DE2117247A1 - Insulated cable - Google Patents

Insulated cable

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DE2117247A1 DE19712117247 DE2117247A DE2117247A1 DE 2117247 A1 DE2117247 A1 DE 2117247A1 DE 19712117247 DE19712117247 DE 19712117247 DE 2117247 A DE2117247 A DE 2117247A DE 2117247 A1 DE2117247 A1 DE 2117247A1
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insulated cable
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Description

Dipl.-Ing. F.Weickmann, Dr. Ing, A.Weickmann, Dipl.-Ing. H.Weickmann Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke PatentanwälteDipl.-Ing. F.Weickmann, Dr. Ing, A.Weickmann, Dipl.-Ing. H.Weickmann Dipl.-Phys. Dr. K. Fincke patent attorneys

8 MÜNCHEN 27, MÖMLSTRASSE 23, RUFNUMMER 483921/22 ^ 1 1 *7 ? A 78 MUNICH 27, MÖMLSTRASSE 23, CALL NUMBER 483921/22 ^ 1 1 * 7? A 7

Fall 79 Ref. 55.502
Hn/Cl
Case 79 Ref. 55.502
Hn / Cl

Sumitomo Electric Industries Ltd., 15, 5-chome, Kitahama, Higashi-ku, Osaka / JapanSumitomo Electric Industries Ltd., 15, 5-chome, Kitahama, Higashi-ku, Osaka / Japan

Isoliertes KabelInsulated cable

Die Erfindung'betrifft ein isoliertes Kabel mit einer äußeren halbleitenden Schicht; sie betrifft insbesondere den Aufbau eines isolierten Kabels, das hauptsächlich aus einem vernetzten Polyäthylen oder einem vernetzten Polyäthylenmischpolymerisat mit einer äußeren halbleitenden Schicht besteht. Bei der Zusammensetzung handelt es sich um eine Mischung aus 10 bis 90 Gew.-£ eines Äthylen-Vinylacetat-Mischpolymerisats mit 15 bis 55-Gew.-5S Vinylacetatgehalt und 90 bis 10 Gew.-% eines Äthylen/Vinylacetat/Vinylchlorid-Terpolymerisats, die als Grundmasse'verwendet wird und die mit einem Vernetzungsmittel und einem leitfähig machenden Mittel, wie z. B. Ruß, vermischt wird. Bisher wurde zum überziehen der isolierenden Schicht eines mit einem -vernetzten Polyä%len isolierten Kabels mitThe invention relates to an insulated cable with an outer semiconducting layer; it relates in particular to the construction of an insulated cable, which consists mainly of a crosslinked polyethylene or a crosslinked polyethylene copolymer with an outer semiconducting layer. The composition is a mixture of 10 to 90 weight £ of an ethylene-vinyl acetate copolymer containing 15 to 55 parts by weight vinyl acetate content 5S and 90 to 10 wt -.% Of an ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer, which is used as a base material and which is treated with a crosslinking agent and a conductive agent, such as. B. soot, is mixed. So far, to cover the insulating layer of a cable insulated with a cross-linked Polyä% len with

BAD ORIGINAL. 109844/1-6 03BATH ORIGINAL. 109844 / 1-6 03

einer extrudlerten halbleitenden Schicht, wobei als Grundmasse" ein'Polyäthylen niedriger Dichte, ein Äthylen/Vinylacetat-Misehpolymerisat oder ein hauptsächlich aus diesen Substanzen bestehendes Polymerisat·, verwendet wurde, dem außerdem noch Talk, Ton, Calciumcarbonat oder ähnliche anorganische Füllstoffe, auch verschiedene Antioxydantien, Verarbeitungshilfsmittel, falls erforderlich, und dergleichen, zugesetzt wurden, gewöhnlich eine Zusammensetzung, wie z. B. eine Mischung aus einem Äthylen/Vinylacetat-Mischpolymerisat, Di-o-cumylperoxyd oder ähnlichen Vernetzungsmitteln und elektrisch leitendem Ruß oder eine Mischung aus einem Äthylen/Äthylacrylat-Mischpolymerisat, Di-a-cumylperoxyd oder ähnlichen Vernetzungsmitteln und elektrisch leitendem Ruß verwendet. Beim Verspleißen und Behandeln des Endes eines mit vernetztem Polyäthylen isolierten Kabels mit einer äußeren halbleitenden Schicht muß die halbleitende Schicht in dem Bereich des Endes des Kabels bis zu einer bestimmten Länge davon abgestreift werden und in diesem- Falle muß die halbleitende Schicht vollständig, entfernt werden und wenn sie entfernt wird, muß darauf geachtet werden, daß der Isolator nicht beschädigt wird. Außerdem wurde in den letzteiVJahren ein Verfahren zur Verspleißung und zur Bildung des Abschlusses des Kabels durch Verwendung von vorgeformten Zubehörteilen entwickelt zur Herstellung der Verbindungs- und Endeinrichtung des mit vernetztem Polyäthylen isolierten Kabels mit der äußeren halbleitenden Schicht, was den Vorteil bietet, daß es möglich ist, ein Produkt einer gleichmäßigeren Qualität herzustellen und das Kabel innerhalb kürzerer Zeit zu handhaben als bei einem üblichen Verfahren, bei dem ein Streifen herumgewickelt und ein Warmformverfahren durchgeführt wurde, wodurch ein Trend zu einer Verallgemeinerungan extruded semiconducting layer, the base material being "a low-density polyethylene, an ethylene / vinyl acetate mixture polymer or a polymer composed mainly of these substances was used, the also talc, clay, calcium carbonate or similar inorganic fillers, also various antioxidants, Processing aids, if necessary, and the like, were added, usually a composition such as z. B. a mixture of an ethylene / vinyl acetate copolymer, Di-o-cumyl peroxide or similar crosslinking agents and electrically conductive carbon black or a mixture of one Ethylene / ethyl acrylate copolymer, di-a-cumyl peroxide or similar crosslinking agents and electrically conductive carbon black are used. When splicing and treating the end of one with crosslinked polyethylene insulated cable with an outer semiconducting layer must be the semiconducting layer in the Area of the end of the cable to be stripped from it to a certain length and in this case the semiconducting layer must be completely removed, and if it care must be taken not to damage the isolator. In addition, in the last few years a method of splicing and forming the termination of the cable using preformed accessories Developed for the production of the connection and terminal equipment of the cable insulated with cross-linked polyethylene the outer semiconducting layer, which has the advantage that it is possible to obtain a product of a more uniform quality manufacture and handle the cable in less time than a conventional method in which a Strip wrapped around and thermoforming performed has been, creating a trend towards generalization

8AD ORIGINAL8AD ORIGINAL

109844/>603109844 /> 603

. f . f

SM 17247SM 17247

eines solchen Verfahrens entstand. In dJesera Falle besteht ein wachsendes Bedürfnis, daß die halbleitende Schicht innerhalb einer kürzeren Zeit und einfacher abgezogen (abgestreift) werden kann, so daß der Isolator nicht beschädigt wird, da die vorgeformten Zubehörteile und das Kabel zusammengefügt werden müssen, ohne daß ±gendwelche elektrischen Fehler entstehen.such a procedure arose. In this case there is a growing need for the semiconducting layer to be peeled off (stripped) in a shorter time and more easily can be so that the insulator is not damaged because the preformed accessories and the cable mated without causing any electrical faults.

Wenn die beschriebenen, üblicherweise verwendeten Zusammensetzungen auf den Isolator extrudiert wurden» um diesen damit zu überziehen, war es nicht nur sehr schwierig und erforderte nicht nur viel Zeit, sondern es bestand auch die Gefahr, daß der Isolator beim Abziehen der aufgebrachten Zusammensetzungen von dem Kabel beschädigt wurde. Aus diesem Grunde erfüllen solche Zusammensetzungen nicht die oben beschriebenen Anforderungen. If the described, commonly used compositions were extruded onto the insulator »in order to coat it with it, it was not only very difficult and required Not only was there a lot of time, but there was also a risk that the insulator would break when the applied compositions were peeled off damaged by the cable. For this reason, such compositions do not meet the requirements described above.

Im Gegensatz dazu wurde kürzlich ein mit einem vernetzten Polyäthylen isoliertes Kabel mit einer halbleitenden Schicht vorgeschlagen, die einfach und wirksam abgestreift werden kann, ohne daß ein Teil der halbleitenden Schicht auf dem Isolator zurückbleibt und ohne daß der Isolator beschädigt wird. Dieser Vorschlag bezieht sich auf ein mit einem vernetzten Polyäthylen isoliertes Kabel mit einer halbleitenden Schicht, mit der der Isolator durch Extrusionsbeschichtung überzogen wird und es entsteht ein Kabel, das die Eigenschaft hat, daß es sehr leicht von selbst diehalbleitende Schicht von dem Kabel abstreift und das dadurch charakterisiert 1st, daß die halbleitende Schicht mit einer Zusammensetzung aus einer Mischung aus 2,5-Dimethyl-21,5'-dKtert.-butylperoxyJhexin^ und einem Äthylen/-Vinylacetat-Mischpolymerisat mit einem Vinylacetatgehalt von 25 bis 55 Gew.-Z, vorzugsweise in einem Verhältnis von 0,3In contrast, recently there has been proposed a cable insulated with a crosslinked polyethylene having a semiconductive layer which can be stripped easily and effectively without leaving any part of the semiconducting layer on the insulator and without damaging the insulator. This proposal relates to a cable insulated with a cross-linked polyethylene with a semiconducting layer, with which the insulator is coated by extrusion coating and a cable is obtained which has the property that it easily strips the semiconducting layer from the cable by itself and that characterized in that the semiconducting layer with a composition of a mixture of 2,5-dimethyl-2 1 , 5'-dKtert.-butylperoxyJhexin ^ and an ethylene / vinyl acetate copolymer with a vinyl acetate content of 25 to 55 wt. Z, preferably in a ratio of 0.3

10986Λ/Ϊ60310986Λ / Ϊ603

bis 5,0 Gew.-teilen des zuerst genannten auf 100 Gew.-teile des zuletzt genannten Mischpolymerisats extrusionsbeschichtet wird. Dieser Vorschlag hat aber den Nachteil, daß die Abstreifbarkeitsfestigkeit über einen bestimmten Wert hinaus nicht verringert werden kann.up to 5.0 parts by weight of the former per 100 parts by weight of the last-mentioned copolymer extrusion-coated will. However, this proposal has the disadvantage that the strippability strength exceeds a certain value cannot be reduced.

Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein ausgezeichnet isoliertes Kabel, insbesondere ein isoliertes Kabel mit einer leicht abstreifbaren, halbleitenden Schicht zu erhalten, die aus einem vernetzten Polyäthylen oder einem vernetzten Polyäthylen-Mischpolymerisat als Hauptbestandteil besteht.The object of the present invention is to provide an excellent insulated cable, in particular an insulated cable with a easily strippable, semiconducting layer to get that made of a cross-linked polyethylene or a cross-linked polyethylene copolymer as the main ingredient.

Nachfolgend wird die Erfindung in Verbindung mit der beiliegenden Zeichnung, in der eine Ausführungsform der Erfindung dargestellt ist, näher erEutert.In the following the invention in connection with the accompanying drawing, in which an embodiment of the invention is shown in more detail.

Es wurde die Abstreifbarkeitsfestigkeit (strippable strength) ■-untersucht, um die Nachteile der oben beschriebenen Art zu eliminieren, was zu einem Erfolg führte, wobei ein vernetztes Polyäthylenkabel mit einer verbesserten Halbleiterschicht erhalten wurde, die leicht abgestreift werden kann. Die Erfindung ist nun dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der leitfähigen Schicht um eine Zusammensetzung aus einer Mischung aus 90 bis 10 Gew.-% eines Äthyl.r/Vinylacetat-Mischpolymerisats mit 15 bis 55 Gew.-^ Vinylacetatgehalt und 10 bis 90 Ge\i.-% eines Äthylen/Vinylacetat /Vinylchlorid-Terpolymerisats mit einem gewöhnlichen Vernetzungsmittel, wie z. B. Dicumylperoxyd oder 2,5-Dimethyl-2',5'-di(tert.-butylperoxy)-hexin-3, vorzugsweise in einem Verhältnis von 0,3 bis 50 Gew.-teilen des letztgenannten zu 100 Gew.-teilen des zuerst genannten Mischpolymerisats bzw. Terpolymerisats handelt.Strippable strength was investigated in order to eliminate the disadvantages of the type described above, which led to success in obtaining a crosslinked polyethylene cable having an improved semiconductor layer which can be easily stripped off. The invention is now characterized in that it is in the conductive layer is a composition of a mixture of 90 to 10 wt -.% Of a Äthyl.r / vinyl acetate copolymer containing 15 to 55 wt .- ^ vinyl acetate and 10 to 90 Ge \ i .-% of an ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer with a common crosslinking agent, such as. B. dicumyl peroxide or 2,5-dimethyl-2 ', 5'-di (tert-butylperoxy) -hexyne-3, preferably in a ratio of 0.3 to 50 parts by weight of the latter to 100 parts by weight of the first-mentioned copolymer or terpolymer.

109844M603109844M603

Da die Zusammensetzung zu einer halbleitenden Schicht gemacht werden soll, ist es natürlich nur erforderlich, eine geeignete Menge Ruß einzumischen, um die Zusammensetzung leitfähig zu machen, sowie gegebenenfalls andere Agentien, beispielsweise Antioxydationsmittel, Verarbeitungshilfsmittel usw., je nach den Anwendungsbedingungen, zuzusetzen.Because the composition is made into a semiconducting layer of course, it is only necessary to mix in an appropriate amount of carbon black to make the composition conductive make, as well as other agents such as antioxidants, processing aids, etc., as appropriate, as appropriate the conditions of use.

Die erhaltenen Versuchsergebnisse haben gezeigt, daß die Menge an Ruß (25 bis 70 Gew.-teile gegenüber 100 Gew.-teilen Polymerisat) und an Antioxydationsmittel auf Aminbasis oder Ph en ο 1*- basis und an Verarbeitungshilfsmitteln, wie z. B. Zinkstearat, keinen Einfluß auf die Neigung der Zusammensetzung zur leichten Abstreifbarkeit haben.The test results obtained have shown that the amount of carbon black (25 to 70 parts by weight compared to 100 parts by weight of polymer) and on antioxidants based on amine or Ph en o 1 * - and on processing aids, such as. B. zinc stearate, do not affect the tendency of the composition to be easily stripped off.

Nachfolgend wird eine Aus füh rungs form der Erfindung in einem isolierten Kabel mit einer äußeren halbleitenden Schicht unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung beschrieben. Darin bedeutet die Ziffer 1 ein<n Leiter, die Ziffer 2 eine innere halbleitende Schicht, die Ziffer 3 eine isolierende Schicht und die Ziffer 4 eine äußere halbleitende Schicht.The following is an embodiment of the invention in an insulated cable with an outer semiconducting layer underneath Described with reference to the accompanying drawing. The number 1 means a <n conductor, the number 2 an inner one semiconducting layer, the number 3 an insulating layer and the number 4 is an outer semiconducting layer.

Beispiele und Bezugsbeispiele sind nachfolgend angegeben. Die in den Beispielen verwendeten Materialien und das experimentelle Verfahren waren folgende:Examples and reference examples are given below. The materials used in the examples and the experimental Procedures were as follows:

Eine gewöhnliche innere halbleitende Schicht wurde auf einen Leiter aus einem verdrallten Kabel mit einem Querschnitt vonAn ordinary inner semiconducting layer was applied to a conductor from a twisted cable with a cross section of

100 mm extrudiert, so daß der Leiter damit überzogen war und der auf diese Weise überzogene Kabelleiter wurde dann durch Extrusion mit der isolierenden Schicht und der halbleitenden Schicht, wie in der folgenden Tabelle I angegeben, weiter überzogen und die Schicht wurde in gesättigtem Wasser-100 mm extruded so that the conductor was covered with it and the cable conductor coated in this way was then extrusion-coated with the insulating layer and the semiconducting layer Layer as indicated in the following Table I, further coated and the layer was in saturated water

BAD ORJGfNAL 109844/^603 BAD ORJGfNAL 109844 / ^ 603

dampf von 15 Atmosphären einer Vemetζungsreaktion unterworfen. Durch Herstellung eines Schnittes von 10 mm Breite, der in axialer Richtung in der so erhaltenen halbleitenden Schicht, welche die Oberfläche des Leiters bedeckte, lief, wurde ein Adhäsionstest (Haftungstest) durchgeführt. Die dabei erhaltenen Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle I angegeben.Steam of 15 atmospheres is subjected to a killing reaction. By making a cut 10 mm wide, in the axial direction in the semiconducting On the layer covering the surface of the conductor, an adhesion test (adhesion test) was carried out. the The results obtained are shown in Table I below.

In der halbleitenden Schicht in der folgenden Tabelle wurden 50 Gew.-teile Acetylen-Ruß, 1 Gew.-teil Antioxydationsmittel und 1 Gew.-teil Zinkstearat mit 100 Gew.-teilen des Grundpolymerisats (natürlich einschließlich der Mischungen der verschiedenen Polymerisate) gemischt und das Vernetzungsmittel wurde hinsichtlich des Typs und der Menge ebenso wie die Dicke der halbleitenden Schicht variiert. .In the semiconducting layer in the table below, 50 parts by weight of acetylene black and 1 part by weight of antioxidant were used and 1 part by weight of zinc stearate with 100 parts by weight of the base polymer (including, of course, mixtures of different polymers) mixed and the crosslinking agent was in terms of type and amount as well as the thickness of the semiconducting layer varies. .

Isolierte
Schicht
Isolated
layer
Tabelle ITable I. Vernet
zungsmit
tel
Network
with
tel
rr (über dem(above the Abziehfestig
keit (kg/10mm)
Peel strength
capacity (kg / 10mm)
Nr.No. „ *"* Halbleitende Schicht
Isolator)
Semiconducting layer
Insulator)
1 X +) - 21 X +) - 2 Dicke
(mm)
thickness
(mm)
Bezugs- Polyäthy-
bei- len
spiel 1
Cover polyethy-
clasp
game 1
Grundpo
lymeri
sat
Basic po
lymeri
sat
1 % 1 % 0,50.5 mehr als 5more than 5
E.VA+) -E.VA +) - etwas blieb auf
dem Isolator
zurück
something stayed up
the isolator
return
Vinyl-
= 15 %
Vinyl-
= 15 %
// MI = 6MI = 6 \\ Spezifi
sches Ge
wicht =
042 g/
cnr
Specifi
sches Ge
weight =
042 g /
cnr
DCP = 2,-52
Antioxidans = 0,33!
DCP = 2, -52
Antioxidant = 0.33!
+)'- 3 +) '- 3 MI = 2MI = 2

109844/1603109844/1603

Nr. Isolierte Schicht Halbleitende Schicht (über Abziehfes-No. Insulated layer Semiconducting layer (via peel-off

dem Isolator) _ tigkeit the isolator) _ activity

(kg/10 mm)(kg / 10 mm)

Grundpoly- Vemet- Dicke merisat zungs- (mm) mittelBasic poly- Vemet- thickness merization (mm) middle

Bezugs- wie Bezugsbeibei- spiel 1 spiel 2Reference and reference example 1 game 2

E. VAE. VA

Vinylacetat = 2556Vinyl acetate = 2556

M I s 6M I s 6

X+J -X + J -

1%1%

0,50.5

3,93.9

Bezugsbei
spiel 3
Reference at
game 3

Bezugsbei
spiel H
Reference at
game H

E. VAE. VA

Vinylacetat = 35 % Vinyl acetate = 35 %

HI = 6HI = 6

E* VAE * VA

Vinylacetat = 505«Vinyl acetate = 505 "

M I a 6M I a 6

3,53.5

Beispielexample

E.VAE.VA

Vinylacetat = lOJiVinyl acetate = 10Ji

M I = 6 +> 5M I = 6 +> 5

plus SUMI-GRAFT 105Splus SUMI-GRAFT 105S

" mehr als 5, "more than 5,

Beispiel 2 " Bezugsbeispiel 1 + SUMIGRAFT 10 % Example 2 "Reference example 1 + SUMIGRAFT 10 %

3,03.0

Beispiel 3 " Bezugsbeispiel 2 + SUMIGRAFT 10 % Example 3 "Reference example 2 + SUMIGRAFT 10 %

2,82.8

109844/1603109844/1603

21172 ί 721172 ί 7

Isolierte Schicht Halbleitende Schicht' (über Abziehfes·Insulated layer Semiconducting layer '(via peelable

Isolator) . tigkeitIsolator). activity

wie Bezugsbei
spiel 1
like reference
game 1
Grundpoly
merisat
Basic poly
merisat
Ve rne t -
zungs-
mittel
Ve rne t -
tongue
middle
Dicke
(mm)
thickness
(mm)
(kg/10 mm)(kg / 10 mm)
Beispiel 4Example 4 titi Bezugsbei-'
spiel 3
+ SUMIGRAFT
10 %
Reference amount
game 3
+ SUMIGRAFT
10 %
X+) - 2
1 %
X +) - 2
1 %
0,50.5 1,31.3
Beispiel 5Example 5 IlIl Bezugsbei-
spiel 2
+ SUMIGRAFT
50 %
Reference
game 2
+ SUMIGRAFT
50 %
X .
1 %
X
1 %
ItIt 2,02.0
Beispiel 6Example 6 IlIl Bezugsbei-
spiel 2 + '
SUMIGRAFT
90 %
Reference
game 2 + '
SUMIGRAFT
90 %
IlIl titi 0,50.5
Bezugsbei
spiel 5
Reference at
game 5
titi SUMIGRAFT
100 %
SUMIGRAFT
100 %
ItIt ItIt 00
Bezugsbei
spiel· 6
Reference at
game 6
wie Bezugs
beispiel 3
like reference
example 3
-- ItIt die halb-
leitende
the semi
senior

Schicht wurde einge-' schnitten und nicht abgestreiftLayer was cut in and not stripped off

Bezugsbei
spiel 7
Reference at
game 7
ItIt ItIt X
0,2 %
X
0.2 %
ItIt titi
Bezugsbei
spiel 8
Reference at
game 8
ItIt titi X
Q,3 %
X
Q, 3 %
ItIt 3,53.5
Bezugsbei-.
spiel 9
Reference.
game 9
ttdd . π. π X
0,5 %
X
0.5 %
ttdd
Il

Il
Bezugsbei
spiel 10
Reference at
game 10
IlIl IlIl X
1,0 %
X
1.0 %
titi 3,53.5

10984W.16Q310984W.16Q3

Nr.No.

Isolierte Schicht Halbleitende Schicht (über Abziehfea-Insulated layer Semiconducting layer (via peel-off

dem Isolator) tigkeit the isolator) activity

(kg/10 mm)(kg / 10 mm)

Grundpoly- Vernet- Dicke merisat zungs- (mm) mittelBasic poly- cross-linked thickness merization (mm) middle

Rp7,](rq. wie Bezugsbeiüezugs-On-Jp1T λ Rp7 , ] (rq . As for reference-O n -Jp 1 T λ

beispiel splel 2 11example splel 2 11

Bezugsbei
spiel 1
Reference at
game 1

wie Bezugs- X
beispiel 3 5,0
like reference X
example 3 5.0

0,50.5

3,03.0

Bezugs-
bei
spiel 12
Reference
at
game 12
flfl ItIt X
6,0 %
X
6.0 %
titi 0,30.3
Bei
spiel 7
at
game 7
IlIl wie Bei-
■ spiel 3
as in-
■ game 3
X
"0,3 %
X
"0.3 %
ItIt 2,72.7
Bei
spiel 8
at
game 8
IlIl ItIt X
5,0 %
X
5.0 %
IlIl 2,02.0
Bezugs-
bei
spiel 13
Reference
at
game 13
IlIl IlIl X
6,0 %
X
6.0 %
ItIt 0 .,0.,

wie Bezugs- X 0,1like reference X 0.1

beispiel 3 1,5 % example 3 1.5 %

die halbleitende Schicht ß wurde eingeschnitten und nicht abgestreiftthe semiconducting layer β was incised and not stripped off

Bezugs-
bei
spiel 15
Reference
at
game 15
IlIl titi IlIl 0,20.2 3,33.3
Bezugs-
bei
spiel 16
Reference
at
game 16
IlIl IlIl IlIl 0,50.5 3,43.4
Bezugs-
bei
spiel 17
Reference
at
game 17
IlIl IfIf IlIl 1,01.0 3,33.3

109844/1603109844/1603

- ίο -- ίο -

Nr.No.

Isolierte Schicht Halbleitende Schicht (über Abzieh-Insulated layer Semiconducting layer (via peel-off

dem_I s o_l ator) f e s t ig -dem_I s o_l ator) f e s t ig -

4
wie Bezugsbei
4th
like reference
__ Grundpoly-Basic poly VernetNetwork Dickethickness keitspeed
spiel 1game 1 merisatmerisat zungstion (mm)(mm) (kg/lOmm)(kg / 10mm) mittelmiddle wie Beias in XX 0,10.1 BezugsbeiReference at spiel 3game 3 1,5 % 1.5 % die halb-the semi spiel 18game 18 Ie it endeIe it end Schichtlayer wurde einwas a geschnittencut und nichtand not abgestreiftstripped

Beispiel 9Example 9 I!I! 1111 IlIl 0,20.2 2,72.7 Beispiel 10Example 10 itit IlIl IlIl 0,50.5 2,62.6 Beispiel 11Example 11 ItIt IlIl IlIl 1,01.0 2,72.7

Bezugsbei- Spezifisches Ge- wie Bezugs- X spiel 19 wicht des Poly- beispiel 3 2,0 % äthylens = 0,92 g/Reference at- Specific weight as reference X game 19 weight of the poly- example 3 2.0 % ethylene = 0.92 g /

0,70.7

M I = H
DCP = 2,5 %
Antioxydationsmittel =0,5 55
MI = H
DCP = 2.5 %
Antioxidant = 0.5 55

Bezugsbei- 30 Gew.-teile Talk spiel 20 v/erden zu 100 Gewichtsteilen der Zusammensetzung des Bezugsbeispiels 19 zugegebenReference amounts to 30 parts by weight of talc 20 v / earth to 100 parts by weight added to the composition of Reference Example 19

X
2,0 %
X
2.0 %

0,70.7

3,03.0

Bezugsbei- 30 Gew.-teile Ton.-, spiel 21 werden zu 100 Ge-Reference parts - 30 parts by weight of clay, game 21 become 100 pieces

wiehtsteilen der • Zusammensetzung desShare the • composition of the

Bezugsbeispiels 19Reference example 19

zugegebenadmitted

3,13.1

109844/1603109844/1603

- li -- li -

Nr. Isolierte Schicht Halbleitende Schicht (über Abzieh-No. Insulated layer Semiconducting layer (via peel-off

dem Isolator) festig- the insulator)

" keit"speed

Grundpoly- Vernet- Dicke (kg/lOmm) merisat zungs- (mm)
mittel
Basic poly- network thickness (kg / 10mm) merization (mm)
middle

Bezugsbeispiel 22Reference example 22

EVAEVA

Vinylacetat = 15 % Vinyl acetate = 15 %

M I = 3
DCP = 2 % Alterungswiderstand = 0,5 %
MI = 3
DCP = 2 % aging resistance = 0.5 %

wie Bezugs- X 1,0
beispiel 3 1,5 %
like reference X 1.0
example 3 1.5 %

Bezugsbeispiel 23Reference example 23

30 Gew.-teile Talk v/erden zu 100 Gew.-teilen der Zusammensetzung des Bezugsbeispiels 22 zugegeben30 parts by weight of talc is added to 100 parts by weight of the composition of the reference example 22 added

3,93.9

Beispielexample 1212th wie Bezugsbei
spiel 19
like reference
game 19
wie Bei
spiel 3
as in
game 3
X
2,0 %
X
2.0 %
0,70.7 2,2, 7 ·7 ·
Beispielexample 1313th wie Bezugs
beispiel, 20
like reference
example, 20
IlIl ItIt IlIl 2,2, 33
Beispielexample 1414th wie Bezugs-
beispiel 21
like reference
example 21
ItIt IlIl titi 2,2,
Beispielexample 1515th wie Bezugs
beispiel 22
like reference
example 22
titi X
1,5 %
X
1.5 %
1,01.0 3,3, 66th

Beispiel 16 wie Bezugs beispiel 23Example 16 as reference example 23

3,23.2

Bezugsbei- wie Bezugsspiel 24 beispiel 1 Reference example and reference game 24 example 1

wie Bezugs- DCP 0,5
beispiel 3 1,0 %
like reference DCP 0.5
example 3 1.0 %

mehr als 5* etwas blieb auf dem Isolator zurück more than 5 * something remained on the insulator return

109844/1603109844/1603

Nr.No.

Isolierte Schicht Halbleitende Schicht (über Abzieh-Insulated layer Semiconducting layer (via peel-off

dera Isolator festig-strengthen the isolator

»» Grundpoly
merisat
Basic poly
merisat
Vernet
zungs
mittel
Network
tion
middle
Dicke
(mm)
thickness
(mm)
keit
(kg/10mm)
speed
(kg / 10mm)
Bezugs- wie Bezugsbei
beispiel spiel 1
25
Reference as reference
example game 1
25th
wie Bezugs -
beispiel 3
like reference -
example 3
DCP
5,0 %
DCP
5.0 %
0,50.5 mehr als 5,
etwas blieb
auf dem
Isolator
zurück
more than 5,
something stayed
on the
insulator
return
Bezugs- "
beispiel
26
Reference "
example
26th
EVA im Be
zugsbei
spiel 3
wurde ge
ändert in
+) -6
DPD - 6169
EVA in Be
Zugsbei
game 3
was ge
changes to
+) -6
DPD - 6169
X
1,0 %
X
1.0 %
ttdd

Beispiel
17
example
17th
UU wie Bei
spiel 3
as in
game 3
DCP
1,0 %
DCP
1.0 %
ππ 2,a-2, a-
Beispiel
18
example
18th
IlIl If .If. DCP
5,0 %
DCP
5.0 %
2,02.0

Bezugsbeispiel 27Reference example 27

EVA im Bei- X spiel 3 wur- 1,0 % de geändert in DPD-6169EVA in example 3 was changed to 1.0 % in DPD-6169

mehr alsmore than

+] - 1 EVA * Äthylen/Vinylacetat-Hischpolymerisat +] - 1 EVA * ethylene / vinyl acetate copolymer

Vinylacetat = die Menge an Vinylacetat in dem Mischpolymerisat Vinyl acetate = the amount of vinyl acetate in the copolymer

+) - 2 X = 2,5-Dimethyl-2f ,5'-di-<tert.-butylperoxy)-hexin-3 +J-MI ='Schmelzflußindex (g/10 Min.) (ASTM D 1238) ,+}- DCP = Dl-a-cumylperoxyd+) - 2 X = 2,5-dimethyl-2 f , 5'-di- <tert-butylperoxy) -hexyne-3 + J-MI = 'melt flow index (g / 10 min.) (ASTM D 1238), +} - DCP = Dl-a-cumyl peroxide

1098U/t6031098U / t603

+) - 5 SUMIGRAFT = ein Äthylen/Vinylacetat/Vinylchlorid-Ter-+) - 5 SUMIGRAFT = an ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride ter-

polymerisat der Firma Sumitomo Chemicals Manufacturing Company, Japanpolymer from Sumitomo Chemicals Manufacturing Company, Japan

+) - 6 DPD-6169, '= ein Äthylen/Äthylacrylat-Mlschpolymerisat+) - 6 DPD-6169, '= an ethylene / ethyl acrylate blend polymer

der UCC, USA.of the UCC, USA.

Bei der früheren Aufbringung war es möglich, eine absichtlich leicht und vollständig abstreifbare, halbleitende Schicht nur dann zu erzielen, wenn 2,5-Dimethyl-2*,5'-di(tert.-butyl-, peroxy)-hexin-3 mit einem Äthylen/Vinylacetat-Mischpolymerisat mit 25 bis 55 Gew.-% Vinylacetat-gehalt gemischt wurde, die vorstehenden Beispiele zeigen Jedoch, daß es möglich ist, selbst bei Verwendung von nicht nur 2,5-Dimethyl-2',5'-di-(tert.-butylperoxy)-hexin-3, sondern auch eines gewöhnlichen Vernetzungsmittels, wie z. B-. Di-a-cumylperoxyd, wenn nur ein Äthylen/Vinylacetat/Vinylchlorid-Terpolymerisat mit einem Äthylen/Vinylacetat-Mischpolymerisat mit einem Vinylacetatgehalt von 15 - 55 Gew.-Jt gemischt wird, eine beabsichtigte, leicht und vollständig abstreifbare halbleitende Schicht zu erzielen urjd auch die Abstreifbarkeitsfestigkeit wesentlich . , herabzusetzen. Wenn nämlich ein Äthylen/Vinyläcetat-Mischpolyraerisat weniger als 15 % Vinylacetatgehalt aufweist, wird das Äthylen/Vinylacetat/Vinylchlorid-Terpolymerisat seines Effektes beraubt und die daraus hergestellte Schicht ist schwierig abzustreifen und wenn das Mischpolymerisat 55 % übersteigt, wird ihre Haftung zu stark herabgesetzt, so daß sie nicht mehr für die Verwendung in einem Kabel geeignet ist.In the previous application it was possible to achieve an intentionally easily and completely strippable, semiconducting layer only if 2,5-dimethyl-2 *, 5'-di (tert-butyl-, peroxy) -hexyne-3 was used an ethylene / vinyl acetate copolymer with 25 to 55 wt -.% vinyl acetate content was mixed, the above examples show, however, that it is possible, even with the use of not only 2,5-dimethyl-2 ', 5'-di - (tert-butylperoxy) -hexyne-3, but also a common crosslinking agent, such as. B-. Di-a-cumyl peroxide, if only one ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer is mixed with an ethylene / vinyl acetate copolymer with a vinyl acetate content of 15-55 parts by weight, an intended, easily and completely strippable semiconducting layer is also achieved the strippability strength is essential. to belittle. If an ethylene / vinyl acetate copolymer has less than 15 % vinyl acetate content, the ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer is deprived of its effect and the layer produced from it is difficult to peel off and if the copolymer exceeds 55% , its adhesion is reduced too much, so that it is no longer suitable for use in a cable.

Demnach ist SUMIGRAFT nur wirksam und zeigt eine verbesserte leichte Abstreifbarkeit, wenn der Vinylacetatgehalt 15 bis 55 % beträgt. Wenn- nun- der Gehalt an- 2,5-Dimethyl-2f,5'-dl-(tert.-butylperoxy)-hexin-3 weniger als 0,3 Gewichtsteile auf 100 Gew.-teile detfMischpolymerisat- und Terpolymerisat-MischungAccordingly, SUMIGRAFT is only effective and shows improved ease of strippability when the vinyl acetate content is 15 to 55 % . If the content of 2,5-dimethyl-2 f , 5'-dl- (tert-butylperoxy) -hexyne-3 is less than 0.3 part by weight per 100 parts by weight of the copolymer and terpolymer mixture

BAD ORIGINAL 109844/1-603 BAD ORIGINAL 109844 / 1-603

beträgt, vielst die halbleitende Schicht eine verhältnismäßig geringe Festigkeit auf und wenn der Gehalt 5 Gew.-% übersteigt, wird ihre Haftung an dem Isolator zu schlecht, so daß sie nicht mehr für die Verwendung in einem Kabel geeignet ist. Wenn er innerhalb des Bereiches von 0,3 bis 5 Gew.-teilen liegt, zeigt er ein besonders gutes Ergebnis. Bezüglich der Dicke der Schicht sei bemerkt, daß diese vorzugsweise mehr als 0,2 mm betragen sollte, da eine Schicht einer Dicke von weniger als 0,2 mm die Neigung hat, beim Abstreifen zerrissen W zu werden.is, the semiconductive layer vielst a relatively low strength, and when the content is 5 wt -.% exceeds, their adhesion to the insulator to poor, so that it is no longer suitable for use in a cable. When it is within the range of 0.3 to 5 parts by weight, it shows a particularly good result. With respect to the thickness of the layer should be noted that this should be preferably more than 0.2 mm, since a layer to be a thickness of less than 0.2 mm, the inclination has torn during stripping W.

Wie oben beschrieben, ist es nur dann möglich, eine leicht und vollständig abstreifbare (abziehbare) halbleitende Schicht zu erhalten, wenn das Äthylen/Vinylacetat-Mischpolymerisat einen Vlnylacetatgehalt von 15 bis 55 % aufweist und das Äthylen/Vinylacetat/Vinylchlorid-Terpolymerisat zu dem Mischpolymerisat zugegeben wird und das 2,5-Dimethyl-2',51-di-(tert.-butylperoxy)-hexin-3 oder das DCP (Di-a-eumylperoxyd) vorzugsweise in einem VerhSttllla?*von 0,3 bis 5,0 GeW,-teilen auf 100 Gewichtsteile der Mischpolymerisat- und Terpolymeri— sat-Miscliung vorliegt. Anhand von Versuchen wurde gezeigt, fc daß bei Verwendung anderer Vernetzungsmitteltypen keine halbleitende Schicht der gewünschten Qualität gebildet wird« As described above, it is only possible to obtain an easily and completely strippable (peelable) semiconducting layer if the ethylene / vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate content of 15 to 55 % and the ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer to the copolymer is added and the 2,5-dimethyl-2 ', 5 1 -di- (tert-butylperoxy) -hexyne-3 or the DCP (di-a-eumyl peroxide) preferably in a ratio of 0.3 to 5 , 0 parts by weight per 100 parts by weight of the copolymer and terpolymer mixture is present. Experiments have shown that when other types of crosslinking agents are used, no semiconducting layer of the desired quality is formed «

Wenn das Äthylen/Vinylacetat/Vinylchlorid-Terpolymerisat weniger als 10 Gew.-? der Menge der Mischpolymerisat- und Terpolymerisat-Mischung ausmacht, hat es keine Wirkung und wenn es mehr als 90 Gew.-% ausmacht, kann es nicht die erforderliche Abziehfestigkeit liefern. Andererseits ist es klar, daß selbst wenn das Äthylen/Vinylacetat/Vinylchlorid-Terpolymerisat zu einem anderen hochmolekularen (Polymerisat oder) Mischpolymerisat als einem Äthylen/Vinylacetat-Mischpoly-If the ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer less than 10 wt. the amount of copolymer and Terpolymer mix, it has no effect and if it is more than 90% by weight, it may not be as required Provide peel strength. On the other hand, it is clear that even if the ethylene / vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer to another high molecular weight (polymer or) mixed polymer than an ethylene / vinyl acetate mixed poly-

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

109844/1-603109844 / 1-603

rnerisat zugegeben wird und selbst wenn 2,5-Dimethyl-2 · ,5 !- di-(tert,-butylperoxy)-hexin-3 oder DCP als Vernetzungsmifctel verwendet wird, kein gutes Ergebnis erhalten werden kann. Nur die Verwendung der erfindungsgemäßen Zusammensetzung liefert eine halbleitende Schicht mit einer ausgezeichneten Abstreifbarkeit.rnerisat is added and even if 2,5-dimethyl-2 ·, 5 ! - di- (tert, -butylperoxy) -hexyne-3 or DCP is used as a crosslinking agent, no good result can be obtained. Only the use of the composition of the invention provides a semiconducting layer with excellent strippability.

Es ist natürlich klar, daß unabhängig von der Größe des Kabels und dem vorgesehenen Verwendungszweck die Erfindung auch in einem Kabel angewendet werden kann, dessen isolierte Schicht aus einem vernetzten Polymerisat oder einem vernetzten Polyäthylenmischpolymerisat als Hauptbestandteil besteht.It is of course clear that regardless of the size of the cable and the intended use, the invention can also be used in a cable whose insulated layer consists of a crosslinked polymer or a crosslinked Polyethylene copolymer is the main component.

109844/1-603109844 / 1-603

BAD ORIGINALBATH ORIGINAL

Claims (1)

- 16 -- 16 - PatentansprücheClaims 1. Isoliertes Kabel mit einer halbleitenden Schicht, die als Überzug über einen Isolator durch Extrusion aufgebracht wurde und aus einem vernetzten Polyäthylen und/oder einem Polyäthylenmischpolymerisat als Hauptbestandteil besteht, das eine leicht abstreifbare* äußere halbleitende Schicht aufweist, dadurch gekennzeichnet', daß die äußere halbleitende Schicht des Kabels aus einer Zusammensetzung besteht, die zum überziehen des Isolators auf diesen extrudiert wurde und die eine Mischung aus 90 bis 10 Gew.-% eines Äthyler/-■Vinylacetat/Vinylchlorid-Terpolymerisats und 10 bis 90 Gew.-JS eines Äthylen/Vinylacetat-Mischpolymerisats mit 15 bis 55 Gew.-2 Vinylacetatgehält und einem Vernetzungsmittel und außerdem einem leitfähig machenden Mittel, wie Ruß,und gegebenenfalls einem mit der so erhaltenen Mischung vermischten Antioxydationsmittel und Verarbeitungshilfsmittel darstellt. 1. Insulated cable with a semiconducting layer that was applied as a coating over an insulator by extrusion and consists of a crosslinked polyethylene and / or a polyethylene copolymer as the main component, which has an easily strippable * outer semiconducting layer, characterized 'that the outer semiconducting layer of the cable from a composition which has been to coat the insulator extruded onto these and a mixture of 90 to 10 wt -.% of a Äthyler / - ■ vinyl acetate / vinyl chloride terpolymer and 10 to 90 parts by JS of an ethylene / Vinyl acetate copolymer with 15 to 55 wt. 2. Isoliertes Kabel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Vernetzungsmittel der halbleitenden Schicht Di-a-cumylperoxyd (DCP) verwendet wird.2. Insulated cable according to claim 1, characterized in that di-a-cumyl peroxide is used as the crosslinking agent of the semiconducting layer (DCP) is used. 3. Isoliertes Kabel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Vernetzungsmittel der halbleitenden Schicht 2,5-Dimethyl-2f,5'-di-(tert.-butylperoxy)hexin-3 verwendet wird.3. Insulated cable according to claim 1, characterized in that 2,5-dimethyl-2 f , 5'-di- (tert-butylperoxy) hexyne-3 is used as the crosslinking agent of the semiconducting layer. *l. Isoliertes Kabel nach den Ansprüchen j/bls 3, dadurch gekenn-' zeichnet, daß die isolierende Schicht aus einem vernetzten Polyäthylen besteht.* l. Insulated cable according to claims j / bls 3, thereby marked ' draws that the insulating layer consists of a cross-linked polyethylene. BAD ORIGINAt 109844/>603BAD ORIGINAt 109844 /> 603 5· Isoliertes Kabel nach den Ansprüchen 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende Schicht aus einem vernetzten
Polyolefin besteht, welches ein Äthylen/Vinylacetat-Mischpolymerisat darste.llt,
5 · Insulated cable according to claims 1 to 3 »characterized in that the insulating layer consists of a cross-linked
Polyolefin, which is an ethylene / vinyl acetate copolymer,
6. Isoliertes Kabel nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß zu der isolierenden Schicht ein anorganischer
Füllstoff, beispielsweise Talk, Ton usw., zugegeben wird.
6. Insulated cable according to claims 1 to 5, characterized in that an inorganic layer is added to the insulating layer
Filler such as talc, clay, etc. is added.
109844/1603109844/1603 BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
DE19712117247 1970-04-08 1971-04-08 Insulated cable Expired DE2117247C (en)

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JP2986570 1970-04-08

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DE2117247B2 DE2117247B2 (en) 1972-08-31
DE2117247C DE2117247C (en) 1973-04-12

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2310618A1 (en) * 1975-05-07 1976-12-03 Union Carbide Corp VULCANIZABLE, PELABLE COMPOSITION FOR INSULATING ELECTRICAL CONDUCTORS
WO1982001785A1 (en) * 1980-11-14 1982-05-27 Stubkjaer Jens E High voltage cable
US4767894A (en) * 1984-12-22 1988-08-30 Bp Chemicals Limited Laminated insulated cable having strippable layers
US5397855A (en) * 1992-09-08 1995-03-14 Filotex Low noise cable

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FR2085926B1 (en) 1974-04-26
DE2117247B2 (en) 1972-08-31
FR2085926A1 (en) 1971-12-31
GB1340601A (en) 1973-12-12

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Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977