DE2115886C3 - Elektrooptische Modulationsvorrichtung - Google Patents
Elektrooptische ModulationsvorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
Eine derartige Anordnung ist u.a. aus Fig. 1 der r>
deutschen OS-PS 18 11 732 bekannt. In der Vorrichtung nach dieser Patentanmeldung zum Detektieren der
Lage der Polarisationsebene eines linear polarisierten Strahlungsbündels wird an einem elektrooptischen
Kristall, der zwischen zwei λ/4-Platten in dem Lichtweg 4ο
angeordnet ist, eine Modulationsspannung angelegt. Das aus dem elektrooptischen Modulator austretende
Strahlungsbündel wird von einem Teilspeigel in zwei Teilbündel aufgespaltet jedes dieser Teilbündel durchläuft einen Polarisator und fällt auf einen strahlungs-
empfindlichen Detektor. An den Ausgängen der beiden strahlungsempfindlichen Detektoren treten elektrische
Signale auf.
In der deutschen OS-PS 19 39 005 ist beschrieben worden, wie diese Vorrichtung zur Bestimmung einer
relativen Verschiebung eines Gegenstandes verwendet werden kann.
In den beiden Vorrichtung wird an den elektrooptischen Kristall eine harmonische Spannung angelegt.
Dadurch treten an den Ausgängen der strahlungsempfindlichen Detektoren Signale mit einem großen
Frequenzspektrum auf. Bevor sie weiter verarbeitet werden können, müssen diese Signale zunächst in einem
schmalen um die Modulationsfrequenz herum liegenden Band gefildert werden. Dt;rch das Filtern wird die t>o
Information nicht nur einer gewissen Zeitverzögerung, sondern auch einer gewissen Verzerrung unterworfen.
Außerdem wird durch die beschränkte Bandbreite des Filters der Winkelgeschwindigkeit der Polarisationsebene, die noch genau detektiert werden kann, eine
obere Grenze gesetzt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, mit
der die Lage der Polarisationsebene eines Lichtbündels ohne Verlust an Information und Zeit auch im Falle von
raschen Änderungen dieser Lage mit der Zeit genau bestimmt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch d:e im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches angegebenen Maßnahmen
gelöst
Dadurch kann die in den elektrischen Signalen vorhandene Information aus diesen Signalen wiedergewonnen werden, ohne daß dabei in einem schmalen um
die Modulationsfrequenz herum liegenden Band gefiltert zu werden braucht
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung näher erläuten. Es zeigt
F i g. 1 eine mit einem elektrooptischen Modulator versehene Vorrichtung zur Bestimmung der Lage der
Polarisationsebene eines linear polarisierten Strahlungsbündels,
F i g. 2 den Verlauf einiger Komponenten der aus der Vorrichtung nach F i g. 1 bei Verwendung einer
harmonischen Modulationsspannung erhaltenen Signale als Funktion der Modulationstiefe;
Fig.3 eine Rechteckspannung und die mit Hilfe
dieser Rechteckspannung in der Vorrichtung nach F i g. 1 erhaltenen Signale als Funktion der Zeit und
F i g. 4 den Verlauf einiger Komponenten der Signale nach F i g. 3 als Funktion der Modulationstiefe.
In der Vorrichtung nach F i g. 1 durchläuft die von einer Quelle 1 herrührende und von einer Linse 2 in ein
paralleles Bündel umgewandelte linear polarisierte Strahlung die Reihenschaltung von nacheinander einer
λ/4-Platte 4 einem KDP-Kristall 5 und einer λ/4-Platte
6. Die Hauptrichtungen 7 und 9 der λ/4-Platten 4 bzw. 6 sind zueinander parallel; die Hauptrichtung 8 des
Kristalls 5 schließt mit der der Platten 4 und 6 einen Winkel von 45° ein. Das Strahlungsbündel wird dann
vom Teilspiegel 20 in zwei Teilbündel aufgespaltet Diese Teilbündel fallen auf die Polarisatoren 21 bzw. 22,
deren Polarisationsrichtungen 23 bzw. 24 miteinander einen Winkel von 45° einschließen. Die aus den
Polarisatoren 22 und 21 austretende Bündel werden von den Detektoren 33 bzw. 34 in elektrische Signale
umgewandelt
Nach der deutschen OS-PS 18 11 732 wird an den Kristall 5 eine Wechselspannung V= Vo cos ω/ angelegt.
Die von den Detektoren gelieferten Signale haben dann die Form
S, = A + Bsin(kz + b coswt), (la)
S2 = A + Bcos(kz + ftcosa.i), (Ib)
wobei kz die Lage der Polarisationsebene der von der Quelle 1 emittierten Strahlung darstellt, b die Modulationstiefe der sinusförmigen Modulation ist und A und B
eine Konstante darstellen. Die Funktionen, die die Signale Si und Sj darstellen, können in einer Reihe
entwickelt werden:
+ Bcosfcz { 2J1(O)COs tut + 2./,(fr)cos3<.-i +...}
S2 = A + B cos kz ! J0(b) + 2J2(Zj) cos 2...I + 2 J4(Zj) cos 4-,r +...;
fci! 2J1(Zj) cos ..t + 2J3(Zj)cos3<·,ί +...}.
dabei stellt JJb) die 3esselsche Funktion der Ordnung η
dar.
Aus den obenstehenden Reihen geht hervor, daß das Frequenzspektrum der beiden Signale sehr ausgedehnt
ist Für die weitere Verarbeitung sind lediglich die Terme mit J\(b) von Bedeutung. Aus F i g. 2, :n der die
ersten fünf Besselschen Funktionen als Funktion der Modulationstiefe b dargestellt sind, ergibt sich, daß für
eine geringe Modulationstiefe Ja(b) größer als 2 J,(b) ist,
während 2Ji(b) klein ist Für Jo(b) = 0 (das ist für
b = 2,4) ist jedoch 2/iß/etwa gleich 2J2(b) Es kann kein
Wert angegeben werden, für den J\(b) derart groß ist, daß die übrigen Besselschen Funktionen vernachlässigt
werden können. Um den Einfluß der Besselschen Funktionen JJb), J2(b) usw. zu beseitigen, müssen die
Signale Si und S2 in einem Band mit einer mittleren
Frequenz ω gefiltert werden.
Durch diese Filterung wird die Information aber verzerrt Ferner tritt in der Information eine gewisse
Zeitverzögerung auf. Außerdem wird durch die beschränkte Bandbreite des Filters der Winkelgeschwindigkeit
der Polarisationsebene, die noch genau detektiert werden kann, eine obere Grenze gesetzt Die
zeitliche Abtastung von kz muß jedenfalls kleiner alsyto
sein. Wenn eine große Genauigkeit verlangt wird, muß -fij(kz) weiter unterhalb der Grenze-=-« bleiben. Wie
beschrieben in der DE-OS 18 11732 können zur
weiteren Verarbeitung der Signale S\ und S2 diese
Signale multipliziert werden mit einer Synchronisationsspannung, d. h. einer Spannung proportional zu der
Modulationsspannung (V = Vo cos a>t) Bei Verwendung
einer harmonischen Modulationsspannung ergibt sich weiter als Nachteil, daß die Modulation der
Polarisationsebene und damit die Modulation der Signale Sa und Sb nicht völlig mit der Modulationsspannung
in Phase ist und auch keine konstante Phasenverschiebung in bezug auf die Modulationsspannung
aufweist, es sei denn, daß mit großen Leistungen moduliert wird.
Bei Modulation mit einer Rechteckspannung statt mit einer harmonischen Spannung und Wahl einer geeigneten
Amplitude der Rechteckspannung treten die obenerwähnten Nachteile nicht auf.
Wenn eine Rechteckspannung nach Fig.3a an den
Kristall 5 der F i g. 1 angelegt wird, erscheinen an den Ausgingen der Detektoren 33 und 34 die Signale:
51 = A + B sin \kz + b f(t)\,
52 = A + B cos \kz + b /(!)(,
wobei
fit) = +1 für nT < t <
D-
fit) = -1 für/n + γλτ
< t < in + I)T,
wobein = 0,1,2... ist.
Die Wiederholungsfrequenz der Rechteckspannung kann gleich
2 π
'■' = T
gesetzt werden.
Die Funktionen, die die Signale S\ und 52 darstellen,
können wieder in einer Reihe entwickelt werden:
51 = A + BKo(b)s'mkz + Bcos kz{ K1 (b) sin
<»t + K3{b)sin 3wt + K5(b)sin 5. -f + ...
52 = A + BKo(b)coskz - Bsinkz j K,(6)sin o>t + K3(b)sin 3<·>ί + K5(^)sin 5<>,t + ...}
wobei
In den Signalen Si und S2 treten nun keine Terme mit
cos ηωί auf, während Terme mit sin rxot nur für
ungerade η auftreten. Außerdem gibt es für jeden Wert von b ein konstantes Verhältnis zwischen den Termen
mit sin πω L
In F i g. 4 sind K0, K1 und Kj über b aufgetragen. Dabei
ist
K0 [b) = cos b
= — sin Zj .
Für einen Wert von b kleiner als "J ist der Faktor
K\(b) mindestens 10% größer als der Faktor 2J\(b) aus
der F i κ. 2.
Für b = 4
K0 = 0
und
und
K1 = —.
Für diesen Wert der Modulationsstufe braucht nicht in einem schmalen Band gefiltert werden. Dies hat den
großen Vorteil, daß der Größe von -jy (kz) keine
Grenze gesetzt wird.
In F i g. 3 sind sin kz, f(t) und die Signale S\ und 52 als
Funktion der Zeit dargestellt. Die Umhüllende von S\ und 52 stellt die Information dar und kann mit Hilfe eines
einfachen Synchrondetektors genau wiedergewonnen werden, ohne daß dabei eine Zeitverzöeerune auftritt.
Die Phase der rechteckförmigen Modulationsspannung kann mit einfachen Mitteln mit einer Synchronisationsspannung
in Phase gehalten werden, wobei mit geringeren Leistungen als im Falle einer harnionischen
Modulationsspannung gearbeitet werden kann.
Statt eines einzigen elektrooptischen Kristalls können in der beschriebenen Vorrichtung auch mehrere
Teilkristalle hintereinander angeordnet werden. Dadurch kann die Spannung an jedem Teilkristall um einen
Faktor gleich der Anzahl von Teilkristallen herabgesetzt werden.
Die Verbesserung einer elektrooptischen Modula tionsvorrichtung ist hier an Hand einer Vorrichtung zu
Bestimmung der Lage einer Polarisationsebene be schrieben worden. Naturgemäß kann diese Verbesse
rung auch bei anderen Vorrichtungen verwende werden, die einen elektrooptischen Modulator enthaltet
und in denen Signale der Form (la) und (Ib) auftreten
Dabei kann z. B. an eine Vorrichtung zur Bestimmun einer gegenseitigen Verschiebung zweier Gegenstand
gedacht werden.
Hierzu 3 Bkitt Zeichnungen
Claims (3)
1. Anordnung zur Modulation der Lage der Polarisationsebene eines als Informationsträger in
einem optischen Meßsystem dienenden linear polarisierten Lichtbündels, mit drei hintereinander
im Strahlengang angeordneten, wenigstens einem elektrooptischen Kristall umfassenden doppelbrechenden Elementen, und mit einer Einrichtung zur
Beaufschlagung des elektrooptischen Kristalls mit einer Modulationsspannung, dadurch gekennzeichnet, daß die Modulatiorisspannung eine
Rechteckwelle ist, deren Amplitude derart gewählt ist, daß die Polarisationsebene des Lichtbündels
durch die eine Halbwelle um 90° in die eine Richtung und durch die andere Halbwelle um 90° in die
entgegengesetzte Richtung gedreht wird.
2. Vorrichtung zur Bestimmung der Lage der Polarisationsebene eines linear polarisierten Strahlungsbündels, die mit einer elektrooptischen Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1 versehen ist
3. Vorrichtung zur Bestimmung einer gegenseitigen Verschiebung eines Gegenstandes und eines
zweiten Gegenstandes, die mit einer elektrooptischen Modulationsvorrichtung nach Anspruch 1
versehen ist
J(I
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