerschaltung entsprechend den über eine Wähltastatur eingegebenen Zi ffern die Wählimpulsfolge als elektrische Impulse des Nummernschalterinipulskontaktes und des Numir.ernschalterarbeitskontaktes erzeugt, wobei nach Patent ... (Patentanmeldung P 22 38 225,8) die ankommende Amts leitung über den Arbeitskontakt des Gabelumschalter einer Gleichriohterbrücke zugeführt ist, von deren positivem Ausgang der bekannte Sprechkreis aus Gabelübertrager, Mikrophon, Fernhörer und Leitungsnachbildung, mit einem den Nummernschalterimpulskontakt nachbildenden ersten elektronischen Schalter und einer Parallelschaltung aus einen Kondensator und einer Begrenzerdiode in Serie geschaltet, zum negativen Anschluß der GDeichrichterbrücke führt, wobei ferner ein den Nummernschalterarbeitskontakt nachbildender zweiter elektronischer Schalter dem Sprcchkrcis parallelgeschaltet ist und wobei die Spannung des Kondensators als Betriebsspannung der Steuerschaltung dient, dadurch gekennzeichnet, daß bei zwischen der Gleichrichtcrbrücke (GL) und dem Sprechkreis (SK) angeordnetem ersten elektronischen Schalter dieser oder bei zwischen Sprechkreis und Kondensator (C) angeordnetem ersten elektronischen Schalter dieser und der zweite elektronische Schalter für die Dauer der auftretenden überspannung gesperre werden.
- 2. Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den positiven und den negativen Pol der Gloichrichtorbrücke (GL) die Serienschaltung aus einem Spannungsstabilisator (ST), insbesondere609821 /0091 - 13 -P 24 53 730.2 , _ Fl 8296. März 19 75einer Z-Diode, und mindestens einem Spannungsteiler (R21, R22; R23, R24; R25f R26) geschaltet ist, an dessen Abgriff die Basis eines npn-Sperrtransistors (T21, T22, T23) liegt, dessen Emitter am negativen Pol (-) der GleichricMerbrücke angeschlossen ist, daß der Kollektor des Sperrtransistors zum Basiskreis des Transistors der Schaltstrecke des jeweiligen elektronischen Schalters oder zum Basiskreis des der Scha.ltstrecke des jeweiligen elektronischen Schalters zugeordneten Treibertransistors führt und daß die Stabilisierungsspannung (U__) des Spannungsstabilisators einerseits kleiner als die Begrenzungsspannung (U7) der symmetrischen Begrenzerdiode (ZS) und andererseits größer als die Span: batterie der Vermittlungsstelle ist.und andererseits größer als die Spannung (U^.) der Zentral-
- 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des Kpn-Sperrtransistors (T23) mit der Anode (D) der in der Basisleistung des zweiten npn-Zusatztransistors (T4) angeordneten Flußdiode (D1) nach Anspruch 7 des Hauptpatentes verbunden ist (Fig. 3 und 6).
- 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der npn-Sperrtransistor (T23) mit dem dritten npn-Zusiitztransistor (T5) nach Anspruch 6 des Hauptpatentes vereinigt ist.
- 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwei npn-Sperrtransistorcn (T21, T22) mit jeweils zugeordnetem Spannungsteiler (R21, R22; R23, R24) vorgesehen sind, daß der Kollektor des ersten npn-Sperrtransistors (T21) mit der Basis des npn-Transistors (T1) nach Anspruch 4 des Hauptpatentes oder mit der Basis (Λ) des weiteren npn-Transistors (T6) nach Anspruch 5 dos Hauptpatentes verbunden ist und daß der Kollektor des zweiten npn-Sperrtransistors (T22) mit der Basis (B) des vierten npn-Zusatztransistors (T8) nach Anspruch 8 dos Hauptpatentes verbunden ist (Fig. 3 und 5),60S821/0091
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742462048 DE2462048C2 (de) | 1974-03-09 | 1974-11-13 | Schaltungsanordnung für einen Telefonapparat mit Wahltastatur |
DE19742453730 DE2453730A1 (de) | 1972-08-03 | 1974-11-13 | Verfahren und schaltungsanordnung zum ueberspannungsschutz von transistoren von betriebsschaltungen eines telefonapparates |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722238225 DE2238225A1 (de) | 1972-08-03 | 1972-08-03 | Betriebsschaltung eines telefonapparates |
DE19742453730 DE2453730A1 (de) | 1972-08-03 | 1974-11-13 | Verfahren und schaltungsanordnung zum ueberspannungsschutz von transistoren von betriebsschaltungen eines telefonapparates |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2453730A1 true DE2453730A1 (de) | 1976-05-20 |
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ID=25763653
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
DE19742453730 Pending DE2453730A1 (de) | 1972-08-03 | 1974-11-13 | Verfahren und schaltungsanordnung zum ueberspannungsschutz von transistoren von betriebsschaltungen eines telefonapparates |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2453730A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2458962A1 (fr) * | 1979-06-05 | 1981-01-02 | Sits Soc It Telecom Siemens | Circuit d'interface pour clavier electronique avec repetition de la selection |
DE20301556U1 (de) * | 2003-02-01 | 2004-06-03 | Rosenhof, Viktor, Dr.-Ing. | Differentialer Hochspannungswandler zum Beispiel für ein PC-gesteuertes Messgerät |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2307316A1 (de) | 1972-02-17 | 1973-08-23 | Int Standard Electric Corp | Schaltungsanordnung zur waehlimpulserzeugung in tastwahl-fernsprechapparaten |
-
1974
- 1974-11-13 DE DE19742453730 patent/DE2453730A1/de active Pending
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DE20301556U1 (de) * | 2003-02-01 | 2004-06-03 | Rosenhof, Viktor, Dr.-Ing. | Differentialer Hochspannungswandler zum Beispiel für ein PC-gesteuertes Messgerät |
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