DE2317221A1 - Kontaktloser schalter - Google Patents

Kontaktloser schalter

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DE2317221A1
DE2317221A1 DE19732317221 DE2317221A DE2317221A1 DE 2317221 A1 DE2317221 A1 DE 2317221A1 DE 19732317221 DE19732317221 DE 19732317221 DE 2317221 A DE2317221 A DE 2317221A DE 2317221 A1 DE2317221 A1 DE 2317221A1
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Germany
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contactless switch
switch
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effect transistor
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Application number
DE19732317221
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English (en)
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Bernhard Dipl Ing Rall
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/96Touch switches
    • H03K17/964Piezoelectric touch switches

Landscapes

  • Push-Button Switches (AREA)

Description

  • Kontaktloser Schalter Die Erfindung betrifft einen kontaktlosen Schalter1 der als Ersatz für normale Tasten- oder Endschalter verwendet werden kann.
  • Bekannte kontaktlose Schalter und Schalteranordnungen verwenden als Prinzip hauptsächlich die Einwirkung von Lageänderungen von beispielsweise Magneten, Lichtbienden oder elektromagnetischen Abschirmungen auf elektrische Schaltkreise, vorzugsweise mono-oder bistabilen Verhaltens, und sorgen bei einer bestimmten Stellung der bewegten Elemente für das Einschalten eines Stromkreises.
  • Bekannt ist auch die Anwendung des sog. piezoelektrischen Effektes.
  • Bei diesem wird eine mechanische Kraft in eine elektrische Spaneung verwandelt. Die bekannten Schaltervorschläge nach diesem Prinzip haben jedoch den Nachteil, daß sie nicht betriebssicher arbeiten können, weil sie auf falschen Annahmen über die Wirkungsweise des Piezowandlers beruhen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen einwandfrei funktionierenden kontaktlosen Schalter anzugeben. Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 genannte Erfindung gelöst. Weitere Verbesserungen und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Bei Ausbildung des Wandlerkörpers nach Anspruch 2 werden- bei gleich großen Kraftstößen besonders hohe Steuerspannungen erzielt. Zur Entladung der irreversiblen Spannung am piezokeramischen Wandler nach dem Schalten geben Ansprüche 3 und 7 eine einfache vorteilhafte Lösung an.
  • In allen modernen Tischrechenmaschinen, in modernen Fernsprechapparaten und zukünftigen elektronischen Schreibmaschinen werden Tastaturen benötigt, die zusammen mit integrierten Feldeffektgroßschaltkreisen arbeiten müssen. Es ist daher vorteilhaft, diesen kontaktlosen Schalter, dessen piezokeramischer Wandler etwa die Ausmaße von t mm Durchmesser und 3 bis 5 mm Länge besitzt, direkt mit dem Gehäuse aus Keramik oder Kunststoff des integrierten Großschaltkreises zu einer Einheit zusammenrabauen. Dadurch entfallen alle weiteren Kontaktierungsschwierigkeiten. Die Wandler können mit der ohnehin benötigten Verdrahtung des Schaltkreisgehäuses integriert eingebaut werden. Eine entsprechende Verbilligung der ganzen Einheit und eine Standardisierung ware die Folge.
  • Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsbeispielen und Diagrammen näher beschrieben. Es zeigen: Fig. 1 übliche Meßanordnung zur Messung des Zusammenhanges zwischen Kraft und abgegebener Spannung eines piezoelektrischen Wandlers Fig. 2 übliche Kraft-Spannungskennlinie eines pezoelektrischen Wandlers Fig. 3 Meßanordnung zur Messung des Zusammenhanges von Kraft und Spannung bei nahezu punktförmiger Belastung Fig. 4 Kraft-Spannungskennlinie bei nahezu punktförmiger Belastung Fig. 5 Ansteuerung eines Feldeffekttransistors über einen piezoelektrischen Wandler gemäß der Erfindung Fig. 6 zeitlicher Verlauf der Spannung bei und nach einem Kraftstoß auf den piezoelektrischen Wandler Fig. 7 Diagramm wie Fig. 6, jedoch mit komprimiertem Zeitmaßstab Fig. 8 zeitlicher Verlauf der Ausgangsspannung am Feldeffekttransistorverstärker Fig. 9 Schaltung eines kontaktlosen Schalters mit Ableitwiderstand Fig. 10 Schaltung eines kontaktlosen Schalters mit steuerbarem Feldeffekttransistor zur Spannungsableitung Fig. 11 Integration kontaktloser Schalter in ein Keramikgehäuse für eine integrierte Schaltung, bei der siie Tasten direkt auf dem Gehäuse angeordnet sind Fig. ila Anordnung des Tastenfeldes Fig. lib Anordnung der kontaktlosen Schalter und der integrierten Schaltung in dem Gehäuse Fig. llc Seitenansicht der integrierten Anordnung.
  • In Fig. 1 ist die übliche Meßanordnung zur Messung der Kraft Spannungskennlinie von Ebzowandlern dargestellt. Der Wandler körper 1 liegt auf einer Auflage 3 und wird von einem Stempel 2 gedrückt. Im Verstärker 4 wird die Impedanztransformation von der extrem hochohmigen Spannung am Wandler auf die weiterverarbeitbare Ausgangsspannung 5 vorgenommen.
  • Fig. 2 zeigt die mit der Meßanordnung nach Fig. 1 erreichbare Charakteristik der Spannung U am piezoelektrischen Wandler in Abhängigkeit von der Druckkraft P. Die Spannung U ist nahezu proportional der Kraft P und zeigt praktisch keine Hysterese.
  • Fig. 3 zeigt einen Meßaufbau, der den tatsächlichen Verhältnissen bei kontaktlosen Schaltern genauer entspricht. Statt-der ebenen Fläche des £empels 2 ist ein kugelkalottenförmiger Stempel 6 vorgesehen.
  • Fig. 4 zeigt die sich durch den kugelkalottenförmigen Stelnl,el einstellende Spannung U am piezoelektrischen Wandler in Abhängigkeit von der Kraft P. Man erkennt deutlich eine starke Nichtlinearität zwischen Spannung und Kraft und eine außerordentlich starke Hysterese der Spannungs-Kraftkurve. Nach Wegnahrne der Belastung oder am Ende eines Kraftstoßes zeigt sich eine statische, der Polarisationsrichtung entgegengesetzte Restspannung UR. Nach der Belastung benimmt sich der piezoelektrische Wandler so, als wäre er ein aufgeladener Kondensator.
  • Diese in der Fachwelt bisher nicht bekannte Erscheinung wird in dem vorgeschlagenen Schalter ausgenutzt.
  • Die erzielbaren Spannungen am Wandlerkörper sind umso höher, je niedriger die Schaltkapazität und die innere Kapazität Ci des Wandlers C = i = ist. In dieser Gleichung bedeutet # die Dielektrizitätskonstante des Wandlermaterials. Die innere Kapazität des Wandlers kann durch Wahl eines schlanken Wandlerkörpers mit kleinem Querschnitt A und großer Länge 1 klein-gehalten werden. Mit A = 1 mm² und l = 5 mm ist beispielsweise ci#2pF. Die innere Kapazität kann also kleiner als die äußeren Lastkapazitäten sein, die etwa 5 bis 10 pF betragen.
  • Der Kraftstoß # Kdt = m.v kann beispielsweise durch einen Schlag eines kleinen Hammers mit der Masse m mit der Geschwindigkeit v auf den Wandlerkörper ausgeübt werden.
  • Fig. 5 zeigt eine vorteilhafte Schaltungsanordnung zur Ausnutzung der piezoelektrischen Spannung bei stoßförmiger Belastung.
  • Ein Hammer 7 trifft auf den vorzugsweise besonders schlank gewählten längspolarisierten piezoelektrischen Wandler 8 und erzeugt an seinen Elektroden 13 und 14 eine Spannung. Die Elektrode 14 liegt an dem gemeinsamen Bezugspotential der Schaltung, hier dem positiven Pol der Betriebsspannung. Parallel zu dem Wandler sind ein hochohmiger Widerstand 9 und die Steuerelektro den eines MOS-Feldeffekttransistors 1o geschaltet. Die Drainelektrode des Feldeffekttransistors liegt über einen Widerstand 11 am negativen Pol der Betriebsspannung (-U).
  • Widerstandswert R9 in der Der hochohmige Widerstand 9, dessenfiGrößenordnung bei 100 bis 1000 i?> liegen kann, dient zur Entladung der Spannung am Wandler 8 nach Beendigung des Stoßvorganges. Der Feldeffekttransistor verstärkt die am Wandler auftretende Spannung U . Am Ause gang 12 kann die Arbeitsspannung U abgenommen werden.
  • Fig. 6 zeigt den zeitlichen Verlauf der elektrischen Spannung am Wandler bei einer kurzzeitigen Stoßbelastung. Das Oszillogramm wurde mit einem Speicherosziliographen ermittelt und zeigt, daß die positive Spannung U unmittelbar nach der Stoße erregung durch die Eigenschwingungen des piezoelektrischen Wandlers zerklüftet ist. Die Kennlinie in Fig. 4 wird dabei bis zur Spitze in mehreren Schleifen durchlaufen. Bei Verschwinden der Kraft nimmt die Spannung einen negativen Wert an, der nur sehr langsam verschwindets wobei die Zeitkonstante 'Z = RsCi in die Größenordnung 10 ms gelegt werden kann.
  • In Fig. 7 sind die gleichen Verhältnisse wie in Fig. 6 dargestellt. Lediglich der Zeitmaßstab ist wesentlich komprimiert.
  • In dieser Darstellung ist das langsame Absinken der Spannung U mit der Zeit erkennbar. Solange die Spannung U die Schwelle e spannung U5 der Steuerstrecke des Transistors 10 (Fig. 5) überschreitet, ist der.Feldeffekttransistor durchgesteuert.
  • In Fig. 8 ist der durch den in Fig. 7 gezeigten Spannungsverlauf am piezoelektrischen Wandler verursachte Verlauf der Ausgangsspannung U des Feldeffekttransistors über der Zeit dargee stellt. Vor dem StoB hat die Ausgangsspannung U den Wert -U.
  • a Sobald nach dem Stoß die Spannung am piezoelektrischen Wandler negativ geworden ist, wird der Feldeffekttransistor durchge steuert und die Spannung Ua sinkt nahezu auf den Wert 0 V. Durch die Entladung des Wandlers über den Widerstand 9 sinkt di< Spannung Ue ab, so daß nach einer bestimmten, durch die Zeitkonstante von Wandlerkapazität, Schaltkapazität und Widerstand definierten Zeit die Spannung Ua wieder auf den Wert -U zurückgeht. Durch die Ausnützung der im piezoelektrischen Wandler gespeicherten Ladung ist es mäglich, einen Schalter mit in bestimmten Grenzen beliebiger Verweilzeit zu bauen.
  • Zur Erzeugung eines Kraftstoßes sind nur geringe Tastkräfte, die um 50 bis 100 Pond (0,5 bis l N) liegen, nötig. Diese können, in einer Feder gespeichert, plötzlich freigesetzt werden. Dadurch erhält man bei kleinen Tastkräften große und gleichmäßige Auftreffkräfte. Gleichzeitig ist amn in der Lage, durch den hier beschriebenen Speichereffekt, die Verweilzeit des Schalters in gewünschter Weise zu bemessen.
  • Fig. 9 zeigt einen vollständig potential freien Schalter, der für industrielle Schaltkreise anwendbar ist und den man beispielsweise zur Steuerung einer Leistungselektronik einsetzen kann.
  • Der mechanische Teil des Schalters besteht aus dem Wandler 8 und der stoßenden Masse 7, der elektrische Teil aus der Parallelschaltung des Ableitwiderstandes 9 und der Steuerstrecke des feldeffekttransistors 10, die an den Elektroden das Wandlers angeschlossen sind I)ie elektrischen Kontakte werden durch di! i Source-Elektrode 141 und die Drain-Elektrode 121 des Feldeffekttransistors gebildet. Der Durchschaltwiderstand des Feldeffekttransistors liegt in der Größenordnung von 100 Ohm und weniger.
  • In Fig. 10 ist eine Abwandlung der Anordnung nach ring. 9 gezeigt, bei dem der Ableitwiderstand 9 durch einen weiteren MOS-Transistor 25 ersetzt ist. Nach erfolgter Einschaltung kann so mittels eines Steuerimpulses an der Gate-Elektrode 26 der wandler kurzgeschlossen und damit der Schalter ausgeschaltet werden. Das ist dann besonders vorteilhaft, wenn der Schalter gleich nach dem Betätigen wieder einschaltbereit sein soll oder wenn er gegen eine Neubetätigung für eine definierte Zeit gesperrt bleiben soll.
  • Fig. 11 zeigt die Anwendung des kontaktlosen Schalters beispielsweise in einem Fernsprechapparat. Fig. 1la zeigt die zlfeckma3i3e Anordnung des Tastenfeldes. Die Fig. lib und llc zeigt die Anordnung der piezoelektrischen Wandler 8 unter den entsprechenden Tasten des Tastenfeldes. Die einzelnen piezoelektrischen Wandler sind in dem Gehäuseträger 15 eingelassen und mit der integrierten Schaltung unterhalb des Deckels 16 verbunden. Die Ausgänge der integrierten Schaltung führen über hier nicht gezeigte Leitungen an die Steckverbindungen 17, die zu anderen Teilen des Fernsprechapparates führen. Die Fig. llc zeigt einen Schnitt durch das Tastenfeld mit den Tasten 14, den Wandlern 8 und der integrierten Schaltung 16. Durch die hier gezeigte Anordnung ist es möglich, die Wandler technisch gut realisierbar einzubauen, kapazitätsarm zu verdrahten und zu einer Einheit zusammenzufassen, die auch in der Herstellung billig ist.
  • Der Mechanismus unter den Tasten 141 der notwendig ist, 1 um aus der langsamen Tastenabwärtsbewegung einen Kraftstoß zu machen, kann ähnlich dem der bekannten Mikroschalter gewählt werden.
  • Natürlich sind alle aus der Feinmechanik bekannten und denkbaren Anordnung zur Erzeugung eines Krafstoßes, alco irgendwelche Schnappmechanismen, in gleicher Weise geeignet, die Aufgabe dieses Auslösemechanismus zu übernehmen. Auch eie andere nordnung der kontaktlosen Schalter1 der in Fig. 11 nur als Ausführungsbeipiel gezeigten Anordnung ist möglich.

Claims (7)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e
    ii, Yontaktloser Schalter mit einem piezokeramischen Wandler, der bei der Schalterbetätigung einen Kraftstoß erhält, diesen in eine elektrische Spannung umwandelt, welche zur Steuerungeines Feldeffekttransistors dient, gekennzeichnet durch die Ausnutzung der nach dem Ende des Kraftstoßes verbleibenden, der ursprünglichen Polarisation entgegengesetzt gepolten irreversiblen Spannung zur Ansteuerung des Feldeffekttransistors.
  2. 2. Kontaktloser Schalter nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Ausbildung des Wandlerkörpers mit einem möglichst grof.en Verhältnis von Länge zum Querschnitt.
  3. 3. Kontaktloser Schalter nach Anspruch 1 und 2, gekennzeichnet durch die Parallelschaltung eines hochohmigen Widerstandes (9) zu den Elektroden des piezoelektrischen Wandlers.
  4. 4. Kontaktioser Schalter nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch die Verwendung als potentialfreier Schalter in elektronischen Steuergeräten.
  5. 5. Kontaktioser Schalter nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, gekennzeichnet durch den Einbau der piezoelektrischen Wandler und der integrierten Feldeffekttransistor-Schaltkreise in ein gemeinsames, die Schalttasten tragendes Gehäuse.
  6. 6. Kontaktloser Schalter nach einem oder mehreren der vorangegangenen Ansprüche, gekennzeichnet durch eine monostabile mechanische Energiespeichereinrichtung zur Umsetzung einer langsamen Tastbewegung in einen zur Betätigung des Schalters dienenden Kraftstoß.
  7. 7. Kontaktloser Schalter nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch einen parallel zu den Wandlerelektroden geschalteten Feldeffekttransistor (25), der nach erfolgter Schalterbetätigung mittels eines Steuerimpulses an seiner Gate-Elektrode (26) leitend gemacht wird und den Wandler elektrisch kurzschließt.
    L e e r s e i t e
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2455818A1 (fr) * 1979-05-04 1980-11-28 Lewiner Jacques Perfectionnements aux dispositifs pour exploiter les variations de charge d'un condensateur de faible capacite contenant un dielectrique charge
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