DE2249028B2 - ELECTROPHOTOGRAPHIC RECORDING MATERIAL AND ELECTROPHOTOGRAPHIC METHOD FOR PRODUCING A CHARGE IMAGE - Google Patents

ELECTROPHOTOGRAPHIC RECORDING MATERIAL AND ELECTROPHOTOGRAPHIC METHOD FOR PRODUCING A CHARGE IMAGE

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DE2249028B2 DE19722249028 DE2249028A DE2249028B2 DE 2249028 B2 DE2249028 B2 DE 2249028B2 DE 19722249028 DE19722249028 DE 19722249028 DE 2249028 A DE2249028 A DE 2249028A DE 2249028 B2 DE2249028 B2 DE 2249028B2
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Description

Die Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Schicht aus einer p-leitenden organischen Verbindung, einer photoieitfähigen Schicht mit einem p-Photoleiter und gegebenen-The invention relates to an electrophotographic recording material having a layer of a p-type organic compound, a photo-conductive layer with a p-type photoconductor and given

65 falls einem Schichtträger. Die Erfindung betrifft ferner ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, bei dem p-Photoleiter und p-leitendes Bindemittel in einer Photoleiter-Bindemittel-Schicht enthalten sind. Die Erfindung betrifft weiterhin ein elektrophotographisches Verfahren zur Herstellung eines Ladungsbildes, bei dem ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer transparenten Deckschicht und einer photoleitfähigen Schicht bzw. einer Photoleiter-Bindemittel-Schicht und gegebenenfalls einem Schichtträger negativ aufgeladen und dann bildmäßig mit einer Strahlung, die durch die Deckschicht hindurchgeht und die in der photoleitfähigen Schicht absorbiert wird, belichtet wird. 65 if a substrate. The invention further relates to an electrophotographic recording material in which p-photoconductor and p-conductive binder are contained in a photoconductor-binder layer. The invention further relates to an electrophotographic process for producing a charge image, in which an electrophotographic recording material with a transparent cover layer and a photoconductive layer or a photoconductor-binder layer and optionally a support is negatively charged and then imagewise with radiation that passes through the cover layer passes through and which is absorbed in the photoconductive layer is exposed.

Für elektrophotographische Aufzeichnungen wird ein plattenförmiges Aufzeichnungsmaterial, das eine photoleitfähige Isolierschicht enthält, in eine Abbildung überführt, indem zuerst seine Oberfläche gleichmäßig elektrostatisch aufgeladen wird. Dann wird die Platte einem Muster von aktivierender, elektromagnetischer Strahlung, wie z. B. Licht, ausgesetzt, die die Ladung in den belichteten Bereichen des Photoleiters selektiv abbaut, während ein latentes elektrostatisches Bild in den nichtbelichteten Bereichen zurückbleibt. Dieses latente elektrostatische Bild kann dann entwickelt werden, um ein sichtbares Bild durch Abscheidung feinzerteilter elektroskopisch markierender Teilchen auf der Oberfläche der photoleitfähigen Schicht zu bilden.For electrophotographic recordings, a plate-shaped recording material, which is a photoconductive Containing insulating layer, converted into a figure by first making its surface evenly electrostatically charged. Then the plate becomes a pattern of activating, electromagnetic Radiation, such as B. exposed to light, which selectively reduces the charge in the exposed areas of the photoconductor degrades while leaving a latent electrostatic image in the unexposed areas. This electrostatic latent image can then be developed into a visible image by deposition finely divided electroscopic marking particles on the surface of the photoconductive layer form.

Eine photoleitfähige Schicht zur Verwendung in der Xerographie kann eine homogene Schicht eines einzigen Materials, wie z. B. glasigen Selens, sein, oder sie kann eine zusammengesetzte Schicht sein, die einen Photoleiter und ein weiteres Material enthält. Eine Art zusammengesetzter photoleitfähiger Schicht, wie sie in der Xerographie verwendet wird, ist in der US-PS 31 21 006 wiedergegeben, die eine Anzahl von Bindemittelschichten beschreibt, welche feinzerteilte Partikel einer photoleitfähigen anorganischen Verbindung enthalten, die in einem elektrisch isolierenden organischen Harzbindemittel dispergiert sind. In ihrer derzeitigen Handelsform enthält die Bindemittelschicht Zinkoxidteilchen, die gleichförmig in einem Harz dispergiert sind, und ist auf eine Papierlage aufgezogen.A photoconductive layer for use in xerography can be a homogeneous layer of a single material, such as B. vitreous selenium, or it can be a composite layer, the one Contains photoconductor and another material. A type of composite photoconductive layer as shown in The use of xerography is set forth in US Pat. No. 3,121,006 which describes a number of binder layers describes which finely divided particles of a photoconductive inorganic compound contain, which are dispersed in an electrically insulating organic resin binder. In their current Commercial form, the binder layer contains zinc oxide particles uniformly dispersed in a resin, and is stretched on a sheet of paper.

In einzelnen, in der genannten Patentschrift beschriebenen Beispielen für Bindemittelsysteme enthält das Bindemittel ein Material, das nicht in der Lage ist, eingebrachte, durch die Photoleiterteüchen erzeugte Ladungsträger über eine wesentliche Entfernung zu transportieren. Folglich müssen bei den speziellen, in der genannten US-PS offenbarten Materialien die Photoleiterteüchen sich in praktisch kontinuierlicher Teilchen-an-Teilchen-Berührung durch die ganze Schicht befinden, um den für wiederholten Betrieb erforderlichen Ladungsabbau zu ermöglichen. Bei der gleichförmigen Verteilung von Photoleiterteilchen, wie sie in der US-PS beschrieben ist, ist daher gewöhnlich eine verhältnismäßig hohe Volumenkonzentration an Photoleiter, bis zu etwa 50 Volumenprozent oder mehr, notwendig, um für rasche Entladung ausreichende Teilchen-an-Teilchen-Berührung des Photoleiters zu erhalten. Es wurde jedoch gefunden, daß hohe Photoleiteranteile in den Bindemittelschichten des Harztyps dazu führen, die physikalische Kontinuität des Harzes zu zerstören, was die mechanischen Eigenschaften der Bindemittelschicht beträchtlich herabsetzt. Schichten mit hohem Photoleitergehalt zeichnen sich oft durch eine brüchige Bindemittelschicht von geringerIn individual examples of binder systems described in the patent mentioned contains the Binder a material that is not capable of being introduced by the photoconductor particles Transporting load carriers over a substantial distance. Consequently, with the special, in the said US-PS disclosed materials, the photoconductor particles in practically continuous Particle-to-particle contact throughout the shift in order to allow for repeated operation to enable the required charge reduction. With the uniform distribution of photoconductor particles, such as therefore, it is usually a relatively high concentration by volume Photoconductors, up to about 50 percent by volume or more, are necessary to be sufficient for rapid discharge Particle-to-particle contact of the photoconductor. However, it has been found that high Photoconductor components in the binder layers of the resin type lead to the physical continuity of the Destroy the resin, which considerably reduces the mechanical properties of the binder layer. Layers with a high photoconductor content are often characterized by a brittle binder layer of less

oder fehlender Flexibilität aus. Wird andererseits die Photoleiterkonzentration beträchtlich unter etwa 50 Volumenprozent gesenkt, sinkt die Entladegeschwindigkeit, was ein erneutes oder wiederholtes Abbilden mit hoher Geschwindigkeit schwierig oder unmöglich macht.or lack of flexibility. On the other hand, the The photoconductor concentration is reduced considerably below about 50 percent by volume, the discharge speed decreases, making high speed re-imaging difficult or impossible power.

Die US-PS 31 21 007 offenbart einen weiteren Photoleitertyp, der eine zweiphasige, photoleitfähige Bindemittelschicht mit photoleitfähigen isolierenden Teilchen, dispergiert in einer homogenen, photoleitfähigen, isolierenden Matrix, umfaßt. Der Photoleiter liegt in Form eines teilchenförmigen, photoleitfähigen, anorganischen kristallinen Pigments vor, das nur allgemein offenbart, in einer Menge von etwa 5 bis 80 Gew.-% zugegen sein soll. Die Photoentladung soll durch die Kombination von Ladungsträgern, die in dem photoleitfähigen, isolierenden Matrixmaterial erzeugt werden, und von Ladungsträgern, die von dem photoleitfähigen kristallinen Pigment in die photoleitfähige, isolierende Matrix eingebracht werden, ausgelöst werden.The US-PS 31 21 007 discloses another type of photoconductor, which is a two-phase, photoconductive Binder layer with photoconductive insulating particles, dispersed in a homogeneous, photoconductive, insulating matrix. The photoconductor is in the form of a particulate, photoconductive, inorganic crystalline pigment, which is only generally disclosed, in an amount of about 5 to 80 Wt .-% should be present. The photodischarge is said to be due to the combination of charge carriers in the photoconductive, insulating matrix material are generated, and of charge carriers that are generated by the photoconductive crystalline pigment are introduced into the photoconductive, insulating matrix, triggered will.

Die LJS-PS 30 37 861 offenbart, daß Polyvinylcarbazol eine gewisse langwellige UV-Empfindüchkeit zeigt, und empfiehlt, die spektrale Empfindlichkeit durch den Zusatz von Farbstoffsensibilisatoren bis zum sichtbaren Spektralbereich auszudehnen. Ferner empfiehlt sie, andere Zusätze, wie z. B. Zinkoxid oder Titandioxid, auch in Verbindung mit Polyvinylcarbazol, zu verwenden. Es ist klar, daß das Polyvinylcarbazol als Photoleiter verwendet werden soll, mit oder ohne Zusatzstoffe, die seine spektrale Empfindlichkeit ausdehnen. LJS-PS 30 37 861 discloses that polyvinyl carbazole shows a certain long-wave UV sensitivity and recommends the spectral sensitivity through the Extend the addition of dye sensitizers to the visible spectral range. She also recommends other additives, such as B. zinc oxide or titanium dioxide, also in conjunction with polyvinyl carbazole, to be used. It is clear that the polyvinyl carbazole is intended to be used as a photoconductor, with or without it Additives that expand its spectral sensitivity.

Darüber hinaus sind gewissen, besonders für die Reflexabbildung bestimmte, spezielle Schichtstrukturen vorgeschlagen worden. Die US-PS 3165 405 z.B. wendet eine zweischichtige Zinkoxidbindemittelstruktur zum Reflexabbilden an. Sie verwendet zwei getrennte, aneinandergrenzende photoleitfähige Schichten mit verschiedenen spektralen Empfindlichkeiten, um eine besondere Reflexabbildungssequenz durchzuführen. Das hier beschriebene Mittel nutzt die Eigenschaften mehrerer photoleitfähiger Schichten, um die kombinierten Vorteile der getrennten Photoanregung der jeweiligen photoleitfähigen Schichten zu erzielen.In addition, there are certain special layer structures that are especially intended for reflex imaging has been proposed. U.S. Patent 3,165,405 e.g. employs a two-layer zinc oxide binder structure for reflective imaging. She used two separate, contiguous photoconductive layers with different spectral sensitivities, to perform a special reflex imaging sequence. The means described here uses the Properties of multiple photoconductive layers to take advantage of the combined benefits of separate photoexcitation to achieve the respective photoconductive layers.

Aus der vorstehenden Übersicht über die herkömmlichen zusammengesetzten photoleitfähigen Schichten ist zu erkennen, daß nach Belichtung !';■ Photoleitfähigkeit in der Schichtstruktur durch Ladungstransport durch die Masse der photoleitfähigen Schicht erreicht wird, wie im Falle glasartigen Selens (und anderer homogener Schichtmodifikationen). In photoleitfähige Bindemittelstrukturen verwendenden Vorrichtungen, die inaktive, elektrisch isolierende Harze umfassen, wie die, die in der US-PS 31 21 006 beschrieben sind, wird Leitfähigkeit oder Ladungstransport durch hohe Anteile des photoleitfähigen Pigments erreicht, was Teilchen-anTeilchen-Berührung der photoleitfähigen Teilchen ermöglicht. Im Falle von in einer photoleitfähigen Matrix dispergierten photoleitfähigen Teilchen, veranschaulicht z. B. in der US-PS 31 21 007, erfolgt Photoleitfähigkeit durch die Erzeugung von Ladungsträgern sowohl in der photoleitfähigen Matrix als auch in den photoleitfähigen Pigmentteilchen.From the above overview of the conventional composite photoconductive layers, there is to recognize that after exposure! '; ■ photoconductivity is achieved in the layer structure by charge transport through the mass of the photoconductive layer, as in the case of vitreous selenium (and other homogeneous layer modifications). In photoconductive binder structures using devices comprising inactive, electrically insulating resins such as those disclosed in US Pat US-PS 31 21 006 are described, conductivity or charge transport through high proportions of the photoconductive Pigments, which enables particle-to-particle contact of the photoconductive particles. in the The case of photoconductive particles dispersed in a photoconductive matrix, e.g. B. in the US-PS 31 21 007, photoconductivity occurs through the generation of charge carriers both in the photoconductive Matrix as well as in the photoconductive pigment particles.

Obgleich sich die obigen Patentschriften auf verschiedene Entladungsmechanismen durch die photoleitfähige Schicht hindurch beziehen, leiden sie im allgemeinen an gemeinsamen Mängeln, indem nämlich die photoleitfähige Oberfläche während des Betriebs der Umgebung ausgesetzt ist, und insbesondere im Falle erneuter Xerographie dem Abrieb, chemischem Angriff, Hitze und vielfacher Belichtung während wiederholten Betriebs unterliegt. Diese Effekte zeichnen sich durch eine stufenweise Verschlechterung in den elektrischen Eigenschaften der photoleitfähigen Schicht aus, was zur Ausbildung von Oberflächenfehlern und Kratzern, begrenzten Bereichen ständiger Leitfähigkeit, die keine elektrostatische Ladung halten, und hoher Dunkelentladung führt.Although the above patents refer to various discharge mechanisms through the photoconductive Referring through the layer, they generally suffer from a common defect, namely the photoconductive Surface is exposed to the environment during operation, and especially in the event of renewed Xerography of abrasion, chemical attack, heat and multiple exposure during repeated operations subject. These effects are characterized by a gradual deterioration in the electrical Properties of the photoconductive layer, which lead to the formation of surface defects and scratches, limited areas of constant conductivity that do not hold electrostatic charge and high dark discharge leads.

Zusätzlich zu den obigen Problemen erfordern diese photoleitfähigen Schichten, daß der Photoleiter entweder 100% der Schicht darstellt, wie im Falle der glasartigen Selenschicht, oder daß sie vorzugsweise einen hohen Anteil an Photoleiter in dem Bindemittel enthalten. Die Anforderungen an eine, das gesamte oder einen größeren Anteil des photoleitfähigen Materials enthaltende photoleitfähige Schicht beschränken weiter die physikalischen Eigenschaften des endgültigen Aufzeichnungsmaterial, wie z. B. Platte, Walze oder Bandes, indem die physikalischen Eigenschaften, wie z. B. Flexibilität und Adhäsion des Photoleiters an einem Schichtträger hauptsächlich von den physikalischen Eigenschaften des Photoleiters bestimmt werden und nicht von dem Harz oder dem Matrixmaterial, das vorzugsweise in einer kleineren Menge vorhanden ist.In addition to the above problems, these photoconductive layers require the photoconductor to be either 100% of the layer, as in the case of the vitreous selenium layer, or that it is preferably contain a high proportion of photoconductor in the binder. The requirements for one, the whole or The photoconductive layer containing a larger proportion of the photoconductive material further restricts the physical properties of the final recording material, e.g. B. plate, roller or Tape by changing the physical properties, such as B. Flexibility and adhesion of the photoconductor to one Supports are mainly determined by the physical properties of the photoconductor and not of the resin or the matrix material, which is preferably present in a smaller amount.

Eine weitere Form einer zusammengesetzten photoleitfähigen Schicht, die vom Stand der Technik ebenfalls in Betracht gezogen wurde, umfaßt eine Schicht photoleitfähigen Materials, die mit einer verhältnismäßig dicken Kunststoffschicht bedeckt und auf einem Schichtträger aufgezogen ist. Die US-PS 30 41 166 beschreibt eine solche Anordnung, bei der ein transparentes Kunststoffmaterial über einer Schicht von glasartigem Selen liegt, die auf einem Schichtträger enthalten ist. Das Kunststoffmaierial soll einen großen Bereich für Ladungsträger der gewünschten Polarität besitzen. Beim Betrieb wird die freie Oberfläche des transparenten Kunststoffs auf eine gegebene Polarität elektrostatisch aufgeladen. Dann wird die Anordnung aktivierender Strahlung ausgesetzt, die in der photoleitfähigen Schicht ein Loch-Elektronen-Paar erzeugt. Das Elektron bewegt sich durch die Kunststoffschicht und neutralisiert eine positive Ladung auf der freien Oberfläche der Kunststoffschicht, wodurch ein elektrostatisches Bild erzeugt wird. Diese Patentschrift offenbart jedoch keine speziellen Kunststoffmaterialien, die in dieser Weise wirken, und beschränkt ihre Beispiele auf Strukturen, die ein Photoleitermaterial für die Oberschicht verwenden.Another form of composite photoconductive layer that is also known from the prior art has been contemplated comprises a layer of photoconductive material having a relatively thick plastic layer covered and mounted on a layer support. The US-PS 30 41 166 describes such an arrangement in which a transparent plastic material is over a layer of vitreous selenium, which is contained on a layer support. The Kunststoffmaierial is supposed to be a big one Have area for charge carriers of the desired polarity. During operation, the free surface of the transparent plastic is electrostatically charged to a given polarity. Then the arrangement exposed to activating radiation which generates a hole-electron pair in the photoconductive layer. That Electron moves through the plastic layer and neutralizes a positive charge on the free one Surface of the plastic layer, which creates an electrostatic image. This patent specification however, does not disclose and limit particular plastic materials which function in this manner Examples of structures that use a photoconductor material for the top layer.

Die FR-PS 15 77 855 beschreibt eine zusammengesetzte pHotoempfindliche Anordnung für spezielle Zwecke, die für Reflexbelichtung durch polarisiertes Licht geeignet ist. Eine Ausführungsform verwendet eine Schicht dichroitischer, organischer, photoleitfähiger Teilchen, die auf einem tragenden Substrat orientiert angeordnet sind, sowie eine Schicht aus Polyvinylcarbazol über der orientierten Schicht dichroitischen Materials. Wenn die orientierte dichroitische Schicht und die Polyvinylcarbazolschicht geladen und Licht ausgesetzt sind, welches senkrecht zur Orientierung der dichroitischen Schicht polarisiert ist, sind beide Schichten für das anfängliche Bestrahlungslicht praktisch transparent. Trifft das polarisierte Licht den weißen Hintergrund des gerade kopierten Dokuments, wird das Licht depolarisiert, durch die Anordnung reflektiert und von dem dichroitischen photoleitfähigenThe FR-PS 15 77 855 describes a composite photo-sensitive arrangement for special Purposes suitable for reflective exposure by polarized light. One embodiment used a layer of dichroic, organic, photoconductive particles deposited on a supporting substrate oriented, as well as a layer of polyvinyl carbazole over the oriented dichroic layer Materials. When the oriented dichroic layer and the polyvinyl carbazole layer are charged and Exposure to light polarized perpendicular to the orientation of the dichroic layer are both Layers practically transparent to the initial irradiation light. If the polarized light hits the white background of the document being copied, the light is depolarized by the arrangement reflected and from the dichroic photoconductive

Material absorbiert. Bei einer weiteren Ausführungsform ist der dichroitische Photoleiter in orientierter Weise über die Polyvinylcarbazolschicht verteilt.Material absorbed. In another embodiment, the dichroic photoconductor is more oriented Distributed in a manner over the polyvinyl carbazole layer.

In nicht vorveröffentlichten Patentanmeldungen der Anmelderin wird elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit funktionellen Materialien beschrieben. Das erste Material ist ein Photoleiter, der in der Lage ist, lichterregte Löcher und Elektronen in einem angrenzenden, elektronisch aktiven Material zu erzeugen und einzubringen. Das elektronisch aktive Material umfaßt ein transparentes organisches Material, das elektromagnetische Strahlung im Bereich der beabsichtigten xerographischen Verwendung praktisch nicht absorbiert, das aber elektronisch aktiv ist, indem es das Injizieren von lichterregten Löchern oder Elektronen von dem Photoleiter her und weiter den Transport dieser lichterzeugten Ladungen durch das aktive Material zum selektiven Abbau einer Oberflächenladung ermöglicht.In patent applications not previously published by the applicant, electrophotographic recording material is used described with functional materials. The first material is a photoconductor that is used in the Is able to generate light-excited holes and electrons in an adjacent, electronically active material and bring in. The electronically active material comprises a transparent organic material that electromagnetic radiation in the range of the intended xerographic use is practically nonexistent which is electronically active by injecting light-excited holes or electrons from the photoconductor and further the transport of these light-generated charges through the active Material for the selective reduction of a surface charge allows.

Die Verwendung von elektronisch aktiven Materialien in Kombination mit Photoleitern in elektrophotographischem Aufzeichnungsmaterial, wie es in den vorgenannten Anmeldungen offenbart ist, ist für die Technik von enormer Bedeutung. Beispielsweise kann diese Art von Aufzeichnungsmaterial bis herab zu 0,1 Volumprozent Photoleiter, bezogen auf elektronisch aktives organisches Material, enthalten, wodurch es wirtschaftlich wird. Zudem bietet es hervorragende physikalische Festigkeit und Flexibilität, was seine Verwendung unter raschen Wiederholungsbedingungen ermöglicht, die in derzeitigen elektrophotographischen Prozessen gefordert werden.The use of electronically active materials in combination with photoconductors in electrophotographic Recording material, as disclosed in the aforementioned applications, is for Technology of enormous importance. For example, this type of recording material can be down to 0.1 Percentage by volume of photoconductors, based on electronically active organic material, which makes it becomes economical. It also offers excellent physical strength and flexibility, whatever its Allows use under rapid repetitive conditions found in current electrophotographic Processes are required.

So ist leicht zu erkennen, daß ein fortbestehendes Bedürfnis zur Entwicklung von elektrophotographischem Aufzeichnungsmaterial besteht, das die für die Bedingungen raschen wiederholten Betriebs erforderlichen elektrischen und physikalischen Eigenschaften besitzt. Zudem wird der Bedarf nach Aufzeichnungsmaterial, das neue Zusammensetzungen elektronisch aktiver organischer Materialien und Photoleiter enthält, sehr hoch geschätzt.Thus it is easy to see that there is a continuing need for the development of electrophotographic There is a recording material which has the conditions required for rapid repetitive operations possesses electrical and physical properties. In addition, the need for recording material containing new compositions of electronically active organic materials and photoconductors, very much appreciated.

Aufgabe der Erfindung ist ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit hervorragenden mechanischen Eigenschaften, bei dem eine wirksame Fehlstellenerzeugung und ein wirksamer Fehlstellentransport gewährleistet ist.The object of the invention is an electrophotographic recording material with excellent mechanical properties Properties in which an effective defect generation and an effective defect transport is guaranteed.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial der eingangs genannten Art gelöst, das dadurch gekennzeichnet ist, daß es als p-leitende organische Verbindung 2-Phenylanthracen, eine polymere Verbindung mit 2-Phenylnaphthalin-, 2-Phenylanthracen- oder 2-Phenylindol-Einheiten, 3-Phenylindol, 3-Phenylbenzo(b)furan, 3-Phenyl(b)thiophen, 3-Phenylbenzo(b)thtophen, 2-Phenylbenzo(b)thiophen, 1-Phenylphenanthren,According to the invention, this object is achieved by an electrophotographic recording material initially mentioned type, which is characterized in that it is a p-conductive organic compound 2-phenylanthracene, a polymeric compound with 2-phenylnaphthalene, 2-phenylanthracene or 2-phenylindole units, 3-phenylindole, 3-phenylbenzo (b) furan, 3-phenyl (b) thiophene, 3-phenylbenzo (b) thtophene, 2-phenylbenzo (b) thiophene, 1-phenylphenanthrene,

2-Phcnyltetracen, 1-Phenylpyren, 2-Phenylpyren, 1-Phenylfluorantheg, 2-Phenylfluoranthen, 3-Phcnylcarbazol und/odci'4-Phenylcarbazol enthält.2-phenyl tetracene, 1-phenyl pyrene, 2-phenyl pyrene, 1-phenylfluoranthene, 2-phenylfluoranthene, 3-phenylcarbazole and / odci'4-phenylcarbazole contains.

Gemäß einer Variante sind der p-Photoleiter und das p-leitende Bindemittel in einer Photoleiter-Bindemittel-Schichi, die gegebenenfalls auf einen Schichtträger liegt, enthalten.According to a variant, the p-photoconductor and the p-conductive binder are in a photoconductor-binder layer, which optionally lies on a layer support.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß man das erfindungsgemäße Aufzeichnungsmaterial verwendet.The process according to the invention is characterized in that the recording material according to the invention is used used.

Der Schichtträger kann praktisch transparent und/ oder elektronisch leitfähig sein. Als p-Phololeiter wird besonders glasartiges Selen, cine Sclcnlcgicriing, trigonales Selen, CdSSe und/oder die X-Form vor metallfreiem Phthalocyanin bevorzugt.The layer support can be practically transparent and / or electronically conductive. As a p-type conductor especially vitreous selenium, cine scaling, trigonal selenium, CdSSe and / or the X-shape metal-free phthalocyanine preferred.

Zur Belichtung wird beim erfindungsgemäßen Verfahren als aktivierende Strahlung vorzugsweise eine Strahlung in sichtbarem Spektrum, insbesondere irr Bereich von etwa 400 bis 800 ιτιμ verwendet.The activating radiation used for exposure in the process according to the invention is preferably one Radiation in the visible spectrum, in particular in the range from about 400 to 800 ιτιμ used.

Der p-Photoleiter ist in der Lage, bei Lichtanregung Löcher zu erzeugen und in die angrenzende oder benachbarte p-leitende organische Verbindung zuThe p-photoconductor is able to generate holes when excited and in the adjacent or neighboring p-type organic compound too

ίο injizieren. Die p-leitende organische Verbindung absorbiert im Bereich der beabsichtigten Verwendung sichtbares Licht oder Strahlung praktisch nicht, wirki aber insoweit aktiv, als sie die Injektion von durch Lichi erzeugten Löchern aus dem p-Photoleiter erlaubt unc den Transport dieser Löcher durch die aktive Schicht zur selektiven Entladung einer Oberflächenladung aul der freien Oberfläche der aktiven Schicht ermöglicht Als p-leitende organische Verbindungen gemäß dei Erfindung werden unter anderem 2-Phenylanthracer sowie die Polymeren von 2-Phenylnaphthalin, 2-Phenyl anthracen und 2-Phenylindol verwendet. Die entspre chenden monomeren Verbindungen haben folgende Strukturformel:ίο inject. The p-type organic compound is absorbed Visible light or radiation practically not in the range of the intended use, real but active insofar as it allows the injection of Lichi-generated holes from the p-type photoconductor unc the transport of these holes through the active layer for the selective discharge of a surface charge aul the free surface of the active layer allows p-type organic compounds according to dei Invention include 2-phenylanthracers and the polymers of 2-phenylnaphthalene, 2-phenyl anthracene and 2-phenylindole are used. The corresponding The corresponding monomeric compounds have the following structural formula:

Verständlicherweise ermöglicht die Verwendung dieser elektronisch aktiven p-leitenden Verbindunger eine Vielzahl von Strukturen für das elektrophotogra phische Aufzeichnungsmaterial. Sie können daher mi den p-Photoleiter in Form einer Binderstruktur odei einer Schichtanordnung vorliegen.Understandably, this enables the use of these electronically active p-type connectors a variety of structures for the electrophotographic recording material. You can therefore mi the p-photoconductor is in the form of a binder structure or a layer arrangement.

Die erfindungsgemäßen p-leitenden Verbindunger wirken nicht als Photoleiter im Wellenlängenbereicl xerographischer Anwendung. Wie oben angegeben werden Loch-Elektronen-Paare in dem Photoleitei durch Licht erzeugt, und die Löcher werden dann in da:The p-conducting connectors according to the invention do not act as photoconductors in the wavelength range xerographic application. As indicated above, hole-electron pairs are created in the photoconductor generated by light, and the holes are then in there:

angrenzende oder benachbarte, elektronisch aktivi p-leitende Material injiziert, und der Löchertranspor erfolgt durch die p-leitende Verbindung.Adjacent or neighboring, electronically aktivi p-conductive material is injected, and the hole transport takes place through the p-conducting connection.

Zu einer typischen Anwendung der Erfindung gehör die Verwendung einer Sandwich-Zelle oder Schichtan Ordnung, die bei einer Ausführungsform aus einen Schichtträger, wie z. B. einem Leiter, der darauf eini photoleitfähige Schicht enthält, besteht. Die photoleitfä liige Schicht kann z. B. in Form einer Schicht aus einen amorphen oder glasartigen Selen vorliegen. Ein*A typical application of the invention involves the use of a sandwich cell or sheet Order, which in one embodiment consists of a layer support, such as. B. a leader who agrees photoconductive layer contains. The photoleitfä liige layer can, for. B. in the form of a layer of a amorphous or vitreous selenium are present. A*

(,5 transparente 2-Phenylanthracen-Schicht, die Löchcrin jektion und -transport ermöglicht, wird als Überzug au die photoleitfähige Selenschicht aufgebracht. Dii Verwendung der transparenten, elektronisch aktiver(, 5 transparent 2-phenylanthracene layer, the Lochcrin Allows jection and transport, is applied as a coating on the photoconductive selenium layer. Dii Use of the transparent, electronically active

Schicht aus 2-Pheny!anthracen ermöglicht es, Vorteile zu ziehen aus der Anordnung einer photoleitfähigen Schicht nahe dem Schichtträger sowie aus dem Schutz der photoleitfähigen Schicht durch eine äußere Oberflächenschicht, die den Transport von durch Licht erzeugten Löchern (p-Transport) aus dem Photoleiter ermöglicht und zugleich als physikalischer Schutz der photoleitfähigen Schicht gegenüber Umgebungsbedingungen wirkt. Diese Struktur kann dann in herkömmlicher xerografischer Weise belichtet werden, was gewöhnlich Aufladen, optische Belichtung und Entwicklung umfaßt.Layer of 2-pheny! Anthracene makes it possible to benefit from the arrangement of a photoconductive Layer close to the substrate and from the protection of the photoconductive layer by an outer surface layer, the transport of light-generated holes (p-transport) out of the photoconductor enables and at the same time as physical protection of the photoconductive layer against ambient conditions works. This structure can then be exposed in a conventional xerographic manner, what usually includes charging, optical exposure and development.

Weitere Merkmale, Einzelheiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen, vor allem in Verbindung mit den Zeichnungen. Darin zeigtFurther features, details and advantages of the invention emerge from the following description of exemplary embodiments, especially in connection with the drawings. In it shows

Fig.1 ein Diagramm der Photoempfindlichkeit gegen die Feldabhängigkeit für eine p-leitende organische Verbindung allein und in Verbindung mit einem Photoleiter,Fig. 1 is a graph of photosensitivity versus the field dependence for a p-type organic compound alone and in conjunction with one Photoconductor,

F i g. 2 ein Diagramm ähnlich F i g. 1 für eine zweite p-leitende organische Verbindung,F i g. 2 shows a diagram similar to FIG. 1 for a second p-conducting organic compound,

F i g. 3 ein Diagramm des Absorptionsspektrums für Polyvinylcarbazol,F i g. 3 is a diagram of the absorption spectrum for polyvinyl carbazole,

F i g. 4 ein Diagramm des Absorptionsspektrums für Pyren,F i g. 4 is a diagram of the absorption spectrum for pyrene,

F i g. 5 bis 9 je eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung bzw. Anordnung.F i g. 5 to 9 each show a schematic representation of an embodiment of a device according to the invention or arrangement.

Wie hierin definiert, ist ein Photoleiter ein Material, das in dem Wellenlängenbereich, in dem es verwendet werden soll, auf Licht elektrisch anspricht. Insbesondere ist es ein Material, dessen elektrische Leitfähigkeit entsprechend der Absorption elektromagnetischer Strahlung in einem Wellenlängenbereich, in dem es benützt werden soll, beträchtlich ansteigt. Diese Definition wird notwendig durch die Tatsache, daß eine große Zahl aromatischer organischer Verbindungen als photoleitfähig bekannt sind oder die Photoleitfähigkeit erwartet wird, wenn sie mit stark absorbierter UV-, Röntgen- oder Gamma-Strahlung bestrahlt werden. Photoleitfähigkeit in organischen Materialien ist ein übliches Phänomen. Praktisch alle hochkonjugierten organischen Verbindungen entwickeln ein bestimmtes Maß an Photoleitfähigkeit unter geeigneten Bedingungen. Die meisten dieser organischen Materialien haben ihre Hauptwellenlängenanregung in den auf UV ansprechenden Materialien, und ihre Anregung durch kurze Wellenlängen ist nicht sonderlich geeignet für das Kopieren von Vorlagen oder Farbreproduktionen. In Anbetracht des allgemeinen Überwiegens einer Photoleitfähigkeit in organischen Verbindungen aufgrund der Anregung kurzer Wellenlängen ist es daher nötig, im Rahmen dieser Erfindung den Ausdruck »Photoleiter« oder »photoleitfähig« so zu verstehen, daß nur solche Materialien umfaßt werden, die tatsächlich in dem Wellenlängenbereich, in dem sie verwendet werden sollen, durch Licht angeregt werden.As defined herein, a photoconductor is a material that is in the wavelength range in which it is used should be electrically responsive to light. In particular, it is a material whose electrical conductivity corresponding to the absorption of electromagnetic radiation in a wavelength range in which it is to be used increases considerably. This definition is made necessary by the fact that a Large numbers of aromatic organic compounds are known to be photoconductive or photoconductive is expected if they are exposed to strongly absorbed UV, X-ray or gamma radiation. Photoconductivity in organic materials is a common phenomenon. Virtually all of the highly conjugated Organic compounds develop a certain level of photoconductivity under suitable conditions. Most of these organic materials have their main wavelength excitation in the UV appealing materials, and their stimulation by short wavelengths is not particularly suitable for that Copying of originals or color reproductions. In consideration of the general preponderance of photoconductivity in organic compounds due to the excitation of short wavelengths it is therefore necessary to use im Within the scope of this invention, the term "photoconductor" or "photoconductive" is to be understood as meaning that only such Materials are included that are actually in the wavelength range in which they are used should be stimulated by light.

p-leitcnde organische Verbindungen, wie sie in dieser Erfindung beschrieben werden, die auch als Bindemittel bezeichnet werden, wenn sie als Bindemittel für eine Photoleiter-Bindemittel-Schicht benutzt werden, sind ein praktisch nichtphotoleitfähiges Material, das die Wirksamkeit der Injektion von durch Licht erzeugten Löchern aus der photoleitfähigen Schicht zu wenigstens etwa 10% bei Feldstärken von etwa 2-1O5VZCm unterstützt. Dieses Material zeichnet sich weiter durch die Fähigkeit zum Transport des Trägers von mindestens 10~3 cm bei einer Feldstärke von nicht mehr als etwa 106V/cm aus. Zudem sind die p-leitenden organischen Verbindungen in dem Wellenlängenbereich, in dem die Anordnung verwendet werden soll, transparent.P-type organic compounds as described in this invention, also referred to as binders when used as binders for a photoconductor-binder layer, are a practically non-photoconductive material that creates the effectiveness of light injection Holes from the photoconductive layer supported by at least about 10% at field strengths of about 2-1O 5 VZCm. This material is further characterized by the ability to transport the carrier for at least 10 -3 cm at a field strength of no more than about 10 6 V / cm. In addition, the p-conducting organic compounds are transparent in the wavelength range in which the arrangement is to be used.

Die p-leitenden organischen Verbindungen, die zusammen mit Photoleitern gemäß der Erfindung eingesetzt werden sollen, sind Materialien, die insoweit Isolatoren sind, als eine elektrostatische Ladung, die aufThe p-type organic compounds, together with photoconductors according to the invention to be used are materials that are insulators insofar as an electrostatic charge that on

ίο die p-leitenden Verbindungen aufgebracht wurde, bei fehlender Belichtung nicht geleitet wird, und zwar in einem solchen Umfang, der ausreicht, die Bildung und Retention eines elektrostatischen latenten Bildes darauf zu vermeiden. Dies bedeutet im allgemeinen, daß der spezifische Widerstand der p-leitenden Verbindungen wenigstens etwa 1010 Ohm-cm sein sollte.ίο the p-type compounds has been applied, will not be conducted in the absence of exposure, to an extent sufficient to avoid the formation and retention of an electrostatic latent image thereon. This generally means that the resistivity of the p-type connections should be at least about 10 10 ohm-cm.

Wie aus den vorstehenden Ausführungen zu entnehmen ist, sind die für die aktiven Transportsysteme gemäß der Erfindung brauchbaren p-leitenden Verbindüngen nebenbei auch photoleitfähig, wenn Strahlung von für elektronische Erregung geeigneten Wellenlängen von ihnen absorbiert wird. Photoerregung im Bereich kurzer Wellenlängen jedoch, der außerhalb des Spektralbereichs fällt, für den der Photoleiter verwendet werden soll, ist für die Leistung der Anordnung bzw. Vorrichtung unerheblich. Bekanntlich muß Strahlung absorbiert werden, um Photoleitfähigkeitsanregung hervorzurufen, und die obigen Transparentkriterien für die p-leitenden Verbindungen besagen, daß diese Materialien nicht in wesentlichem Umfang zur Photoanregung des Photoempfängers in dem verwendeten Wellenlängenbereich beitragen.As can be seen from the above, the are for the active transport systems according to the invention usable p-conductive compounds incidentally also photoconductive when radiation is absorbed by them at wavelengths suitable for electronic excitation. Photo excitation in However, short wavelength range that falls outside the spectral range for which the photoconductor is used is to be, is irrelevant for the performance of the arrangement or device. It is well known that radiation must absorbed to produce photoconductivity excitation and the above transparency criteria for the p-type connections indicate that these materials are not essential for photoexcitation of the photoreceiver contribute in the wavelength range used.

Der Grund für das Erfordernis, daß die p-leitenden Verbindungen transparent sein müssen, beruht auf der Erkenntnis, daß unter allen praktischen Bedingungen die Wirksamkeit der Photoinjizierung von dem Photoleiter in die p-leitenden Verbindungen für sichtbare, von dem Photoleiter absorbierte Strahlung die den p-leitenden Verbindungen im sichtbaren und unsichtbaren Wellenlängenbereich eigene Photoempfindlichkeit bei weitem übersteigt. Diese Lage wird von den F i g. 1 und 2 veranschaulicht, die einen Vergleich der Feldabhängigkeit der Injizierempfindlichkeit des Photoleiterselens in sowie die materialeigene Photoempfindlichkeit von zwei elektronisch aktiven p-leitenden Verbindungen zeigen, die in den BE-PS 7 63 540 und 7 63 541 offenbart sind, nämlich Polyvinylcarbazol (PVK) und Polyvinylpyren (PVP), jeweils gemessen an Proben von 20 μΐη Stärke auf einem Aluminiumschichtträger und hergestellt nach den in diesen Anmeldungen beschriebenen Methoden. Die Kurven für die Schichtenstrukturen der gleichen Materialien mit einer 0,4 μίτι starken Schicht glasartigen Selens zwischen der Schicht der p-leitenden Verbindung und dem Schichtträger sind ähnlich denen der Struktur der F i g. 2.The reason for requiring the p-type connections to be transparent is based on Realization that under all practical conditions the effectiveness of photoinjection of the Photoconductor in the p-type connections for visible radiation absorbed by the photoconductor the photosensitivity inherent in p-conducting connections in the visible and invisible wavelength range far exceeds. This situation is shown in FIGS. 1 and 2 illustrates a comparison the field dependence of the injection sensitivity of the photoconductor element as well as the photosensitivity inherent in the material show of two electronically active p-type connections, which in BE-PS 7 63 540 and 7 63 541 are disclosed, namely polyvinyl carbazole (PVK) and polyvinyl pyrene (PVP), each measured on Samples of 20 μm thickness on an aluminum substrate and manufactured according to the methods described in these applications. The curves for the layer structures of the same materials with a 0.4 μίτι strong layer of vitreous selenium between the p-type compound layer and the substrate similar to those of the structure of FIG. 2.

Die Daten der F i g. 1 und 2 werden durch Auftragen der anfänglichen xerographischen Ausbeute (g) als Funktion des angewandten Feldes bestimmt. Die xerographische Ausbeute wurde aus der anfänglichen EntladegeschwindigkeitThe data of the F i g. 1 and 2 are determined by plotting the initial xerographic yield (g) as a function of the field applied. The xerographic yield was determined from the initial discharge rate

[ν Mk)[ν Mk)

berechnet, worin / der auftreffende, direkte Photonenfluß, d die Stärke der Schicht, e die elektrische Dielektrizitätskonstante und edie Elektronenladurig ist. Eine xerographische Ausbeute einer Einheit würdecalculated where / is the impinging, direct photon flux, d is the thickness of the layer, e is the dielectric constant and e is the electron charge. A xerographic yield of one unit would be

beobachtet, wenn ein Ladungsträger pro auftreffendes Photon angeregt würde und sich durch die Schicht bewegen würde. Aus den F i g. 1 und 2 wird klar, daß die materialeigene Photoleitfähigkeit der p-leitenden Verbindungen bei ihrem Absorptionswellen-peak (UV-Anregung) zu Ausbeuten führt, die erheblich geringer sind als die wirksamen photoleitfähigen Materialien mit Zweiphasenstruktur, wie sie z. B. durch die Schichtenstrukturen unter Verwendung dünner Selenschichten mit geeigneten aktiven Materialien veranschaulicht werden, die Ausbeuten von annähernd 0,70 bei einem Feld von etwa 10 V/cm erreichen, unter Anwendung einer anregenden Wellenlänge innerhalb des sichtbaren Spektrums (400—800 ηιμ).observed when a charge carrier per incident photon would be excited and spread through the layer would move. From the F i g. 1 and 2 it becomes clear that the material's own photoconductivity of the p-conductive connections at their absorption wave peak (UV excitation) leads to yields which are considerably lower than the effective photoconductive materials with two-phase structure as e.g. B. by the layer structures using thin selenium layers illustrated with suitable active materials, the yields of approximately 0.70 at one A field of about 10 V / cm can be achieved using an exciting wavelength within the visible Spectrum (400-800 ηιμ).

Die F i g. 3 und 4 sind Absorptionsspektren für PVK und PVP bei Wellenlängen von 250—400 ηιμ. Aus diesen Spektren wird klar, daß PVK und PVP, wenn überhaupt, vernachlässigbare Entladung zeigen, wenn sie einer Wellenlänge von in der Xerographie brauchbarem Licht, d.h. 400—800 ΐημ, ausgesetzt werden. Die offensichtliche Verbesserung der Leistung, die sich aus der Verwendung der zweiphasigen Systeme dieser Art ergibt, kann am besten verwirklicht werden, wenn das aktive Material praktisch transparent gegenüber der Strahlung in einem Bereich ist, in welchem der Photoleiter verwendet werden soll; denn jede Absorption von erwünschter Strahlung durch das aktive Material hindert diese Strahlung, das photoleitfähige Material zu erreichen, wo sie viel wirkungsvoller zur Anwendung gelangt. Daraus folgt, daß es vorteilhaft jo ist, elektronisch aktive p-Ieitende Verbindungen zu verwenden, die transparent sind bei Wellenlängen, bei denen der Photoleiter hauptsächlich angeregt wird, und insbesondere bei dem Wellenlängenbereich, in dem der Photoleiter verwendet werden soll. Die elektronisch aktiven p-leitenden Verbindungen gemäß der Erfindung zeigen auch Transparenz und fehlende Absorption im Wellenlängenbereich von 400-800 ΐημ.The F i g. 3 and 4 are absorption spectra for PVC and PVP at wavelengths of 250-400 ηιμ. the end It is clear from these spectra that PVK and PVP show negligible discharge, if any, when exposed them to a wavelength of light useful in xerography, i.e. 400-800 ΐημ will. The obvious improvement in performance resulting from the use of the two-phase systems of this nature can best be realized when the active material is practically transparent to the radiation is in a range in which the photoconductor is to be used; because any absorption of desired radiation by the active material hinders that radiation, the photoconductive one To reach material where it is used much more effectively. It follows from this that it is advantageous jo is to use electronically active p-type compounds that are transparent at wavelengths at which the photoconductor is mainly excited, and especially in the wavelength range in which the Photoconductor should be used. The electronically active p-type compounds according to the invention also show transparency and lack of absorption in the wavelength range of 400-800 ΐημ.

Unter Bezug auf F i g. 5 zeigt die Bezugsziffer 10 eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung, die ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial in Form einer Platte mit einem Schichtträger 11 umfaßt, welcher mit einer Bindemittelschicht 12 überzogen ist. Der Schichtträger 11 enthält bevorzugt jedes geeignete leitfähige Material. Typische Leiter sind Aluminium, Stahl, Messing od. dgl. Er kann starr oder flexibel und von jeder geeigneten Stärke sein. Typische Träger sind flexible Bänder oder Hülsen, Bleche, Stege oder Netze, Platten, Zylinder und Trommeln. Der Träger kann auch eine zusammengesetzte Struktur aufweisen, wie z. B. eine dünne, leitfähige Beschichtung auf einer Papierunterlage; ein Kunststoff, beschichtet mit einer dünnen leitfähigen Schicht, wie z. B. Aluminium oder Kupferjodid; oder Glas, beschichtet mit einem dünnen leitfähigen Überzug aus Chrom oder Zinnoxid. Bei Verwendung y> eines transparenten Schichtträgers sollte es klar sein, daß bildweise Belichtung gegebenenfalls durch den Träger oder die rückwärtige Schicht des Aufzcichnungsnuiterials erfolgen kann.With reference to FIG. 5, the reference numeral 10 shows a preferred embodiment of the invention which comprises an electrophotographic recording material in the form of a plate with a layer support 11 which is coated with a binder layer 12. The support 11 preferably contains any suitable conductive material. Typical conductors are aluminum, steel, brass or the like. It can be rigid or flexible and of any suitable strength. Typical supports are flexible strips or sleeves, sheets, webs or nets, plates, cylinders and drums. The carrier can also have a composite structure, such as e.g. B. a thin, conductive coating on a paper backing; a plastic coated with a thin conductive layer, such as. B. aluminum or copper iodide; or glass coated with a thin conductive coating of chromium or tin oxide. When using> y a transparent film base, it should be appreciated that imagewise exposure can optionally be carried out through the support or the back layer of the Aufzcichnungsnuiterials.

Die Bindemittelschicht 12 enthält photoleitfähige bo Teilchen 13, die in nicht orientierter Anordnung in einem Bindermaterial Hdispergiert sind. Die photoleitfiihigen Teilchen können aus jedem geeigneten anorganischen oder organischen Photoleiter und deren Gemischen bestehen, die in der Lage sind, durch Licht b5 erzeugte Löcher in das Bindemittel einzuführen. Typische anorganische Materialien umfassen anorganische kristalline Verbindungen und anorganische photoleitfähige Gläser. Zu typischen anorganischen kristallinen Verbindungen gehören Cadmiumsulfoselenid, Cadmiumselenid, Cadmiumsulfid und deren Gemische. Anorganische photoleitfähige Gläser umfassen amorphes Selen und Selenlegierungen, wie z. B. Selen-Tellur und Selen-Arsen. Selen kann auch als kristalline Form verwendet werden, die als trigonales Selen bekannt ist. Typische organische Materialien umfassen Phthalocyaninpigmente, wie z. B. die X-Form metallfreien Phthalocyanin, beschrieben in der US-PS 33 57 989, Metall-Phthalocyanine, wie z.B. Kupfer-Phthalocyanin; Chinacridone (vgl. DT-OS 22 49 028); substituierte 2,4-Diaminotriazine der US-PS 34 45 227; Triphenodioxazine der US-PS 34 42 781; mehrkernige aromatische Chinone (vgl. DT-OS 22 49 028). Diese Zusammenstellung von Photoleitern ist in keiner Weise begrenzend, sondern veranschaulicht lediglich geeignete Materialien. Die Abmessungen der photoleitfähigen Teilchen ist nicht kritisch, aber Teilchen in einer Größe im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 1 μηι führen zu besonders befriedigenden Ergebnissen.The binder layer 12 contains photoconductive bo Particles 13 which are dispersed in a binder material H in a non-oriented arrangement. The photoconductive Particles can be made from any suitable inorganic or organic photoconductor and their Mixtures exist that are able to introduce holes generated by light b5 into the binder. Typical inorganic materials include inorganic crystalline compounds and inorganic photoconductive ones Glasses. Typical inorganic crystalline compounds include cadmium sulfoselenide, cadmium selenide, Cadmium sulfide and mixtures thereof. Inorganic photoconductive glasses include amorphous Selenium and selenium alloys, such as. B. selenium tellurium and selenium arsenic. Selenium can also be found in a crystalline form known as trigonal selenium can be used. Typical organic materials include phthalocyanine pigments, such as B. the X-form metal-free phthalocyanine, described in US-PS 33 57 989, metal phthalocyanines, such as copper phthalocyanine; Quinacridones (cf. DT-OS 22 49 028); substituted 2,4-diaminotriazines U.S. Patent 3,445,227; Triphenodioxazines, U.S. Patent 3,442,781; polynuclear aromatic quinones (see DT-OS 22 49 028). This arrangement of photoconductors is in no way limiting, but rather merely illustrates suitable materials. The dimensions of the photoconductive particles is not critical, but particles with a size in the range from about 0.1 to about 1 μm lead to particularly satisfactory Results.

Wie zuvor festgestellt, werden die Photoleiter gemäß der Erfindung in nicht orientierter Weise eingesetzt. Unter »nicht orientiert« ist zu verstehen, daß der Photoleiter isotrop hinsichtlich der anregenden elektromagnetischen Strahlung ist, insofern, als er gegenüber jeder Polarisierung der anregenden Strahlung gleich empfindlich ist.As previously stated, the photoconductors of the invention are used in a non-oriented manner. "Not oriented" means that the photoconductor is isotropic with respect to the exciting electromagnetic Radiation is, insofar as it is opposite to any polarization of the exciting radiation, the same is sensitive.

Das elektronisch aktive Bindemittel 14 kann aus 2-Phenylantracen, das die Einführung von durch Licht angeregten Fehlstellen aus dem photoleitfähigen Pigment unterstützt und den Transport dieser Fehlstellen durch die p-leitende Verbindung zur selektiven Entladung einer Oberflächenladung ermöglicht, bestehen. Außerdem sind Kondensations-, Additions- und andere Polymerisattypen von 2-Phenylnaphthalin, 2-Phenylantracen und 2-Phenylindol p-leitend und fallen in den Bereich der Erfindung.The electronically active binder 14 can be composed of 2-phenylantracene, which allows the introduction of light stimulated defects from the photoconductive pigment supported and the transport of these defects the p-conductive connection enables the selective discharge of a surface charge. In addition, condensation, addition and other types of polymers of 2-phenylnaphthalene, 2-phenylantracene and 2-phenylindole p-type and fall within the scope of the invention.

Wie oben angegeben, kann jedes Polymerisat, dessen sich wiederholende Einheit das geeignete, elektronisch aktive organische Monomere gemäß der Erfindung, d. h. 2-Phenylanthracen enthält, im Rahmen dieser Erfindung verwendet werden. Daher legt der Rahmen dieser Erfindung nicht die Art des Polymerisats fest, die als Bindemittel verwendet werden kann. Polyester, Polysiloxane, Polyamide, Polyurethane und Epoxide sowie Block-, Pfropf- oder statistische Copolymerisate (die die sich wiederholende aromatische Einheit enthalten) sind Beispiele für die verschiedenen Polymerisattypen, die eingesetzt werden können. Außerdem können geeignete Mischungen aktiver Polymerisate mit inaktiven Polymerisaten oder nichtpolymeren Materialien ebenfalls eingesetzt werden.As indicated above, each polymer, whose repeating unit is the appropriate, electronically active organic monomers according to the invention, d. H. Contains 2-phenylanthracene, within the scope of this invention be used. Therefore, the scope of this invention does not define the type of polymer as Binder can be used. Polyesters, polysiloxanes, polyamides, polyurethanes and epoxies as well Block, graft or random copolymers (which contain the repeating aromatic unit) are Examples of the different types of polymer that can be used. In addition, suitable Mixtures of active polymers with inactive polymers or non-polymer materials also can be used.

Im allgemeinen ist die aktive Schicht praktisch transparent oder absorbiert nicht in zumindest einem wesentlichen Teil des Bereichs von etwa 400—800 ΐημ, wirkt aber noch in der Weise, daß das Einführen und der Transport von Fehlstellen ermöglicht wird, die innerhalb dieses Wellenlängenbereichs durch die photoleitenden Teilchen erzeugt worden sind.In general, the active layer is practically transparent or does not absorb in at least one essential part of the range from about 400-800 ΐημ, but still acts in such a way that the introduction and transport of defects is made possible within this wavelength range have been generated by the photoconductive particles.

Eine obere Grenze der Volumenkonzentration oder -belegung an Photoleiter wird von verschiedenen Faktoren bestimmt; insbesondere (1) von der Stufe, bei der die physikalischen Eigenschaften des Polymerisats ernsthaft beeinträchtigt werden; (2) der Stufe, bei der ein erheblicher Transport durch Teilchen-an-Teilchen-Bcrührung eintritt; und (3) der Stufe, an der mit Photoleitern, wie z. B. trigonalem Selen, übermäßigeAn upper limit on the volume concentration or occupancy of photoconductors is determined by various Factors determined; in particular (1) from the stage at which the physical properties of the polymer be seriously affected; (2) the stage at which there is significant particle-to-particle transport entry; and (3) the stage at which photoconductors such. B. trigonal selenium, excessive

IiIi

Fehistellenabwanderung während des Ladens auftritt. Die beiden letzteren Faktoren führen häufig zu einem Ausbleiben der Fähigkeit zu erneutem Betrieb. Im allgemeinen darf die obere Grenze für den Photoleiter nicht über etwa 5 Vol.-°/o der Binderschicht liegen, um die beste Kombination von physikalischen und elektrischen Eigenschaften zu erzielen. Eine untere Grenze für die photoleitfähigen Teilchen von etwa 0,1 Vol.-% der Binderschicht ist nötig, um sicherzustellen, daß der Lichtabsorptionskoeffizient ausreicht, um eine beträchtliche Trägererzeugung zu ergeben. Um eine eng äquivalente Entladungsrate unter beiden Ladebedingungen zu erzielen, ist es notwendig, in einem Bereich der Volumenbelegung zu arbeiten, wo die Durchschnittstiefe der Lichtdurchdringung nahe dem Zentrum der Schicht liegt.Defect migration occurs during charging. The latter two factors often result in an inability to restart. in the in general, the upper limit for the photoconductor must not exceed about 5% by volume of the binder layer achieve the best combination of physical and electrical properties. A lower limit for the photoconductive particles of about 0.1 vol .-% of the binder layer is necessary to ensure that the Coefficient of light absorption sufficient to result in significant carrier generation. To a tight To achieve an equivalent discharge rate under both charging conditions, it is necessary in one area the volume occupancy to work where the average depth of light penetration near the center the layer lies.

Eine vollständige Erläuterung der Ladungseigenschaften eines aktiven Aufzeichnungsmaterials bezüglich der Volumenkonzentration ist in der BE-PS 7 63 541 offenbart, deren Inhalt deshalb bezugsweise hier einzubeziehen ist.A complete explanation of the charging properties of an active recording material with respect to the volume concentration is in BE-PS 7 63 541 the content of which is therefore to be included here in some respects.

Wie in der BE-PS 7 63 541 offenbart ist, ist ein kritischer Bereich von etwa 0,1 bis 5 Vol.-%, vorzugsweise 0,1 bis 1 Vol.-%, des Photoleiters erforderlich, um die Vorteile der elektronisch aktiven p-leitenden Verbindungen gemäß der Erfindung zu erzielen.As disclosed in BE-PS 7 63 541 is a critical range of about 0.1 to 5 vol .-%, preferably 0.1 to 1 vol .-%, of the photoconductor required in order to take advantage of the electronically active To achieve p-type connections according to the invention.

Die Stärke der Binderschicht ist nicht besonders kritisch. Schichtdicken von etwa 2 bis etwa 100 μΐη haben sich als zufriedenstellend erwiesen, wobei eine bevorzugte Stärke von etwa 5 bis etwa 50 um zu besonders guten Ergebnissen führt.The strength of the binder course is not particularly critical. Layer thicknesses from about 2 to about 100 μm have been found to be satisfactory, with a preferred thickness of about 5 to about 50 µm leads to particularly good results.

Unter Bezug auf Fig.6 bezeichnet die Bezugsziffer 10 ein Aufzeichnungsmaterial in Form einer Platte mit einem Schichtträger 11 und einer Binderschicht 12 hierauf sowie einer aktiven Schicht 15 aus einer p-leitenden Verbindung über der Binderschicht 12. Das Substrat 11 besteht bevorzugt aus jedem geeigneten leitfähigen Material, wie z. B. die, die für das Substrat der F i g. 5 genannt wurden.With reference to Figure 6, the reference numeral denotes 10 a recording material in the form of a plate with a layer support 11 and a binder layer 12 thereupon as well as an active layer 15 made of a p-conductive compound over the binder layer 12. Das Substrate 11 is preferably made of any suitable conductive material, such as. B. those necessary for the substrate the F i g. 5 were named.

Die Binderschicht 12 enthält photoleitfähige Teilchen 13, die ohne Orientierung in einem Binder 14 statistisch verteilt sind. Die photoleitfähigen Teilchen können aus jedem geeigneten anorganischen oder organischen Photoleiter und deren Gemischen bestehen. Geeignete photoleitfähige Materialien umfassen die, die oben für die Struktur von F i g. 5 genannt wurden.The binder layer 12 contains photoconductive particles 13 that are randomly unoriented in a binder 14 are distributed. The photoconductive particles can be made from any suitable inorganic or organic Photoconductors and their mixtures exist. Suitable photoconductive materials include those described above for the structure of FIG. 5 were named.

Das Bindemittel 14 kann jedes elektrisch isolierende Harz umfassen, wie z. B. die, die in der vorgenannten US-PS 31 21 006 offenbart wurden, oder jede p-leitende organische Verbindung, die die gleiche oder eine andere als die für die Schicht 15 verwendete sein kann. Wird ein elektrisch inaktives oder isolierendes Harz verwendet, ist es wesentlich, daß zwischen den photoleitfähigen Teilchen Teilchen-an-Teilchen-Kontakt besteht. Dies erfordert das Vorliegen des photoleitfähigen Materials in einer Menge von wenigstens etwa 25 Vol.-% der Binderschicht ohne Begrenzung der Maximalmenge des Photoleiters in der Binderschicht. Wenn das Bindemittel elektronisch aktives Material umfaßt, muß das photoleitfähige Material nur etwa 1 Vol.-% oder weniger der Binderschicht ohne Begrenzung der Maximalmenge des Photoleiters in der Binderschicht umfassen. Die Stärke der photoleitfähigen Schicht ist nicht kritisch. Schichtdicken von etwa 0,05 bis 20μηι haben sich als zufriedenstellend erwiesen, wobei eine bevorzugte Stärke von etwa 0,2 bis 5 μιη zu guten Ergebnissen führt.The binder 14 may comprise any electrically insulating resin, such as. B. those in the aforementioned US Pat. No. 3,121,006, or any p-type organic compound that is the same or a different than that used for layer 15. If an electrically inactive or insulating resin is used, it is essential that there be particle-to-particle contact between the photoconductive particles. this requires the photoconductive material to be present in an amount of at least about 25 percent by volume of the Binder layer without limitation on the maximum amount of photoconductor in the binder layer. When the binder comprises electronically active material, the photoconductive material need only be about 1% by volume or less of the Include binder layer without limiting the maximum amount of photoconductor in the binder layer. The strenght the photoconductive layer is not critical. Layer thicknesses of about 0.05 to 20μηι have proven to be proved to be satisfactory, with a preferred thickness of about 0.2 to 5 μm leading to good results.

Die p-leitendc Schicht 15 enthält z. B. den elektronisch aktiven Stoff 2-Phenylanthracen. Dieser Stoff ist in der Lage, die Einführung von durch Licht angeregten Fehlstellen aus der photoleitfähigen Schicht zu unterstützen und den Transport dieser Fehlstellen durch dieThe p-conductive layer 15 contains e.g. B. the electronically active substance 2-phenylanthracene. This substance is able to initiate the introduction of light excited To support voids from the photoconductive layer and the transport of these voids through the

5 organische Schicht zur selektiven Entladung einer Oberflächenladung zu ermöglichen.5 organic layer to enable selective discharge of a surface charge.

Die aktive p-leitende Schicht dient nicht nur zum Transport von Löchern, sondern schützt auch die photoleitfähige Schicht vor Abrieb oder chemischem Angriff und erweitert daher die betriebliche Lebensdauer des Aufzeichnungsmaterials.The active p-type layer not only serves to transport holes, but also protects them photoconductive layer against abrasion or chemical attack and therefore extends the service life of the recording material.

Im allgemeinen sollte die Stärke der p-leitenden Schicht etwa 5 bis 100 μιη sein, aber auch Stärken außerhalb dieses Bereichs können verwendet werden.In general, the thickness of the p-conductive layer should be about 5 to 100 μm, but also thicknesses outside this range can be used.

Das Verhältnis der Dicke der p-leitenden Schicht zur Photoleiterschicht sollte zwischen etwa 2:1 bis 200 : 1 gehalten werden.The ratio of the thickness of the p-type layer to the photoconductor layer should be between about 2: 1 to 200: 1 being held.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird die Struktur der Fig. 6 modifiziert, um sicherzustellen, daß die photoleitfähigen Teilchen in Form kontinuierlicher Ketten durch die Stärke der Binderschicht 12 vorliegen. Diese Ausführungsform ist in Fig. 7 dargestellt, bei der die Grundstruktur und -materialien die gleichen sind wie in Fig.6, außer, daß die photoleitfähigen Teilchen 13 in Form kontinuierlicher Ketten vorliegen.In a further embodiment of the invention, the structure of FIG. 6 is modified to ensure that the photoconductive particles are in the form of continuous chains through the thickness of the binder layer 12 exist. This embodiment is shown in Fig. 7, in which the basic structure and -Materials are the same as in Fig.6 except that the photoconductive particles 13 are in the form of continuous chains.

Andererseits kann die photc'.eitfähige Schicht ganz aus dem praktisch homogenen, nicht orientierten, photoleitfähigen Material bestehen, wie z. B. einerOn the other hand, the photoconductive layer can consist entirely of the practically homogeneous, non-oriented, consist of photoconductive material, such as. B. one

JO Schicht aus amorphem Selen oder Selenlegierung, oder einer pulverförmigen oder gesinterten photoleitfähigen Schicht, wie z. B. Cadmiumsulfoseienid oder Phthalocyanin. Diese Abwandlung ist in F i g. 8 veranschaulicht, wobei ein Aufzeichnungsmaterial 30 einen Schichtträ-JO layer of amorphous selenium or selenium alloy, or a powdery or sintered photoconductive layer, such as. B. cadmium sulfoseienide or phthalocyanine. This modification is shown in FIG. 8 illustrates, wherein a recording material 30 has a substrate

J5 ger 11 mit einer homogenen photoleitfähigen Schicht 16 und einer darüberliegenden aktiven p-leitenden organischen Schicht 15 umfaßt.J5 ger 11 with a homogeneous photoconductive layer 16 and an overlying p-type organic active layer 15.

Eine weitere Abwandlung der in den F i g. 5,6, 7 und 8 beschriebenen Binder und Schichtenkonfigurationen schließt die Verwendung einer Sperrschicht 17 an der Schichtträger-Photoleiter-Zwischenfläche ein. Diese Anordnung wird durch das Aufzeichnungsmaterial 40 in Fig. 9 veranschaulicht, in welcher der Schichtträger 11 und die photoleitfähige Schicht 16 durch eine Sperrschicht 17 getrennt sind. Die Sperrschicht funktioniert so, daß die Einführung von Ladungsträgern aus dem Schichtträger in die photoleitfähige Schicht verhindert wird. Jedes geeignete Sperrmaterial kann verwendet werden. Typische Stoffe sind Nylon, Epoxid und Aluminiumoxid.Another modification of the FIGS. 5,6, 7 and 8 binder and layer configurations described includes the use of a barrier layer 17 on the Substrate-photoconductor interface. This arrangement is illustrated by the recording material 40 in FIG Fig. 9 illustrates in which the support 11 and the photoconductive layer 16 are covered by a barrier layer 17 are separated. The barrier works so that the introduction of charge carriers from the Support in the photoconductive layer is prevented. Any suitable barrier material can be used will. Typical fabrics are nylon, epoxy, and aluminum oxide.

Wie oben ausgeführt, ist der Photoleiter, gleich, ob in der Form eines Pigments oder als homogene Schicht, in nicht orientierter Form angewandt. Unter nicht orientiert ist zu verstehen, daß der Photoleiter oder die photoleitfähige Schicht isotrop bezüglich der anregenden elektromagnetischen Strahlung ist, d. h., sie ist gleich empfindlich gegenüber jeder Polarisation der anregenden Strahlung.
Im allgemeinen machen die Binder- und Schichtstruk-
As stated above, the photoconductor, whether in the form of a pigment or as a homogeneous layer, is applied in a non-oriented form. Not oriented is to be understood as meaning that the photoconductor or the photoconductive layer is isotropic with respect to the exciting electromagnetic radiation, ie it is equally sensitive to any polarization of the exciting radiation.
In general, the binder and layer structure

M) türen der Erfindung es erforderlich, daß der Photoleitcr zu den p-leitenden Verbindungen gemäß der Erfindung so ausgewählt oder passend zusammengestellt wird, daß Ladungen durch Strahlung erzeugt werden, für die die p-leitenden Verbindungen transparent oder nichtM) doors of the invention it is necessary that the photoconductor to the p-conductive connections according to the invention is selected or put together appropriately that Charges are generated by radiation for which the p-type connections are transparent or not

b5 absorbierend sind. Dieser Bereich entspricht einem Wellenlängenbereich von etwa 400 bis etwa 800 ηιμ, was den bevorzugten Bereich für xerogiaphischc Anwendung darstellt. Zudem sollte ein Photoleiter auchb5 are absorbent. This area corresponds to a Wavelength range from about 400 to about 800 ηιμ, which is the preferred range for xerogiaphischc Application represents. In addition, a photoconductor should also

alle Wellenlängen von 400 bis 800 ΐημ ansprechen, wenn panchromatische Anregung gefordert wird. Alle photoleitfähigaktiven Matermlkombinationen gemäß der Erfindung führen zu ier Injektion und zum nachfolgenden Transport von Löchern durch die physikalische Zwischenfläche zwischen dem Photoleiter und der p-leitenden Verbindung.address all wavelengths from 400 to 800 ΐημ, if panchromatic stimulation is required. All photoconductive active Material combinations according to the invention lead to one injection and the subsequent one Transport of holes through the physical interface between the photoconductor and the p-type connection.

Ohne die Erfindung darauf festzulegen, wird nachfolgend eine Theorie erörtert, um die elektronisch aktiven Eigenschaften der erfindungsgemäßen Stoffe zu erklären. Es wurde festgestellt, daß Pyren, Tetracen, 1,2-Benzanthracen und 3,4-Benzcarbazol elektronisch aktiv sind, und das wichtige Kriterium hierfür ist das Ausmaß der π-Elektronendelokalisierung.Without limiting the invention to it, a theory is discussed below in relation to the electronically active Explain properties of the substances according to the invention. It was found that pyrene, tetracene, 1,2-Benzanthracene and 3,4-Benzcarbazole are electronically active, and the important criterion for this is that Extent of π-electron delocalization.

TeiracenTeiracen

1,2-Benzanthracen1,2-benzanthracene

Das Ausmaß der Elektronendelokalisierung ist durch Einführung eines benzoiden Sextetts in Tetracen und zwei in 1,2-Penzanthracen dargestellt (E. Cl ar, »Polycyclic Hydrocarbons«, Academic Press, 1964, New York). Pfeile sind eingezeichnet, um die Bewegung des Sextetts über die Ringe der Verbindung anzudeuten. Diese Sextetts bestehen aus drei beweglichen jr-Elektronenpaaren, von denen zwei auf die einzelnen Ringe festgelegt sind, während sich das restliche Paar frei über das System bewegen kann. In dem Maße, wie das Ringsystem, über das sich dieses dritte Paar bewegt, größer wird, steigt die π- Elektrodendelokalisierung. Anders ausgedrückt: die π-Elektronen sind von der positiven Kernladung weniger abgeschirmt als in einem kleineren Ringsystem, dessen Grenze Benzol ist.The extent of electron delocalization is shown by the introduction of a benzenoid sextet in tetracene and two in 1,2-penzanthracene (E. Cl ar, "Polycyclic Hydrocarbons", Academic Press, 1964, New York). Arrows are drawn to indicate the movement of the sextet over the rings of connection. These sextets consist of three movable jr electron pairs, two of which are fixed to the individual rings, while the rest of the pair can move freely across the system. As the ring system over which this third pair moves becomes larger, the π- electrode delocalization increases. In other words: the π electrons are less shielded from the positive nuclear charge than in a smaller ring system, the limit of which is benzene.

In 1,2-Benzanthracen sind zwei Sextetts, die beide in der Lage sind, ein bewegliches Elektronenpaar dem zentralen Ring des Ringsystems zuzusteuern. Das führt zu einem induzierten Sextett in dem Ring. Die Doppelbindung in 3,4-Stellung ist mehr oder weniger formal, da durch die Reaktion an diesen Positionen entwickelt. Spektren zeigen, daß die Delokalisierung stattfindet, selbst wenn die -CH = CH-Gruppe entfernt wird. Das heißt, 2-Phenylnaphthalin hat ein ähnliches elektronisches Spektrum wie 1,2-Benzanthracen. Insbesondere wird angenommen, daß die p-Orbitale der Phenylgruppe mit denen des substituierten Moleküls aufgrund der Coplanarität der Ringe in Wechselwirkung treten. Die Elektronen können sich über die gesamte Ebene des Moleküls verschieben. Daher ist bei einem Vergleich von 2-PhenylnaphthalinIn 1,2-benzanthracene there are two sextets, both of which are capable of a moving electron pair to control the central ring of the ring system. This leads to an induced sextet in the ring. the The double bond in the 3,4-position is more or less formal, as it is caused by the reaction at these positions developed. Spectra show that delocalization occurs even when the -CH = CH- group is removed will. That is, 2-phenylnaphthalene has a similar one electronic spectrum such as 1,2-benzanthracene. In particular, it is assumed that the p orbitals of the Phenyl group interacts with those of the substituted molecule due to the coplanarity of the rings step. The electrons can move across the entire plane of the molecule. Therefore is at a comparison of 2-phenylnaphthalene

vität vorauszusagen. Das gleiche gilt für 1,2-Benztetracen und 2-Phenylanthracen.predict vity. The same applies to 1,2-benzetracene and 2-phenylanthracene.

Zu einem ähnlichen Bild gelangt man, wenn man Carbazol betrachtet. Das heißt, ein benzoider Ring an einer Winkelstellung wird die Delokalisierung des ganzen aromatischen Systems steigern. Betrachtet man die StrukturenA similar picture emerges when one looks at carbazole. That is, a benzoid ring on an angular position will increase the delocalization of the whole aromatic system. If you look at the structures

3,4-Benzcarbazol3,4-benzcarbazole

undand

3-Phenylindol3-phenylindole

so zeigt sich, daß in beiden Molekülen der abgewinkelte Ring jr-Elektronen dem Carbazolsystem zusteuert. ManThus it is shown that the bent ring jr electrons in both molecules steer towards the carbazole system. Man

könnte erwarten, daß, selbst wenn die Kohlenstoffatojo me in 1,2- oder 3,4-Stellung der entsprechenden Benzcarbazole eliminiert würden, dieser Beitrag nochcould expect that even if the carbonatojo me would be eliminated in the 1,2- or 3,4-position of the corresponding benzocarbazoles, this contribution

vorhanden wäre.
Aufgrund dieser Überlegungen ließe sich erklären
would exist.
On the basis of these considerations, one could explain

daß die sich ergebenden Verbindungen 3-Phenyl- und 2-Phenylindol, gegenüber dem Indol selbst, überlegenenthat the resulting compounds were superior to 3-phenyl- and 2-phenylindole over the indole itself

Transport und Übertragung entwickeln.Develop transportation and transmission.

2-Phenylindol2-phenylindole

Zwei weitere Verbindungen, bei denen der Stickstofl des Carbazole durch Sauerstoff oder Schwefel ersetzi ist, d. h. Dibenzo[bd]furan und Dibenzo[bd]thiophen können als aktive Stoffe betrachtet werden. Die interessanten, phenylsubstituierten Verbindungen sind:Two other compounds in which the nitrogen of the carbazole is replaced by oxygen or sulfur is, d. H. Dibenzo [bd] furan and dibenzo [bd] thiophene can be considered as active substances. the interesting, phenyl-substituted compounds are:

-•o-•O

mit Benzanthracen, oben, eine ähnliche Elektronenakti-3-Phenylbenzo[b]furan with benzanthracene, above, a similar electron acti-3-phenylbenzo [b] furan

1515th

2-Phenylbenzo[b]furan2-phenylbenzo [b] furan

/\ O/ \ O

3-Phenylbenzo(b)thiophen3-phenylbenzo (b) thiophene

2-Phenylbenzo[b]thiophen2-phenylbenzo [b] thiophene

Beispiele für weitere Verbindungen, die üieses Erfordernis erfüllen, sind nachfolgend zusammen mit der Stammverbindung wiedergegeben, von der sich die 15 phenylsubstituierte Verbindung ableitet.Examples of other compounds that meet this requirement are given below along with of the parent compound from which the phenyl-substituted compound is derived.

Stammverbindung·)Trunk connection Abgeleitete VerbindungDerived connection

1 - Phenylphenanthren1 - phenylphenanthrene

1,2-Benztetracen1,2-benzetracene

2-Phenylanthracen2-phenylanthracene

1,2-Benzopentaren1,2-benzopentarene

2-Phenyl tetracen2-phenyl tetracene

Fortsetzungcontinuation

Stammverbindung*)Trunk connection *) Abgeleitete VerbindungDerived connection

Naphtho-(2',1 -3,4)-pyrenNaphtho- (2 ', 1-3,4) pyrene

2-Phenylpyren2-phenylpyrene

Naphtho-(1 ',2'-2,3)-fluoranthenNaphtho- (1 ', 2'-2,3) fluoranthene

Naphtho-(2', 1-2,3 )-fluoranthenNaphtho (2 ', 1-2,3) fluoranthene

2-Phenylfluoranthen2-phenyl fluoranthene

H I OH I O

Naphtho-(1 ',2-3,4)-carbazolNaphtho- (1 ', 2-3,4) carbazole

H I OH I O

\
3-Phenylcarbazo!
\
3-phenylcarbazo!

Naphtho-(2', 1 -3,4)-carbazoI 4- PhenylcarbazolNaphtho- (2 ', 1 -3,4) -carbazoI 4-phenylcarbazole

*) Die —CH=CH-Gruppe, die in jeder Verbindung eliminiert wird, ist eingekreist.*) The —CH = CH group, which is eliminated in every compound, is circled.

Die Erfindung umfaßt ferner gleichwertige Strukturen, in denen N ersetzt iat durch S oder O. Die Wirksamkeit dieser Stoffe ist abhängig von der aromatischen Struktur des Moleküls und daher können funktionell Gruppen als Substituenten, wie z. B. Alkyl, Amino, Nitro usw., die die Chemie der Herstellung erleichtern oder vorteilhaft zu den mechanischen Eigenschaften der Polymerisate beitragen, die diese als sich wiederholende Einheiten enthalten, in die Phenylaromaten ohne Verlust an Aktivität eingeführt werden.The invention also encompasses equivalent structures in which N is replaced by S or O. The Effectiveness of these substances depends on the aromatic structure of the molecule and therefore can functional groups as substituents, such as. B. alkyl, amino, nitro, etc. affecting the chemistry of manufacture facilitate or contribute advantageously to the mechanical properties of the polymers that these as contain repeating units into which phenyl aromatics are introduced without loss of activity.

Die Klasse der Verbindungen und unter Verwendung von diesen hergestellte Polymerisate als Teil der sich wiederholenden Einheit kann wie folgt beschrieben werden: ein aromatisches System einschließlich Heterocyclen und solcher mit funktionellen Gruppen ah Substituenten, bei dem bzw. denen die π-Elektronendelokalisierung durch Phenylsubstitution erhöht ist. Die Stellung der Phenylgruppe kann beschrieben werden als durch Eliminieren von zwei Kohlenstoffatomen und der festgelegten Doppelbindung im Winkel des HauptringsThe class of compounds and polymers made using them as part of the themselves repeating unit can be described as follows: an aromatic system including heterocycles and those with functional groups ah substituents in which the π-electron delocalization is increased by phenyl substitution. The position of the phenyl group can be described as by eliminating two carbon atoms and the fixed double bond in the angle of the main ring

ius dem aromatischen Kohlenwasserstoff, der einen Ring mehr besitzt als die substituierte Verbindung, gebildet. Zum Beispiel führt im 1,2-Benzanthracen die Eliminierung der zwei Kohlenstoffe und der fixierten Doppelbindung, die einem Olefin entsprechende Reaktivität zeigt, zu dem aktiven Molekül 2-Phenylnaphthalin.ius the aromatic hydrocarbon which has one more ring than the substituted compound, educated. For example, in 1,2-benzanthracene, the Elimination of the two carbons and the fixed double bond, the reactivity corresponding to an olefin shows the active molecule 2-phenylnaphthalene.

1010

Wird ein transparenter Schichtträger, wie etwa eine Cunststoffbeschichtung mit einer dünnen leitfähigenIf a transparent substrate, such as a plastic coating with a thin conductive layer

Beschichtung von Aluminium oder Zinnoxid verwendet, kann die Struktur durch Belichten durch den Schichtträger in ein Bild überführt werden. Zudem kann, wenn gewünscht, ein elektrisch isolierender Schichtträger verwendet werden. In diesem Falle kann die Ladung auf das Aufzeichnungsmaterial durch doppelte Koronaaufladung aufgebracht werden, wie sie auf dem Gebiet üblich ist. Weitere Abwandlungen unter Verwendung eines isolierenden Schichtträgers oder überhaupt ohne Schichtträger umfassen das Aufbringen des Aufzeichnungsmaterials auf eine leitfähige Unterlage oder Platte und das Aufladen der Oberfläche während der Berührung mit der Unterlage. Nach dem Abbildungsvorgang kann das Abbildungsmittel von der leitfähigen Unterlage abgenommen werden.Coating of aluminum or tin oxide can be used, the structure can be exposed through the substrate be converted into an image. In addition, if desired, an electrically insulating layer support can be used be used. In this case, the charge on the recording material can be charged by double corona charging can be applied as is customary in the field. Further modifications using an insulating layer support or no layer support at all comprise the application of the recording material on a conductive pad or plate and the charging of the surface during the Contact with the surface. After the imaging process, the imaging agent can be removed from the conductive Underlay to be removed.

Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings

Claims (5)

Patentansprüche:Patent claims: 1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Schicht aus einer p-leitenden organischen Verbindung, einer photoleitfähigen Schicht mit einem p-Photoleiter und gegebenenfalls einem Schichtträger, dadurch gekennzeichnet, daß es als p-leitende organische Verbindung 2-Phenylanthracen, eine polymere Verbindung mit 2-Phenylnaphthalin-, 2-Phenylanthracen- oder 2-Phenylindol-Einheiten, 3-Phenylindol, 3-Phenylbenzo(b)furan, 2-Phenylbenzo(b)furan, 3-Phenyl(b)thicphen, 3-Phenylbenzo(b)thiophen, 2-Phenylbenzo(b)thiophen, 1-Phenylphenanthren, 2-Phenyltetracen, 1-Phenylpyren, 2-Phenylpyren, 1-Phenylfluoranthen, 2-PhenylfIuoranthen, 3-?henylcarbazol und/oder 4-Phenylcarbazol enthält.1. Electrophotographic recording material with a layer of a p-conducting organic compound, a photoconductive one Layer with a p-photoconductor and optionally a layer carrier, characterized in that that it is a p-type organic compound with 2-phenylanthracene, a polymeric compound 2-phenylnaphthalene, 2-phenylanthracene or 2-phenylindole units, 3-phenylindole, 3-phenylbenzo (b) furan, 2-phenylbenzo (b) furan, 3-phenyl (b) thicphen, 3-phenylbenzo (b) thiophene, 2-phenylbenzo (b) thiophene, 1-phenylphenanthrene, 2-phenyltetracene, 1-phenylpyrene, 2-phenylpyrene, 1-phenylfluoranthene, Contains 2-phenyl fluoranthene, 3-phenylcarbazole and / or 4-phenylcarbazole. 2. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Photoleiter-Bindemittel-Schicht, die einen p-Photoleiter und ein p-leitendes Bindemittel enthält, und gegebenenfalls einem Schichtträger, dadurch gekennzeichnet, daß die Photoleiter-Bindemittel-Schicht als p-leitendes Bindemittel 2-Phenylanthracen, eine polymere Verbindung mit 2-Phenylnaphthalin-, 2-Phenylanthracen- oder 2-Phenylindol-Einheiten, 3-Phenylindol, 3-Phenylbenzo(b)furan, 2-Phenylbenzo(b)furan, 3-Phenyl(b)thiophen, 3-Phenylbenzo(b)thiophen, 2-Phenylbenzo(b)thiophen, 1-Phenylphenanthren, 2-Phenyltetracen, 1-Phenyl- jo pyren, 2-Phenylpyren, 1-Phenylfluoranthen, 2-Phenylfluoranthen, 3-Phenylcarbazol und/oder 4-Phenylcarbazol enthält.2. Electrophotographic recording material with a photoconductor-binder layer comprising a p-type photoconductor and a p-type binder contains, and optionally a support, characterized in that the photoconductor-binder layer as p-conductive binder 2-phenylanthracene, a polymeric compound with 2-phenylnaphthalene, 2-phenylanthracene or 2-phenylindole units, 3-phenylindole, 3-phenylbenzo (b) furan, 2-phenylbenzo (b) furan, 3-phenyl (b) thiophene, 3-phenylbenzo (b) thiophene, 2-phenylbenzo (b) thiophene, 1-phenylphenanthrene, 2-phenyltetracene, 1-phenyl-jo pyrene, 2-phenylpyrene, 1-phenylfluoranthene, 2-phenylfluoranthene, Contains 3-phenylcarbazole and / or 4-phenylcarbazole. 3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch I oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die photoleitfähige Schicht bzw. die Photoleiter-Bindemittel-Schciht als p-Photoleiter glasförmiges Selen, eine glasförmige Selenlegierung, trigonales Selen, CdSSe und/oder die X-Form von metallfreiem Phthalocyanin enthält.3. Recording material according to claim I or 2, characterized in that the photoconductive Layer or the photoconductor-binder-Schciht as p-photoconductor vitreous selenium, a vitreous Contains selenium alloy, trigonal selenium, CdSSe and / or the X-form of metal-free phthalocyanine. 4. Elektrophotographisches Verfahren zur Herstellung eines Ladungsbildes, bei dem 21η elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer transparenten Deckschicht, einer photoleitfähigen Schicht und gegebenenfalls einem Schichtträger negativ aufgeladen und dann bildmäßig mit einer Strahlung, die durch die Deckschicht hindurchgeht und die in der photoleitfähigen Schicht absorbiert wird, belichtet wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 verwendet wird.4. Electrophotographic process for the production of a charge image in which 21η is electrophotographic Recording material with a transparent cover layer, a photoconductive one Layer and optionally a layer support negatively charged and then imagewise with a Radiation which passes through the cover layer and which is absorbed in the photoconductive layer is, is exposed, characterized in that a recording material according to claim 1 is used will. 5. Elektrophotographisches Verfahren zur Herstellung eines Ladungsbildes, bei dem ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Photoleiter-Bindemittei-Schicht und gegebenenfalls einem Schichtträger negativ aufgeladen und dann bildmäßig mit einer Strahlung, die von den Photoleiterteilchen absorbiert und von dem Bindemittel nicht absorbiert wird, belichtet wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 2 verwendet wird.5. Electrophotographic process for the production of a charge image, in which an electrophotographic Recording material with a photoconductor-binder layer and optionally negatively charged a layer support and then imagewise with radiation emitted by the Photoconductor particles absorbed and not absorbed by the binder, is exposed, thereby characterized in that a recording material according to claim 2 is used.
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