DE2312085A1

DE2312085A1 - Logarithmische verstaerkerschaltung

Info

Publication number: DE2312085A1
Application number: DE2312085A
Authority: DE
Inventors: Morteza M Chamran
Original assignee: Perkin Elmer Corp
Current assignee: Applied Biosystems Inc
Priority date: 1972-03-17
Filing date: 1973-03-10
Publication date: 1973-10-04
Also published as: US3790819A; JPS496864A; NL7303608A; FR2177080B1; GB1414866A; IT981339B; FR2177080A1; CH554107A

Description

Patentanmeldung THE PERKIN-ELMER CORPORAiDION, Norwalk, Connecticut USA

Logarithmische Verstärkerschaltung

In der Spektrometrie und auch auf anderen Gebieten ist es erforderlich, die linearen prozentualen Werte der Durchlässigkeit in logarithmische Vierte Absorptionsvermögens durch Verwendung einer Logarithmierschaltung umzusetzen. Solche Schaltungen sind bekannt und werden in handelsüblichen Spektrophotometern verwendet. Die vorliegende Erfindung betrifft eine Verbesserung der Schaltung, welche die logarithmische Charakteristik eines Halbleiters für die Umwandlung ausnutzte Bei einer solchen bekannten Schaltung wird eine oder werden mehrere Halbleitergrenzschichten in Reihe in die Gegenkopplungsschleife eines Operationsverstärkers geschaltet. Die grundlegende Theorie dieser Art von Schaltungen ist bekannt und braucht hier nicht näher ausgeführt zu werden. Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung, durch welche die Wirkungen verschiedener Betriebseinflüsse kompensiert wird, die einen nachteiligen Einfluß auf die Genauigkeit und Stabilität einer solchen Logarithmierschaltung haben.

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Eine bekannte Schaltung liefert eine Ausgangsspannung von 60 mV pro Dekade Eingangsspannungsänderung. Dieser Wert gilt jedoch für eine ganz bestimmte Umgebungstemperatur und hängt wegen der Temperaturempfindlichkeit der Halbleiter von der Temperatur ab. Es ist daher notwendig, eine genaue Temperaturstabilisierung für den Halbleiter etwa in der Größenordnung von 0,01° C vorzunehmen, oder es tritt ein merklicher Verlust an Genauigkeit ein. Die logarithmische Übertragungscharakteristik hängt auch von anderen Parametern des Halbleiters ab, die, wenn sie nicht geregelt werden, merkliche Fehler verursachen. Die bekannte Schaltung läßt daher als praktische, praktische Meßvorrichtung vieles zu wünschen übrig,. Versuche, diese Fehler mit auf Temperaturänderungen ansprechenden Verstärkern von veränderbarem Verstärkungsgrad zu korrigieren oder mit einem Widerstand mit einem Temperaturkoeffizienten von 33ÖÖ 10 / ⁰C in der Gegenkopplungsschleife waren nur teilweise erfolgreich.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine logarithmicehe Verstärkerschaltung zu schaffen, welche hinsichtlich*der geschilderten Störeinflüsse kompensiert istο

Die Erfindung betrifft somit eine logarithmische Verstärkerschaltung mit einem ersten Verstärker, der eine Eingangskiemnie und eine Ausgangsklemme aufweist, und mit einem ersten Gegenkopplungsnetzwerk, das zwischen die Singangsklemme und die Ausgangsklemme des

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ersten Verstärkers geschaltet ist, so daß das an der Ausgangskiemine erzeugte Signal den Logarithmus des der Eingangsklemme zugeführten Signals darstellt und ist dadurch gekennzeichnet, daß zur Stabilisierung des an der Ausgangsklemme erzeugten Signals ein zweiter Verstärker mit einer Eingangskiemme und einer Ausgangsklemme vorgesehen ist, daß zwischen die Eingangsklemme und die Ausgangsklemme des zweiten Verstärkers ein zweites Gegenkopplungsnetzwerk geschaltet ist, daß die Eingangsklemme des zweiten Verstärkers mit einer Spannungsquelle mit vorgegebener Spannung verbunden ist, daß die Ausgangsklemme des zweiten Verstärkers auf die Ausgangsklemme des ersten Verstärkers geschaltet ist, daß eine Halbleiteranordnung zur Erzeugung einer ersten logarithmisehen tibertragungskennlinie zwischen einem ersten Ausgangspunkt und einem zweiten Ausgangspunkt und zur Erzeugung einer zweiten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen einem dritten Ausgangspunkt und einem vierten Ausgangspunkt vorgesehen ist und daß die ersten und die zweiten Aus~ gangspunkte in dem ersten Gegenkopplungsnetzwerk und die dritten und die vierten Ausgangspunkte in dem zweiten Gegenkopplungsnetzwerk miteinander verbunden sind, derart, daß die Einschaltung der Halbleiteranordnung sowohl in das erste als auch in das zweite Gegen* kopplungsnetzwerk das an der Ausgangsklemme des ersten Verstärkers erzeugte Signal stabilisiert.

Erfindungsgemäß wird somit ein zweiter dem ersten Verstärker ähnlicher Verstärker an eine stabile, festliegende Eeferenzspannung

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angelegt und in Differenzschaltung zu dem ersten Verstärker geschaltet, so daß alle entsprechenden variablen Parameter einander entgegenwirken und sich auslöschen. Es werden zwei Transistoren entweder auf einem einzigen Chip oder in engem mechanischen Kontakt auf einem einzigen Sockel so verwendet, daß ihre Charakteristiken im wesentlichen übereinstimmen und ihr thermischer Kontakt sehr eng ist. Ein Transistor wird in die Gegenkopplungsschleife eines Verstärkers und der anderer Transistor in die Gegenkopplungsschleife, des anderen Verstärkers geschaltet. Diese Anordnung vermeidet automatisch die Notwendigkeit aufwendiger Wärmesenken oder anderer temperaturausgleichender Vorrichtungen, die bei bekannten Schaltungen verwendet wurden«. Die erfindungsgemäße Anordnung ist nicht nur mit einer vorher nicht erreichten Stabilität und Genauigkeit verbunden, sondern bietet auch Wirtschaftlichkeit hinsichtlich Kosten und mechanischer Abmessungen und kann einfach hergestellt werden.

Die Halbleiteranordnung kann in engem thermischen Kontakt der Bauelemente getrennt von den übrigen Bauteilen der Schaltung eingeschlossen sein_e

Bei einer bevorzugten Ausführungsform enthält die Halbleiteranordnung ein erstes Halbleiterbauelement sur Bildung einer ersten pn-Grenzschicht von Halbleitermaterialien und ein aweites

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Halbleiterbauelement zur Bildung einer zweiten pn-Grenzschicht von Halbleitermaterialien, die beiden Halbleiterbauelemente sind auf einem gemeinsamen Sockel in engem thermischen Kontakt und elektrisch gegeneinander isoliert angeordnet und das erste Halbleiterbauelement ist mit dem ersten und dem zweiten Ausgangspunkt und das zweite Halbleiterbauelement ist mit dem dritten und dem vierten Ausgangspunkt über elektrische Schaltungsverbindungen verbunden.

Eine zweite bevorzugte Ausführungsform ist dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung eine monolitische integrierte Schaltung aufweist mit einem Substrat aus Halbleitermaterial, auf welchem erste und zweite Mittel zur Erzeugung der ersten bzw. der zweiten logarithmischen Übertragungskennlinie gebildet sind, und die ersten Mittel mit dem ersten und zweiten Ausgangspunkt und die zweiten Mittel mit dem dritten und vierten Ausgangspunkt verbunden sind.

Die Erfindung ist nachstehend an bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen näher erläutert:

Fig. 1 ist ein schematisches Schaltbild einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung.

Fig. 2 ist eine Draufsicht einer Ausführungsform der Halbleiteranordnung bei einer Verstärkerschaltung nach der Erfindung-

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I¹Xg. 3 ist eine Seitenansicht der Halbleiteranordnung von Pig. 2.

Pig. 4- ist eine ein Seitenriß der Anordnung von Pig* 2.

Fig. 5 ist ein Seitenriß einer zweiten Ausführungsform der Halbleiteranordnungο

In Pig. 1 ist die logarithmische Verstärkerschaltung mit 10 bezeichnet· Die Schaltung 10 verwendet einen ersten Operationsverstärker 12 von bekannter Bauart. Der Verstärker 12 liefert eine sich logarithmisch ändernde Ausgangsspannung ^eo aus einer sich linear ändernden Eingangsspannung e· ₀ Ein-Widerstand 14 liegt in Reihe zwischen der Eingangsspannung e· und einer invertierenden Eingangsklemme 16 des Verstärkers 12. Der Verstärker 12 weist auch eine nichtinvertierende Eingangsklemme 18 auf, die über einen Widerstand 20 mit Erde verbunden ist. Der Verstärker 12 enthält auch eine Ausgangsklemme 22, die mit einem Ausgangsspannungspunkt 24 über einen Widerstand 26 verbunden ist.

Der Verstärker 12 enthält auch eine Verstärkerklemme 28, die mit einer Spannungsquelle von +15 V verbunden ist. Eine Verstärkerklemme 30 ist mit einer Spannungsquelle von -15 V verbunden, und Verstärkerklemmen 32 und 34 sind mit der Spannungsquelle von -15 V über

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einen veränderbar angezapften Steuerwiderstand 36 verbunden*

Zwischen die Ausgangskiemme 21 und die invertierende Eingangsklemme 16 des ersten Verstärkers 12 ist ein Gegenkopplungsnetzwerk geschaltet bestehend aus den npn-Transistoren 38 und 4-0. Diese Transistoren 38 und 40 wirken als Halbleiterdioden und liefern die gewünschte logarithmische Übertragungskennlinie zwischen Ausgangskleinme 21 und der invertierenden Eingangsklemme 16 des Verstärkers 12„ Der Emitter des Transistors 38 ist mit der Ausgangsklemme 22 des Verstärkers 12 verbunden, und die Basis und der Kollektor des Transistors 38 sind miteinander verbunden und bilden einen gemeinsamen Punkt 42«, In ähnlicher Weise ist der Emitter des Transistors 40 mit dem Punkt 42 verbunden, und die Basis und der Kollektor des Transistors 40 sind miteinander verbunden und bilden einen gemeinsamen Punkt 44» der mit dem der Verstärkerklemme 16 verbunden ist.

Eine Begrenzerdiode 46 überdrückt die Transistoren 38 und 40 vom Emitter des Transistors 38 zu dem Kollektor-Basis-Punkt 44 derart, daß die Maximalspannung, die an den Transistoren 38 und 40 auftreten kann, begrenzt wird und diese Transistoren gegen Überstrom im Falle einer umgepolten Eingangsspannung geschützt werden. Ein Kondensator 48 überbrückt die Transistoren 38 und 40 parallel zu der Diode 46, um die Hochfrequenz kurzzuschließen und ein Pfeifen zu verhindern." Parallel zu dem Kondensator 48, der Diode und den Transistoren 38 und 40 liegen ein Widerstand 50 und

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Cestpunkt-Klemmen 52, so daß der einstellbar angezapfte Widerstand 36 für die anfängliche Skaleneinstellung so eingestellt werden kann, daß er eine Gegenkopplungsspannung 0 zwischen den Testpunkten 52 ergibt.

Die Schaltung 10 enthält auch einen zweiten Operationsverstärker 70 mit einer invertierenden Eingangsklemme 72, einer nichtinvertierenden Eingangsklemme 74 und einer Ausgangsklemme 76. Die invertierende Eingangskiemme 72 ist über einen Widerstand 78 mit einer Spannungsquelle von vorgegebener Spannung verbunden, und die nichtinvertierende Klemme 74 ist über einen Widerstand 75 mit Erde verbunden· Die vorgegebene Spannung wird geliefert durch die in Reihe geschalteten Widerstände 80 und 82, die in einem Punkt 84 miteinander verbunden sind und zwischen eine Spannungsquelle von -15 V und Erde geschaltet sind«, Der Widerstand 78 ist in Eeihe zwischen den Punkt 84 und die invertierende Eingangskiemme 72 des Operationsverstärkers 70 geschaltet. Der Operationsverstärker enthält auch Verstärkerklemmen 86 und 88, die mit positiven bzw. negativen Spannungsquellen von 15 V verbunden sindβ Die Ausgangsklemme 76 ist über einen Ausgangswiderstand 90 mit dem Punkt 24.des ersten Operationsverstärkers 12 verbunden«, Zwischen die Ausgangsklemme 76 und die invertierende Eingangsklemme 72 des zweiten Verstärkers ist ein Gegenkopplungsnetzwerk mit den npn-Iransistoren 92 und 94 geschaltet. Die !Transistoren 92 und 94 wirken als Halbleiterdioden,

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Die Basis und der Kollektor des Transistors 92 sind miteinander verbunden und bilden einen gemeinsamen Punkt 96, der mit der Ausgangsklemme 76 des Verstärkers 70 verbunden ist. Die Basis und der Kollektor des Transistors 94 sind miteinander verbunden und bilden einen gemeinsamen Punkt 98, der mit dem Emitter des Transistors 92 verbunden iste Der Emitter des Transistors 94 ist mit der Eingangsklemme 72 des Verstärkers 70 verbunden. Es ist somit die Polarität der Transistoren 92 und 94 bezogen auf die Eingangs- und Ausgangsklemmen des Verstärkers 70 entgegengesetzt zu der Polarität der Transistoren 38 und 40 in Bezug auf die Eingangs- und Ausgangsklemmen des Verstärkers 12. Diese Schaltung mit entgegengesetzter Polarität ist vorgesehen, um das Signal e , welches im Punkt 24 des Verstärkers 12 erzeugt wird, so zu stabilisieren, daß die Einflüsse der Temperatur und anderer variabler Größen auf die Transistoren 38 und 40 kompensiert werden. Die Kollektoren der Transistoren 38, 40, 92 und 94 sind jeweils mit den Basen derselben verbunden, um den Einfluß des Kollektors in dem Gegenkopplungsnetzwerk auszuschalten.

Eine Begrenzerdiode 100 ist mit umgekehrter Polarität zu den Transistoren 92 und 94 und parallel zu diesen geschaltet, um Überstrom in umgekehrter Richtung durch die Transistoren 92 und 94 zu verhindern«. Parallel zu den Transistoren 92 und 94 und parallel zu der Diode 100 ist ein Kondensator 102 geschaltet, um einen Kurzschluß für die Hochfrequenz zu bilden und ein Pfeifen zu verhindern.

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Die Werte der in dem schematischen Schaltbild von Figo 1 dargestellten Bauteile sind bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wie folgt:

Bauteil Wert

R₁₄ 10K..2

R₂₀ 4.75K'

R₂₆ . 41.2K

R₃₆ 1.0K

R_cn 100ΖΩ

R₇₅ 4-.75E.·.:

R₇₈ : 1OK.

R₈₀ 2.49ΚΩ

210:

R₉₀ 41.2K

C₄₈ 0.01 ,c P

O₁₀₂ 0.01. κ I«

Bei Verwendung der beiden Transistoren 38 und 40 in dem Gegenkopplungsnet zwerk fiir den Verstärker 12 und der beiden Transistoren und 94 in dem Gegenkopplungsnetzwerk des Verstärkers 70 ist es möglich, einen genauen logarithmischen Bereich von 3 bis 5 Dekaden zu erhaltene Es ist auch möglich, nur eine einzige Transistordiode in dem Gegenkopplungsnetzwerk für den Verstärker 12 und in gleicher

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Weise eine einzige Transistordiode 92 in dem Gegenkopplungsnetzwerk für Verstärker 70 zu verbinden. In diesem Falle wirken die erste Transistordiode 38 und die zweite Transistordiode 92 als Halbleiteranordnung zur Erzeugung einer ersten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen einem ersten Ausgangspunkt 22 und einem zweiten Ausgangspunkt 42 und zur Erzeugung einer zweiten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen einem dritten Ausgangspunkt 96 und einem vierten Ausgangspunkt 98. Wie man sieht, sind die Ausgangspunkte 22 und 42 in das Gegenkopplungsnetzwerk für den Verstärker 12 eingeschaltet, und die Ausgangspunkte 96 und 98 sind in das Gegenkopplungsnetzwerk für Verstärker 70 eingeschaltet. Die Widerstände 26 und 90 zusammen mit der die Widerstände 26 und verbindenden Leitung 104 bilden die Mittel zum Au&chalten des Aus-

ganges des Verstärkers 70 auf den Ausgang des erstärkers 12. Wenn die Transistoren 40 und 94 auch in den Gegenkopplungsschleifen für die Verstärker 12 und 70 verwendet werden, bilden die Transistoren 40 und 94 eine zweite Halbleiteranordnung zur Erzeugung einer dritten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen fünften und sechsten Ausgangspunkten, d.h. zwischen Punkt 42 und Eingangsklemme 16, und zur Erzeugung einer vierten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen siebenten und achten Ausgangspunkten, d.h. zwischen Punkt und Klemme 72. Wie man sieht, sind die fünften und sechsten Ausgangspunkte in Reihe mit den ersten und zweiten Ausgangspunkten und die siebenten und achten Ausgangspunkte liegen in Reihe mit den

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dritten und vierten Ausgangspunkten.

Um sicherzustellen, daß die Temperatureffekte in dem Gegenkopplungsnetzwerk für den Verstärker 12 die gleichen sind wie die Temperatureffekte in dem Gegenkopplungsnetzwerk für den Verstärker 70, sind die Transistoren 38 und 92 in engem mechanischen Kontakt zueinander angeordnet, und ebenso die Transistoren 40 und 94o Diese Verbindung der Transistoren in engem mechanischen Kontakt ist nachstehend beschriebene

Die Transistordioden 38 und 92 sind so aufgebaut, wie das in den Figuren 2 bis 4 dargestellt ist_o Die Transistordioden 40 und 94 sind in gleicher Weise aufgebaut, und daher ist die Beschreibung der Transistoren 38 und 92 gleichermaßen anwendbar auf die Transistoren 40 und 94.

Diese Transistoren 38 und 92 sind zweifache npn- Ring- transistoren, die jeder eine pn-Grenzschicht aus Halbleitermaterial besitzen» Die Transistoren 38 und 92 sind auf einem gemeinsamen Sockel 106 angeordnet, wie in Fig. 4 dargestellt isto Die Transistoren 38 und 92 sind auf dem Sockel 106 elektrisch voneinander isoliert und mit einem Gehäuse 108 versehen, welches die Transistoren 38 und 92 gegenüber den übrigen Bauteilen des Systems abschließt. Diese Transistoren können von der Type 2N 2913-2U 2920 und 2Έ 2972-2U 2979 sein. Die

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!Transistoren 38 und 92 sind so geschaltet, wie in dem schematischen Schaltbild von Mg. 1 dargestellt ist.

Bei der zweiten bevorzugten Ausführungsform, die in Fig. 5 dargestellt ist, sind die als Halbleiter wirkenden Transistoren 38 und 92 eine monolitische integrierte Schaltung mit einem Substrat aus Halbleitermaterial 110, welches auf einem Sockel 112 aufgebracht ist. Diese zweifachen monolitischen npn-Transistören 38 und 92 sind von der Art, wie sie in einer Veröffentlichung von »Analog Devices» vom Juli 1971 "LINEAR IO DUAL NPN TRANSISTOR», Serien AD 810 bis AD 813 beschrieben sind. Die zweifachen Transistoren 38 und 92 sind gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform auch mit einem Gehäuse 108 versehen, welches die Transistoren 38 und 92 gegenüber den übrigen Bauteilen des Systems abschließt.

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Claims

Patentansprüche O ο 1 ο r> α r

My Logarithraisone Verstärkerschaltung mit einem ersten Verstärker, der eine Eingangsklemme und eine Ausgangsklemme aufweist, und mit einem ersten Gegenkopplungsnetzwerk, das zwischen die Eingangsklemme und die Ausgangsklemme des ersten Verstärkers geschaltet ist, so daß das an der Ausgangsklemme erzeugt Signal den Logarithmus des der Eingangsklemme zugeführten Signals darstellt, dadurch gekennzeichnet, daß zur Stabilisierung des an der Ausgangsklemme (22) erzeugten Signals ein zweiter Verstärker (70) mit einer Eingangsk'lemme (72) und einer Ausgangsklemme (76) vorgesehen ist, daß zwischen die Eingangsklemme (72) und die Ausgangsklemme (76) des zweiten Verstärkers (70) ein zweites Gegenkopplungsnetzwerk (92-102) geschaltet ist, daß die Eingangsklemme (72) des zweiten Verstärkers (70) mit einer Spannungsquelle (80-84) mit vorgegebener Spannung verbunden ist, daß die Ausgangsklemme (7.6) des zweiten Verstärkers (70) auf die Ausgangsklemme (22) des ersten Verstärkers (12) geschaltet ist, daß eine Halbleiteranordnung (38,92) zur Erzeugung einer ersten logarithmischen tjbertragungskennlinie zwischsi einem ersten Ausgangspunkt (22) und einem zweiten Ausgangspunkt (42) und zur Erzeugung einer zweiten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen einem dritten Ausgangspunkt (96) und einem vierten Ausgangspunkt (98) vorgesehen ist und daß die ersten und die zweiten Ausgangspunkte (22, 42) in dem ersten Gegenkopplungsnetzwerk und die dritten und vierten Ausgangspunkte (96,98) in dem zweiten Gegenkopplungsnetzwerk miteinander verbunden sind, derart, daß die Einschaltung der Halbleiteranordnung (38, 92) sowohl in das erste als auch in das zweite Gegenkopplungsnetzwerk das an der Ausgangsklemme (22) des ersten Verstärkers.(70) erzeugte Signal stabilisiert.

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2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung (38, 92) in engem thermischen Kontakt der Bauelemente getrennt von den übrigen Bauteilen der Schaltung eingeschlossen ist.
3. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung ein erstes Halbleiterelement (38) zur Bildung einer ersten pn-Grenzsehicht von Halbleitermaterialien und ein zweites Halbleiterbauelement (92) zur Bildung einer zweiten pn-Grenzschicht von Halbleitermaterialien enthält, daß die beiden Halbleiterbauelemente (38, 92) auf einem gemeinsamen Sockel (106) in engem thermischen Kontakt und elektrisch gegeneinander isoliert angeordnet sind und daß das erste Halbleiterbauelement (38) mit dem ersten und dem zweiten Ausgangspunkt (22,42) und das zweite Halbleiterbauelement (92) mit dem dritten und dem vierten Ausgangspunkt (96, 98) über elektrische Schaltuhgsverbinüungen verbunden siifi.
4· Verstärkerschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltungsverbindungen zu dem ersten bzw. zweiten Halbleiterbauelement (38, 92) so hergestellt sind, daß die erste pn-Grenzschicht einen Spannungsabfall mit einer ersten vorgegebenen Polarität zu der Eingangsklemme (16) des ersten Verstärkers (12) erzeugt, und Zweite pn-G-renzschicht einen Spannungsabfall von zu der ersten vorgegebenen Polarität entgegengesetzter Polarität zu der Eingangsklemme (72) des zweiten Verstärkers (70) erzeugt.

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A-
5. Verstärkerschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet^ daß die Halbleiterbauelemente (38, 92) Transistoren sind.
6. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiteranordnung eine monolithische integrierte Schaltung aufweist mit einem Substrat (11O) aus Halbleitermaterial, auf welchem erste und zweite Mittel zur Erzeugung der ersten bzw. der zweiten logarithmischen Übertragungskennlinie gebildet sind, und die ersten Mittel mit' dem ersten und zweiten Ausgangspunkt (22, 42) und die zweiten Mittel mit dem dritten und vierten Ausgangspunkt (96, 98) verbunden sind.
7. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine zweite Halbleiteranordnung (40, 94) zur Erzeugung einer dritten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen einem fünften Ausgangspunkt (42) und einem sechsten Ausgangspunkt (16) und zur Erzeugung einer vierten logarithmischen Übertragungskennlinie zwischen einem siebenten Ausgangspunkt (98) und einem achten Ausgangspunkt' (72) vorgesehen ist und daß der fünfte und der sechste Ausgangspunkt in Reihe mit dem ersten und dem zweiten Ausgangspunkt und der siebente und der achte Ausgangspunkt in Seihe mit dem dritten und dem vierten Ausgangspunkt geschaltet ist.

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