DE19780905C2 - Resistance and process for its manufacture - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Widerstand nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Widerstandes.The present invention relates to a resistor according to the preamble of claim 1 and a method for producing such a resistor.
Überlaststrom-Schutzschaltkreise werden in Elektronikgeräte kleiner Bau größe heutzutage mit Widerständen mit niedrigem Widerstandswert versehen. Dafür sind beispielsweise Widerstände auf einem isolierenden Substrat bekannt, die durch Vakuumabscheidung oder Sputtern hergestellt werden und bis auf die Anschluss kontakte mit einem Schutzfilm abgedeckt sind. Die Anschlusskontakte werden ge eignet beschichtet. Es sind auch Widerstände bekannt, bei denen eine Widerstands metallfolie auf einem isolierenden Substrat mit einem Klebstoff befestigt, durch Photolithographie strukturiert, mit einer Schutzbeschichtung versehen und mit Elektroden kontaktiert wird. Der zur Herstellung nötige Vakuumprozess beim Ab scheiden oder Sputtern erschwert die Produktion. Das Befestigen der Widerstands metallfolie auf dem isolierenden Substrat mittels eines Klebstoffes muss in der Re gel manuell ausgeführt werden, was die gleichmäßige Haftung der Widerstandsfolie herabsetzt und somit die Produktausbeute vermindert.Overload current protection circuits are small in electronic devices size nowadays with resistors with low resistance. Therefore For example, resistors on an insulating substrate are known which are caused by Vacuum separation or sputtering can be produced and up to the connection contacts are covered with a protective film. The connection contacts are ge suitably coated. Resistors are also known in which a resistor metal foil attached to an insulating substrate with an adhesive Structured photolithography, provided with a protective coating and with Electrodes is contacted. The vacuum process required to manufacture the Ab Cutting or sputtering makes production difficult. Fastening the resistance metal foil on the insulating substrate by means of an adhesive must be re gel can be carried out manually, which ensures the uniform adhesion of the resistance film reduced and thus the product yield reduced.
Soll nur die Produktausbeute bei der Herstellung des Widerstandsfilms ge steigert werden, kann der Widerstand aus einer gewöhnlichen Widerstandspaste, wie z. B. Pd-Ag oder Pd-Ag-RuO2-Paste, durch Siebdruck aufgebracht werden, was gegenwärtig eines der Verfahren mit höchster Ausbeute ist. Wird der Widerstand durch Siebdruck aus nur einem einzigen Material hergestellt, kann ein Schichtwi derstandswert von beispielsweise unter 100 mΩ/ oder weniger nur schwer erreicht werden. Deshalb ist dieses Verfahren zum Herstellen eines SMD-Widerstandes, der einen Überlaststrom sehr genau feststellen können soll, nicht geeignet.If only the product yield in the manufacture of the resistor film is to be increased, the resistor can be made from a conventional resistor paste, such as. B. Pd-Ag or Pd-Ag-RuO 2 paste, applied by screen printing, which is currently one of the methods with the highest yield. If the resistance is produced by screen printing from only a single material, a layer resistance value of, for example, less than 100 mΩ / or less is difficult to achieve. Therefore, this method is not suitable for producing an SMD resistor, which should be able to determine an overload current very precisely.
Zur einfachen Herstellung eines Widerstandes mit niedrigem Widerstands wert ist ein weiteres Verfahren bekannt, bei dem die Widerstandsschicht aus einer elektrisch leitenden Paste gebildet wird, die Glaspulver enthält. Obwohl versucht wurde, den Widerstandskoeffizienten (TCR) eines solchen Widerstandes beispiels weise unter 500 ppm/°C zu senken, wurde ein so geringer TCR für SMD-Wider stände aus einer elektrisch leitfähigen Schicht, die Glaspulver enthält, noch nicht erreicht.For easy manufacture of a low resistance resistor Another method is known in which the resistance layer consists of a electrically conductive paste is formed, which contains glass powder. Although tried the resistance coefficient (TCR) of such a resistor, for example wise lower than 500 ppm / ° C was such a low TCR for SMD resistors does not yet consist of an electrically conductive layer containing glass powder reached.
Aus der DE 41 36 198 A1 ist ein Widerstand gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bekannt. Bei diesem vorbekannten Widerstand besteht die untere Wi derstandsschicht mit dem größeren Widerstand aus NiCr und die obere Wider standsschicht mit niedrigerem Schichtwiderstand aus WTi. Der vorbekannte Wider stand wird insbesondere zur Herstellung von Hybridschaltungen für den Mikrowel lenbereich eingesetzt.DE 41 36 198 A1 describes a resistor according to the preamble of Claim 1 known. With this known resistance there is the lower Wi the resistive layer with the greater resistance made of NiCr and the upper resistance base layer with lower sheet resistance made of WTi. The known contradiction Stand is particularly for the production of hybrid circuits for the microwave len range used.
Dem gegenüber liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ei nen Widerstand der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Gattung so wei terzubilden, dass er bei möglichst einfacher und kostengünstiger Herstellbarkeit zum präzisen Detektieren eines Überlaststromes eingesetzt werden kann.In contrast, the present invention is based on the object NEN resistance of the type specified in the preamble of claim 1 so white to train that it is as simple and inexpensive to manufacture as possible can be used for the precise detection of an overload current.
Diese Aufgabe wird durch einen Widerstand gemäß Patentanspruch 1 gelöst. Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen eines derartigen Widerstandes ergibt sich aus Anspruch 6. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.This object is achieved by a resistor according to claim 1. A method according to the invention for producing such a resistor results from claim 6. Further advantageous refinements of the invention are defined in the subclaims.
Für den erfindungsgemäßen Widerstand ist es von Bedeutung, dass der Wi derstand auf dem isolierenden Substrat aus zwei Schichten besteht, einer unteren Widerstandsschicht auf dem isolierenden Substrat und einer oberen Widerstands schicht auf der unteren, und dass die obere Widerstandsschicht einen niedrigeren Schichtwiderstand hat als die untere. Die untere Widerstandsschicht ist eine Pd-Ag- Schicht oder Pd-Ag-RuO2-Schicht, welche beide sehr kostengünstig sind. Die Dicke der unteren Widerstandsschicht liegt vorzugsweise zwischen 5 und 15 µm. Die obere Widerstandsschicht ist eine Schicht aus Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-W-P, Ni-Cr-P oder Ni-Re-P. Die Dicke der oberen Widerstandsschicht liegt vorzugsweise zwi schen 1 und 5 µm. Mit zwei solchen Widerstandsschichten, die einen unterschiedli chen Schichtwiderstand aufweisen, können die gewünschten niedrigen Wider standswerte leicht erreicht werden. Üblicherweise ist ein Widerstandswert von unter 100 mΩ/, vorzugsweise 22 bis 47 mΩ/, erreichbar. Dadurch kann der Widerstand in einem Überlaststrom-Schutzschaltkreis eines elektronischen Gerätes kompakter Größe sehr gut eingesetzt werden. Beide Schichtwiderstände sind direkt mit zwei Anschlusselektroden auf dem isolierenden Substrat verbunden.For the resistor according to the invention, it is important that the resistor on the insulating substrate consists of two layers, a lower resistor layer on the insulating substrate and an upper resistor layer on the lower one, and that the upper resistor layer has a lower layer resistor than the lower one , The lower resistance layer is a Pd-Ag layer or Pd-Ag-RuO 2 layer, both of which are very inexpensive. The thickness of the lower resistance layer is preferably between 5 and 15 μm. The upper resistance layer is a layer made of Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-WP, Ni-Cr-P or Ni-Re-P. The thickness of the upper resistance layer is preferably between 1 and 5 microns. With two such resistance layers, which have a differing layer resistance, the desired low resistance values can easily be achieved. A resistance value of less than 100 mΩ /, preferably 22 to 47 mΩ /, can usually be achieved. As a result, the resistor can be used very well in an overload current protection circuit of an electronic device of compact size. Both film resistors are connected directly to two connection electrodes on the insulating substrate.
Um einen Überlaststrom besonders genau festzustellen, ist es bevorzugt, dass der Temperaturkoeffizient (TCR) der Schichtwiderstände niedrig ist, vorzugsweise nicht über 300 ppm/°C, besonders bevorzugt zwischen 0 und 250 ppm/°C. Ein solch geringer TCR wird dann erhalten, wenn Material oder Dicke beider Widerstands schichten geeignet ausgewählt werden. Dabei ist zu bevorzugen, dass der TCR der oberen Widerstandsschicht geringer ist als der TCR der unteren Widerstandsschicht.In order to determine an overload current particularly precisely, it is preferred that the temperature coefficient (TCR) of the sheet resistances is low, preferably not above 300 ppm / ° C, particularly preferably between 0 and 250 ppm / ° C. Such low TCR is obtained when the material or thickness of both resistors layers can be selected appropriately. It is preferable that the TCR is the upper resistance layer is less than the TCR of the lower resistance layer.
Weiter ist bevorzugt, die obere Widerstandsschicht vollständig über der unte ren Widerstandsschicht vorzusehen, um den Widerstandswert herabzusetzen, ohne den TCR der Widerstandsschichten groß zu verändern. Zur Herstellung eines kos tengünstigen Widerstandes, der einen Überlaststrom besonders genau feststellen kann, wird die untere Widerstandsschicht vorzugsweise aus einem Pd-Ag-haltigen Material und die obere Widerstandsschicht aus einem Ni-haltigen Material herge stellt.It is further preferred that the upper resistance layer completely over the bottom Ren resistance layer to reduce the resistance value without to change the TCR of the resistance layers large. To make a kos Favorable resistance, which determine an overload current particularly precisely , the lower resistance layer is preferably made of a Pd-Ag-containing one Material and the upper resistance layer from a Ni-containing material provides.
Der Widerstand hat zwei Anschlusskontakte mit je einer Kontaktierung und üblicherweise je einem Außenanschluss. Darüber hinaus kann die obere Wider standsschicht mit einer Schutzschicht aus einem Epoxyharz o. ä. abgedeckt werden. The resistor has two connection contacts with one contact each and usually one external connection each. In addition, the upper contra the base layer can be covered with a protective layer made of an epoxy resin or similar.
Das erfindungsgemäße Herstellverfahren erlaubt eine einfache Herstellung des Widerstandes durch Siebdruck und galvanische oder autokatalytische Abschei dung bei hoher Ausbeute.The manufacturing method according to the invention allows simple manufacturing resistance by screen printing and galvanic or autocatalytic separation with high yield.
Erfindungsgemäß werden zuerst in einem Schritt (a) durch Siebdruck zwei Kontaktierungen auf einem isolierenden Substrat aufgebracht. Im Schritt (a) kann eine bekannte Kontaktierungspaste auf dem isolierenden Substrat durch Siebdruck in einer vorbestimmten Struktur aufgebracht und anschließend gebrannt werden.According to the invention, two are first screen-printed in one step (a) Contactings applied to an insulating substrate. In step (a) can a known contacting paste on the insulating substrate by screen printing applied in a predetermined structure and then fired.
In einem zweiten Schritt (b) wird die untere Widerstandsbeschichtung auf dem isolierenden Substrat durch Siebdruck so aufgebracht, daß sie mit den Kontak tierungen aus Schritt (a) in Verbindung steht. Im Schritt (b) kann das Material der unteren Widerstandsschicht, z. B. eine Pd-Ag- oder eine Pd-Ag-RuO2-Paste durch einen Siebdruck auf dem isolierenden Substrat in einem vorbestimmten Muster so aufgebracht werden, daß sie zwischen den Kontaktierungen liegt und mit diesen in Verbindung steht. Anschließend wird die aufgebrachte Paste gebrannt.In a second step (b), the lower resistance coating is applied to the insulating substrate by screen printing so that it is in contact with the contacts from step (a). In step (b) the material of the lower resistance layer, e.g. B. a Pd-Ag or a Pd-Ag-RuO 2 paste by screen printing on the insulating substrate in a predetermined pattern so that it lies between the contacts and is connected to them. The applied paste is then fired.
Als nächstes wird in einem Schritt (c) die obere Widerstandsschicht auf der unteren galvanisch so aufgebracht, daß die obere Widerstandsschicht mit den in Schritt (a) aufgebrachten Kontaktierungen verbunden ist. Die obere Widerstands schicht hat einen niedrigeren Schichtwiderstand als die untere Widerstandsschicht. Im Schritt (c) kann für die obere Widerstandsschicht ein Material aufgebracht wer den, das beispielsweise der oberen Widerstandsschicht einen niedrigeren Schichtwi derstandswert und vorzugsweise einen niedrigeren TCR verleiht als die untere Schicht aufweist. Ein solches Metall kann Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-W-P, Ni-Cr-P oder Ni-Re-P sein. Es wird auf die untere Widerstandsschicht galvanisch oder autokata lytisch in einem vorbestimmten Muster, vorzugsweise vollständig über der unteren Widerstandsschicht, so aufgebracht, daß es sich zwischen den Kontaktierungen er streckt und mit diesen verbunden ist. Wird die obere Widerstandsschicht autokata lytisch aufgebracht, wird das Vorbehandlungsmittel vorzugsweise mit einer aktivie renden, starken Säure (pH 1 oder geringer), z. B. einer Palladiumchloridlösung, ent fernt. Der Einsatz einer solchen aktivierenden, starken Säure kann den TCR der Wi derstandsschicht anheben und den Widerstandswert der Widerstandsschicht hinsichtlich Überlaststrom herabsetzen. Die autokatalytische Beschichtung ohne Akti vierungslösung kann beispielsweise durch negative Aufladung der unteren Wider standsschicht mittels eines galvanischen Prozesses durchgeführt werden, um die negative Ladung als Initiator für die autokatalytische Reaktion auszunutzen.Next, in a step (c), the upper resistance layer on the lower galvanically applied so that the upper resistance layer with the in Step (a) applied contacts is connected. The upper resistance layer has a lower layer resistance than the lower resistance layer. In step (c), a material can be applied for the upper resistance layer that, for example, the lower resistance layer has a lower layer the level value and preferably gives a lower TCR than the lower one Layer. Such a metal can be Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-W-P, Ni-Cr-P or Be Ni-Re-P. It is galvanized or autokata on the lower resistance layer lyically in a predetermined pattern, preferably completely over the lower one Resistance layer, applied so that it is between the contacts stretches and is connected to them. The upper resistance layer becomes autocata the pretreatment agent is preferably applied with an activie rendering strong acid (pH 1 or less), e.g. B. a palladium chloride solution, ent removed. The use of such an activating, strong acid can make the TCR of the Wi raise the resistive layer and the resistance value of the resistive layer with regard to Reduce overload current. The autocatalytic coating without acti The solution can be negatively charged, for example, by lower charges layer can be carried out by means of a galvanic process in order to to use negative charge as an initiator for the autocatalytic reaction.
Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren können optionale Schritte, wie z. B. Aufbringen einer Schutzbeschichtung, Bilden der Anschlußkontakte oder galvanisches Aufbringen von Kontaktierungen zusätzlich zu obigen Schritten durch geführt werden.In the manufacturing method according to the invention, optional steps, such as B. applying a protective coating, forming the contacts or galvanic application of contacts in addition to the above steps be performed.
Die vorliegende Erfindung wird nun anhand der Zeichnung detaillierter be schrieben. Die einzige Figur der Zeichnung zeigt einen schematischen Längsschnitt durch eine Ausführungsform eines SMD-Widerstandes (chip resistor) mit niedrigem Widerstand.The present invention will now be described in more detail with reference to the drawing wrote. The only figure in the drawing shows a schematic longitudinal section by an embodiment of a SMD resistor (chip resistor) with low Resistance.
Der Widerstand in Fig. 1 besteht aus einem Substrat 11 aus einer Aluminium oxidkeramik, einer unteren Widerstandsschicht 11 aus Pd-Ag, einer oberen Wider standsschicht 13 aus Ni-Cu-P, Deck- und Rückseiten-Silberkontaktierungen 14, 15 sowie Außenanschlüssen 17, mit Anschlußbeschichtungen 18 sowie einer Schutz schicht 16.The resistor in Fig. 1 consists of a substrate 11 made of an aluminum oxide ceramic, a lower resistance layer 11 made of Pd-Ag, an upper resistance layer 13 made of Ni-Cu-P, top and rear silver contacts 14 , 15 and external connections 17 , with connection coatings 18 and a protective layer 16 .
Die untere Widerstandsschicht 12 ist auf dem isolierenden Substrat 11 so vorgesehen, daß sie die beiden Deckkontaktierungen 14 kontaktiert. Die obere Wi derstandsschicht 13 hat einen niedrigeren Schichtwiderstand und geringeren TCR als die untere Widerstandsschicht 12 und ist über der gesamten Oberfläche der unte ren Widerstandsschicht 12 vorgesehen. Sie kontaktiert die beiden Deckkontaktie rungen 14.The lower resistance layer 12 is provided on the insulating substrate 11 so that it contacts the two cover contacts 14 . The upper resistance layer 13 has a lower sheet resistance and lower TCR than the lower resistance layer 12 and is provided over the entire surface of the lower resistance layer 12 . It contacts the two deck contacts 14 .
Die Außenanschlüsse 17 sind in Fig. 1 am linken und rechten Ende des iso lierenden Substrates 11 vorgesehen und kontaktieren die freien Kontaktflächen der Deck- und Rückseitenkontaktierungen 14, 15 sowie der oberen Widerstandsschicht 13 und decken diese ab. Die Schutzbeschichtung 16 ist auf der oberen Widerstands schicht 13 vorgesehen. Die Anschlußbeschichtungen 18 sind auf einem freiliegen den Teil der oberen Widerstandsschicht 13 aufgalvanisiert, der nicht von der Schutzschicht 16, der Rückenseitenkontaktierung 15 oder dem Außenanschluß 17 abgedeckt ist.The outer connections 17 are provided in FIG. 1 at the left and right ends of the insulating substrate 11 and contact the free contact surfaces of the top and rear contacts 14 , 15 and the upper resistance layer 13 and cover them. The protective coating 16 is provided on the upper resistance layer 13 . The connection coatings 18 are galvanized onto an exposed part of the upper resistance layer 13 which is not covered by the protective layer 16 , the rear side contact 15 or the outer connection 17 .
Zur Herstellung dieses SMD-Widerstandes wird zuerst eine Ag-Paste auf der Aluminiumoxidkeramik des Substrates 11 durch Siebdruck in einem vorbestimmten Muster aufgebracht und gebrannt, um zwei Deckkontaktierungen 14 zu bilden. Da nach wird eine Pd-Ag-Paste auf dem isolierenden Substrat 11 durch Siebdruck so aufgebracht, daß sie sich zwischen den Ag-Deckkontaktierungen 14 erstreckt. An schließend wird die Paste zur unteren Widerstandsschicht 12 gebrannt. Nun wird die untere Widerstandsschicht 12 mit einer Ni-Cu-P-Material autokatalytisch beschich tet, und so die obere Widerstandsschicht 13 gebildet, die einen niedrigeren Schicht widerstand als die untere Widerstandsschicht 12 hat. Anschließend werden die Ag- Rückseitenkontaktierungen 15 und die Schutzschicht 16 durch Siebdruck und an schließendes Brennen hergestellt. Anschließend werden die Außenanschlüsse 17 durch Aufbringen und Brennen eines Kontaktierungsmaterials hergestellt. Schließ lich wird ein Kontaktierungsmaterial als Anschlußbeschichtung 18 auf den Ag- Rückseitenkontaktierungen 15, den Außenanschlüssen 17 und dem freiliegenden Teil der oberen Widerstandsschicht 13 aufgebracht und damit die Herstellung des SMD-Widerstandes abgeschlossen.To produce this SMD resistor, an Ag paste is first applied to the alumina ceramic of the substrate 11 by screen printing in a predetermined pattern and fired to form two cover contacts 14 . After that, a Pd-Ag paste is applied to the insulating substrate 11 by screen printing so that it extends between the Ag cover contacts 14 . At closing the paste is burned to the lower resistance layer 12 . Now, the lower resistive layer 12 is autocatalytically tet beschich with a Ni-Cu-P-material, and so the upper resistive layer 13 is formed, the resistance layer has a lower resistance than the lower layer 12th The Ag back contacts 15 and the protective layer 16 are then produced by screen printing and subsequent firing. The external connections 17 are then produced by applying and firing a contacting material. Finally, a contacting material is applied as a connection coating 18 on the Ag rear side contacts 15 , the outer connections 17 and the exposed part of the upper resistance layer 13 , thus completing the manufacture of the SMD resistor.
Die obere Widerstandsschicht 13 aus Ni-Cu-P-Material auf der unteren Wi derstandsschicht 12 aus Pd-Ag-Material, die autokatalytisch aufgebracht wird, kann durch eine galvanisch aufgebrachte obere Widerstandsschicht mit einem nickelhal tigen Material, z. B. Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-W-P, Ni-Cr-P oder Ni-Re-P, ersetzt wer den.The upper resistance layer 13 made of Ni-Cu-P material on the lower resistance layer 12 made of Pd-Ag material, which is applied autocatalytically, can be applied by a galvanically applied upper resistance layer with a nickel-containing material, e.g. B. Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-WP, Ni-Cr-P or Ni-Re-P, who replaced the.
In dieser Ausführungsform haben die Widerstandsschichten einen Wider standswert von 33 mΩ, 22 mΩ oder geringer bei einer SMD-Größe von 3,2 mm × 2,5 mm. Darüber hinaus liegt der TCR der Widerstandsbeschichtungen nicht über 300 ppm/°C.In this embodiment, the resistance layers have a resistance level of 33 mΩ, 22 mΩ or less with an SMD size of 3.2 mm × 2.5 mm. In addition, the TCR of the resistance coatings is not above 300 ppm / ° C.
Claims (7)
einem isolierenden Substrat (11),
Widerstandsschichten (12, 13) auf dem isolierenden Substrat (11) und
einem Paar Kontaktierungen (14, 15), die jeweils eine Deckkontaktierung (14) aufweisen,
wobei die Widerstandsschichten (12, 13) bestehen aus:
einer unteren Widerstandschicht (12), die mit den Deckkontaktierun gen (14) verbunden ist und auf dem isolierenden Substrat (11) liegt, und
einer mit den Deckkontaktierungen (14) verbundenen oberen Wider standsschicht (13) auf der unteren Widerstandsschicht (12),
wobei der Schichtwiderstandswert der oberen Widerstandsschicht (13) niedriger ist als der der unteren Widerstandsschicht (12),
dadurch gekennzeichnet, dass die untere Widerstandsschicht (12) aus einer Pd-Ag Schicht oder einer Pd-Ag-RuO2 Schicht besteht und die obere Widerstands schicht aus einer Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-W-P, Ni-Cr-P oder Ni-Re-P Schicht besteht.1. Resistance with:
an insulating substrate ( 11 ),
Resistance layers ( 12 , 13 ) on the insulating substrate ( 11 ) and
a pair of contacts ( 14 , 15 ), each having a top contact ( 14 ),
the resistance layers ( 12 , 13 ) consist of:
a lower resistance layer ( 12 ) which is connected to the cover contacts ( 14 ) and lies on the insulating substrate ( 11 ), and
an upper resistance layer ( 13 ) connected to the cover contacts ( 14 ) on the lower resistance layer ( 12 ),
the sheet resistance of the upper resistance layer ( 13 ) being lower than that of the lower resistance layer ( 12 ),
characterized in that the lower resistance layer ( 12 ) consists of a Pd-Ag layer or a Pd-Ag-RuO 2 layer and the upper resistance layer consists of a Ni, Ni-P, Ni-Cu-P, Ni-WP, Ni -Cr-P or Ni-Re-P layer.
- a) Aufbringen zweier Deckkontaktierungen (14) auf einem isolierenden Substrat (11) mittels Siebdruck,
- b) Aufbringen einer unteren Widerstandsschicht (12) auf dem isolierenden Substrat (11) mittels Siebdruck so, dass die untere Widerstandsschicht (12) die Deckkontaktierungen (14) kontaktiert, und
- c) galvanisches oder autokatalytisches Aufbringen einer oberen Widerstandsschicht (13) auf der unteren Widerstandsschicht (12) so, dass die obere Widerstandsschicht (13) die Deckkontaktierungen (14) kontaktiert, wobei der Schichtwiderstandswert der oberen Widerstandsschicht (13) niedriger ist als der der unteren Widerstandsschicht (12),
- a) applying two cover contacts ( 14 ) on an insulating substrate ( 11 ) by means of screen printing,
- b) applying a lower resistance layer ( 12 ) on the insulating substrate ( 11 ) by means of screen printing so that the lower resistance layer ( 12 ) contacts the cover contacts ( 14 ), and
- c) electrodepositing or electroless deposition of a top resistance layer (13) so that the upper resistance layer (13) contacted on the lower resistive layer (12), the Deckkontaktierungen (14), wherein the sheet resistance of the upper resistance layer (13) is lower than that of the lower Resistance layer ( 12 ),
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