DE2310755C3 - - Google Patents
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- DE2310755C3 DE2310755C3 DE19732310755 DE2310755A DE2310755C3 DE 2310755 C3 DE2310755 C3 DE 2310755C3 DE 19732310755 DE19732310755 DE 19732310755 DE 2310755 A DE2310755 A DE 2310755A DE 2310755 C3 DE2310755 C3 DE 2310755C3
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Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US23306172 | 1972-03-09 | ||
| US00233061A US3823033A (en) | 1972-03-09 | 1972-03-09 | Method of forming a high density planar core memory |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2310755A1 DE2310755A1 (de) | 1973-09-20 |
| DE2310755B2 DE2310755B2 (de) | 1976-08-26 |
| DE2310755C3 true DE2310755C3 (enrdf_load_stackoverflow) | 1977-04-07 |
Family
ID=22875725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19732310755 Granted DE2310755B2 (de) | 1972-03-09 | 1973-03-03 | Verfahren zur herstellung eines magnetkernmatrixspeichers |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3823033A (enrdf_load_stackoverflow) |
| JP (1) | JPS48103246A (enrdf_load_stackoverflow) |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100477316C (zh) * | 2006-04-11 | 2009-04-08 | 中国科学院物理研究所 | 基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 |
-
1972
- 1972-03-09 US US00233061A patent/US3823033A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-02-20 GB GB823073A patent/GB1358533A/en not_active Expired
- 1973-02-27 AU AU52625/73A patent/AU465958B2/en not_active Expired
- 1973-03-01 CA CA164,980A patent/CA966583A/en not_active Expired
- 1973-03-03 DE DE19732310755 patent/DE2310755B2/de active Granted
- 1973-03-08 JP JP48027538A patent/JPS48103246A/ja active Pending
- 1973-03-08 FR FR7308249A patent/FR2175162B1/fr not_active Expired
- 1973-03-09 BE BE128571A patent/BE796516A/xx unknown
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