DE2247006A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
HalbleiterbauelementInfo
- Publication number
- DE2247006A1 DE2247006A1 DE19722247006 DE2247006A DE2247006A1 DE 2247006 A1 DE2247006 A1 DE 2247006A1 DE 19722247006 DE19722247006 DE 19722247006 DE 2247006 A DE2247006 A DE 2247006A DE 2247006 A1 DE2247006 A1 DE 2247006A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- zone
- highly
- control electrode
- semiconductor component
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1302972A CH549286A (de) | 1972-09-06 | 1972-09-06 | Halbleiterbauelement. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2247006A1 true DE2247006A1 (de) | 1974-05-09 |
Family
ID=4388662
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722247006 Withdrawn DE2247006A1 (de) | 1972-09-06 | 1972-09-25 | Halbleiterbauelement |
DE19727235267U Expired DE7235267U (de) | 1972-09-06 | 1972-09-25 | Halbleiterbauelement |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19727235267U Expired DE7235267U (de) | 1972-09-06 | 1972-09-25 | Halbleiterbauelement |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4966080A (enrdf_load_stackoverflow) |
CH (1) | CH549286A (enrdf_load_stackoverflow) |
DE (2) | DE2247006A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
FR (1) | FR2198265B3 (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4053921A (en) * | 1974-12-03 | 1977-10-11 | Bbc Brown Boveri & Company Limited | Semiconductor component having emitter short circuits |
US4142201A (en) * | 1976-06-02 | 1979-02-27 | Bbc Brown, Boveri & Company | Light-controlled thyristor with anode-base surface firing |
EP0007099A1 (de) * | 1978-07-13 | 1980-01-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Thyristor mit Amplifying Gate und Verfahren zur Herstellung |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4292646A (en) * | 1977-01-07 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Semiconductor thyristor device having integral ballast means |
JPS5887869A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Nec Corp | サイリスタ |
JPS60143670A (ja) * | 1984-07-28 | 1985-07-29 | Mitsubishi Electric Corp | サイリスタ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501990B1 (enrdf_load_stackoverflow) * | 1970-06-02 | 1975-01-22 |
-
1972
- 1972-09-06 CH CH1302972A patent/CH549286A/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-09-25 DE DE19722247006 patent/DE2247006A1/de not_active Withdrawn
- 1972-09-25 DE DE19727235267U patent/DE7235267U/de not_active Expired
-
1973
- 1973-08-01 FR FR7328191A patent/FR2198265B3/fr not_active Expired
- 1973-08-13 JP JP48090802A patent/JPS4966080A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4053921A (en) * | 1974-12-03 | 1977-10-11 | Bbc Brown Boveri & Company Limited | Semiconductor component having emitter short circuits |
US4142201A (en) * | 1976-06-02 | 1979-02-27 | Bbc Brown, Boveri & Company | Light-controlled thyristor with anode-base surface firing |
EP0007099A1 (de) * | 1978-07-13 | 1980-01-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-GmbH | Thyristor mit Amplifying Gate und Verfahren zur Herstellung |
US4500901A (en) * | 1978-07-13 | 1985-02-19 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Thyristor having n+ - main and auxiliary emitters and a p+ ring forming a p+ n+ junction with the main emitter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH549286A (de) | 1974-05-15 |
FR2198265A1 (enrdf_load_stackoverflow) | 1974-03-29 |
DE7235267U (de) | 1974-08-14 |
JPS4966080A (enrdf_load_stackoverflow) | 1974-06-26 |
FR2198265B3 (enrdf_load_stackoverflow) | 1976-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0043009B1 (de) | Steuerbarer Halbleiterschalter | |
DE1154872B (de) | Halbleiterbauelement mit einem mindestens drei pn-UEbergaenge aufweisenden Halbleiterkoerper | |
EP0106059B1 (de) | Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren Thyristor | |
DE1238574B (de) | Steuerbares und schaltbares Halbleiterbauelement | |
DE2437428A1 (de) | Schutzschaltung | |
DE3411020C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
DE2945380C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
EP0030274B1 (de) | Thyristor mit steuerbaren Emitter-Kurzschlüssen und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE2234973A1 (de) | Mis-halbleitervorrichtung | |
DE1464983C2 (de) | in zwei Richtungen schaltbares und steuerbares Halbleiterbauelement | |
DE2211116A1 (de) | Steuerbares halbleiterbauelement mit vier schichten abwechselnd entgegengesetzten leitfaehigkeitstyps | |
DE1228343B (de) | Steuerbare Halbleiterdiode mit stellenweise negativer Strom-Spannungs-Kennlinie | |
DE2628273A1 (de) | Halbleiterbauteil | |
DE2247006A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE3112942A1 (de) | Thyristor und verfahren zu seinem betrieb | |
DE1123402B (de) | Halbleiterdiode mit mehreren PN-UEbergaengen | |
DE3118365A1 (de) | Thyristor mit in den emitter eingefuegten steuerbaren emitter-kurzschlusspfaden | |
DE2458735C2 (de) | Transistor mit einem hohen Stromverstärkungsfaktor bei kleinen Kollektorströmen | |
DE3112941A1 (de) | Thyristor mit innerer stromverstaerkung und verfahren zu seinem betrieb | |
DE3112940A1 (de) | Thyristor mit anschaltbarer innerer stromverstaerkerung und verfahren zu seinem betrieb | |
DE1295695B (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement mit vier aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps | |
DE2733060C2 (de) | Abschaltbarer Thyristor | |
EP0065173B1 (de) | Thyristor mit verbessertem Schaltverhalten | |
DE1919406C3 (de) | Feldeffekttransistor und seine Verwendung in einer Schaltungsanordnung für einen Miller-Integrator | |
DE2945391A1 (de) | Thyristor mit einem abschaltbaren emitter-kurzschluss |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8130 | Withdrawal |