DE2436568B2 - PROCESS FOR STRUCTURING THIN LAYERS - Google Patents

PROCESS FOR STRUCTURING THIN LAYERS

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DE2436568B2 DE19742436568 DE2436568A DE2436568B2 DE 2436568 B2 DE2436568 B2 DE 2436568B2 DE 19742436568 DE19742436568 DE 19742436568 DE 2436568 A DE2436568 A DE 2436568A DE 2436568 B2 DE2436568 B2 DE 2436568B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren entsprechend dem Gattungsbegriff des Haupianspruchs.The invention relates to a method according to the preamble of the main claim.

Solche Verfahren sind bereits bekannt und finden Anwendung in der Dünnschichttechnologie, z. B bei der Herstellung von Masken für Festkörperschaltungen.Such methods are already known and are used in thin-film technology, e.g. B in the manufacture of masks for solid-state circuits.

Es ist dabei bereits bekannt (DDR-Patent 72 068), SiCh-Masken auf einem Halbleitersubstrat derart herzustellen, daß a;if dem Substrat eine Photolackmaske mit Hilfe von photolithographischen Verfahren hergestellt und mittels Kathodenzerstäubung in einer Gasentladung sowohl auf die Photolackmaske als auch auf die lackfreien Flächen des Halbleitersubstrats eine Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Schicht aufgebracht wird. Anschließend wird das Substrat mit einem die Lackmaske angreifenden Lösungsmittel behandelt, die Photolackmaske quillt, auf und die auf ihr befindlichen Teile der Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Schicht werden abgesprengt. Nach Entfernen der Photolack-It is already known (DDR patent 72 068), SiCh masks on a semiconductor substrate in this way manufacture that a; if the substrate is a photoresist mask produced with the help of photolithographic processes and by means of cathode sputtering in one Gas discharge both on the photoresist mask and on the lacquer-free surfaces of the semiconductor substrate Silicon oxide or silicon nitride layer is applied. Then the substrate is covered with a die Resist mask treated solvents attacking, the photoresist mask swells up and those on it Parts of the silicon oxide or silicon nitride layer are blown off. After removing the photoresist

maske verbleibt auf dem Halbleitersubstrat als Negativ des Musters der Photolackmaske die gewünschte Siliziumoxid- oder Siliziumnitrid-Maske.The desired mask remains on the semiconductor substrate as a negative of the pattern of the photoresist mask Silicon oxide or silicon nitride mask.

Es hat sich nun gezeigt, daß dieses bekannte Verfahren Nachteile hat, wenn sehr fein strukturierte Schichten mit Schichtdicken größer 1 μπι auf einem Substrat gebildet werden sollen. Es können nach dem bekannten Verfahren strukturierte Schichten dieser Art nicht mit der wünschenswerten Reproduzierbarkeit hergestellt werden. Mit anderen Worten: Die AusbeuteIt has now been shown that this known method has disadvantages when it is very finely structured Layers with layer thicknesses greater than 1 μm are to be formed on a substrate. It can after known processes do not structure layers of this type with the desired reproducibility getting produced. In other words: the yield

an im Vergleich zum Muster der Maske vollständig, maßstabsgetreu und einwandfrei strukturierten Schichten auf einem Substrat ist nicht hoch genug. Mit »vollständiger« S.rukturierung ist gemeint, daß alle freizulegenden Flächen auf dem Substrat auch wirklichon layers that are completely, true to scale and perfectly structured compared to the pattern of the mask on a substrate is not high enough. By "complete" structuring it is meant that all areas to be exposed on the substrate really

reproduzierbar freigelegt werden und die »einwandfreie« Strukturierung bezieht sich vor allem auf die Qualität der Flanken des in der zu strukturierenden Schicht gebildeten Profils. Speziell im Hinblick auf eine Massenfertigung ist es wichtig, Schichten der genanntencan be reproducibly exposed and the "flawless" Structuring primarily refers to the quality of the flanks of the to be structured Layer formed profile. Especially with a view to mass production, it is important to use layers of the above

Art in gleichbleibender Qualität und mit einer hohen Genauigkeit herstellen zu können. Profilungenauigkeiten machen sich z. B. besonders nachteilig bemerkbar, bei der Ausbildung mehrlagiger strukturierter Schichten. Art to be able to produce in consistent quality and with a high degree of accuracy. Profile inaccuracies make z. B. particularly disadvantageous noticeable in the formation of multilayer structured layers.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die Reproduzierbarkeit bzw. die Ausbeute abhängig ist von der Art der Oberfläche, auf die die Photolackschicht und auf deren lackfreien Stellen die zu strukturierende Schicht aufgebracht wird: Sie muß so beschaffen sein, daß der Photolack ihr gegenüber ein nur geringes Haftungsvermögen hat.The invention is based on the knowledge that the reproducibility or the yield is dependent on the type of surface on which the photoresist layer and on its lacquer-free areas the one to be structured Layer is applied: It must be such that the photoresist is only a slight Has liability.

Weiter liegt der Erfindung die Erkenntnis zugrunde, daß der Absprengprozeß de; auf dem Photolack befindlichen Teile der zu strukturierenden Schicht begünstigt werden kann durch Volumenänderungen der Photolackschicht, die z. B. durch Temperatureinwirkung erreicht werden können.The invention is also based on the knowledge that the blasting process de; on the photoresist located parts of the layer to be structured can be favored by volume changes of the Photoresist layer z. B. can be achieved by exposure to temperature.

Der Erfindung liegt also die Aufgabe zugrunde, ein verbessertes Verfahren zur Ausbildung sehr feiner Strukturen in dünnen Schichten unterschiedlicher Materialien anzugeben.The invention is therefore based on the object of an improved method for the formation of very fine Specify structures in thin layers of different materials.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Hauptanspruchs angegebene Ausbildung des Verfahrens gelöst.According to the invention, this object is achieved by the training specified in the characterizing part of the main claim of the procedure resolved.

Vorteilhafte weitere Ausbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.Advantageous further developments of the invention are described in the subclaims.

Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß in bezug auf die Maskenvorlage vollständig, maßstabsgetreu und mit guter ProfilqualitätThe advantages achieved by the invention are in particular that with respect to the template complete, true to scale and with good profile quality

(Ό strukturierte Schichten mit guter, reproduzierbarer Ausbeute erhalten werden können. Die Schichtdicken der zu strukturierenden Schichten liegen vorzugsweise im Bereich von etwa 1 —3 μΐη, sie können auch größer sein. Die Schichtdicke der zu strukturierenden Schichten wird in erster Linie begrenzt durch die Aufbringbarkeit entsprechend dicker Photolackschichten. ( Structured layers can be obtained with good, reproducible yield. The layer thicknesses of the layers to be structured are preferably in the range of about 1-3 μm, they can also be greater. The layer thickness of the layers to be structured is primarily limited by the ability to apply correspondingly thick photoresist layers.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und wird im folgenden näherAn embodiment of the invention is shown in the drawings and will be described in more detail below

beschrieben. Es zeigendescribed. Show it

Fig. la bis lc Querschnitte durch ein Substrat in verschiedenen Stufen des Verfahrens.Fig. La to lc cross sections through a substrate in different stages of the process.

F i g. 2 graphische Darstellung der Abhängigkeit der Ausbeute einwandfrei und vollständig strukturierter Schichten von der Art der Oberfläche des Substrats, F i g. 2 graphical representation of the dependence of the yield of perfectly and completely structured layers on the type of surface of the substrate,

F i g. 3a bis 3f Querschnitte durch ein Substrat mit Mehrfachschichten in verschiedenen Stufen des Verfahrens, F i g. 3a to 3f cross sections through a substrate with Multiple layers in different stages of the process,

Fig.4 Darstellung der Abhängigkeit der Ausbeute einwandfrei und vollständig strukturierter Schichten und des Flanken-Neigungswinkels der Photolackschicht von der Ausbacktemperatur der Lackmaske.Fig. 4 Representation of the dependency of the yield perfectly and completely structured layers and the flank inclination angle of the photoresist layer on the baking temperature of the paint mask.

Für das nachfolgende Ausführungsbeispiel wird die Herstellung einer strukturierten Aluminiumschicht, wie sie z. B. als Leiterbahnschicht Verwendung finden kann, auf einem Substrat beschrieben, woLiei diese Aluminiumbahnen 5 μΐη breit und ca. 20 mm lang sind und einen Abstand von 5 μπι voneinander haben. Die Dicke der Aluminiumbahnen soll etwa 1 μπι betragen. In derselben Weise können auch anders geartete Schichten strukturiert werden, z. B. Titanschichten, magnetische Schichten für Massenspeicher oder Dünnfilm-Magnetknöpfe oder Schichten aus Oxiden und Nitriden, die als Diffusionsmasken, Oxidationsmasken, Diffusionsque1-len, Dielektrika oder Passivierungsschichten in der Planartechnik der Halbleitertechnologie Verwendung finden.For the following exemplary embodiment, the production of a structured aluminum layer, as it is e.g. B. can be used as a conductor track layer, described on a substrate woLiei these aluminum tracks are 5 μm wide and about 20 mm long and have a distance of 5 μm from each other. The thickness of the aluminum tracks should be about 1 μm. In the same way, layers of different types can also be structured, e.g. B. titanium layers, magnetic layers for mass storage or thin-film magnetic buttons or layers of oxides and nitrides, which are used as diffusion masks, oxidation masks, Diffusionque 1 -len, dielectrics or passivation layers in planar technology in semiconductor technology.

Auf einem Substrat 1 (Fig. la) wird eine Trägerschicht 2 angebracht, auf der Photolack nicht besonders gut haftet. Als Material für solche Schichten haben sich SiOz und Aluminium bewährt. Bei Silizium-Substraten kann eine SiO2-Schicht durch thermische Oxidation gebildet werden, die Schichten können aber ebensogut ζ. B. durch Kathodenzerstäubung in der Gasphase oder durch Aufdampfen gebildet werden. Auf dem mit der Trägerschicht 2 versehenen Substrat 1 wird anschließend eine maskierende Photolackschicht 3 mit steilen Flanken mit Hilfe der bekannten photolithographischen Techniken angebracht, wobei die Photolack-Maske das Negativ der zu bildenden strukturierten Schicht darstellt. Für die Herstellung der Photolackschicht 3 kann sowohl ein Positivlack als auch ein Negativlack verwendet werden. Bei diesen Lacken handelt es sich um lichtempfindliche Lacke auf der Basis entweder eines organischen Polymers, das durch Lichteinwirkun& aufgespalten wird oder eines organischen Monomers, das durch Lichteinwirkung polymersiert wird. Solche Lacke sind in der Halbleitertechnologie z. B. für Maskierungsschritte bekannt und für das hier beschriebene Ausführungsbeispiel wurde Positiv-Photolack in einer Dicke von etwa 3 μπι aufgebracht. In jedem Fall muß die Dicke der Photolackschicht größer sein als die Dicke der zu strukturierenden Schicht. Die Photolackschicht 3 darf nach dem Auftragen und Entwickeln nicht mehr erwärmt werden, um die Steilheit der Flanken nicht zu beeinträchtigen. Im Anschluß an das Aufbringen der Photolackschicht wird auf das gekühlte Substrat 1 mit der Trägerschicht 2 und und der Photolackschicht 3 eine 1 μίτι dicke Schicht 4 aus Aluminium durch Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung in einer Gasentladung (vorzugsweise in Argon) aufgebracht (Fig. Ib). Im Anschluß hieran wird das Substrat während einer Dauer von 30 Minuten auf 1300C erwärmt.A carrier layer 2 to which the photoresist does not adhere particularly well is applied to a substrate 1 (FIG. 1 a). SiO2 and aluminum have proven themselves as materials for such layers. In the case of silicon substrates, a SiO2 layer can be formed by thermal oxidation, but the layers can just as well ζ. B. be formed by cathode sputtering in the gas phase or by vapor deposition. A masking photoresist layer 3 with steep flanks is then applied to the substrate 1 provided with the carrier layer 2 with the aid of known photolithographic techniques, the photoresist mask representing the negative of the structured layer to be formed. Both a positive resist and a negative resist can be used to produce the photoresist layer 3. These varnishes are light-sensitive varnishes based on either an organic polymer that is split up by the action of light or an organic monomer that is polymerized by the action of light. Such varnishes are used in semiconductor technology, for. B. known for masking steps and for the embodiment described here positive photoresist was applied in a thickness of about 3 μπι. In any case, the thickness of the photoresist layer must be greater than the thickness of the layer to be structured. The photoresist layer 3 must no longer be heated after application and development in order not to impair the steepness of the flanks. Following the application of the photoresist layer, a 1 μm thick layer 4 of aluminum is applied to the cooled substrate 1 with the carrier layer 2 and the photoresist layer 3 by high-frequency cathode sputtering in a gas discharge (preferably in argon) (Fig. Ib). Following this, the substrate is heated to 130 ° C. for a period of 30 minutes.

Die praktischen Ergebnisse haben gezeigt, daß eine solche Temperaturbehandlung den Absprengprozeß der auf der Photolackschicht befindlichen Teile der zu strukturierenden Schicht deutlich begünstigt. Dies m;u!The practical results have shown that such a temperature treatment reduces the blasting process the parts of the layer to be structured that are located on the photoresist layer are clearly favored. This m; u!

darauf zurückzuführen sein, daß durch Ausdehnung des Photolacks, sei es durch Wärmedehnung oder durch Abgabe von noch im Lack enthaltenden Lösungsmittelresten, ein Au'opi engen oder zumindest eine Rißbildung in der zu strukturierenden Schicht gefördert wird. Die Temperatur sollte möglichst hoch sein, auf jeden Fall über dem Fließpunkt des Photolacks, sie soll aber andererseits nicht so hoch sein, daß sie eine weitere Vernetzung des Photolacks bewirkt und damit seinebe due to the fact that the expansion of the photoresist, be it through thermal expansion or the release of solvent residues still contained in the lacquer, promotes a tight or at least cracking in the layer to be structured. The temperature should be as high as possible , in any case above the pour point of the photoresist, but on the other hand it should not be so high that it causes further crosslinking of the photoresist and thus his

:o Lösungsmittellöslichkeit herabsetzt.: o Reduces solvent solubility.

Wie groß die Bedeutung der Art der Oberfläche des Substrats, auf die die Photolackschicht und die zu strukturierende Schicht aufgebracht wird, für die Ausbeute an einwandfrei und vollständig strukturierten Schichten ist, ergibt sich aus der nachfolgenden Tabelle und aus F i g. 2. Die Oberfläche des Substrats muß so beschaffen sein, daß die Photolackschicht nicht sehr gut auf ihr haftet. Wurde auf einem Siliziumsubstrat durch thermische Oxidation eine Si02-ochicht gebildet, war die Ausbeute deutlich besser, als wenn auf dem Substrat beispielsweise eine Chrom-Nickel-Schicht als Trägerschicht für die Photolackschicht und die zu strukturierende Schicht angebracht wurde. Die günstigen Auswirkungen einer SiO2-Schicht als Trägerschicht zeigen sich auch an dem Beispiel, bei welchem eine Chrom-Nickel-Schicht auf dem Substrat mit einer zusätzlichen SiO2-Schicht bedeckt wurde, die dann ihrerseits die Trägerschicht für die Photolackschicht und die zu strukturierenden Schicht bildete.The importance of the type of surface of the substrate to which the photoresist layer and the layer to be structured is applied to the yield of perfectly and completely structured layers can be seen from the table below and from FIG. 2. The surface of the substrate must be such that the photoresist layer does not adhere very well to it. If an SiO 2 layer was formed on a silicon substrate by thermal oxidation, the yield was significantly better than if, for example, a chromium-nickel layer was applied to the substrate as a carrier layer for the photoresist layer and the layer to be structured. The beneficial effects of an SiO2 layer as a carrier layer can also be seen in the example in which a chromium-nickel layer on the substrate was covered with an additional SiO2 layer, which in turn formed the carrier layer for the photoresist layer and the layer to be structured .

—-

4545

Oberfläche des SubstratsSurface of the substrate

Ausbeuteyield

Siliziumsubstrat mit
SiO2-Trägerschicht
Siliziumsubstrat mit
Chrom-Nickel-Trägerschicht
(0,1 um)Silicon substrate with
SiO 2 carrier layer
Silicon substrate with
Chromium-nickel carrier layer
(0.1 µm)

Siliziumsubstrat mit
Chrom-Nickel-ZwischenschichtSilicon substrate with
Chromium-nickel intermediate layer

(0,1 μm)und
SiOrTrägerschicht(0,l(0.1 μm) and
SiO r carrier layer (0, l

9898

4545

9696

Im Anschluß an die Temperaturbehandlung des mit der Photolackschicht 3 und der zu strukturierenden Schicht 4 versehenen Substrats I wird das Substrat in ein Lösungsmittel getaucht, das den Photolack löst. Ein derartiges Lösungsmittel kann beispielweise Aceton sein. Durch Diffusion durch die zu strukturierende Schicht 4 löst das Lösungsmittel den unter der Schicht liegenden Photolack an und läßt ihn quellen. Die Behandlung kann durch Ultraschalleinwirkung beschleunigt werden. Der aufquellende Photolack 3 hebt die auf ihm befindlichen Teile der zu strukturierenden Schicht 4 ab und auf dem Substrat 1 mit der Trägerschicht 2 verbleiben nach vollständiger Entfernung des Photolacks die restlichen Teile der zu strukturierenden Schiebt 4(F i g. Ic).Following the temperature treatment of the photoresist layer 3 and the to be structured Layer 4 provided substrate I, the substrate is immersed in a solvent that dissolves the photoresist. A such a solvent can be, for example, acetone. By diffusion through the structure to be structured Layer 4, the solvent dissolves the photoresist under the layer and allows it to swell. the Treatment can be accelerated by exposure to ultrasound. The swelling photoresist 3 lifts the parts of the layer 4 to be structured located on it and on the substrate 1 with the After the photoresist has been completely removed, the remaining parts of the carrier layer 2 remain structuring slides 4 (Fig. Ic).

Nach dem beschriebenen Prinzip können auch Mehrfachschichten strukturiert werden, die aus Schichten unterschiedlichen Materials aufgebaut sind, z. B. aus einem Isolier- und einem Leiterbahnenmaterial. Solche mehrlagigen Schichten sind beispielsweise von Bedeutung für den Aufbau integrierter magnetischer Speicher.According to the principle described, it is also possible to structure multiple layers made up of layers are constructed of different materials, e.g. B. from an insulating and a conductor track material. Such Multi-layer layers are important for the construction of integrated magnetic memories, for example.

In F i g. 3a ist der Querschnitt durch ein Substrat 1 mit einer Trägerschicht 2, hier als magnetische Schicht aus FeSi, einer die Trägerschicht 2 teilweise bedeckenden Photolackschicht 3, einer durch KathodenzerstäubungIn Fig. 3a is the cross section through a substrate 1 with a carrier layer 2, here as a magnetic layer made of FeSi, one that partially covers the carrier layer 2 Photoresist layer 3, one by sputtering

aufgebrachten SiO2-Schicht 4 und einer auf diese SiCh-Schicht 4 durch Kathodenzerstäubung aufgebrachten Aluminiumschicht 5 dargestellt. Nach Ablösen der Photolackschicht 3 stellt sich das doppelt beschichtete Substrat 1 mit der Trägerschicht 2, der SiCb-Schicht 4 und der Aluminiumschicht 5 wie in F i g. 3b gezeigt dar. Diese in Fig.3b gezeigte Schichtenfolge kann nun abermals mit einer Isolier- und einer Leiterbahnschicht versehen werden, es ergibt sich die Darstellung gemäß F i g. 3c, wobei auf das Substrat i mit der ersten Schichtenstruktur 4 und 5 eine weitere Photolackschicht 33 und durch Kathodenzerstäubung eine weitere SiOj-Schicht 44 und eine weitere Aluminiumschicht 55 aufgebracht wurden. Nach dem Ablösen der Photolackschicht 33 stellt sich das Substrat 1 mit der Trägerschicht 2 und den doppelten Schichtstrukturen 4 und 5 und 44 und 55 wie in Fig.3d gezeigt dar. Auf diese mehrfach strukturierte Schichtenfolge kann als weiterer Prozeßschrilt durch Kalthodenzerstäubung eine dritte S1O2-Schicht 44 als Isolierschicht aufgebracht werden (Fig.3e), die anschließend z.B. galvanisch mil einer magnetischen Deckschicht 6, z. B. aus Nickeleisen, versehen werden kann (Fig. 3f). Der magnetische Schluß zwischen der magnetischen Trägerschicht 2 und der magnetischen Deckschicht 6 ist bildlich nicht dargestellt.applied SiO 2 layer 4 and an aluminum layer 5 applied to this SiCh layer 4 by cathode sputtering. After the photoresist layer 3 has been detached, the double-coated substrate 1 with the carrier layer 2, the SiCb layer 4 and the aluminum layer 5 appears as in FIG. 3b. This layer sequence shown in FIG. 3b can now again be provided with an insulating layer and a conductor track layer, resulting in the illustration according to FIG. 3c, with a further photoresist layer 33 and a further SiOj layer 44 and a further aluminum layer 55 being applied to the substrate i with the first layer structure 4 and 5. After the photoresist layer 33 has been detached, the substrate 1 appears with the carrier layer 2 and the double layer structures 4 and 5 and 44 and 55 as shown in FIG 44 are applied as an insulating layer (Fig.3e), which then, for example, galvanically mil a magnetic cover layer 6, z. B. made of nickel iron, can be provided (Fig. 3f). The magnetic connection between the magnetic carrier layer 2 and the magnetic cover layer 6 is not shown in the figure.

Von großer Bedeutung bei dem beschriebenen Verfahren ist die Steilheit der Flanken der strukturierten Photolackschicht; außerdem soll die Photolackschicht möglichst keine verrundeten Kanten aufweisen. Beispielsweise führt eine Wärmebehandlung einer Photolackschicht zu einer Abflachung des Flanken-Neigungswinkels und zur Verrundung der Kanten.The steepness of the flanks of the structured is of great importance in the method described Photoresist layer; in addition, the photoresist layer should, if possible, not have any rounded edges. For example, a heat treatment of a photoresist layer leads to a flattening of the slope angle and to round the edges.

In Fig. 4 ist die Abhängigkeit der Ausbeute einwandfrei und vollständig strukturierter dünner Schichten (ausgezogene Kurve) sowie die Abhängigkeit des Flankenwinkels von der Ausbacktemperatur der Lackmasse (gestrichelte Kurve) dargestellt.In Fig. 4, the dependency of the yield is flawless and completely structured thinner Layers (solid curve) as well as the dependence of the flank angle on the baking temperature of the Paint mass (dashed curve) shown.

Hierzu 4 Blatt ZeichnungenFor this purpose 4 sheets of drawings

Claims (12)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Verfahren zur Strukturierung dünner Schichten, bei dem die zu strukturierende Schicht auf ein stellenweise von einer Photolackschicht maskiertes Substrat aufgebracht und durch Entfernung der Photolackschicht durch Einwirkung von Hitze teilweise wieder entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, daß unmittelbar auf dem Substrat (1) als Trägerschicht (2) für die Photolackschicht (3) und für die zu strukturierende Schicht (4) eine Schicht aufgebracht wird, gegenüber welcher Photolack ein nur geringes Haftungsvermögen hat, und daß das Substrat nach Aufbringen der zu strukturierenden Schicht auf eine Temperatur erhitzt wird, die über dem Fließpunkt des Photolacks liegt, die aber nicht so hoch ist, daß die chemische Reaktionsfähigkeit des Photolacks beeinträchtigt wird.1. Process for structuring thin layers, in which the layer to be structured is on a in places masked by a photoresist layer and applied by removing the Photoresist layer is partially removed again by the action of heat, characterized in that that directly on the substrate (1) as a carrier layer (2) for the photoresist layer (3) and for the layer (4) to be structured, a layer is applied opposite which Photoresist has only a low level of adhesion, and that the substrate after application of the to the structuring layer is heated to a temperature which is above the pour point of the photoresist is, but is not so high that the chemical reactivity of the photoresist is impaired will. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Trägerschicht (2) S1O2 verwendet wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the material for the carrier layer (2) S1O2 is used. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Trägerschicht (2) Aluminium verwendet wird.3. The method according to claim 1, characterized in that the material for the carrier layer (2) Aluminum is used. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Trägerschicht (2) ein magnetisches Material verwendet wird.4. The method according to claim 1, characterized in that the material for the carrier layer (2) a magnetic material is used. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Erhitzung im Temperaturbereich von 100—2000C vorgenommen wird.5. The method according to claim 1, characterized in that the heating is carried out in the temperature range of 100-200 0 C. 6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zu strukturierende Schicht (4) in einer Dicke im Bereich von 1 bis 3 μηι aufgebracht wird.6. The method according to claim 1, characterized in that the layer to be structured (4) in a thickness in the range of 1 to 3 μm is applied. 7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zu strukturierende Schicht als Mehrlagenschicht aufgebracht wird.7. The method according to claim 1, characterized in that that the layer to be structured is applied as a multilayer layer. 8. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Photolackschicht (3) in einer Dicke aufgebracht wird, die größer ist als die Dicke der zu strukturierenden Schicht (4).8. The method according to claims 1 to 7, characterized in that the photoresist layer (3) in a thickness is applied which is greater than the thickness of the layer to be structured (4). 9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die zu strukturierende Schicht (4) ein Metall oder eine Legierung verwendet wird.9. The method according to claim 1, characterized in that for the layer to be structured (4) a metal or an alloy is used. 10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die zu strukturierende Schicht (4) ein Oxid verwendet wird.10. The method according to claim 1, characterized in that for the layer to be structured (4) an oxide is used. 11. Verfahren nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß für die zu strukturierende Schicht (4) ein Nitrid verwendet wird.11. The method according to claim I 1, characterized in that a nitride is used for the layer to be structured (4). 12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für die zu strukturierende Schicht (4) ein magnetisches Material verwendet wird.12. The method according to claim 1, characterized in that for the layer to be structured (4) a magnetic material is used.
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