DE2123378C2 - Verfahren zum Versiegeln eines flachen Gehäuses - Google Patents
Verfahren zum Versiegeln eines flachen GehäusesInfo
- Publication number
- DE2123378C2 DE2123378C2 DE2123378A DE2123378A DE2123378C2 DE 2123378 C2 DE2123378 C2 DE 2123378C2 DE 2123378 A DE2123378 A DE 2123378A DE 2123378 A DE2123378 A DE 2123378A DE 2123378 C2 DE2123378 C2 DE 2123378C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- housing
- sealing
- sealing part
- pressure
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65B—MACHINES, APPARATUS OR DEVICES FOR, OR METHODS OF, PACKAGING ARTICLES OR MATERIALS; UNPACKING
- B65B31/00—Packaging articles or materials under special atmospheric or gaseous conditions; Adding propellants to aerosol containers
- B65B31/02—Filling, closing, or filling and closing, containers or wrappers in chambers maintained under vacuum or superatmospheric pressure or containing a special atmosphere, e.g. of inert gas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Versiegeln eines flachen Gehäuses nach
dem Oberbegriff des Anspruchs 1 sowie auf eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Aus der US-PS 34 05 019 ist ein derartiges Verfahren bekannt. Dabei wird zwischen Unterkörper und Deckel
ein Dichtungsteil eingelegt und das Ganze in einen plastisch verformbaren Sack eingefüllt. Dieser Sack ist
mit einer Vakuumpumpe verbunden und wird in einer Vakuumkammer angeordnet. Anschließend wird sowohl
die gesamte Kammer als auch der plastisch verformbare Sack evakuiert. Danach wird in die
ersten Phase des Versiegeins, die zumindest bis zum Erreichen der Temperatur erfolgt, bei welcher das
Dichtungsteil erweicht wird bzw. bei die Versiegelung stattfindet, in der Umgebung des Gehäuses ein anderer
Druck herrschen, als daran anschließend Schließlich werden Druck und Temperatur wieder herabgesetzt
Besonders zweckmäßig läßt sich das Verfahren nach dem Gegenstand der Erfindung in abgeschlossenen
Kammern durchführen, die evakuiert und mit einem inerten Gas gefüllt werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
F i g. 1 eine schematische Seitenansicht einer Heißsiegelanlage gemäß der Erfindung im Schnitt die sich im
geöffneten Zustand befindet und ein flaches Gehäuse, bestehend aus Unterteil und Deckel, enthält die so
angeordnet sind, daß sie abdichtend miteinander verbunden werden können,
P i g. 2 eine Seitenansicht des fertigen, versiegelten,
flachen Gehäuses;
Fig. 3 eine graphische Darstellung des Temperatur- und Druckprofils eines Ausführungsbeispiels der Erfindung,
Fig.4 eine graphische Darstellung eines anderen
Druckprofils.
In F i g. 1 ist eine Versiegelungsvorrichtung 10 dargestellt, die mit vorstehend näher beschriebenen
Abweichungen in der US-PS 35 51 127 näher beschrieben
ist
Die Versiegelungsvorrichtung 10 besteht aus einem Oberteil 12 und einem Unterteil 14, die beide in einer
abdichtbaren, druckgesteuerten Kammer 16 liegen, die aus einer Glockenhaube 18 und einem Bodenteil 20
bestehen kann, wobei die Glockenhaube abnehmbar ist um die Kammer 16 freizulegen sowie zu schließen.
Außerdem ist eine Einlaßleitung 22 und eine Auslaßleitung 24 dargestellt, durch die ein strömendes Medium,
beispielsweise ein inertes Gas, in die Kammer 16 eingeführt bzw. entfernt werden kann, um so Reaktionsgase oder verschmutzte Gase aus der Kammer
auszuspülen und eine Drucksteuerung in der Kammer zu ermöglichen.
Zweckmäßigerweise besteht das Oberteil 12 aus einem wärmeleitenden Block 26, an dessen unterem
Ende ein Wärmeleitblock 28 vorgesehen ist der beispielsweise aus Silber oder einem anderen Material
hoher Wärmeleitfähigkeit bestehen kann und einen raschen Wärmedurchgang ermöglicht. Über eine
Berührungsfläche 29 kann der Wärmeleitblock 28 mit einem Gehäuse in Berührung gebracht werden und auf
dasselbe Wärme übertragen, ohne an ihm kleben zu bleiben. Die Berührungsfläche 29 kann beispielsweise
aus rostfreiem Stahl oder einer Oxidschicht bestehen. Weiterhin ist ein Widerstandsheizelement 30 vorsesehen,
das beispielsweise über einen programmierten Temperaturregler an eine Spannungsquelle angeschlossen
werden kann. Sämtliche vorstehend beschriebenen Bauteile werden durch eine Senkschraube 31 zusammengehalten.
Das Unterteil 14 weist eine Platte 32 auf, in welcher eine Öffnung 34 vorgesehen ist. Unterhalb dieser
öffnung 34 ist ein Unterblock 38 mit halbkugelförmiger Oberfläche 40 vorgesehen. Mit einer ebenfalls halbkugelförmigen
entsprechend ausgebildeten Oberfläche 42 sitzt auf der Oberfläche 40 ein Block 36 auf. Eine
Druckfeder 35 drückt den Unterblock 38 gegen das Oberteil 12. Ein Flansch 37 begrenzt die Aufwärtsbewegung
des Blockes 36. Gleichzeitig weist der Flansch 37
Kammer wieder Gas eingefügt, so daß sich der plastisch
verformbare Sack unter dem Atmosphärendruck eng um die miteinander zu verbindenen Teile legt und auch
auf die Verbindungsflächen zwischen Unterkörper und Deckel einen Druck ausübt Auf diese Weise soll eine
Verbindung aufgrund des Dichtungsteiles in Form eines Adhäsivs erreicht werden, ohne daß die Abdichtung
durch Luftblasen beeinträchtigt wird. Das Verfahren ist
verhältnismäßig aufwendig, der verwendete Sack wird kn Laufe der Zeit spröde und muß häufig erneuert
werden, die Dichtung selbst erfolgt kalt und nicht im Lot- oder Schweißverfahren und ist dementsprechend
unzuverlässiger und insbesondere auch gegen mechanische Beanspruchung weniger widerstandsfähig.
In der US-PS 34 90 886 ist beschrieben, wie das eine
Ende einer rohrförmigen Glashülse durch Einwirkung einer bestimmten Strahlungsenergie innerhalb einer
Kammer mit kontrollierter Atmosphäre bis zum Erweichungspunkt des Glases erwärmt wird; daraufhin
wird der in der Kammer herrschende Atmosphärendruck erhöht um das Glas innerhalb der Kammer um
ein sich etwa axial erstreckendes Durchgangsleiterteil zu drücken und zu formen. In der US-PS 35 51 127 sind
Verfahren, Vorrichtungen und Systeme zum Abdichten von Kappen bzw. Verschlüssen oder kleinen rechteckigen
Hüllen für elektrotechnische Elemente beschrieben, die allgemein als flache Gehäuse bezeichnet werden.
Eine derartige Abdichtung erfolgt durch kontrolliertes Erwärmen, Glühen und Abkühlen dieser Teile anhand
eines genau gesteuerten Temperaturprofiles. Darüber hinaus sind in dieser Patentschrift Vorrichtungen und
Systeme beschrieben, um eine derartige Abdichtung nachträglich unter Druck zu setzen. Im US-Patent
34 79 487 sowie dem US-Patent 35 51 645 sind Temperatursteuerungen und Heizvorrichtungen beschrieben.
Während der Heißsiegelung eines flachen Gehäuses, sei es nach einem programmierten Temperaturprofil
oder in anderer Weise, ist nach einer Anfangsversiegelung die innerhalb des flachen Gehäuses eingeschlossei"
ne Gasmenge festgelegt Somit bewirkt jede Temperaturänderung einschließlich des Temperaturausgleiches
zwischen dem Gehäuse und dem Inneren des Gehäuses eine Druckänderung des eingeschlossenen Gases. Diese
internen Druckänderungen beeinträchtigen ebenso wie das Anstreten von Gas die Bildung einer hochqualitativen
Abdichtung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung nach dem Oberbegriff
des Anspruch 1 bzw. des Anspruchs 17 so auszubilden,
<Jaß eine gleichmäßige Versiegelung erzielt wird, wobei das Dichtungsteil gleichmäßiger und über eine größere
Abdichtungsfläche verteilt ist
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des kennzeichnenden Teiles des Anspruch 1
bzw. des Anspruchs 17 gelöst
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen dargestellt
Die nachträgliche Erhöhung des Druckes in der Umgebung des flachen Gehäuses wirkt nicht nur
Druckänderungen im Gehäuseinneren entgegen, sondern sie ermöglicht auch eine genauere Steuerung der
Abdichtung, und zwar unabhängig davon, ob das Erwärmen des Gehäuses nach einem bestimmten,
gesteuerten Temperaturprofil erfolgt oder nicht. Nach dem Crfindungsgegenstand wird somit der Gasdruck im
Inneren des zu versiegelnden Gehäuses und in der Umgebung dieses Gehäuses während des Versiegelungsverfahrens
gesteuert. Insbesondere soll in der
eine Fassung 39 für das zu versiegelnde flache Gehäuse auf. Der Unterblock 38 ist in einem Außenblock 40
gleitend gelagert.
Im Unterteil 14 ist innerhalb eines Kanals im Außenblock 40 eine Heizung 44 vorgesehen, die aus
einer Rohrleitung besteht, durch welche ein heißes oder kaltes Strömungsmittel umgewälzt wird. Im dargestellten
Ausführungsbeispiel besteht die Heizung 44 aus einem Widerstandsdraht 46, der in einen Keramikmantel
48 eingehüllt ist. Die Heizung 44 dient dazu, die !l
Wärmezufuhr zum Gehäuse genauer zu steuern und den Gasaustritt aus dem Gehäuse zu fördern, bevor die
Versiegelung erfolgt. Auf diese Weise können Druckveränderungen während der Versiegelung genauer
festgestellt und kompensiert werden. i
Der Wärmeleitblock 28 sowie die Berührungsfläche 29 sind in Größe und Form dem zu versiegelnden
flachen Gehäuses angepaßt. In F i g. 1 sitzt auf dem Block 36 ein flaches Gehäuse 50 auf, bestehend aus
einem Unterkörper und einem Deckel 62, wobei der -'· Unterkörper aus einer rechteckigen Bodenplatte 52,
einem damit verbundenen, die Gehäusewände bildenden Rahmen 54 sowie einem damit verbundenen Ring
58 besteht. Die Bodenplatte 52 sowie der Ring 58 bestehen vorzugsweise aus Kovar, der Rahmen 54 aus -'■
Kovar oder Glas.
Ein Kovar-Deckel 62 ähnlich der Bodenplatte 52 dichtet mit dem Kovar-Ring 58 über eine Lötverbindung
ab, wobei die Lötverbindung die Form eines ringförmigen Dichtungsteils 64 hat, dessen Aufbau )<
> ähnlich dem Aufbau des Kovar-Ringes 58 ist und das beim Erhitzen geschmolzen wird, um den Kovar-Ring
58 und den Deckel 62 miteinander zu verbinden und das flache Gehäuse 50 hermetisch zu versiegeln.
Falls ein flaches Gehäuse am Block 36 angeordnet ist. J">
wobei das Dichtungsteil 64 und der Deckel 62 oben angeordnet sind, wie in F i g. 1 dargestellt, und wobei das
Oberteil 12 und c'as Unterteil 14 mit einem geringen Überdruck zusammengebracht sind, wie es in F i g. 1 mit
strichpunktierten Linien zum Ausdruck gebracht ist, so ·»<
> daß das flache Gehäuse 50 und der Block 36 leicht zusammengepreßt werden, so ermöglichen es der auf
diese Weise vorgespannte Unterblock 38 und die miteinander im Eingriff stehenden kuppeiförmigen
Oberflächen 40 und 42. daß der Wärmeleitblock 28 stark ■* >
und genau sowie vollständig die Oberfläche des Deckels 62 umfaßt und eine Normalkraft darauf ausübt,
abhängig von der Größe der Vorspannung auf dem Unterblock 38. Danach kann die Kammer 16 vollständig
gespült werden, wie im folgenden beschrieben wird, und >"
über die Leitungen 22 und 24 mit einem inerten Gas gefüllt werden, beispielsweise trockenem Stickstoff.
Wenn dann das Widerstandsheizelement 30 in Betrieb gesetzt wird, so daß in ihm Wärme erzeugt wird, strömt
Wärme von diesem Heizelement durch den Wärmeleit- " block 28 und in den Kovar-Deckel 62 hinein und von da
aus weiter in das flache Gehäuse, insb. das Dichtungsteil und den Kovar-Ring 58. Aufgrund der schlechten
Wärmeübertragungseigenschaften des Gases innerhalb des flachen Gehäuses 50 im Vergleich zu den h"
Wärmeübertragungseigenschaften des Kovar-Deckels sowie des Dichtungsteiles wird der wesentliche Teil der
Wärmeenergie eher auf das Dichtungieil 64 als das anfänglich im flachen Gehäuse 50 vorhandene Gas
übertragen. Bevor jedoch das Dichtungsteii tatsächlich -■
zu schmelzen beginnt, entweicht der gesamte Gasdruck, der sich im flachen Gehäuse 50 aufgebaut hat. zwischen
Dichtungsteil 64 ui d benachbartem Kovar-Deckel 62 bzw. dem Kovar-Ring 58 nach außen, bis das
Dichtungsteil 64 schmilzt und den Kovar-Ring 58 sowie den Kovar-Deckel 62 benetzt, woraufhin die Abdichtung
erfolgt, die dazu führt, daß ein zusätzlicher ■ Gasdruck, der sich im flachen Gehäuse 50 aufgebaut hat,
eingeschlossen wird. Jeder zusätzliche Gasdruckaufbau innerhalb des flachen Gehäuses 50, der entweder
aufgrund der von dem Gehäusematerial aus erfolgenden Wärmeübertragung auf das eingeschlossene Gas oder
aufgrund irgendeines Entgasungsvorgangs stattfindet, bei dem der Dichtungsteil 64 geschmolzen ist, ist
bestrebt, das geschmolzene Lötmittel zwischen der Kovar-Deckel 62 und dem Kovar-Ring 58 nach außen
zu blasen. Wenn jedoch dem Druckaufbau in dem Gehäuse durch eine nachfolgende Druckbeaufschlagung
der Kammer 16 entgegengewirkt wird, was beispielsweise durch öffnen des Hochdruckstickstoffventüs
geschehen kann, wobei der Hochdruckstickstoff einen Druck aufweist, der ausreicht, um dem Druckaufbau
das Gleichgewicht zu erhalten, dann wird das geschmolzene Lötmittel in der richtigen Weise zwischen
dem Kovar-Ring 58 und dem Kovar-Deckel 62 zurückgehalten und nicht durch den Innendruck nach
außen geblasen, so daß die Oberflächenspannungs- und Benetzungseigenschaften dieses Ringes und des Dekkels
zur Bildung der richtigen konkaven Dichtungsteilverfestigung führen können, wie dies in F i g. 2
schematisch dargestellt ist. Eine übermäßige nachträgliche Druckerhöhung führt jedoch dazu, daß das
Lötmittel das flache Gehäuse 50 hineingeblasen wird, wodurch sich zumindest eine ebenso schlechte, wenn
nicht noch schlechtere Versiegelung ergibt. Die genaue Stärke der erforderlichen nachträglichen Druckerhöhung
muß für jede Gehäuseform experimentell bestimmt werden, wobei sich jedoch im allgemeinen
herausgestellt hat, daß für Gehäuse mit einer rechteckigen Form von annähernd 2,54 ■ 2,21 cm eine nachträgliche
Druckerhöhung von etwa 0,35 kp/cm2 bei einem Anfangsdruck von 0.42 kp/cm2 die Wahrscheinlichkeit
der Herstellung einer zuverlässigen Versiegelung am größten ist; doch können auch andere Druckwertpaare
benutzt werden.
Im allgemeinen gilt, daß der erforderliche nachträgliche
Druck umso geringer ist, je langsamer das Gehäuse erhitzt wird, da die Temperatur des Gases im Gehäuse
dann der Deckeltemperatur umso näher kommt, bevor die anfängliche Abdichtung einsetzt. Umgekehrt ergibt
sich daraus, daß die erforderliche nachträgliche Druckerhöhung umso höher ist, je kalter das in dem
Gehäuse befindliche Gas beim Abdichtungsbeginn ist. In ähnlicher "'eise läßt sich beobachten, daß die
nachträglich benötigte Druckerhöhung umso höher ist, je größer das Gehäusevolumen und/oder je höher die
Deckeltemperatur ist, und zwar insbesondere dann, wenn die Volumenvergößerung mit einer größeren
Gehäusetiefe verbunden ist. Wenn nach der Bildung der anfänglichen Dichtung eine Entgasung stattfindet, so
erfordert dies ebenfalls eine höhere nachträgliche Druckerhöhung. Wenn jedoch das Entgasen sehr
schwer voraussagbar und weitgehenden Schwankungen unterworfen ist, die von der Art des Gehäuses der
Lagertemperatur, der Feuchtigkeit, etc. abhängen, sollte das Entgasen nach Möglichkeit eher beseitigt als
Versuche zu seiner Kompensation unternommen werden, oder sollte wenigstens darauf geachtet werden,
daß dann, wenn irgendeine Entgasung stattfindet, diese vor der anfänglichen Abdichtung abgeschlossen ist. was
beispielsweise mit Hilfe eines geringen Heizzyklus oder
durch Erwärmen des Unterbaus geschehen könnte.
Der Zeitpunkt, zu dem die nachträgliche Druckerhöhung vorgenommen wird, ist außerordentlich wichtig,
und kann sich mit dem Gehäusematerial ändern. So sollte beispielsweise in den Fällen, in denen die Dichtung
Lötmaterial aufweist, wie dies bei den dargestellten Gehäuse der Fall ist, die nachträgliche Druckerhöhung
nach Möglichkeit gleichzeitig mit der Verflüssigung des Lötmaterials erfolgen, da das Lötmaterial einen
definierten Schmelzpunkt hat und sehr fließfähig oder nicht viskos ist. Wenn die Temperatur insbesondere im
Hinblick auf F i g. 3 programmiert wird, so daß eine programmierte Temperaturerhöhung stattfindet, sowie
eine programmierte Verweilzeit b und ein programmierter Abfall c, dann sollte die nachträgliche
Druckerhöhung im wesentlichen zu Beginn der Verweilzeit b erfolgen oder während der Verweilzeit,
wie dies durch die ausgezogenen Drucklinien im Schaubild angedeutet ist. In den Fällen jedoch, in denen
eine Glas-auf-Glas-Versiegelung verwendet wird, kann
der Zeitpunkt der nachträglichen Druckerhöhung hinausgeschoben werden und kann beispielsweise am
Ende der Verweilzeitperiode liegen, wie dies durch die gestrichelte Drucklinie im Schaubild dargestellt ist, da
Glas keinen definierten Schmelzpunkt hat, sondern sich zunehmend stärker erweicht und eine hochviskose
Flüssigkeit ist. Die Stärke, mit der die nachträgliche Druckerhöhung erfolgt, läßt sich ebenfalls variieren, und
zwar von einem fast momentanen Druckaufbau oder Impuls bis zu einem langsamen Druckaufbau, der im
wesentlichen mit dem Innendruckaufbau zusammenfällt oder diesem sogar nacheilt, sie kann aber auch
irgendeiner programmierten Druckkurve folgen. So kann beispielsweise, wie aus der ausgezogenen Drucklinie
in Fig.3 e/sichtlich ist, der Druckaufbau fast
momentan erfolgen, und zwar beispielsweise mit Hilfe einer großen Leitung und einer Ventilverbindung, oder
er kann sich langsam asymptotisch dem Enddruck nähren, wie dies durch die strichpunktierte Linie in dem
Schaubild von Fig. 3 angedeutet ist, ein Vorgang, der
beispielsweise durch Einblasen des Hochdruckgases in die Kammer 16 durch eine Öffnung, ein Einschnürventil
oder eine Rohrleitung kleinen Durchmesser stattfinden kann. In das Gehäuse sogar ein Druckwandler eingebaut
werden, von dem aus die nachträglich erfolgende Druckerhöhung programmiert wird.
Zusätzlich zu der bloßen Kompensation des ansteigenden inneren Gasdruckes durch Vergrößerung des
außen auf das Gehäuse einwirkenden Druckes, wodurch verhindert wird, daß Löcher geblasen werden, hat sich
als wirksam herausgestellt, den äußeren nachträglich zur Einwirkung gelangenden Druck auf einem etwas
höheren Wert zu halten, als der sich im Gehäuse entwickelnde Druck aufweist Durch diesen größeren
äußeren Druck wird das geschmolzene Lötmaterial zur Innenseite des Gehäuses hingedrückt, wo sich zwischen
dem Dichtungsrahmen und der Deckel, wie in F i g. 2 gezeigt, eine Auskehlung bildet. Diese Auskehlung läßt
sich durch die Konstruktion der Heizvorrichtung noch verstärken und insbesondere dadurch, daß im wesentlichen
der ganze Deckel beheizt wird. Da der Wärmefluß von dem Deckel nach unten am Umfang stärker ist, d. h.
in das Lötmaterial und den Dichtungsrahmen hinein, ist die Mitte des Deckels etwas heißer, wodurch die
Neigung besteht, das geschmolzene Lötmaterial in bezug auf die Versiegelungsfläche nach innen zu ziehen.
Aus der graphischen Darstellung von F i g. 3 geht außerdem ein neuartiges Verfahren zur raschen und
wirksamen Spülung de" Kammer 16 hervor, so daß in
dieser Kammer eine sehr saubere und trockene Atmosphäre erzeugt wird. Nachdem die Kammer 16
geschlossen worden ist, wird durch die Austrittsleitung 24, die vorzugsweise an dem einen Endteil der Kammer
angeordnet ist, das Kamnierinnere evakuiert, und daraufhin wird trockener Stickstoff oder ein anderes
inertes Gas durch die Eintrittsleitung 22, die vorzugsweise an dem anderen Ende der Kammer angeordnet
ist, in die Kammer 16 eingeleitet. Daraufhin wird die Kammer 16 evakuiert und ein zweites Mal gefüllt. Auf
diese Weise wird, wenn durch die Evakuierung und Wiederauffüllung die Verschmutzung um einen Faktor
1000 verringert wird, durch die zweite Evakuierung und
Wiederauffüllung dieser Faktor um einen zusätzlichen Faktor 1000 vervielfacht, so daß die sich ergebende
Atmosphäre um einen Faktor 1 000 000 wirksam von Verschmutzungen gereinigt ist. Um die Evakuierung
schnell und wirtschaftlich durchzuführen, kann, da die neue zyklische Verfahrensweise kein außergewöhnlich
hohes Vakuum erfordert, die Kammer 16 durch geeignete Ventile an einen großen Behälter angeschlossen
werden, der ständig mit einer gewöhnlichen Hochvakuumpumpe leergepumpt wird. Wenn der
Behälter beispielsweise ein Volumen aufweist, das dein lOOfachen des Kammervolumens entspricht, dann wird
der in der Kammer 16 herrschende Druck, sobald die Ventile zwischen dem Behälter und der Kammer
geöffnet werden, beinahe augenblicklich auf Vioo des
Anfangsdrucks fallen, obgleich die Vakuumpumpenleistung relativ klein sein könnte, da der Vakuumpumpe
eine erhebliche Zeitspanne zur Verfügung stehen würde, in der sie den Vakuumbehälter entleeren könnte.
Nachdem die Kammer 16 zweimal evakuiert und von neuem gefüllt worden ist, kann dann, wie gezeigt, der
Zyklus eingeleitet werden, bei dem nach einem Temperaturprofii und mit nachfolgender Druckerhöhung
gearbeitet wird.
Als weitere Unterstützung einer raschen und wirksamen Versiegelung können Mittel vorgesehen
werden, die das Benetzen des Deckels 62 und des Ringes 58 mit Hilfe des Dichtungsteils 64 schneller und
vollständiger bewirken, beispielsweise durch einen Waschvorgang, der zwischen den genannten Elementen
stattfindet, um jegliche Oxydschicht oder Verunreinigungen aufzubrechen, die auf den Deckel 62, dem Ring
58 oder dem Dichtungsteil 64 vorhanden sein können, und um die Oberflächenspannung des Dichtungsteils 64
herabzusetzen. Im wesentlichen würde das genannte Ziel auch durch eine kleine Vibrationsbewegung
erreicht werden können. So ließe sich ein elektrisch betätigbarer Vibrator in Unterteil 14 einbauen. Wenn
des weiteren ein Wechselstrom niedriger Spannung und liuiiei Siruiiibiärke verwendet würde, urn die Heizelemente
zu speisen, dann würde das sich schnell ändernde Feld selbst einen Vibrations- oder Schwingungseffekt in
dem Gehäuse und dem Deckel erzeugen, der groß genug wäre, um den Wasch- oder Scheuervorgang zu
bewirken, und zwar insbesondere während der Verweilperiode. Noch eine andere Hilfe bei der Schafiung einer
wirksamen Versiegelung könnte dadurch erfolgen. wobei in diesem Zusammenhang besonders auf die
Darstellung von Fi g. 4 verwiesen wird, wenn entweder
vor. danach oder während des nachträglich erfolgenden Druckaufbaus der Druck rasch so verändert bzw.
angepaßt würde, daß ein Schwingungseffekt entsteht, wobei der Deckel 62 des Gehäuses auf dem geschmolzenen
Lötmaterial vibrieren würde, um das Benetzen und
das danach erfolgende Anhaften des Dichtungsteils zu unterstützen.
Obgleich bei dem obigen Ausführungsbeispiel Bezug genommen wurde auf eine Kovar-Dichtungsteil-Kovar-Abdichtung
ist das beschriebene neuartige Verfahren und die dazu verwendete Vorrichtung auch, wie bereits
erläutert wurde, für fJlasversiege'nngen anwendbar urid
damit für Versiegelungen folgender Zusammensetzung: Kovar-Dichtungsteil-Keramik, Kovar(goldplattiert)-Dichtungsteil-Kovar,
Kovar(goldplattiert)-Dichtungsteil-Kovar(goldplattiert), Keramik(goldplattiert)-Dichtungsteil-Keramik(goldplattiert),
Keramik(goldplat-
10
tiert)-Dichtungsteil-Kovar, Kovar-Dichtungsteil-Keramik,
Kovar-Dichtungsteil-Glas, Frit-Dichtungsteil-Kovar, Kovar-Dichtungsteil-Glas, Frit-Dichtungsteil-Glas,
Kovar-Dichtungsteil-Glas, Frit-Dichtungsteil Keramik, Keramik-Dichtungsteil-Glas, Frit-Dichtungsteil-Glas
etc. Das Dichtungsteil kann entweder ein Weichlot oder ein Hartlot sein, beispielsweise Gold-Germanium,
Gold-Zinn oder dergleichen.
Der im obigen verwendete Begriff »Kovar« bezeichnet eine Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung, deren Wärmedehnungseigenschaften
etwa denen von Glas entsprechen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (17)
1. Verfahren zum Versiegeln eines flachen Gehäuses, insbesondere eines elektronische Bauelemente
und Schaltkreise enthaltenden Gehäuses, bestehend aus Unterkörper und Deckel mit dazwischengelegtem
Dichtungsteil, dadurch gekennzeichnet,
daß das Gehäuse auf eine Temperatur erhitzt wird, die ausreicht, um das
Dichtungsteil des Gehäuses zu erweichen und mit Unterkörper und Deckel zu verbinden, und die
Umgebung des Gehäuses anschließend einem erhöhten Gasdruck ausgesetzt wird, der zumindest
dem durch die Temperaturerhöhung im Inneren des Gehäuses entstandenen erhöhten Gasdruck entspricht,
um ein Ausblasen des erweichten Dichtungsteiles (62) zu verhindern.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der nachträgliche Gasdruckanstieg der Umgebung des Gehäuses bis zu einer Druckhöhe
erfolgt, die gerade ausreicht, um das erweichte Dichtungsteil an Ort und Stelle zu halten und dabei
zu verhindern, daß unter Druck stehendes Gas in das Gehäuse hinein- oder aus ihm herausströmt
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse zuerst auf die
Versiegelungstemperatur erwärmt wird, diese Temperatur über eine gewisse Verweilzeit aufrechterhalten
wird, und die Umgebung des Gehäuses im ersten Abschnitt dieser Verweilzeit dem erhöhten Gas- jo
druck ausgesetzt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse zuerst auf die
Versiegelungstemperatur ei wärmt wird, diese Temperatur über eine gewisse Verweilzeit aufrechterhalten
wird, und die Umgebung des Gehäuses im letzten Abschnitt der Verweilzeit dem erhöhten Gasdruck
ausgesetzt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse zuerst auf die
Versiegelungstemperatur erwärmt wird, diese Temperatur über eine gewisse Verweilzeit aufrechterhalten
wird, und das Gehäuse während der gesamten Verweilzeit dem erhöhten Gasdruck ausgesetzt
wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der nachträgliche
Gasdruckanstieg der Umgebung des Gehäuses (SO) stufenförmig erfolgt (F i g. 3, durchgezogene Linie).
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, so dadurch gekennzeichnet, daß der nachträgliche
Gasdruckanstieg der Umgebung allmählich erfolgt (F i g. 3, strichlierte Linie).
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der nachträgliche
Gasdruckanstieg der Umgebung des Gehäuses nach einer programmierten Kurve erfolgt (siehe z, B.
F ig. 4).
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse in
Vibrationen versetzt wird, vorzugsweise über einen am Unterkörper des Gehäuses (50), bestehend aus
Bodenplatte (52), damit verbundenem Rahmen (54) und damit verbundenem Ring (58) angreifenden,
elektrisch angetriebenem Vibrator, um das Benetzen <=5
des erweichten Dichtungsteiles (64) mit dem Ring (58) und dem Deckel (62) des Gehäuses (50) zu
erhöhen.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß lediglich der Unterkörper (54) des
Gehäuses (50) in Vibrationen versetzt wird, derart, daß entlang der Berührungsflächen zwischen Dichtungsteil
und Ring (58) sowie dadurch veranlaßt auch zwischen Dichtungsteil und Deckel eine Reibbewegung
in der Ebene dieser Flächen erfolgt
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet daß der nachträglich der Umgebung zugeführte erhöhte Gasdruck derart
moduliert wird, daß das Gehäuse in Vibrationen versetzt wird, um dadurch die Benetzung des
erweichten Dichtungsteiles (64) zum Ring (58) und zum Deckel (62) des Gehäuses (50) zu erhöhen.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11,
dadurch gekennzeichnet daß lediglich der Unterkörper des Gehäuses (50) erwärmt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
dadurch gekennzeichnet daß der nachträgliche Druckanstieg der Umgebung des Gehäuses (50) um
einen derartigen Betrag höher als der Innendruck des Gehäuses liegt um das Dichtungsteil in Richtung
zur Gehäuseinnenseite zu drücken und außen eine Auskehlung zu erzeugen.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Versiegelung des
Gehäuses (50) nach Einführung in eint Vakuumkammer (16), nach einer Evakuierung dieser Kammer
und dem Auffüllen mit einem Inertgas erfolgt.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet
daß die Vakuumkammer (16) vor der Durchführung der Versiegelung wenigstens zweimal
evakuiert und wieder mit inertem Gas gefüllt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vakuumkammer (16) zur Evakuierung an einen evakuierten Behälter mit wesentlich
größerem Volumen angeschlossen wird.
17. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 16 zum Versiegeln
eines flachen Gehäuses, insbesondere eines elektronische Bauelemente und Schaltkreise enthaltenden
Gehäuses, gekennzeichnet, durch eine Vorrichtung (30,44) zum Erwärmen eines Dichtungsteiles (64) auf
Erweichungstemperatur, wobei das Dichtungsteil mit dem benachbarten Ring (58) sowie mit dem
benachbarten Deckel (62) des Gehäuses (50) benetzbar und verbindbar ist, sowie durch eine
Druckerzeugungseinrichtung zut nachträglichen Gasdruckerhöhung der Umgebung des Gehäuses
(50), wobei diese Druckerhöhung mindestens dem durch die Temperaturerhöhung im Inneren des
Gehäuses auftretenden Druckenstieg entspricht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US8827670A | 1970-11-10 | 1970-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2123378A1 DE2123378A1 (de) | 1972-05-18 |
DE2123378C2 true DE2123378C2 (de) | 1982-12-16 |
Family
ID=22210434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2123378A Expired DE2123378C2 (de) | 1970-11-10 | 1971-05-11 | Verfahren zum Versiegeln eines flachen Gehäuses |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3711939A (de) |
JP (1) | JPS5622141B1 (de) |
DE (1) | DE2123378C2 (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1426874A (en) * | 1972-05-03 | 1976-03-03 | Mullard Ltd | Method of sealing electrical component envelopes |
US3913818A (en) * | 1973-10-26 | 1975-10-21 | Anatoly Alexandrovich Osipov | Device for preparing integrated microcircuits for printed wiring |
US4102481A (en) * | 1975-05-08 | 1978-07-25 | Motorola, Inc. | Sealing press for automated assembly apparatus |
CA1081411A (en) * | 1975-12-24 | 1980-07-15 | Philipp W.H. Schuessler | Method for hermetically sealing an electronic circuit package |
US4522666A (en) * | 1982-11-09 | 1985-06-11 | Warner-Lambert Company | Apparatus and method for sealing capsules by application of vacuum and steam thereto |
EP0264122B1 (de) * | 1986-10-17 | 1992-03-18 | Hitachi, Ltd. | Verfahren zum Herstellen einer gemischten Struktur für Halbleiteranordnung |
SE461145B (sv) * | 1988-05-19 | 1990-01-15 | Plm Ab | Saett och anordning foer taet tillslutning av behaallare |
JP2647194B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1997-08-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体用パッケージの封止方法 |
DE59407644D1 (de) * | 1993-06-11 | 1999-02-25 | Isovolta | Verfahren zur herstellung fotovoltaischer module sowie eine vorrichtung zur durchführung dieses verfahrens |
US20060105494A1 (en) * | 1996-07-23 | 2006-05-18 | Karen Huang | Method and apparatus for cleaning and sealing display packages |
ITBO20030374A1 (it) * | 2003-06-19 | 2004-12-20 | Ima Spa | Metodo e struttura per la copertura di una macchina confezionatrice. |
US20060243384A1 (en) * | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Texas Instruments Incorporated | Method for adhesive bonding in electronic packaging |
US7660335B2 (en) * | 2008-04-17 | 2010-02-09 | Lasertel, Inc. | Liquid cooled laser bar arrays incorporating diamond/copper expansion matched materials |
US11025031B2 (en) | 2016-11-29 | 2021-06-01 | Leonardo Electronics Us Inc. | Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods |
WO2020036998A1 (en) | 2018-08-13 | 2020-02-20 | Lasertel, Inc. | Use of metal-core printed circuit board (pcb) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver |
DE102019121924A1 (de) | 2018-08-14 | 2020-02-20 | Lasertel, Inc. | Laserbaugruppe und zugehörige verfahren |
US11296481B2 (en) | 2019-01-09 | 2022-04-05 | Leonardo Electronics Us Inc. | Divergence reshaping array |
US11752571B1 (en) | 2019-06-07 | 2023-09-12 | Leonardo Electronics Us Inc. | Coherent beam coupler |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3383260A (en) * | 1965-04-26 | 1968-05-14 | Mojonnier Inc Albert | Method and apparatus for heat sealing containers |
US3405019A (en) * | 1965-07-30 | 1968-10-08 | Mc Donnell Douglas Corp | Vacuum bonding process |
US3490886A (en) * | 1966-06-16 | 1970-01-20 | Milton Stoll | Method and apparatus for producing glass to metal seals using two sealing gas pressures |
-
1970
- 1970-11-10 US US00088276A patent/US3711939A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-05-11 DE DE2123378A patent/DE2123378C2/de not_active Expired
- 1971-06-01 JP JP3816471A patent/JPS5622141B1/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3711939A (en) | 1973-01-23 |
JPS5622141B1 (de) | 1981-05-23 |
DE2123378A1 (de) | 1972-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2123378C2 (de) | Verfahren zum Versiegeln eines flachen Gehäuses | |
EP0118841B1 (de) | Verfahren zum Abdichten eines Relais | |
EP2977690B1 (de) | Verfahren zum vakuumdichten Verschließen eines doppelwandigen Glasrohrs | |
DE102014218333B9 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Einleiten von Schutzgas in ein Receiverrohr | |
EP2832456B1 (de) | Sonotrodenwerkzeug mit integrierter Kühleinrichtung | |
DE3016730A1 (de) | Waermespeicher und verfahren zum herstellen desselben | |
WO2017137420A2 (de) | Sintervorrichtung | |
EP3618993B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer lötverbindung von bauteilen unter verwendung von haftmaterial für provisorische verbindung der bauteile | |
DE3440260C1 (de) | Verfahren zur Vorbereitung einer Saugkokille fuer die Aufnahme von verglasten radioaktiven Abfallstoffen nach der Absaugmethode und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens | |
DE2953127C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines gekapselten gasgefuellten elektrischen Schalters | |
DE4430584A1 (de) | Formeinrichtung und Formverfahren | |
EP3618994B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer lötverbindung unter verwendung von basis- und andruckplatten und einer anschlagvorrichtung | |
EP1589823B1 (de) | Herstellung schalenartiger verzehrgüter aus einer kakaohaltigen oder schokolade ähnlichen fettmasse | |
CH626550A5 (en) | Process for producing a sintered body by hot-pressing powder of a metallic or non-metallic composition | |
EP2768625B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zum löten | |
DE102016201652B3 (de) | Verfahren zum Entladen eines Wasserstoffspeichers bei Parabolrinnenreceivern | |
DE2855051C2 (de) | ||
DE10361453B3 (de) | Verschluss mit thermischer Sicherungsfunktion | |
DE889653C (de) | Vakuumdichte Stromeinfuehrunng durch Gefaesswaende aus Glas, insbesondere aus Quarzglas, oder aus keramischem Werkstoff und Verfahren zur Herstellung einer solchen Stromeinfuehrung | |
DE102007021269B4 (de) | Reparaturlötkopf für oberflächenmontiertes Bauelement und Verfahren zu dessen Betrieb | |
EP0564876A1 (de) | Verfahren zur Abdichtung eines Gehäuses zur Aufnahme von elektrischen, elektronischen oder elektromechanischen Bauteilen. | |
DE3111285C2 (de) | ||
DE60116384T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum hydrostatischen warmpressen von werkstücken | |
DE102013105762A1 (de) | Verfahren und Anordnung zum Herstellen eines räumlichen Werkstoffverbunds unter Verwendung eines Expansionskörpers | |
LU101069B1 (de) | Greifelement zum Greifen eines Objekts |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: BAUMANN, E., DIPL.-PHYS., PAT.-ANW., 8011 HOEHENKI |
|
D2 | Grant after examination | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |