DE2162207A1 - Light-crosslinkable mass for relief-like recordings - Google Patents

Light-crosslinkable mass for relief-like recordings

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DE2162207A1 DE19712162207 DE2162207A DE2162207A1 DE 2162207 A1 DE2162207 A1 DE 2162207A1 DE 19712162207 DE19712162207 DE 19712162207 DE 2162207 A DE2162207 A DE 2162207A DE 2162207 A1 DE2162207 A1 DE 2162207A1
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Description

DR.-ING. VON KREISLER DR.-ING. SCHÖ^WALD DR.-ING. TH. MEYER DR. FÜES DIPL-CHEM. ALEtCVON KRElSLER DIPL-CHEM. CAROLA KELLER DR.-ING. KLÖPSCH DIPL.-ING. SELTINGDR.-ING. BY KREISLER DR.-ING. BEAUTIFUL FOREST DR.-ING. TH. MEYER DR. FÜES DIPL-CHEM. ALEtCVON KRElSLER DIPL-CHEM. CAROLA KELLER DR.-ING. KLÖPSCH DIPL.-ING. SELTING

5 KÖLN 1, DEICHMANNHAUS5 COLOGNE 1, DEICHMANNHAUS

Köln, den 14.12.1971 Mr/BreuCologne, December 14th, 1971 Mr / Breu

E.I. du Pont de i-Temours & Company, Wilmington 19 898, Delaware / Vereinigte Staaten von AmerikaEGG. du Pont de i-Temours & Company, Wilmington 19 898, Delaware / United States of America

Lichtvernetzbare Masse für reliefartige AufzeichnungenLight-crosslinkable mass for relief-like records

Die Erfindung betrifft eine lichtvernetzbare Masse für reliefartige Aufzeichnungen aus einem lichtempfindlichen, einheitlich vernetzbaren organischen Polymeren.The invention relates to a light-crosslinkable mass for relief-like Records from a photosensitive, uniform crosslinkable organic polymers.

Es ist bekannt, lichtvernetzbare Massen für reliefartige Aufzeichnungen ("photoresists") zur Anwendung in Beschich-'tungslösungen herzustellen. Bei den üblichen technischen Verfahren zur Herstellung von Reliefbildern arbeitet man entweder mit Fotoresistmassen, de als Flüssigkeiten aufgebracht werden, oder die zusätzlich zum Arbeitsgang der Entfernung der Resistmasse. mit Flüssigkeiten einen oder auch mehrere in flüssiger Form durchgeführte Arbeitsgänge erfordern .It is known, light-crosslinkable compositions for relief-like Recordings ("photoresists") for use in coating solutions to manufacture. The usual technical processes for the production of relief images are used either with photoresist masses, de are applied as liquids, or in addition to the removal operation the resist mass. require one or more operations carried out in liquid form with liquids .

Die üblicherweise angewandten flüssigen Fotoresistmässen enthalten Dichromate, Azoverbindungen, Chäloonverbindungen oder Zimtsäureester, die an polymeren Bindemitteln haften oder in Verbindung mit diesen angewandt werden. Man hat schon Gelatine-Silberhaiogenidfilme als Fotoresists vorgeschlagen, diese werden, Jedoch während der Belichtung nicht unmittelbar unlöslich gemacht und erfordern daher vor dem Auswaschen der unbelichteten Bereiche einen oder mehrere im .feuchten Zustand durchzuführende Verfahrensschritte chemischer Art.The most commonly used liquid photoresist measures contain dichromates, azo compounds, chäloon compounds or cinnamic acid esters adhered to or used in conjunction with polymeric binders. One already has Gelatin silver halide films proposed as photoresists, however, these are not rendered immediately insoluble during exposure and therefore require prior washing of the unexposed areas one or more im .feuchten State of process steps of a chemical nature to be carried out.

_ 2_ 2

2 0 9027/1033 BA0 2 0 9027/1033 BA0

Die Eigenschaften der mit Dichromat sensibilisierten Substanzen, die man entweder in flüssiger Form aufbringt oder beim "Carbon Tissue-Verfahren" anwendet, variieren weitgehend mit der Feuchtigkeit und können x^egen der Instabilität der Bichromate sogar in Abwesenheit aktinischer Strahlung nicht vorsensibilisiert werden.The properties of the substances sensitized with dichromate, which are either applied in liquid form or used in the "carbon tissue process" vary largely with the moisture and can x ^ egen the Instability of the bichromates cannot be presensitized even in the absence of actinic radiation.

In der USA-Patentschrift 3 526 504- sind Materialien und Verfahren für die Herstellung von Fotoresists beschrieben, die keine flüssige Sensibilisierung oder Anwendungsverfahren erfordern. Zu diesen Materialien gehört eine lichtvernetzbare Schicht, die geringe bis mäßige Haftfestigkeit auf einem Schichtträgerfilm aufx^eist und die mit einem Schutzfilm oder einer- Membran überzogen ist. Letztere wird dann entfernt und die Schicht auf die mit dem Bild auszustattende Oberfläche auflaminiert und dann belichtet. Nach bildmäßiger Belichtung v/erden de unbelichteten Bereiche der Schicht unter Zurücklassung eines Resistbildes ausgewaschen. Mit Ausnahme des Waschvorganges läuft das Verfahren ausschließlich in trockenem Zustand ab und erfordert keine in flüssiger Form durchzuführende Maßnahme.In U.S. Patent 3,526,504- are materials and Process described for making photoresists that do not require liquid sensitization or application processes require. These materials include a photo-crosslinkable layer that has low to moderate adhesive strength on a carrier film and which is covered with a protective film or a membrane. The latter is then removed and the layer is laminated onto the surface to be provided with the image and then exposed. After imagewise exposure, the unexposed areas of the layer are grounded, leaving one behind Washed out resist image. With the exception of the washing process, the process only runs in a dry state and does not require any action to be carried out in liquid form.

Im allgemeinen verwendet man diese flüssigen oder FiImresistmassen zum Ätzen von Kupferbildern. Zu diesem Zweck wird die Fotoresistmasse auf eine geeignete Unterlage aufgebracht, beispielsweise eine mit Kupfer überzogene Tafel aus Phenolharz oder Epoxydharz, und durch ein Transparent mit aktinischem Licht belichtet. Man bedient sich dann eines geeigneten Entwicklerverfahrens, um die Resistmasse in den unbelichteten Bereichen zu entfernen. Die, nicht abgedeckte Oberfläche kann dann auf verschiedenen Wegen modifiziert und weiterverarbeitet werden. So kann man sie mit einem geeigneten flüssigen Reagenz behandeln, um eine geätzte Oberfläche auszubilden, man kann sie mit Metall überziehen, anodisieren,In general, these liquid or film resist compositions are used for etching copper images. To this For this purpose, the photoresist compound is applied to a suitable substrate, for example one coated with copper Board made of phenolic resin or epoxy resin, and through a Exposed transparently to actinic light. One serves Then a suitable developer process to apply the resist in the unexposed areas remove. The uncovered surface can then modified and processed in various ways will. So you can treat them with a suitable liquid reagent to form an etched surface, they can be coated with metal, anodized,

/Ί.\ η η ? 7 / 1 0 3 3 / Ί. \ Η η? 7/1 0 3 3

einfärben, beschichten oder auf anderen Wegen weiterbehandeln. coloring, coating or other treatment.

Verwendet man die Resistmasse in Form wässriger Beschichtungslösungen, so entsteht eine Schwierigkeit dadurch, daß die gehärteten Filmbereiche von der wässrigen Beschichtungslösung unterschnitten werden. Dies wirkt sich darin aus, daß sich das Resist vom Schichtträger ablöst oder anhebt. Diese Erscheinung bedingt eine herabgesetzte Kantenzeichnung der Vorlage und ist sehr unerwünscht. Es war häufig erforderlich, eine große Anzahl von Tafeln aus diesem Grunde als unbrauchbar zu verwerfen.If the resist mass is used in the form of aqueous coating solutions, thus, a problem arises in that the cured film areas are removed from the aqueous coating solution be undercut. This affects from the fact that the resist is peeled off or lifted from the substrate. This phenomenon causes a diminished one Edge drawing of the original and is very undesirable. It was often necessary to have a large number of panels for this reason to be discarded as unusable.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine lichtvernetzbare, resistbildende Masse zu liefern, die sich durch eine besondere Haftfestigkeit auszeichnet, so öaß eine Unterschneidung und dementsprechend eine Abtrennung oder Anlüftung der gehärteten Bildbereiche vom Schichtträger nicht zu befürchten ist.The invention is based on the object of providing a light-crosslinkable, resist-forming mass which is characterized by characterized by a special adhesive strength, so öaß one Undercut and accordingly a separation or Lifting of the hardened image areas from the substrate is not to be feared.

Die Erfindung geht aus von einer lichtvernetzbaren Masse für reliefartige Aufzeichnungen aus einem lichtempfindlichen, einheitlich vernetzbaren, organischen Polymeren, das bei Aktivierung durch Licht für jeden chemischen Vorgang nicht mehr als eine Querverbindung ausbilden kann und nicht zur linearen Additionspolymerisation befähigt ist. Kennzeichnend ist, daß die Masse eine geringe Menge einer heterocyclischen, Stickstoff enthaltenden Verbindung der Formel . . ,The invention is based on a light-crosslinkable mass for relief-like recordings from a light-sensitive, Uniformly crosslinkable, organic polymer that, when activated by light, is used for every chemical process cannot form more than one cross-link and is not capable of linear addition polymerization is. It is characteristic that the mass contains a small amount of a heterocyclic, nitrogen-containing compound the formula. . ,

.Nc- '.Nc- '

enthält, worin R einen ortho-aromatischen Kohlenwasserstoff ring darstellt, während X· für CH?, KH, S, O oder Se und Z für N oder C-I steht, wobei Y gleich'H, -KH^, einemcontains, wherein R represents an ortho-aromatic hydrocarbon ring, while X · for CH ? , KH, S, O or Se and Z stands for N or CI, where Y equals'H, -KH ^, a

r.- ij 2 7 / 1 0 3 3r.- ij 2 7/1 0 3 3

— Zj. _- Zj. _

Alkylrest mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder einem Halogen, z.B. Chlor oder Brom, ist. Lie.lichtvernetzbar e Masse kann, wie in der USA-Patentschrift 3 526 504 beschrieben, auf einen Schichtträger aufgebracht, belichtet und weiterbehandelt werden.Alkyl radical with 1 to 4 carbon atoms or one Halogen, e.g., chlorine or bromine. Lie.lichtvernetzbar e mass can, as in US Pat. No. 3,526,504 described, applied to a layer support, exposed and be treated further.

Im Rahmen der für die Erfindung infrage kommenden fcfrerocyclischen Stickstoff enthaltenden Verbindungen haben sich folgende besonders gewährt: Benzotriazol, 1-C*hlorbenzotriazol, Benzimidazol, 2-Methylbenzimidazol, 5-Methylbenzimidazol, 2-Aminobenzimidazoi, 5-Nitrobenzimidazo! und 2-AminobenzothiazOl.In the context of the frerocyclic in question for the invention Nitrogen-containing compounds have been granted the following in particular: Benzotriazole, 1-C * chlorobenzotriazole, Benzimidazole, 2-methylbenzimidazole, 5-methylbenzimidazole, 2-aminobenzimidazoi, 5-nitrobenzimidazo! and 2-aminobenzothiazOl.

Zu den. geeigneten lichtvernetzbaren Massen gehören fotodimerisierbare Substanzen, wie Zimtsäureester von mehrwertigen Alkoholen mit hohem Molekulargewicht, Polymere mit Resten des Chalcon- und Benzophenon-Typs oder andere im Kapitel 4 des Buches "Light Sensitive Systems" von Jaromir Kosar beschriebene Substanzen (John Wiley & Sons, Inc., Hew York). Diese Verbindungen bilden mit oder ohne zusätzliche Sensibilisatoren unter dem Einfluß aktinischer Strahlung sowohl unmittelbar Vernetzungen als auch Materialien von hohem Molekulargewicht aus, die Vernetzungen über besondere lichtempfindliche Arten ausbilden können. Zu dieser letzteren Gruppe gehören hochmolekulare Substanzen, wie Polyacrylsäure- und Polymethacrylsäureamide und deren Derivate, polymere mehrwertige Alkohole, natürliche Kolloide, wie Gelatine, Leim, Schellack in Kombination mit lichtempfindlichen Vernet- ■ zungsmitteln, wie die Azoverbindungen, Azide und, wenn das Resist unmittelbar angewandt wird, Metalldichromate. Andere geeignete Substanzen sind in den Kapiteln 2, 6 und 7 bei Kosar, (I.e.) beschrieben. Angaben über geeignete Substanzen finden sich auch in den USA-Patentschriften 2 299 839r 2 379 413, 2 670 286 und 3 526*504.To the. Suitable photo-crosslinkable compositions include photodimerizable substances such as cinnamic acid esters of high molecular weight polyhydric alcohols, polymers with residues of the chalcone and benzophenone type, or other substances described in Chapter 4 of the book "Light Sensitive Systems" by Jaromir Kosar (John Wiley & Sons, Inc ., Hew York). With or without additional sensitizers, under the influence of actinic radiation, these compounds form both directly crosslinks and materials of high molecular weight which can form crosslinks via particular light-sensitive types. This latter group includes high molecular weight substances such as polyacrylic acid and polymethacrylic acid amides and their derivatives, polymeric polyhydric alcohols, natural colloids such as gelatin, glue, shellac in combination with light-sensitive crosslinking agents such as the azo compounds, azides and, if the resist is immediate is applied, metal dichromates. Other suitable substances are described in Chapters 2, 6 and 7 in Kosar , (Ie). Information on suitable substances are also found in the US Patents 2,299,839 r 2379413, 2670286 and 3526 * 504th

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Liegen viele lichtvernetzbare Materialien vor, so ist kein zusätzliches makromolekulares Bindemittel erforderlicht, jedoch können thermoplastische, makromolekulare, organische Bindemittel einschließlich der in der USA-Patentschrift 2 760 863 beschriebenen angewandt werden. Außerdem kann man Plastifizierungsmittel, Färbemittel (Farbstoffe und Pigmente) und Füllstoffe entsprechend den Angaben dieser Patentschrift anwenden.If there are many light-crosslinkable materials, then no additional macromolecular binder required, however, thermoplastic, macromolecular, organic binders including those described in the United States patent can be used 2 760 863 can be applied. In addition, you can use plasticizers, colorants (dyes and pigments) and fillers according to the Use the information in this patent specification.

Bei der praktischen Ausführung der Erfindung kann eine lichtvernetzbare Masse,wie in der ÜSA^Patentschrift 3 526 5Ö4 beschrieben, hergestellt werden* Während der Herstellung der Fotoresistmasse wird dann eine kleine Menge der heterocyclischen Stickstoff enthaltenden Verbindung zugesetzt, Beispiele: Benzotriazole 1-Ghlor-benzotriazol, Benzimidazole 2-Methylbenzimidazöl, 5~Methylbenzimidäzol, 5-Nitrobenzimidazol, 2-*Aminobenziraidazol, die entsprechenden 2- oder 5-Äthyl-, -Propyl- und -n-Butyl-* benzimidazole oder 2-Aminobenzothiazöl. Die auf den Zusatz dieser Verbindungen zurückgehende verbesserts Haftfestigkeit kann bereits mit 0,05 Gew*-% der Stickstoff enthaltenden heterocyclischen-Verbindung in der lichtvernetzbaren Masse erreicht werden. Höhere Anteile an diesen Verbindungen können auch eingearbeibet werden, wobei aber die obere Grenze für jede einzelne Verbindung durch deren Löslichkeit in der Fotöresistmasse gegeben ist. In erster Linie zeigen die Gemische der Erfindung eine wesentlich verbesserte Haftfestigkeit auf Kupferunterlagen, obgleich die Haftung der Filmmasse auf anderen Metallunterlagen in · ähnlicher Weise verbessert werden kann* Darüber hinaus können diese Massen als Flüssigkeiten aufgebracht oder als Filme auf solche Unterlagen äuflaminiert werden.In practicing the invention, a light-crosslinkable mass, as described in the ÜSA ^ patent specification 3 526 5Ö4, are produced * During the Preparation of the photoresist composition then uses a small amount of the heterocyclic nitrogen containing compound added, examples: benzotriazoles 1-chlorobenzotriazole, Benzimidazole 2-Methylbenzimidazöl, 5 ~ Methylbenzimidazole, 5-nitrobenzimidazole, 2- * aminobenziraidazole, the corresponding 2- or 5-ethyl-, -propyl- and -n-butyl- * benzimidazole or 2-aminobenzothiaz oil. The one on the addition Improved adhesive strength resulting from these compounds can be achieved with as little as 0.05% by weight of nitrogen containing heterocyclic compound in the photo-crosslinkable Mass can be achieved. Higher proportions of these Connections can also be incorporated, but the upper limit for each individual compound is given by its solubility in the photoresist mass. First The blends of the invention show an essential line improved adhesion to copper substrates, though the adhesion of the film compound to other metal substrates in similarly can be improved * In addition, can these masses applied as liquids or as Films are laminated onto such substrates.

Bevorzugte lichtvernetzbare Materialien der Erfindung lassen sich herstellen, indem man eine Lösung o'der einePreferred photocrosslinkable materials of the invention can be produced by using a solution or a

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Dispersion, des lichtvernetzbaren, organischen Polymeren) die eine der aufgeführten* Stickstoff enthaltenden heterocyclischen Verbindungen enthält, auf einen dünnen* flexiblen, glätten Trägerfilm aufbringt, insbesondere Schichtträger aus beispielsweise Polyethylenterephthalat, und die Schicht durch Entfernung oder Verdampfung flüchtiger Lösungsmittel oder Verdünnungsmittel trocknet, sowie, falls gewünscht, eine schützende Deckfolie oder einen Deckfilm* beispielsweise einen solchen aus Polyäthylen, auf die Schicht aufbringt. Vorzugsweise ist der Schichtträger für aktinösche Strahlung transparent« weist eine gute Festigkeit und Maßhaltigkeit bei Temperaturänderungen auf und widersteht der auflösenden Einwirkung üblicher Lösungsmittel. Der Trägerfilm ist so.'auszuwählen, daß ler sich leicht im trocknen Zustand von der Schicht des lichtvernetzbar en, organischen Polymexven abziehen läßt. Die lichtvernetzbare Schicht besitzt vorzugsweise eine Dicke von O,OÖ13 bis 0,076 mm oder mehr, während der Schichtträger und der Schutzfilm · mit einer Dicke von 0,006 bis 0,13 rom oder mehr angewandt werden.Dispersion of the photo-crosslinkable, organic polymer) which contains one of the listed * nitrogen-containing heterocyclic compounds, is applied to a thin * flexible, smooth carrier film, in particular a layer carrier made of, for example, polyethylene terephthalate, and the layer dries by removing or evaporating volatile solvents or diluents, and, if desired, a protective cover sheet or a cover film *, for example one made of polyethylene, is applied to the layer. The layer support is preferably transparent to actinous radiation, has good strength and dimensional stability in the event of temperature changes and withstands the dissolving action of conventional solvents. The carrier film is so.'auszuwählen that l it can be pulled off easily in the dry state of the layer of lichtvernetzbar s, organic POLYMEX v s. The photo-crosslinkable layer preferably has a thickness of 0.013 to 0.076 mm or more, while the support and the protective film are used with a thickness of 0.006 to 0.13 rom or more.

Wird ein Schutzfilm, angewandt, so soll dieser eine gerin*- gere Haftfestigkeit auf der Schicht aufweisen als sie der Träger hat* Dieser Schutzfilm oder Schutzfolie kann durch Aufpressen oder Auflaminieren aufgebracht werden, beispielsweise indem man die Folie und das beschichtete lichtvernetzbare Material durch Walzen laufen läßt.If a protective film is used, this should be a * - have more adhesive strength on the layer than the carrier has * This protective film or protective film can be applied by pressing or lamination, for example by coating the film and the light-crosslinkable material runs through rollers.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Irfiiidüng wird · ein gegebenenfalls angewandter Schutzfilm zunächst von der lichtvernetzbaren Schicht des Materials entfernt und diese Schicht dann mit der Eupfeiöberfiache einer mit Kupfer überzogenen Epöxydharztö.fel in Berührung gebracht, insbesondere,wie vorstehend besehrieben, durch Aufpressen oder Auf laminieren. Die Schicht kann dann auf'Metall oderIn a preferred embodiment of the irfiiidüng is an optionally applied protective film is first removed from the light-crosslinkable layer of the material and then this layer with the Eupfeiöberfiache one with Copper-coated epoxy resin furnace brought into contact, in particular, as described above, by pressing on or laminate on. The layer can then be on 'metal or

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anderen ätzbaren Oberflächen abgelegt und der äbziehbar,e Schichtträgerfilm vor oder nach der Belichtung entfernt werden.other etchable surfaces and the removable, e Support film removed before or after exposure will.

Die beschichtete Kupferoberfläche kann nunmehr mit einem eine gedruckte Schaltung aufweisenden Transparent belichtet werden, das ein Verfahrensnegativ,oder Verfahrenspositiv sein kann. Geeignete Belichtungsmethoden beschreibt die USA-Patentschrift 3 526 504.The coated copper surface can now with a exposed a printed circuit having transparency which can be a procedural negative, or procedural positive. Describes suitable exposure methods U.S. Patent 3,526,504.

Nach der Belichtung der lichtvernetzbaren Schicht werden die unbelichteten Bereiche mit einem geeigneten Lösungsmittel, beispielsweise Trichloräthylen, entwickelt, (entfernt). Da die lichtvernetzbaren Gemische der Erfindung auf eine mit Kupfer überzogene Tafel aus einem Harz oder einem Polymeren- aufgebracht worden sind, ist die Kupferunterlagen nach diesem Verfahrensschritt freigelegt. Man ' macht dann das lichtempfindliche Material zur Kathode, beispielsweise in einer Kupferpyrophosphat-Elektroplattierlösung, und elektroplattiert 30 Minuten bei einer kathodischen Stromdichte von etwa 323 Ampere/m bei einer Spannung von 1,5 Volt. Ein in Eis en-(HI)-chlorid unlösliches Metall, beispielsweise Gold, wird über das elektrolytisch abgeschiedene Kupfer plattiert und das vernetzte Resist dann unter Verwendung.eines geeigneten Lösungsmittels, beispielsweise Methylenchlorid, abgezogen..Die vorher durch das Resist abgedeckten Bereiche werden in einer Eisen-(HI)-chloridlösung von 45° Baume weggeätzt unter Erzeugung eines goldplattierten, aus abgeschiedenem Kupfer gebildeten Musters des gedruckten Stromkreises auf der Epoxyd-» harztafel.After exposure, the light-crosslinkable layer will be the unexposed areas with a suitable solvent, for example trichlorethylene, developed (removed). As the photo-crosslinkable mixtures of the invention on a sheet made of a resin or coated with copper a polymer have been applied, is the copper underlay exposed after this process step. Man ' then turns the photosensitive material into a cathode, for example in a copper pyrophosphate electroplating solution, and electroplated at cathodic for 30 minutes Current density of about 323 amps / m at one voltage of 1.5 volts. A metal insoluble in iron (HI) chloride, for example gold, becomes electrolytic via the deposited copper is plated and the crosslinked resist is then plated using a suitable solvent, For example, methylene chloride, deducted .. The beforehand by The resist covered areas are in a ferric (HI) chloride solution from 45 ° trees etched away while creating a gold-plated, deposited copper pattern of the printed circuit on the epoxy » resin board.

Derartige Verfahren werden vorteilhaft bei der Herstellung von . dicken über 0,05 mm starken Tafeln mit gedruckten -Stromkreis en angewandt. Mit.den Stickstoff.enthaltenSuch methods become advantageous in manufacture from . thick panels with a thickness of over 0.05 mm and printed circuit boards are used. Contained with the nitrogen

2Ü9827/ 10332Ü9827 / 1033

den heterocyclischen Verbindui^n der Erfindung in der Resistmasse kann eine nach der Belichtung anzuschließende -Hitzehärtung beim Plattierungsverfahren entfallen. Während der Kupferlektroplattierung haftet das eine heterocyclische Verbindung enthaltende Resist fester auf der mit Kupfer überzogenen Oberfläche der Harztafel als das eine solche heterocyclische Verbindung nicht enthaltende Resist. .the heterocyclic compound of the invention in the With the resist compound, there is no need for heat curing to be carried out after exposure in the plating process. One thing sticks during copper electroplating heterocyclic compound-containing resist more firmly on the copper-plated surface of the resin board than the resist not containing such a heterocyclic compound. .

Die Gemische der Erfindung lassen sich auch zur Herste!-, lung von Reliefbildern und Druckformen verwenden.The mixtures of the invention can also be used to manufacture Use of relief images and printing forms.

Die nachstehenden Beispiele veranschaulichen die Erfindung. The following examples illustrate the invention.

Beispiel 1example 1

Es wurde ein Polyvinylcinnamat nach der in der USA-Patentschrift 2 670 286 beschriebenen Weise hergestellt und in eine Überzugsmasse nachstehender Zusammensetzung eingearbeitet: A polyvinyl cinnamate was prepared in the manner described in U.S. Patent 2,670,286 incorporated into a coating compound of the following composition:

Polyvinylcinnamat 2-t-Butylanthrachinon MethyläthylketonPolyvinyl cinnamate 2-t-butyl anthraquinone Methyl ethyl ketone

Dann wurde ein zweiter Ansatz der beschriebenen Mischung hergestellt, wobei aber 0,05 g Benzotriazol eingearbeitet wurde.Then a second batch of the mixture described was made produced, but incorporated 0.05 g of benzotriazole became.

Beide Mischungen wurden auf 0,025 mm dicke transparente Filme aus Polyäthylenterephthalat aufgebracht unter Ausbildung einer 0,0076 mm dicken, trocknen Schicht. Nach dem Trocknen wurde die Oberfläche einer jeden SchichtBoth mixtures were transparent to 0.025 mm thick Films of polyethylene terephthalate applied with training a 0.0076 mm thick, dry layer. After drying, the surface of each layer was

2 auf ein Stück eines sauberen, je m mit 305 6 Kupfer2 on a piece of a clean, each m with 305 6 copper

- 9 200?77/1033 - 9 200? 77/1033

1111 ,4, 4 OO ,6, 6 120120 ,0, 0

überzogenen Tafel aus Epoxydharz-Faserglas auflaminiert,. wobei auf 120° erhitzte Walzen angewandt wurden. Die. Kupferoberflächen beider Tafeln wurden dirch Scheuern mit Schmiergelpapier, Schwabbeln und gründliches Spülen mit Wasser gereinigt und dann mit Hilfe von Luftdüsen getrocknet. Jedes in einen Yakuumrahmen eingespannte, laminierte Material wurde 9 Min. mit einem ein Bild der gedruckten ; -Schaltung tragenden Transparent mit ultraviolettem Licht, das von einer bei mittlerem Druck arbeitenden Quecksilberbogenlampe geliefert wurde, belichtet. Abstand: 66 cm. Der transparente Film wurde dann von jeder· belichteten Schicht abgezogen und die belichteten Schichten dann entwickelt, indem man sie 30 Sek. den Sprühdämpfen von Trichloräthylen aussetzte. Auf diese Weise wurden die unbelichteten Bereiche der Fotoresistschichten entfernt unter Zurücklassung von Resistbildern, die sich für eine Kupfetplattierung eigneten. Nach dem Entwickeln wurden beide Hesisttafeln mit Wasser, gespült und dann 20 Sek. in 25 %-ige Schwefelsäure eingetaucht, wonach wiederum^ mit Wasser gespült und eine Spülung in 25 %-iger Ammoniumpersulfatlösung (25 Sek.) angeschlossen wurde. Es folgte eine nochmalige Spülung mit Wasser und ein Eintauchen (20 Sek.) in 25 ?6-ige Schwefelsäure, wonach abschließend, noch mit destilliertem Wasser gespült wurde.coated board made of epoxy resin fiberglass laminated. using rollers heated to 120 °. The. Copper surfaces of both panels were rubbed with Sandpaper, buffing and thorough rinsing with water cleaned and then dried with the help of air jets. Each clamped in a yakuum frame, laminated Material was printed 9 min. With an an image of the; -Circuit bearing transparency with ultraviolet light emitted by a mercury arc lamp operating at medium pressure was delivered, exposed. Distance: 66 cm. The transparent film was then exposed from each Layer peeled off and the exposed layers then developed by exposing them to the spray vapors of trichlorethylene for 30 seconds suspended. In this way the unexposed areas of the photoresist layers were removed underneath Leaving resist images that are suitable for a Copper plating was suitable. After developing were both Hesist tablets with water, rinsed and then in 25% sulfuric acid immersed, after which again ^ with Rinsed with water and a rinse in 25% ammonium persulfate solution (25 sec.) Has been connected. This was followed by another rinse with water and immersion (20 sec.) In 25? 6% sulfuric acid, after which, finally, was still rinsed with distilled water.

Jede Resisti-Eupfertafel wurde nun in ein Plattierungsbad aus Kupferpyrophosphat nachfolgender Zusammensetzung gelegt: Each Resisti Eupfert sheet was then placed in a plating bath laid from copper pyrophosphate of the following composition:

Kupfer (Cu+2) 30 g/lCopper (Cu +2 ) 30 g / l

Pyrophosphat (P2O7""^) 200 g/l Nitrat (NO5") 8 g/lPyrophosphate (P 2 O 7 "" ^) 200 g / l Nitrate (NO 5 ") 8 g / l

Ammoniak (Ii]Hx) 2 g/lAmmonia (Ii] H x ) 2 g / l

ortho-Phosphat (HPp^ ) 0,1 g/lortho-phosphate (HPp ^) 0.1 g / l

Gewichtsverhältnis Pyrophosphat:Kupfer = 7*5 *Weight ratio pyrophosphate: copper = 7 * 5 *

209 ii27/ 103 3209 ii27 / 103 3

Dieses Behandlungsbad wurde auf einem pH-Wert von 8,2 und einer Temperatur von 500C gehalten. Das Bad wirkte bei 1,5 Volt und einer kathodischen Stromdichte,von 323 Ampere/m ein* Kupfer wurde in einem Elektroplattierungsbad 15 Min. auf den ungeschützten, nicht dlirch ein- Resist abgedeckten Bereichen der bebilderten, kupferüberzogenen Tafeln abgeschieden, wonach diese aus dem Bad genommen • und dann an der Luft getrocknet wurden. Die kein Benzotraizol enthaltenden Resistproben zeigten Blasen, und neigten dazu", sich während der elektrolytischen Abscheidung von Kupfer von der Tafel abzuheben.This treatment bath was maintained at a pH value of 8.2 and a temperature of 50 0 C. The bath operated at 1.5 volts and a cathodic current density of 323 amperes / m *. Copper was deposited in an electroplating bath for 15 min Bathed and then allowed to air dry. The resist samples containing no benzotraizole showed bubbles and tended to "lift off the board during the electrodeposition of copper.

Das elektrolytisch auf jeder Resisttafel abgelagerte Kupfer wurde dann mit einem Metall, beispielsweise Gold, ·. überplattiert, das in Eisen-(lII)-chloridlösung uiilös- · lieh ist, wonach das Resist unter Verwendung von Methyl enchlorid abgezogen wurde. Beide Tafeln wurden in einer Eisen~(IIl)-chloridlösung von 45° Baume geätzt und bildeten Tafeln nach dem Muster plattierter gedruckter Schaltung gen aus.The electrolytically deposited on each resist board Copper was then combined with a metal such as gold. overplated, which dissolves in iron (III) chloride solution- borrowed, after which the resist using methylene chloride was withdrawn. Both panels were etched in a 45 ° Baume ferric chloride solution and formed panels after the pattern of plated printed circuit boards gen out.

Beispiel 2Example 2

Entsprechend Beispiel 1 wurden zwei Massen für gedruckte P Schaltungen hergestellt, aufgebracht, belichtet, ent.wikkelt und elektroplattiert. Die Haftfestigkeit eines jeden Resistfilms auf der Kupfertafel wurde in folgender Weise geprüft: Auf jede Tafel wurde ein 7,62 cm breiter Streifen einer Cellophanklebfolie aufgebracht und dann abgerissen. Die Menge an auf der Klebfolie verbliebenem Resist .ist proportional der Verschlechterung des Resists im Bad. Auf der Cellophanklebfolie haftete viel mehr Filmmasse, wenn die Probe kein Benzotraizol enthielt, als auf der Benzotnazol aufweisenden Probe, wodurch eine verbesserte Resistauf-Kupfer-Haftung belegt ist, falls die heterocyclische, Stickstoff enthaltende Verbindung vorliegt.According to Example 1, two compounds for printed circuit boards were produced, applied, exposed and developed and electroplated. The adhesion strength of each resist film on the copper board was determined in the following manner tested: a 7.62 cm wide strip was placed on each panel applied to a cellophane adhesive film and then torn off. The amount of resist left on the adhesive sheet .ist proportional to the deterioration of the resist in the bath. on the cellophane tape stuck a lot more film mass, though the sample contained no benzotraizole as on the benzotnazole containing sample, resulting in improved resist-to-copper adhesion is occupied if the heterocyclic nitrogen-containing compound is present.

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20 9 827/103320 9 827/1033

Beispiel 3Example 3

Wie folgt wurde Polyvinylacetophenon hergestellt: Zu einer fortlaufend gerührten Suspension von 26,8 g feinverteiltem, wasserfreiem Aluminiumchlorid in 100 ml Tetrachloräthan wurden 11,8 g Acetyl chi or id gegeben; dann wurde eine Lösung von 10,4- g Polystyrol (Molekulargewicht: etwa 4-00; Schmelzpunkt: "750C) in. 100 ml Tetrachloräthaa augefügt, wobei sich Salzsäure entwickelte. Die Reaktionsmisehung wurde 2 Std. durchgerührt, filtriert und der feinverteilte Rückstand an der Luft getrocknet und dann 10 Min. mit kalter 5 %-iger Salzsäure behandelt, Das Polymere wurde ( abfiltriert und mehrfach mit kaltem Wasser gewaschen. Die erhaltene Substanz (12 g) wurde mit Anisaldehyd entsprechend Beispiel 3 der USA-Patentschrift 2 716 097 unter Ausbildung von Polyvinylanisylacetophenon kondensiert.Polyvinyl acetophenone was prepared as follows: 11.8 g of acetyl chloride were added to a continuously stirred suspension of 26.8 g of finely divided, anhydrous aluminum chloride in 100 ml of tetrachloroethane; then a solution of 10,4- was g of polystyrene (molecular weight: about 4-00 Melting point "75 0 C).. eye inserts in 100 ml Tetrachloräthaa, with hydrochloric acid developed The Reaktionsmisehung was 2 h stirred, filtered, and the finely divided. treated residue was dried in air and then for 10 min. with cold 5% hydrochloric acid, the polymer was (collected by filtration and washed several times with cold water. the substance obtained (12 g) was reacted with anisaldehyde according to example 3 of the US Patent 2 716 097 condensed with the formation of polyvinyl anisylacetophenone.

Dann wurde eine Resistmasse nachstehender Zusammensetzung hergestellt:Then, a resist composition of the following composition was made manufactured:

Polyvinylanisylacetophenon 8,5Polyvinyl anisylacetophenone 8.5

Triäthylenglykoldiacetat 1,0Triethylene glycol diacetate 1.0

4-,4-' -bis-[ Dimethylamine ]-benzophenon 0,54-, 4- '-bis- [Dimethylamine] -benzophenone 0.5

Methyläthylketon 40,0 |Methyl ethyl ketone 40.0 |

Ein zusätzlicher Ansatz der vorstehenden Masse wurde hergestellt, der jedoch 0,02 g Benzotriazol enthielt.An additional batch of the above composition was made, but contained 0.02 g of benzotriazole.

Jedes Gemisch T&rde dann, wie in Beispiel 1 beschrieben, aufgeschichtet, auf eine mit Kupfer überzogene Spoxydharz-Glasfasertafel auflaminiert, belichtet, entwickelt und auf elektrolytischem Wege mit Kupfer und dann mit Gold elektroplattiert, mit der Ausnahme, daß 2 Min. mit aktinischem · Licht belichtet wurde. Die Resistproben ohne eingearbeitetes Benzotriazol wurden blasig und neigten während derEach mixture T & rde then, as described in Example 1, stacked on a copper-coated spoxy resin fiberglass board laminated, exposed, developed and electrolytically electroplated with copper and then with gold, with the exception that 2 min. with actinic Light was exposed. The resist samples without incorporated Benzotriazole became vesicular and tended during the

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209G27/ 1033 .209G27 / 1033.

elektrolytischen Abscheidung von Kupfer zum Abheben von der Tafel. Beide Proben wurden hinsichtlich der Haftfestigkeit entsprechend Beispiel 2 geprüft. Die Benzo-, triazol enthaltende Probe zeigte eindeutig eine verbesserte Haftung des Resists auf der kupferüberzogenen Tafel beim Plattieren von Kupfer und Gold beim Vergleich mit der kein Benzötriazol enthaltenden Probe.electrodeposition of copper to lift off the blackboard. Both samples were tested in accordance with Example 2 with regard to the adhesive strength. The benzo, The triazole-containing sample clearly showed improved adhesion of the resist to the copper-clad board in the plating of copper and gold when compared to the non-benzotriazole sample.

Beispiel 4Example 4

Es wurde eine allylische. SOtoresistmasse entsprechend Beispiel 1 der USA~patentschrift 3 462 267 hergestellt, die nachstehend^ Zusammensetzung hatte:It became an allylic one. SOtoresistmasse according to Example 1 of the USA ~ p atentschrift 3462267 produced had the following composition ^:

Diallylisophthalat-VorpolymeresDiallyl isophthalate prepolymer 12,012.0 SS. XylolXylene 55,055.0 gG 4-Methoxy-4-methyl-pentanon-24-methoxy-4-methyl-pentanone-2 33,033.0 SS. BenzilBenzil 0,10.1 SS. 4,4'-bis-[Dimdhylamino]-benzophenon4,4'-bis [dimethylamino] benzophenone 0,10.1 gG XanthonXanthone 0,40.4 gG MethyläthylketonMethyl ethyl ketone 25,025.0 gG

Eine ähnliche Masse wurde, wie vorstehend angegeben, hergestellt, jedoch 0,2 g Benzötriazol eingearbeitet.A similar composition was prepared as indicated above, except that 0.2 g of benzotriazole was incorporated.

Beide Massen wurden wie im Beispiel 1 beschrieben aufgezogen, auf eine mit Kupfer überzogene Epoxydharz-Glasfasertafel auflaminiert, belichtet, entwickelt, mit Kupfer und dann mit Gold elektroplattiert mit der Ausnahme, daß 1 Min. mit aktinischer Strahlung belichtet wurde.Both masses were drawn up as described in Example 1, laminated onto a copper-coated epoxy resin glass fiber board, exposed, developed, with copper and then electroplated with gold except that exposure to actinic radiation was 1 min.

Beide Proben wurden hinsichtlich der Haftfestigkeit entsprechend Beispiel 2 getestet. Die Benzötriazol enthaltende Probe zeigte eine wesentlich verbesserte Haftfestigkeit des Resists auf der kupferuberzogenen Tafel beim Plattieren mit Kupfermetall, verglichen mit der Probe, die kein Benzötriazol enthielt.Both samples were found to be equivalent in terms of adhesive strength Example 2 tested. The sample containing benzotriazole showed significantly improved bond strength of the resist on the copper-clad board during plating with copper metal, compared to the sample that had no Benzotriazole contained.

" - 14 -"- 14 -

?\) C'in 7 / 1 0 3 3 ? \) C'in 7/1 0 3 3

Beispiel ^Example ^

Entsprechend Beispiel 1 der USA-Patentschrift 2 379 413 wurde ein Polyamidharz aus dem Methylester der Linolensäure und Äthylendiamin hergestellt.Corresponding to Example 1 of US Pat. No. 2,379,413 became a polyamide resin made from the methyl ester of linolenic acid and ethylenediamine.

Eine wässrige Lösung von Dinatrium^^'-diazidostilben-2,2'-disulfonat wurde wie folgt hergestellt: M- g 4,4'- -Diaminostilben-2,2'-disulfonsäure und 5 nil konzentrierter Salzsäure in 80 ml Wasser wurden auf 0 bis 5°C gekühlt, 1,5 g Natriumnitrit in 25 ml Wasser tropfenv/eise zugegeben und eine Stunde .gerührt. Dann wurden 1,3 g "ÜTatriumacid in 25 ml Wasser der auf 0 gehaltenen Lösung zugefügt. Nach Aufhören der Stickstoffentwicklung wurde die Lösung 1 Std. gerührt und filtriert, um feinverteilte Ver-'. unreinigungen zu entfernen.An aqueous solution of disodium ^^ '- diazidostilbene-2,2'-disulfonate was prepared as follows: M- g 4,4'- -diaminostilbene-2,2'-disulfonic acid and 5 nil concentrated hydrochloric acid in 80 ml of water were added Cooled to 0 to 5 ° C, 1.5 g of sodium nitrite in 25 ml of water were added dropwise and the mixture was stirred for one hour. 1.3 g of sodium acid in 25 ml of water were then added to the solution, which had been kept at 0. After the evolution of nitrogen had ceased, the solution was stirred for 1 hour and filtered in order to remove finely divided impurities.

10 ml der wässrigen Lösung von Dinatrium-4,4'-Diazidostilben wurden der unter Rückfluß gehaltenen Lösung von 10 g Polyamidharz in 100 ml Isopropanol zugefügt. Die erhaltene Dispersion wurde durch Gießbeschichtung auf eine mit Kupfer überzogene, entsprechend Beispiel 1 gereinigte Epoxyd-Glasfasertafel aufgebracht. Im trocknen Zustand war die aufgebrachte Schicht ungefähr 0,010 mm dick. Ein weiterer Ansatz der beschriebenen Mischung, der aber zusätzlich 0,05 g BenzotriazOl enthielt, wurde in gleicher Weise auf eine mit Kupfer überzogene Epoxydhacz-Glasfaser-Tafel aufgebracht.10 ml of the aqueous solution of disodium 4,4'-diazidostilbene were added to the refluxed solution of 10 g of polyamide resin in 100 ml of isopropanol. The received Dispersion was purified by cast coating onto a copper-coated one according to Example 1 Epoxy fiberglass panel applied. When dry the applied layer was approximately 0.010 mm thick. Another approach to the mixture described, but an additional one Containing 0.05 g of benzotriazole was applied in the same manner to a copper-coated epoxy-fiberglass board upset.

Jede Tafel wurde entsprechend Beispiel 1 belichtet und die unterbelichteten Bereiche durch Bürsten mit Isopropanol ausgewaschen. Jede resisttragende Tafel wurde dann entsprechend Beispiel 1 gereinigt und 20 Min. kupferplattiert. Das kein Benzotriazol enthaltende Resist wurde während der elektrolytischen Kupferablagerung vollständig von der kupferüberzogenen Oberfläche abgelöst. Das Benzotriazol enthaltende Hesist haftete während der gesamten Elektro-Each panel was exposed as in Example 1 and the underexposed areas by brushing with isopropanol washed out. Each resist-bearing panel was then cleaned according to Example 1 and copper-plated for 20 minutes. The resist containing no benzotriazole was completely removed from the electrolytic copper deposition copper-coated surface peeled off. The benzotriazole containing Hesist adhered during the entire electrical

- 15 20 9 8 27/1033- 15 20 9 8 27/1033

21622Q721622Q7

plattierung des Kupfers auf der mit Kupfer überzogenen Oberfläche unter Erzeugung einer brauchbaren Tafel einer elektrischen Schaltung, nachdem eine Goldplattierung und eine Ätzung entsprechend Beispiel 1 vorgenommen worden war.plating of copper on top of the copper-plated Surface to produce a usable sheet of electrical circuit after gold plating and an etching according to Example 1 had been carried out.

Beispiel 6 . Example 6 .

-Es wurde eine lichtempfindliche Resistmasse nachstehender •Zusammensetzung zubereitet:-It became a photosensitive resist composition as shown below • Composition prepared:

Polyvinylalkohol (87 bis 89 Mol.-% hydrolysiert; Viskosität einer 4 %-igen wässrigen Lösung bei 20°: 35 bis 45 GP) 8,5Polyvinyl alcohol (87 to 89 mol% hydrolyzed; viscosity of a 4% aqueous solution at 20 °: 35 to 45 GP) 8.5

Fatriumborat 0,1Sodium borate 0.1

Äthylenglykol 1,0Ethylene glycol 1.0

Ammoniumdichromat 0.4-Ammonium dichromate 0.4-

Wasser. 1 ύ/ο Water. 1 ύ / ο

Ein zweiter Ansatz der gleichen Resistmasse, der aber 0,1 g Benzotriazol enthielt, wurde zubereitet.A second approach of the same resist mass, but the one 0.1 g of benzotriazole was prepared.

Jede Mischung wurde durch Aufgießen auf eine mit Kupfer überzogene Epoxydharz-Glasfasertafel aufgebracht und, wie in Beispiel 5 angegeben, getrocknet, belichtet und plat- · tiert, mit der Ausnahme, daß die elektrolytische Abscheidung des Kupfers nach 8 Min. abgebrochen wurde. Each mixture was made by pouring it onto one with copper coated epoxy resin fiberglass panel applied and how indicated in Example 5, dried, exposed and plat- · with the exception that the electrodeposition of the copper was terminated after 8 minutes.

las kein Benzotriazol enthaltende Resist wurde blasig und löste sich während der elektrolytischen Kupferabscheidung vollständig von der mit Kupfer überzogenen Oberfläche ab. Demgegenüber verblieb das Benzotriazol enthaltende Resist während des gesamten dektrolytischen Abscheidungsvorganges fest auf der kupferüberzogenen Oberfläche der Tafel haften und lieferte eine brauchbare Tafel gedruckter Schalread no resist containing benzotriazole became blistered and dissolved during the electrodeposition of copper completely from the copper-plated surface. In contrast, the resist containing benzotriazole remained Firmly on the copper-coated surface of the board during the entire electrolytic deposition process adhere and delivered a usable board printed scarf

- 16 BAD ORjGiNAL- 16 BAD ORjGiNAL

0&827/1Q3a0 & 827 / 1Q3a

tung, nachdem noch eine anschließende Goldplattierung und Ätzung entsprechend Beispiel 1 vorgenommen worden war.tung, after a subsequent gold plating and Etching according to Example 1 had been made.

Beispiel 7Example 7

Analog Beispiel 1 wurden 5 Ansätze einer Polyvinylcinnamat-Beschichtungsmasse hergestellt. Von diesen enthielt ein Ansatz keine heterocyclische Stickstoffverbindung, während .die übrigen vier Ansätze jeweils 0,05 g einer der nachstehenden Verbindungen enthielt: \. Analogously to Example 1, 5 batches of a polyvinyl cinnamate coating material were produced. Of these, one batch contained no heterocyclic nitrogen compound, while the other four batches each contained 0.05 g of one of the following compounds: \.

1-Chlorbeiizotriaaol, |1-chlorobeiizotriaaol, |

Benzimidazol,
5-Methylben?,imidazol, ·
2~Aminobenzthiazol.
Benzimidazole,
5-methylbene?, Imidazole,
2 ~ aminobenzothiazole.

Die fünf Gemische wurden,wie in Beispiel 1 angegeben, auf geschichtet, auf kupferüberzogene Epoxydharz-Faserglas-Tafeln auflaminiert, belichtet, entwickelt und elektroplattiert. The five mixtures were as indicated in Example 1 on layered, on copper-coated epoxy resin fiberglass panels laminated, exposed, developed and electroplated.

Die Proben mit einem Gehalt an heterocyclischen, Stickstoff enthaltenden Verbindungen der Erfindung verblieben während der Galvauisierumg mit Kupfer festhaftend auf der Kupferoberfläche der Tafeln, während die unbehandelte Pro- f be Blasen zog imd. sich teilweise von der Kupferoberfläche abhob. Bei der Haftfestigkeitsprüfung entsprechend Beispiel 1 ergaben die 1-Chlorbenzotriazol, Benzimidazol, 5-Methylbenzimidazol und 2-Aminobenzothiazol enthaltenden Proben eine geringere auf dem Cellophaiiklebband haftende · Resistmasse als die unbehandelte Probe.The samples containing the heterocyclic nitrogen-containing compounds of the invention remained during the Galvauisierumg with copper adhering firmly to the Copper surface of the panels, while the untreated sample drew bubbles and partially from the copper surface took off. In the adhesion test according to Example 1, the 1-chlorobenzotriazole, benzimidazole, Containing 5-methylbenzimidazole and 2-aminobenzothiazole Samples have a lower sticking to the cellophane tape Resist mass than the untreated sample.

Beispiel 8Example 8

Entsprechend Beispiel 3 wurden vier Ansätze eines PoIyvinylanisylacetophenon-Resist-Gemisches hergestellt. Ein Ansatz enthielt keine heterogenen Stickstoff enthaltendeAs in Example 3, four batches of a polyvinylanisylacetophenone resist mixture were used manufactured. One batch did not contain any heterogeneous nitrogen

■ι η _■ ι η _

■ ■■'" /i'iJ.,27/ 1 033■ ■■ '"/i'iJ.,27/ 1 033

Verbindung der Erfindung, während die drei übrigen Ansätze 0,02 g an einer der folgenden Verbindungen enthielten: 2-Methylbenzimidazol, 2-Aminobenzimidazol und 5-Nitrobenzimidazol.Compound of the invention, while the three remaining batches contained 0.02 g of one of the following compounds: 2-methylbenzimidazole, 2-aminobenzimidazole and 5-nitrobenzimidazole.

Die vier Gemische wurden entsprechend Beispiel 3 aufgebracht, auf mit Kupfer überzogene Epoxydharz-Faserglas-Tafeln auflaminiert, belichtet, entwickelt, elektroplattiert und, wie in Beispiel 1 angegeben, geätzt. Während der Galvanisierung mit Kupfer entstanden auf dem keine Stickstoff enthaltende Verbindung der Erfindung aufweisenden Resist Blasen und dieses wurde teilweise von der Kupferoberfläche abgelöst. Die 2-Methylbenzimidazol, 2-Aminobeiizimidazol und 5-Hitrobenzimidazol enthaltenden Gemische verblieben fest haftend und lieferten gute gedruckte Kupferschaltungen. Wenn die Proben hinsichtlich der Haftfestigkeit entsprechend Beispiel 2 geprüft wux^den, so wurde von der keine Stickstoffverbindung der Erfindung enthaltenden Probe durch den Cellophanteststreifen mehr unbehandelte Resistmasse entfernt als von ^enen Proben, bei denen das Resist mit einer der heterocyclischen Verbindungen der Erfindung behandelt worden war.The four mixtures were applied as in Example 3, laminated onto copper-coated epoxy resin fiberglass panels, exposed, developed, electroplated and, as indicated in Example 1, etched. During the electroplating with copper, the resist containing no nitrogen-containing compound of the invention was blistered and partially peeled off from the copper surface. The mixtures containing 2-methylbenzimidazole, 2-aminobeiizimidazole and 5-nitrobenzimidazole adhered firmly and provided good printed copper circuits. When the sample WUX tested for the bonding strength in accordance with Example 2 ^ to, the invention containing sample was prepared by the Cellophanteststreifen more untreated resist composition removed as by ^ enes samples in which the resist treated with one of the heterocyclic compounds of the invention from which no nitrogen compound has been was.

m m Beispiel 9Example 9

Die Resistmischungen der Beispiele 1, 35 4-, 7 und 8 wurden in flüssiger Form unter Gießbeschichtung entsprechend Beispiel 5 auf kupferüberzogene Epoxydharz-Faserglas-Tafeln aufgebracht und getrocknet. Die erhaltenen Resistmaterialien wurden dann entsprechend Beispiel 1 belichtet, . · entwickelt, elektroplattiert und geätzt.The resist mixtures of Examples 1, 3, 5, 4, 7 and 8 were applied in liquid form with a cast coating according to Example 5 to copper-coated epoxy resin fiberglass panels and dried. The resist materials obtained were then exposed according to Example 1,. · Designed, electroplated and etched.

Während der Galvanisierung des Kupferresists zeigten die Mischungen, in denen keine heterocyclische Stickstoffverbindung vorlag, Blasenbildung und wurden teilweise abgelöst. Die Resistmischungen, welche die heterocyclischenDuring the electroplating of the copper resist, the Mixtures in which the heterocyclic nitrogen compound was not present blistered and were partially peeled off. The resist mixtures, which the heterocyclic

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2 0 Π r, 7 1 I 1 0 3 32 0 Π r, 7 1 I 1 0 3 3

Stickstoffverbindungen der Erfindung enthielten, hafteten während der Galvanisierung von Kupfer und Gold fest auf der kupferüberzogenen Oberfläche. Bei der Prüfung auf Haftfestigkeit entsprechend Beispiel 2 zeigten sie 'verbesserte Haftung beim Vergleich mit den von diesen Verbindun-, gen freien Resists.Containing nitrogen compounds of the invention adhered during the electroplating of copper and gold the copper-plated surface. When checking on They showed improved adhesive strength according to Example 2 Liability when comparing with the resists free of these compounds.

-Beispiel 10 - Example 10

Es wurden, wie in Beispiel 4- beschrieben, Resistgemische hergestellt, aufgebracht, laminiert, belichtet, entwickelt und mit Kupfer elektroplattiert. Über das auf galvanischem Wege abgelagerte Kupfer wurde dann mit Hilfe eines Blei und Zinn (60/4-0'Gew.-Teile) enthaltenden Blei-Zinn-Fluorborsäure-Bads bei Anwendung einer Stromstärke von 161,5 Ampere/m über 15 Min. ein 60/4-0 -Bl ei -Zinn-Üb eräug aufplattiert. Das Resist wurde dann mit Methylenchlorid entfernt und das Kupfer in Ammoniumpersulfat als Ätzmittel geätzt.As described in Example 4, resist mixtures were produced, applied, laminated, exposed and developed and electroplated with copper. A lead was then used over the galvanically deposited copper and lead-tin-fluoroboric acid baths containing tin (60 / 4-0 'parts by weight) when applying a current of 161.5 amperes / m for 15 minutes, a 60 / 4-0 lead tin-over eye is plated on. The resist was then removed with methylene chloride and the copper in ammonium persulfate as an etchant etched.

Das kein Benzotriazol enthaltende Resist zeigte während der. Galvanisierung des Kupfers mit Blei und Zinn Blasen und neigte zum Abheben von der kupferüberzogenen Unterlage> •während das Resist mit Benzotriazol während der Galvanisierung fest auf der Kupferunterlage haftete unter Ausbildung eisr Tafel mit gedruckter Schaltung von guter Kantenzeichnung. ·The resist containing no benzotriazole showed during. Electroplating of copper with lead and tin bubbles and tended to lift off the copper-plated base> • while the resist with benzotriazole adhered firmly to the copper base during electroplating with formation Eisr board with printed circuit with good edge drawing. ·

Beispiel 11Example 11

Wie in Beispiel 4- angegeben, wurden Beschichtungsgemische hergestellt und aufgebracht mit der Ausnahme, da3 1 g Poly-(methylmethacrylat) mit einem Molekulargewicht von etwa 40 000 vor dem Aufbringen einer jeden Mischung zugefügt wurde. Nach dem Trocknen bei Raumtemperatur wurde ein 0,0063 mm dicker Polyäthylenschutisfilm auf jede beschichtete lichtvernetzbare Schicht auflaminiert, wobei auf 50° er-As indicated in Example 4-, coating mixtures were made produced and applied with the exception that 1 g of poly (methyl methacrylate) with a molecular weight of about 40,000 was added prior to application of each mixture. After drying at room temperature, a 0.0063 mm thick polyethylene protective film on each coated light-crosslinkable layer laminated, whereby to 50 °

- 19 2Π9827/1033 - 19 2Π9827 / 1033


4*
-
4 *

hitzte Druckwalzen zur Anwendung kamen. Nach 3 Tagen wurden die Polyäthylenschutzfilme abgezogen, jedes lichtvernetzbare Material auf eine mit Kupfer überzogene Oberfläche einer Epoxydharztafel auflaminiert und dann wie in Beispiel 1 beschichtet, entwickelt und mit Kupfer elektroplattiert. Beide Proben wurden nach Beispiel 2 auf Haftfestigkeit geprüft, wobei die Benzotriazol enthaltende Probe eine verbesserte Haftfestigkeit des Sesists auf der mit Kupfer überzogenen Tafel zeigte beim Vergleich mit jener* Probe, die kein Benzotriazol enthielt. heated pressure rollers were used. After 3 days the polyethylene protective films were peeled off, each photocrosslinkable Material is laminated to a copper-plated surface of an epoxy resin board and then coated, developed and electroplated with copper as in Example 1. Both samples were made according to Example 2 tested for adhesive strength, the benzotriazole-containing sample having an improved adhesive strength of the sesist on the copper-plated panel showed when compared with that * sample which did not contain benzotriazole.

Claims (2)

PATENTANWÄLTEPATENT LAWYERS DR.-ING. VON KREISLER DR.-ING. SCHDNWALD 2162207 DR.-ING. TH. MEYER DR. FUJES DIPL-CHEM. ALEK VON KREISLE* DIPL-CHEM. CAROLA KELLER DR.-ING. KLÖPSCH DIPL-ING. SELTINGDR.-ING. BY KREISLER DR.-ING. SCHDNWALD 2162207 DR.-ING. TH. MEYER DR. FUJES DIPL-CHEM. ALEK OF KREISLE * DIPL-CHEM. CAROLA KELLER DR.-ING. KLÖPSCH DIPL-ING. SELTING 5 KÖLN 1, DEICHMANNHAUS Pat ent ansprüche 5 COLOGNE 1, DEICHMANNHAUS patent claims Ί) Lichtvernelzbare Masse für relief artige Aufzeichnungen aus einem lichtempfindlichen, einheitlich vernetzbaren, organischen Polymeren, das bei Aktivierung durch Licht für jeden chemischen Vorgang nicht mehr als eine Querverbindung ausbilden kann und nicht zur linearen Additionspolymerisation befähigt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Masse eine geringe Menge einer heterocyclischen, Stickstoff enthaltenden Verbindung der FormelΊ) Light fusible mass for relief-like recordings made of a light-sensitive, uniformly crosslinkable, organic polymer that, when activated by For every chemical process, light cannot form more than a cross-connection and not a linear one Addition polymerization is capable, characterized in that the mass contains a small amount of a heterocyclic, nitrogen-containing compound of the formula enthält, worin R einen ortho-aromatischen Kohlenwasserstoffring darstellt, während X für CH2, M1 S, O oder Se und Z für N oder C-X steht, worin Y gleich H, KHo1 einem Alkylrest mit 1 bis 4- Kohlenstoffatomen oder Halogen ist.where R is an ortho-aromatic hydrocarbon ring, while X is CH 2 , M 1 S, O or Se and Z is N or CX, where Y is H, KHo 1 is an alkyl radical having 1 to 4 carbon atoms or halogen . 2.) Lichtvernetzbare Masse nach Anspruch I1 dadurch gekennzeichnet, daß die Stickstoff enthaltende Verbindung in'einer Menge von mindestens 0,05 Gew.-%in der Masse vorli egt. ■ ,2.) Light- crosslinkable composition according to claim I 1, characterized in that the nitrogen-containing compound is present in the composition in an amount of at least 0.05% by weight. ■, 5.) Lichtvernetzbare Masse nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein thermoplastisches, makromolekulares, organisches polymeres Bindemittel enthält.5.) light-crosslinkable composition according to claim 1 and 2, characterized characterized in that it contains a thermoplastic, macromolecular, organic polymeric binder. 4.) Lichtvernetzbare Masse nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stickstoff enthaltende Verbindung Benzimidazol oder Benzotriazol ist.4.) Light-crosslinkable mass according to claim 1 to 3, characterized characterized in that the nitrogen containing compound is benzimidazole or benzotriazole. 2 Μ 3 ?3 27/10332 Μ 3? 3 27/1033 5.) Reliefartige Aufzeichnungen bildendes lichtvernetzbares Material, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einem Schichtträger mit einer aufgebrachten Schicht nach Anspruch 1 bis 4 besteht.5.) Light-crosslinkable that forms relief-like records Material, characterized in that it consists of a layer support with an applied layer according to claim 1 to 4 consists. 6.) Material nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger aus Polyäthylenterephthalat oder einer mit Kupfer überzogenen Tafel aus natürlichem oder synthetischem Harz besteht und vorzugsweise gegen aktinische Strahlung transparent ist.6.) Material according to claim 5, characterized in that that the support made of polyethylene terephthalate or a plate made of natural or covered with copper synthetic resin and is preferably transparent to actinic radiation. 7.) Material nach Anspruch 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine Oberfläche der Schicht mit der lichtvernetzbaren Masse ein flexibler Schichtträgerfilm aus einem Polymeren, insbesondere Polyalkylenterephthalat, aufgebracht worden ist, der aktiniscbe Strahlung durchläßt und der an der Schicht nur gering oder mäßig haftet, während auf die andere Fläche der Schicht unter geringerer Haftung ein einheitlicher, dünner, mit Druckanwendung aufgebrachter, nicht bebilderter Schutzfilm., insbesondere aus Polyäthylen oder Polypropylen, auf ge br etc lit worden ist.7.) Material according to claim 5 and 6, characterized in that that on a surface of the layer with the photo-crosslinkable mass, a flexible base film from a polymer, in particular polyalkylene terephthalate, has been applied which transmits actinic radiation and which adheres only slightly or moderately to the layer, while less adhering to the other surface of the layer Adhesion a more uniform, thinner, with application of pressure applied, non-illustrated protective film., in particular made of polyethylene or polypropylene, has been lit on ge br etc. 2 Ο Γ ·"■ 7 7/1033 SAD ORIGINAL 2 Ο Γ · "■ 7 7/1033 SAD ORIGINAL
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2448821A1 (en) * 1974-10-14 1976-04-22 Hoechst Ag METHOD OF APPLYING A COPY LAYER

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2732301A (en) * 1952-10-15 1956-01-24 Chxcxch
US2751296A (en) * 1950-03-09 1956-06-19 Eastman Kodak Co Photosensitization of cinnamic acid esters of cellulose
GB1152368A (en) * 1965-05-25 1969-05-14 Konishiroku Photo Ind Reprographic Process
US3462267A (en) * 1966-02-01 1969-08-19 Dynachem Corp Offset printing plates
DE1547849A1 (en) * 1966-07-13 1969-12-11 Fmc Corp Photosensitive mass
DE2028773A1 (en) 1970-06-11 1971-12-16 Kalle Ag Process for the production of a photosensitive reproduction material with a copper-containing layer support

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2751296A (en) * 1950-03-09 1956-06-19 Eastman Kodak Co Photosensitization of cinnamic acid esters of cellulose
US2732301A (en) * 1952-10-15 1956-01-24 Chxcxch
GB1152368A (en) * 1965-05-25 1969-05-14 Konishiroku Photo Ind Reprographic Process
US3462267A (en) * 1966-02-01 1969-08-19 Dynachem Corp Offset printing plates
DE1547849A1 (en) * 1966-07-13 1969-12-11 Fmc Corp Photosensitive mass
DE2028773A1 (en) 1970-06-11 1971-12-16 Kalle Ag Process for the production of a photosensitive reproduction material with a copper-containing layer support

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DE-PS 20 28 773 *
I Kosar "Light Sensitive Systems" John Wiley & Sons Inc., S.137-142 u. S.158-160 *
In Betracht gezogene ältere Patente: DE-PS 20 63 571 *
Paul J. Feory "Principles of Polymer Chemistry" Cornell University Press Ithaca, N.Y., 1953, S.51-55 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2448821A1 (en) * 1974-10-14 1976-04-22 Hoechst Ag METHOD OF APPLYING A COPY LAYER

Also Published As

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NL165303C (en) 1981-03-16

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