DE2110176A1 - Halbleiterbaueinheit - Google Patents

Halbleiterbaueinheit

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Description

Western Electric Company. Inc. 21 10176
195 Broadway-New York, N. Y. IOOO7 / USA
A 32 125
Halbleiterbaueinheit
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterbaueinheit mit einer Elektrode, die mit einer Fläche eines Halbleiterkörpers einen Schottky-Schrankenkontakt bildet.
Schottky-Schrankendioden-Baueinheiten sind zweckmässig als Mikrowel-
_q — 12 lengeneratoren und schnelle Schalter (10 bis 10 see) anwendbar. Wegen verschiedener Effekte an den Kanten zeigen diese Baueinheiten jedoch das Bestreben zu einem nicht reproduzierbaren Betrieb und weisen den Nachteil eines Lawinendurchbruchs bei verhältnismässig niedrigen Umkehrspannungen auf.
Bisher wurden Schottky-Schrankendioden mit pn-Grenzflachen-"Schutzringen" aufgebaut, um Kanteneffekte zu vermeiden und die elektrischen Kennwerte zu verbessern, beispielsweise die Durchbruchspannung.
Schutzringe zum Zwecke der Vermeidung von Kanteneffekten sind bereits bekannt und umfassen einen Metall/Isolator-Halbleiter (MIS)-Schutzring. Jedoch erfordert die Herstellung der Schutzringe nach dem Stand der Technik kostspielige Verfahrensschritte, so daß es günstig wäre, ein einfacheres Gebilde vorliegen zu haben, bei welchem unerwünschte Kanteneffekte reduziert werden.
Zweck der Erfindung ist die Beseitigung dieser Schwierigkeiten. Erreicht wird dies dadurch, daß die Elektrode über die Grenze der
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Fläche um zumindest eine Debye-Lange des Halbleiterkörpers und um zumindest eine Umkehrschicht-Tiefs in dem Halbleiterkörper wahrend dessen Betrieb übersteht und daß der Winkel oC an der Ecke der Fläche des Halbleiterkörper in Berührung mit der Elektrode geringer als ein rechter Winkel ist.
'Es wurde erkannt, daß offensichtlich einer der wichtigeren Gründe unerwünschter Kanteneffekte bei Schottky-Schrankenbaueinheiten aus der voraussagbaren Singularität des elektrischen Feldes an der Ecke des Halbleiters in der Nachbarschaft der Kante der K<etallartigen Schottky-Elektrode in Berührung mit dem Halbleiter entsteht.
Es wird angenommen, daß diese Singularität durch die Ansammlung elektrischer Ladung an der Elektrodenkante verursacht ist. Erfindungsgemass kann diese Singularität vermieden werden, indem der Elektrodenkontakt zu der kontaktierenden Oberfläche des Halbleiters überstehend angeordnet wird, und zwar in Verbindung mit einer Gestaltung des Eckenwinkels in dem Halbleiter (d.h. an der Halbleiterkante) in Berührung mit dieser Elektrode auf einen geringeren Wert als einen rechten V/inkel. Auf diese Weise wird das elektrische Feld an der Kante des Halbleiters regelmässig gemacht, was bedeutet, daß die Singularität des elektrischen Feldes beseitigt wird.
Bei einem besonderen Ausführungsbeispiel der Erfindung umfaßt eine Schottky-Schrankendioden-Baueinheit einen Siliziumhalbleiterkörper, vorzugsweise einen Einkristall, mit zwei grösseren gegenüberliegenden parallelen Flächen. An der ersten grösseren Fläche liegt ein ohmscher Elektrodenkontakt, beispielsweise in Form einer Chrom/Gold-Legierung, während an der zweiten grösseren Fläche eine überstehende metallartige Schottky-Schrankenelektrode angeordnet ist, beispiels~ weise aus Platin. Der Eckenwinkel an der Kante des Halbleiters in Berührung mit der Schottky-Schrankenslektrode ist etwa gleich ^5°· Diese Geometrie kann beispielsweise mittels einer isotropen Ätzung von der ersten zu dor zweiten grösseren Fläche erzielt werden.
Ferner können gemäss anderen Äusführungsbeispielen der Erfindung
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unterschiedliche kristallographische (d.h. vorzuziehende) Ätzverfahren verwendet werden, um unterschiedliche Eckenwinkel zu erzielen, die an der Kante des Halbleiters geringer als ein rechter Winkel sind.
Die Erfindung ist nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Ausfiihrungsbeispiel einer erfindungsgemässen Schottky-Schrankendioden-Baueinheit, welche nach einem isotropen Ätzverfahren hergestellt wurde, im Querschnitt,
Fig. 2 die Baueinheit nach Fig. 1 in einem vorangehenden Verfahrens- ™ schritt,im Querschnitt sowie in perspektivischer Darstellung,
Fig. 3 sin anderes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemässen Schottky-Schrankendiodenbaueinheit, welche nach einem kristallographischen Ätzverfahren hergestellt wurde, im Querschnitt,
Fig. k die Baueinheit nach Fig. 3 während eines vorangehenden Herstellungsschrittes im Querschnitt sowie in perspektivischer Darstellung,
Fig. 5 die Ecke einer erfindungsgemässen Schottky-Schra'nkenbaueinheit
im Querschnitt, |
Fig. 6 die Ecke einer Schottky-Schrankenbaueinheit gemäss dem Stand der Technik im Querschnitt,
Fig. 7 den bevorzugten Bereich von in Verbindung mit Fig. 5 erfindungsgemäss zu verwendenden Parametern.
Die Grosse N ist einer Zone halbleitenden Materials mit einer massigen elektrischen Leitfähigkeit infolge einer massigen reinen beachtlichen Donatoren-Verunroinierungskonzentration zugeordnet, wogegen das Zeichen N eine Zone halfcioitenden Materials mit einer elektri-
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sehen Leitfähigkeit grosser als in der durch das Zeichen N bezeichneten Zone angibt, und zwar infolge einer beachtlich höheren reinen Donatorenverunreinigungskonzentration in der N -Zone gegenüber der N-Zone.
Fig. 1 zeigt eine Schottky-Schrankendiodenbaueinheit 10 gemäss einem besonderen Ausführungsbeispiel der Erfindung. Die Baueinheit 10 umfasst einen Halbleiterkörper 11, typischerweise eine N -Leitfähigkeit aufweisende Silizium-Halbleiterunterlage 11.1 zusammen mit einer epitaxial gewachsenen N-leitenden Zone 11.2. Ein der Unterlage 11.1 des Körpers 11 zugeordneter ohmscher Kontakt wird durch eine Metallelektrodenschicht 12 gebildet j die typischerweise aus einer kreisförmigen Chrom/Gold-Legierungsschicht besteht und einen physikalischen Kontakt mit der unteren grösseren Fläche des Körpers 11 aufweist. Ein Schottky-ßchrankenkontakt zu der N-leitenden Zone 11.2 wird durch eine metallartige Elektrodenschicht 13 gebildet. Typischerweise stellt diese Elektrode 13 eine kreisförmig angelegte Schicht aus Platin oder Platinsilizid dar, die in physikalischer Berührung mit der N-leitenden Zone 11.2 längs der oberen grösseren Fläche des Körpers 11 gegenüber sowie parallel zu der Bodenfläche angeordnet ist. Typischerweise liegt der Durchmesser jeder der Elektrodenschichten 12, 13 zwischen etwa 0,08 bis 0,15 mm, wogegen die
mm Dicke des Körpers 11 bei etwa C,003 bis 0,'05Miegt. Drahtleitungen 14, 15 sind an den ElektrodenBchichtün 12 bzw. 13 zur Verbindung mit einem äußeren Stromkreis angeordnet. In vorteilhafter Weise ist die Seitenfläche 21 des Körpers 11 mit einer Siliziumoxid-Isolatorschicht 16 beschichtet, um den Halbleiterkörper 11 zu passivieren und der überstehenden Elektrode 13, falls notwendig, mechanische Stabilität zu verleihen.
Typischerweise besitzt die Schottky-Elektrodenschicht 13 eine flache Form, was bedeutet, dass deren Oberflächenteil I3.2 in Berührung mit der N-leitenden Zone 1i.2 zusammen mit deren Überhang-Flächonteil 13-1 eine Ebene bilden. Es ist erfindungsgemäss wichtig, dass der Winkel o<_ gemäss Fig. 1 (an der Ecke des Halbleiterkörpern 11) an der Berührungsstelle mit dor .'V-hottky-Schrankonelektrode H ge-
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ringer als 90 ist, typischerweise um zumindest einige Grad, während die Elektrode 13 selbst durchwegs über die obere grössere Fläche des Körpers 11 vorstehen soll. Die Länge dieses tfberstandes, in Fig. 1 mit L bezeichnet, ist mit Vorteil mehrfach breiter als die Debye-Länge in dem Halbleiterkörper 11, welche zwischen 10 bis 10 cm in Silizium (in Abhängigkeit von der Dotierungskonzentration) liegt. Ferner ist mit Vorteil dieser Überhang L auch zumindest einige Male grosser als die Dicke des Entleerungsbereiches in der N-leitenden Zone 11.2 fur die grössten an der Baueinheit 10 zu den Leitungen 14, 15 geführten Spannungen. Für einen gegebenen Eckenberührungswinkel CC der N-leitenden Zone 11.2 mit der Schottky-Elektrode 13 hängt der Berührungswinkel der Bodenfläche der Unterlage 11.1 mit der ohmschen Elektrode 12 von dem verwendeten Fabrikationsverfahren ab. Die- \ ser letztgenannte Winkel ist in Fig. 1 für den besonderen Fall angegeben, wenn eine isotrope Ätzlösung verwendet wurde, um die Baueinheit 10 herzustellen, wie dius vorliegend beschrieben wird.
TJm die Baueinheit gemäss Fig. 2 herzustellen, wird ein monokristalliner Silizium-Halbleiterkörper 11■ mit der ohmschen Elektrode 12 bzw. Schottky-Schrankenelektrode I3 nach üblichen Verfahren versehen, beispielsweise durch Dampfniederschlag. Alsdann wird mit Ausnahme eines Ringes 26 rund um did ohmsche Elektrode 12 der Körper 11' mit einem Wachs 27 beschichtet, das gegenüber der zu verwendeten isotropen Ätzlösung beständig ist und typischerweise aus etwa 10 % Hydrofluorsäure und 90 % Salpetersäure besteht. In jedem Fall wird i die Ätzlösung so gewählt, daß die Elektroden 12, 13 auch demgegenüber beständig sind. Der Körpar 11' wird in diese Ätzlösung getaucht, bis der Ätzvorgang durch den Ring 26 die Elektrode I3 mit dem gewünsdhten Überstand L erreicht. Alsdann wird der Körper aus der Ätzlösung entfernt, mit einer Oxidschicht 16 besprüht, und die Leitungen 14 werden an ihrer Stelle angebracht.
Viele Dioden ähnlich der Baueinheit 10 können aus einem einzigen Unterlagekörper 11' hergestellt worden, indem der Körper 11' mit viulen ähnlichen Elektroden 12, 13 zusammen mit viulen ähnlichen Ringen 26 in dem Wachs 27 versehen wird, bevor uin Eintauchen in die Ätz-
BAO ORIGINAL
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lösung erfolgt. Wahlweise kann die Wachsbeschichtung an der Bodenfläche des Körpers 11' weggelassen werden, und die Wirkung der Maskierung dieser Bodenfläche gegenüber der Ätzlösung wird automatisch durch den Niederschlag der vielen Elektroden 12 erfüllt.
Als wahlweises Ausführungsbeispiel zu dem gerade beschriebenen isotropen Atzverfahren kann eine kristallographische Atzung bei der Herstellung von Schottky-Schrankenbaueinheiten nach der Erfindung mit Vorteil verwendet werden. Bei diesen Verfahren ätzt die Atzlosung längs gewisser bevorzugter kristallographischer Ebenen in dem Kristall in Abhängigkeit von der Oberflächenorientierung. Hierbei kann der Berührungswinkel o£ (an der Ecke des N-leitenden Bereiches 11.2 gegenüber der Elektrode 13) eingestellt werden.
Fig. 3 zeigt eine Schottky-Schrankendioden-Baueinheit 30» die nach einem solch .η kristallographischen Ätzverfahren hergestellt wurde. Die Elektroden 32, 33 sind aus den gleichen Stoffen wie die Elektroden 12 bzw. 13 gemäss der vorangehenden Beschreibung zusammengesetzt. Daher bildet die ohmsche Elektrode 32 einen ohmschen Kontakt mit einer N -Unterlage 31^1» während die Schottky-Elektrode 33 9±ηφ Schottky-Schranke mit einer N-leitenden Epitaxialzone 31·2 des Körpers 3T bildet. Drahtleitungen 3^» 35 sind an der Elektrodenschicht 32 bzw. 33 zur Verbindung dar Baueinheit 30 mit einem äusseren Stromkreis angeordnet. Mit Vorteil passiviert eine Siliziumoxid-Isolatorbeschichtung 36 an der Seitenfläche hO des Körpers 31 die Baueinheit 30 und verleiht iem Überstand L der Elektrode 32, falls notwendig, eine mechanische Auflagerung.
Typischerweise ist die Schottky-Elektrode 33 in ihrer Gesamtform flach, was bedeutet, dass deren Flächenteil 33-2 in Berührung mit der N-leitenden Zone 31·2 zusammen mit dessen Flächenteil 33-1 eine Ebene bildet. Erfindungsgemäss ist es wichtig, dass der Winkel oG (an der Ecke des Halbleiterkörpers 31) in Berührung mit dor Schottky-Elektrode 33 unter einem rechten Winkel liegt, während die Elektrode 33 selbst überall die obere grössere Fläche des Körpers 31 überdeckt. Die Länge dieses Uberstandes L von Fig. 3 ist bevorzugt zumin-
1 ü 9 8 h ü / I 5 Ί S
dest ebenso gross wie die ähnliche Länge des Überstandes L gemäss Fig. 1. Der Berührungswinkel oC (an der Ecke der N-leitenden Zone 31.2) beträgt 5^,7° für die besondere (llO)-Orientierung des Körpers 3I gemäss Fig. 3 sowie für das vorliegend zu beschreibende besondere Ätzverfahren. Daher ist mit Ausnahme des Wertes des Winkels c?C und der Tatsache, dass die Seitenfläche 21 in der Baueinheit 10 (infolge der Verwendung einer isotropen Ätzlösung) gekrümmt ist, die Baueinheit 30 der Baueinheit 10 ähnlich. Infolge der Krümmungs- und Kreissymmetrie der Seitenfläche 21 der Baueinheit 10 im Gegensatz zu der geraden Ausrichtung der Seitenfläche k0 der Baueinheit 30 weist die Schottky-Elektrode 13 einen etwas unterschiedlichen Querschnitt gegenüber demjenigen der Schottky-Elektrode 33 für einen m gegebenen Überstand L auf. Die ohmsche Elektrode 32 weist nicht den Nachteil der Unterschneidung auf, wie dies für die ohmsche Elektrode 12 zutrifft. Daher weist für gegebene Querschnitte der Schottky-Schranke die Baueinheit 30 den Vorteil eines grösseren Bereiches des ohmschen Kontaktes der Elektrode 3^ gegenüber der Elektrode ~\k auf, so dass die Baueinheit 30 geringere ohmsche Verluste an ihrem ohmschen Kontakt aufweist als die Baueinheit 10.
Um die Baueinheit 30 herzustellen, wird ein Einkristall-Halbleiterkörper 31' kristallographisch in den Richtungen gemäss Fig. k orientiert. Die Elektroden 32, 33 «v-_rdon aif diesen Flächen beispielsweise durch Dampfniederschlag abgesetzt. Diese Elektroden32, 33 sind mit ihren Seitenkanten vorzugsweise parallel zu den (llO)-Eichtungen ausge- ™ richtet. Der Körper 31 ' ist r.it einer Siliziumoxid-Maske ^7 abgedeckt, mit Ausnahme eines rechteckigen Ringes 46, was typischerweise nach üblichen photolithographischen Verfahren erfolgen kann. Alsdann wird der Körper y\ ' in ein kristallographisches Ätzmittel eingetaucht und'geätzt, beispielsweise in t-ino Lösung mit 15 g Kaliumhydroxid, 50 Milliliter Wasser und ^p Milliliter n-Propanol. Hierbei wird der Körper 3I' durch den Ring ^6 längs seiner (111)-Ebenen41, ^1.1 geätzt, bis der Atzvorgang diu Elektrode 33 erreicht. Vorausgesetzt, dass die Form dieser Elektrode 33 in geeigneter Weise gewählt wurde, ergibt sich der geeignete Überstand dor Länge L in dem Augenblick, wenn die Elektrode 33 durch div Atziösung erreicht wird. Wenn der
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Körper von der Ätzlösung entfernt ist, wird die Seitenfläche kO mit der Oxidbeschichtung 36 besprüht. Die Drahtleitungen 3^, 35 werden an ihrer Stelle, angebracht ι, wonach die Baueinheit 30 gemäss Fig. 3 fertiggestellt ist.
Viele Dioden ähnlich der Baueinheit 30 können aus einem eineigen Körper 31' hergestellt werden, indem dieser mit vielen ähnlichen Elektroden 32, 33 sowie Eingen 46 vor dem Eintauchen in die Ätzlösung versehen wird. Wahlweise kann die Maske 47 durch die vielen geeignet angeordneten Elektroden 32 an der Bodenfläche des Körpers 31 ' ersetzt werden.
Viele andere Arten von Elektroden, Masken, Halbleitern und Ätzlösungen können in verschiedenen Zusammenstellungen zusätzlich zu der besonderen Auswahl der oben beschriebenen Stoffe verwendet werden.
Fig. 5 zeigt einen Querschnitt einer Ecke einer Schottky-Schrankenbaueinheit in dem erfindungsgemäss vorgesehen allgemeineren Fall. Ein Halbleiter 51 grenzt an einer Ecke an einen Isolator 58 sowie eine Schottky-Schrankenelektrode 3^>> Das Verhältnis Tt der Dielektrizitätskonstanten EQ des Isolators 58 zu der Dielektrizitätskonstanten E1 des Halbleiters 51 stellt einen wichtigen erfindungsgemässen Parameter dar. £Q und £. beziehen sich auch auf die Dielektrizitätskonstanten der Oxidbeschichtung 16 oder 36 und der N-leitende Halbleiterzone 11.2 bzw. 36.2 in der Baueinheit 10 bzw. 30 gemäss der obigen Beschreibung.
Gemäss Fig. 5 ist der Eckenwinkel der Berührung der Kante des Halbleiters 51 mit der Elektrode 53 mit °C bezeichnet, während der Eckenwinkel dieser Elektrode selbst mit f~* bezeichnet ist. Für jeden Überstand der Elektrode 53 gegenüber dem Halbleiter 51 ist {-* ein stumpfer Winkel; für eine vollständig flache Elektrode 53 ist β gleich 18O°. Gemäss dem Stand dor Technik (Fig. 6) sind der Halbleiter 51 ' , -die Elektrode ^3' sowie: der Isolator 58 so angeordnet, dass der Winkel <sC gleich 18O° ist, wogegen der Winkel /~> gleich
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O ist.
Fig. 7 zeigt ein Schaubild zur Veranschaulichung der Wertebereiche von 0C (für gegebenes ρ ,und "C^ ), wobei das elektrische Feld in dem Halbleiter 51 nahe der Elektrode 53 regulär (nicht singular) ist. Die verschiedenen Kurven von Fig« 7 werden mittels einer Berechnung elektrischer Felder in dem Halbleiter 51 in Abhängigkeit von einer an die Elektrode 53 gelegten Spannung erhalten. Diese Kurven grenzen die singulären von den richtsingulären Fällen des elektrischen Feldes in dem Halbleiter 51 benachbart der Ecke dieses Halbleiters 51 sowie der Elektrode 53 ab j d.h. an der Stelle, an welcher die Winkel oC und P gemäss Fig» 5 definiert sind. Um den nichtsingulären Wertebereich von oC für gegebene Werte von P und "*7, zu bestimmen, d.h. die Werte von oC , für Welche das elektrische Feld in dem Halbleiter einer Singularität in der Nachbarschaft von dessen Ecke ermangelt, ist eine vertikale Linie 60 parallel zu der oC -Achse bei dem gegebenen Wert von (^ gezeichnet. Für Darstellungszwecke ist der gegebene Wert Von T? zu Oj1 gewählt, was einer Kurve 61 gemäss Fig. 7 entspricht. Die vertikale Linie 60 schneidet die Kurve 6i entsprechend dem gegebenen Wert von ~f) in zwei Punkten 62, 63 entsprechend <^p νχιά oC,. Der Wertebereich von oC zwischen oC und c?^t. ergibt nichtsinguläre Felder in dem Halbleiter 5I» was erfindungsgemäss angestrebt wird. Für die meisten Halbleiterbaueinheiten von praktischem Wert ist gemäss Fig. 7 der Weit "^ kleiner als 1. Für alle Werte von ^\ kleiner als 1 sowie ft = Ή"" gtbon alle Werte von kleiner als >*/2 (und grosser' als 0) nichtsinguläre elektrische Felder in dem Halbleiter 51· In Fällen, wenn die vertikale Linie 60 nicht die Kurve für einen gegebenen Wert ^ schneidet, liegt alsdann (für gegebenes {~* und ~0 )kein Wert von °C vor, für welchen das Feld in dem Halbleiter 5I in der Nachbarschaft der Elektrode 53 regulär (nichtsingulär) ist.
Obgleich die Erfindung in Verbindung mit einem besonderen Halbleitermaterial nebst besonderen Eloktrodenstoffen beschrieben wurde, können auch andere als die erwähntun Stoffe verwendet werden. Beispielsweisekann die ohmsche Elektrode für den Siliziumhalbleiter aus Nickel
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oder Aluminium anstelle der Chrom/Gold-Legierung bestehen. Ferner kann die Schottky-Elektrodü für den Siliziumhalbleiter aus Gold oder Molybdän anstelle von Platin bestehen. Schliesslich können andere Halbleiterstoffe in Verbindung mit Schottky-Schrankenelektroden verwendet werden, beispielsweise ein Germaniumhalbleiter mit einer Palladium-Schottky-Elektrode oder ein Galliumarsenid-Halbleiter mit einer Gold-Schottky-Elektrode. Anstelle der Oxidbeschichtung oder 36 kann zusätzlich entweder eine Umgebungsatmosphäre oder ein halbisolierender Halbleiter verwendet werden, d.h. mit einem höheren Widerstand und geringerer Dielektrizitätskonstante als dies für den Körper 11 bzw. 3^ zutrifft, wobei die Anwendung des Erfindungsgedankens auf integrierte Schaltkreise ermöglicht wird.
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Claims (7)

  1. IL — Ü — — £.£.
    I.yHalbleiterbaueinheit mit einer Elektrode die mit einer Fläche
    eines Halbleiterkörpers einen Schottky-Schrankenkontakt bildet, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (I3i 33) über die Grenze der Fläche um zumindest eine Debye-Länge des Halbleiterkörpers (11, 31) und um zumindest eine Umkchrschicht-Tiefe in dem Halbleiterkörper während dessen Betrieb übersteht und dass der Winkel (öC) an der Ecke der Fläche des Halbleitorkörpers in Berührung mit der Elektrode geringer als ein rechter Winkel ist.
  2. 2. Baueinheit nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen ohmschen Elektrodenschichtkontakt (12, 32) auf einer zweiten grösseren Fläche des Halbleiterkörpers (11, 31) entgegengesetzt zu der ersten grösse- f ren Fläche.
  3. 3» Baueinheit nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Isolatorbeschichtung (16, 36) an einer Seitenfläche (21, ^fO) des Halbleiterkörpers (11, 31) benachbart der ersten grösseren Fläche.
  4. k. Baueinheit nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Bereich eines halbisolierenden Halbleiters an einer Seitenfläche des Körpers benachbart der ersten grösseren Flächet
  5. 5. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterkörper (31) im wesentlichen aus Silizium besteht und die erste j grössere Fläche orientiert ist (100).
  6. 6. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Winkel (oC ) um zumindest einige Grade geringer als ein rechter Winkel ist.
  7. 7. Baueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrodenschicht (13) in physikalischer Berührung mit der ersten grössuren Fläche angeordnet ist und dort eine Schottky-Schranke bildet, in welcher der Winkel ( oC ) der Ecke des Halbleiterkörper (11, 31) in Berührung mit der Elc-ktrodenschicht geringer als ein rechter Winkel
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    ist und in dem nichtsingulären Bereich gegenüber dem elektrischen Feld in dem Halbleiter liegt*
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DE19712110176 1970-03-03 1971-03-03 Halbleiterdiode mit einer Metallschicht, die mit der einen im wesentlichen ebenen Oberfläche eines Silickim-Halbleiterkörpers eine Schottky-Sperrschicht bildet Expired DE2110176C3 (de)

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US1609470A 1970-03-03 1970-03-03
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DE2110176B2 DE2110176B2 (de) 1976-01-29
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BE763496A (fr) 1971-07-16
JPS5221357B1 (de) 1977-06-09
NL152710B (nl) 1977-03-15
FR2085600B1 (de) 1976-06-11
NL7102510A (de) 1971-09-07
SE362735B (de) 1973-12-17
GB1323828A (en) 1973-07-18
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