DE2155029C3 - Electronic thin film circuit - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine elektronische Dünnfilm schaltung mit einer aus einem Isoliermaterial bestehenden Substratplatte, mit einer die Substratplatte in Form eines ersten und eines zweiten Musters teilweise bedeckenden Ventilmetallschicht, wobei diestThe invention relates to an electronic thin film circuit with a substrate plate made of an insulating material, with a substrate plate in the form of a first and a second pattern partially covering valve metal layer, wherein diest
Ventilmetallschicht (2) aufgebrachten ersten Kup- 25 beiden Muster an mindestens einer Stelle zusammenfcrschicht (4), aus einer auf die erste Kupferschicht hängen und einen ersten und einen zweiten BereichValve metal layer (2) applied first copper layer 25 two patterns together at at least one point (4), from a hanging on the first copper layer and a first and a second area
■1) aufgebrachten Zwischenschicht (5) aus Diffu-Munssperrenmetall und aus einer auf die Zwischenschicht (5) aufgebrachten zweiten Kupferschicht (6) besteht und daß auf diese dreischichtige Metallisierung (4, 5, 6) eine Blei-Zinn-Weichlotschicht (7) aufgebracht ist.■ 1) applied intermediate layer (5) made of diffuse Munssperrenmetall and consists of a second copper layer (6) applied to the intermediate layer (5) and that three-layered layer thereon Metallization (4, 5, 6) a lead-tin soft solder layer (7) is applied.
2. Dünnfilmschaltung nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (5) aus Eisen besteht.2. Thin-film circuit according to claim 1, characterized in that the intermediate layer (5) is made of iron.
3. Dünnfilmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (5) aus Nickel besteht.3. Thin-film circuit according to claim 1, characterized in that the intermediate layer (5) is made of nickel.
4. Dünnfilmschaltung nach Anspruch 1, da-4. thin film circuit according to claim 1, da-
der Ventilmetallschicht bilden, von denen der erste Bereich Schaltelemente der Dünnfilmschaltung und der zweite Bereich Anschlußkontakte und Verbindungsleitungcn definiert, mit einer Schicht aus Ventilmetalloxid auf dem ersten Bereich der Ventilmetallschicht, wobei dieser erste Bereich der Ventilmetallschicht eine Dicke besitzt, die relativ zur Dicke des zweiten Bereiches der Ventümetallschidit durcli die Anwesenheit der Ventilmetalloxidschicht rcduzierl ist, und mit einer dreischichtigen Metallisierung aul dem zweiten Bereich der Ventilmetallschicht.of the valve metal layer, of which the first region forms switching elements of the thin-film circuit and the second area defines connection contacts and connection lines, with a layer of valve metal oxide on the first region of the valve metal layer, this first region of the valve metal layer has a thickness which is relative to the thickness of the second region of the Ventümetallschidit durcli the presence of the valve metal oxide layer is reduced, and with a three-layer metallization aul the second region of the valve metal layer.
Bei derartigen Dünnfilmschaltungen wird die Ventilmetalloxidschicht durch anodische Oxidation deiIn such thin-film circuits, the valve metal oxide layer by anodic oxidation dei
durch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht 40 Ventilmetallschicht gebildet.characterized in that the intermediate layer 40 forms valve metal layer.
(5) aus Kobalt besteht.(5) consists of cobalt.
5. Dünnfilmschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ventilmetallschicht (2) aus Tantal besteht.5. Thin film circuit according to one of claims 1 to 4, characterized in that the Valve metal layer (2) consists of tantalum.
6. Verfahren zur Herstellung einer Dünnfilmschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Substratplatte6. A method for producing a thin film circuit according to any one of claims 1 to 5, characterized characterized in that on the substrate plate
(1) zuerst eine durchgehende Ventilmetallschicht(1) First a continuous valve metal layer
(2) und darauf durch Kathodenzerstäubung die erste Kupferschicht (4), die Zwischenschicht (5) und die zweite Kupferschicht (6) ebenfalls als durchgehende Schichten aufgebracht werden, daß dann aus der Ventilmetallschicht (2) und aus der darauffolgenden dreischichtigen Metallisierung (4,(2) and then through cathode sputtering the first copper layer (4), the intermediate layer (5) and the second copper layer (6) are also applied as continuous layers that then from the valve metal layer (2) and from the subsequent three-layer metallization (4,
5, 6) mit Hilfe eines photolithograpischen Prozes- 55 Schmelzpunktes gegenüber dem reinen Lot, was zi5, 6) with the help of a photolithographic process 55 melting point compared to the pure solder, which zi
Aus der deutschen Patentschrift 12 46 072, det deutschen Patentschrift 16 15 010 und der deutschen Auslegeschrifl 19 60 554 sind bereits elektronische Dünnfilnischaltungen dieser Art bekannt, bei dener die auf den zweiten Bereich der Ventilmetallschicht aufgebrachte Metallisierung ein ein- oder mehrschichtiges System ist, bei welchem mindestens die oberste Schicht aus einem Edelmetall, beispielsweise aus Gold oder Palladium, besteht.From German patent specification 12 46 072, det German patent specification 16 15 010 and the German Auslegeschrifl 19 60 554 electronic thin-film circuits of this type are already known the metallization applied to the second area of the valve metal layer is a single or multilayered one System is in which at least the top layer is made of a noble metal, for example made of gold or palladium.
Diese elektronischen Dünnfilmschaltungen haben verschiedene Nachteile. Will man elektrische Anschlüsse durch Löten anbringen, dann löst sich da? Edelmetall mindestens teilweise in dem Lot auf und bewirkt eine Versprödung durch Erhöhung de?These thin film electronic circuits have several disadvantages. Do you want electrical connections? attach by soldering, then does it come off? Precious metal at least partially in the solder on and causes embrittlement by increasing the?
ses die aus dem ersten und dem zweiten Bereich bestehende Grundgeometrie der Dünnfilmschaltung ausgeätzt wird, daß anschließend der zweite Bereich mit einer Formgebungsniaskc (9) abgedeckt und dann die beiden Kupferschichten (4. 6) und die Zwischenschicht (5) innerhalb lies eisten Bereichs mit Hilfe eines selektiven Ätzmittels entfernt wiMdcn, daß dann die so innerhalb des ersten Bereichs freigelegte Ventilmetallschicht (2) in diesem Bereich zur Erzeugung der Ventilmetalloxidschicht (3) teilweise anodisch oxidiert wird, daß dann die Formgebungsmaske (9) abgelöst wird und daß schließlich auf das innerhalb des höheren l.öttcmpcraturen und zu größerer mechanischer Empfindlichkeit des gesamten Systems führt Ein zweiter Nachteil dieser bekannten elektronischer Dünnfilmschaltungen liegt darin, daß die Edelmetalle Gold und Palladium sich störend auswirken, wenn die anodischc Oxidation der Ventilmetallschicht nach dem Aufbringen der Metallisierung ausgeführt werder soll. Da Edelmetalle keine den Kurzschluß /wischer ihnen und dem Elektrolyten ausheilenden Oxide bilden, leiten s;e den überwiegenden Teil des Anodisierungsstromes seitlich in die Metallisierung ab. Die anodisehe Oxidation der Ventilmetallschicht wird dadurch empfindlich gestört oder geschieht überhauptses the basic geometry of the thin-film circuit consisting of the first and the second area is etched out, that then the second area is covered with a shaping mask (9) and then the two copper layers (4. 6) and the intermediate layer (5) within read areas with the help a selective etchant is removed so that the valve metal layer (2) thus exposed within the first area is partially anodized in this area to produce the valve metal oxide layer (3), that the shaping mask (9) is then peeled off and that finally the inside of the A second disadvantage of these known electronic thin-film circuits is that the noble metals gold and palladium have a disruptive effect when the anodic oxidation of the valve metal layer is to be carried out after the metallization has been applied. Since noble metals do not form the short-circuit / wiper between them and the electrolyte healing oxides, conduct s ; e the major part of the anodizing current from the side into the metallization. The anodic oxidation of the valve metal layer is thereby severely disturbed or occurs at all
nicht, wenn nicht übermäßig große Anodisierungsströme gezogen werden. Aus der britischen Patentschrift 12 24 953 ist bereits die Verwendung einer Schutzschicht aus Eisen, Nickel oder Kobalt bekannt, um die Diffusion einer leitfähigen Schicht in eine Widerstandsschicht zu verhindern.not, if not excessively large anodizing currents to be pulled. From the British patent 12 24 953 is already the use of a Protective layer of iron, nickel or cobalt known to prevent the diffusion of a conductive layer into one To prevent resistive layer.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer elektronischen Dünnfilmschaltung der eingangs genannten Art diese Nachteile zu beseitigen.The invention is based on the object of the aforementioned in an electronic thin-film circuit Kind of eliminating these drawbacks.
Eine besonders einfache und wirkungsvolle Lösung dieser Aufgabe ergibt sich, wenn gemäß der Erfindung die Metallisierung aus einer auf den zweiten Bereich der Ventilmelallschicht aufgebrachten ersten Kupferschicht, aus einer auf die erste Kupferschicht aufgebrachten Zwischenschicht aus Diffusionssperrennietall und aus einer auf die Zwischenschicht aufgebrachten zweiten Kupferschicht besteht und auf diese dreischichtige Metallisierung eine Blei-Zinn-Weichlotschicht aufgebracht ist. Die Zwischenschicht kann dabei aus Eisen oder Nickel oder Kobalt bestehen. Die Ventilmetallschicht besteht vorzugsweise aus Tantal.A particularly simple and effective solution to this problem is obtained if according to the invention the metallization of a first copper layer applied to the second area of the valve overall layer, from an intermediate layer of diffusion barrier rivet applied to the first copper layer and consists of a second copper layer applied to and on the intermediate layer three-layer metallization a lead-tin-soft solder layer is applied. The intermediate layer can consist of iron or nickel or cobalt. The valve metal layer is preferably made of Tantalum.
An Hand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden. Es zeigtThe invention will be explained in more detail with reference to the drawing. It shows
F i g. 1 einen Teilschnitt durch eine ein Widerstandsnetzwerk enthaltende Dünnschichlbaugruppe gemäß der Erfindung.F i g. 1 shows a partial section through a resistor network containing thin-film assembly according to the invention.
F i g. 2 a bis 2 h die in Herstellung begriffene Diinnschichibaugi lippe nach I i g. 1 bei den verschiedenen erfindungsgemüß auszuführenden Vcrfahrenssch.iucii.F i g. 2 a to 2 h the Diinnschichibaugi, which is in the process of being produced lip after I i g. 1 in the various procedural steps to be carried out according to the invention.
Gemäß Fig. 1 ist auf ein aus einem isolierenden Substrat bestehendes Trägerplättchen 1 eine die Cirundgcometric des Schaltungsnetzwcrks enthaltende Schicht 2 aus Ventilmetall von 1000 A Dicke aufgebracht. Unter Ventilmetall versteht man ein Metall, das ein einen Gleichstrom sperrenden Oxid bildet. Vorzugsweise ist als Ventilmetall Tantal vorgesehen. Statt dessen können aber auch die Metalle Niob, Aluminium. Zirkonium und Hafnium verwendet werden. Die Ventilmelallschicht 2 trägt an denjenigen Oberflächenbereichen, die das Widerstandsnetzwerk bilden, eine Oxidschicht 3, die dadurch hergestellt ist, daß die Ventilmetallschicht 2 an diesen Stellen teilweise anodisch oxydiert ist. Die Venlilmclallsehicht 2 trägt an denjenigen OberfUichcnbereichen, die nicht zum Widerstandsnetzwerk gehören, cmc aus drei Schichten 4, 5, 6 bestehende Metallisierung. Die unterste Schicht 4 und die oberste Schicht 6 dieser Metallisierung sind jeweils Kupferschichten von 2000 A Dicke. Die zwischen diesen beiden Kupferschichten 4 und 6 verlaufende Zwischenschicht 5 besteht aus einem als Diffusionssperre wiikcnden Metall, beispielsweise ans Eisen, Nickel oder Kobalt. Die Dicke dieser Schicht 5 beträgt 4000A. Die aus den Schichten 4, 5. 6 bestehende Metallisierung ist an allen denjenigen Stellen auf die Venlilmetallsthkhl 2 aufgebracht, die für I.eiterbahnen und für Anschlußkontakte vorgesehen sind. Auf die aus ilen Schichten 4, 5, 6 bestehende Metallisierung ist eine aus Blci-Zinn-Eutoktikum bestehende leitschicht 7 aufgebracht. Hierbei wirkt die Zwischenschicht 5 als Diffusionsspcrrc gegen zu schnelles Eindiffundicicn der unteren Kunferschicht 4 in die I otschicht 7. Die I otschicht 7 bildet zusammen mit den St dichten 4. 5 und fi und mit ilen jewi-ils chniinteiliegenden Ί eilen der Vcntilmetallsi-liicht 2 sowohl die Leiterbahnen als auch die lötfiihij'cn Anschhißkontakte, die zur äußeren Kontaktierung der Düniischichtbaugruppe und' oder zum Anbringen weiterer Bauelemente dienen können. Beim Anbringen weiterer Bauelemente an die Dünnschichtbaugruppe spricht man allgemein von Dünnschichthybriden. Die nicht mit den Schichten 4, 5, 6 und 7 behafteten, oxydierten Teile der Ventilmeiaiischiciu 2 bilden das, Widerstandsnetzwerk der Dünnschichtbaugruppe bzw. des Dünnschichthybrids. According to FIG. 1, on a carrier plate 1 consisting of an insulating substrate, a layer 2 of valve metal, 1000 Å thick, containing the circular geometry of the circuit network, is applied. Valve metal is understood to be a metal that forms an oxide that blocks direct current. Tantalum is preferably provided as the valve metal. Instead, however, the metals niobium and aluminum can also be used. Zirconium and hafnium can be used. The valve metal layer 2 has an oxide layer 3 on those surface areas which form the resistor network, which is produced in that the valve metal layer 2 is partially anodically oxidized at these points. On those surface areas that do not belong to the resistor network, the film clad layer 2 has metallization consisting of three layers 4, 5, 6. The lowest layer 4 and the uppermost layer 6 of this metallization are each copper layers with a thickness of 2000 Å. The intermediate layer 5 running between these two copper layers 4 and 6 consists of a metal, for example iron, nickel or cobalt, which acts as a diffusion barrier. The thickness of this layer 5 is 4000A. The metallization consisting of the layers 4, 5, 6 is applied to the valve metal steel 2 at all those points which are provided for conductor tracks and for connection contacts. A conductive layer 7 consisting of blci-tin eutectic is applied to the metallization consisting of ilen layers 4, 5, 6. Here, the intermediate layer 5 acts as Diffusionsspcrrc against too rapid Eindiffundicicn the lower Kunferschicht 4 in the I otschicht 7. The I otschicht 7 together with the St-tight 4. 5 and fi and with ilen jewi-ils chniintei lying Ί hasten the Vcntilmetallsi-Liicht 2 both the conductor tracks and the solderable connection contacts, which can be used for external contacting of the thin-layer assembly and 'or for attaching further components. When attaching further components to the thin-film assembly, one generally speaks of thin-film hybrids. The oxidized parts of the valve mechanism 2 that are not affected by the layers 4, 5, 6 and 7 form the resistance network of the thin-layer assembly or the thin-layer hybrid.
Die Fig. 2a bis 2h zeigen die Dünnschichtbaugruppe bei den verschiedenen erfindungsgemäß auszuführenden Verfahrensschritten. Auf das Trägerplättchen 1 wird zuerst eine durchgehende Ventilmetallschicht 2 aufgebracht. Auf diese Schicht 2 werden die Metallschichten 4, 5 und 6 hintereinander durch Kathodenzerstäubung aufgebracht. Auf das so beschichtete Trägerpläüchen wird dann gemäß Fig. 2a in bekannter Weise eine Photolackmaske8 aufgebracht, die die für die Herstellung der Dünnschichlbaugruppe benötigten Bereiche des Schichtsystems 2. 4. 5 und 6 abdeckf. Es sind dies alle diejenigen Bereiche, die zu Widerstandsbahnen, zu Leiterbahnen oder zu Anschlußkontakten führen sollen, d.h. diejenigen Bereiche, die die Grundgeometrie des Dünnschichtnetzwerks ausmachen. Von der Maske 8 freigelassen werden also diejenigen Bereiche, an denen die Oberfläche des Trägerplättchens 1 wieder freigelegt werden soll. Das mit den Schichten 2, 4, 5 und 6 und mit der Photolackmaske 8 behaftete Traget plättchen 1 wird dann in eine Mischung von Flußsäure, Salpetersäure und Wasser eingetaucht und dabei gemäß Fig. 2 b die Grimdgcometric des Schaltungsnetzwerks ausgeätzt. Dann wird das so behandelte, mit der Grundgeometrie des Schaltungsnetzwerks behaftete Trägerplättchen in Aceton eingc- taucht und dabei gemäß Fig. 2c die Photolackmaske H abgelöst. Anschließend werden diejenigen Teile des Schichtsystems 2, 4, 5, 6, die zu Leiterbahnen oder zu Anschlußkeintakten führen sollen, gemäß F i g. 2 d mit einer im Siebdruckverfahren aufgebrach-2a to 2h show the thin-film assembly in the various method steps to be carried out according to the invention. A continuous valve metal layer 2 is first applied to the carrier plate 1. The metal layers 4, 5 and 6 are applied one behind the other to this layer 2 by cathode sputtering. A photoresist mask 8 is then applied in a known manner to the carrier plate coated in this way, as shown in FIG. These are all those areas that should lead to resistance tracks, conductor tracks or connection contacts, ie those areas that make up the basic geometry of the thin-film network. The mask 8 thus leaves those areas free where the surface of the carrier plate 1 is to be uncovered again. The coated with the layers 2, 4, 5 and 6 and with the photoresist mask 8 Traget plate 1 is then immersed in a mixture of hydrofluoric acid, nitric acid and water and etched out the Grimdgcometric of the circuit network as shown in FIG. 2b. Then the carrier plate, which has been treated in this way and has the basic geometry of the circuit network, is immersed in acetone and the photoresist mask H is peeled off according to FIG. 2c. Then those parts of the layer system 2, 4, 5, 6 which are to lead to conductor tracks or to non-connecting contacts are shown in accordance with FIG. 2 d with a screen-printed
4t> ten Formgebungsmaske 9 abgedeckt. Nicht abgedeckt werden also alle Stellen, die zu Widerständen führen sollen. Hierauf wird das mit dem Schichtsystem 2, 4, S, 6 und mit der Formgebungsmaske 9 behaftete Trägerplättchen 1 in eine wäßrige Salpetcrsäurelösung eingetaucht und dabei die aus den Schichten 4, 5, 6 bestehende Metallisierung an den nicht mit der Formgebungsmaske 9 abgedeckten Stellen selektiv weggeätzt. Stehen bleibt also an diesen Stellen gemäß Fig. 2e die von dem Ätzmittel nicht angreifbare Vcntilmetallschicht 2. Nun wird das mit der Siebdruckmaske 9 behaftete, an den frei liegenden Stellen selektiv geätzte System 1, 2, 4, 5, 6 auf eine Temperatur von 130"'C erwärmt. Dadurch wird erreicht, daß der die Siebdruckmaske 9 bildende Piceinlack zum Fließen kommt und sich über die Ätzkanten hinweg bis auf die Oberseite des Ί rägeipHittchens bzw. auf die Ventilmctalischicht absenkt. F i g. 2 f zeigt das I'rägerpHiltchcn 1 mit dem Schichtsystem 2, 4, 5, 6 und der Siebdruckmaske9 nach der F.rwiirmmig auf \M) C. Die Absenkung ist hier deutlich zu erkennen. Um den olimschen Widerstand des aus den freigeätzten Teilen der Vcntilmetallschicht bestehenden Widerstandsnetzwerks auf einen bestimmten vorgeschriebenen Wert einzustellen, wird nun gemäß4t> th shaping mask 9 covered. So all points that are supposed to lead to resistance are not covered. Then the carrier plate 1 with the layer system 2, 4, S, 6 and the shaping mask 9 is immersed in an aqueous nitric acid solution and the metallization consisting of the layers 4, 5, 6 is selectively etched away at the points not covered with the shaping mask 9 . The non-sensitive metal layer 2 , which cannot be attacked by the etchant, remains at these points according to FIG. 2e This ensures that the picein lacquer forming the screen printing mask 9 begins to flow and lowers over the etched edges to the top of the chipboard or the valve metal layer. Fig. 2f shows the carrier filter 1 with the layer system 2, 4, 5, 6 and the screen printing mask9 after the spiral on \ M) C. The lowering can be clearly seen here Value is now set according to
6S F i g. 2 g dieses Widerstandsnetzwerk an seiner Oberseite durch anodische Oxidation teilweise in eine Oxidschicht 3 umgewandelt. Hierbei bietet die Siebdruckmaske 9, die sich über die Ätzkanten der 6 SF i g. 2 g of this resistor network is partially converted into an oxide layer 3 on its upper side by anodic oxidation. Here, the screen printing mask 9, which extends over the etched edges of the
Metallisierung 4, 5, 6 hinweg und an den völlig freigelegten Stellen des Trägerplättchens auch über die Ätzkanle der Ventilmetallschicht 2 hinweg erstreckt, einen ausgezeichneten Schutz der Leiterbahnen und der Anschlußkontakte gegenüber einem Angriff des Elektrolyten. Sollte trotzdem auf Grund eines Fehlers in der Siebdruckmaske eine Leiterbahn oder ein Anschlußkontakt an irgendeiner Stelle frei liegen, so bilden sich, wenn der Elektrolyt mit den Materialien in Kontakt kommt, den Kurzschluß ausheilende Oxide:Metallization 4, 5, 6 away and at the completely exposed points of the carrier plate also over the Etching channels of the valve metal layer 2 extends away, an excellent protection of the conductor tracks and the connection contacts against attack by the electrolyte. Should anyway due to an error a conductor path or a connection contact are exposed at any point in the screen printing mask, so form when the electrolyte comes into contact with the materials, healing the short circuit Oxides:
Cu++ +2OH-Fe++ + 2OH-Cu + + + 2OH-Fe + + + 2OH-
CuO + H2O
FeO + H2OCuO + H 2 O
FeO + H 2 O
Im Anschluß an die anodische Oxidation wird die Siebdruckmaske 9 durch Eintauchen des Systems 1, 2, 3, 4, 5, 6, 9 in Trichloräthylen entfernt. Das verbleibende, in F i g. 2 h dargestellte System 1, 2, 3, 4, 5, 6 bildet eine Dünnschichtbaugruppe mit einem Widerstandsnetzwerk, das aus Ventilmetall besteht, und mit Leiterbahnen und Anschlußkontakten, die aus Ventilmetall und aus einer darauf aufgebrachten dreischichtigen Metallisierung bestehen, wobei diese Metallisierung aus einem Kupfcr-Eisen-Kupfcr-Systcm oder aus einem Kupfer-Nickcl-Kupfer-System oder aus einem Kupfer-Kobalt-Kupfer-System gebildet wird. Das in Fi g. 2 h dargestellte System 1, 2, 3, 4, 5, 6 wird nun in flüssiges, aus Blei-Zinn-Eutcktikum bestehendes Lot eingetaucht. Das flüssige Lot benetzt die aus Ventilmetall bestehenden, mit der Oxidschicht 3 behafteten Widerstandsbahnen 2 nicht. Die Oberseite derFollowing the anodic oxidation, the screen printing mask 9 is made by immersing the system 1, 2, 3, 4, 5, 6, 9 removed in trichlorethylene. The remaining, shown in FIG. System 1, 2, 3, 4, 5, 6 shown for 2 hours forms a thin film assembly with a resistor network made of valve metal and with Conductor tracks and connection contacts made of valve metal and a three-layer applied to it Metallization consist, this metallization from a Kupfcr-Eisen-Kupfcr-Systcm or from a copper-nickel-copper system or from a copper-cobalt-copper system. This in Fi g. System 1, 2, 3, 4, 5, 6 shown in 2h now becomes in liquid, made of lead-tin-eutectic Solder immersed. The liquid solder wets those made of valve metal with the oxide layer 3 attached Resistance tracks 2 not. The top of the
ίο Metallisierung 4, 5, 6 wird dagegen von dem flüssigen Lot unter Bildung einer Lotschicht 7 benetzt, so daß das in Fig. 11 dargestellte Gebilde entsteht, das die fertige Dünnschichtbaugruppc darstellt. Der Vorteil der aus den Schichten 4, 5, 6 bestehenden Metallisierung besteht dabei in der Eigenschaft der aus Eisen, Nickel oder Kobalt bestehenden Schicht 5, als Diffusionssperre gegen zu schnelles Eindiffundieren dei unteren Kupferschicht 4 in das Lötmaterial 7 zu wirken.ίο Metallization 4, 5, 6 , on the other hand, is wetted by the liquid solder to form a solder layer 7, so that the structure shown in FIG. 11 is created, which represents the finished thin-film module. The advantage of the metallization consisting of the layers 4, 5, 6 consists in the property of the layer 5 consisting of iron, nickel or cobalt to act as a diffusion barrier to prevent the lower copper layer 4 from diffusing too quickly into the soldering material 7.
Durch das Aufbringen der Lotschicht 7 wird die elektrische Leitfähigkeit der Leiterbahnen erheblich erhöht.By applying the solder layer 7, the electrical conductivity of the conductor tracks becomes considerable elevated.
Hierzu 3 Blatt ZeichnungenFor this purpose 3 sheets of drawings
Claims (1)
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
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| GB5071372A GB1412986A (en) | 1971-11-05 | 1972-11-03 | Thin-film circuit assemblies |
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| US437223A US3883947A (en) | 1971-11-05 | 1974-01-28 | Method of making a thin film electronic circuit unit |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| DE19712155029 DE2155029C3 (en) | 1971-11-05 | Electronic thin film circuit |
Publications (3)
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Family
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