DE2239284A1 - Verfahren zur steuerung der bestrahlung einer probenoberflaeche - Google Patents
Verfahren zur steuerung der bestrahlung einer probenoberflaecheInfo
- Publication number
- DE2239284A1 DE2239284A1 DE19722239284 DE2239284A DE2239284A1 DE 2239284 A1 DE2239284 A1 DE 2239284A1 DE 19722239284 DE19722239284 DE 19722239284 DE 2239284 A DE2239284 A DE 2239284A DE 2239284 A1 DE2239284 A1 DE 2239284A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- sample
- irradiation
- ion beam
- ion
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
Patentanwalt
Dipl.-Ing. Walter Jaeklsch
Dipl.-Ing. Walter Jaeklsch
7 Stuttgart N. Menzelstraße40
Western Electric Company ( A 33 107 - de )
Incorporated ■ Den - Aug. 1972.
New York, N.Y. 10007
Verfahren zur Steuerung der Beffroi
strahlung Probenoberfläche
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Steuerung der Bestrahlung
einer Probe in einem hochenergetischen Ionenstrahl eines Ionenbeschleunigers, speziell . ein,' .' Verfahren zur ·
Positionierung der bestrahlten Probe in bezug auf den Ionenstrahl,
Bei bekannten Ionenbeschleunigern wird der Ionenstrahl üblicherweise
durch magnetische oder elektrostatische Ablenkfelder so gerichtet, daß er auf einem gewünschten Bereich der Oberfläche üer*
als Zielobjekt dienenden Probe auftrifft. Die Ablenkeinrichtung
kann so programmiert werden, daß jede gewünschte Verteilung der Strahlungsdosis auf der Probenoberfläche erreicht werden kann.
Jedoch erzeugen Fehler in der Ablenkeinrichtung oder in der momentanen Position des Strahlers, die beispielsweise durch Spannungsschwankungen
in der Energieversorgung, durch Störfelder oder sonstige Störungen in der Anlage hervorgerufen werden können,
Fehler in der Bestrahlung bzw. der Verteilung der Bestrahlungsdosis auf der Probe, die schwierig zu überwachen oder sogar schwer
zu entdecken sind.
Wenn die Bestrahlung einer speziellen Stalle auf der Probe über eine ausreichende Zeit aufrechterhalten wird, die eine mechanische
Abtastung erlaubt, -was speziell bei Ionen-Implantationen der Fall ist- so liegt eine Alternative zum oben beschriebenen
Vorgehen darin, die Probe zu bewegen und den Ionenstrahl stationär zu halten. In diesem Falle kann eine bekannte Vorrichtung zur
XY-VerSchiebung, also zur Verschiebung in zwei aufeinander senk«
recht stehenden Richtungen, zur Lagerung der Probe benutzt werden und kann die geeignete Verschiebung oder Bewegung der Probe automatisch
gesteuert werden..Ein geeignetes Programm zur XY»Verschi®~
309810/0662 ~2"
bung in einer vorgegebenen Weise wird der Vorrichtung eingegeben.
Auch in einem solchen Falle jedoch werden Fehler hinsichtlich der angenommenen Position des Ionenstrahles nicht
entdeckt.
In beiden genannten Fällen muß die Bestrahlungszeit bei einer
gegebenen Position des Ionenstrahles auf der Basis der angenommenen transportierten Ladung errechnet werden. Diese Rechnung
wird häufig sehr mühsam für komplexe vielfältige Implantationen. Außerdem müssen Mittel zur Steuerung des Ionenstrahlstromes
vorgesehen werden. Weitere Komplikationen entstehen,wenn mehr als eine Ionenquelle benutzt wird.
Die genannten Schwierigkeiten bei der überwachung und Steuerung
eines Ionenbeschleunigers werden zumindest weitgehend durch das erfindungsgemässe Verfahren zur Steuerung der Bestrahlung einer
Probe mit einem hochenergetischen Ionenstrahl in einem Ionenbeschleuniger beseitigt. Das erfindungsgemässe Verfahren, bei
welchem die Probe in einer ersten Stellung dem Ionenstahl ausgesetzt wird, so daß der Strahl einen ersten Bereich der Probe
erfasst, wonach die Probe relativ zum Ionenstrahl verschoben wird, um einen zweiten Bereich der Probe dem Ionenstrahl auszusetzen,
wobei die Verschiebung in Abhängigkeit von einer Messung der Bestrahlung des ersten Bereiches der Probe abhängig ist,
zeichnet sich hierzu dadurch aus, daß die Ionenbestrahlung durch die Feststellung der Anzahl der bei der Probe ankommenden Ionen
gemessen wird. Besonders vorteilhaft wird die Steuerung des Beschleunigers dadurch erreicht, daß die Bestrahlungsdosis direkt
an der Probe gemessen wird und die hierbei gewonnenen Meßdaten Mittel zur automatischen Positionierung der Probe oder des Zielobjektes
relativ zum Ionenstrahl zugeführt werden. Letzteres wird mit besonderem Vorteil durch eine Verschiebung des Probenträgers
erreicht, während der Strahl stationär gehalten wird.
309810/0662
Dadurch werden Fehlermöglichkeiten hinsichtlich der Position des Ionenstrahles minimiert. Die Position des Zielobjektes oder
der Probe kann sehr genau durch einen präzisen Folgesteuerungsmechanismus erreicht werden, welcher die Position des Zielobjektes
oder der Probe elektrisch überwacht. Korrekturen der Probenposition werden dabei unmittelbar vom endgültigen Parameter aus, nämlich
der Strahlungsdosis, gesteuert, so daß Berechnungen der Bestrahlungszeiten und die genaue überwachung des Ionenstrahlstromes
unnötig werden.
In einer bevorzugten AusfUhrungsform der Erfindung wird der Ionenstrom,
wie er an der Probe gemessen wird, integriert und in der Form digitaler Impulse kodiert. Die Impulse werden von äner Digitiereinrichtung
erfasst und gezählt, welche einen Generator für die Steuerbefehle zur XY-Verschiebung aktiviert, der seinerseits
den zur Einrichtung für die XY-Verschiebung der Probe gehörenden Positionierungskreis steuert. Die Probe wird schrittweise in Abhängigkeit
von einer vorbestimmten Zahl von Digitalimpulsen weiterbewegt.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der Erfindung'ergeben
sich aus der nachfolgenden näheren Erläuterung anhand der Zeichnung*
Es zeigt
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines beispielsweisen Steuerkreises zur Anwendung des erfindungsgemässen
Verfahrens,
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Schichtträgers
in einer Anordnung zur transversalen inhomogenen Bestrahlung,
Fig.j5A
Fig.j5F Diagramme zur Veranschaulichung der Bestrahlungsprofile in Bewegungsrichtung des Schichtträgers
aus Fig. 2.
309810/0662 -4-
line beispielsweise Anordnung zur Durchführung des erfindungs-
gemässen Verfahrens iet in Flg. 1 dargestellt. line zu bestrahlende Probe 10 ist auf einem in zwei aufeinander senkrecht stehenden Richtungen (vgl· Pfeile) verschieblichen Probenhalter 11, also
einer Vorrichtung zur sogenannten XY-VerSchiebung, befestigt· Die
Vorrichtung mit der Probe 10 ist in einem nicht naher dargestellten Iionenbeschleuniger Üblicher Bauart angeordnet, so dal die Probe
10 einem Ionenstrahl (schematisch bei 12 angedeutet) ausgesetzt ist. Der verschlebliche Probehalter 11 wird durch nicht näher
dargestellte mechanische Elemente bekannter Bauart gesteuert und bewegt die Probe in zwei auf der Strahlrichtung senkrecht stehenden Richtungen. Die Verschiebung dee Probenhalters 11 erfolgt dabei in Abhängigkeit von elektrischen Signalen, die von XY-Steuerkreisen IJ erzeugt werden. Die mechanische Bewegung oder Verschiebung des Probenhalters 11 kann durch vielfältige Mittel herbeigeführt werden, beispielsweise angetriebene Stellschrauben in der
X- und Y-Richtung. line vorherbestimmtes Programm für die XY-Verschiebung in Übereinstimmung mit dem gewünschten Bestrahlungsmuster auf der Probenoberfläche aktiviert die XY-8teuerkreise 15
mittels Steuerbefehlen von einem Befehlegenerator l4. Der Befehlsgenerator 14 spricht seinerseits auf Taktimpulse einer Digitiereinrichtung 15 an. Die Digitiereinrichtung 13 ist von an sich be
kannter Bauart und integriert den über die Verbindung 16 vom Zielobjekt oder der Probe 10 kommenden analogen Strom und quantisiert
die Ladung als digitale Impulse, von denen jjeder einer kurzen Be
strahlungszeit der Probe 10 durch den Ionenstrahl 12 entspricht.
Die Digitiereinrichtung kann beispielsweise ein auf eine Spannung ansprechendes Element 17 enthalten (in Fig. 1 schematisch als
Voltmeter dargestellt, üblicherweise wird Jedoch ein Vergleicher
benutzt), welches die Spannung zwischen Platten eines Kondensators 18 erfasst. Wenn der Kondensator 18 durch eine Einheit der Strahlungsdosis
aufgeladen wird, so löst das auf Spannung ansprechende Element 17 einen digitalen Impuls eines nicht näher dargestellten
Stromstossgenerators aus, der seinerseits den entsprechenden
Steuerbefehl des Befehlsgenerators 14 auslöst. Die in Abhängigkeit
vom Ionenstrom erzeugte Impulsfrequenz kann in geeigneter Weise durch eine Anpassung der Auslösespannung des Elementes 17 variiert
werden. Wenn das spannungsempfindliche Element 17 einen Impuls
309810/0662
auslöst, so wird der Kondensator 18 gegen Erde entladen und dadurch in seine Ausgangsstellung für die nächste Zahlung gebracht,
Ss sind viele andere Ausführungsformen der Digitiereinrichtung 15 bekannt, welche die dargestellte und beschriebene Einrichtung
15 in ihrer vergleichsweise einfachen Punktion ersetzen
können·
Der Befehlsgenerator 14 für die XY-Verschiebung kann einfach
ein Programm gespeicherter Signale sein, welche durch die Impulse
der Digitiereinrichtung 15 abgefragt werden. Der Programmspeicher
kann auf elektrischer, magnetischer, optischer oder sonstiger Basis arbeiten und stellt hinsichtlich seines Aufbaues keinen Teil
der Brfindung dar.
Die Kombination der elektrischen XY-Steuerkrei se IjJ und der mechanischen
Mittel zur Verschiebung des Probenhalters 11, auf welchem der Schichtträger befestigt ist, ist vorteilhaft als
Folge-steuerungssystem ausgebildet und kann entweder analog oder
digital betrieben werden. Ih einer bevorzugten Ausführungsform wtlat das System zusätzliche. Mittel zur Erfassung und Steuerung
der Jeweiligen momentanen Position des Probenhalters 11 auf und vergleicht diese Position mit der vorbestimmten Position, so
daß mechanische Fehler bei der Ausführung der Steuerbefehle zur Xy-Verschiebung des Probenhalters 11 sofort erfasst und korrigiert
werden können. Dieses Merkmal der vorliegenden Erfindung ist schematisch durch einen bei 20 angedeuteten Positionsfühler verdeutlicht.
Der Fühler kann elektrisch oder optisch (z.B. mittels Laserstrahlen) arbeiten, wobei die die momentane Stellung des Probenhalters
11 enthaltende Information einem Vergleicher 21 zugeführt wird. Der Vergleicher 21 vergleicht die momentane Position mit
der vom Befehlsgenerator I^ vorgeschriebenen Position und zeigt
den XY-Steuerkreisen 13 gegebenenfalls erforderliche Korrekturen
an.
309810/0662
Die . PositionsfUhler 20 sind beispielsweise mit Vorteil als
lineare Widerstände ausgebildet, welche entlang der X- und Y-Achse
angeordnet sind. Die die momentane Position des Probenhalters 11 enthaltende Information besteht dann,in zwei Widerstandswerten,
welche die Koordinaten der Position des Probenhalters 11 wiedergeben« Gleichzeitig mit den Steuerbefehlen für
die XY-3teuerkreise 13 gibt de^Befehlsgenerator 14 die im Programm
vorbestimmte Position des Probenhalters 11 in den Vergleicher 21 ein· Diese Information kann ebenfalls In einem Wert für einen elektrischen
Widerstand liegen, welcher dann in einer Brückenschaltung mit der Information über die momentane Position verglichen wird.
Jedes Ungleichgewicht erzeugt ein Signal (beispielsweise positiv für positive Fehlerabweichung und negativ für negative Fehlerabweichung
auf der X-Achse und entsprechende Signale, positiv nach oben und negativ nach unten, für die Y-Achse), welches dem entsprechenden
Steuerkreis 13 eingegeben wird und dessen Fehlerkorrektur
auslOst.
Die beschriebene Steuerung ist sehr vielseitig und kann vorteilhaft
für viele Verwendungszwecke einer Ionenbestrahlung benutzt werden« Ohne weiteres können damit Fehlerabweichungen der Bestrahlung
von maximal einem halben Prozen*»t erreicht werden, wobei
ein runder Strahl von einem Zentimeter Durchmesser und Verschiebungsschritte
der Probe von 0,6 mm Länge verwendet werden; die Größe der insgesamt bestrahlten Probenfläche spielt dabei keine
Rolle. Diese Parameter können in weiten Grenzen noch geändert werden, jeweils in Abhängigkeit von dem gewünschten Ergebnis bzw.
der gewünschten Genauigkeit· Bs ist normalerweise vorteilhaft, die Querschnittefläche des Strahles im Vergleich zur Schrittweite
groß zu wählen. Dadurch wird eine erhebliche Überlappung bei jedem Schritt erreicht, welche bei einem runden Strahlquerschnitt
für die Gleichförmigkeit der Bestrahlung wesentlich ist.
Die erfindungsgemäsae Steuerung kann bei Bedarf ebenfalls dazu
verwendet werden, die Bestrahlungsdichte bzw. Strahlungsdosis in Verschieberiohtung des Schichtträgers bzw. der Probe 10 zu
variieren. In Querrichtung verlaufende Profilierungen der Be-
309810/0662
-7-
Strahlungsdichte und damit einhergehende Verschieden große Ände- ■.
rungen der Eigenschaften des bestrahlten Materials sind bei der Herstellung bestimmter Halbleiteranordnungen von Interesse. Von
aktuellem Interesse sind etwa ladungsgekuppelte Vorrichtungen (charge coupled devices), welche in machen Fällen eine örtlich
begrenzte Einführung von Änderungen der Fremdatomdichte in Querrichtung im Ladungsspeiehermedium des Halbleiters zur Grundlage
haben.
Änderungen der Bestrahlungen in Querrichtung können mit dem erfindungsgemässen
Verfahren auf einfache Weise dadurch erreicht werden, daß die Verschiebung des Probenhalters 11 in derjenigen
Richtung, in welcher die Änderung erwünscht wird, beschleunigt wird. Das Maß der Änderung kann durch Verwendung einer geeigneten
öffnung in kleineren Flächen als der Querschnittsfläche des Ionenstrahles
gesteuert werden· Sine solche Anordnung ist in Fig. 2 schematisch dargestellt. Der Schichtträger 30 kann in der durch
Pfeil angegebenen Richtung gegen die öffnung der Maske Jl und damit
gegen den Ionenstrahl 32 verschoben werden. Die Breite w der
öffnung kann gegebenenfalls jedoch auch dem Strahldurchmesser entsprechen.
Ein Bezugspunkt auf der X-Achse (X=O) entspricht der Lage der Vorderkante der öffnung in der Maske 31 und wird im folgenden
bei der Erläuterung von mit solchen oder ähnlichen Anordnungen erreichbaren Strahlungsprofilen als Bezugspunkt verwendet.
Verschiedene Bestrahlungsprofile, welche in speziellen Anwendungsfällen etwa Änderungen oder Gradienten der Fremdatomdichte in
Querrichtung entsprechen können, sind in den Fig. 2A bis 3F
zeichnerisch dargestellt. In den Fig. 3A bis 3B sei angenommen,
daß ein Schichtträger 30 ohne Maske 31 verwendet werde. Die Verwendung
einer Maske 3I vor dem Schichtträger 3I erlaubt die Erzeugung
scharfer Bestrahlungsränder, wie in Fig· 3F dargestellt
ist.
' -8-309810/0662
223928A
Pig. JA ist eine grafische Darstellung der Bestrahlung in X-Rlchtung,
in welcher der Schichtträger mit konstanter Geschwindigkeit über eine Strecke verschoben wurde, welche dem dreifachen der
Öffnungsbreite w entspricht. Pig. 3B ist eine ähnliche Darstellung
für eine gleichförmige Verschiebung des Sohichtträgers, jedoch nur über eine der doppelten Öffnungsbreite ( 2 w) entsprechenden
Strecke. Die Darstellung in Fig. 3C zeigt das Bestrahlungsprofil,
welches erhalten wird, wenn der Shichtträger über eine der doppelten
Öffnungsbreite (2 w) entsprechende Strecke beschleunigt wird; Fig. 3D zeigt eine entsprechende Darstellung, wenn die Verschiebung
verzögert wird. Fig. 3E zeigt das Ergebnis einer ungleichförmigen
Verschiebung, bei der der Schichtträger über die Strecke w beschleunigt und anschließend über dieselbe Strecke verzögert wird.
Das in Fig. 3F dargestellte Profil kann entweder durch eine Abdeckung
des Schichtträgers 30 mit einer öffnung für den Strahl
32 von der Breite w erreicht werden oder durch die Verwendung
einer Maske 3I* die relativ zum Schichtträger 30 und zum Ionenstrahl
32 bewegt wird. Im letzteren Fall ist eine Verschiebung
des Schichtträgers 30 nicht erforderlich. Hier muß jedoch die
Bewegung oder Verschiebung an der Maske 3I überwacht und gesteuert
werden, was jedoch in analoger Weise wie vorstehend zur Steuerung des Probeträgers 11 beschrieben, unter Anwendung auf
die Maske geschehen kann.
Die in den Fig. 3A bis 3F gezeigten Profile deuten die Variationsmöglichkeiten an, welche erfindungsgemäss erreichbar sind. Dabei
ist jede Bewegung des Schichtträgers relativ zum feststehenden Ionenstrahl in hohem Maße kontrolliert. Die Anordnung kann für
ungleichförmige Bestrahlungen programmiert werden und ergibt dabei sehr genaue und reproduzierbare Profile.
309810/0662
Claims (1)
- Western Electric Company ( A 33 107 - de )Incorporated . -» · Den gNew York, N.Y. 10007Patentansprüche:Verfahren zur Steuerung der Bestrahlung einer Probe durch einen hochenergetischen Ionenstrahl in einem Ionenbeschleuniger, wobei die Probe in einer ersten Stellung dem Ionenstrahl ausgesetzt wird, so daß ein erster Bereich auf der Probenoberfläche bestrahlt wird, wonach die Probe relativ zum Ionenstrahl verschoben wird, und ein zweiter Bereich auf der Probenoberfläche bestrahlt wird, wobei der Verschiebungsschritt in Abhängigkeit von der Messung der Bestrahlung des ersten Bereiches der Probe vorgenommen wird, da-» durch gekennzeichnet, daß die Ionenbestrahlung durch Erfassung der Anzahl der auf die Probe (10) auftreffenden Ionen gemessen wird.2· Verfahren zur Steuerung der Bestrahlung einer Probe durch einen hochenergetischen Ionenstrahl in einem Ionenbeschleuniger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Verschiebung in Übereinstimmung mit einem vorbestimmten Programm vorgenommen wird, welches die Strahlungsdosis der Position der Probe (10) zuordnet.3, Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die momentane Position der Probe (11) erfasst und mit der vom Programm vorgegebenen Position verglichen wird und daß jede Abweichung durch ein Verschieben der Probe (10) korrigiert wird·4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Probe (10) durch die Öffnung einer Maske (3I) duroh-bestrahlt wird,und ein Verschieben der Probe (10) bezüglich'der Maske (3I) zu Änderungen in der Bestrahlung der Probe (10) in Richtung der Verschiebung führt.5· Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (31) verschoben wird.309810/0662
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17446371A | 1971-08-24 | 1971-08-24 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2239284A1 true DE2239284A1 (de) | 1973-03-08 |
Family
ID=22636242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722239284 Pending DE2239284A1 (de) | 1971-08-24 | 1972-08-10 | Verfahren zur steuerung der bestrahlung einer probenoberflaeche |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4830000A (de) |
BE (1) | BE787829A (de) |
CA (1) | CA953823A (de) |
DE (1) | DE2239284A1 (de) |
FR (1) | FR2151361A5 (de) |
GB (1) | GB1378667A (de) |
IT (1) | IT965998B (de) |
NL (1) | NL7211326A (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58106823A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | イオン注入方法 |
JPS6110025A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 水溶液の精製法 |
US4929588A (en) * | 1987-12-02 | 1990-05-29 | Lithium Corporation Of America | Sodium removal, from brines |
US4859343A (en) * | 1987-12-02 | 1989-08-22 | Lithium Corporation Of America | Sodium removal from brines |
US5449916A (en) * | 1994-09-09 | 1995-09-12 | Atomic Energy Of Canada Limited | Electron radiation dose tailoring by variable beam pulse generation |
-
1972
- 1972-04-18 CA CA139,929A patent/CA953823A/en not_active Expired
- 1972-08-10 DE DE19722239284 patent/DE2239284A1/de active Pending
- 1972-08-18 IT IT5225072A patent/IT965998B/it active
- 1972-08-18 NL NL7211326A patent/NL7211326A/xx unknown
- 1972-08-21 JP JP8286872A patent/JPS4830000A/ja active Pending
- 1972-08-22 BE BE787829A patent/BE787829A/xx unknown
- 1972-08-23 FR FR7230048A patent/FR2151361A5/fr not_active Expired
- 1972-08-24 GB GB3937872A patent/GB1378667A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT965998B (it) | 1974-02-11 |
GB1378667A (en) | 1974-12-27 |
FR2151361A5 (de) | 1973-04-13 |
NL7211326A (de) | 1973-02-27 |
CA953823A (en) | 1974-08-27 |
BE787829A (fr) | 1972-12-18 |
JPS4830000A (de) | 1973-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69022372T2 (de) | Rastermechanismus für Ionenimplantierungsgerät. | |
EP0013573B1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Positionsregelung eines Ladungsträgerstrahls in einer Ladungsträgerstrahl-Werkzeugmaschine | |
DE3404720C2 (de) | ||
DE102013217126B4 (de) | Verfahren zum Feststellen von Abweichungen einer Ist-Lage eines Laserbearbeitungskopfes von einer Soll-Lage, Laserbearbeitungsmaschine und Computerprogrammprodukt | |
DE3526656C2 (de) | Optische Längenmeßvorrichtung | |
EP1805481B1 (de) | System und verfahren zum vermessen eines körpers und zum überwachen von dessen oberfläche | |
DE3590145C2 (de) | ||
DE2364046A1 (de) | Beruehrungsfreie laengenmesseinrichtung | |
DE2225011C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Positionieren eines Gegenstandes | |
DE2726173A1 (de) | Verfahren und einrichtung zur automatischen positionierung eines werkstueckes relativ zu einem abtastfeld bzw. zu einer maske | |
DE69310651T2 (de) | Verfahren zum Feststellen der Nullpunkte von Positionsgebern | |
DE2239284A1 (de) | Verfahren zur steuerung der bestrahlung einer probenoberflaeche | |
DE102018133083A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum geregelten Bearbeiten eines Werkstückes mit einer Bearbeitungsstrahlung | |
DE2821028A1 (de) | Verfahren und einrichtung zur strahlpositionsregelung in einem ladungstraegerstrahlgeraet | |
DE2340460A1 (de) | Einstellverfahren fuer einen geber zur messung der interferenz-ringverschiebung (moiresaumverschiebung) | |
DE2731142C3 (de) | Verfahren zur Feststellung der Lage eines Elektronenstrahls in bezug auf auf einem Objekt angeordnete Ausrichtmarkierungen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE3701775C2 (de) | Dickenmonitor | |
DE4233830C2 (de) | Strahlpositionsmonitor | |
DE1548361B2 (de) | Meßeinrichtung zur berührungslosen Bestimmung der Abmessungen von Körpern | |
DE2706629C3 (de) | Einrichtung zur Überwachung der Position und der räumlichen Verteilung eines Elektronenstrahlbündels hoher Energie | |
DE19904487C2 (de) | Verfahren zur Messung achssymmetrischer magnetischer Felder | |
DE3510937A1 (de) | Laserstrahlmessvorrichtung fuer hochleistungslaser | |
DE3222490C2 (de) | ||
DE3630702A1 (de) | Vorrichtung zum vermessen eines werkstueckes | |
DE2152803A1 (de) | Meßgerät zur Bestimmung der gegenseitigen Verlagerung relativ zueinander bewegbarer Körper |