DE2235969A1 - Ferroelektrischer speicher und verfahren zu seinem betrieb - Google Patents
Ferroelektrischer speicher und verfahren zu seinem betriebInfo
- Publication number
- DE2235969A1 DE2235969A1 DE2235969A DE2235969A DE2235969A1 DE 2235969 A1 DE2235969 A1 DE 2235969A1 DE 2235969 A DE2235969 A DE 2235969A DE 2235969 A DE2235969 A DE 2235969A DE 2235969 A1 DE2235969 A1 DE 2235969A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ferroelectric
- potential difference
- point
- plate
- reading
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000005697 Pockels effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 6
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
- G11C13/047—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using electro-optical elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/10—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece using a fixed support, i.e. involving moving the laser beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G7/00—Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
- H01G7/02—Electrets, i.e. having a permanently-polarised dielectric
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen ferroelektrischen Speicher
und ein Verfahren zu seinem Betrieb. -
Bekanntlich hängt die Leistungsfähigkeit von elektronischen Rechenanlagen, Fernsprechvermittlungen und anderen Systemen zur
Verarbeitung von Daten oder Informationen von der Kapazität,
der Geschwindigkeit und der Betriebssicherheit ihres oder ihrer
Speicher ab. .
Heuzutage werden vor allem magnetische Speicher, und zwar Magnetringkerne,
Magnetbänder, Magnetplatten oder Magnetkarten, oder Speicher mit integrierten Schaltkreisen· mit MOS-Sransistoren
verwendet. '
209885/1034
Ein Nachteil heutiger schneller Speicher mit Magnetringkernen oder integrierten Schaltkreisen besteht darin, daß sie verhältnismäßig
teuer werden, wenn es sich um das Speichern einer großen Anzahl von Daten handelt, wie es häufig der Pail ist.
So kostet ein Ferritkernspeicher ungefähr PM 0,037binärer Informationseinheit
oder bit.
Es ist daran gedacht worden, ferroelektrisch^ Speicher zu verwenden
(wobei Ferroelektrizität die !Transposition des Magnetismus
in den elektrischen Bereich ist, und ein ferroelektrisches Material einem ferromagnetischen Material entspricht), aber
diese Speicher besitzen, abgesehen von ihren hohen Herstellkosten pro bit, bislang die beiden Nachteile, daß ihre Kapazität
verhältnismäßig gering und das Lesen zerstörend ist (das gelesene bit wird gelöscht), was auf ihren Aufbau zurückzuführen
ist.
Eine Ausführungsform eines ferroelektrisch^ Speichers bekannter
Bauart ist in Pig. 1 der Zeichnung perspektivisch dargestellt.
Dieser Speicher umfaßt im wesentlichen ein Plättchen A aus einem
ferroelektrischen Material, das im allgemeinen die Form eines
den drei senkrecht aufeinander stehenden Achsen OXYZ folgenden rechtwinkligen Parallelepipeds besitzt und senkrecht zu seiner
ferroelektrischen Achse OY zugeschnitten ist, und zwei Systeme paralleler Leiter, deren erstes (System der Leiter B1, Bg, B^...)
parallel zur Achse OX auf der unteren Fläche des Plättchens A angebracht ist und deren zweites (System der Leiter C^, Cp»
C, ) parallel zur Achse OZ auf der oberen Fläche des Plättchens
A angebracht ist. Auf diese Weise wird auf dem Plättchen A eine Matrix von Prismen der Achse OY festgelegt, wie etwa das
Prisma D.c zwischen dem Leiter B, und dem Leiter Cc.
Wird zwischen den Leitern B„ und Cr- eine Potentialdifferenz
von bestimmtem Wert angelegt und befindet sich der Leiter B.
209885/1034
— 3 — ■ * - ■
auf dem positiven. Potential, so.wird das Prisma JD^ einem in
der Richtung OY ausgerichteten elektrischen PeId unterworfen
und polarisiert sich daher in die Richtung OY, was definitionsgemäß
dem Einschreiben einer "1" in den Matrizenspeicher entspricht,
der ri'.m. -Positionen aufweist, wenn η die Anzahl der
Leiter B und m die Anzahl der leiter C bezeichnet. ' In ihrer anfänglichen Polarisation in der Richtung YO stellen die Prismen
andererseits eine "0" dar.
Bei einem derartigen Speicher erfolgt das lesen, indem durch
Anlegen einer Potentialdifferenz umgekehrter Polarität zwischen
den leitern B. und Gv- in dem Prisma D.c ein elektrisches Feld
4 i> 4?
erzeugt wird, dessen Richtung der Richtung beim Einschreiben
entgegengesetzt ist und - da eine "1" eingeschrieben war - durch Umkippen der Polarisation des Prismas hervorgerufene Strom festgestellt
wird. Da es jedoch bei der Ferroelektrizität kein wirkliches Koerzitivfeld gibt, wie dies beim Ferromagnetismus
der Pail ist, führt ein über längere Zeit oder durch wiederholte
Impulse angelegtes schwaches Feld von umgekehrter Richtung (yo) zum endgültigen Umkippen des ferroelektrischen Bereichs
des einzelnen Prismas und daher zum löschen der eingeschriebenen "1'1V Das lesen, zumindest das wiederholte lesen, ist
also zerstörend. Schließlich ist ein derartiger Speicher nicht sicher, was einen schwerwiegenden Hachteil darstellt.
Es ist festgestellt worden, daß bestimmte ferroelektrische Materialien,
wie Glykokollsulfat, nur ein teilweises und vorübergehendes
Umkippen erfahren, wenn das elektrische Feld umgekehrter ■
Richtung nur für eine Zeit angelegt wird, die kurzer als einkritischer Zeitwert t* ist (G.¥.Taylor - Utilization of the
t* partial Switching Properties of Ferroelectrics in Memory
Devices - IEEE Trans, on Electronic Computers, Bd. EC-I4, Nr.6
(1965) 881). Aufgrund dessen wird jedes lesen bei einem derartigen ferroelektrischen Material durchgeführt, indem das umgekehrt
gerichtete Feld beim lesen weniger lange.als t* angelegt wird.
2 0 9 8 8 5/1034-
Es kann also mehrmaliges Lesen ohne Löschen erfolgen. Jedoch erfordert eine derartige Technik nicht nur sehr empfindliche
und schnell ansprechende Einrichtungen zum Lesen (um während der kurzen Lesezeit, die kleiner als t* ist, das Lesesignal
nachzuweisen), sondern vor allem das Vorhandensein der Systeme
von Leitern B und C, was zu einer Begrenzung der auf einer gegebenen Oberfläche einschreibbaren bits und hohen Herstellkosten
führt , da es erforderlich ist, die Pptentialdifferenzen zwischen
einem bestimmten Leiter B und einem bestimmten Leiter C jedes Systems selektiv anzulegen. Daher haben sich die ferroelektrisDhen
Speicher, sogar bei Anwendung des t*-Effekts, nicht entwickelt.
Ziel der Erfindung ist, unter Beseitigung der genannten Nachteile,
ein ferroelektrischer Speicher von einfachem Aufbau und
großer bit-Dichte/cm (da er die beiden Netze orthogonaler Leiter nicht aufweist) zum nicht zerstörenden und empfindlichen
Lesen, bei dem im Prinzip keine Potentialdifferenz angelegt wird, welche die Gefahr des Umklappens der Polarisation der
verschiedenen Prismen mit sich bringt. Der Speicher arbeitet überdies schnell und sicher.
Ein gemäß der Erfindung ausgebildetet Speicher kann auch zum Anzeigen und zum Speichern von Bildern verwendet werden.
Der erfindungsgemäße ferroelektrische Speicher ist gekennzeichnet
durch ein dünnes Plättchen aus einem ferroelektrischen Material, das senkrecht zu seiner ferroelektrischen Achse zugeschnitten
und auf seinen beiden, zu dieser Achse senkrechten großen Oberflächen metallisiert ist, durch eine Einrichtung, die
zwischen diese beiden Oberflächen wahlweise eine erste oder eine zweite Potentialdifferenz verschiedenen Betrags und entgegengesetzter
Richtung anlegt, durch einen zwischen die beiden metallisierten Oberflächen des Plättchens schaltbaren Belastungswiderstand,
durch eine Einrichtung, die den Lichtpunkt eines
209885/1034
Laserstrahls gewünschter Intensität auf die eine der beiden metallisierten Oberflächen des Plattehens bündelt, wobei diese
Oberfläche aktiv ist, und mit dem Lichtpunkt diese aktive Oberfläche
des Plättchens überstreicht, wobei der Strahl sowohl zum Einschreiben wie zum Lesen von Informationen des Speichers
vorgesehen ist, und durch eine Einrichtung, die das Fließen und die Richtung des Fließens eines Stroms in dem Widerstand
feststellt, wenn dieser zwischen die beiden Oberflächen geschaltet
ist.
Vorzugsweise ist der Betrag der zweiten Potentialdifferenz, deren Richtung der der ersten entgegengesetzt ist, etwas geiinger
als, der einem Koerzitivfeld entsprechende Betrag, bei dem
die Polarisationen der Bereiche des Plättchens umkippen würden,
wobei die Intensität des auf einen Bereich gebündelten Laserstrahls
bei Anlegen dieser zweiten. Potentialdifferenz das Herabsetzen
des Koerzitivfelds bis zum Umkippen der Polarisation des
beleuchteten Bereichs gestattet.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Betrieb des Speichers für
das Einschreiben und das Lesen von Informationen in Form der
Binärziffern O oder 1 ist dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die metallisierten Oberflächen die erste Potentialdifferenz,
deren Betrag am höchsten ist, angelegt wird, so daß alle ferroelektrischen
Bereiche des Plättchens in derselben Richtung polarisiert werden, daß für das Einschreiben einer der beiden Binärziffern einerseits die zweite Potentialdifferenz, deren Richtung
der der ersten entgegengesetzt ist, zwischen die metallisierten Oberflächen angelegt wird, und andererseits der Lichtpunkt des
Laserstrahls auf den Punkt oder die Speicherzelle der aktiven Oberfläche gerichtet wird, auf die das Einschreiben der Binärziffer
erfolgen soll, so daß der unter dem Punkt liegende ferroelektrisch^
Bereich zum Umkippen aus seiner vorherigen Polarisationsrichtung in die. entgegengesetzte Polarisationsrichtung
gebracht wird, und daß für das Lesen einerseits der Laserstrahl
209885/1034
auf den zu lesenden Punkt oder die zu lesende Zelle gerichtet wird, und andererseits der Widerstand zwischen die beiden metallisierten
Oberflächen geschaltet wird, so daß ein Strom durch den Widerstand hindurchfließt, v/obei die Richtung des Stroms,
die von der Polarisationsrichtung des unter dem Lichtpunkt liegenden ferroelektrischen Bereichs abhängt, die auf den Punkt
eingeschriebene Binärziffer anzeigt, und wobei das Lesen durch eine Einrichtung ausgeführt wird, die das Fließen und die Richtung
des Fließens des Stroms feststellt.
Die Binärziffer 1 wird beispielsweise den Punkten zugeordnet, auf die der Lichtpunkt des Lasers aufgetroffen ist und bei denen
infolgedessen die Polarisationsrichtung des entsprechenden
ferroelektrischen Bereichs umgekippt ist. Dann entsprechen die 0 den Bereichen, die ihre anfängliche Polarisationsrichtung beibehalten
haben, d.h. die Punkte, auf die der Lichtpunkt des Lasers nicht aufgetroffen ist.
Bei einem Plättchen aus Glykokolsulfat, dessen zwei zur ferroelektrischen
Achse senkrechten Oberflächen jeweils mit einer Metallschicht bedeckt sind, wobei die eine Metallschicht eine
zum Absorbieren der Strahlung ausreichend geringe Dicke besitzt und dessen ferroelelcfcrische Bereiche in die gleiche Richtung
polarisiert sind, ist überraschend festgestellt worden, daß ein Umkippen des entsprechenden Bereichs durch Richtungsänderung
seiner Polarisation erfolgt, wenn dieses Plättchen gleichzeitig
- einer intensiven und eingegrenzten Bestrahlung auf die mit der dünnen, absorbierenden Schicht bedeckte Oberfläche und
einer zwischen den beiden Metal!schichten angelegten Potential
differenz von geeignetem Betrag und geeigneter Richtung
ausgesetzt wird. Unter der Voraussetzung, daß der Laserstrahl Wirksam eingesetzt wird, d.h. beim Einschreiben einer "1" nicht
verdeckt wird, läßt sich sagen, daß das Umkippen eines Bereichs dem Einschreiben einer "1" entspricht. Andererseits genügt es,
209885/103^
den Laserstrahl im Verlauf seines ÜberStreichens zu unterbrechen,
wenn eine "O" eingeschrieben werden soll. In diesem Pail
kippt der Bereich nicht um, auch wenn die vorstehend genannte
Potentialdifferenze vorhanden ist, was darauf zurückzuführen ist, daß zum Umkippen eines Bereichs die intensive Beleuchtung
und das Anlegen der geeigneten Potentialdifferenz gleichzeitig erforderlich sind. ·
Weiterhin ist gefunden worden, daß nach dem Einschreiben der
gewünschten "1" oder "O" in die verschiedenen Punkte· oder Zellen des Plättchens beim sukzessiven Beleuchten jedes dieser
Punkte oder jeder dieser Zellen ein zwischen die beiden Metallschichten
geschalteter Widerstand (beispielsweise in der Größenordnung von 1000 0hm) von einem elektrischen Strom durchflossen
wird, dessen Richtung von der Polarisationsrichtung des Bereichs abhängt, der sich in demselben Augenblick unter dem
Lichtpunkt des Lasers befindet* Es ist also auf sehr einfache
Weise möglich, jede Speicherzelle mit Hilfe einer Einrichtung
zu lesen, die das Fließen des Stroms und die Richtung des
Stromflusses in dem Widerstand feststellt.
Außerdem hat sich gezeigt, daß der Speicher sowohl zum Einschreiben
wie zum Lesen unter den besten Bedingungen arbeitet, wenn der Laserstrahl moduliert wird. '
Die Erfindung wird im folgenden anhand von beispielsweisen
Ausführungsfonnen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert.
Es zeigt
Pig. 1 den bereits beschriebenen Stand der Technik;
Pig. 2 und 3 zwei Ausführungsformeii des erfindungsgemäßen
Speichers;
Pig. 4 ein dünnes Plättchen aus ferroelektrischem Material
in vergrößertem Maßstab; - ·
Pig. 5,6 und 8 die Vorbereitung des Plättchens des Speichers,
das Einschreiben einer "1" auf das Plättchen und das Lesen
209885/1034
des Plättchens;
Fig. 7 und 9 die Änderung des Koerzitivfelds EQ und der
Polarisation P0 jeweils in Abhängigkeit von der Temperatur T;
Pig. 10 das Antwortsignal beim lesen, mit dem die Empfindlichkeit steigernden Spitzen, mit der Zeit ± als Abszisse und
der Spannung V als Ordinate;
Pig. 11 in einer Draufsicht die Unterteilung der oberen Flache des Plättchens in Elementarbereiche und das sukzessive
Überstreichen dieser Bereiche.
Aufbau und Arbeitsweise des in bevorzugten Ausführungsformen dargestellten, erfindungsgemäßen ferroelektrischen Speichers,
der ein nicht zerstörendes Lesen erlaubt und eine große Kapazi-* ,
tat besitzt (große bit-Dichte/cm ), sind wie folgt.
Gemäß den Pig. 2 bis 4 umfaßt der Speicher ein dünnes Plättchen
11 aus einem ferroelektrischen Material, welches Glykokolsulfat,
ein anderes ferroelektrisches Kristall, eine ferroelektrische
Keramik oder ein ferroelektrisch^ Kunststoffilm sein kann .
Das Plättchen 11 ist senkrecht zu seiner ferroelektrischen Achse
12 zugeschnitten und auf seinen beiden großen, senkrecht zur Achse 12 verlaufenden Flächen, nämlich der oberen Fläche 13
und der unteren Fläche 14, metallisiert. Bei einem besonderen Beispiel liegt die Dicke des Plättchens in der Größenordnung
von 20 bis 50 μηι, und die obere Metallschicht 15 ist einige
tausend Angström stark, während die untere Metallschicht 16 eine Dicke in der Größenordnung von einigen μαι besitzt. Die
Metallisierung kann beispielsweise mit Gold durchgeführt sein. In diesem Fall besitzt die obere Schicht einen Widerstand pro
Quadratseinheitsfläche inker Größenordnung von 400 0hm.
Ein Umschalter 17 gestattet es, zwischen die Metallschichten 15 und 16 wahlweise eine erste Spannungsquelle 18, die zum Vorbereiten
des Plättchens 11 im Hinblick auf weiteres Einschreiben dient, eine zweite Spannungequelle 19, die ein Einschreiben
auf das Plättchen 11 möglich werden läßt, und schließlich
209885/103A
einen Widerstand 20 zu schalten, der das lesen des auf dem
Plättchen Eingeschriebenen gestattet.
Der Speicher umfaßt weiterhin, für das Einsehreiben wie für das
Lesen, einen Laser 21, beispielsweise einen im roten Bereich
arbeitenden Helium-Heon-Gaslaser, einen Kondensor 22 und eine
Einrichtung 23, die ein Überstreichen der gesamten Oberfläche der Metallschicht 15 des Plättchens 11 mit dem durch den K'on-r
densor 22 gebündelten Lichtpunkt 24 bewirkt, wie es später unter
Bezugnahme auf die Pig. 11 beschrieben wird.
Die in den Pig. 2 und 3 gezeigten Ausführungsformen der Einrichtung
23 sind verschieden.
Bei dem in Pig. 2 gezeigten Pail umfaßt diese Einrichtung zwei
dünne Platten 25, 26 mit parallelen. Oberflächen, die sieh um
ihre jeweilige Achse 25ik baw. 26a drehen können, wobei die Achsen
senkrecht zueinander verlaufen. Jede der dünnen Platten und 26 ermöglicht es, den Laserstrahl 27 um eine dem Drehwinkel <·
der dünnen Platte proportionale Strecke d. abzulenken. So dient
die dünne Platte 25 dazu, das Überstreichen längs einer Zeile zu bewirken, während die langsamere Drehung der dünnen Platte
26 es ermöglicht, von einer überstrichenen Zeile auf die nächste zu wechseln, so daß das Überstreichen insgesamt mehr oder
weniger wie bei einem Pernsehschirm erfolgt, und schließlich die
gesamte, nutzbare Oberfläche des Plättchens 11 erfaßt (siehe Pig. 11).
Fach Pig. 2 ist die Ablenkung mechanisch, d.h. es müssen Mittel
zur Drehung der dünnen Platten 25 und 26 vorgesehen seih. Daher
kann die Ablenkung nicht mit sehr hoher Geschwindigkeit erfolgen. Um die Geschwindigkeit der Ablenkung zu steigern, kann eine
elektrisch gesteuerte Ablenkung vorgesehen werden, wie sie beispielsweise in Pig. 3 dargestellt ist, nach der die Ablenkeinrichtung
23 durch zwei feststehende Prismen 28,29 gebildet
2Q9885/1Q34
ist, wobei der Brechungsindex jedes dieser Prismen durch Anlegen
eines elektrischen Feldes zwischen seine beiden Oberflächen (28a und 28b_ für das Prisma 28) veränderbar ist. Systeme
derartiger Prismen , die den Kerr-Effekt oder den Pockels-Effekt ausnutzen, sind in der Elektrooptik bekannt.
Bei den in den Fig. 2 und 3 dargestellten Ausführungsformen
erfolgt das Überstreichen durch Verschieben des Laserstrahls, während das Plättchen 11 feststeht. Bei einer Abwandlung (nicht
dargestellt) kann vorgesehen sein, daß umgekehrt der Laserstrahl feststeht (wobei die Einrichtung 23 entfällt) und das Plättchen
11 längs den zur ferroelektrischen Achse 12 senkrechten beiden
Koordinatenachsen verschoben wird, so daß die verschiedenen
Punkte oder Zellen des Plättchens 11 unter den Laserleuchtpunkt
24 gebracht werden.
Im allgemeinen erfolgt das Überstreichen stoßartig, wobei der Leuchtpunkt 24 des Lasers auf jeder Zelle anhält.
Schließlich umfaßt der Speicher eine Einrichtung (nicht dargestellt)
zum Beseitigen des Laserstrahls 27, die entweder ein Gerät zur Erregung des Lasers 21 oder ein für den Laserstrahl
27 vorgesehenes Yerschlußteil sein kann, sowie eine Einrichtung (ebenfalls nicht dargestellt), die das Fließen eines Stroms
durch den Y/iderstand 20 und die Richtung dieses Stroms feststellt.
Im Anschluß an diese Darstellung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen,
ferroelektrischen Speichers wird im folgenden unter Bezugnahme auf die Fig. 5 bis 10 erläutert, auf welche Weise,
nach einer vorausgehenden Vorbereitung des Plättchens 11, das Einschreiben und das Lesen von bits des Speichers erfolgt.
Zunächst wird das Plättchen vorbereitet, indem zwischen die
Metallschichten 15 und 16 die Potentialdifferenz der Quelle
209885/1034
angelegt wird, die einen derartigen Betrag und eine derartige Richtung besitzt, daß„sie die Polarisation aller Elementarbereiche
des ferroelektrischen Plättchens 11 in Richtung des
Pfeiles P sicherstellt. (In der Hg. 5 ist ein derartig vorbereitetes
Plättchen 11 mit dem jedem Bereich 30 zugeordneten P olari sat ions vektor _f__ dargestellt, 'dessen Richtung mit der
Richtung P übereinstimmt).
Wenn der Polarisationsvektor~j? eine suitere Ichs in die Richtung
des Pfeils P ausgerichtet ist, entspricht dies definitionsgemäß
einer 11O".. Ein derart vorbereitetes Plättchen 11 weist an
allen seinen Punkten oder Einschreibzellen nur "0" auf.
Der positive Pol der Spannungsquelle 18 ist an die Schicht 15
und der negative Pol an die Schicht 16 angeschlossen, und die Spannung der Spannungsquelle liegt im Bereich von 500 Y pro
Zehntel mm Dicke des Plättchens. Gemäß einer bevorzugten
Abwandlung erfolgt die Vorbereitung des Plättchens mit einer Spannungsquelle geringeren Potentials, aber in diesem Pail muß
das Plättchen entweder durch Erwärmen oder durch Beleuchten auf eine Temperatur von etwa 600C gebracht werden (oberhalb
der Curie-Temperatur, die1 für GlykokoUsulfat 500C beträgt,
verschwindet das Koerzitivfeld: siehe Fig. 7) und anschließend
gekühlt werden, wobei das elektrische Feld der Polarisation noch aufrecht zu erhalten ist.
Das derart vorbereitete Plättchen ist zum Einschreiben von bits bereit, insbesondere von "1" auf .gewählte Punkte oder Zellen.
Das Einschreiben erfolgt (Pig. 6), indem gleichzeitig
einerseits eine Potentialdifferenz zwischen die Metallschichten 15 und 16 angelegt wird, wobei diese durch Verbinden mit
der Spannungsquelle 19 erzeugte Potentialdifferenz in Richtung des Pfeiles P1 ausgerichtet ist, die der Richtung des Pfeiles P
209885/103A
der Fig. 5 entgegengesetzt ist, und einen Betrag von etwa
50 V pro Zehntel Millimeter Dicke des Plättchens 11 besitzt, und
andererseits,zum Einschreiben einer "1", der gebündelte
Lichtpunkt 24 des Laserstrahls 27 auf die Metallschicht 15 gerichtet
wird.
Diese gleichzeitige Anwendung bewirkt,daß der Polarisations-Yektor
des sich unter dem Lichtpunkt 24 befindenden Bereichs (des Plättchens 11) umkippt, seine Richtung also von P- in I1
ändert, wie es für den Polarisationsvektorj£7 gezeigt ist. Dieses
Umklappen ist wahrscheinlich auf die Verminderung des Koerzitivfelds
zurückzuführen, die durch die intensive Beleuchtung hervorgerufen wird.
In Pig. 7 ist die Änderung des Koerzitivfelds E in Abhängigkeit
von der Temperatur T dargestellt, und sie zeigt, daß das Koerzitivfeld
mit steigender !Temperatur abnimmt, (um für einen bestimmten Temperaturwert I , der als Curie-Punkt bezeichnet
wird, den Wert 0 zu erreichen). Die Beleuchtung des sich unter dem Lichtpunkt 24 befindenden Bereichs 30 durch den gebündelten
Laserstrahl führt zu seiner Erwärmung und damit zur Abnahme des Koerzitivsfelds, was ein leichteres Umklappen des Bereichs
unter der Wirkung des durch die Spannungsquelle 19 erzeugten
elektrischen .Felds erlaubt. Daher muß die Intensität des Laserstrahls
einerseits und die Potentialdifferenz andererseits geregelt werden, damit
beim Ausbleiben des Laserstrahls und damit der Erwärmung des Bereichs 30 die Polarisation desselben nicht durch das
elektrische Feld umgedreht wird, welches durch die mittels der Spannungsquelle 1S) zwischen die Metallschichten 15 und
angelegte Potentialdifferenz hervorgerufen wird, und
andererseits im Pail der Beleuchtung dort ein Umklappen
der Polarisation des Bereichs 30 unter der Wirkung desselben elektrischen Felds stattfindet.
209885/1034
-13 ■-■■■■.".■■■': .'.■■.".
Die Erwärmung muß also ausreichend groß sein, um eine merkliche
Änderung des Koerzitivfelds zu erzeugen, "beispielsweise von
Ec1 nach Ec2 durch Temperaturerhöhung von I1 auf T2 (^iS* -7)»
andererseits muß das elektrische PeId'etwas schwächer als der
Betrag sein, der beim Ausbleiben der Strahlung das Umkippen
hervorrufen würde.
So liegt beim Ausführungsbeispiel die Beleuchtung, die das
Umkippen der Polarisation des Bereichs und damit das Einsehreiben
einer "1" bewirkt, im Bereich von 100-Watt/cm ,während
die Spannung 25 V für ein Plättchen von 0,05 mm-Dicke beträgt.
Soll andererseits eine "0" eingeschrieben werden, so wird der Bereich, in den die "0" einzuschreiben ist, nicht beleuchtet,
es findet kein Umkippen statt5 und die Beleuchtung ist also
0 Watt.
Weiterhin ist gefunden worden, daß eine Modulatian der Amplitude
der Beleuchtung bei einer beispielsweise zwischen, 1 kHz und
1 MHz liegenden Frequenz von Interesse ist.
Anhand der Pig.: 8 und 9 wird erläutert, wie nun das Lesen
eines Speichers erfolgt, in den "Q"-.und "1" in verschiedene
elementare Zellen eingeschriben worden sind« Fach Pig. 8 enthält
die dem Bereich 3Oa. zugeordnete Zelle eine "!",während
die durch den Bereich 30Tj gebildete Zelle eine "0" enthält.
Zum Lesen wird der Widerstand 20 zwischen die Schichten 15 und
16 geschlossen, und der zu "lesende" Bereich oder die zu "lesende" Zelle durch den Laserstrahl 27 beleuchtet, indem der
Lichtpunkt 24 über dem Bereich gebündelt wird. Gegebenenfalls
wird zwischen die Schichten 15 und 16 eine schwache Spannung
gelegt, doch ist dies nicht unbedingt notwendig,
Bei Beleuchtung ändert sich durch den pyroelektrischen Effekt
die Polarisation des beleuchteten Bereichs, wie etwa des Be-
209885/1034 , .
recjihs 3Qb,. In Pig. 9 ist die Änderung der Polarisation P3 in
Abhängigkeit von der Temperatur T dargestellt, wonach die Polarisation bis zu ihrem Verschwinden beim Curie-Punkt ϊ , (der
derselbe wie in der Pig. 7 ist) abnimmt; diese Temperatur 3l·
beträgt für Glykokollsulfat etwa 5O°C.
Einer Polarisation P entspricht eine künstliche Dichte von Ladungen
über dem Bereich 30b, die gleich P0 ist. Diese Dichte
der Ladungen» die beim Bereich 30b_ in der Schicht 15 positiv und in der Schicht 16 negativ sind» entspricht dem Einschreiben
einer "O" und erzeugt in dem Widerstand 20 und auf der Oberfläche des Bereichs einen elektrischen Strom, dessen Stärke der
Dichte der Ladungen (also P) proportional ist und in Richtung des Pfeils G in dem Widerstand 20 fließt. Würde andererseits
ein Bereich, etwa 3Qa, bleuchtet, indem eine "1" eingeschrieben ist, so befänden sich die positiven Ladungen in der Schicht 16
und die negativen Ladungen in der Schicht 15, so daß in dem
Widerstand 20 ein Strom in entgegengesetzter Richtung des Pfeils G flosse. Es reicht also aus, das Vorhandensein eines
Stroms und vor allem die Richtung desselben in dem Widerstand 20 oder vielmehr in dem diesen Widerstand aufweisenden elektrischen
ilrsis festzustellen, indem beispielsweise ein Galvanometer
oder ein elektronischer Verstärker mit dem Widerstand 20 in Reihe geschaltet wird, um zu bestimmen, ob sich der Laserstrahl
über einem Bereich befindet, in dem eine "1" oder aber eine "0" eingeschrieben ist.
Das Lesen erfolgt also im Prinzip ohne Anwendung eines elektrischen
Felds, so daß, auch bei wiederholtem Lesen, jegliche Änderung der Polarisationsrichtung der gelesenen Bereiche vermieden
wird; das Lesen ist also nicht zerstörend.
Je geringer der Widerstand 20 ist, desto schneller ist das Ansprechen,
so daß infolge dessen ein entsprechend schnelles Überstreichen der aufeinanderfolgenden Bereiche durch den Laser-
209885/1034
strahl· ermöglicht ist, doch wird dann das Lesesignal schwächer.
Als Lösung wird ein Mittelweg gewählt, in dem ein Widerstand
von etwa 1000 Ohm verwendet wird.
Weiterhin ist gefunden worden, daß, zumindest beim Glykokollsul:-:
fat, das Lesesignal (siehe Pig. 10) zusätzlich zu den normalen,
einer "1" entsprechenden Impulsen 31.j Spitzen 32-j und 32g aufweist, welche die Empfindlichkeit erheblich steigern. Die Ursache
für diese Spitzen ist bislang nicht vollständig geklärt, aber es scheint, daß das durch diese Spitzen repräsentierte
zusätzliche Signal einem reversiblen Umkippen der Bereiche unter der Wirkung der Beleuchtung durch den Lichtpunkt 24 eines
Lasers entspricht. Unter bestimmten Bedingungen gestatten es die Spitzen 32, die Intensität des Lesesignals auf das Zehnfache
zu verstärken, wenn der Lichtpunkt 24 genügend stark ist.
Dies erlaubt es, bei derselben Empfindlichkeit des Lesens, den Widerstand 20 zu reduzieren und infolgedessen die Geschwindigkeit
des Überstreichens beim Lesen zu erhöhen9 was einen wertvollen
Zeitgewinn bedeutet. Auf diese Weise ist das Lesen mit
einer Geschwindigkeit von einigen Mikrosekunden pro bit erreicht
worden.
In Pig. 11 ist das Plättchen 11 mit seiner oberen Schicht 15
in der Draufsicht dargestellt, um die Anordnung der verschiedenen Bereiche 30 zu verdeutlichen«, welche eine rechtwinklige Matrix
aus Speicherpunkten oder -zellen bilden. Jede Zelle ist
durch die Größe des Lichtpunkts 24 bestimmt, die beispielsweise
im Bereich von 10 μΐη im Durchmesser liegen kann (zur Vereinfachung
der Darstellung sind die Bereiche als quadratische,,
nicht als kreisförmige Ausschnitte dargestellt). Bei einem Ausführungsbeispiel besaßen die einzeln umklappbaren Elementarbereiche
Ausschnitte dieser Größenordnung (10 μπι im Durchmesser),
ohne daß zwischen benachbarten Bereichen derselben Ablenkzeile ader den folgenden Zeilen gegenseitige Beeinflussungen auftraten. Dann lassen sich in einem Plättchen von 50 χ 50 _mm ausnutzbarer
Oberfläche 5000 χ 5000 = 25 000 000 bits speichern,
209885/1034
wobei anstelle der 5000 + 5000 = 10 000 Leiter B und C, die
bei einem in Pig. 1 dargestellten Matrizenspeicher bekannter Bauart erforderlich wären, nur die beiden durch die Schichten
15 und 16 gebildeten Elektroden vorhanden sind.
Das Überstreichen erfolgt längs den Zeilen 34, wobei der Lichtpunkt
24 des Lasers sukzessive auf die verschiedenen Zellen derselben Zeile auftritt. Am Ende jeder Zeile beginnt anschließend
das Überstreichen der folgenden Zeile, und zwar entweder in der gleichen Richtung oder in der entgegengesetzten
Richtung.
Der erfindungsgemäß ausgestaltete ferroelektrische Speicher
weist eine Reihe von Vorteilen auf, insbesondere:
- die Einfachheit der Ausführung, da nur zwei Elektroden zum Einsatz kommen;
- die große Speicherkapazität, da eine erhöhte Dichte der Ein-
6
schreib- und Lesezellen pro cm vorliegt;
schreib- und Lesezellen pro cm vorliegt;
- eine extreme Einfachheit des Schreibens und des Lesens, da lediglich das Überstreichen mittels eines gebündelten Laserstrahls
und das Schalten einer Spannungsquelle oder eines Widerstands, der mit einer Einrichtung zum Peststellen der
Richtung eines in demselben Widerstand fließenden Stroms verbunden ist, zwischen die beiden Elektroden erforderlich ist;
- die Möglichkeit eines schnellen Löschens des gesamten Speichers;
- die Möglichkeit, den Speicher ohne Inf orniationsverlust sehr oft zu lesen, was bedeutet, daß der Speicher sicher ist;
- die hohe Lesegeschwindigkeit, die einige Mikrosekunden pro
bit erreichen kann.
Der erfindungsgemäße Speicher kann nicht nur als schneller Speicher in einem Elektronenrechner oder einer Pernsprechvermittlungszentrale
dienen, sondern gleichermaßen in anderen Daten-oder Informationsverarbeitungsanlagen sowie für die Anzeige·
209885/103/.
oder Darstellung von Informationen in numerischer oder graphischer
Form Verwendung finden. Der erfindungsgemäße Speicher kann ebenfalls beim Setzen in Druckereien verwendet werden. ,
209885/1G 3
Claims (9)
- PatentansprücheFerroelektrischer Speicher, gekennzeichnet durch ein dünnes Plättchen aus einen ferroelektrischen Material, das senkrecht zu seiner ferroelektrischen Achse zugeschnitten und auf seinen beiden, zu dieser Achse senkrechten großen Oberflächen metallisiert ist, durch eine Einrichtung, die zwischen diese beiden Oberflächen wahlweise eine erste oder eine zweite Potentialdifferenz verschiedenen Betrags und entgegengesetzter Richtung anlegt, durch einen zwischen die beiden metallisierten Oberflächen des Plättchens schaltbaren Belastungswiderstand, durch eine Einrichtung, die den Lichtpunkt eines Laserstrahls gewünschter Intensität auf die eine der beiden metallisierten Oberflächen des Plättchens bündelt, wobei diese Oberfläche aktiv ist und mit dem Lichtpunkt diese aktive Oberfläche des Plättchens überstreicht, wobei der Strahl sowohl zum Einschreiben wie zum Lesen von Informationen des Speichers vorgesehen ist, und durch eine Einrichtung, die das Fließen und die Richtung des Fließens eines Stroms in dem Widerstand feststellt, wenn dieser zwischen die beiden Oberflächen geschaltet ist.
- 2. Perroelektrischer Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Potentialdifferenz, die eine der Richtung der ersten Potentialdifferenz entgegengesetzte Richtung aufweist, einen Betrag besitzt, der etwas niedriger als der einem Koezitivfeld entsprechende Betrag ist, bei welchem die Polarisationen der Bereiche des Plättchen^ umkippen wurden, und daß die Intensität der auf einen Bereich gebündelten Laserstrahlung bei Anliegen der zweiten Potentialdifferenz das Koerzitivfeld bis zum Umklappen der Polarisation des beleuchteten Bereichs vermindert.209885/10342235963
- 3. Ferroelektrischer Speicher nach. Anspruch 1 oder 2, dadurc-h gekennzeichnet, daß das Plättchen aus GlykokoHsulfat besteht.
- 4. Ferroelektriseher Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch getennzeichnet, daß zur Ablenkung des Lichtpunkts des Laserstrahls zwei Prismen vorgesehen sind, bei denen der Kerr-Effekt oder der Pockels-Effekt ausgenutzt wird. ..-.-... . -'.S.Z..:. .
- 5. .Ferroelektrischer^Speicher nach einem der vorangehendenAnsprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Plättchen eine Dicke in der Größenordnung von einigen 10.pm besitzt, das die Metallschicht auf der aktiven Fläche mehrere 1000 Angström und die andere Metallschicht mehrere pm dick ist.
- 6. Ferroelektrischer Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Potentialdifferenz einen Betrag besitzt, der zur Polarisation aller Bereiche des Plättchens in die gleiche Richtung ausreicht, wenn sie zwischen die beiden Flächen geschaltet ist.
- 7. Perroelektrischer Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Potentialdifferenz in der Größenordnung von 500 V/10tel mm Dicke des Plättchens liegt, und daß die zweite Potentialdifferenz in der Größenordnung von 50 V/10tel mm Dicke des Plättchens liegt.
- 8. Perroelektrischer Speicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Widerstand in der Größenordnung von 1000 Ohm liegt.-
- 9. Verfahren zum Betrieb des ferroelektrischen Speichers nach Anspruch 1 für das Einschreiben und das Lesen von Infor-209885/103 4mationen in Form von Binärziffern 0 oder 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die metallisierten Oberflächen die erste Potentialdifferenz, deren Betrag am höchsten ist, angelegt wird, so daß alle ferroelektrischen Bereiche des Plättchens in derselben Richtung polarisiert werden, daß für das Einschreiben einer der beiden Binärziffern einer-, seits die zweite Potentialdifferenz, deren Richtung der der ersten entgegengesetzt ist, zwischen die metallisierten Oberflächen angelegt wird, und andererseits der Lichtpunkt des Laserstrahls auf den Punkt oder die Speicherzelle der aktiven Oberfläche gerichtet wird, auf die das Einschreiben der Binärziffer erfolgen soll, so daß der unter dem Punkt liegende ferroelektrische Bereich zum Umkippen aus seiner vorherigen Polarisationsrichtung in die entgegengesetzte Polarisationsrichtung gebracht wird, und daß für das Lesen einerseits der Laserstrahl auf den zu lesenden Punkt oder dde zu lesende Zelle gerichtet wird, und andererseits der Widerstand zwischen die beiden metallisierten Oberflächen geschaltet wird, so daß ein Strom durch den Widerstand hindurchfließt, wobei die Richtung des Stroms, die von der Polarisationsrichtung des unter dem Lichtpunkt liegenden ferroelektrischen Bereichs abhängt, die auf den Punkt eingeschriebene Binärziffer anzeigt, und wobei das Lesen durch eine Einrichtung ausgeführt wird, die das Fließen und die Richtung des Fließens des Stroms feststellt.209885/ 1034Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7127044A FR2146903B1 (de) | 1971-07-23 | 1971-07-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2235969A1 true DE2235969A1 (de) | 1973-02-01 |
Family
ID=9080819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2235969A Pending DE2235969A1 (de) | 1971-07-23 | 1972-07-21 | Ferroelektrischer speicher und verfahren zu seinem betrieb |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3820088A (de) |
JP (1) | JPS4919739A (de) |
DE (1) | DE2235969A1 (de) |
FR (1) | FR2146903B1 (de) |
GB (1) | GB1339094A (de) |
NL (1) | NL7210149A (de) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3930240A (en) * | 1971-07-23 | 1975-12-30 | Anvar | Ferroelectric memories and method of activating the same |
AU499874B2 (en) * | 1974-12-16 | 1979-05-03 | Photovoltaic Ceramic Corp | Ferroelelctric ceramic photovoltaic memory |
US4418401A (en) * | 1982-12-29 | 1983-11-29 | Ibm Corporation | Latent image ram cell |
JPS6097446U (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | アイシン精機株式会社 | V−ベルト |
FR2591014A1 (fr) * | 1985-11-29 | 1987-06-05 | Thomson Csf | Dispositif d'enregistrement-lecture d'informations, son procede d'enregistrement; lecture et systeme d'enregistrement; lecture mettant en oeuvre ce dispositif et ce procede. |
US5434811A (en) * | 1987-11-19 | 1995-07-18 | National Semiconductor Corporation | Non-destructive read ferroelectric based memory circuit |
US5262982A (en) * | 1991-07-18 | 1993-11-16 | National Semiconductor Corporation | Nondestructive reading of a ferroelectric capacitor |
US5504699A (en) * | 1994-04-08 | 1996-04-02 | Goller; Stuart E. | Nonvolatile magnetic analog memory |
DE102017124839A1 (de) * | 2017-10-24 | 2019-04-25 | Westfälische Wilhelms-Universität Münster | Herstellung ferroelektrischer Domänen |
-
1971
- 1971-07-23 FR FR7127044A patent/FR2146903B1/fr not_active Expired
-
1972
- 1972-07-20 US US00273531A patent/US3820088A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-07-20 GB GB3406072A patent/GB1339094A/en not_active Expired
- 1972-07-21 NL NL7210149A patent/NL7210149A/xx not_active Application Discontinuation
- 1972-07-21 DE DE2235969A patent/DE2235969A1/de active Pending
- 1972-07-22 JP JP47073780A patent/JPS4919739A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS4919739A (de) | 1974-02-21 |
FR2146903B1 (de) | 1978-06-02 |
GB1339094A (en) | 1973-11-28 |
FR2146903A1 (de) | 1973-03-09 |
NL7210149A (de) | 1973-01-25 |
US3820088A (en) | 1974-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69824293T2 (de) | Ferroelektrische datenverarbeitungsanordnung | |
DE60109472T2 (de) | Verfahren zur durchführung von schreib- und leseoperationen in einem passiven matrix-speicher und vorrichtung zur durchführung des verfahrens | |
DE2050715A1 (de) | Elektronisch optischer Speicher | |
DE2037676A1 (de) | Anzeigeschirm mit einer Flüssigkristallschicht sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2235969A1 (de) | Ferroelektrischer speicher und verfahren zu seinem betrieb | |
DE1937842A1 (de) | Bistabiler optischer Schalter | |
DE2502321A1 (de) | Verfahren zum aufzeichnen eines analogsignals und ferroelektrischer speicher zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE2347388A1 (de) | Dreidimensionaler, optischer, assoziativer speicher | |
DE60207006T2 (de) | Magneto-resistiver Film und Speicher mit diesem Film | |
DE2234756C3 (de) | Optische Raummodulator-Einrichtung | |
DE10118196C2 (de) | Verfahren zum Betrieb einer MRAM-Halbleiterspeicheranordnung | |
DE1474394A1 (de) | Magnetische Datenspeicheranordnung | |
DE1132749B (de) | Ferroelektrische Matrix | |
DE1207437B (de) | Verfahren und Anordnung zum Lesen einer in einem Kondensator mit ferroelektrischem Dielektrikum gespeicherten Information | |
DE1524886A1 (de) | Assoziativspeicher mit Duennschichtelementen | |
DE1774861B2 (de) | Speicheranordnung mit mindestens einem magnetischen film element | |
DE2329644A1 (de) | Speichersystem unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen zur datendarstellung | |
DE2001670A1 (de) | Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher | |
DE2547106A1 (de) | Dielektrisches matrixbauelement | |
DE2065737C3 (de) | Vorrichtung mit einer elektronischen Schaltung und mit einem Flüssigkristallelement | |
DE1296672B (de) | Verfahren zum Speichern von Informationen in anisotropen Magnetschichtspeicherzellen | |
DE2009560C3 (de) | Anordnung zum Einschreiben und nichtlöschenden Auslesen von Bits in bzw. aus magnetischen Speicherelementen eines oligatomischen Filmes von uniaxialer Anisotropie | |
DE2529150B2 (de) | Verfahren zum speichern von blasendomaenen in einem duennen, ferromagnetischen film und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE1239733B (de) | Verfahren und Anordnung zum zerstoerungsfreien Lesen binaerer Informationen | |
DE1499676C (de) | Magnetisches Dünnschicht Speicher element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHA | Expiration of time for request for examination |