DE2001670A1

DE2001670A1 - Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher

Info

Publication number: DE2001670A1
Application number: DE19702001670
Authority: DE
Inventors: Greiner James Henry; Fan George Jee Yuan
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1969-01-15
Filing date: 1970-01-15
Publication date: 1970-07-30
Also published as: GB1234346A; FR2028355A1; US3643233A

Description

ΪΒΜ OBUtSChlond Internationale Büro-Maschinen Geselltcha/t mbH ■'·- '-

BÖblIngen, 12. Januar 197Ο pr/du

Anmelderin: International Business Machines

I' - -. \, :■'. Corporation", Armonk,; N.Y₁. 10504

Amtl. Aktenzeichen: Neuanmeldung

Aktenzeichen der Anmelderin: Docket YO 968 063

Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher

Die Erfindung betrifft einen dreidimensionalen optischen Festwertspeicher mit durch parallel und antiparallel orientierte Bereiche dargestellten Informationen.

Bei den bekannten: optischen Speichern ist die Information auf | einer in einer einzigen Ebene liegenden Schicht aufgezeichnet, die mit Hilfe eines sie durchsetzenden oder an ihr reflektierten linear polarisierten Lichtstrahls ausgelesen wird. Derartige Anordnungen werden beispielsweise ίη den US-Patentschriften 2 928 075 und 3 104 377 beschrieben.

Da trotz der bei optischen Speichern möglichen hohen Aufzeichnungsdichte die in einer einzigen Speicherebene unterzubringende Informationsmenge für viele Anwendungen nicht ausreichend ist,

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konnten sich diese Speicher in der Praxis nur in geringem Umfang durchsetzen. Bei anderen Speichern gemachte Versuche, die Information auf einer Vielzahl von hintereinander stapeiförmig angeordneten Aufzeichnungsträgern unterzubringen und diese Aufzeichnungsträger vor dem Auslesen mechanisch aus dem Stapel zu entnehmen, können bei optischen Speichern wegen des mit der mechanischen Entnahme einer Speicherfläche verbundenen Zeitverluste nicht berücksichtigt werden.

Die Erfindung geht von der Aufgabenstellung aus, einen dreidimensionalen optischen Festwertspeicher anzugeben, bei dem die Information in einer Vielzahl von hintereinanderliegenden Speicherebenen angeordnet ist und bei der das Auslesen der Information ohne einer mechanischen Bewegung der die einzelnen Speicherebenen darstellenden Aufzeichnungsträger möglich ist.

Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch einen dreidimensionalen optischen Festwertspeicher mit durch parallel und antiparallol orientierte Bereiche dargestellten Informationen gelöst, der gekennzeichnet ist durch mehrere im Verlauf einer polarisierten Strahlung angeordnete, die einzelnen Speicherebenen bildende strahlungsdurchlässige plattenförmige Elemente, die mit Mitteln zum Anlegen eines die Auswahl der betreffenden Speicherebene durch reversibles Auslenken der Orientierung der die gespeicherten Informationen darstellenden Bereiche bewirkenden Feldes versehen sind, einen dahinter angeordneten Analysator und einen am Ausgang des Analysators liegenden, aus matrixförmig angeordneten Lichtsensoren bestehenden optisch-elektrischer Wandler zur Umwandlung der im Bereich der einzelnen Speicherplätze durch örtliche Veränderung der Polarisationsrichtung auftretenden Intensitätsänderungen der Strahlung in elektrischen Impulse.

Eine besonders vorteilhafte Weiterbildung des Erfindungsgedankens Ist gekennzeichnet durch eine nachgeschaitote logische Schaltung zur Berücksichtigung der durch jede hinter der jeweils angesteuerten

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«■»-. ο. ■ ■«.

Speicherplatte liegende um^gejtguer.te S Änderung des der Strahlung blifij ^urqhtrifcj: Platt© örtlich ein^egräjtgn lRfgy|ti|t

Eine, weitere besonders

einer foestiitunten Sp,ei

pensatiQii der dprph |ej|e

Änderung-des Injormatippfinh^l^gg. der dgn Spe,ipligf strahlung fe^i 6epQiii?§pte,p ||||:te,n_:

Richtungen hafeep, t

ist dädvr-Ql> geHerinz^iq^netf d^aß dfg i?l ^ii?^er ppsis^pi-pl^te, die binären Werte Q und I arigebendeiv Ridhtung^l} der¹ Q?ientierungen der einzelnen pergiqhie zyeqks ^pfflp^psatipni dgr durph jede niqhtangesteuerte Spelq^erplatte b§^4-fHtgn Knderung de? Jnformatipnginhalte! de£ (|en S|?§iqlief i^rpljpgtggnjen gtrahlung in ben.aqhbarten Speiqherplattßn

iline' weiter^ ^ytej|l^§ftg AujbildungsfQria dei Erfirj^n ist dadurqji ||H.f pn|j||.g^|t »■, daß die pipke der Speipherplat

der zu b^einflvipfgr||4gf} ß^rahlung 1st. AuJ diese ^eise kanp ^ gsstellt vrerden, i|^.(|^ I^ Spe.ipheppiatte verla§s^n3e strahlung. linear polarisiert 4at·.

der Erfindung kapjn die ^nstewefung de.i: ^Ti§zji^ählerid($n Speiqherplatten durqh elektiri-sche oder djirqh in^gi|etißphe Felder erfolgen. Auqheine 36ο1η£1μδρμη3 ^rqh ineqh^nische Spannjing^n ist möglich*

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Eine besonders vorteilhafte Ausbildungsform des Erfindungsgedankens ist schließlich dadurch gekennzeichnet, daß die die Auswahl einer Speicherplatte bewirkenden Felder oder Kräfte senkrecht zur Orientierung der diesen einzelnen' Speicherplätzen zugeordneten Bereiche verlaufen.

Die Erfindung wird anschließend anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 Die schematische Darstellung eines dreidimensiofe nalen optischen Festwertspeichers gemäß der Er

findung,

Flgn. 2A + 2B die schematische Darstellung der Speicherung eines

binären Bits durch parallel und antiparallel ausgerichtete Domänen in einer ferroelektrischen ebenen Schicht,

Flg. 3 die schematische Darstellung der Beziehung zwischen

den polaren Achsen und den angelegten Feldern,

Fig. 4 die schematische Darstellung der Vorgänge beim

Auslesen eines ferroelektrische Speicherplatten P verwendenden dreidimensionalen Speichers,

Fign. 5A + 5B die schematische Darstellung der Beeinflussung

einer linear polarisierten Strahlung beim Durchgang durch einen eine einzige angesteuerte Speicherplatte enthaltenden Speicherplattenstapel.

Der.in Fig. 1 dargestelltedreidimensionale Speicher besteht aus einem Stapel von Speicherebenen 4, die jeweils aus einem flachen Bariumtitanat (BaTiO^)-Kristall mit an gegenüberliegenden Kanten angeordneten Elektroden 8 und IO bestehen. Diese Elektroden be~ stehen beispielsweise aus dünnen Schichten aus Gold/ Platin oder Kupfer, die durch Aufdampfen oder Sedimentieren auf den Kristall-

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flächen aufgebracht werden, Difi Elektroden sind so geformt;,, daß sie bei Anlegen einer geeigneten Spannung über den ganzen Bereich der ihnen zugeordneten Speicherebene,einmöglichst homogenes elektrisches Feld erzeugen. Sie sind über Leitungen 12 und Schalter 18 mit einem Impulsgenerator 16 verbunden und über Leitungen 14 geerdet. Durch Betätigung der Schalter .18, die symbolisch ein Schaltnetzwerk andeuten, können einzelne Kristalle 6 selektiv angesteuert werden. Die von einer beispielsweise als: Laser ausgebildeten Lichtquelle 20ausgehende .Strahlung '.wird- in".einer Linse 22 parallel gerichtet und in einem'Polarisator 26 linear polari-' siert lim anschließend den gesamten, aus den Speicherebenen 4 I

•bestehenden Stapel zu durchsetzen. Am Ausgang dieses Stapels ist ein Analysator 28 und ein als optisch-elektrischer Wandler dienender DetrrKtor 30 angeordnet. Der Detektor 30 besteht aus in Matrixfv^rm angeordneten Photodioden, wobei für jeden Speicher*-: platz einer Speicherebene 4 jeweils eine Diode vorgesehen ist. Der Aufnahmebereich jeder Photodiode und die Abstände zwischen den einzelnen Photodioden sind unter Berücksichtigung der Größe der Domänen des BaTiO- Kristalls bemessen. Die Dicke einer Kristall- : platte 6 kann zwischen 0,00001 cm und 0,01 cm liegen. Für Plattendicken zwischen 0,001 cm und 0,1 cm liegt die Größe der Domänen

eines BaTiO₃ Kristalls in der Größenordnung von 10 cm. Diese sehr dünnen, eine Speicherebene bildenden Speichermaterialschichten | können, falls erforderlich, auf einem Träger -angeordnet werden.

^: ■■■ "■ 2 Jedes der Kristalle 6 hat eine Oberfläche von·.-1 cm und kann mit Hilfe von nicht dargestellten Stiften und Schlitzen im Stapel festigt werden. In jedem der Kristalle 6 . können binäre Informationen durch die Erzeugung antiparalleler Domänen eingeschrieben werden, wobei einer Richtung der Domänen eine, binäre "1" und der entgegengesetzten Richtung eine binäre "0" zugeordnet wird» Das Einschreiben der antiparallelen Domänen ist nicht Gegenstand der Erfindung, Ein geeignetes Verfahren wird beispielsweise in dem Aufsatz "A Proposed Beam-Addressable Memory" von CD. Mee und G.J. Fan, in IEEE Transactions on Magnetics, Vol.MAG 3-No.l, Marnh 1957,

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"* 6 — ■
Seiten 72 bis 76 beschrieben.

Anhand der Fign. 2 und 3 wird erläutert, weshalb ein linear polarisierter Lichtstrahl beim Durchsetzen einer nichtangesteuerten, d.h. einer keinen elektrischen Feld ausgesetzen Speicherplatte 6 unbeeinflußt bleibt und beim Durchsetzen einer angesteuerten Speicherplatte 6 räumlich moduliert wird, so daß die im Kristall gespeicherten Informationen durch den Detektor 30 in elektrische Signale umgewandelt werden. Die Abbildung 2A zeigt zwei benachbarte Domänen, deren durch die Pfeile 32 und 34 dargestellten polafc reh Achsen in der Ebene des Kristalls 6 liegen. Es sei, wie in Fig. 3 dargestellt/ angenommen, daß die X-Y-Ebene des Kristalls die Speicherebene ist und daß die die binären Informationen darstellenden Orientierungen parallel z"ur X-Achse liegen. Derartige Domäner, werden als "a"-Domänen bezeichnet und liegen in der Kristallebene. Es sei ferner angenommen, daß eine Domäne mit einer auf die Y-Achse weisenden polaren Achse 32 eine binäre "1^M und eine Domäne mit einer von der Y-Achse wegweisenden polaren Achse 34 eine binäre "O" darstellt. Das polarisierte, zum Auslesen der Speicherebenen 4 dienende Licht verläuft parallel zur Z-Achse und senkrecht zu allen Speicherebenen 4 de3 Speicherstapels.

^ Wird ein elektrisches Feld E oder eine mechanische Spannung in * der Ebene des Kristalls 6 senkrecht zur Richtung der "a"-Domänen zur Wirkung gebracht, so werden die polaren Achsen der Domänen gestört, so daß die durch die Pfexle angedeuteten polaren Achsen 32 und 34 in Richtung des angelegten Feldes oder der angelegten mechanischen Spannung gedreht werden. Die Größe des angelegten Feldes oder der angelegten mechanischen Spannung ist so gewählt, daß die polaren Achsen um einen vorgegebenen Winkel abgelenkt aber nicht vollständig gedreht werden, so daß sie nach Wegnahme des Feldes ihre ursprüngliche Lage wieder einnehmen. Verläuft das polarisierte Licht in Richtung der Z-Achse durch den zwischen zwei mit sich kreuzenden Durchlaßrichtungen angeordneten PoIarieatoren liegenden Speicherstapel, so bewirken rntiparallnle Domänen die gleiche Extinktion. Das hat zur Folge, daß im Bereich

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der Photodioden des Detektors 30 kein Unterschied zwischen einer

binären "1" und einer binären "O" festgestellt werden kann. Wird jedoch ein elektrisches Feld E in Richtung der Y-Achse angeregt, so werden die Extlnktionslagen-'der antiparallelen Domänen verschieden und diese Unterschiede können durch die Photodioden des Detektors 30 festgestellt werden.

Dieser Vorgang wird anhand der Fig. 4 erläutert. Es sei zunächst angenommen, daß die Lage der Polarisationsebene des den Polarisator 26 verlassenden Strahles und die polaren Achsen der die -· einzelnen Bits darstellenden Speicherplätze in jeder einzelnen Speicherplatte parallel zueinander liegen. In diesem Fall wird der den Speicherstapel durchsetzende, linear polarisierte' Lichtstrahl 24.mit Ausnahme von Reflexions- und Absorptionsverlusten nicht beeinflußt. Der Analysator 28, dessen Durchlaßrichtung senkrecht zur Durchlaßrichtung des Polarisators 26 liegt, läßt eine Strahlung durch, die über ihren ganzen Querschnitt gleichmäßig gedämpft ist* Im Bereich des Detektors 30 kann daher zwischen einer binären "1" und einer binären "O" nicht unterschieden werden« Wird an eine der Spefcherebenettmit Hilfe der ihr zugeordneten Elektroden 8 und 10 ein Spannungsimpuls gelegt, so bewirkt das kurzzeitig auftretende elektrisehe Feld eine Störung bzw. Auslenkung der Domänen dieser ÖpejL^erebetie, Wird | eine einzige Speicherebene erregt, so ist der Zustand cles die Ebene des,gestörten doppelbrechenden Materials verlassenden Lichtes abhängig von; . <

a) Der Richtung dear polaren Achsen in Bezug auf die Richtung der Polarisationsebene und

b) der optischen Weglängendifferenz zwischen der parallel und der senkrecht zur polaren Achse polarisierten Komponenten*

Im allgemeinen fall ist das aus einer angesteuerten Platte austretende Licht eilij[jtlach polarisiert, wobei die Ellipse in Richtung auf die polare Achse gedreht ist. Die Lage der Ellipse

des auf den Analysator 28 auffallenden elliptisch polarisierten Lichtes hängt von-· der Weglängendifferenz in den der erregten Platte folgenden nicht erregten Platten ab. Ist die Dicke jeder der Platten 6 so bemessen, daß die Phasendifferenz zwischen einer parallel zur polaren Achse und einer, senkrecht zur polaren Achse polarisierten Komponente ρ · A. /2 ist, wobei ρ eine ungerade Zahl und A. die Wellenlänge des polarisierten Lichtes ist, dann ist das von dieser Platte austretende Licht linear polarisiert. D.h., daß bei einer geeigneten Dicke des ferroelektrischen Materials, die Geschwindigkeit der horizontal und vertikal polarisierten Komponenten des polarisierten Lichtes im Material im wesentlichen P gleich gemacht werden kann, so daß der Strahl linear polarisiert austrittj

Aus Fic-, 5 ist die Wirkung von unerregten Platten 6 auf das aus einer erregten Platte austretende Licht ersichtlich. Die Wirkung einer aus ferroelektrischem Material, beispielsweise aus BaTiO, bestehenden Platte mit durch antiparallel ausgerichteten Domänen dargestellten binären Vierten auf eine linear polarisierte Strahlung ist gleich der Wirkung eines einachsigen, parallel zu seiner optischen Achse geschnittenen Kristalls. Die optische Achse ist dabei parallel zur polaren Achse. In den Darstellungen nach Fig. 5 verläuft der abfragende Lichtstrahl 24 senkrecht zur fc Speicherebene und tritt aus einer nicht erregten Speicherebene linear polarisiert auf.

In den Fign. 4 und 5 ist ein aug fünf Speicherebenen bestehender Stapel wiedergegeben, in dem die dritte Speicherebene durch Anlegung eines mit der polaren Achse einen rechten Winkel einschließenden elektrischen Feldes E erregt ist. Dabei wird die polare Achse einer eine binäre "I" darstellenden Domäne ebenso wie die polare Achse einer feine binäre "O" darstellenden Domäne um einen Winkel θ credreht. Die Richtung der Drehungen ist aus den Fign. 5A und 5B ersichtlich. Die ursprüngliche Richtung der Polarisationsebene des linear polarisierten Strahls 24 wird beim

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Eintritt in eine eine binäre "i" enthaltende erregte Speicherebene 4 um einen Winkel θ gedreht, so-daß der gedrehte polarisierte Strahl eine parallel zur polaren Achse und eine senkrecht zur-polaren Achse verlaufende ^Komponente hat. Verläßt der polarisierte Strahl die erregte Speicherebene, so wird bei geeigneter Wahl der Dicke der Speicherplatte,die Polarisationsebene um einen weiteren Winkel Θ in Richtung des Uhrzeigersinnes gedreht. Durchsetzt 'der Strahl jedoch eine eine binäre "O" enthaltende Domäne einer Speicherplatte, so wird seine Polarisationsebene um einen Winkel von 2Θ im entgegengesetzten Uhrzeigersinne gedreht. Beim Durchtritt weiterer nicht erregter Speicherplatten wird die PoIa- * risatibrisebene des Strahles 24 jeweils um einen Winkel von 2Θ in Bezug auf die polare Achse gedreht.

Wie au? Fig. 4 -ersichtlich,schließt die Durchlaßrichtung des Analysator s 28 mit der Richtung der polaren Achse einen Winkel von 2 0 ein, so daß zwischen einer gespeicherten binären "1" und einer gespeicherten binären "0" unterschieden werden kann. Bei der beschriebenen Anordnung tritt eine Schwierigkeit dadurch auf, daß die Polarisationsebene des eine erregte Speicherebene 4 verlassenden Strahles von den nachfolgenden nicht erregten Speicherebenen abwechselnd im.Uhrzeigersinn und entgegen dem Uhrzeigersinn, d.h. in eine eine binäre ¹¹I" und in eine eine „

binäre "0" darstellende Lage gedreht wird. Liegen beispiels- '

weise 10 oder eine andere geradzahlige Anzahl von Speicherebenen 4 in einem Stapel, so wird bei Erregung einer geradzahligen Speicherebene eine gespeicherte binäre "1" im Bereich des Detektors 30 als eine entgegen dem Uhrzeigersinn erfolgende Drehung der Polarisationsebene des abfragenden Strahles wirksam, während eine in der gleichen Ebenegespeicherte binäre "0" Im Bereichdes Detektors 30 eine im Uhrzeigersinn erfolgende Drehung zur Folge hat.' Wird eine Speicherebene mit einer ungeradzahligen Ordnungszahl erregt, so bewirkt eine in dieser Ebene gespeicherte binäre "lⁿ im Bereich des Detektors 30 eine im Uhrzeigersinn erfolgende Drehung, während *»ine in der gleichen Ebene gespeicherte binäre "0* eine entgegen dem Uhrzeigersinn erfolgende Drehung der PoIa-

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risationsebene des Strahles 24 zur Folge hat. Diese Schwierigkeit kann durch eine dem Adressenteil des Speichers zugeordnete logische - Schaltung behoben werden/ die bewirkt, daß der Detektor 30 bei . Erregung einer Speicherebene mit einer ungeradzahligen Ordnungszahl angibt, ob das durch den Analysator 28 durchtretende Licht als eine binäre "1" oder als eine binäre "O" zu werten ist. Derartige Anordnungen werden nicht dargestellt, da sie bekannt sind und somit keinen Gegenstand der Erfindung darstellen.

Die Speicherebenen können auch aus magnetooptischem Material, beispielsweise aus Europiumoxyd bestehen, in dem die binären

™ Daten durch gespeicherte magnetische Domänen dargestellt sind. Die Erregung erfolgt in diesem Fall nicht durch ein elektrisches, sondern cfurch ein magnetisches, im Bereich der ausgewählten Ebene wirksam werdendes Feld. Antiparallele ferroelektrische Domänen können auch senkrecht zu einer Speicherebene 4, d.h. in einer c-Domänen-Platte gespeichert werden. In einer nicht erregten Speicherplatte beeinflussen diese antiparallelen Domänen den abfragenden Lichtstrahl nicht. Bei Anlegung eines elektrischen Feldes oder einer mechanischen Spannung an eine in einem Stapel befindliche Speicherplatte können diese antiparallelen Domänen jedoch durch den Detektor 30 festgestellt werden. Das elektrische Feld oder die mechanische Spannung kann so angeregt werden, daß

P auf die antiparallelen Domänen entgegengesetzt gerichtete Drehmomente einwirken oder daß nur eine der antiparallelen Domänen gedreht wird. Das kann beispielsweise durch ein senkrecht zur Speicherebene 4 mittels durchsichtiger Elektroden angelegtes Feld erfolgen» In jedem Fall erfolgt das Auslesen ohne Zerstörung der gespeicherten Information, da das angelegte störende Feld nicht groß genug ist_f. die Polarisation irreversibel zu drehen.

In einer Speicherebene mit einer Oberfläche von einem cm und einer Dicke von 0,01 cm können Domänen mit einer Breite von wenigen Mikron gespeichert werden, so daß 10 Informationsbits in einer Speicherebene untergebracht werden können«.In einen aus 100 ferro-

elektrischen Platten bestehenden. Speicherstapel können somit 10

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Informatiorisbits in einen Raum von 1 ecm gespeichert werden. Zur Ansteuerung der einzelnen Speicherebenen sind dabei nicht mehr als.100 Paare von Leitungen 12 und 14 erforderlich.

VO Q-CSX

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Claims

PATENTANSPRÜCHE

/Iv Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher mit durch parallel und antiparallel orientierte Bereiche dargestellten Informationen, gekennzeichnet durch mehrere im Verlauf einer polarisierten Strahlung (24) angeordnete, die einzelnen Speicherebenen (4) bildende strahlungsdurchlässige plattenförmige Elemente, die mit Mitteln (8, 10, 12, 14) zum Anlegen eines die Auswahl der be-

^ treffenden Speicherebene (4) durch reversibles Auslenken

■ ■ der Orientierung der die gespeicherten Informationen darstellenden Bereiche bewirkenden Feldes versehen sind, einen dahinter angeordneten Analysator (28) und einen am Ausgang rtüs Analysators liegenden, auf matrixförmig angeordneten öichtsensoren bestehenden optisch-elektrischen Wandler (30) zur Umwandlung der im Bereich der einzelnen Speicherplätze durch örtliche Veränderung der Polarisationsrichtung auftretenden Intensitätsänderungen der Strahlung in elektrische Impulse. .

2. Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine den optisch-elektrischen

ψ Wandlei- (3G) nachgeschaltete logische Schaltung zur Berück

sichtigung der durch jede hinter der jeweils angesteuerten Speicherplatte liegende unangesteuerte Speicherplatte erfolgende Änderung des der Strahlung beim Durchtritt durch die angesteuerte Platte örtlich eingeprägten Informationsinhaltes .

3. Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die die Auswahl einer bestimmten Speicherplatte (6) bewirkenden Felder oder mechanischen Spanmingen zwecks Kompensation der durch jede nicht angtiöccuerte Speicherplatte bewirkten Änderung des Informationsinhaitee der den Speicher durchsetzendem Strahlung bei benachbarten Platten jeweils entgegenge-

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setzte Richtungen habenc ']

4.. Dreidimensionaler Festwertspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die in einer Speicherplatte (6J die binären Werte "O* und "Γ angebenden Richtungen der einzelnen Domänen zwecks Kompensation der durch jede nicht angesteuerte Speicherplatte bewirkten Änderung des Informationeinhaltes der den Speicher durchsetzenden Strahlung in benachbarten Speicherplatten entgegengesetzt verlaufen.

5. Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 4 ,dadurch gekennzeichnet., daß die Speicherplatten (6) aus ferroelektrischem Material, vorzugsweise

.. ^: avs Bariumtitanat-Kristallen bestehen.

6. .· Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet/ daß die Speicherplatten (6) aus antiferromangetischem Material bestehen·

7« Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher nach den:An- Sprüchen 1 bis 4/ dadurch gekennzeichnet, daß did Speicherplatten (6) aus magnetischem Material bestehen.

8. Dreidimeneionaler optischer Festwertspeicher nfph eine» oder mehreren der Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Speicherplatten (6) βο bemetien let, daß die Differenz der optlechen Weglängen de· ordentlichen und dee außerordentlichen Strahls gleich einen ungeradzahligen Vielfachen der halben WellenlHnge amr abfragenden Strahlung ist« ;

9* Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher naqh den,^: Ansprüchen 1 bis 8, dadurchgekennzeichnet, daß die Abfrage-Strahlung linear polarisiert ist»

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10. Dreidimensionaler optischer Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufwahl einer Speicherplatte durch Anlegen eines elektrische» Felde* erfolgt. ,.

11. Dreidimensionaler Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 . bis 9, dadurch gekennzeichnet, daft die Auswahl einer Speicherplatte durch Anlegen eines magnetischen Feldes erfolgt. ·

12· Dreidimensionaler Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die die Auswahl einer -Speicherplatte bewirkenden Felder oder mechanischen Spannungen senkrecht zur Orientierung der den einzelnen SpelcherblOcken zugeordneten Domänen verlaufen.

13. Dreidimensionaler Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daft die die einzelnen Informationen darstellenden Domänen parallel zur Speicherebene orientiert sind.

14· Dreidimensionaler Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 P bis 12, dadurch gekennzeichnet, daft die die einzelnen informationen darstellenden Domänen aenkrecht zur Speieherebene orientiert sind.

15* Dreidimensionaler Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dai die Elektroden zur Anlegung de« eine Speicherebene erregenden Feldes beiderseits der abfragenden Strahlung angeordnet sind.

16· Dreidimensionaler Festwertspeicher nach den Ansprüchen 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daft die Elektroden zur Anlegung des die ausgewählte Speicherebene erregenden Feldes in Richtung c!cr abfragenden Strahlung an gegenüberliegenden Seiten einor Kristallplatte angeordnet und strahlungs- durchläsaig ausgebildet sind.

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