DE2300989A1 - PROCESS FOR GROWING CRYSTALS OF HIGH PERFECTION FROM CONVECTION-FREE MELT SUBSTANCE - Google Patents

PROCESS FOR GROWING CRYSTALS OF HIGH PERFECTION FROM CONVECTION-FREE MELT SUBSTANCE

Info

Publication number
DE2300989A1
DE2300989A1 DE2300989A DE2300989A DE2300989A1 DE 2300989 A1 DE2300989 A1 DE 2300989A1 DE 2300989 A DE2300989 A DE 2300989A DE 2300989 A DE2300989 A DE 2300989A DE 2300989 A1 DE2300989 A1 DE 2300989A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
medium
liquid
substance
substance mass
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE2300989A
Other languages
German (de)
Inventor
Waldemar Bluethgen
Guenter Dr Nitschmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ernst Leitz Wetzlar GmbH
Original Assignee
Ernst Leitz Wetzlar GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ernst Leitz Wetzlar GmbH filed Critical Ernst Leitz Wetzlar GmbH
Priority to DE2300989A priority Critical patent/DE2300989A1/en
Priority to CH1770873A priority patent/CH567870A5/xx
Priority to NL7317718A priority patent/NL7317718A/xx
Priority to JP48144788A priority patent/JPS4998784A/ja
Priority to GB20874A priority patent/GB1427501A/en
Priority to FR7400625A priority patent/FR2322635A1/en
Publication of DE2300989A1 publication Critical patent/DE2300989A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B27/00—Single-crystal growth under a protective fluid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B17/00—Single-crystal growth onto a seed which remains in the melt during growth, e.g. Nacken-Kyropoulos method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/54—Organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/14—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution

Description

BRN»T KuEITZ QiHIBHBRN »T KuEITZ QiHIBH A 19O4 633 Wetzlar,dm. *». Jan. 1973A 19O4 633 Wetzlar, dm. * ». Jan. 1973

Pat Bl/PePat Bl / Pe

Verfahren zum Züchten von Kristallen hoher Perfektion aus konvektionsfreier schmelzflüssiger SubstanzmasseProcess for growing crystals of high perfection from convection-free molten liquid Substance mass

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Züchten von Kristallen aus dem Schmelzfluß, wobei die entsprechende Substanzmasse konvektionsfrei ist.The invention relates to a method for growing crystals from the melt flow, the corresponding Substance mass is free of convection.

Die Konvektion in einer Schmelze, aus der heraus Kristalle nach an sich bekannten Techniken - wie z.B. nach den Ziehmethoden von Czochralski und Nacken-Kyropoulos, den Absenkverfahren nach Bridgman und Stockbarger bzw. der Züchtung aus der Flußschmelze (Flux) mit Kühlstellen oder Keimkristallen - gezüchtet werden, ist als Ursache für viele Kristallbaufehler bekannt.Convection in a melt from which crystals emerge according to known techniques - such as the pulling methods of Czochralski and Nacken-Kyropoulos, the Lowering method according to Bridgman and Stockbarger or the cultivation from the river melt (flux) with cooling points or seed crystals - are grown is known to be the cause of many crystal defects.

Neben induktiv verursachten Konvektionsströmungen in der schmelzflüssigen Substanzmasse sind es vor allem die thermisch bedingten Konvektionsströme, die durch die unterschiedliche Dichte einzelner Schmelzbereiche innerhalb der zusammenhängenden Substanzmasse entstehen. Diese partiellen Dichteunterschiede innerhalb einer Substanzmasse führen jedoch nur dann zu Konvektionsströmungen der vorbezeichneten Art, wenn sich die Substanzmasse in einem Schwerefeld befindet.In addition to inductively caused convection currents in the molten substance mass, it is above all the thermally induced convection currents that are caused by the different Density of individual melting areas arise within the coherent substance mass. However, these partial differences in density within a substance mass only lead to convection currents of the aforementioned type when the substance mass is in a gravitational field.

Die Schwerelosigkeit läßt sich nun dadurch simulieren, daß man einen Körper bzw. ein definiertes Schmelzvolumen innerhalb eines Mediums zum Schweben bringt.Weightlessness can now be simulated by placing a body or a defined volume of enamel floating within a medium.

- Z- - Z-

409828/0627409828/0627

?' ? ' A 1 904A 1 904

4.1.19734.1.1973

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es datier, die • für eine- perfekte Ausbildung der zu züchtenden Kristalle nachteiligen Konvektionsströmungen innerhalb einer schmelzflüssigen Substanzmasse zu unterbinden.The object of the present invention is to date the • for a perfect formation of the crystals to be grown, disadvantageous convection currents within a to prevent molten substance mass.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gelöst, wie es in den Ansprüchen beschrieben ist. Es werden Kristalle mittels an sich bekannter Schmelzfluß-Techniken aus einer zusammenhängenden Substanzmasse gezüchtet, die in einem flüssigen Medium enthalten ist-.According to the invention, this object is achieved by a method as described in the claims. It will Crystals by means of melt flow techniques known per se grown from a coherent mass of substance contained in a liquid medium.

Dabei kann es vorteilhaft sein, wenn die Substanzmasse in dem flüssigen Medium frei schwebt. Es ist aber auch möglich, die oben genannten Techniken zum Züchten von perfekten Einkristallen aus einer schmelzflüssigen Substanzmasse dann anzuwenden, wenn letztere aufgrund von lediglich geringen Dichteunterschieden bezüglich des sie umgebenden Mediums entweder aufsteigt und somit schwimmend im Medium verbleibt, oder aber absinkt und somit auf dem Boden des das Medium enthaltenden Gefäßes ruht.It can be advantageous here if the substance mass floats freely in the liquid medium. It is also possible the above techniques for growing perfect single crystals from a molten mass of substance to be used if the latter due to only small differences in density with respect to the the surrounding medium either rises and thus remains floating in the medium, or else sinks and thus on the bottom of the vessel containing the medium rests.

Normalerweise ist das Medium so gewählt, daß es mit der sich im flüssigen und/oder im festen Zustand befindlichen Substanzmasse nicht reagiert.'Für gewisse andere Fälle - zum Beispiel bei definierten Dotier- oder Dekorier-Prozeesen - kann es aber auch zweckmäßig sein, daß das Medium so gewählt ist, daß es in definierter Weise mit der Substanzmasse reagiert. Dabei kann das Medium ausschließlich mit der flüssigen oder aber mit der festen Substanzmasse ■ reagieren. Es kann vorteilhaft sein, daß das flüssige Medium mindestens einen für die Substanzmasse bestimmten Dotier- oder Dekorierstoff enthält. Dieser kann in ionogener, molekularer oder partikularer Form in dem Medium vorhanden sein.Normally the medium is chosen so that it is in the liquid and / or in the solid state with the Substance mass does not react. For certain other cases - for example with defined doping or decorating processes - But it can also be useful that the medium is chosen so that it is in a defined way with the substance mass reacts. The medium can be used exclusively with the liquid or with the solid Substance mass ■ react. It can be advantageous that the liquid medium has at least one for the substance mass contains certain doping or decorating substance. This can be ionic, molecular or particulate Form in the medium.

409828/0627 - 3 -409828/0627 - 3 -

~ 3 ~ 3 A 1904A 1904

ΤΓΤ7ΤΨΓ3ΤΓΤ7ΤΨΓ3

Schließlich kann das Medium - entsprechend den jeweils anzuwendenden Schmelzbedingungen, wie beispielsweise Schmelzdauer, Schmelztemperatur, Schmelzmaterial - eine anorganische oder organische Flüssigkeit, Lösung oder Schmelze sein. Schmelzsysteme ohne Mischbarkeit bzw. mit Mischungslücken sind für das erfindungsgemäße Züchtungsverfahren besonders geeignet.Finally, the medium can - according to the melting conditions to be used in each case, such as, for example Melting time, melting temperature, melting material - an inorganic or organic liquid, solution or Be melt. Melt systems without miscibility or with miscibility gaps are suitable for the cultivation process according to the invention particularly suitable.

Als Beispiel für einen nach dem Züchtungsverfahren gemäß vorliegender Erfindung herstellbaren Kristall sei die Substanz Salicylsäurephenylesther (HO·C^H^·CO2*C^H-) (Salol) genannt. The substance salicylic acid phenyl ester (HO · C ^ H ^ · CO 2 * C ^ H-) (Salol) may be mentioned as an example of a crystal which can be produced by the growth process according to the present invention.

Der Schmelzpunkt dieser organischen Substanz liegt bei 43 C. Als Medium kommt Wasser in Betracht. Da die Dichte des geschmolzenen Salols bei 50 C einen Wert von 1,1553 g/cm aufweist, sinkt diese schmelzflüssige Salol-Substanzmasse in reinem H„0 auf den Boden des Gefäßes. Durch geeignete Zusätze zum Wasser-Medium könnte aber auch eine solche Dichte eingestellt werden, daß die Salol-Substanzmasse zusammenhängend schwebend im Medium verbleibt.The melting point of this organic substance is 43 C. A suitable medium is water. Because the density of the molten salol at 50 ° C. has a value of 1.1553 g / cm has, this molten Salol substance mass sinks in pure H "0 on the bottom of the vessel. By means of suitable additives to the water medium, however, such a Density can be set so that the Salol substance mass remains coherently floating in the medium.

Die schmelzflüssige Substanzmasse nimmt im Schwebezustand eine rotationssymmetrische Tröpfchenform an.The molten substance mass adopts a rotationally symmetrical droplet shape when in suspension.

Das die Substanzmasse umhüllende flüssige Medium dient gleichzeitig einer vorzugsweise allseitigen Wärmezuführung und damit der Aufrechterhaltung der einmal eingestellten Temperaturbedingungen. Die üblicherweise verwendeten Mittel für die Erzeugung und Regelung der jeweiligen optimalen Temperaturbedingungen sind hier der Einfachheit halber weggelassen worden.The liquid medium enveloping the substance mass serves at the same time to supply heat, preferably on all sides and thus the maintenance of the temperature conditions once set. The commonly used Means for generating and regulating the respective optimal temperature conditions are here for the sake of simplicity have been omitted for the sake of

Die konvektionsfreie, zusammenhängende Substanzmasse bildet somit das Reservoir für das aus ihr erfolgende Ziehen des. Kristalls.The convection-free, coherent substance mass forms thus the reservoir for pulling the crystal from it.

40 9828/06 2 7 k 40 9828/06 2 7 k

4.1.19734.1.1973

Dabei kann in bekannter Weise ein an einer drehbaren und verschiebbaren Kristallhalterung montierter Keimkristall in die zusammenhängende Substanzmasse eingeführt werden
und danach durch kontrollierte Ortsveränderung des Kristallkeims relativ zur Substanzmasse der Züchtungsvorgang ablaufen. A seed crystal mounted on a rotatable and displaceable crystal holder can be introduced into the coherent substance mass in a known manner
and then the growth process takes place through controlled relocation of the crystal nucleus relative to the substance mass.

409828/0627409828/0627

Claims (1)

aj_9_o4_aj_9_o4_ 4.1.19734.1.1973 AnsprücheExpectations 1. Verfahren zum Züchten von Kristallen hoher Perfektion aus konvektionsfreier schmelzflüssiger Substanzmasse, dadurch gekennzeichnet, daß die Kristalle mittels an sich bekannter Schmelzfluß-Techniken aus einer zusammenhängenden Substanzmasse gezüchtet werden, die in einem flüssigen Medium enthalten ist.1. Method of growing crystals of high perfection from convection-free molten substance mass, characterized in that the crystals by means of known melt flow techniques are grown from a coherent mass of substance, which in a liquid medium is included. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dichteverhältnis zwischen schmelzflüssiger Substanzmasse und Medium so gewählt wird, daß die Substanzmasse in dem flüssigen Medium schwebt.2. The method according to claim 1, characterized in that the density ratio between molten substance mass and medium is chosen so that the substance mass floats in the liquid medium. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dichteverhältnis zwischen schmelzflüssiger Substanzmasse und Medium so gewählt wird, daß die Substanzmasse in dem flüssigen Medium schwimmt.3. The method according to claim 1, characterized in that the density ratio between molten substance mass and medium is chosen so that the substance mass floats in the liquid medium. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dichteverhältnis zwischen schmelzflüssiger Substanzmasse und Medium so gewählt wird, daß die Substanzmasse in dem flüssigen Medium absinkt.4. The method according to claim 1, characterized in that the density ratio between molten substance mass and medium is chosen so that the mass of substance in the liquid medium drops. 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, ot±K daß die Substanzmasse im flüssigen und/oder festen Zustand nicht mit dem flüssigen Medium reagiert.5. The method according to claims 1 to 4, characterized in that ot ± K that the substance mass in the liquid and / or solid state does not react with the liquid medium. 6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Medium in definierter Weise mit der Substanzmasse reagiert.6. The method according to claims 1 to 4, characterized in that the medium in a defined manner with the Substance mass reacts. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Medium ausschließlich mit der flüssigen Substanzmasse reagiert.7. The method according to claim 6, characterized in that the medium exclusively with the liquid substance mass reacted. 409828/0627 - 6 -409828/0627 - 6 - A 1904 4.1.1973 A 1904 4.1.1973 8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Medium ausschließlich mit der festen Substanzmasse reagiert.8. The method according to claim 6, characterized in that the medium exclusively with the solid substance mass reacted. 9. Verfahren nach den Ansprüchen 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Medium so gewählt wird, daß es mindestens einen Dotierstoff für die Substanzmasse enthält.9. The method according to claims 6 to 8, characterized in that that the medium is chosen so that it contains at least one dopant for the substance mass. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff in ionogener Form in dem Medium enthalten ist.10. The method according to claim 9, characterized in that the dopant is contained in ionogenic form in the medium is. 11. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß. der Dotierstoff in molekularer Form in dem Medium enthalten ist.11. The method according to claim 9 »characterized in that. the dopant is contained in the medium in molecular form. 12. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff in Form einzelner Partikel vorhanden ist.12. The method according to claim 9 »characterized in that the dopant is present in the form of individual particles. 13· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Medium eine anorganische Flüssigkeit gewählt wird.13. Method according to one of Claims 1 to 11, characterized in that that an inorganic liquid is chosen as the medium. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Medium eine organische Flüssigkeit gewählt wird.14. The method according to any one of claims 1 to 11, characterized in that that an organic liquid is chosen as the medium. 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Flüssigkeit eine Lösung oder eine Schmelze ist.15. The method according to any one of claims 13 or 14, characterized in that that the liquid is a solution or a melt. 409828/0627409828/0627
DE2300989A 1973-01-10 1973-01-10 PROCESS FOR GROWING CRYSTALS OF HIGH PERFECTION FROM CONVECTION-FREE MELT SUBSTANCE Pending DE2300989A1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2300989A DE2300989A1 (en) 1973-01-10 1973-01-10 PROCESS FOR GROWING CRYSTALS OF HIGH PERFECTION FROM CONVECTION-FREE MELT SUBSTANCE
CH1770873A CH567870A5 (en) 1973-01-10 1973-12-18
NL7317718A NL7317718A (en) 1973-01-10 1973-12-27
JP48144788A JPS4998784A (en) 1973-01-10 1973-12-28
GB20874A GB1427501A (en) 1973-01-10 1974-01-03 Crystal growing
FR7400625A FR2322635A1 (en) 1973-01-10 1974-01-08 PROCESS FOR THE PRODUCTION OF HIGH PERFECTION CRYSTALS FROM A MASS OF MELTED SUBSTANCE FREE OF CONVECTION

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2300989A DE2300989A1 (en) 1973-01-10 1973-01-10 PROCESS FOR GROWING CRYSTALS OF HIGH PERFECTION FROM CONVECTION-FREE MELT SUBSTANCE

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2300989A1 true DE2300989A1 (en) 1974-07-11

Family

ID=5868653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2300989A Pending DE2300989A1 (en) 1973-01-10 1973-01-10 PROCESS FOR GROWING CRYSTALS OF HIGH PERFECTION FROM CONVECTION-FREE MELT SUBSTANCE

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS4998784A (en)
CH (1) CH567870A5 (en)
DE (1) DE2300989A1 (en)
FR (1) FR2322635A1 (en)
GB (1) GB1427501A (en)
NL (1) NL7317718A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1983003431A1 (en) * 1982-03-30 1983-10-13 Paul Otto Knischka Gradient process for growing crystals in liquid media
FR2549751A1 (en) * 1983-07-29 1985-02-01 Commissariat Energie Atomique PROCESS FOR PRODUCING A MATERIAL BY MOLDING
FR2549744A1 (en) * 1983-07-29 1985-02-01 Commissariat Energie Atomique PROCESS FOR THE PREPARATION OF THIN OR MASSIVE METALLIC OR SEMI-METALLIC FORMS, IN PARTICULAR SILICON
WO1991011546A1 (en) * 1990-02-02 1991-08-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Doped crystalline compositions and a method for preparation thereof

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1983003431A1 (en) * 1982-03-30 1983-10-13 Paul Otto Knischka Gradient process for growing crystals in liquid media
US4525171A (en) * 1982-03-30 1985-06-25 Knischka Rubine Gesellschaft M.B.H Gradient process of growing crystals from liquid media
FR2549751A1 (en) * 1983-07-29 1985-02-01 Commissariat Energie Atomique PROCESS FOR PRODUCING A MATERIAL BY MOLDING
FR2549744A1 (en) * 1983-07-29 1985-02-01 Commissariat Energie Atomique PROCESS FOR THE PREPARATION OF THIN OR MASSIVE METALLIC OR SEMI-METALLIC FORMS, IN PARTICULAR SILICON
EP0136196A1 (en) * 1983-07-29 1985-04-03 Commissariat à l'Energie Atomique Process for making thin or massive, metallic or semimetallic objects, especially of silicium
US4617084A (en) * 1983-07-29 1986-10-14 Commissariat A L'energie Atomique Process for the production of metallic or semimetallic shaped elements
WO1991011546A1 (en) * 1990-02-02 1991-08-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Doped crystalline compositions and a method for preparation thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4998784A (en) 1974-09-18
GB1427501A (en) 1976-03-10
NL7317718A (en) 1974-07-12
CH567870A5 (en) 1975-10-15
FR2322635A1 (en) 1977-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE944209C (en) Process for the manufacture of semiconductor bodies
DE3528674A1 (en) SINGLE CRYSTAL BREEDING DEVICE
DE2643793C2 (en) Method of growing single crystal rare earth iron garnet
DE2624357C2 (en)
DE3035267A1 (en) METHOD FOR STRENGTHENING LIQUID MATERIALS
DE2300989A1 (en) PROCESS FOR GROWING CRYSTALS OF HIGH PERFECTION FROM CONVECTION-FREE MELT SUBSTANCE
DE2324376C2 (en) Directionally solidified superalloy casting
DE1533475B1 (en) Process for the production of columnar crystals aligned parallel to one another
DE102020127337A1 (en) SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH DEVICE
EP0023063B1 (en) A single crystal of rare earths-gallium-garnet and thin film arrangement with a single garnet substrate
DE2038875A1 (en) Process for the production of grown mixed crystals
DE3644746A1 (en) Process and apparatus for growing crystals
DE1251721B (en) Method for producing semiconductor stalls, preferably semiconductor stalls with adjustable, for example constant, foreign matter concentration
DE1667604B1 (en) PROCESS FOR THE PRODUCTION OF CRYSTALLINE CADMIUM TELLURIDE
DE2541140A1 (en) ISOTHERMAL GROWING UP OF SINGLE-WALL DOMAIN GARNET FILMS
DE2111946C3 (en) Method and apparatus for epitaxially growing a crystal on a substrate
DE2144828A1 (en) Process for forming a GaP layer on a Si support
DE2221574A1 (en) Method for producing a single crystal
DE10324451A1 (en) Process for growing optical fluorite single crystals
DE2025376A1 (en) Single crystal growth process for barium sodium niobate and related materials
DE2336234A1 (en) Single crystal formation from melts - having radiation shield protecting growing crystal from hot melt
DE2217301B2 (en) Process for the epitaxial growth of crystallizable material
EP0104207B1 (en) Gradient process for growing crystals in liquid media
DE409994C (en) Process for the preparation of large, flawless crystals from melt flows
DE2404559C3 (en) Process for the hydrothermal growth of quartz single crystals