DE2117247C

DE2117247C - Insulated cable

Info

Publication number: DE2117247C
Application number: DE19712117247
Authority: DE
Inventors: Hirokazu Matsubara Hironaga Osaka Miyauchi (Japan)
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1970-04-08
Filing date: 1971-04-08
Publication date: 1973-04-12

Description

Mischpolymerisat bzw. Terpolymerisat wird ζ Β Di cumylperoxyd oder 2,5-Dimethyl-2,5-di-(tert-butylperoxy)-hexin-3, vorzugsweise in einem Verhältnis von 0,3 bis 5 Gewichtsteilen zu 100 Gewichtsteilen Mischpolymerisat bzw. Terpolymerisat verwendet.Copolymer or terpolymer is ζ Β Di cumyl peroxide or 2,5-dimethyl-2,5-di- (tert-butylperoxy) -hexyne-3, preferably in a ratio of 0.3 to 5 parts by weight to 100 parts by weight of copolymer or terpolymer used.

Es wurde die Abstreifbarkeitsfestigkeit untersucht und festgestellt, daß die Nachteile der oben beschriebenen Art (zu hohe Abstreifbarkeitsfestigkeit) mit der erfindungsgemäßen Zusammensetzung beseitigt werden konnten, wobei ein Kabel mit einem vernetzten Polyäthylenisolator mit einer verbesserten Halbleiterschicht erhalten wurde, die leicht und vollständig abgestreift werden konnte.The strippability strength was examined and found to be the disadvantages of those described above Type (too high strippability strength) can be eliminated with the composition according to the invention were able to, with a cable with a cross-linked polyethylene insulator with an improved semiconductor layer which could be easily and completely stripped off.

Da die Zusammensetzung zu einer halbleitenden Schicht gemacht werden soll, ist es natürlich nur erforderlich, eine geeignete Menge Ruß einzumischen um die Zusammensetzung leitfähig zu machen, sowie gegebenenfalls andere Agenzien, beispielsweise Antioxydationsmittel, Verarbeitungshilfsmittel usw je nacii den Anwendungsbedingungen, zuzusetzenSince the composition is to be made into a semiconducting layer, it is of course only necessary to to mix in an appropriate amount of carbon black to render the composition conductive, and optionally other agents, such as antioxidants, processing aids, etc, each nacii to the conditions of use

Die erhaltenen Versuchsergebnisse haben gezeigt daß die Menge an Ruß (25 bis 70 Gewichtsteile gegenüber 100 Gewichtsteilen Polymerisat) und an Antioxydationsmittel auf Aminbasis oder Phenolbasis und an Verarbeitungshilfsmitteln, wie z. B. Zinkstearat keinen Einfluß auf die Neigung der Zusammensetzung zur leichten Abstreifbarkeit haben.The experimental results obtained have shown that the amount of carbon black (25 to 70 parts by weight versus 100 parts by weight of polymer) and of amine-based or phenol-based antioxidants and processing aids, such as B. zinc stearate does not affect the tendency of the composition for easy strippability.

Beispiele und Bezugsbeispiele sind nachfolgend angegeben Die in den Beispielen verwendeten Materialien und das experimentelle Verfahren waren folgende: Eine gewöhnliche innere halbleitende Schicht wurde auf einen Leiter aus einem verdrallten Kabel mit einem " Querschnitt von 100 mm² exirudiert, so daß der Leiter damit überzogen war, und der auf diese Weise überzogene Kabelleiter wurde dann durch Extrusion mit der isolierenden Schicht und der halbleitenden Schicht, ίο wie in der folgenden Tabelle angegeben, weiter überzogen, und die Schicht wurde in gesättigtem Wasserdampf von 15 Atmosphären einer Vernetzungsreaktion unterworfen. Durch Herstellung eines Schnittes von 10 mm Breite, der in axialer Richtung in der so erhaltenen halbleitenden Schicht, welche die Oberfläche des Leiters bedeckte, lief, wurde ein Adhäsionstest (Hafiungstest) durchgeführt. Die dabei erhaltenen Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle angegeben.Examples and reference examples are given below. The materials used in the examples and the experimental procedure were as follows: An ordinary inner semiconducting layer was extruded onto a conductor from a twisted cable having a cross section of 100 mm ² so that the conductor was coated with it, and the cable conductor coated in this way was then further coated by extrusion with the insulating layer and the semiconducting layer as indicated in the following table, and the layer was subjected to a crosslinking reaction in saturated water vapor of 15 atmospheres An adhesion test (adhesion test) was carried out 10 mm in width running in the axial direction in the thus obtained semiconducting layer covering the surface of the conductor, and the results obtained are shown in the following table.

In der halbleitenden Schicht in der folgenden Tabelle wurden 50 Gewichtsteile Acetylen-Ruß. ! Gewichisteil Antioxydationsmittel und 1 Gewiditsteil Zinkstearat mit 100 Gewichtsteilen des Grundpolymerisats (natürlich einschließlich der Mischungen der verschiedenen Polymerisate) gemischt, und das Veras netzungsmittel wurde hinsichtlich des Typs und der Menge ebenso wie die Dicke der halbleitenden Schicht variiert.In the semiconducting layer in the following Table was 50 parts by weight of acetylene black. ! Weight part Antioxidant and 1 part by weight Zinc stearate with 100 parts by weight of the base polymer (including, of course, mixtures of different polymers) mixed, and the Veras crosslinking agent with regard to the type and the The amount as well as the thickness of the semiconducting layer varies.

Nr.No. Isolierte SchichtIsolated layer Halbleitende Schicht (über
GrundpolymerisatSemiconducting layer (over
Base polymer dem Isolato
Ver
netzungs
mittelthe isolato
Ver
networking
medium D
Dicke
(mm)D.
thickness
(mm) Abziehfestigkeit
(kg/10 mm)Peel strength
(kg / 10 mm) Bezugs
beispiel 1Reference
example 1 Polyäthylen
Spezifisches Gewicht
= 0,92 g/cm³
*)-3
MI = 2
•H
DCP = 2,5%
Antioxidans = 0,3%Polyethylene
specific weight
= 0.92 g / cm ³
*) - 3
MI = 2
•H
DCP = 2.5%
Antioxidant = 0.3% E.VA*)-1
Vinylacetat = 15%
MI = 6E.VA *) - 1
Vinyl acetate = 15%
MI = 6 X *)-2
1 ⁰I X *) - 2
1 ⁰ I. 0,50.5 mehr als 5
etwas blieb auf dem Iso
lator zurückmore than 5
something stayed on the iso
lator back Bezugs
beispiel 2Reference
example 2 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 E.VA
Vinylacetat = 25%
MI = 6E.VA
Vinyl acetate = 25%
MI = 6 X*)-2
1 ⁰I
A /0 X *) - 2
1 ⁰ I.
A / 0 0,50.5 3,93.9 Bezugs
beispiel 3Reference
example 3 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 E.VA
Vinylacetat = 35%
M I =6E.VA
Vinyl acetate = 35%
MI = 6 X*)-2
1%X *) - 2
1% 0,50.5 3,53.5 Bezugs
beispiel 4Reference
example 4 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 E.VA
Vinylacetat = 50%
MI = 6E.VA
Vinyl acetate = 50%
MI = 6 X*)-2
1%X *) - 2
1% 0,50.5 22 Beispiel 1example 1 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 E.VA
Vinylacetat = 10%
M I = 6
*)-5
+ SUMIGRAFT 10%E.VA
Vinyl acetate = 10%
MI = 6
*) - 5
+ SUMIGRAFT 10% X*)-2X *) - 2
1%1% 0,50.5 mehr als 5more than 5 Beispiel 2Example 2 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 Bezugsbeispiel 1
+ SUMlGRAFT 10%Reference example 1
+ SUMlGRAFT 10% X*)-2
l°/oX *) - 2
l ° / o 0,50.5 3,03.0 Beispiel 3Example 3 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 Bezugsbeispiel 2
+ SUMIGRAFT 10%Reference example 2
+ SUMIGRAFT 10% X*)-2
1 0/
¹ /0 X *) - 2
1 0 /
^1/0 : 0,5
j: 0.5
j 2,82.8 Beispie! 4Example! 4th wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 Bezugsbeispiel 3
-r- SUMIGRAFT 10%Reference example 3
-r- SUMIGRAFT 10% X*)-2
1%X *) - 2
1% 0,5
] 0.5
] 1,31.3 Beispiel 5Example 5 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 Bezugsbeispiel 2
+ SUMIGRAFT 50%Reference example 2
+ SUMIGRAFT 50% χ
! 1%χ
! 1% ^{Ü>5Ü> 5} 2,02.0

55 Halbleitende Schicht (über dem Isolator)Semiconducting layer (over the insulator) ■■ wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 VerVer Dickethickness 66th AbziehfestigkeitPeel strength netzungs
mittelnetworking
medium (mm)(mm) (kg/10 mm)(kg / 10 mm) Nr.No. Isolierte SchichtIsolated layer GrundpolymcrisatBase polymer wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 XX 0,50.5 0,50.5 Bezugsbeispiel 2Reference example 2 1%1% Beispiel 6Example 6 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 + SUMIGRA FT 90 7₀ + SUMIGRA FT 90 7 ₀ wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 XX 0,50.5 00 SUMIGRAFT 100 7₀ SUMIGRAFT 100 7 ₀ 1%1% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 wie Beispiel 3like example 3 0,50.5 die halbleitende Schichtthe semiconducting layer beispiel 5example 5 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 wurde eingeschnitten undwas cut and BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 nicht abgestreiftnot stripped beispiel 6example 6 wie Beispiel 3like example 3 XX 0,50.5 die halbleitende Schichtthe semiconducting layer wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 O,27oO, 27o wurde eingeschnitten undwas cut and BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 wie Beispiel 3like example 3 nicht abgestreiftnot stripped beispiel 7example 7 XX 0,50.5 3,53.5 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 wie Beispiel 3like example 3 0,3%0.3% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,50.5 3,53.5 beispiel 8example 8 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 0,5%0.5% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,50.5 3,53.5 beispiel 9example 9 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 1.0%1.0% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,50.5 3,03.0 beispiel 10example 10 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 5,0%5.0% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,50.5 0,30.3 beispiel 11example 11 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 6,0%6.0% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,50.5 2,72.7 beispiel 12example 12 wie Beispiel 3like example 3 0,3·/.0.3 · /. Beispiel 7Example 7 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 X
5,0%X
5.0% 0,50.5 2,02.0 wie Beispiel 3like example 3 XX 0,50.5 00 Beispiel 8Example 8 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 wie Beispiel 3like example 3 6,0%6.0% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,10.1 die halbleitende Schichtthe semiconducting layer beispiel 13example 13 wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 1 s°y
•l,-> /o 1 s ° y
• l, -> / o wurde eingeschnitten undwas cut and Bezugs-Reference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 nicht abgestreiftnot stripped beispiel 14example 14 XX 0,20.2 3,33.3 1,5%1.5% BezugsReference wie Bezugsbeispie! 1like reference example! 1 XX 0,50.5 3,43.4 beispiel 15example 15 1,5%1.5% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 1,01.0 3,33.3 betspiel 16betspiel 16 1,5%1.5% BezugsReference wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,10.1 die halbleitende Schichtthe semiconducting layer beispiel 17example 17 1,5%1.5% wurde eingeschnitten undwas cut and BezugsReference wie Bezugsbeispiel .'like reference example. ' nicht abgestreiftnot stripped beispiel 18example 18 XX 0,20.2 2,72.7 1,5%1.5% Beispiel 9Example 9 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,50.5 2,62.6 1,5%1.5% Beispiel 10Example 10 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 1,01.0 2,72.7 1,5%1.5% Beispiel 11Example 11 wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 XX 0,70.7 3,53.5 2,0%2.0% BezugsReference Spezifisches Gewichtspecific weight beispiel 19example 19 des Polyäthylensof polyethylene 0,92 g/cm³ 0.92 g / cm ³ Ml 4Ml 4 I)CP 2,5 7„I) CP 2.5 7 " AntioxydationsmittelAntioxidants 0,5%0.5%

Isolierte SchichtIsolated layer Halblcitcndc Schicht (überHalf-citcndc layer (over dem Isolator)the isolator) Dickethickness AbzichfestigkeilAbzichfestigkeil Nr.No. VerVer GrundpolymerisatBase polymer netzungsnetworking (mm)(mm) (kg/10 mm)(kg / 10 mm) 30 Gewichtsteile Talk30 parts by weight of talc mittelmedium 0,70.7 3,03.0 BezugsReference werden zu 100 Gewichtsbecome 100 weight wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 XX beispiel 20example 20 teilen der Zusammenshare the together 2.0%2.0% setzung des Bezugsbeisetting of the reference spiels 19 zugegebengame 19 admitted 30 Gewichtsteile Ton30 parts by weight of clay 0.70.7 3,13.1 BezugsReference werden zu 100 Gewichtsbecome 100 weight wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 XX beispiel 21example 21 teilen der Zusammenshare the together 2,0%2.0% setzung des Bezugsbeisetting of the reference spiels 19 zugegebengame 19 admitted E.VAE.VA 1,01.0 4,34.3 Bezugs-Reference Vinylacetat = 15%Vinyl acetate = 15% wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 XX beispie! 22example! 22nd M I - 3M I - 3rd 1 CAf1 CAf
1.J-/01.J- / 0 DCP= 2%DCP = 2% AlterungswiderstandAging resistance = 0,5%= 0.5% 30 Gewichtsteile Talk30 parts by weight of talc 1,01.0 3,93.9 BezugsReference werden zu 100 Gewichtsbecome 100 weight wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 XX beispiel 23example 23 teilen der Zusammenshare the together 1.5%1.5% setzung des Bezugsbci-setting of the reference spiels 22 zugegebengame 22 admitted wie Bezugsbeispiel 19like reference example 19 0,70.7 2,72.7 Beispiel 12Example 12 wie Beispiel 3like example 3 XX wie Bezugsbeispiel 20like reference example 20 2,0%2.0% 0,70.7 2,32.3 Beispiel 13Example 13 wie Beispiel 3like example 3 XX wie Bezugsbeispiel 21like reference example 21 2,0%2.0% 0,70.7 2,42.4 Beispiel 14Example 14 wie Beispiel 3like example 3 XX wie Bezugsbeispiel 22like reference example 22 2.0%2.0% 1,01.0 3.63.6 Beispiel 15Example 15 wie Beispiel 3like example 3 XX wie Bezugsbeispiel 23like reference example 23 1,01.0 3,23.2 Beispiel 16Example 16 wie Beispiel 3like example 3 XX wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 1,5%1.5% 0,50.5 mehr als 5.more than 5. BezugsReference wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 DCPDCP etwas blieb auf dem Isosomething stayed on the iso beispiel 24example 24 1,0%1.0% lator zurücklator back wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 0,50.5 mehr als 5,more than 5, BezugsReference wie Bezugsbeispiel 3like reference example 3 DCPDCP etwas blieb auf dem Isosomething stayed on the iso beispiel 25example 25 5,0%5.0% lator zurücklator back wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 0,50.5 mehr als 5,more than 5, Bezugs-Reference E.VA im Bezugsbeispiel 3E.VA in reference example 3 XX etwas blieb auf dem Iso something stayed on the iso beispiel26example26 wurde geändert in *)-6was changed to *) - 6 1,0%1.0% lator zurücklator back wie Bezugsbeispiel 1like reference example 1 DPD-6169DPD-6169 0,50.5 2,82.8 Beispiel 17Example 17 wie Bei spie! 3like spit! 3 DCPDCP wie Bezugsbeispiel 1 like reference example 1 1,0%1.0% 0.50.5 2,02.0 Beispiel 18Example 18 wie Beispiel 3like example 3 DCPDCP wie Bezugsbeispiel 1 like reference example 1 5,0%5.0% 0,50.5 mehr als 5more than 5 BezugsReference E.VA im Beispiel 3E.VA in example 3 XX beispiel 27example 27 wurde geändertwas changed 1,0%1.0% in DPD-6169in DPD-6169

*) -1 E.VA = Äthylen-Vinylacetat-Mischpolymerisat. *) - 1 E.VA = ethylene-vinyl acetate copolymer.

Vinylacetat — die Menge an Vinylacetat in dem Mischpolymerisat. ♦) - 2 X = 2,5-Dimethyl-2,5-di-(terL-butylperoxy)-hexin-3.Vinyl Acetate - the amount of vinyl acetate in the interpolymer. ♦) - 2 X = 2,5-dimethyl-2,5-di- (terL-butylperoxy) -hexyne-3.

·) - M I = Schmelzflußindex {g/10 Minuten) (ASTM D 1238).·) - M I = melt flow index (g / 10 minutes) (ASTM D 1238).

*) - DCP = Di-rt-cumylperoxyd.*) - DCP = di-rt-cumyl peroxide.

♦) - 5 SUMlGRAFT = ein Äthylen-Vmylacetat-Vinylchlorid-Terpolymerisat der Firma Sumitomo Chemicals Manufacture♦) -5 SUMIGRAFT = an ethylene-vinyl acetate-vinyl chloride terpolymer from Sumitomo Chemicals Manufacture

Company, Japan.Company, Japan.

+) -6 DPD-6169 = ein Äthylen-Athylacrylat-Mischpolymerisat der UCC, USA.+) -6 DPD-6169 = an ethylene-ethyl acrylate copolymer from UCC, USA.

Bei der früheren Aufbringung war es möglich, eine absichtlich leicht und vollständig abstreifbare, halbleitende Schicht nur dann zu erzielen, wenn 2,5-Dimethyl-2,5-di-(tert.-butylperoxy)-hexin-3 mit einem Äthylen-Vinylacetat-Mischpolymerisat mit 25 bis 55 Gewichtsprozent Vinylacetatgelialt gemischt wurde, die vorstehenden Beispiele zeigen jedoch, daß es möglich ist, selbst bei Verwendung von nicht nur 2,5-Dimethyl-2,5-di-(tert.-buty!pcroxy)-hexin-3, sondern auch eines gewöhnlichen Vernetzungsmittels, wie z. B. Di-Λ-cumylperoxyd. wenn nur ein Älhylen-Vinylacetat-Vinylchlorid-Tcrpolymerisat mit einem Äthylen-Vinylacetat-Mischpolymerisat mit einem Vinylacetalgehalt von 15 bis 55 Gewichtsprozent gemischt wird, eine beabsichtigte, leicht und vollständig abstrcifbare halbleitende Schicht zu erzielen und auch die Abstreifbarkeitsfesligkcil v.sentlich herabzusetzen. Wenn nämlich ein Äthylen-Vinylacetat-Mischpolymerisai. weniger als 15°/₀ Vinylacetatgelialt aufweist, wird das Äthylen-Vinylacetat-Vinylchlorid-Terpolymerisat seines Effektes beraubt, und die daraus hergestellte Schicht ist schwierig abzustreifen, und wenn das Mischpolymerisat 55% übersteigt, wird ihre Haftung zu stark herabgesetzt, so daß sie nicht mehr für die Verwendung in einem Kabel geeignet ist.In the earlier application it was possible to achieve an intentionally easily and completely strippable, semiconducting layer only when 2,5-dimethyl-2,5-di- (tert-butylperoxy) -hexyne-3 was mixed with an ethylene vinyl acetate Copolymer was mixed with 25 to 55 percent by weight vinyl acetate gelialt, but the above examples show that it is possible even when using not only 2,5-dimethyl-2,5-di- (tert-buty! Pcroxy) -hexyne -3, but also a common crosslinking agent, such as. B. Di-Λ-cumyl peroxide. if only an ethylene-vinyl acetate-vinyl chloride polymer is mixed with an ethylene-vinyl acetate copolymer with a vinyl acetal content of 15 to 55 percent by weight, an intended, easily and completely strippable semiconducting layer is achieved and the strippability resistance is reduced considerably. If namely an ethylene-vinyl acetate copolymer. less than 15 ° / has ₀ Vinylacetatgelialt, the ethylene-vinyl acetate-vinyl chloride terpolymer is deprived of its effect, and the layer made from it is difficult to strip, and if the copolymer exceeds 55%, its adhesion is decreased too much, so that they do not is more suitable for use in a cable.

Demnach ist SUMIGRAFT nur wirksam und zeigt eine verbesserte leichte Abstreifbarkeit, wenn der Vinylacetalgehalt 15 bis 55% beträgt. Wenn nun der Gehalt an 2,5-DimethyI-2,5-di-(terl.-butylpcroxy)-hexin-3 weniger als 0,3 Gewichisteile auf 100 Gewichtsteile der Mischpolymerisat- und Terpolymerisatmischung beträgt, weist die halbleitende Schicht eine verhältnismäßig geringe Festigkeit auf, und wenn der Gehalt 5 Gewichtsprozent übersteigt, wird ihre Haftung an dem Isolator zu schlecht, so daß sie nicht mehr für die Verwendung in einem Kabel geeignet ist. Wenn er innerhalb des Bereiches von 0,3 bis 5 Gewichtsteilen liegt, zeigt er ein besonders gutes Ergebnis. Bezüglich der Dicke der Schicht sei bemerkt, daß diese vorzugsweise mehr als 0,2 mm betragen sollte, da eine Schicht einer Dicke von weniger als 0,2 mm die Neigung hat, beim Abstreifen zerrissen zu werden.Accordingly, SUMIGRAFT is only effective and shows improved ease of strippability when the Vinyl acetal content is 15 to 55%. If the content of 2,5-dimethyl-2,5-di- (terl.-butylpcroxy) -hexyne-3 less than 0.3 parts by weight per 100 parts by weight of the copolymer and terpolymer mixture is, the semiconducting layer has a relatively low strength, and if the When the content exceeds 5% by weight, its adhesion to the insulator becomes too poor so that it ceases to exist is suitable for use in a cable. When it is within the range of 0.3 to 5 parts by weight it shows a particularly good result. With regard to the thickness of the layer, it should be noted that this is preferred should be more than 0.2 mm, as a layer less than 0.2 mm thick tends to to be torn when stripping.

Wie oben beschrieben, ist es nur dann möglich, eine leicht und vollständig abstreifbare (abziehbare) halbleitende Schicht zu erhallen, wenn das Äthylen-Vinyl- acctat-Mischpolymerisat einen Vipylacetatgehalt von 15 bis 55% aufweist und das Äthylen-Vinylacetat-Vinylchlorid-Terpolymerisat zu dem Mischpolymerisat zugegeben wird und das 2,5-Dimethyl-2,5-di-(tert.-butylperoxy)-hexin-3 oder das DCP (Di-a-cumylper-As described above, it is only possible to obtain an easily and completely strippable (peelable) semiconducting layer if the ethylene vinyl acctate copolymer has a vipyl acetate content of 15 to 55% and the ethylene-vinyl acetate-vinyl chloride terpolymer is added to the copolymer and the 2,5-dimethyl-2,5-di- (tert-butylperoxy) -hexyne-3 or the DCP (di-a-cumylper-

i;> oxyd) vorzugsweise in einem Verhältnis von 0,3 bis 5,0 Gewichtsteilen auf 100 Gewichtsteile der Mischpolymerisat- und Tcrpolymerisatmischung vorliegt. An Hand von Versuchen wurde gezeigt, daß bei Verwendung anderer Vcrnetzungsmitteltypen keine halblei-i;> oxide) preferably in a ratio of 0.3 to 5.0 parts by weight per 100 parts by weight of the copolymer and polymer mixture is present. On Experiments have shown that when other types of wetting agents are used, no semiconducting

ao tende Schicht der gewünschten Qualität gebildet wird.ao tende layer of the desired quality is formed.

Wenn das Äthylen-Vinylacetat-Vinylchlorid-Ter-If the ethylene-vinyl acetate-vinyl chloride ter-

polymerisat weniger als 10 Gewichtsprozent der Menge der Mischpolymerisat- und Terpolymerisatmischuns; ausmacht, hat es keine Wirkung, und wenn es mehr als 90 Gewichtsprozent ausmacht, kann es nicht die erforderliche Abziehfestigkeit liefern. Andererseits is! es klar, daß selbst wenn das Äthylen-Vinylacctat-Vinylchloiid-Terpolymerisat zu einem anderen hochmolekularen (Polymerisat oder) Mischpolymerisat als einempolymer is less than 10 percent by weight of the amount the mixed polymer and terpolymer mixture; matters, it has no effect, and if it is more than 90 percent by weight, it cannot provide the required peel strength. On the other hand is! it clear that even if the ethylene-vinyl acetate-vinyl chloride terpolymer to a different high molecular weight (polymer or) mixed polymer than one

Äthylen-Vinylacetat-Mischpolymerisat zugegeben wird und selbst wenn 2,5-DimethyI-2,5-di-(tert.-butylperoxy)-hexin-3 oder DCP als Vernetzungsmittel verwendet wird, kein gutes Ergebnis erhalten werden kann. Nur die Verwendung der erfindungsgemäßen Zusainmensetzung liefert eine halbleitende Schicht mit einer ausgezeichneten Abstreifbarkeit.Ethylene-vinyl acetate copolymer is added and even if 2,5-dimethyl-2,5-di- (tert-butylperoxy) -hexyne-3 or DCP is used as a crosslinking agent, no good result can be obtained. Only the use of the composition according to the invention provides a semiconducting layer with excellent strippability.

30753075

Claims

p- and in this case ώ e. be removed completely, and when removed

1. Insulated electrical cable with a light being, care must be taken that the insulator strippable, outer semiconducting layer that is not damaged. In addition, in the last an ethylene-vinyl acetate copolymer, a 5 year process for splicing and forming wetting agent and a conductive agent for terminating the cable by using and which is designed for manufacture as a coating over an insulating preformed accessory Layer made of a cross-linked polyethylene and / or the connecting and end device of the cross-linked one Polyethylene copolymer as the main system of polyethylene insulated cable with the outer one component is applied by extrusion, the semi-conductive layer, which offers the advantage that it characterized in that the outer is possible, a product of a more uniform quality semiconductors Layer the cable to produce a ^ mixture of tat and the cable in less time 90 to 10 percent by weight of an ethylene-vinyl to handle than with a conventional process acetate vinyl chloride terpolymer and 10 to the wrapped around a strip and a thermoforming 90 Weight percent of an ethylene-vinyl acetate 15 process was carried out, creating a trend too Copolymer with 15 to 55 percent by weight of a generalization of such a process ent-vinyl acetate content contains. was standing. In this case there is a growing need

2. insulated cable according to claim 1, characterized in that the semiconducting layer is marked within a short that as a crosslinking agent of the ren time and easier peeled off (stripped) bisecting layer of di- ^ - cumyl peroxide can be used, so that the insulator is not damaged, since the will be. pre-formed accessories and the cable together

3. Insulated cable according to claim 1, characterized in that they have to be joined without any electrical marking, that as a crosslinking agent the see errors arise.

semiconducting layer 2,5-dimethyl-2,5-di- (tett.- If the described, commonly used

butylperoxy) -hexyne-3 is used. 35 compositions extruded onto the isolator

4. Insulated cable according to claims 1 to 3, to cover this with it, it was not only characterized by the fact that the outer half-very difficult and not only required a lot of time, sound-guiding Layer-forming composition still there was also the risk that the insulator when Antioxidants are added. Peeling the applied compositions off

5. Insulated cable according to claims 1 to 4, 30 the cable was damaged. For this reason characterized in that, to the insulating, such compositions do not meet the above Layer an inorganic filler, for example requirements described.

Talc, clay, etc., is added. In contrast, in the German patent application P 20 51 268.9 34 a semiconducting layer

35 described which networked on a cable insulator! Polyethylene is applied and which can be easily and effectively stripped off without any part

The invention relates to an insulated electrical of the semiconducting layer on the insulator back cable with an easily strippable, outer semi-lead and without damaging the insulator, tend layer, which is an ethylene-vinyl acetate mixture 4 ° This proposal refers to a polymerizate, a crosslinking agent and a conductive meshed polyethylene insulated cable with a half-making Contains agent and as a coating on the conductive layer with which the insulator by extruder insulating layer is covered by a cross-linked poly- sion coating, and a ethylene and / or a polyethylene copolymer cable, which has the property that it is very light from is applied as the main component by extrusion. 45 even the semiconducting layer of the cable from-so far was brushed according to the U.S. Patent and which is characterized in that the 3,441,660 for covering the insulating layer with a semiconducting layer a cable insulated with a cross-linked polyethylene and made of a mixture of 2,5-dimethyl-2,5-di- (tert-butylmit an extruded semiconducting layer, with peroxy) -hexyne-3 and an ethylene-vinyl acetate mixed base material a low density polyethylene, a 50 polymer with a vinyl acetate content of 25 to Ethylene-vinyl acetate copolymer or a main 55 percent by weight, preferably in a ratio mainly consisting of these substances polymer from 0.3 to 5.0 parts by weight of the former sat was used, which also has talc, clay, to 100 parts by weight of the last-mentioned mixed calcium carbonate or similar inorganic filler polymer is extrusion coated. These raw materials also various antioxidants, processing s; but has the disadvantage that the strippability aid, if necessary, and the like, strength beyond a certain value not added, usually a composition, can be decreased.

such as B. a mixture of an ethylene-vinyl acetate The invention is based on the object of obtaining an iso-copolymer, di-a-cumyl peroxide or similar lated cable with an easily and completely stripping-off crosslinking agents and electrically conductive carbon black or 60th baren, semiconducting layer . This mixture of an ethylene-ethyl acrylate is achieved according to the invention in that the copolymer, di- \ - cumyl peroxide or similar outer semiconducting layer of the cable is made from a crosslinking agent and electrically conductive carbon black mixture of 90 to 10 weight units. When splicing and treating the end percent of an ethylene-vinyl acetate-vinyl chloride ter-: ines with crosslinked polyad.; 'En insulated cable with 65 polymer and 10 to 90 percent by weight of an: in the outer semiconducting layer, the semi-ethylene-vinyl acetate copolymer must with 15 to final layer in the area of the end of the cable contains 55 percent by weight vinyl acetate.
) is stripped to a certain length thereof as a crosslinking agent for the above