DE2314867A1 - ELECTROPHOTOGRAPHIC MATERIALS - Google Patents
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Description
NEUE ADRESSE DR. LUISE WESSELY PATENTANWALT NEW ADDRESS DR. LUISE WESSELY PATENT ADVERTISER
Tel. (O811) 17 32 O3Tel. (O811) 17 32 O3
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26. Mär, 1973 Docket SA 971 θί*9 Mar 26, 1973 Docket SA 971 θί * 9
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATIONINTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
Armonk, N.Y. 10 504, USA.Armonk, N.Y. 10 504, USA.
Elektrophotographische MaterialienElectrophotographic materials
Die vorliegende Erfindung betrifft elektrophotographische Platten.The present invention relates to electrophotographic plates.
Die Verwendung von glasartigem Selen in der Elektrophotographie jThe use of vitreous selenium in electrophotography j
ist bekannt, beispielsweise aus der US-Patentschrift 2 970 9Ο6. jis known, for example from US Pat. No. 2,970,9Ο6. j
Die Zugabe von Tellur zu Selen ist in der US-Patentschrift ;The addition of tellurium to selenium is described in the US patent;
2 7^5 327 beschrieben. Die Zugabe von Arsen zu Selen ist in der : US-Patentschrift 2 803 5^2 beschrieben.2 7 ^ 5 327 described. The addition of arsenic to selenium is in the: U.S. Patent 2,803,512.
Die vorliegende Erfindung betrifft elektrophotographische Platten, die eine leitfähige Unterlage, eine Ladungstransportschicht und eine Ladungserzeugungsschicht aufweisen, die im wesentlichen aus 5 bis 35 Gew.-56 Tellur, 0,5 bis 20 Gew.-55 Arsen und als Rest im wesentlichen glasartigem Selen besteht.The present invention relates to electrophotographic plates, which is a conductive pad, a charge transport layer and have a charge generation layer consisting essentially of 5 to 35 wt. 56 tellurium, 0.5 to 20 wt. 55 arsenic and the remainder im essential vitreous selenium.
Die vorliegende Erfindung betrifft somit die Elektrophotographie. Insbesondere betrifft sie eine neue Ladungserzeugungsschicht zur Verwendung in elektrophotographischen Platten. Erfindungsgemäss wird eine Ladungserzeugungsschicht geschaffen, die im wesentlichen aus 5 bis 35 Gew.-Ji Tellur und 0,5 bis 20 Qevt.-% Arsen besteht, , wobei der Rest im wesentlichen glasartiges Selen ist.The present invention thus relates to electrophotography. In particular, it relates to a new charge generation layer for use in electrophotographic plates. According to the invention, a charge generation layer is created which consists essentially of 5 to 35 percent by weight of tellurium and 0.5 to 20 percent by weight of arsenic, the remainder being essentially vitreous selenium.
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Das erfindungsgemässe Dreikomponentenmaterial weist als Ladungserzeugungsschicht überraschende Vorteile auf.The three-component material according to the invention has as a charge generation layer surprising advantages.
Bei der Elektrophotographie erfüllt der photoleitende Isolator , zwei Funktionen, nämlich die Ladungserzeugung und den Ladungstransport. In den meisten üblicherweise angewendeten Verfahren . werden beide Funktionen durch eine einzige Schicht, beisRielswei- Ί se eine Schicht aus glasartigem Selen, durchgeführt. Diese beiden.! Funktionen können jeweile durch eine gesonderte Schicht erfüllt ' werden, und dies ist bei Systemen, die die Erfindung betrifft, j der Fall. ' !In electrophotography, the photoconductive insulator fulfills two functions, namely charge generation and charge transport. In most commonly used procedures. Both functions are carried out by a single layer, for example a layer of vitreous selenium. These two.! Functions can each be fulfilled by a separate layer, and this is the case with systems to which the invention relates. '!
Erfindungsgemäss werden neue Ladungserzeugungsschichten zur Ver- '·· Wendung in elektrophotographisehen Platten geschaffen. Diese neu- · en Ladungserzeugungsschichten bestehen im wesentlichen aus 5 bis 35 Gew.-Si Tellur und 0,5 bis 20 Gevj,-% Arsen, wobei der Rest im : wesentlichen glasartiges Selen ist. Die bevorzugte Zusammensetzung beträgt 25 bis JO % Tellur und 2 bis 10 % Arsen. ; Diese Dreikomponentenzusammensetzung besitzt unerwartete Vorteile. als Ladungserzeugungsschicht. Insbesondere ist sie ausserordentlich vielseitig. Je nach den Ladungsbedingungen und der Art der ' Ladungstransportschicht können die erfindungsgemässen Ladungserzeugungsschichten entweder Elektronen oder Leerstellen erzeugen* Ausserdem sind sie in einigen Fällen zur Verwendung auf der Ober-■ seite von Ladungstransportschichten und in anderen Fällen unter Ladungstransportschichten geeignet. Ausserdem können die erfindungsgemässen neuen Ladungserzeugungsschichten sowohl bei po-1· sitiver Aufladung als auch bei negativer Aufladung verwendet werden. According to the invention, new charge generation layers are created for use in electrophotographic plates. These new charge-generating layers essentially consist of 5 to 35% by weight of Si tellurium and 0.5 to 20 % by weight of arsenic, the remainder being essentially vitreous selenium. The preferred composition is 25 to JO % tellurium and 2 to 10 % arsenic. ; This three component composition has unexpected advantages. as a charge generation layer. In particular, it is extremely versatile. Depending on the charge conditions and the type of charge transport layer, the charge generation layers according to the invention can either generate electrons or vacancies. In addition, they are suitable in some cases for use on top of charge transport layers and in other cases under charge transport layers. Furthermore, the inventive novel charge generation layers can both po- 1 · sitiver charging are used as well as a negative charge.
Die Vielseitigkeit der erfindungsgemässen Ladungserzeugungsschichten ist derart, dass sie beispielsweise zur Erzeugung von Leerstellen, wenn sie positiv aufgeladen werden, als Oberschicht für eine, glasartige Selenladungstransportschicht verwendet werden können. In ähnlicher Weise können die erfindungsgemässen Ladungserzeugungsschichten zur Erzeugung von Elektronen verwendet werden, wenn sie negativ aufgeladen werden, und auf eine Schicht aus einemThe versatility of the charge generation layers according to the invention is such that it can be used, for example, to create voids, when they are positively charged, as an upper class for one, vitreous selenium charge transport layer can be used. The charge generation layers according to the invention can be carried out in a similar manner used to generate electrons when they are negatively charged, and on a layer of a
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organischen Photoleiter aufgebracht werden, wie er beispielsweise | in der US-Patentschrift 3 W 237 beschrieben ist. jorganic photoconductors are applied, for example | in U.S. Patent 3W237. j
Wenn die erfindungsgemässen Ladungserzeugungsschichten mit einer Ladungstransportschicht aus Polyvinylcarbazol oder einer ' Schicht aus Oxadiazol enthaltendem Polyester bedeckt sind, sind ■ sie brauchbar, wenn sie in der negativen Weise aufgeladen werden.: In entsprechender Weise können die neuen erfindungsgemässen La- ! dungserzeugungsschichten durch eine Schicht aus Trinitrofluorenon\ enthaltendem Polyester bedeckt sein und in der positiven Weise ;If the charge generation layers according to the invention are covered with a charge transport layer made of polyvinyl carbazole or a layer made of oxadiazole-containing polyester, they are useful if they are charged in the negative manner. In a corresponding manner, the novel La-! generation generating layers may be covered by a layer of trinitrofluorenone \ containing polyester and in the positive manner;
aufgeladen werden. 'to be charged. '
In einigen Fällen kann es vorteilhaft sein, eine glasartige Selen-jtransportschicht zu verwenden, die als Grenzfläche mit der La- j dungserzeugungsschicht eine Zusammensetzung mit Zusammensetzungs-. gradienten aufweist, wobei die Zusammensetzung Selen und Mengen : an Arsen und Tellur enthält, die mit Vergrösserung des Abstands ; von der Ladungserzeugungschichtoberflache abnehmen. Es ist somit ! ersichtlich, dass in Abhängigkeit von der geeigneten Wahl der Ladungstransportschicht die erfindungsgemässen Ladungserzeugungsschichten entweder auf die Ladungstransportschicht als Schicht | aufgebracht oder von der Ladungstransportschicht bedeckt sein kön4In some cases it can be advantageous to use a vitreous selenium transport layer which, as an interface with the charge generation layer, has a composition with compositional properties. has gradients, wherein the composition contains selenium and amounts of : arsenic and tellurium, which as the distance increases; remove from the charge generation layer surface. So it is! It can be seen that, depending on the suitable choice of the charge transport layer, the charge generation layers according to the invention are either applied to the charge transport layer as layer | applied or covered by the charge transport layer4
nen und dass sie entweder negativ oder positiv aufgeladen werden können. Diese ausserordentliche Vielseitigkeit war völlig un-| erwartet und stellt einen der Hauptvorteile der vorliegenden Erfindung dar. !and that they can be charged either negatively or positively. This extraordinary versatility was completely un- | expected and represents one of the main advantages of the present invention.!
Der grösste Vorteil der vorliegenden Erfindung ist die sehr hohe ' Empfindlichkeit der Schichten über einen sehr breiten Spektralbereich, wenn sie als Ladungserzeugungsschichten mit einer geeigneten Ladungstransportschicht verwendet werden. Ein' weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, dass die Schichten sich zur Verwendung auf verschiedensten Unterlagen, sowohl starren als auch flexiblen, und Unterlagen verschiedenster Formen eignen.The greatest advantage of the present invention is the very high 'sensitivity of the layers if they are used as charge generation layers with a suitable charge transport layer over a very broad spectral range. Another advantage of the invention is that the layers are suitable for use on a wide variety of substrates, both rigid and flexible, and substrates of the most varied of shapes.
Es ist wesentlich, dass die angegebenen Prozentsätze an Arsen und Tellur vorhanden sind. Wenn weniger als 5 Gew.-% Tellur inIt is essential that the indicated percentages of arsenic and tellurium are present. If less than 5 wt% tellurium in
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der Ladungserzeugungsschicht vorhanden sind, verliert diese an Empfindlichkeit» Andererseits wird, wenn die Tellurkonzentration über 35 % beträgt, die Dunkelentladung unannehmbar hoch. Wenn nicht zumindest 0,5 Gew.-% Arsen vorhanden sind, kann eine Oberflächenkristallisation der Schicht auftreten. Andererseits ist, wenn die Arsenkonzentration über 2Ό Gew.-% beträgt, die Restladung zu hoch. jOn the other hand, if the tellurium concentration is over 35 % , the dark discharge becomes unacceptably high. If not, at least 0.5 wt -.% Arsenic are present, a surface crystallization of the layer can occur. On the other hand, if the arsenic concentration is over 2Ό wt % , the residual charge is too high. j
Im allgemeinen ist es bevorzugt, dass die erfindungsgemässen Ladungserzeugungsschichten etwa 0,02 bis etwa 1,5 Mikron dick sind, wobei eine Dicke von etwa 0,05 bis 1,0 Mikron besonders bevorzugt ist. In den meisten Fällen sind die Ladungstransportschichten viel dicker, beispielsweise etwa 8 bis etwa 15 Mikron. Wenn sich die Ladungstransportschicht auf der Ladungserzeugungsschicht befindet, so muss die Ladungstransportschicht zumindest teilweise transparent sein.In general, it is preferred that the charge generation layers according to the invention are about 0.02 to about 1.5 microns thick, with a thickness of about 0.05 to 1.0 microns being particularly preferred is. In most cases the charge transport layers are much thicker, for example about 8 to about 15 microns. If the If the charge transport layer is located on the charge generation layer, the charge transport layer must be at least partially be transparent.
Wenn die erfindungsgemässen Ladungserzeugungsschxchten in elektro-1 photographischen Platten verwendet werden, so ist es in den meisten Fällen bevorzugt, dass auch eine geeignete Sperrschicht ver- · wendet wird. Viele Typen von Sperrschichten sind bekannt. Sie die-j nen den Funktionen, die Ladung zu halten und eine Trägerinjektion aus der Leiterunterlage zu verhindern. Sperrschichten können aus organischem Material, beispielsweise Polyamid oder Polyurethan, oder aus anorganischem Material,, wie beispielsweise Aluminiumoxyd, bestehen. In vielen Fällen ist der Aluminiumoxydfilm, der im allgemeinen auf einer leitenden Aluminiumunterlage vorhanden ist, eine geeignete Sperrschicht.When the novel Ladungserzeugungsschxchten be used in electronic one photographic plates, it is preferred in most cases that a suitable barrier layer comparable · turns. Many types of barrier layers are known. They serve the functions of holding the charge and preventing carrier injection from the ladder base. Barriers can be made of organic material, such as polyamide or polyurethane, or of inorganic material, such as aluminum oxide. In many cases the alumina film, which is generally present on a conductive aluminum backing, is a suitable barrier layer.
Die folgenden Beispiele dienen zur weiteren Erläuterung der Erfindung. The following examples serve to further illustrate the invention.
Eine elektrophotographische Platte für positive Aufladung, die aus einer 1 μ Se (68 Gew.-£)-Te (30 Gew.-%)-As (2 Gew.-%)-Erzeugungsschicht, aufgebracht auf eine 35 bis 50 μ TransportschichtAn electrophotographic plate for positive charging, which consists of a 1 μ Se (68 wt £) -Te (30 wt -.%) -As (2 wt -.%) -Erzeugungsschicht, applied to a 35 to 50 μ transport layer
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aus glasartigem Se auf einer anodisierten Al-Unterlage,besteht, j wird durch Vakuumaufdampfen hergestellt. Die Unterlage wird bei ; einer Temperatur in der Nähe von 70 C gehalten, wenn das Aufdampfen in einem Hochvakuumsystem bei einem Druck von etwa 1.10 ^ Torr vorgenommen wird. Der Se-PiIm wird im Vakuum durch Erhitzen der Se-Quelle auf etwa 29O°C für etwa 30 Minuten abgeschieden. Dieser Abscheidung folgt unmittelbar die Abscheidung der SeTeAs-überzugsschicht durch Entspannungs-Verdampfen von vorlegiertem Granulat. Die Tiegeltemperatur zum Entspannungs-Verdampfen von SeTeAs wird normalerweise bei etwa 500°C gehalten. Zur überwachung der Abscheidungsraten und Filmdicken der Se- und SeTeAs-Pilme wird eine Sloan AMNI-II Vorrichtung verwendet. Nach Beendigung der beiden aufeinanderfolgenden Abscheidungen wird die elektrophotographisehe Platte in situ auf 25°C abgekühlt.consists of vitreous Se on an anodized Al base, j is produced by vacuum vapor deposition. The document is at ; maintained at a temperature in the vicinity of 70 C when the evaporation is carried out in a high vacuum system at a pressure of about 1.10 ^ Torr. The Se-PiIm is deposited in a vacuum by heating the Se source to about 29O ° C for about 30 minutes. This deposition is immediately followed by the deposition of the SeTeAs coating layer by means of flash evaporation of pre-alloyed granules. The crucible temperature for flash-evaporating SeTeAs is normally kept at around 500 ° C. A Sloan AMNI-II device is used to monitor the deposition rates and film thicknesses of the Se and SeTeAs pilms. After the completion of the two successive depositions, the electrophotographic plate is cooled in situ to 25 ° C.
Zur Bewertung der Bildqualität wird diese Platte durch Korona-Entladung auf ein positives Potential von etwa 900 Volt aufgeladen und dann mit einer Photokopier-Qrünlichtquelle mit etwaTo evaluate the image quality, this plate is corona discharge charged to a positive potential of about 900 volts and then with a photocopier source of green light to about
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0,28 Mikrojoule/cm OuJ/cm ) belichtet,um auf der Plattenoberfläche ein latentes elektrostatisches Bild, zu bilden.Das latente Bild wird dann entwickelt und auf ein Papierblatt übertragen. Es wird so ι ein von dem Original reproduziertes Bild guter Qualität erhalten.0.28 microjoules / cm OuJ / cm) exposed to on the plate surface an electrostatic latent image. The latent image becomes then developed and transferred to a sheet of paper. It will be so ι obtain a good quality image reproduced from the original.
Quantenwirksamkeitsmessungen zeigen, dass diese elektrophotographische Platte ein breites spektrales Ansprechen mit Spitzenquan- ; tenwirksamkeiten bis zu 1, 0,8 und 0,5 bei 4000, 5000 bzw. 6000 8 besitzt und eine schwache Peldabhängigkeit der Quantenwirksamkeit zeigt.Quantum efficiency measurements show that this is electrophotographic Plate has a broad spectral response with peak quantum; efficiency up to 1, 0.8 and 0.5 at 4000, 5000 and 6000 respectively 8 and shows a weak Peld dependence of the quantum efficiency.
Z ur Prüfung der Oberflächenkristallisation wird ein 1 μ Se (68 Gew.-Ji)-Te (30 Gew.-£)-As (2 Gew.-JC)-PiIm nach einer Wärmebehandlung bei 56°C während 88 Stunden durch Röntgenbeugungsprüfung geprüft. Das Ergebnis, dass keine Kristallinität in dem wärmebe- ! handelten Film nachgewiesen wird, zeigt die erhöhte Beständigkeit j des Films gegen Oberflächenkristallisation infolge des Vorhandenseins von As.To test the surface crystallization, a 1 μ Se (68 Weight Ji) -Te (30 wt. £) As (2 wt. JC) -PiIm after heat treatment tested at 56 ° C for 88 hours by X-ray diffraction test. The result that there is no crystallinity in the heat ! detected film shows the film's increased resistance to surface crystallization due to its presence from As.
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Eine elektrophotographische Platte für negative Aufladung, die aus einer 0,1 μ Se (68 Gew.-Ji)-Te (30 Gew.-#)-As (2 Gew.-JS)-Erzeugungsschicht, aufgebracht auf einer 10 μ Transportschicht aus; dem in der US-Patentschrift 3 ^84 237 beschriebenen organischen. Photoleiter auf einer aluminisierten Mylar-Unterlage, besteht, wird hergestellt (Mylar ist der Handelsname der duPont für PoIyäthylenterephthalat). Die Vakuumabseheidung des SeTeAs-Pilms wird in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 durchgeführt mit der Ausnahme, dass anstelle der Temperatur der Unterlage von 70°C eine Temperatur der Unterlage von A5°C angewendet wird. Diese '· Platte wird durch Korona-Entladung auf ein negatives Potential von etwa 700 Volt aufgeladen und mit einer Photokopier-Grünlicht-Quelle bei etwa 0,87 /uJ/cm zur Bildung eines latenten ; A negative charge electrophotographic plate composed of a 0.1 μ Se (68 wt. Ji) -Te (30 wt. #) - As (2 wt. JS) generating layer coated on a 10 μ transport layer ; the organic described in U.S. Patent 3 ^ 84,237. Photoconductor on an aluminized Mylar base is produced (Mylar is the trade name of duPont for polyethylene terephthalate). The vacuum deposition of the SeTeAs pilm is carried out in the same way as in Example 1, with the exception that instead of the temperature of the base of 70 ° C., a temperature of the base of A5 ° C. is used. This' · plate is charged by corona discharge to a negative potential of about 700 volts and a latent cm with a photocopy-green light source at about 0.87 / J / in the formation;
elektrostatischen Bilds auf der Plattenoberfläche belichtet. Das elektrostatische Bild wird dann entwickelt und auf ein Papier überführt. Das so erhaltene Bild zeigt ausgezeichnete Qualität mit minimalem Untergrund. ■exposed electrostatic image on the plate surface. The electrostatic image is then developed and placed on paper convicted. The image obtained in this way shows excellent quality with minimal background. ■
Eine elektrophotographische Platte zur positiven Aufladung, die aus einer aluminisierten Mylar-Unterlage, einer 0,3 μ Elvamide ' 806l - Sperrschicht (Polyamid, duPont), einer 1 μ Se (68 Gew.-%)-Te (30 Gew.-%)-As (2 Gew.-%) Ladungserzeugungsschicht und einer 10 μ Trinitrofluorenon-Polyesterharz-Transportschicht (Gewichtsverhältnis 1:1) besteht, wird hergestellt. Die SeTeAs-Ladungserzeugungsschicht wird wie in Beispiel 1 hergestellt. Die Transportschicht wird durch Auflösen des 2,4,7-Trinitrofluorenons (TNP) in Tetrahydrofuran (THF) als Lösungsmittel mit dem Polyesterharz (Goodyear, Vitel PE-200) hergestellt. Das Aufbringen der Transportschicht,, Beschichten auf der SeTeAs-Erzeugungsschicht, wird normalerweise unter Verwendung einer Meniskus-Beschichtungstechnik vorgenommen.An electrophotographic plate for positive charging, selected from an aluminized mylar substrate, a 0.3 μ Elvamide '806L - barrier layer (polyamide, duPont), a 1 μ Se (68 wt -.%) - Te (30 wt -.% ) -As (2% by weight ) charge generation layer and a 10 μ trinitrofluorenone polyester resin transport layer (weight ratio 1: 1) is produced. The SeTeAs charge generation layer is fabricated as in Example 1. The transport layer is produced by dissolving the 2,4,7-trinitrofluorenone (TNP) in tetrahydrofuran (THF) as a solvent with the polyester resin (Goodyear, Vitel PE-200). The application of the transport layer, coating on the SeTeAs generation layer, is normally done using a meniscus coating technique.
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Diese elektrophotographische Platte wird durch Korona-Entladung auf ein positives Potential von etwa 750 Volt aufgeladen und mit einer Photokopier-Grünlicht-Quelle mit etwa 0,41 /uJ/cm zur Bildung eines latenten Bilds auf der Plattenoberfläche belichtet. Dieses latente Bild ergibt nach Entwicklung und übertragung auf ein Papier ein Bild ausgezeichneter Qualität mit wenig Untergrund,This electrophotographic plate is corona discharge charged to a positive potential of about 750 volts and with a photocopier green light source at about 0.41 / uJ / cm Exposure to form a latent image on the plate surface. This latent image emerges after development and transfer a paper an image of excellent quality with little background,
Eine elektrophotographische Platte für positive Aufladung wird wie in Beispiel 3 mit der Ausnahme hergestellt, dass anstelle des 1 ju Se (68 Gew.-%)-Te (30 Gew.-JS)-As (2 Gew.-JS)-PiIms ein 1 μ Se (70 Gew.-%)~Te (20 Gew.-^)-As (10 Gew.-^)-FiIm als Erzeugungsschicht verwendet wird. Diese Platte wird durch Korona-Entladung auf ein positives Potential von etwa 700 Volt aufgeladen. Nach Belichten mit einer Wolframhalogen-Lichtquelle mit etwa 0,89 μΓ/cm wird festgestellt, dass sich die Platte auf ein Potential von etwa 200 Volt entlädt.A positive charge electrophotographic plate was prepared as in Example 3 except that instead of the 1 ju Se (68 wt %) Te (30 wt JS) As (2 wt JS) PiIms 1 μ Se (70 wt %) ~ Te (20 wt%) - As (10 wt%) film is used as the generating layer. This plate is charged to a positive potential of about 700 volts by corona discharge. After exposure to a tungsten halogen light source at about 0.89 μΓ / cm, it is found that the plate is discharged to a potential of about 200 volts.
Eine elektrophotographische Platte für negative Aufladung, die aus einer anodisierten Al-Unterlage, einer 1 μ Se (73 Gew.-?S)-Te i (25 Gew.-?O-As (2 Gew.-55) Ladungserzeugungsschicht und einer llyuj PE-200 Polyester (49,75 Gew.-52)-2,5-Bis-dimethylamino-p-phenylen-' 1,3,4-oxadiazol (49,75 Gew.-Si)-TNP (0,5 Gew.-%)-Schicht besteht, : wird wie in Beispiel 3 hergestellt. Diese Platte wird durch Koron^" Entladung negativ aufgeladen und dann belichetet und entwickelt, i und das Tonerbild wird in der gleichen Weise wie b'ei der Platte I in Beispiel 3 übertragen. Das so erhaltene Bild zeigt gute Qualität mit geringem Untergrund. Quantenwirksamkeitsmessungen zeigen,\ dass diese Platte ein breites spektrales Ansprechen mit Spitzen- I quantenwirksamkeiten bis zu 0,56, 0,54 und 0,29 bei 4500, 5000 bzw. 6 000 8 besitzt. 'An electrophotographic plate for negative charging composed of an anodized Al base, a 1 μ Se (73 wt .-? S) -Te i (25 wt .-? O-As (2 wt PE-200 polyester (49.75 wt. 52) -2,5-bis-dimethylamino-p-phenylene- '1,3,4-oxadiazole (49.75 wt. Si) -TNP (0.5 wt . -%) layer exists: as prepared in example 3 This plate is negatively charged by Coron ^ "discharge and then belichetet and developed, i, and the toner image is in the same manner as in example I b'ei the plate. 3 transferring. The image thus obtained shows good quality with low background. show quantum efficiency measurements, \ that this plate a broad spectral response peak I with quantum efficiencies up to 0.56, 0.54 and 0.29 at 4500, 5000 and 6 000 8 owns. '
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