DE2249028A1 - PHOTOACTIVE POLYMERISATES WITH INDUCED EXOCYCLIC QUARTET CONCEPT - Google Patents

PHOTOACTIVE POLYMERISATES WITH INDUCED EXOCYCLIC QUARTET CONCEPT

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Description

6. Oktober 1972October 6, 1972

Dr.-!,',,. 1>·. ν. .-.- r.'ti/i' Dr .-!, ',,. 1> ·. ν. .-.- r.'ti / i '
Münctiäa 22, Max„r,iii<i!istr. 43Münctiäa 22, Max "r, iii <i! Istr. 43

Xerox CorporationXerox Corporation

Xerox Square,Xerox Square,

Rochester, Hew York 14603Rochester, Hew York 14603

Photoaktive Polymerisate mit induziertem exocyelischemPhotoactive polymers with induced exocyelic

Quartett-KonzeptQuartet concept

Die Erfindung liegt auf dem G'ebiet der Xerographie und betrifft ein neues, lichtempfindliches Ahbildungsmittel und ein Verfahren zu seiner Anwendung, ein Abbildungsverfahren. The invention is in the field of xerography and relates to a new photosensitive imaging agent and a method for its application, a mapping method.

In der Xerographie wird einejxerographische Platte, die eine lichtleitfähige Isolierschicht enthält, in eine Abbildung überführt, indem zuerst ihre Oberfläche gleichmassig elektrostatisch aufgeladen v/ird. Dann wird die Platte einem Muster von aktivierender, elektromagnetischer Strahlung, wie z.B. licht, ausgesetzt, die die Ladung in den belichteten Bereichen des lichtleitenden Isolators selektiv abbaut, wahrend ein latentes elektrostatisches Bild in den nichtbelichteten Bereichen zurückbleibt. Dieses latente elektros ta tische Bild kann dann entwickelt werden, um ein sichtbares Bild durch Abscheidung feinzerteilter elektroskopisch markierenderIn xerography, a jxerographic plate that contains a photoconductive insulating layer into a The image is transferred by first charging its surface evenly with electrostatic charge. Then the Plate a pattern of activating, electromagnetic Radiation, such as light, is exposed to the charge in the exposed areas of the light-conducting Isolator selectively degrades while a latent electrostatic Image remains in the unexposed areas. This latent electrostatic image can then developed to form a visible image by the deposition of finely divided electroscopic markers

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Teilchen auf der Oberfläche der phpfcoleitfähigen Isolierschicht zu bilden.Particles on the surface of the phpfco-conductive insulating layer to build.

Sine photoleitfähige Schicht zur Verwendung in der Xerographie kann eine homogene Schicht eines einzigen Material a , wie z.B. glasigen Selens, sein, oder sie kann eine zusammenlesetzte Schicht sein, die einen Photoleiter und ein weiteres Material enthält. Eine Art zusammengesetzter photoleitfähiger Schicht, wie siegln der Xerographie verwendet wird, ist in der US-PS 3 121 006 wiedergegeben, die eine Anzahl von Binderschichten beschreibt, welche fein zerteilte Partikel einer photoleitf ähigen anorganischen Verbindung enthalten, die in einem elektrisch isolierenden organischen Harzbinder dispergiert sind. In ihrer derzeitigen Handelsform enthält die Binderschicht Zinkoxid teilchen, die gleichförmig in einem Harzbinder dispergiert sind, und ist auf eine Papierlage aufgezogen.A photoconductive layer for use in xerography may or may be a homogeneous layer of a single material such as vitreous selenium be a composite layer that is a photoconductor and contains another material. Kind of compound photoconductive layer as shown in the Xerography used is disclosed in U.S. Patent 3,121,006 reproduced, which describes a number of binder layers, which finely divided particles of a photoconductive capable inorganic compound contained in an electrically insulating organic resin binder are dispersed. In its current trade form contains the binder layer zinc oxide particles that are uniform are dispersed in a resin binder, and is drawn up on a sheet of paper.

In einzelnen, in der genannten Patentschrift beschriebenen Beispielen für Binderaysteme enthält der Binder ein Material, das nicht in der Lage irrt, eingebrachte, durch die Photoleiterteilchen erzeugte Ladungsträger über eine wesentliche Entfernung zu transportieren. Polglich müssen bei den 3peziellen, in der genannten US-PS offenbarten Materialien die Photoleiterteilchen sich in praktisch kontinuierlicher Teilchen-an-Teilchen-Berührung durch die ganze Schicht befinden, um den für wiederholten Betrieb erforderlichen Ladungsabbau zu ermöglichen. Bei der gleichförmigen Verteilung von Photoleiterteilchen, wie sie in der US-PS beschrieben ist, ist daher gewöhnlich eine verhältnismnsslg hohe Volumenkonzentration an Pho to'l ei ter, bis zu etwa 50 Volumenprozent oderIn individual, described in the patent mentioned The binder contains examples of binder systems Material that is unable to transport introduced charge carriers generated by the photoconductor particles over a substantial distance. Polly In the case of the special materials disclosed in the aforementioned US Pat continuous particle-to-particle contact located through the whole shift in order to be repeated for Operation to enable the charge reduction required. With the uniform distribution of photoconductor particles, as described in U.S. Patent, therefore, is usually a relatively high volume concentration of Pho to'l ei ter, up to about 50 percent by volume or

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mehr, notwendig, um für rasche Entladung ausreichende Teilchen-an-Teilchen-Berührung des Photoleiters' zu erhalten. 13s wurde ,-jedoch gefunden, dass hohe Photolei-.teranteile in- den Binderschichten des Harztyps dazu führen, die physikalische Kontinuität des Harzes zu zerstören, was die mechanischen "Eigenschaften der Binderschicht beträchtlich herabsetzt. Schichten mit hohem Photoleitergehalt zeichnen sich oft durch eine brüchige Binderschicht von gei^inger oder fehlender Flexibilität aus. Wird andererseits die Photoleiterkonzentration beträchtlich unter etwa 50 Volumenprozent gesenkt, sinkt die lüntladegeschv/indigkeit, was ein erneutes oder wiederholtes Abbilden mit hoher Geschwindigkeit schwierig oder unmöglich macht.more, necessary to be sufficient for rapid discharge Particle-to-particle contact of the photoconductor '. 13s it was found, however, that high photolei- in the binder layers of the resin type lead to the destruction of the physical continuity of the resin, what the mechanical "properties of the binder course considerably diminishes. Layers with a high photoconductor content are often brittle Binder layer of poor or lacking flexibility the end. On the other hand, the photoconductor concentration becomes considerable lowered below about 50 percent by volume, sinks the charging speed, which means a renewed or repeated Makes imaging difficult or impossible at high speed.

Die US-PS 3 121 007 offenbart einen weiteren Photoleitertyp, der eine zweiphasige, photoleitfähige Binderschicht mit photoleitfähigen isolierenden Teilchen, dispergiert in einer homogenen, photoleitfähigen, isolierenden Matrix, umfasst. Der Photoleiter liegt in Form eines teilchenförmigen, photoleilfähigen, anorganischen kristallinen Pigments vor, das, nur allgemeinoffenbart, in einer Menge von etwa 5 bis 80 Gew.-$ zugegen sein soll. Die Photoentladung soll^durch die Kombination von Ladungsträgern, die in dem photoleitfähigen, isolierenden Matrixmaterial erzeugt werden, und von Ladungsträgern, die von dem photoleitfähigen kristallinen Pigment in die photoleitfähige, isolierende Matrix eingebracht werden, ausgelöst werden.U.S. Patent 3,121,007 discloses another type of photoconductor which is a two-phase photoconductive binder layer with photoconductive insulating particles dispersed in a homogeneous, photoconductive, insulating Matrix, includes. The photoconductor is in the form of a particulate, photoconductive, inorganic crystalline pigment which, only generally disclosed, is present in an amount of about 5 to 80% by weight should be. The photo discharge should ^ by the combination of charge carriers in the photoconductive, insulating matrix material are generated, and from Charge carriers generated by the photoconductive crystalline Pigment incorporated into the photoconductive, insulating matrix are triggered.

Die US-PS 3 037 861 offenbart, dass Polyvinylcarbazol eine gewisse langwellige UV-"3nipf Endlichkeit· zeigt, und empfiehlt,- die spektrale "Empfindlichkeit durch den Zu-U.S. Patent 3,037,861 discloses that polyvinyl carbazole shows a certain long-wave UV "3nipf finiteness, and recommends - the spectral "sensitivity through the access

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satz von Farbstoff sensibilisa toren biß zum sichtbaren Spektralbereich auszudehnen. Ferner empfiehlt nie, andere Zuyiitze, wie z.B. Zinkoxid oder Titandioxid, auch in Verbindung nit Polyvinylcarbazol,zu verwenden. 3s ist klar, dass das Polyvinylcarbazol als Photoleiter verwendet werden soll, mit oder ohne Zusatzstoffen, die seine spektrale Empfindlichkeit -ausdehnen. set of dye sensitizers to extend to the visible spectral range. Furthermore, we never recommend using other additives such as zinc oxide or titanium dioxide, even in conjunction with polyvinyl carbazole. 3s it is clear that the polyvinyl carbazole should be used as a photoconductor, with or without additives that extend its spectral sensitivity.

Darüberhinaus sind gewisse, besonders für die Reflexabbildung bestimmte, spezielle Schichtstrukturen vorgeschlagen worden. Die US-PS 3 165 405 z.B. wendet eine zweischichtige Zinkoxidbinderstruktur zum Reflexabbilden an. Sie verwendet zwei getrennte, aneinandergrenzende photoleitfähige Schichten mit'verschiedenen spektralen Empfindlichkeiten, um eine besondere Heflexafeildungssequenz durchzuführen. Das hier beschriebene Mittel nutzt die Eigenschaften mehrerer photoleitfähiger Schic]) ten, um die kombinierten Vorteile der getrennten Photoanregung der jeweiligen photoleitfähigen Schichten zu erzielen.In addition, certain special layer structures, especially intended for reflex imaging, are proposed been. U.S. Patent 3,165,405, for example, employs one two-layer zinc oxide binder structure for reflective imaging at. It uses two separate, contiguous photoconductive layers with different ones spectral sensitivities to a particular yeast flexa formation sequence perform. The agent described here takes advantage of the properties of several photoconductive ones Schic]) th to take advantage of the combined benefits of the separate photoexcitation of the respective photoconductive To achieve layers.

Aus der vorstehenden Übersicht über die herkömmlichen zusammengesetzten photoleitfähigen Schichten ist.zu. erkennen, dass nach Belichtung die PboLoleitfähigkeit in der Schichtscruktur durch Ladungstransport durch die Masse der photoleitfähigen Schicht erreicht wird, wie im Falle glasartigen Selens (und anderer homogener ■ Schichtinodifikationen). In photo]eitfähige Binderstrukturen verwendenden Vorrichtungen, die inaktive, elektricch isolierende Farze umfassen, wie die, die in der US-PS 3 121 QOG beschrieben sind, wird LeitfähigkeitFrom the above overview of the conventional composite photoconductive layers is.zu. recognize, that after exposure the Pbo conductivity in the layer structure by charge transport through the Mass of the photoconductive layer is achieved as in the case of vitreous selenium (and other homogeneous ■ layer modifications). In photo] openable binder structures using devices, the inactive, electricch Insulative Farze include, such as those in the U.S. Patent 3,121 QOG is conductivity

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BAD ORtQINALBAD ORtQINAL

oder Ladungstransport durch hohe Anteile des photoleitfähigen Pigments erreicht, was Teilchen-an-Teilchen-Berührung der photoleitfähigen Teilchen ermöglicht. Im Falle von in einer photoleitfähigen Matrix dispergierten photoleitfähigen Teilchen, veranschaulicht z.B. in der US-PS .3 121 007, erfolgt Photoleitf ähigkeit durch die Erzeugung von Ladungsträgern sowohl in der photoleitfähigen Matrix als auch in den photoleitfähigen Pigment teilchen.or charge transport through high proportions of the photoconductive Pigments achieves what particle-to-particle contact of the photoconductive particles. In the case of photoconductive particles dispersed in a photoconductive matrix, illustrated e.g. in US Pat. No. 3,121,007, photoconductivity occurs through the generation of charge carriers both in the photoconductive matrix and in the photoconductive pigment particles.

Obgleich sich die obigen Patentschriften auf verschiedene Entladungsmechanismen -durch die pho toleitfähige Schicht hindurch beziehen, leiden sie im allgemeinen an gemeinsamen Mangeln, indem nämlich die photoleitfähige Oberfläche während des Betriebs der Umgebung ausgesetzt ist, und insbesondere im Falle erneuter Xerographie dem Abrieb, chemischem Angriff, Hitze und vielfacher Belichtung während wiederholten Betriebs unterliegt. Diese Effekte zeichnen sich durch eine stufenweise Verschlechterung in den elektrischen Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht aus,, was zur Ausbildung von Oberflächenfehlern und Kratzern, begrenzten Bereichen ständiger Leitfähigkeit, die keine elektrostatische Ladung halten, und hoher Dunkelentladung führt.Although the above patents refer to various Discharge mechanisms - through the photoconductive Referring to the layer therethrough, they generally suffer from a common defect, namely the photoconductive Surface is exposed to the environment during operation, and especially in the event of renewed xerography the abrasion, chemical attack, heat and many more Subject to exposure during repeated operations. These effects are characterized by a gradual Deterioration in the electrical properties of the photoconductive layer from, leading to formation of surface defects and scratches, limited areas permanent conductivity, which do not hold any electrostatic charge, and high dark discharge leads.

Zusätzlich zu den obigen Problemen erfordern diese photoleitf ähigen Schichten, dass der Pbotoleiter entweder 100 fo der Schicht umfasst, wie im Falle der glasartigen Selenschicht, oder dass sie vorzugsweise einen hohen Anteil an photoleitfähigem Material in der Binderzusammensetzung enthalten. Die Anforderungen an eineIn addition to the above problems is the required photoconductivity ähigen layers that the Pbotoleiter either fo the layer 100 comprises, as in the case of the vitreous selenium layer, or that it preferably has a high proportion of the photoconductive material in the binder composition. The requirements for a

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das gesamte oder einen grösseren Anteil des photoleitfähigen Materials enthaltende photoleitfähige Schicht "beschränken weiter die physikalischen Eigenschaften der endgültigen Platte, Walze oder Bandes, indem die pbysikaliochen Eigenschaften, wie z.B. Flexibilität und Adhäsion des Photoleiters an ein Trägersubstrat hauptsächlich von den physikalischen Eigenschaften des Photoleiters bestimmt werden und nicht von dem Farz oder dem Matrixmaterial, das vorzugsweise in einer kleineren Menge vorhanden ist«all or a greater proportion of the photoconductive Photoconductive layer containing material "further restricts physical properties of the final plate, roller or belt by changing the physical properties, e.g. Flexibility and adhesion of the photoconductor to a carrier substrate mainly determined by the physical properties of the photoconductor and not from the farz or matrix material, which is preferably is present in a smaller amount "

Eine weitere Form einer zusammengesetzten photoempfindlichen Schicht, die vom Stand der Technik ebenfalls· in Betracht gezogen wurde, umfasst eine Schicht photoleitfühigen Materials, die mit einer verhältnismässig dicken Kunststoffschicht bedeckt und auf einem Trägersubstrat aufgezogen ist. Die US-PS 3 041 166 beschreibt eine solche Anordnung, bei der ein transparentes Kunststoffmaterial über einer Schicht von glasartigem Selen liegt, die auf einem Trägersubstrat enthalten ist. Das Kunststoffmaterial soll einen grossen Bereich für Ladungsträger der gewünschten Polarität besitzen,. Beim Betrieb wird die freie Oberfläche des transparenten Kunststoffs auf eine gegebene Polarität elektrostatisch aufgeladen. Dann wird die Anordnung aktivierender Strahlung ausgesetzt, die in der photoleitfähigen Schicht ein Loch- Elektronen-Paar erzeugt. Das Elektron bewegt sich durch die Kunststoffschicht und neutraliniert eine positive Ladung auf der freien Oberfläche der Kunststoffschicht, wodurch ein elektrostatisches Bild erzeugt wird. Diese Patentschrift offenbart jedoch keine speziellen Kunststoffmaterialien, die in dieser Wei-Another form of a composite photosensitive Layer, which has also been considered by the prior art, comprises a layer of photoconductive material Material with a proportionate thick plastic layer is covered and mounted on a carrier substrate. U.S. Patent 3,041,166 describes such an arrangement in which a transparent plastic material is overlaid over a layer of vitreous selenium lies, which is contained on a carrier substrate. That Plastic material is said to be a large area for load carriers have the desired polarity. When operating, the free surface becomes the transparent The plastic is electrostatically charged to a given polarity. Then the arrangement becomes activating radiation exposed in the photoconductive layer creates a hole-electron pair. The electron moves through the plastic layer and neutralizes a positive charge on the free surface of the plastic layer, creating an electrostatic image is produced. However, this patent does not disclose any special plastic materials that are

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se wirken, und beschränkt ihre Beispiele auf Strukturen, die ein Photoleiterinaterial für die Oberschicht verwenden.se work, and limits their examples to structures that are a photoconductor material for the top layer use.

Die PR-PS 1 577 855 beschreibt eine zusammengesetzte photoempfindliche .Anordnung für spezielle Zwecke, die für Refiexbelichtung durch polarisiertes Licht geeignet ist. Eine Ausführungsform verwendet eine Schicht dichroltischer, organischer, photoleitfahiger Teilchen, die auf einem tragenden Substrat orientiert angeordnet sind, sowie eine Schicht aus Polyvinylcarbazol über der orientierten Schicht dichroitisehen Materials. Wenn die orientierte dichroitische Schicht und die Polyvinylcarbazolschicht geladen und Licht ausgesetzt sind, welches senkrecht zur Orientierung der dichroitischen Schicht polarisiert ist, sind beide Schichten für das anfängliche Bestrahlungslicht praktisch transparent. Trifft das polarisierte Licht den weissen Hintergrund des gerade kopierten Dokuments, wird das Licht depolarisiert, durch die Anordnung reflektiert und von dem dichroitischen photoleitfähigen Material absorbiert. Bei einer weiteren Ausführungsform ist der dichroitische Photoleiter in orientierter Weise über die Polyvinylcarbazolschicht verteilt.The PR-PS 1 577 855 describes a compound photosensitive. Arrangement for special purposes that suitable for refiex exposure through polarized light is. One embodiment uses one layer dichroic, organic, photoconductive particles, which are arranged oriented on a supporting substrate, as well as a layer of polyvinyl carbazole over the oriented layer of dichroic material. When the oriented dichroic layer and the Polyvinyl carbazole layer charged and exposed to light which is perpendicular to the orientation of the dichroic Layer is polarized, both layers are practically transparent to the initial irradiation light. If the polarized light hits the white background of the document being copied, the light is depolarized, reflected by the array and absorbed by the dichroic photoconductive material. In another embodiment, the dichroic photoconductor is oriented over the polyvinyl carbazole layer distributed.

In den amerikanischen Patentanmeldungen 94 139, 93 994, 94 071 und 93 975 vom 1.12.1971 werden photoempfindliche Mittel mit funktionellen Materialien beschrieben. Das erste Material i-t ein Photoleiter, der in der Lage ist, lielrerregte Löcher und Elektronen in einem angrensnden, elektronisch aktiven Material zu erzeugen und einzubringen. Das elektronisch aktive Material umfasst ein transparentes organisches Material, das elektromagnetischeIn the American patent applications 94 139, 93 994, 94 071 and 93 975 of December 1, 1971, photosensitive agents with functional materials are described. The first material is a photoconductor that is capable of generating and introducing excited holes and electrons in an adjacent, electronically active material. The electronically active material comprises a transparent organic material, the electromagnetic

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Strahlung im Bereich der beabsichtigten xerographischen Verwendung praktisch nicht absorbiert, das aber elektronisch aktiv ist, indeia es dae Injizieren von lichterregten Löchern oder Elektronen von dem Photoleiter her und weiter den Transport dieser lichterzeugten Ladungen durch das aktive Material zum selektiven Abbau einer Oberflächenladung ermöglicht.Radiation in the range of the intended xerographic Use practically not absorbed, but which is electronically active, indeia it dae injecting light-excited holes or electrons from the photoconductor and further the transport of these light-generated Charges enabled by the active material for the selective reduction of a surface charge.

Die Verwendung von elektronisch aktiven Materialien in Kombination mit Photoleitern in xerographischen Photorezeptoren, wie sie in den vorgenannten Anmeldungen ' offenbart sind, ist für die Xerographie von enormer Bedeutung. Beispielsweise kann diese Art von Photoempfänger bis herab zu 0,1 Volumenprozent Photoleiter, bezogen auf elektronisch aktives organisches Material, enthalten, wodurch es wirtschaftlich wird. Zudem bieten diese Photoempfänger hervorragende physikalische Festigkeit und Flexibilität, was ihre Verwendung unter raschen Wiederholungsbedingungen ermöglicht, die in derzeitigen xerographischen Prozessen gefordert v/erden.The use of electronically active materials in combination with photoconductors in xerographic photoreceptors, as disclosed in the aforementioned applications is of enormous importance for xerography. For example, this type of photoreceiver can source down to 0.1 volume percent photoconductor to electronically active organic material, which makes it economical. Also offer these photoreceptors have excellent physical strength and flexibility, which enables their use under rapid repetitive conditions that are present in current xerographic processes are required.

So ist leicht zu erkennen, dass ein fortbestehendes Bedürfnis zur Entwicklung xerographischer Photoempfänger besteht, die die für die Bedingungen raschen wiederholten Betriebs erforderlichen elektrischen und physikalischen Eigenschaften besitzen. Zudem wird der Bedarf nach Photoempfängern, die neue Zusammensetzungen elektronisch aktiver organischer Materialien und Photoleiter enthalten, sehr hoch geschätzt.So it is easy to see that there is an ongoing need to develop xerographic photoreceptors that quickly repeated those for the conditions Operation required electrical and physical Possess properties. In addition, the need for photoreceptors that incorporate new compositions is becoming electronic containing active organic materials and photoconductors, very highly valued.

Die Erfindung soll eine neue, photoempfindliche, für wiederholtes Abbilden (cyclic imaging) geeignete Vorrich-The invention aims to provide a new, photosensitive, for repeated imaging (cyclic imaging) suitable device

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tung und ein neues Abbildungssystem sowie photoempfindliche Mittel schaffen, welche eine wirksame Fehlstellenerzeugung und -transport durch Licht entwickeln. Sie soll ferner neue lichtempfindliche Vorrichtungen und eine neue Methode der Bildentwicklung auf lichtempfindlichen Vorrichtungen sowie neue photoenipfindliche Vorrichtungen, die in der lage sind, hervorragende mechanische Eigenschaften zu entwickeln, • schaffen.tion and a new imaging system as well as photosensitive Create means that develop an effective defect generation and transport through light. It also aims to introduce new photosensitive devices and a new method of image development photosensitive devices as well as new photosensitive devices Devices that are able to develop excellent mechanical properties, • create.

Erfindungsgemäss wird ein lichtempfindliches Mittel mit wenigstens zwei funktioneilen Materialien vorgesehen. Das erste Material umfasst eine photoleitfähige Substanz, die in der Lage ist, bei Lichtanregung Löcher zu erzeugen und in ein angrenzendes oder benachbartes, elektronisch aktives Material zu injizieren. Das elektronisch aktive Material umfasst ein transparentes, organisches, polymeres oder nichtpolymeres Material, das im Bereich der beabsichtigten Verwendung sichtbares Licht oder Strahlung praktisch nicht absorbiert, das aber insoweit aktiv ist, als es die Injektion von durch Licht erzeugten Löchern aus der photoleitfähigen Schicht erlaubt und den Transport dieser Löcher durch die aktive·Schicht zur selektiven Entladung einer Oberflächenladung auf der freien Oberfläche der aktiven Schicht ermöglicht.According to the invention, a photosensitive agent with at least two functional materials is provided. The first material comprises a photoconductive substance which is capable of producing holes when excited by light to generate and inject into an adjacent or adjacent, electronically active material. That electronically active material includes a transparent, organic, polymeric or non-polymeric material that practically not absorbed visible light or radiation in the range of the intended use, but this to that extent is active than it allows the injection of light-generated holes from the photoconductive layer and the transport of these holes through the active layer to selective discharge of a surface charge on the allows free surface of the active layer.

Die Erfindung umfasst die Klasse von Verbindungen, zu denen phenylsubstituierte Aromaten gehören, bei denen die Position der Phenylgruppe durch Eliminieren des Fauptrings aus dem Aromaten, der einen Ring mehr besitzt als die substituierte Verbindung, bestimmt wird.The invention encompasses the class of compounds including phenyl-substituted aromatics, in which the position of the phenyl group by eliminating the Fauptring from the aromatic, which has one more ring as the substituted compound.

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Spezielle organische, elektronisch aktive Materialien, die für die erf indungsgeinässe Verwendung infrage kommen, umfassen 2-Phenylnaphthalin, 2-Phenylanthracene, 2-Phenylindol und deren Polymere. Die chemische Konfigurati oneodieser drei monomeren Materialien sind wie folgt:Special organic, electronically active materials that are suitable for the use in accordance with the invention, include 2-phenylnaphthalene, 2-phenylanthracenes, 2-phenylindole and its polymers. The chemical configurati Those of these three monomeric materials are as follows:

Verständlicherweise ermöglicht die Verwendung dieser elektronisch aktiven Substanzen eine Vielfalt von Photoempfängerstrukturen. Daher können die elektronisch aktiven Substanzen zusammen mit photoleitfähigem Material in Form einer Binderstruktur oder einer Schichtanordnung vorliegen.Understandably, the use of these electronically active substances enables a variety of Photoreceptor structures. Therefore, the electronically active substances can be used together with photoconductive material be in the form of a binder structure or a layer arrangement.

Die erfindungsgemässen aktiven Materialien wirken nicht als Photoleiter im Wellenlängenbereich xerographischer Anwendung. Wie oben angegeben, werden Loch-Elektronen-Paare in dem photoleitfähigen Material durch Licht erzeugt, und die Löcher werden dann in das angrenzende oder benachbarte, elektronisch aktive Material injiziert, und der Löcherträn sport erfolgt durch das aktive Material.The active materials according to the invention do not act as photoconductors in the xerographic wavelength range Use. As stated above, hole-electron pairs in the photoconductive material are created by light, and the holes are then injected into the adjacent or adjacent electronically active material, and the hole draining sport takes place through the active material.

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Zu einer typischen Anwendung der Erfindung gehört die Verwendung einer Sandwich-Zelle oder Schichtanordnung, die bei einer Ausfiihrungsform aus einem tragenden Substrat, wie z.B·. einem Leiter, der darauf eine photoleitfähige Schicht enthält, besteht. Die photoleitfähige Schicht kann z.B. in Form einer Schicht aus einem amorphen oder glasartigen Selen vorliegen. "Sine transparente 2-Phenylindol-Schicht, die die Löcherinjektion und -transport ermöglicht, wird als Überzug auf die photoleitfähige Selenschicht aufgebracht. Die Verwendung der transparenten, elektronisch aktiven Schicht aus 2-Phenylindol ermöglicht es, Vorteile zu ziehen aus der Anordnung einer photoleitf ähigen Schicht nahe dem tragenden Substrat sowie aus dem Schutz der photoleitfähigen Schicht durch eine äussere Oberflächenschicht, die den Transport von durch Licht erzeug ten Löchern aus dem Photoleiter ermöglicht und zugleich als physikalischer Schutz der photoleitfähigen Schicht gegenüber Umgebungsbedingungen wirkt. Diese Struktur kann dann in herkömmlicher xerographischer V/eise belichtet werden, was gewöhnlich Aufladen, optische Belichtung und Entwicklung umfasst.A typical application of the invention includes the use of a sandwich cell or layer arrangement, which in one embodiment consists of a supporting substrate, e.g. a head who is on it contains a photoconductive layer. The photoconductive layer may, for example, be in the form of a Layer of an amorphous or vitreous selenium are present. "A transparent 2-phenylindole layer, which enables hole injection and transport, is used as a coating on the photoconductive selenium layer upset. The use of the transparent, electronically active layer made of 2-phenylindole is made possible it is desirable to take advantage of the provision of a photoconductive layer near the supporting substrate as well as from the protection of the photoconductive layer by an outer surface layer that allows the transport of holes generated by light from the Photoconductor enables and at the same time as physical protection of the photoconductive layer against ambient conditions works. This structure can then be exposed in a conventional xerographic manner, which usually includes charging, optical exposure and development.

Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, vor' allem in Verbindung mit den Zeichnungen. Darin zeigt:Further features, details and advantages of the invention emerge from the following description of FIG Embodiments, especially in connection with the Drawings. It shows:

Fig. 1 ein Diagramm der Photoempfindlichkeit gegen die Feldabhängigkeit für ein elektronisch aktives Material alleine und in Verbindung mit einem Photoleiter;Fig. 1 is a graph of photosensitivity to the field dependence for an electronically active material alone and in conjunction with one Photoconductor;

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Pig. 2 ein Diagramm ähnlich Pig. 1 für ein zv/eites aktives Material;Pig. 2 is a diagram similar to Pig. 1 for a zv / eites active material;

Pig. 3 ein Diagramm des Absorptionsspektrums für Polyvinylcarbazol;Pig. 3 is a diagram of the absorption spectrum for Polyvinyl carbazole;

Pig. 4 ein Diagramm des Absorptionsspektrums für Pyren;Pig. 4 is a diagram of the absorption spectrum for pyrene;

Pig. 5 bin 9 je eine schema tische Darstellung einer. Ausführungüform einer erfindungsgemässen Vorrichtung bzw. Anordnung; undPig. 5 bin 9 each a schematic representation of one. Embodiment of a device according to the invention or arrangement; and

Pig. 10 die Entladungscharakteristiken der erfinäungsgemessen elektronisch aktiven Materialien.Pig. Fig. 10 measured the discharge characteristics of the invention electronically active materials.

Wie hierin definiert, ist ein Photoleiter ein Material, das in dem Y/ellenlängenbereich, in dem es verwendet v/erden soll, auf Licht elektrisch anspricht. Insbesondere ist es ein Material, dessen elektrische Leitfähigkeit, entsprechend der Absorption elektromagnetischer Strahlung in einem V/ellenlängenbereich, in dem es benützt werden soll, beträchtlich ansteigt. Diese Definition wird notwendig durch die Tatsache, dass eine grosse Zahl aromatischer organischer Verbindungen als photo- ■ leitfähig bekannt sind oder die Photoleitfähigkeit er- · wartet wird, wenn sie mit stark abacrbierter UV-, Röntgen- oder Gamma-Strahlung bestrahlt v/erden. Photoleitfähigkeit in organischen Materialien 1st ein übliches Phänomen. Praktisch alle hoch^konjugierton organischen Verbindungen entwickeln ein bestimmtes Mass an Photoleitfähigkeit unter geeigneten Bedingungen. Die meisten diener organischen Materialien haben jhre Hauptwellen- 3 ängenanrr-R^rg in den auf UV ansprechenden Materialien,As defined herein, a photoconductor is a material that is in the wavelength range in which it is used v / should be grounded, electrically responds to light. In particular, it is a material whose electrical conductivity, corresponding to the absorption of electromagnetic radiation in a wavelength range in which it is used is to be increased considerably. This definition is made necessary by the fact that a large Number of aromatic organic compounds as photo ■ are known to be conductive or the photoconductivity is expected if they are exposed to strongly abraded UV, X-ray or irradiated gamma radiation. Photoconductivity in organic materials is a common phenomenon. Virtually all highly conjugated organic Compounds develop a certain level of photoconductivity under suitable conditions. Most of these organic materials have their main shaft 3 ängenanrr-R ^ rg in the UV-sensitive materials,

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BADBATH

und ihre Anregung durch kurze Wellenlängen ist nicht sonderlich geeignet für "das Kopieren von Vorlagen oder Farbreproduktionen. In Anbetracht des allgemeinen Überwiegens einer Photoleitfähigkeit in organischen Verbindungen aufgrund der Anregung kurzer Vellenlängen ist eo daher nötig, im Rahmen dieser Erfindung den Ausdruck "Photoleiter" oder "photoleitf äliig" so zu verstehen, dass nur solche Materialien umfasst v/erden, die tatsächlich in dem Y/ellenlängenbereich, in ' dem sie verwendet werden sollen, durch Licht angeregt werden.and their excitation by short wavelengths is not particularly suitable for "copying of originals or color reproductions. Considering the general A predominance of photoconductivity in organic Connections based on the excitation of short wavelengths is therefore necessary in the context of this invention the term "photoconductor" or "photoconductive" so to understand that only those materials are included that are actually in the wavelength range in ' to which they are to be used, are stimulated by light.

Elektronisch aktives Material, wie es in dieser Erfindung "beschrieben wird, da-s auch als aktives Matrixmaterial bezeichnet wird, wenn es als eine Matrix für eine Binderschicht benutzt wird, ist ein praktisch nichtphotoleitfähiges Material, das die Wirksamkeit der Injektion von durch Licht erzeugten Löchern aus der photoleitfähigen Schicht zu wenigstens etwa 10 fo bei Feldstärken von etwa 2x10 V/cm unterstützt. Dieses Material zeichnet sich weiter durch die Fähigkeit zum Transport des Trägers von mindestens 10 cn bei einer Feldstärke von nicht mehr als etwa 10 V/cm aus. Zudem ist das aktive Material in dem Wellenlängenbereich, indem die Anordnung verwendet werden soll, transparent.Electronically active material as described in this invention ", also referred to as active matrix material when used as a matrix for a binder layer, is a practically non-photoconductive material that enhances the effectiveness of light-generated hole injection from the photoconductive layer to at least about 10 fo at field strengths of about 2x10 V / cm. This material is further characterized by the ability to transport the carrier of at least 10 cn at a field strength of no more than about 10 V / cm the active material is transparent in the wavelength range in which the arrangement is to be used.

Die aktiven Transportmaterialien, die zusammen mit Photoleitern gemäss der Erfindung eingesetzt werden sollen, sind Materialien, die insoweit Isolatoren sind, als eine elektrostatische Ladung, die auf die aktiven Transportmaterialien aufgebracht wurde, bei fehlender Belichtung nicht geleite/vrird, und zwar in einem solchen Umfang, der ausreicht, die Bildung und Retention eines elektro-The active transport materials to be used together with photoconductors according to the invention, are materials that are insulators in that they have an electrostatic charge on the active transport materials was applied, is not guided in the absence of exposure, to such an extent that sufficient for the formation and retention of an electrical

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statischen latenten Bildes darauf .zu vermeiden. Dies bedeutet im allgemeinen, dass der spezifische Widerstand des aktiven Transporting terials wenigstens etwa 10 ohm-em sein sollte.static latent image on it. this generally means that the specific resistance of the active transporting terials at least about Should be 10 ohm-em.

V/ie aus den vorstehenden Ausführungen zu entnehmen ist, sind die für die aktiven Transportsyoteme gemüse der Erfindung brauchbaren besonderen Materialien nebenbei auch photoleitfähig, wenn Strahlung von für elektronisehe Erregung geeigneten V/ellenlängen von ihnen absorbiert wird. Photoerregung im Boreich kurzer Wellenlängen jedoch, der ausserhalb des Spektralbereichs fällt, für clon der Photoleiter verwendet werden soll, ist für die Leistung der Anordnung bzw. Vorrichtung unerheblich. Bekanntlich muss Strahlung absorbiert werden, um Photoleitfähigkeitsanregung hervorzurufen, und „die doigen Transparentkriterien für die aktiven Materialien besagen, dass diese Materialien nicht in wesentlichem Uafang zur Photoanregung des Photoempfängera in dem verwendeten Y/ellenliingenbereich beitragen.V / ie can be seen from the above statements, are the vegetables for the active transport syotems Invention usable special materials incidentally also photoconductive when radiation from for electronic Excitation of suitable wavelengths is absorbed by them will. Photo excitation in the short wavelength range, however, which falls outside the spectral range, for clon the photoconductor to be used is for Performance of the arrangement or device is insignificant. It is well known that radiation must be absorbed in order to excite photoconductivity and "the doigen transparency criteria for the active materials state, that these materials are not in any essential extent to the photoexcitation of the photoreceiver in the used Y / ellenliingenbereich contribute.

Der Grund für das Erfordernis, dass die aktiven Transportmaterialien transparent sein müssen, beruht auf der Erkenntnis, dass unter allen praktischen Bedingungen die Wirksamkeit der Lichfceinstrahlung von dem Photoleiter in die aktiven Materialien für sichtbare, von dem Photoleiter absorbierte Strahlung die dem aktiven Material in ,-jeglichem V/ellenlängenbereich, dem sichtbaren oder einem anderen, eigene Photoemnfindlichkeit bei weitem übersteigt. Diese Lage wird von den Fig. 1 und 2 veranschaulicht, die einen Vergleich der Feldabhängigkeit der Eins trnhlung3emp1indlichke.it des Photoleiteraelens in r.owie die ma terialeigene Photoempfindlichkeit vonThe reason for the requirement that the active transport materials must be transparent is based on the knowledge that under all practical conditions the Effectiveness of the light radiation from the photoconductor in the active materials for visible, from the photoconductor absorbed radiation that the active material in, -any wavelength range, the visible or another, own photo sensitivity by far exceeds. This situation is illustrated by FIGS. 1 and 2, a comparison of the field dependence of the irradiation sensitivity with the photoconductor in r. as well as the material's own photosensitivity of

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zwei elektronisch aktiven Materialien zeigen, die in den US-Patentanmeldungen 93 994 und 94 139 offenbart sind, nämlich Polyvinylcarbazol (PYK) und Polyvinylpyren (PYP), jeweils gemessen an Proben von 20 Mikron Stärke auf einem Aluniiniumsubstrat und hergestellt nach den in diesen Anmeldungen beschriebenen Methoden. Die Kurven für die Schichtenstrukturen der gleichen Materialien mit einer 0,4 Mikron starken Schicht glasartigen Selens zwischen der Schicht aktiven Materials und dem Substrat sind ähnlich denen der Struktur der Pig. 2. /show two electronically active materials disclosed in U.S. Patent Applications 93,994 and 94,139 are, namely polyvinyl carbazole (PYK) and polyvinyl pyrene (PYP), each measured on samples of 20 micron thickness on an aluminum substrate and manufactured according to the methods described in these applications. The curves for the layer structures of the same Materials with a 0.4 micron layer of vitreous selenium between the active material layer and the substrate are similar to those of the structure of Pig. 2. /

Die Daten der Pig. 1 und 2 werden durch Auftragen der anfänglichen xerographischen Ausbeute (g) als Punktion des angewandten Peldes bestimmt. Die xerographische Aus beute wurde aus der anfänglichen Bntladegeschwindigkeit The data of the Pig. 1 and 2 are applied by applying the initial xerographic yield (g) determined as puncture of the applied field. The xerographic Aus The prey became from the initial unloading speed

(dY/dt).(dY / dt).

berechnet, worin I der auftreffende, direkte Photonenfluss, d die Stärke der Schicht5έ die elektrische Dielektrizitätskonstante und e die Elektronenladung ist. Eine xerographische Ausbeute einer Einheit würde beobachtet, wenn ein Ladungsträger pro auftreffendes Photon angeregt würde und sich durch die Schicht bewegen würde. Aus den Pig, 1 und 2 wird klar, dass die materialeigene Photoleitfähigkeit der aktiven Materialien bei ihrem Absorptionswellenlängen-peak (UY-Anregung) zu Ausbeuten führt, die erheblich geringer sind als die wirksamen photoleitfähigen Materialien mit Zweiphasenstruktur, wie c z.B. durch die Schichtenstrukturen unter Verwendung äv.r.- calculated, where I is the incident, direct photon flux, d is the thickness of the layer 5 έ is the dielectric constant and e is the electron charge. A unit xerographic yield would be observed if one charge carrier per incident photon were excited and moved through the layer. It is clear from Pig, 1 and 2 that the inherent photoconductivity of the active materials at their absorption wavelength peak (UY excitation) leads to yields that are considerably lower than the effective photoconductive materials with a two-phase structure, such as c e.g. through the layer structures below Use a.r.-

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ner Selenschichten mit geeigneten aktiven Materialien veranschaifJ icht werden, die Ausbeuten von annähernd 0,70 bei einem PeId von etwa 10 v/cm erreichen, unter Anwendung einer anregenden Y/ellenlänge innerhalb des sichtbaren Spektrums (4000 - 8000 R). Selenium layers with suitable active materials can be shown to achieve yields of approximately 0.70 at a level of about 10 v / cm, using an exciting wavelength within the visible spectrum (4000-8000 R).

Die Pig, 3 und 4 sind Absorptionsspektren für PVK und PVP bei Wellenlängen von 2500 - 4000 J?. Aus diesen Spektren wird klar, dass PVK und PVP, wenn überhaupt, vernachlässigbare Entladung zeigen, wenn sie einer Wellenlänge von in der Xerographie brauchbarem Licht, d.3 i. 4000 - 8000 R1 auügesetzt werden. Die offensichtliche Verbesserung der leistung, die sich aus der Verwendung der zv/exphasigen Systeme dieser Art- ergibt, kann am besten verwirklicht werden, wenn das aktive Material praktisch transparent gegenüber der Strahlung in eine;:! Bereich ist, in welchem der Phofcoleiter verwendet v/erden soll: denn jede Absorption von erwünschter Strahlung durch das aktive Material hindert diese Ctrahlung, da s ρh ο t ο 3. e i t f ähige ϊ,ίa t e ri a 1 zu erreiche η t wο sie viel wirkungsvoller· zur Anwendung gelangt. Daraus folgt, dass es vorteilhaft ist, elektronisch aktive Materialien zu verwenden, die transparent sind bei We.l~ lenlyngen, bei denen der Photoleiter hauptsächlich anger eg ί; wird, und insbesondere bei dem Y/ellenlängenbereich, in dein der Photoleiter verwendet werden soll. Die elektronisch aktiven Materialien gernäss der Erfindung zeigen auch Transparenz und fehlende Absorption im IVellenlangenbereich von 4000 - 8000 R. Pig, 3 and 4 are absorption spectra for PVC and PVP at wavelengths of 2500 - 4000 J ?. From these spectra it is clear that PVK and PVP show negligible discharge, if at all, when they correspond to a wavelength of light useful in xerography, i.e. 3 i. 4000 - 8000 R 1 can be used. The obvious improvement in performance resulting from the use of the zv / ex-phase systems of this type can best be realized when the active material is practically transparent to the radiation in a;:! Range, in which the Phofcoleiter used v to ground /: for every absorption of radiation desired by the active material prevents these Ctrahlung as ρh s ο ο 3 t eitf ähige ϊ, ίa te ri wο a 1-to-reach η t them much more effectively · used. It follows from this that it is advantageous to use electronically active materials that are transparent in light sources in which the photoconductor is mainly stimulated. and especially in the wavelength range in which the photoconductor is to be used. The electronically active materials according to the invention also show transparency and a lack of absorption in the wavelength range of 4000 - 8000 R.

Unter Bezug auf Pig. 5 zeigt die Be/.ugosiffer 10 eine bevorzugte Ausfubrungsforrn der Erfindung, die ein pho-Referring to Pig. 5 shows the be / .ugosiffer 10 a preferred embodiment of the invention, which is a photographic

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BAD OHfGINALBAD OHfGINAL

toempfindliches Mittel in Form einer Platte mit einem tragenden Substrat 11 umfasst, welches mit einer Binderschicht 12 überzogen ist. Das Substrat 11 enthält bevorzugt jedes geeignete leitfeihige Material. Typische Leiter sind Aluminium, Stahl, Messing od. dgl. Das Substrat kann starr oder flexibel und von jeder geeigneten Stärke sein. Typische Substrate umfassen flexible Bänder oder Hülsen, Bleche, Stege oder Netze (webs), Platten, Zylinder und Trommeln. Das Substrat oder der Träger kann auch eine zusammengesetzte 3truktür aufweisen, wie z.B. eine dünne, leitfähige Beschichtung auf einer Papierunterlage; ein Kunststoff, beschichtet mit einer dünan leitfähigen Schicht, wie z.B. Aluminium oder Kupferiodid; oder Glas, beschichtet mit einem dünnen leitfähigen Überzug aus Chrom oder Zinnoxid. Bei Verwendung eines transparenten Substrats sollte es klar sein, dass bildweise Belichtung gegebenenfalls durch das Substrat oder die rückwärtige Schicht des abbildenden Mittels erfolgen kann.sensitive agent in the form of a plate with a supporting substrate 11, which is covered with a binder layer 12. The substrate 11 contains preferably any suitable conductive material. Typical conductors are aluminum, steel, brass or the like. The substrate can be rigid or flexible and any appropriate strength. Typical substrates include flexible tapes or sleeves, sheets, webs or nets (webs), plates, cylinders and drums. The substrate or the carrier can also be a composite structure such as a thin conductive coating on a paper backing; a plastic, coated with a thin conductive layer such as aluminum or copper iodide; or glass, coated with a thin conductive coating of chrome or tin oxide. When using a transparent substrate it should be understood that imagewise exposure may be through the substrate or the backing layer the imaging agent can take place.

Die Bindeschicht 12 enthält photoleitfähige Teilchen 13, die in nicht orientierter Anordnung in' einer elektronisch aktiven Matrix oder einem Bindermaterial 14 dispergiert sind. Die photoleitfähigen Teilchen können aus"jedem geeigneten anorganischen oder organischen Photoleiter und deren Gemischen bestehen, die in der Lage sind, durch Eicht erzeugte Löcher in die Matrix einzuführen. Typische anorganische Materialien umfassen anorganische kristalline Verbindungen und anorganische photoleitfähige Gläser. Zu typischen anorganischen kristallinen Verbindüngen gehören Cadmiumsulfoselenid, Cadmiumselenid, Cadmiumsulfid und deren Gemische. Anorganische photo-The binding layer 12 contains photoconductive particles 13 which are dispersed in a non-oriented arrangement in an electronically active matrix or a binder material 14. The photoconductive particles can consist of "any suitable inorganic or organic photoconductor and mixtures thereof capable of introducing holes created by light into the matrix. Typical inorganic materials include inorganic crystalline compounds and inorganic photoconductive glasses. Typical inorganic crystalline compounds include Cadmium sulfoselenide, cadmium selenide, cadmium sulfide and their mixtures. Inorganic photo-

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leitfähige Gläser umfassen amorphes Selen und Selenlegierungen, wie z.B. Selen-Tellur und Selen-Arsen. Selen kann auch als kristalline Form verwendet werden, die als trigonales Selen bekannt ist. Typische organische Materialien umfassen Phthalocyaninpigmente, wie z.B. die X-Porm metallfreien Phthalocyanins, beschrieben in der US-PS 3 357 989, Metall-Phthilocyanine, wie z.B. Kupfer-Phthalocyanin; Chinacridone (Monastral Hot, Monastral Violett und Monastral Rot Y der DuPont); substituierte 2,4-Diamino-triazine der US-PS 3 445 227; Triphenodioxazine der US-PS 3 442 781; mehrkernige aromatische Chinone (Tndofast Doppelscharlach, Indofast Violett Pigment B, Indofast Brilliant Scharlach und Indofast Orange der Allied Chemical Corp.). Diese Zusammenstellung von Photoleitern ist in keiner Weise begrenzend, sondern veranschaiicht lediglich geeignete Materialien. Die Abmessungen der photoleitfähigen Teilchen ist nicht kritisch, aber Teilchen in einer Gröcse im Bereich von etwa 0,01 - etv/a 1 Mikron führen zu besonders befriedigenden Ergebnissen.Conductive glasses include amorphous selenium and selenium alloys such as selenium-tellurium and selenium-arsenic. Selenium can also be used in a crystalline form known as trigonal selenium. Typical organic materials include phthalocyanine pigments, such as the X-Porm metal-free phthalocyanine, described in US Pat. No. 3,357,989, Metall-Phthilocyanine, such as copper phthalocyanine; Quinacridones (Monastral Hot, Monastral Violet and Monastral Red Y from DuPont); substituted 2,4-diamino-triazines of U.S. Patent 3,445,227; Triphenodioxazines, U.S. Patent 3,442,781; polynuclear aromatic quinones (tndofast double scarlet, indofast Violet Pigment B, Indofast Brilliant Scharlach and Indofast Orange from Allied Chemical Corp.). This compilation of photoconductors is in no way limiting, but merely illustrates suitable ones Materials. The dimensions of the photoconductive particles is not critical, but particles of one size in the range of about 0.01 - etv / a 1 micron give particularly satisfactory results.

Wie zuvor festgestellt, werden die photoleitfähigen Materialien gemäss der Erfindung in nicht orientierter V/eise eingesetzt. Unter "nicht orientiert" ist zu verstehen, dass das Pigment oder das photoleitfähige Material isotrop hinsichtlich der anregenden elektromagnetischen Strahlung ist, insofern, als es gegenüber jeder Polarisierung der anregenden Strahlung gleich empfindlich ist.As previously stated, the photoconductive materials are used according to the invention in a non-oriented manner. "Not oriented" means that the pigment or the photoconductive material is isotropic with respect to the exciting electromagnetic radiation, in that it is to everyone Polarization of the stimulating radiation is equally sensitive.

Das elektronisch aktive Matrixmaterial 14 umfasst die organischen Stoffe 2-Phenylnaphthalin, 2-PhonylanLhracenThe electronically active matrix material 14 includes organic substances 2-phenylnaphthalene, 2-phonylan-lhracene

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und 2-Phenylindol,, die die Einführung von durch Licht angeregten Fehlstellen aus dem phoioleitfähigen Pigment unterstützen und den Transport dieser Fehlstellen durch das aktive Matrixmaterial zur selektiven Entladung einer öberflächenladung ermöglichen„ Ausserdera sind Kondensation-,, Additions- und andere PoIyraerisattypen von 2-Fhenylnaphthalic 2-Phenylanthracen und 2-Phenylindol elektronisch aktiv und fallen in den Bereich der Erfindung»and 2-phenylindole, which are the introduction of light excited voids from the photo-conductive pigment support and the transport of these defects through the active matrix material to the selective Unloading a surface charge enables “Ausserdera are condensation, addition and other types of polyacrylate of 2-phenylnaphthalic 2-phenylanthracene and 2-phenylindole are electronically active and fall into the Field of Invention »

»'ie oben angegeben, kann jedes Polymerisat (ein Polymerisat ist ein grouses Molekül, das sich durch Wiederholung kleiner einfacher chemischer Einheiten aufbaut)«, dessen sich wiederholende Einheit das geeignete, elektronisch aktive organische Monomere gemäss der 3r~ findung, d.h., 2-Phenylindol0 enthält«, im Rahmen dieser Erfindung verwendet werden.'Daher legt der Rahmen dieser Erfindung nicht die Art des Polymerisats fest, die als Matrixmaterial verwendet v/erden kann» Polyester, Polysiloxane, Polyamide, Polyurethane und Epoxide sowie Block-,Pfropf·- oder statistische Copolymerisate (die die sich wiederholende aromatische Einheit enthalten) sind Beispiele- für die verschiedenen Polymerisattypen, die eingesetzt werden können, Ausserdem können geeignete Mischungen aktiver Polymerisate mit inaktiven Polymerisaten oder nichtpolymeren Materialien ebenfalls eingesetzt v/erden»"As stated above, any polymer (a polymer is a large molecule that is built up by repeating small, simple chemical units)" whose repeating unit represents the suitable, electronically active organic monomer according to the invention, ie, 2- Phenylindole 0 contains ", can be used within the scope of this invention." Therefore, the scope of this invention does not specify the type of polymer that can be used as the matrix material "polyester, polysiloxanes, polyamides, polyurethanes and epoxides as well as block, grafts - or random copolymers (which contain the repeating aromatic unit) are examples of the different types of polymer that can be used. In addition, suitable mixtures of active polymers with inactive polymers or non-polymeric materials can also be used »

Im allgemeinen ist die aktive Schicht praktisch transparent oder absorbiert nicht in zumindest einem wesentlichen Teil des Bereichs von etwa 4000 - 8000 R, wirktIn general, the active layer is transparent or virtually not absorbed in at least a substantial part of the range of about 4000 - 8000 R acts

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BADBATH

aber noch in der Weise, dass das Einführen und der Transport von Fehlstellen ermöglicht wird, die innerhalb dieses V/ellenlängenbereichs durch die photo] eilenden Pigraentteilcben erzeugt worden sind.but still in such a way that the introduction and the Transport of imperfections is made possible, which within this wavelength range by the photo] rapid pigment parts have been produced.

Eine obere Grenze der Volumenkonzentration oder -belegung an Photoleiter wird von verschiedenen Faktoren bestimmt: insbesondere (1) von der Stufe, bei der lii«1 physikalischen Eigensolnften des Polymerisats ernsthi.it beeinträchtigt werden; (2) der Stufe, bei der ein erheblicher Transport durch Teilchen-an-Teilchen-Berührung eintritt; und (3) der Stufe, an der mit leitffihigen Pigmenten,wie 7,.B. trigonalem Selen, ülsrinäcf-ige Fehl stel lenabvvanderung während des Ladens auftritt. Die beiden letzteren Faktoren führen häufig zu einem Ausbleiben der Fähigkeit zu erneutem Betrieb. Im allgemeinen darf die obere Grenze für das photoleitfähige Pigment oder die Teilchen nicht über etwa 5 VoI .$ der Binderschicht liegen, um die beste Kombination vonAn upper limit of the volume concentration or occupation rules on the photoconductor is determined by various factors: in particular (1) are ernsthi.it affected by the stage at which lii «1 physical Eigensolnften of the polymer; (2) the stage at which significant particle-to-particle contact transport occurs; and (3) the stage at which conductive pigments such as 7, .B. trigonal selenium, insulin-like imperfections, migration occurs during charging. The latter two factors often result in an inability to restart. In general, the upper limit for the photoconductive pigment or particles must not exceed about 5 vol. $ Of the binder layer to get the best combination of

physikalischen und elektrischen Eigenschaften zu erzielen. Eine untere Grenze für die photoleitfähigen Teilchen von etwa 0,1 VoI .fo der Binderschicht ist nötig, ' um sicherzustellen, dass der Lichtabsorptionskoeffizient ausreicht, um eine beträchtliche Trägererzeugung zu ergeben. Um eine eng äquivalente Entladungsrate unter beidon Li(!^bedingungen zu erzielen, ist es notwendig, in einem Bereich cer Volumenbelegung zu arbeiten, wo die Durchnohnittstiefe der Lichtdurchdringung nahe dem Zentrum der Schicht liegt.to achieve physical and electrical properties. A lower limit for the photoconductive particles of about 0.1 VoI .fo the binder layer is necessary 'to ensure that the light absorption coefficient sufficient to give a significant carrier generation. In order to achieve a closely equivalent discharge rate under both Li (! ^ Conditions, it is necessary to work in a region of the volume occupancy where the penetration depth of the light penetration is close to the center of the layer.

Eine vollständige Erläuterung der Ladungseigenschaften einer aktiven Binderplatte bezüglich der Volumenkonzentration ist in der US-Pa tenta ηmoIdung 93 994 offenbart,A full explanation of the charge properties an active binder plate in terms of volume concentration is disclosed in US Pat.

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deren Inhalt deshalb bezugsweise hier einzubeziehen ist.the content of which is therefore to be included here.

Wie in der US-Patentanmeldung 93 994 offenbart ist, ist ein kritischer Bereich von etwa 0,1 bis 5 Vol.$ des Photoleiters erforderlich, um die Vorteile der elektronisch aktiven Matrix-Binder-Zusammensetzung/gemäss der Erfindung zu erzielen.As disclosed in U.S. Patent Application 93,994, a critical range is from about 0.1 to 5 $ by volume of the photoconductor required to take advantage of the electronically active matrix-binder composition / according to to achieve the invention.

Die Stärke der Binderschicht ist nicht besonders kritisch. Schichtdicken von etwa 2 bis etwa 100 Mikron haben sich als zufriedenstellend erwiesen, wobei eine bevorzugte Stärke von etwa 5 bis etwa 50 Mikron zu besonders guten Ergebnissen führt»The strength of the binder course is not particularly critical. Layer thicknesses from about 2 to about 100 microns have been found to be satisfactory, with a preferred thickness of about 5 to about 50 microns being particularly leads to good results »

Unter Bezug auf Pig«, 6 bezeichnet die Bezugsziffer 10 ein Abbildungsmittel in Form einer Platte mit einem tragenden Substrat 11 und einer Binderschicht 12 hierauf sowie einer aktiven Schicht 15 über der Binderschicht 12. Das Substrat 11 besteht bevorzugt aus jedem geeigneten leitfähigen Material9 wie s.B„ die0 die für das . Substrat der ligo 5 genannt wurden,,With reference to Pig 6, the reference numeral 10 designates an imaging means in the form of a plate with a supporting substrate 11 and a binder layer 12 thereon and an active layer 15 over the binder layer 12. The substrate 11 is preferably made of any suitable conductive material 9 such as SB "The 0 for that. Substrate which were called lig o 5,

Die Binderschicht 12 enthält photoleitfähige Teilchen 13!, die ohne Orientierung in einem Binder 14 statistisch verteilt sxndo Die photoleitfähigen Teilchen können aus jedem geeigneten anorganischen oder organischen Photoleiter und deren Gemischen bestehen,, Geeignete photoleitf ähige Materialien umfassen die, die oben für die Struktur von Fig„ 5 genannt wurden.The binder layer 12 contains photoconductive particles 13 !, those without orientation in a binder 14 statistically distributed sxndo The photoconductive particles can be made from any suitable inorganic or organic photoconductor and mixtures thereof exist, suitable photoconductive Similar materials include those identified above for the structure of FIG. 5.

Das Bindematerial 14 kann jedes elektrisch isolierende -Harz umfassen, wie z„B. die, die in der vorgenannten US-PS 3 121 006 offenbart wurden,, oder jedes geeigne-The binding material 14 can be any electrically insulating - Resin include, such as "B. those in the aforementioned US Pat. No. 3,121,006, or any suitable

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te aktive Material, das das gleiche oder ein anderes als dan für die Schicht 15 verwendete sein kann. Wird ein elektrisch inaktives oder isolierendes Harz verwendet, 1ε?t es wesentlich, dass zwischen den photoleitfäbigen Teilchen Teilohen-an-'I'eilchen-Kontakt besteht. Dies erfordert das Vorliegen des photoleitfähigen Material« in einer Menge von wenigstens etwa 25 Vol.^ der Binderschicht ohne Begrenzung der Maxiinalmenge des Photoleiters in der Binderschicht. Wenn· die Matrix oder der Binder ein elektronisch aktives Material umfasst, muss das photoleitfähige Material nur etwa 1 Vol.55 oder weniger der Binderschicht ohne Begrenzung der IvIn ximal menge des Photoleiters in der Binderschicht umfassen. Die Stärke der photoleitfähigen Schicht ist nicht kritisch. Schichtdicken von etwa 0,05 "bis 20 Mikron haben sich als zufriedenstellend erwiesen, wobei eine bevorzugte Stärke von etwa 0,2 bis 5 Mikron zu guten Ergebnissen führt.te active material, which may be the same as or different from that used for layer 15. Will uses an electrically inactive or insulating resin, 1ε? T it essential that between the photoconductive Particle-to-particle contact exists. This requires the photoconductive material to be present in an amount of at least about 25 Vol. ^ Of the binder course without limitation of the maximum amount of the photoconductor in the binder layer. If · the matrix or the binder is an electronically active one Material must include the photoconductive material only about 1 vol 55 or less of the binder course without Limitation of the maximum amount of photoconductor in the Include binder course. The thickness of the photoconductive layer is not critical. Layer thicknesses of about 0.05 "to 20 microns have been found to be satisfactory with a preferred thickness of about 0.2 to 5 microns giving good results.

Die elektronisch aktive Schicht 15 umfasst die elektronisch aktiven Stoffe 2-Phenylnaphthalin, 2-Phenylanthracen, 2-Pheny]indol und deren Polymerisate. Diese Stoffe sind in der Lage, die Einführung von durch Licht angeregten Fehlstellen aus der photoleitfahigen Schicht zu unterstützen und den Transport dieser Fehlstellen durch die organische Schicht zur selektiven Entladung einer Oberfläche η1a d 11 η g ζu e rmögliehen.The electronically active layer 15 comprises the electronically active substances 2-phenylnaphthalene, 2-phenylanthracene, 2-pheny] indole and their polymers. These substances are able to support the introduction of excited by light from the defects photoleitfahigen layer and rmögliehen the transport of these defects through the organic layer to selectively discharge a surface η1a d 1 η 1 g ζu e.

Die ak fciνe Schich■;., dieη t ηicht ηur zum Transport von Löchern, sondern schützt auch die photoleitfähige Schicht vor Abrieb oder chemischem Angriff und erweitert daher die betriebliche Lebensdauer des abbildenden , Photoempfängers.The ak fciνe Schich ■;., Dieη t η not η only for the transport of Holes, but also protects the photoconductive Layer against abrasion or chemical attack and therefore extends the operational life of the imaging, Photoreceiver.

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BADBATH

Im allgemeinen sollte die Stärke der elektronisch aktiven Schicht etwa 5 "bis etwa 100 Mikron sein, aber auch Stärken ausserhalb dieses Bereichs können verwendet werden. Das Verhältnis der Dicke der aktiven Schicht zur Photoleiterochicht sollte zwischen etwa 2:1 bis 200:1 gehalten werden«In general, the strength should be electronic active layer be about 5 "to about 100 microns, but strengths outside this range can also be used. The ratio of the thickness of the active Layer to the photoconductor layer should be between about 2: 1 to 200: 1 are held «

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird die Struktur der Fig« 6 modifiziert, um sicherzustellen, dass die photoieitfähigen Teilchen in Form kontinuierlicher Ketten durch die Stärke der Binderschicht 12 vorliegen. Diese Ausführungsform ist in 3?ig. 7 dargestellt} "bei der die G-rundstruktur und -materialien die gleichen sind wie inPig.6, ausser, das: die photoleitfähigen Teilchen 13 in Form kontinuierlicher Ketten vorliegen.In a further embodiment of the invention, the structure of FIG. 6 is modified in order to ensure that the photoconductive particles are in the form of continuous chains through the thickness of the binder layer 12. This embodiment is shown in FIG. 3. 7 } "in which the basic structure and materials are the same as in Fig. 6, except that: the photoconductive particles 13 are in the form of continuous chains.

Andererseits kann die photoleitfähige Schicht ganz aus dem praktisch homogenen;, nicht orientierten, photoleitfähigen Material bestehen, wie s.B. einer Schichfaus amorphem Selen oder Selenlegierung, oder einer pulverförmigen oder gesinterten photoleitfähigen Schicht, wie z.B. Cadiiiiumsulfoselenid odor Phthalocyanin. Diese Abwandlung ist in Fig. 8 veranschaulicht, wobei ein photoempfindliches Mittel 30,ein Substrat 11 mit einer homogenen photoleitfähigen Schicht 16 und einer darüherliegenden aktiven organischen Schicht 15 umfasst.On the other hand, the photoconductive layer can be completely off the practically homogeneous, non-oriented, photoconductive Material, as s.B. a Schichfaus amorphous selenium or selenium alloy, or a powdery one or sintered photoconductive layer, such as cadium sulfoselenide or phthalocyanine. These Modification is illustrated in Fig. 8, where a photosensitive means 30, a substrate 11 having a homogeneous photoconductive layer 16 and an overlying active organic layer 15 comprises.

Eine weitere Abwandlung der in den Pi{;. 5, 6, 7 und beschriebenen Binder und Schichtenkonfi/iurationen schliesst die Verwendung einer Sperrschicht 17 sn der Subütrat-Photoleiter-Zwischenf j ;;che ein« Die;.;e A. no rc!-Another variation of the one in the Pi {;. 5, 6, 7 and the binder and layer configurations described include the use of a barrier layer 17 sn of the substrate-photoconductor intermediate f j; ; che a «The;.; e A. no rc! -

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nung wird durch das photoempfindliche Mittel 40 in Fig. 0 veranschaulicht, in welcher das Substrat 11 i:ir:ci die pbotoleitfähige Schicht 16 durch eine Sperr- ;3c 11ic]11 17 getreuηt sind. Die Sperrschicht funktioniert rjo, dar;:- die Einführung von Ladungsträgern aus dem Substrat, in die photoleitfühige Schicht verhindert wird. Jodes geeignete Sperrmaterial kann verwendet werden. Typische Stoffe sind Nylon, Spoxid und Aluminiumoxid. tion is illustrated by the photosensitive means 40 in FIG. 0 , in which the substrate 11 i: ir: ci the pboto-conductive layer 16 by a barrier; 3c 11ic] 11 17 are faithful. The barrier layer works by: - the introduction of charge carriers from the substrate, into which the photoconductive layer is prevented. Iode's suitable barrier material can be used. Typical fabrics are nylon, spoxide and aluminum oxide.

,«'ic oben aufgeführt, ist das photoleitf ähige Material, gleich, ob in der Form eines Pfenents oder als homogene 3chicht, iη η χ cht οrieηtierter Form angev;aηdt. Unter nicht orientiert ist zu verstehen, dass das Pigment"'Ic listed above is the photoconductive material, regardless of whether it is in the form of a pill or as a homogeneous one 3-layer, in η η χ not οrieηtierter form applied; aηdt. Under not oriented is to understand that the pigment

oder die php to] ei tf ähige Schicht isotrop "bezüglich der ei extro- io or the php to "capable layer isotropic" with respect to the egg extro- io

anregend en, nr-agr.e tischen Strahlung ist, d.h., sie ist gleich empfindlich gegenüber jeder Polarisation der anregeηden 31rah3 uηg.is stimulating, natural radiation, i.e. it is equally sensitive to any polarization of the excitation 31rah3 uηg.

Im allgemeinen machen die Binder- und Scbiehtstrukturon der Erfindung es erforderlich, dass der Photoleiter /,u den elektronisch aktiven Materialien gerness der Erfindung so ausgewählt oder passend zusammengestellt wird, dass Ladungen durch Strahlung erzeugt werden, für die die aktiven Materialien transparent oder nicht absorbierend sind. Dieser Bereich entspricht einen WeI-lenl öngenhereicb von etwa 4000 bis etwa 8000 j? ,was den bevorzugten Boreich für xerographlsche Anwendung darstellt. Zudem sollte ein Phdoleiter auch alle V/ellen-]οngen von 4000 bis 8000 R ansprechen, wenn panchromatische Anregung gefordert wird. Alle photoleitfähigaktiven Materiall-iombinationen genäss der Erfindung füh~In general, the binder and sheet structures of the invention require that the photoconductor of the electronically active materials of the invention be selected or suitably configured so that charges are generated by radiation for which the active materials are transparent or non-absorbent . This range corresponds to a length of about 4000 to about 8000 years. which is the preferred range for xerographic applications. In addition, a Phdolleiter should also address all V / ellen length from 4000 to 8000 R if panchromatic stimulation is required. All photoconductively active material combinations according to the invention lead ~

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BAD ORlGlNAl-BAD ORlGlNAl-

ren zu der Injektion und zum nachfolgenden Transport von Löchern durch die physikalische Zwischenfläche zwischen dem Photoleiter und dem aktiven Material.ren to the injection and subsequent transport of holes through the physical interface between the photoconductor and the active material.

Die folgenden Beispiele geben weiter spezielle und bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung bezüglich eines Verfahrens zur Herstellung eines photoempfindlichen Mittels mit einer photoleitfähigen Schicht an, die an eine Schicht des elektronisch aktiven Materials gemäss der Erfindung angrenzt. Sofe-rn nicht anders angegeben, beziehen sich die Prozentangaben auf G-ewicht. Die Beispiele dienen lediglich zur Yeranschaulichung der Srfindung, ohne sie zu begrenzen.The following examples further set forth specific and preferred embodiments of the invention a method of manufacturing a photosensitive Means with a photoconductive layer attached to a layer of the electronically active material according to the invention. Unless otherwise stated, the percentages relate to weight. The examples serve only to illustrate the invention without limiting it.

Beispiel IExample I.

Eine Platte oder Schichtstruktur ähnlich der in !ig. 9 dargestellten, bestehend aus einer 20 Mikron starken Schicht aus 2-Phenylindol, aufgebracht auf eine 1 Mikron starke Schicht aus amorphem Selen, abgeschieden auf einem etwa 5 χ 5 cm (2 χ 2 Zoll) HSSA-Glassubstrat, wird wie folgt hergestellt:A plate or layer structure similar to that in! Ig. 9 consisting of a 20 micron thick layer of 2-phenylindole applied to a 1 micron thick layer of amorphous selenium deposited on an approximately 5 χ 5 cm (2 2 inch) HSSA glass substrate manufactured as follows:

1) Sine Polyvinylcarbazol-Sperrschicht von 0,2 Mikron1) 0.2 micron sine polyvinyl carbazole barrier

' Stärke wird auf einer Oberfläche des HSSA-Sübstrats durch Tauchbeschichten des Substrats in einer 1$igen lösung von Polyvinylcarbazol in Toluol hergestellt. Nach dem Überziehen wird das Substrat an der Luft 16 Stunden "bei 10O0O getrocknet.Starch is produced on one surface of the HSSA substrate by dip-coating the substrate in a 1% solution of polyvinyl carbazole in toluene. After the coating, the substrate is dried in the air for 16 hours at 10O 0 O.

2) Eine Photoleiterschicht aus glasartigem Selen wird nach einer Vakuumabscheidungstechnik, wie sie z.B.2) A photoconductor layer made of vitreous selenium is deposited using a vacuum deposition technique, e.g.

' in den US-PS 2 753 278 und 2 970 906 offenbart wur-'disclosed in U.S. Patents 2,753,278 and 2,970,906

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de, auf die Sperrschicht aufgebracht. Die Selenschicht wird in einer Stärke von etwa 1 Mikron aufgebracht. V/ährend der Abscheidung wird die Temperatur dee Substrata bei etwa 25 bis 550C gehalten. Die Selenquelle wird bei 26C0C gehalten, und die Verdampfung erfolgt bei einem Druck von 1 χ 10~6Torr.de, applied to the barrier layer. The selenium layer is applied to a thickness of about 1 micron. V / hile the deposition is the temperature dee Substrata at about 25 to 55 0 C. The source of selenium is kept at 26C 0 C, and the evaporation is carried out at a pressure of 1 χ 10 -6 Torr.

3) Die beschichtete Platte wird dann in eine zweite Vakuumkammer gebracht und 1g 2-Phenylindol in das Verdampferschiffchen gebracht. Das organische Material wurde dann bei einem Druck von 5x10~ Torr in 30 Minuten auf die Selenschicht bei einer Quellentemperatur von etwa 50 C vakuumverdarapft, während das Substrat bei einer Temperatur von etwa 100C gehalten wurde. Dies führt zu einer 2-Phenylindolschicht von etwa 20 Mikron Stärke. Die erhaltene Schichtplatte wird in einem Vakuum bei Raumtemperatur für 24 Stunden abkühlen gelassen. x 3) The coated plate is then placed in a second vacuum chamber and 1 g of 2-phenylindole is placed in the evaporation boat. The organic material was then vacuum evaporated onto the selenium layer at a pressure of 5x10 ~ Torr in 30 minutes at a source temperature of about 50 C while the substrate was kept at a temperature of about 10 0 C. This results in a 2-phenylindole layer approximately 20 microns thick. The obtained layered plate is allowed to cool in a vacuum at room temperature for 24 hours. x

Beispiel IIExample II

Eine Schichtotruktur ähnlich der des Beispiels I mit einer 35 Mikron-2-Phenylnaphthalin-Schicht, aufgezogen auf eine 0,5 Mikron starke Selenschicht, abgeschieden auf einem NBSA-Glassubstrat, wird nach dem in Beispiell wiedergegebenen Vakuumverdampfungaverfahren hergestellt. Bei der Bildung der Schicht aus 2-Phenylnaphthalin ist der Druck 6x10 Torr, und die Abscheidung wird 150 Minuten bei einer Quellentemperatur von 50 C und einer Substrattemperatur von O0C durchgeführt.A layer structure similar to that of Example I with a 35 micron 2-phenylnaphthalene layer mounted on a 0.5 micron thick selenium layer deposited on an NBSA glass substrate is produced using the vacuum evaporation method shown in the example. In the formation of the layer of 2-phenylnaphthalene the pressure is 6x10 Torr, and the deposition is for 150 minutes at a source temperature of 50 C and a substrate temperature of O 0 C. performed.

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Die Entladungscharakteristik der elektroniscli aktiven Plattenj hergestellt nach den Beispielen I und H9 wird gemessen. Im einzelnen v/erden die Schichtstrukturen auf ein selektives negatives Potential Y sprühgeladen und einer monochromatischen lichtquelle von 4000 α "bei" einem-Fluss von 2 χ 10 ' Photonen/cm see ausgesetzt. Bei dieser 7/ellenlänge sind die elektronisch aktiven Materialien gemäss der. Erfindung praktisch nicht absorbierend, und das Selen wird durch Licht angeregt. Me anfängliche Entlaäungsgeschv/indigkeit C1CJ1Y1) fn_Q einer jeden Platte bei dem gewählten PotntialThe discharge characteristics of the electronically active plates produced according to Examples I and H 9 are measured. In detail, the layer structures are spray-charged to a selective negative potential Y and exposed to a monochromatic light source of 4000 α "at" a flux of 2 × 10 'photons / cm see. At this wavelength, the electronically active materials are in accordance with. Invention practically non-absorbent, and the selenium is stimulated by light. Me initial discharge rate C 1 CJ 1 Y 1 ) fn _Q of each plate at the selected potential

wurde gemäss den von P. Begensburger in "Optical Sensitizai:ion of Charge Carrier transport in PYK", Photochemistry and Photobiology 8, S. 429-40 (JToveober 1968) offenbarten Techniken genessen, die hier bezugsweise einzu*-" beziehen sind.was according to P. Begensburger in "Optical Sensitizai: ion of Charge Carrier transport in PYK ", Photochemistry and Photobiology 8, pp. 429-40 (JToveober 1968) Enjoyed techniques that are included here in some cases * - " are related.

Eine Anzahl von anfänglichen Entladungsgeschwindigkeiten bei gewählten Potentialen für jede Platte wird^einessen, dividiert durch die Dicke der elektronisch aktiven organischen Schicht und in logarithmisehem Maßstab gegen das entsprechende angewandte Feld E aufgetragen, wie in Fig« 10 dargestellte Diese Art der Darstellung zeigt, die Felofibhängigkeit der Ladungsbeweglichkeit durch die jeweilige elektronisch aktive organische Schicht» Kurve Λ stellt die Laöungsbeweglichkeit photoerzeugter Fehlstellen durch Selen dar. Das ideale elektronisch aktive Material in Kombination mit Selen würde sich der Feldabhnngigkeitskurve Λ für Selen eng annähern.A number of initial discharge rates at selected potentials for each plate, ^ is measured, divided by the thickness of the electronically active organic layer and on a logarithmic scale against the corresponding applied field E is plotted as This type of representation shown in Fig. 10 shows the Felofi-dependency of the charge mobility through the The respective electronically active organic layer »curve Λ represents the mobility of the photo-generated solution Defects caused by selenium. The ideal electronically active material in combination with selenium would be the Closely approximate the field dependence curve Λ for selenium.

'.Vie Fig. 12, Kurve B, zu entnehmen ist, zeigt die mit Selen und 2-Phenylnap.htha.lin beschichtete Platte ange-'. Referring to Fig. 12, curve B, it can be seen that the with Selenium and 2-phenylnap.htha.lin coated plate.

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BAD ORIGINAj.BAD ORIGINAj.

cessene Entladung bei den angewandten Feldern über e Uwa 1 Yo]. t/Mi krön. Ausserdora deutet die Kurve an, da s s da s 2 -P h e ny'.! η α υh11 ία 1 iη P e h 1 s t e 11 en angemessen genug transportiert, um zu annehmbaren Hestspannungen nach dor Entladung zu fuhren, im Vergleich zu einer reinen Selen-Photoempf ilngerschicht. Kurve C, die Selen-i'-Pbenyl iridol-beachichtote Platte, zeigt ein sogar noch geringeres Gronzfeld, bei dem Ladungsbeweglich]·:«:' t; auftritt, und daher verbleibt bei Entladung ein Minimum an RootSpannung.measured discharge in the applied fields over e Uwa 1 Yo]. t / wed crown. Ausserdora indicates the curve that ss da s 2 -P he ny '.! η α υh11 ία 1 iη P eh 1 ste 11 en transported adequately enough to lead to acceptable residual voltages after the discharge, compared to a pure selenium photoreceptor layer. Curve C, the selenium-i'-pbenyl iridol-noticeably dead plate, shows an even lower Gronz field in which the charge is mobile] ·: «: 't; occurs, and therefore a minimum of root voltage remains on discharge.

Ohne d i e "3 τ f i η d υ η g (i a r a 11 f f. e r, I'/, \ 11 e g e η, wird η a c h f ο 1 gend eine Theorie"erörtert, un die elektronisch, aktiven Ei go η schaft en der erf indungngeinäoson Stoffe τ,ν. erklären. 5s wurde f es Igey t;e 11.1, dass Pyren, Tetracen, 1 ,2-Benz-!nJb}]racen und 3,'1-3enzcarbazol elektronisch ak i;iν siηd , uηd das \νic 1 ί I-ige Kriterium hierfür ist dasWithout the "3 τ fi η d υ η g (i ara 1 1 f f. E r, I '/, \ 11 ege η, η achf ο 1 gend a theory" is discussed, and the electronically active Ei go η Explain the properties of the invention ineosons substances τ, ν. In 5s it became clear that pyrene, tetracene, 1,2-benzene-! n J b}] racene and 3, 1-3enzcarbazole are electronically active ; iν siηd, u η d the \ νic 1 ί I-ige criterion for this is that

ΛuGna öS oorΛuGna öS oor

Cr"Cr "

■Sie k {; r ο η e 11 d. e 1 ο ]; a 3 i s i e ru η g■ you k {; r ο η e 11 d. e 1 ο]; a 3 i s i e ru η g

TetracenTetracene

1,2-Ben^anthracen1,2-ben ^ anthracene

Dns Ausmcs der Elektronendelokalisierung ist durch Einf-i'hrung eine.?,. benzoj. den Sextetts in Tetracen und zwei in 1,2-Benzanthraeen dargestellt (E. dar, "Polycyclic I'ydrocarbojjü", Academic Press, 1%4, Hew York) . Pfeile :;ind. einge:T,oic]met, um die Bewegung des Sextetts über die Ringe der Verbindung anzudeuten. Diese Sextetts 'bestehen aus drei beweglichen '/i'-'-üoktronenpaaren, vonThe extent of electron delocalization is, by way of introduction, a.?,. benzoj. the sextets in tetracene and two in 1,2-benzanthraea shown (E. dar, "Polycyclic I'ydrocarbojjü", Academic Press, 1% 4, Hew York). Arrows:; ind. inserted: T , oic] met, to indicate the movement of the sextet over the rings of connection. These sextets' consist of three movable '/ i'-'- octron pairs, from

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BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

denen zwei auf die einzelnen Ringe festgelegt sind, während sich das restliche Paar frei über das System bewegen kann. In dem Hasse, wie das Ringsystem, über das sich dieses dritte Paar bewegt, grosser wird, steigt die '/( -Elektrodendelokalisierung. Anders ausgedrückt! die Ίί -Elektronen sind .von der positiven Kernladung weniger abgeschirmt, als in einem kleineren Ringsystem, dessen G-renze Benaol ist.two of which are fixed to the individual rings, while the rest of the pair can move freely across the system. As the ring system over which this third pair moves becomes larger, the '/ (electrode delocalization increases. In other words, the Ίί -electrons are less shielded from the positive nuclear charge than in a smaller ring system, its G-renze is Benaol.

In 1,2~Benzanthracen sind zwei Sextetts, die beide in der lage sind, ein bewegliches Elektronenpaar dem zentralen Ring des Ringsystems zuzusteuern. Das führt zu einem induzierten Sextett in dem Ring. Die Doppelbindung in 3,4-Steilung ist mehr oder weniger formal, da durch die Reaktion an diesen Positionen entwickelt. Spektren zeigen, dass die Delokalisierung stattfindet, selbst wenn die -CH=CH-G-ruppe entfernt wird. Das heisst, 2-Phenylnaphthalin hat ein ähnliches elektronisches Spektrum wie 1,2-Benzanthracen. Insbesondere wird angenommen, dass die p-Orbitale der Phenylgruppe mit denen des substituierten Moleküls aufgrund der Coplanarität der Ringe in Y/echse !wirkung treten. Die Elektronen können sich über die gesamte .Ebene des Moleküls verschieben. Daher ist. bei einem Vergleich von 2-Phenylnanhthalin In 1,2 ~ benzanthracene there are two sextets, both in are able to steer a mobile pair of electrons into the central ring of the ring system. That leads to one induced sextet in the ring. The double bond in the 3,4-pitch is more or less formal, because it is through the response developed at these positions. Spectra show that the delocalization is taking place, by itself when the -CH = CH-G group is removed. That means, 2-phenylnaphthalene has a similar electronic Spectrum as 1,2-benzanthracene. In particular, it is believed that the p orbitals of the phenyl group match those of the substituted molecule due to the coplanarity of the rings in a y-axis! The electrons can shift over the entire plane of the molecule. Thats why. when comparing 2-phenylnanhthalene

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mit Benzanthracen, oben, eine ähnliche Slektronenaktivität vorauszusagen. Das gleiche gilt für 1,2-Benztetracen und 2-Phenylanthracen.with benzanthracene, above, a similar electron activity to predict. The same applies to 1,2-benzetracene and 2-phenylanthracene.

Zu einem ähnlichen Bild gelangt man, wenn man Carbazol "betrachtet. Das heiost^ein benzoider Ring an einer Winkelstellung wird die Delokalisierung des ganzen aromatischen Systems steigern. Betrachtet man die Strukturen ■One arrives at a similar picture if one looks at carbazole "considered. That means ^ a benzoid ring on one Angular positioning will increase the delocalization of the whole aromatic system. Looking at the structures ■

undand

3,4-Benzcarbazol3,4-benzocarbazole

1,2-Benzcarbazol1,2-benzocarbazole

so zeigt sich, dass in beiden Molekülen der'abgewinkelte Ring ''T-Slektronen dem Carbazolsystem zusteuert. Man könnte erwarten, dass, selbst wenn die Kohlenstoffatome in 1,2- oder 3,4-Steilung der entsprechenden Benzcarbazole eliminiert würden, dieser Beitrag noch vorhanden wäre.it is shown that in both molecules the angled Ring '' T-Slectron controls the carbazole system. One might expect that even if the carbon atoms are in the 1,2- or 3,4-position of the corresponding benzcarbazole would be eliminated, this contribution would still exist.

Aufgrund dieser Überlegungen Hesse sich erklären, dass die sich ergebenden Verbindungen, 3-Phenyl- und 2-Phenylindol, gegenüber dem IndoVselbot,überlegenen TransportOn the basis of these considerations Hesse explain that the resulting compounds, 3-phenyl- and 2-phenylindole, compared to the IndoVselbot, superior transport

und Übertragung entwickeln.and develop transmission.

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3-Phenylindol3-phenylindole

2-Phenylindol2-phenylindole

Zwei v/eitere Verbindungen, bei denen der Stickstoff des « Oarbazols durch Sauerstoff oder Schwefel ersetzt ist, d.h. Dibenzo£bdJ furan und Dibenzo jbdj thiophene können als aktive Stoffe betrachtet werden. Die interessanten, phenyl· substituierten Verbindungen sind;Two other compounds in which the nitrogen of the Oarbazole is replaced by oxygen or sulfur, i.e. Dibenzo £ bdJ furan and Dibenzo jbdj thiophene can be used as active substances are considered. The interesting, phenyl substituted compounds are;

undand

3-Phenylbenzo (Jo]furan3-phenylbenzo (Jo] furan

2-Phenylbenzo(Vj furan2-phenylbenzo (Vj furan

thiophenthiophene

2-Phenylbenzofbjthibphen2-phenylbenzofobjthibphen

Beispiele für v/eitere Verbindungen, die dieses Erfordernis erfülDen, cind nachfolgend zusainDcn mit der Stasisiverbindung wiedergegeben, von der sicüi die läienylsubstituierte Verbindung ableitet.Examples of further compounds which meet this requirement are given below together with the stasis compound from which the laienyl-substituted compound is derived.

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BADBATH

G ':-'i π;; ;i γ c ν b i η dung abgele11ete Verb1ηdungG ': -' i π ;; ; i γ c ν bi η dung discarded connection

!..), G-Eon:-'^hvvi;en 1 -Phony] pheneanihren! ..), G-eon: - '^ hvvi; en 1 -Phony] pheneans

1 ,2-Be η 7. t e t ra c g η 2-Plienylanthracen1, 2-Be η 7. tet ra cg η 2-plienylanthracene

1 , 2 -3 e η ζ ο j; e η I seen1, 2 -3 e η ζ ο j; e η I seen

undand

2-P h e ny11 e t τa c e η2-P he ny11 et τ a ce η

Na ph Llio-C 1 ■ , 2 ' -3 ,4 ) -pyren 3-?lienylpyrGnNa ph Llio-C 1 ■, 2 '-3, 4) -pyrene 3-? LienylpyrGn

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NaphthoC 2!» 1'-5,4)-pyrenNaphthoC 2 ! »1'-5.4) pyrene

4-Phenylpyren4-phenylpyrene

Naphtho-(1 I,2'-2,3)-fluorantlien a-Phenylf luoranthenNaphtho- (1 I , 2'-2,3) -fluoranthene α-phenyl fluoranthene

Naphtho-(2', 1'-2,3)-fluoranthen 3-PhenylfluoranfchenNaphtho- (2 ', 1'-2,3) -fluoranthene 3-Phenylfluoranfchen

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Naphtho-(1',2'-3,4-)carbazolNaphtho- (1 ', 2'-3,4-) carbazole

3-Pheny !.carba zol3-Pheny! .Carba zol

Naphtho-(2', 1-3,4)-t:arbazol 4-PhenylcarbazolNaphtho- (2 ', 1-3,4) -t: arbazol 4-phenylcarbazole

* Die -OE-CF-Gruppe, die in jeder Verbindung eliminiert wird, iat' eingekreist.* The -OE-CF group eliminated in every compound is circled 'iat'.

Die Erfindung umfasst ferner gleichwertige Strukturen, in denen II ersetzt i.st durch S oder O. Die Wirksamkeit dieser Stoffe ist abhängig von der aromatischen Struktur des Moleküls und daher können funktionelle Gruppen als Substituenten, wie z.B. Alkyl, Amino, Nitro usw., die die Chemie der Herstellung erleichtern oder vorteilhaft zu den mechanischen Eigenschaften der Polymerisate beitragen, die diese als sich wiederholende Einheiten enthalten, in die Phenylaromaten ohne Verlust an Aktivität eingeführt werden.The invention also includes equivalent structures in which II is replaced by S or O. The effectiveness this substance is dependent on the aromatic structure of the molecule and therefore functional groups can be considered Substituents such as alkyl, amino, nitro, etc., which include the Facilitate chemistry of production or contribute advantageously to the mechanical properties of the polymers, containing these as repeating units, introduced into the phenyl aromatics without loss of activity will.

Die Klasse der Verbindungen und unter Verwendung von diesen hergestellten Polymerisate gis Teil der sich wiederholenden Einheit kann wie folgt beschrieben werden: ein aromatisches System einschlicsslich Heterocyclen und solcher mit funklionellen Gruppen&ls Substituenten, bei dem bzw. denen die 'ΰΤ-Elektronendelokalisierung durch Phenylnubatitution erhöht ist. Die Stellung der Phenyl-The class of compounds and polymers prepared using these are part of the repeating Unit can be described as follows: an aromatic system including heterocycles and those with functional groups & ls substituents to which or which the 'ΰΤ-electron delocalization by Phenyl substitution is increased. The position of the phenyl

3098 18/10233098 18/1023

249028249028

gruppe kann beschrieben werden als durch Eliminieren von zwei Kohlenstoffatomen und der festgelegten Doppel,-VJndung im Y/inkel des Hauptrings aus dem aromatischen Kohlenwasserstoffj der einen Ring mehr besitzt als die substituierte Verbindung, gebildet. Z0Bo führt im 1,2-Benzanthracen die Sliminierung der zwe.i Kohlenstoffe und der fixierten Doppelbindung, die einem Olefin entsprechende Reaktivität zeigt, zu dem aktiven Molekül 2-Phenylnaphthalin. -group can be described as formed by eliminating two carbon atoms and the fixed double, -V-connection in the Y / angle of the main ring from the aromatic hydrocarbon which has one more ring than the substituted compound. In 1,2-benzanthracene, Z 0 Bo leads to the elimination of the two carbons and the fixed double bond, which shows reactivity corresponding to an olefin, to the active molecule 2-phenylnaphthalene. -

Kurz, die Erfindung umfasst die Klasse von Verbindungen, zu denen phenylcubstituierte Aromaten gehören* wobei die Stellung der Phenylgruppe durch Eliminieren des Hauptrings aus dem Aromaten bestimmt wird, der einen Ring mehr besitzt als die substituierte Verbindung.Briefly, the invention includes the class of compounds to which phenyl-substituted aromatics belong * where the position of the phenyl group is determined by eliminating the main ring from the aromatic, the one Ring has more than the substituted compound.

Obgleich spezielle Komponenten und Verhältnisse in der vorausgegangenen Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung genannt worden sind, können andere geeignete Stoffe und Verfahren als die, die zuvor genannt wurden, mit ähnlichen Ergebnissen verwendet werden. Zudem können andere Stoffe und Abwandlungen zur Anwendung gelangen, die das photoempiinäliche Mittel und das Verfahren zu seiner Anwendung synergistisch verbessern, steigern oder anderwei tig abwandeln. T/ird z.B. ein transparentes Substrat, wie etwa eine Kunststoffbeschichtung nit einer dünnen leitfähigen BeschichtungAlthough specific components and proportions have been recited in the foregoing description of preferred embodiments of the invention, suitable materials and processes other than those recited above can be used with similar results. In addition, other substances and modifications can be used which synergistically improve, increase or otherwise modify the photoempiinäliche agent and the method for its application. For example, it is a transparent substrate, such as a plastic coating with a thin conductive coating

309818/1023309818/1023

BAD ORiQiNALBAD ORiQiNAL

224902ε224902ε

von Aluminium oder Zinnoxid verwendet, kann die Struktur durch Belichten durch das Substrat in ein Bild überführt werden. Zudem kann, wenn gewünscht, ein elektrisch isolierendes Substrat ebenfalls verwendet werden. In diesem Falle kann die Ladung auf das Abbildungsmittel durch doppelte Koronaaufladung aufgebracht werden, wie sie auf dem Gebiet üblich ist. Weitere Abwandlungen unter Verwendung eines isolierenden Substrats oder überhaupt ohne Substrat umfassen das Aufbringen des Abbildungsmittels auf" eine leitfähige Unterlage oder Platte und das Aufladen der Oberfläche während der Berührung mit der Unterlage. Hach dem Abbildungsvorgang kann das Abbildungsmittel von der leitfähigen Unterlage abgenommen werden.Used by aluminum or tin oxide, the structure can be converted into an image by exposure through the substrate be convicted. In addition, an electrically insulating substrate can also be used if desired. In this case the charge can be applied to the imaging agent by double corona charging, as is customary in the field. Further modifications using an insulating substrate or without a substrate at all involve applying the imaging agent to "a conductive pad" or plate and the charging of the surface during contact with the base. Hach the imaging process the imaging agent can be removed from the conductive pad.

30981 8/102330981 8/1023

Claims (32)

Patentan sprü-chePatent claims My Abbildungsmittel mit einer' Schicht photoleitfahigen Materials und einer angrenzenden Schicht eines elektronisch aktiven organischen Materials, das über der photoleitfahigen Schicht liegt, wobei die photoleitfähige Schicht bei Lichtanregung Löcher erzeugen und injizieren und das aktive organische Material die Injektion von durch Licht angeregten Löchern aus der photoleitfahigen Schicht unterstützen und die Löcher durch die aktive Schicht transportieren kann, wobei die aktive Schicht wenigstens einen der Stoffe 2-Phenylnaphthalin, 2-Phenylanthracen, 2-Phenylindol und deren Polymerisate enthält.My imaging agent with a 'layer of photoconductive Material and an adjacent layer of an electronically active organic material over the photoconductive Layer lies, the photoconductive layer generating and injecting holes when excited by light and the active organic material is the injection of photo-excited holes from the photoconductive Support layer and can transport the holes through the active layer, the active layer at least one of the substances 2-phenylnaphthalene, 2-phenylanthracene, Contains 2-phenylindole and its polymers. 2. Mittel-nach Anspruch 1, in welchem die photoleitfähige Schicht in einem Binder verteilte photoleitfähige Teilchen enthält.2. Means according to claim 1, in which the photoconductive Layer contains photoconductive particles dispersed in a binder. 3. Mittel nach Anspruch 1 oder 2, in welchem die photo™ leitfähige Schich/ein praktisch'.homogenes, photoleitfähiges Material enthält.3. Means according to claim 1 or 2, in which the photo ™ conductive layer / a practically'.homogenes, photoconductive Contains material. 4. Mittel nach einem der Ansprüche 1 bis 3, in welchem sich die photoleitfähige Schicht auf einem tragenden Substrat befindet.4. Composition according to one of claims 1 to 3, in which the photoconductive layer is on a load-bearing Substrate is located. 5. Mittel nach Anspruch 4, in welchem das Substrat elektronisch leitfähig ist.5. Means according to claim 4, in which the substrate is electronically conductive. 3 0 9 818/10233 0 9 818/1023 6. Mittel nach Anspruch 5, in welchem sich die photoleitfähige Schicht auf einem praktisch transparenten tragenden Substrat befindet.6. Composition according to claim 5, in which the photoconductive layer is on a substantially transparent one supporting substrate is located. 7. Mittel nach Anspruch 1, in welchem das photoleitfähige Material glasartiges Selen, eine Selenlegierung, trigonales Selen, Cadmiumsulfoselenid und/oder die X-Form metallfreien Phthalocyanins enthält.7. Composition according to claim 1, in which the photoconductive material vitreous selenium, a selenium alloy, trigonal selenium, cadmium sulfoselenide and / or the X-form contains metal-free phthalocyanine. 8. Mittel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, in welchem das Material der aktiven Schicht einen phenylsubstituierten Aromaten enthält, in welchem die Stellung der Phenylgruppe durch Eliminieren des Hauptrings des Aromaten, der einen Hing mehr als die substituierte Phenylverbindung besitzt, bestimmt ist.8. Composition according to one of the preceding claims, in which the material of the active layer is a phenyl-substituted one Contains aromatics, in which the position of the phenyl group by eliminating the main ring of the Aromatic, which has one more ring than the substituted phenyl compound, is determined. 9. Mittel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, in welchem die aktive Schicht 3-Phenylindol, 3-Phenylbenzo [blfuran, 2-Phenylbenzo [b] furan, 3-Phenyl{V] thiophen, 3-Fhenylbenzo\b\thiophan, 2-FhenylbeBZo£b]thiophen, 1-Phenylphenanthren, 2-Fhenyltetracen, 3-Fhenylpyren, 4-Ehenylpyren, a-Phenylfluoranthen, ^-Rienylfluoranthen, 3-Kienylcarbazol und/oder 4-Phenylcarbazol enthält.9. Agent according to one of the preceding claims, in which the active layer 3-phenylindole, 3-phenylbenzo [blfuran, 2-phenylbenzo [b] furan, 3-phenyl {V] thiophene, 3-phenylbenzo \ b \ thiophan, 2 -FhenylbeBZo £ b] thiophene, 1-phenylphenanthrene, 2-phenyltetracene, 3-phenylpyrene, 4-phenylpyrene, α-phenylfluoranthene, ^ -rienylfluoranthene, 3-kienylcarbazole and / or 4-phenylcarbazole. 10. Abbildungsverftluren, dadurch g e k β η η ζ e i c h ne t , dass ein Abbildungsmittel geiaäss einem der Ansprüche 1 bis 9 auf der freien Oberfläche der aktiven Schicht gleichförmig negativ aufgeladen wird und die aufgeladene Schicht einer Quelle aktivierender Strahlung, die die photoleitfähige Schicht absorbiert und für die die aktive Schicht praktisch transparent und nicht absorbierend ist, ausgesetzt wird, wobei die-10. Mapping verges, thereby g e k β η η ζ e i c h ne t that an imaging medium is acceptable any one of claims 1 to 9 uniformly negatively charged on the free surface of the active layer and the charged layer is a source of activating radiation which the photoconductive layer absorbs and for which the active layer is practically transparent and non-absorbent, exposed, the- 309818/1023309818/1023 se Bestrahlung in Form eines Musters von licht und Schatten, das optisch auf diese Schicht geworfen wird, erfolgt, wodurch durch Licht in der · '■' photoleitfähigen Schicht erzeugte Löcher in die aktive Schicht eingeführt und durch sie hindurch transportiert werden zur Bildung eines latenten elektrostatischen Bildes auf der freien Oberfläche der aktiven Schicht.This irradiation takes place in the form of a pattern of light and shadow which is optically thrown onto this layer, whereby holes created by light in the photoconductive layer are introduced into the active layer and transported through it to form a latent electrostatic Image on the free surface of the active layer. 11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das latente Bild in ein sicht bares Bild entwickelt wird. - ·11. The method according to claim 10, characterized in that the latent image is developed into a visible image. - · 12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch g e k e η η zeichnet , dass als aktivierende Strahlung eine Strahlung im sichtbaren Spektrum verwendet wird.12. The method according to claim 10, characterized in that g e k e η η shows that the activating radiation used is radiation in the visible spectrum. 13. Verfahren nach Anspruch 10,· dadurch g e k e η η zeichnet, dass als Quelle für die aktivierende Strahlung eine solche für den Bereich von etwa 4000 bis etwa 8000 R verwendet wird.13. The method according to claim 10, characterized in that a source for the activating radiation for the range from about 4000 to about 8000 R is used. 14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gek. ennze-ichnet , dass die photoleitfähige Schicht -auf einem tragenden Substrat verwendet wird.14. The method according to any one of claims 10 to 13, characterized in that the photoconductive Layer - is used on a supporting substrate. 15. Verfahren nach Anspruch 14,' dadurch , g e k e η η zeichnet , dass ein elektrisch leitfähiges Substrat verwendet wird.15. The method according to claim 14, 'characterized in that g e k e η η draws that an electrically conductive substrate is used. 30 9 818/102330 9 818/1023 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Material der aktiven Schicht ein phenylsubstituierter Aromat, in welchem die Position der Phenylgruppe durch Eliminieren des Hauptrings aus dem Aromaten, der einen Ring mehr als die substituierte Phenylverbindung enthält, bestimmt ist, verwendet wird.16. The method according to any one of claims 10 to 15, characterized in that in the material the active layer is a phenyl-substituted aromatic in which the position of the phenyl group is through Eliminating the main ring from the aromatic which contains one more ring than the substituted phenyl compound, is intended to be used. 17. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch g e k e η η zeichnet , dass das latente Bild zur Herstellung eines sichtbaren Bildes entwickelt und das Aufladen , Belichten und Entwickeln zumindest ein weiteres Mal wiederholt wird.17. The method according to claim 10, characterized in that the latent image for production of a visible image is developed and charging, exposure and developing are at least one more Times is repeated. 18. Verfahren nach Anspruch 17y.dadurch gekennzeichnet, dass als Quelle für die aktivierende Strahlung eine solche für den Bereich von etwa 4000 bis 8000 R verwendet wird.18. The method as claimed in claim 17, characterized in that a source for the activating radiation in the range from about 4000 to 8000 R is used. 19· Abbildungsmittel, dadurch gekennzeichnet, daß eine Binderschicht vorgesehen ist, die photoleitfähige Teilchen in einem elektronisch aktiven organischen Matrixmaterial verteilt enthält, wobei die photoleitfähigen Teilchen bei Lichtanregung Löcher erzeugen und injizieren können und das aktive Matrixmaterial die Injektion von Löchern aus den photoleitfähigen Teilchen unterstützt und die Löcher leicht weiterleiten kann, daß die photoleitfähigen Teilchen in einer Menge von etwa 0,1 ibs 5 Vol.% der Binderschicht vorhanden sind und daß die aktive Matrix 2-Phenylnaphthalin, 2-Phenylanthracen, 2-Phenylindol und/oder Polymerisate hiervon enthält. 19. Imaging means, characterized in that a binder layer is provided which contains photoconductive particles distributed in an electronically active organic matrix material, the photoconductive particles being able to generate and inject holes when excited by light and the active matrix material supporting and injecting holes from the photoconductive particles the holes can easily pass that the photoconductive particles are present in an amount of about 0.1 ibs 5% by volume of the binder layer and that the active matrix contains 2-phenylnaphthalene, 2-phenylanthracene, 2-phenylindole and / or polymers thereof. 309818/1023309818/1023 20. Mittel nach Anspruch 19, in welchem die photoleitfähigen Teilchen in einer Menge von etwa 0,1 bis 1,0 Vo1t$ der Binderschicht vorhanden sind.20. The composition of claim 19, wherein the photoconductive particles in an amount of about 0.1 to 1.0% of the binder course is present. 21. Mittel nach Anspruch 19, in welchem sich die Binderschicht auf einem Substrat befindet.21. Composition according to claim 19, in which the binder course located on a substrate. 22. Mittel nach Anspruch 21, in welchem das Substrat elektrisch leitfähig ist.22. Composition according to claim 21, in which the substrate is electrically conductive. 23. Mittel nach Anspruch 19, in welchem sieh die Binderschicht auf einem transparenten Substrat befindet.23. Means according to claim 19, in which see the binder course located on a transparent substrate. 24. Mittel nach Anspruch 19, in welchem die photoleitfähige Schicht glasartiges Selen, eine Selenlegierung, trigonales Selen, Cadmiumsulfoselenid und/oder X-Porm eines metallfreien Phthalocyanine enthält.24. Means according to claim 19, in which the photoconductive Layer of vitreous selenium, a selenium alloy, trigonal selenium, cadmium sulfoselenide and / or X-Porm contains a metal-free phthalocyanine. 25. Mittel nach Anspruch 19, in welchem das aktive Matrixmaterial einen phenylsubstituierten Aromaten, in welchem die Stellung der Phenylgruppe durch Eliminieren des Hauptrings aus dem Aromaten, der einen Ring mehr. als die subst/.^uferte Phenylve.rbindung besitzt, bestimmt wird, enthält.25. Composition according to claim 19, in which the active Matrix material a phenyl-substituted aromatic in which the position of the phenyl group is eliminated the main ring from the aromatic, the one more ring. as the subst /. ^ has an extended phenyl linkage will contain. 26. Mittel nach einem der Ansprüche 19 - 25, in welchem das aktive Matrixmaterial 3-Phenylindol, 3-Phenylbenzo£bjfuran, 2-Phenylbenzo[bJfuran, 3-Phenyl[V]thiophen, 3-Fhenylbenz.ofb[ thiophen, 2-Phenylbenzo[b3thiophen, 1-Phenylphenanthren, 2-Phenyltetracen, 3-Hiei ylpyren, 4~Phenylpyren, a-Phenylfluoranthen, 3-Phenylfluorai. chen, 3-Phenylcarbazol und/oder 4-Phenylcarbazol enthält.26. Agent according to one of claims 19-25, in which the active matrix material is 3-phenylindole, 3-phenylbenzo £ bjfuran, 2-phenylbenzo [bJfuran, 3-phenyl [V] thiophene, 3-phenylbenz.ofb [thiophene, 2-phenylbenzo [b3thiophene, 1-phenylphenanthrene, 2-phenyl tetracene, 3-heli yl pyrene, 4 ~ phenyl pyrene, α-phenylfluoranthene, 3-phenylfluoroai. chen, 3-phenylcarbazole and / or contains 4-phenylcarbazole. 309818/1023309818/1023 27· Abbildungsverfahren, dadurch gekenn ze i c h n e t , dass bei einem Mittel gemäss einem der Ansprüche 19 bis 26 auf einem tragenden Substrat die Binderschicht gleichförmig elektrostatisch aufgeladen wird, die geladene Schicht einer Quelle aktivierender Strahlung, die die Hiotoleiterteilchen absorbieren und die das aktive organische Matrixmaterial nicht absorbiert, ausgesetzt wird, wobei diese Bestrahlung in Form eines Musters von Licht und Schatten optisch auf die Schicht projiziert wird, wodurch die durch Licht erregten, in den photoleitfähigen Teilchen erzeugten Löcher in das aktive Matrixmaterial injiziert und durch dieses transportiert werden zur Bildung eines latenten elektrostatischen Bildes auf der Oberfläche der Binderschicht,27 · Imaging method, characterized in that with a means according to one of the claims 19 to 26, the binder layer is uniformly electrostatically charged on a supporting substrate, the charged Layer of a source of activating radiation that contains the hiotoconductor particles absorb and which the active organic matrix material does not absorb, is exposed, wherein this irradiation in the form of a pattern of light and shadow is optically projected onto the layer, whereby injected the photoconductive holes generated in the photoconductive particles into the active matrix material and be transported through this to form a latent electrostatic image on the surface of the binder layer, 28. Verfahren nach Anspruch 27» dadurch gekennzeichnet , dass das latente Bild zu einem sichtbaren Bild entwickelt wird.28. The method according to claim 27 »characterized in that the latent image becomes a visible Image is developed. 29· Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet , dass das Aufladen, Bestrahlen und Entwickeln wenigstens ein weiteres Mal wiederholt werden. 29 · The method according to claim 28, characterized in that the charging, irradiation and Develop to be repeated at least one more time. 30. Verfahren nach Anspruch 27» dadurch gekennzeichnet , dass die Bestrahlung im Bereich von etwa 4000 bis 8000 & erfolgt.30. The method according to claim 27 »characterized in that the irradiation in the range of about 4000 to 8000 & occurs. 31. Verfahren nach Anspruch 27» dadurch gekennzeichnet, dass ein aktives Matrixmaterial! welches einen phenylsubstituierten Aromaten, in dem die Stellung der Phenylgruppe durch Eliminieren des Haupt-31. The method according to claim 27 »characterized in that an active matrix material! which a phenyl-substituted aromatic in which the position of the phenyl group by eliminating the main 309318/1023309318/1023 224224 rings aus dem Aromaten, der einen Ring mehr als die pehnylsubstituierte Verbindung besitzt, enthält, verwendet wird.rings from the aromatic which has one more ring than the phenyl-substituted compound, is used. 32. Abbildungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 18 bzw. 19 bis 30, dadurch gekennz ei chn et, daß das photoleitfähige Material in der Schicht bzw. die photoleitfähigen Teilchen in dem Matrixmaterial in unorientierter Form vorliegen.32. imaging material according to one of claims 1 to 18 or 19 to 30, characterized in that the photoconductive material in the layer or the photoconductive particles in the matrix material in unoriented form. 3098 18/10233098 18/1023
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