DE2209776C3 - Verfahren zum Dotieren von Siliciumplättchen mittels eines Wasser und Dotierstoff enthaltenden Dampfgemisches - Google Patents

Verfahren zum Dotieren von Siliciumplättchen mittels eines Wasser und Dotierstoff enthaltenden Dampfgemisches

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2751163C3 (de) * 1977-11-16 1982-02-25 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Verfahren zur Steuerung einer offenen Gallium-Diffusion und Vorrichtung zur Durchführung desselben
US4149915A (en) * 1978-01-27 1979-04-17 International Business Machines Corporation Process for producing defect-free semiconductor devices having overlapping high conductivity impurity regions
US5180690A (en) * 1988-12-14 1993-01-19 Energy Conversion Devices, Inc. Method of forming a layer of doped crystalline semiconductor alloy material

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE550586A (online.php) * 1955-12-02
US3442725A (en) * 1966-05-05 1969-05-06 Motorola Inc Phosphorus diffusion system
US3477887A (en) * 1966-07-01 1969-11-11 Motorola Inc Gaseous diffusion method
US3484314A (en) * 1967-02-23 1969-12-16 Itt Water vapor control in vapor-solid diffusion of boron
DE1644005A1 (de) * 1967-04-26 1970-09-24 Siemens Ag Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkristallen mit Phosphor

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