DE2415110C2 - Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallen nach Verneuil - Google Patents
Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallen nach VerneuilInfo
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N al2o3 Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 claims 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000883 Ear, External Anatomy 0.000 description 1
- 210000003027 Ear, Inner Anatomy 0.000 description 1
- 210000000538 Tail Anatomy 0.000 description 1
- -1 aluminum-magnesium Chemical compound 0.000 description 1
- 238000010192 crystallographic characterization Methods 0.000 description 1
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung /ur Herstellung von Einkristallen nach Verneuil, mit einem
Keimkristall, auf den von oben her pulverförmiges Material zugeführt wird, dessen oberes Ende mit einer von
oben auf ihn gerichteten Flamme aufgeschmolzen wird, mit einer axial bewegbaren Kristallhalterung. mit
einem koaxial um den Kristall angeordneten Gasablenkrohr, durch das die Flammengase unterhalb der
Wachstumsfront des Kristalls seitlich abgelenkt wer den, und mit einem Ofen um Flamme und Kristall, und
bei der das Gasablenkrohr eng um den Kristall angeordnet ist und außen eine der Flamme entgegengelichtete
kegelförmige Gestalt hai und bei der die Lage der Wachstumsfront des Kristalls in bezug auf das Gasablenkronr
so gehalten ist, uaß die Flammengase unmittelbar unter der Wachstumsfront durch das Gasablenkrohr
vom Krislall abgelenkt werden.
Das Ablenkrohr ist bezüglich seiner Masse so bemessen, daß es vergleichsweise zu dem zu züchtenden Kristall
eine große Wärmekapazität aufweist. Die Flamme. die die Kuppe des wachsenden Kristalls berührt, wird
von der Mantelflache des gewachsenen Kristalls abge lenkt, wobei die Kristallhalterung jeweils so einstellbar
ist, daß der wachsende Kristall praktisch nur mit seiner Kuppe aus dem Gasablenkrohr hervorragt.
Aus dem deutschen Patent 20 14 203 und der dem- &5
sehen Offenlegungsschrift 20 57 782 sind Ausführungsformen für Vorrichtungen zur Herstellung von Einkrict:iilpn
nach Verneuil bekannt, in denen jeweils ein Gasablenkrohr verwendet wird, mit der die auf den
Kristall auftreffenden Fiammengase von dem Kristall seitlich derart abgelenkt werden, daß vom Kristall im
wesentlichen nur die Kuppe des Kristall;,, auf der weiteres
Material zum Schmelzen gebracht wird, von den Flammengasen erreicht wird. Bei Anordnung der Flamme
bzw. des die Flamme erzeugenden Brenners, angenommenerweise oberhalb des zu züchtenden Kristalls,
erfolgt also die seitliche Ablenkung der Flammengase im wesentlichen unmittelbar unterhalb der Kuppe, d. h.
der Wachstumsfront des Kristalls. Die Flammengase streichen dann seitlich am Gasablenkrohr entlang, um
schließlich durch den Gasaustritt der Vorrichtung aus dieser herauszutreten. Das Gasablenkrohr nach dem
Stand der Technik beendet sich in einem als Ofen bezeichneten, das Gasablenkrohr umgebenden wärmeisolierenden
Teil. Infolge der Bemessung der Masse des Gasablenkrohres derart, daß ihre Wärmekapazität vergleichsweise
groß zu der Wärmekapazität des fertig gezüchteten Kristalls ist, läßt sich bei den bekannten
Vorrieh. .-ngen erreichen, daß beim Abschalten der
Flamme der gewachsene Kristall keine rasche Temperatuneränderung
erfährt, d.h. daß der gewachsene Kristall sich im Gasablenkrohr weiterhin in unmittelbarem
thermischen Gleichgewicht mit dem Gasablenkrohr befindet, und /war obwohl die Flamme bereits abgeschaltet
ist.
Weitere Einzelheiten der bekannten Vorrichtungen können den obengenannten Druckschriften sowie der
nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung entnommen werden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es. eine Ausgestaltung
einer wie vorbekannten Vorrichtung mit Gasablenkrohr zu finden, die es ermöglicht. Kristalle
mit besonders großem Querschnitt zu züchten, ohne daß ein nennenswerter Verlust der Vorteile, die mit der
bekannten Vorrichtung erreicht wo; den sind, in Kauf genommen werden muß.
Diese Aufgabe wird bei einer wie eingangs angegebenen Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch gelöst,
wie dies im Kennzeichen \on Patentanspruch 1 angegeben ist.
Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüehen hervor.
Weitere Erläuterungen der Erfindung gehen aus der nachfolgenden Beschreibung zu in den Figuren dargestellten
Einzelheiten eines bevorzugten Ausführungsbeispicls nach der Erfindung hervor, lös zeigt
Γ i g. 1 eine Seitenansicht einer Vorrichtung gemäß
diesem Ausführungsbeispiel,
F 1 g. 2 einen Ausschnitt aus F i g. 1. aufgenommen zu
einem Zeitpunkt, in dem bereits der volle Querschnitt des wachsenden Kristalls erreicht ist.
Das in F i g. 1 dargestellte spezielle Ausführungsbeispie'i
einer Vorrichtung 1 weist ein als Ofen 2 bezeichnetes Außenteil auf, wobei dieser Ofen ein dickwandiges
Gehäuse ist, das hochtemperaturbeständig, nach außen gut wärmeisolierend ist und eine Beobachtungsöffnung
21 aufweist. Bei der hier dargestellten Vorrichtung 1 ist in oder an dem Oberteil des Ofens 2 ein
Brenner 3 angebracht, dem wie angedeutet Sauerstoff und Wasserstoff zur Erzeugung einer mit Pfeilen angedeuteten
Knallgasflamme 4 zugeführt wird. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein als 3-Rohr-Brenner bezeichneter
Brenner 3 verwendet, mit den axial zueinander angeordneten Gaszuführungsrohren 31, 32 und 33.
Durch das axial mittlere Kohr 32 wird Wasserstoff und
durch das dazu äußere und das dazu innere P.ohr 31
und 33 wird Sauerstoff zugeführt. Der Gesamtdurchmesser
des Brenners ist etwa gleich groß dem Durchmesser des herzustellenden Kristalls bemessen.
Bei der dargestellten Ausführungsfoim befindet sich
das Gasablenkrohr 5, z. B. in einem Abstand von 200 mm, unterhalb der Mündung des Brenners 3. Die
Flamme 4 trifft infolge der Strömung der Flammengase »uf die Kuppe bzw. Wachstumsfront 61 des wachsenden
Kristalls 6 auf. Der Kristall 6 ist auf einem z. B. 25 mm langen Keimkristall 62 aufgewachsen, der in der
Vorrichtung 1 auf bzw. von einer Kristallhalterung 63 gehalten ist. Diese rotierbare Kristallhalterung 63 ist in
axialer Richtung nach unten verschiebbar, so daß die Kuppe 61 gegenüber der Flamme 4 bzw. gegenüber
dem Brenner 3 stets in gleicher Höhe gehalten werden kann, so daß fü die Wachstumsfront 61 durch Absenken
der Kristallhalterung 63 bei gleichbleibenden übrigen Bedingungen stets gleiche Wachstumsbedingungen
herrschen. Das Gasablenkrohr 5 besteht nach dem Stand der Technik aus einem Teil, das in der bekannten
Vorrichtung — bezogen auf den Ofen 2 und den Brenner 3 — im Regelfall fest angeordnet ist. Diesem bekannten
Gasablenkrohr entspricht bei der vorliegenden Erfindung im wesentlichen das Außenteil 51. das
vorzugsweise auch bei der vorliegenden Erfindung axial fest in bezug auf Ofen 2 und Brenner 3 angeordnet
ist. Der Einfachheil halber sind bei der hier tiargestellten Ausführungsform die Mitlei /ur Halterung dieses
Außenteils 51 nicht näher dargestellt. Dieses Außenteil 51 weist auch die aus dem Stand der Technik
bekannte kegelförmige Abschrägung 52 der der Flamme 4 entgegengesetzten Stirnfläche des Gasablcnkrohres
auf. An dieser Fläche 52 werden die Flammengase 4 seitlich abgelenkt und so von der Mantelfläche des gewachsenen
Kristalls ferngehalten. In bezug auf die Darstellung
der F i g. 1 ist zu bemerken, daß dort der Kristall erst in seinem Anfangsstadium des Wachsens gezeigt
ist, so daß die dagegen beim fertigen Kristall langgestreckte Mantelfläche des Kristalls dort nicht erkennbar
ist. Mit einer wie erfindungsgemäßen Vorrichtung werden z. B. Kristalle gezüchtet, die eine Länge
haben, die beispielsweise das 1- bis 5fache des Durchmessers des Kristalls haben.
Erfindungsgemäß befindet sich in dem Innern des
Außenteiles 51 des Gasablenkrohres 5 ein zu diesem Gasablenkrohr zugehöriger Einsatz 53. Dieser Einsatz
53 ist, wie auch aus der Figur ersichtlich, axial innerhalb,
d.h. im Innenraum des Außenteiles 51, angeordnet.
Mittels einer ganz schematisch dargestellten Einrichtung 54. z. B. mit Schraubenantrieb, laßt s;ch dieser
Einsatz 53 in dem Außenteil 51 gegenüber diesem axial verschieben, und zwar in der in F i g. 1 gewählten Darstellung
nach unten Die F i g. 1 zeigt eine dahin gehende Weiterbildung der Erfindung, daß innerhalb des
Außenteiles 51. und zwar innerhalb des bereits erwähnten Einsatzes 53, ein weiterer Einsat/ 56 vorgesehen ist.
Wie der Einsatz 53 ist auch der Einsat? 56 axial in dem Außenleil 51, und zwar innerhalb des Einsatzes 51, angeordnet.
Der Einsatz 56 ist gegenüber dem Außenteil 51 und im Regelfall auch gegenüber dem Einsatz 53
axial verschiebbar. Die Verschiebbarkeit des Einsat/es
56 ist in der in F i g. 1 gewählten Darstellung ebenfalls derart, daß ein Absinken des Einsatzes gegenüber dem
Teil 51 und dem Einsatz 53 durchführbar ist. wozu eine ebenfalls nur schematisch angedeutete Einrichtung 57 (iS
vorgesehen ist. Diese arbeitet z. B. ebenfalls mit Schraubenantrieb. Bei dem speziellen Ausführungsbeispiel
nach der F i g. 1 sind also die Krisiallhalterung 63.
der erste Einsatz 56, der dazu äußere Einsatz 53 gegeneinander und gegenüber dem Außenteil 51. wie angege
ben, axial verschiebbar.
Bei Inbetriebnahme einer in F i g. 1 dargestellten erfindungsgemäßen
Vorrichtung 1, bei der sich auf der Kristallhalterung 63 anfänglich nur der Keimkristall 62
befindet, werden diese axial bewegbaren Teile zunächst so eingestellt, daß sich die Stirnfläche 55 des äußeren
Einsatzes 53 und die Stirnfläche 5S des inneren Einsatzes 56 im wesentlichen in einer Höhe mit der Oberkante
der kegelförmigen Fläche 52 des Außenteiles 51 befinden, wozu dann die Kristallhalterung 63 in eine Lage
gebracht wird, bei der die Grenzfläche 64 zwischen dem schon vorhandenen Keimkristall 62 und dem später
aufwachsenden Kristall 6 vorzugsweise im wesentlichen auf eine etwas höhere, z. B. 10 mm höhere Lage
über der Stirnfläche 58 gebracht wird.
Mit zunehmendem Aufwachsen des Kristalls 6 auf dem Keimkristall 62 erfolgt eine absichtliche Vergrößerung
des Querschnittes des Kristalls 6, vergleichweise zum Querschnitt der Grenzfläche 64. Dieses ist als Verbreiterung
in der Darstellung der F i g. 1 deutlich zu sehen. Man erreicht diese Querschnittsvergrößerung
dadurch, daß man die Wachstumsbedingungen des Kristalls so einstellt, daß von dem auf der Wachstumsfron!
61 des Kristalls in der Hitze der Flamme schmelzenden, pulverförmig zugeführten Material ein Anteil über den
Rand der Wachstumsfront zur Seitenfläche und auf die Seitenfläche des Kristalls hin fließt und dort erstarrt.
Mit dieser sukzessiven Vergrößerung des Querschnittes des Kristalls 6 wird im Betrieb der crfindungsgemä
ßen Vorrichtung zunächst mittels der Einrichtung 57 der innere Einsatz 56 gegenüber dem Außenteil 51 und
dem Einsatz 53 derart abgesenkt, wie der Querschnitt des Kristalls 6 zunimmt. Es muß unbedingt vermieden
werden, daß der auch im Querschnitt wachsende Kristall mit dem oberen Rand des Einsatzes 56 zusammenschmilzt.
Die Absenkung des Einsatzes 56 erfolgt in einem solchen Maße bei Betrieb der erlmdungsgemä-(ien
Vorrichtung, wie eine Zunahme des Querschnittes des aufwachsenden Kristalls erreicht wird. Dabei wird
die Flamme 4 weiterhin praktisch vollständig seitlich abgelenkt, und so wenig wie praktisch möglich dringen
Anteile der Flammengase in den Innenraum des Gasablenkrohres 5. d.h. in den Innenraum zwischen dem
äußeren Einsatz 53 des Gasablenkrohres 5 und den Kristall 6 bzw. die Kristallhalterung 63. ein. Mit weiter
zunehmendem Wachsen des Querschnittes des Kri; tails 6 wird dann auch der äußere Einsatz 53 gegenüber dem
feststehenden Außenteil 51 der Gasablenkeinheit abgesenkt.
Die Verwendung der Einsätze 53 und 56 gemäß der Erfindung hat den Zweck, die geforderie Querschnittsvergrößerung des Kristalls, ausgehend vom Querschnitt
des Keimkristalls, tatsächlich zu erreichen. An sich könnte zumindest zu einem gewissen Maße das
Eindringen der Flammengase in den Innenraum des Gasablcnkrohres durch ein gasdichtes Abschließen des
unteren Endes des Innenraumes des Gasablenkrohres verhindert werden. Tatsächlich durchgeführte Versuche
zeigten jedoch, daß damit das Problem nicht gelöst werden konnte, die geforderie Querschnittsvergrößerung
tatsächlich zu erreichen. Durch die Verwendung der erfindungsgemäßen Einsätze konnte überraschenderweise
die Querschnittsvergrößerung nunmehr einwandfrei erreich! werden. Dies beruht auf dem Umstand,
daß durch die der seitlichen Wandung des Kristalls nahe benachbart stehenden oberen Teile der Ein-
sätze eine zu starke Abkühlung der Seitenwand des wachsenden Kristalls verhindert wird, die sich ähnlich
einem Kegel (wie bei Saphir) oder einer Pyramide (wie bei Spinell) erweitert. Die jeweilige Form hängt von
der Kristallstruktur und der unterschiedlichen Wachstumsgeschwindigkeiten
der einzelnen Kristallflächen ab. Wenn man dagegen beim Versuch der Vergrößerung
des Querschnittes des aufwachsenden Kristalls die erfindungsgemäß vorgesehenen Einsätze von vornherein
wegläßt und das Gasablenkrohr bzw. das noch verbleibende Außenteil 51 von vornherein auf den zu erreichenden
Querschnitt des Kristalls bemißt, tritt, wie festgestellt wurde, eine zu starke Abkühlung dieser
oben definierten Seitenwände des Kristalls ein, und die Querschnittsvergrößerung des Kristalls auf ein großes i«
Maß, z. B. größer als 35 bis 40 mm Durchmesser, ist nicht erreichbar.
Um das erfindungsgemäß angestrebte Ziel möglichst optimal zu erreichen, hat es sich als vorteilhaft erwiesen,
auch für die Einsätze möglichst hochtemperaturbeständige Materialien wie Aluminium- oder Zirkonoxid
zu verwenden. Es ist gut. darauf zu achten, daß dip Wärmeableitung vom oberen Rand 55 bzw. 58 des jeweiligen
Einsatzes in die unteren Anteile des jeweiligen Einsatzes gering gehalten wird. Hierfür bietet sich sowohl
eine entsprechende Materialauswahl als auch eine kleine Bemessung des Materialquerschnitts der Einsätze
an, wozu gegebenenfalls eine größere Anzahl von Einsätzen verwendet wird, um die gesamte Querschnittsdifferenz
zwischen Keimkristallquerschnitt und endgültigem Kristallquerschnitt überbrücken zu können.
Die dargestellte Ausführungsform weist zwei Einsätze 53 und 56 des Gasablenkrohres 5 auf. Abhängig von
dem angestrebten, vorgegebenen Maß der Quer-Schnittsvergrößerung des Kristalls 6 gegenüber dem
Keimkristall 62 kann es ausreichend sein, nur einen Einsatz im Außenteil 51 des Gasablenkrohres 5 vorzusehen,
oder es kann zweckmäßig sein, eine noch größere Anzahl als die zwei dargestellten Einsätze axial ineinander
anzuordnen.
Hierbei ist zu berücksichtigen, daß man im Regelfall von einem Keimkristall ausgeht, der einen im Sinne der
Erfindung nur kleinen Querschnitt (d.h. Grenzfläche 64) hat, dessen Querschnitt beispielsweise zwischen
1 · 1 und 3 · 3 (mm · mm) liegt.
Mit einer wie aus der obengenannten Offenlegungsschrift bekannten Vorrichtung mit Gasablenkrohr
konnten nach dem Prinzip des Verneuil-Verfahrens Einkristalle, z. B. aus Aluminiumoxid oder aus Aluminium-Magnesium-Spinell,
hergestellt werden, die Durchmesser bis zu 35 mm hatten. Mit einer wie erfindungsgemäßen
Vorrichtung mit zwei Einsätzen können jetzt Einkristalle mit Querschnitten mit einem Durchmesser
bis zu 60 mm hergestellt werden, wobei auch diese außerordentlich großen Einkristalle rißfrei sind ur.d
keine solchen Spannungen aufweisen, die sich bei nachfolgender mechanischer Bearbeitung, z. B. zu Substratscheiben,
nachteilig bemerkbar machen könnten.
Für das Züchten von Einkristallen mit win angegeben außerordentlich großen Querschnitten hat es sich als
sehr vorteilhaft erwiesen, einen Brenner mit vergleichsweise zum Querschnitt des Kristalls mindestens gleich
großem Flammenquerschnitt zu verwenden. Ein solcher Brenner ist bei der in F i g. 1 gezeigten Ausführungsform
dargestellt. Dieser Brenner weist drei Zufühningsrohre für das Brenngas, eine Sauerstoff-Wasserstoff-Knallgasmischung
auf.
Bei einer Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist für die Gasablenkeinheit 5 das Außenteil 51 in
seiner Masse so zu bemessen, daß es gegenüber dem hergestellten Kristall eine so große Wärmekapazität
hat. daß der auch bei der Vorrichtung nach der Offenlegungsschrift 20 14 203 unter anderem erreichte Effekt
erzielt wird, nämlich bei und nach dem Abschalten der Flamme ein im wesentlichen weiterhin direktes thermisches
Gleichgewicht zwischen dem Kristall 6 und dem Gasablenkrohr 5 zu gewährleisten. Für einen beispielsweise mit 55 mm Durchmesser zu züchtenden Kristall 6
wird ein Gasablenkrohr mit einem erfindungsgemäßen Außenteil 51 mit einem Innendurchmesser von 65 mm
vorgesehen. Um z. B. für Spinell oder Aluminiumoxid als Material für den Kristall 6 ein bezüglich e'er Wärmekapazität
ausreichend bemessenes Gasablenkrohr zu haben, wird der Außendurchmesser des Außenteiles
51 mit etwa 130 mm Durchmesser gewählt. Als Material für das Außenteil 51 eignen sich insbesondere Aluminiumoxid
und Zirkonoxid. Für einen Keimkristall mit einem Durchmesser von 3 · 3 mm2 empfiehlt es sich,
beispielsweise zwei Einsätze 53 und 56 vorzusehen, deren Innen- und Außendurchmesser mit 40 und 49 bzw.
51 und 63 mm bemessen sind. Bei diesen Durchmesserwerten ist zwischen den einzelnen Einsätzen und dem
Außenteil noch genügend freier Raum, um diese Einsätze ausreichend frei bewegen zu können und andererseits
ein Eintreten der Flammengase in den Innenraum des Außenteiles 51 ausreichend zu verhindern. Im Rahmen
der Erfindung ist zu beachten, daß die Einsätze zum Zeitpunkt des Abschaltens der Flamme im Regelfall
bezüglich der Wärmekapazität und des thermischen Gleichgewichtes zwischen Kristall 6 und Gasablenkrohr
5 nur einen kleinen Beitrag leisten, da sich diese zu diesem Zeitpunkt zusammen mit der Kristallhalterung
63 bereits in ihrer extrem abgesenkten Stellung befinden. Sie verringern aber die Wärmeabstrahlung des
Kristalls nach (in der Figur gesehen) unten.
Eine Vereinfachung für die Einrichtungen 54 und 57 zum axialen Verschieben der Einsätze 53 und 56 ergibt
sich aus dem Umstand, daß abgesehen von der Anfangsphase des Wachstums des Kristalls 6, d. h. der
Phase, in der eine wesentliche Verbreiterung des Kristalls 6 zu seinem endgültigen Durchmesser erfolgt, mit
Erreichen des Endquerschnittes die axiale Verschiebung der Einsätze 54 und 57 (bei dem dargestellten
Ausführungsbeispiel die Absenkung) zusammen, d. h. gekoppelt, mit der Absenkung der Kristallhalterung 63
erfolgen kann. Die Einrichtungen 57 und 54 können dementsprechend mit der Kristallhalterung 63 gekoppeil
angebracht sein, wobei diese beiden Einrichtungen 54 und 57 durch beispielsweise manuell zu betätigende
Stellvorrichtungen, z. B. Stellschrauben 54, 57. für der
Betrieb der Anfangsphase gegenüber der Kristallhalte rung verstellbar (absenkbar) sind. Die Schrauben kön
nen sich in einer von der Kristallhalterung 63 rotations frei gehaltenen Platte 154 befinden.
Hierzu i Bläh Zeichnungen
Claims (2)
1. Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen nach Verneuil, mit einem Keimkristall, auf den von
oben her pulverförmiges Material zugeführt wird, dessen oberes Ende mit einer von oben auf ihn gerichteten
Flamme aufgeschmolzen wird, mit einer axial bewegbaren Kristallhalterung, mit einem koaxial
um den Kristall angeordneten Gasablenkrohr, durch das die Fiammengase unterhalb der Wachstumsfront
des Kristalls seitlich abgelenkt werden, und mit einem Ofen um Flamme und Kristall, und
bei der das Gasablenkrohr eng um den Kristall angeordnet ist und außen eine der Flamme entgegengerichtete
kegelförmige Gestalt hat und bei der die Lage der Wachsiumsfrom des Kristalls in bezug auf
das Gasablenkrohr so gehalten ist. daß die Flammengase unmittelbar unter der Wachstumsfront
durch das Gasablenkrohr vom Kristall abgelenkt werden, nach Patent 20 14 203, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gasablenkrohr (5) wenigstens einen Einsatz (53) aufweist, der zu einem
Außenteil (51) des Gasablenkrohres axial angeordnet ist. und der in der Vorrichtung gegenüber diesein
Außenteil (51) axial bewegbar gehalten ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gasablenkrohr mehrere axial ineinander und axial innerhalb des Außenteiles angeordnete
Einsätze (53. 56) aufweist, die voneinander
unabhängig axial bewegbar gehalten sind.
i. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß die bewegliehen Einsatze (53.
56) aus hochfeuerfestem Material, wie /..B. Aluminiumoxid
oder Zirkonoxid, bestehen.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742415110 DE2415110C2 (de) | 1974-03-28 | Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallen nach Verneuil | |
GB9496/75A GB1488940A (en) | 1974-03-28 | 1975-03-07 | Production of monocrystals by the verneuil method |
CH296675A CH590083A5 (de) | 1974-03-28 | 1975-03-10 | |
SE7503281A SE7503281L (sv) | 1974-03-28 | 1975-03-21 | Anordning for framstellning av enkristaller enligt verneuil. |
IT21547/75A IT1049377B (it) | 1974-03-28 | 1975-03-24 | Dispositivo per preparare monocristalli secondo verneuil |
FR7509266A FR2265451B2 (de) | 1974-03-28 | 1975-03-25 | |
JP50041381A JPS50140380A (de) | 1974-03-28 | 1975-03-28 | |
US05/563,165 US4000977A (en) | 1974-03-28 | 1975-03-28 | Apparatus for producing monocrystals by the verneuil technique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742415110 DE2415110C2 (de) | 1974-03-28 | Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallen nach Verneuil |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2415110B1 DE2415110B1 (de) | 1975-05-22 |
DE2415110A1 DE2415110A1 (de) | 1975-05-22 |
DE2415110C2 true DE2415110C2 (de) | 1976-01-29 |
Family
ID=
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