DE2106638A1 - Storage matrix for magnetic layer wire storage - Google Patents

Storage matrix for magnetic layer wire storage

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DE2106638A1 DE19712106638 DE2106638A DE2106638A1 DE 2106638 A1 DE2106638 A1 DE 2106638A1 DE 19712106638 DE19712106638 DE 19712106638 DE 2106638 A DE2106638 A DE 2106638A DE 2106638 A1 DE2106638 A1 DE 2106638A1
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Bernward DipL-Ing. 8000 München. P Rössler
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Description

Sichermatrix für Magnetschichtdrahtr'eicher Die Erfindung betrifft eine ;Speichermatrix mit parallel zueinander angeordneten Magnetschichtdrähten und ebenfalls parallel zueinander angeordneten und orthogonal zu den Magnetschichtdrahten verlaufenden Wortleitern, wobei die Magnetschichtdrähte in getrennten Aufnahmeräumen eines Trägers angeordnet sid.Security matrix for magnetic layer wire accumulators The invention relates to a; memory matrix with magnetic layer wires arranged parallel to one another and also arranged parallel to one another and orthogonal to the magnetic layer wires running word conductors, with the magnetic layer wires in separate receiving spaces a carrier arranged sid.

Es sind bereits verschiedene Typen von Speichermatrizen für Magnetschichtdrahtspeicher bekannt. So sind bei einem bekanten Typ die Magnetschichtdrähte in eine Tunnelstruftur aus Teflon eingefügt. Oberhalb und unterhalb dieser Tunnelstruktur sind Folien aufgeklebt, die als gedruckte Schaltungen die Wortleiter einer Ebene enthalten, Darüber befinden sich schließlich beidseitig Folien aus magnetischem Material, die einen magnetischen Rückschluß bilden. Solche Matrizen weisen für die Felder der Wortleiter wegen der Isolierschicht offene magnetische Kreise euf. Dadurch entstehen Streufelder, die hohe Wortströme erforderlich machen und zu Nachbarwortstörungen fuhren können. Die Folge davon ist, daß die Packungsdichte bei einer solchen Matrix mit vorgegebenen Abmessungen nicht allzu groß ist.There are already various types of memory matrices for magnetic layer wire memory known. In one known type, for example, the magnetic layer wires are in a tunnel structure made of Teflon. Films are glued on above and below this tunnel structure, which, as printed circuits, contain the word conductors of a level, are located above Finally, films made of magnetic material on both sides form a magnetic material Draw conclusions. Such matrices point for the fields of the word conductor because of the Insulating layer open magnetic circuits euf. This creates stray fields that make high word streams necessary and can lead to neighboring word interference. the The consequence of this is that the packing density in such a matrix is predetermined Dimensions is not too big.

Diese Nachteile werden bei bekannten Speichermatrizen weitgehend vermieden, wenn diese geschlossene magnetische Kreise für die Felder der Wortleiter aufweisen.These disadvantages are largely avoided with known memory matrices, if these have closed magnetic circles for the fields of the word conductors.

Bei einer bekannten Speichermatrix dieser Art wird eine Grundplatte aus Ferrit verwendet, die zwei orthogonale Gruppen von Nuten enthält. Die eine Nutengruppe ist tiefer ausgebildet und dient zur Aufnahme der Wortleiter. In die zweite Nutengruppe orthogonal dazu sind die Magnetschichtdrähte eingelegt und an die Ferritplatte angepreßt. Ein Nachteil dieser Anordnung ist, daß Ferritplatten mit der hier erforderlichen Genauigkeit schwer zu bearbeiten und in großen Abmessungen nicht wirtschaftlich herstellbar sind. Daher ist diese Matrix teuer und nur für kleine Speicherkapazitäten geeignet und verwendbar.In a known memory matrix of this type, a base plate Made of ferrite used the two orthogonal Contains groups of grooves. One group of grooves is designed to be deeper and serves to accommodate the word conductors. The magnetic layer wires are inserted into the second group of grooves orthogonally to this and pressed against the ferrite plate. A disadvantage of this arrangement is that ferrite plates difficult to machine with the accuracy required here and in large dimensions cannot be produced economically. Therefore this matrix is expensive and only for small storage capacities suitable and usable.

Bei einer anderen bekannten Speichermatrix mit geschlossenen magnetischen Kreisen für die Felder der Wortleiter bestehen die Wortleiter aus dünnen runden Kupferdrähten, die zwischen zwei Isolierfolien mit Kleberschicht zu einem Flachkabel verbacken sind. Nach einer Verformung entsprechend den Konturen der Magnetschichtdrähte werden zwei Gruppen Wortleiterflachkabel orthogonal zu einer Anzahl von Magnetschichtdrähten ausgerichtet und zu einer freitragenden Matrix verklebt.In another known memory matrix with closed magnetic With circles for the fields of the word conductors, the word conductors consist of thin round ones Copper wires between two insulating foils with an adhesive layer to form a flat cable are baked. After a deformation according to the contours of the magnetic layer wires two groups of word conductor flat cables are orthogonal to a number of magnetic layer wires aligned and glued to form a self-supporting matrix.

Diese wird schließlich von der einen und dann von der anderen Seite mit einem flexiblen magnetischen Rückschluß versehen, so daß die Matrix ganz darin eingebettet ist.This will eventually be from one side and then from the other provided with a flexible magnetic yoke so that the matrix is entirely in it is embedded.

Nachteilig bei diesem Aufbau ist zunächst die erhebliche Zahl von Arbeitsgängen. Außerdem verlangt dieser Aufbau die Einhaltung kleiner Teilungstoleranzen in der oberen und der unteren Wortleitergruppe, damit die entsprechenden Wortleiter gegenüberliegend angeordnet sind. Eine exakte Einbettung in das Vergußmaterial bringt zusätzlich hohe Anforderungen an die Genauigkeit der Herstellung, da der Matrixaufbau freltragend ist und sich beim Vergießen leicht verschieben kann.The disadvantage of this structure is the considerable number of Operations. In addition, this structure requires compliance with small pitch tolerances in the upper and lower word conductor groups, so that the corresponding word conductors are arranged opposite one another. An exact embedding in the potting material brings In addition, high demands on the accuracy of the production, because of the matrix structure is free-bearing and can easily move when pouring.

Die Erfindung bezweckt, eine Speichermatrix für einen Magnetschichtdrahtspeicher zu schaffen, die die Nachteile der bekannten Speichermatrizen vermeidet sowie einfacher und billiger herustellen ist.The invention aims to provide a memory matrix for a magnetic layer wire memory to create that avoids the disadvantages of the known memory matrices and simpler and is cheaper to manufacture.

Erreicht wird dieser Zweck dadurch, daß ein Träger aus magr, etisch aicht lei'X'ahlge-m Material verwendet wird und der magnetische Rückschluß für die Magnetschichtdrähte von einer auf den Träger aufgebrachten magnetisch jedoch nicht elektrisch leitfähigen Vergußmasse gebildet ist, die zwischen den Wortleitern hindurchtretend in direkter Verbindung mit den Magnetschichten der Drähte diese in den getrennten Aufnahmeräumen teilweise seitlich umschließt.This purpose is achieved by the fact that a carrier made of magr, etic aicht lei'X'ahlge-m material is used and the magnetic return for the Magnetic layer wires from a magnetically applied to the carrier, however, not electrically conductive potting compound is formed which passes between the word conductors in direct connection with the magnetic layers of the wires these in the separate Partially enclosing recording rooms at the side.

Der erfindungsgemäß aufgebaute Magnetschichtdrahtspeicher hat zunächst den Vorteil, daß er wegen der Verwendung eines Trägers auch in großen Abmessungen wirtschaftlich mit der erforderlichen großen Genauigkeit hergestellt werden kann.The magnetic layer wire memory constructed according to the invention initially has the advantage that, because of the use of a carrier, it is also large in size can be manufactured economically with the required great accuracy.

Gleichzeitig ist durch die erfindungsgemäße Verwendung der Vergußmasse für den magnetischen Rückschluß dafür gesorgt, daß auf fertiglmgstechnisch sehr einfache Weise geschlossene magnetische Kreise für die Felder der 'vZcrtlei-ter geschaffen werden können. Es ist also auf diese Weise ein Speicher gebildet, der sich durch die Möglichkeit einer sehr wirtschaftlichen Fertigung auch in großen Abmessungen und gleichzeitig durch gute magnetische Verhältnisse auszeichnet.At the same time, the inventive use of the potting compound for the magnetic return ensures that on production engineering very simple way closed magnetic circles for the fields of the 'vZcrtlei-ter can be created. In this way a memory is formed that by the possibility of a very economical production also in large Dimensions and at the same time characterized by good magnetic conditions.

Die Vergußmasse umschließt die Magnetschichtdrahtabschnitte zwischen den Wortschleifen. Wegen der meist verschiedenen Ausdehnungskoeffizienten der Magnetschichtdrähte und der Vergußmasse kann es zweckmäßig sein, wenn die den magnetischen Rückschluß bildende Vergußmasse dauerelastische Eigenschaften aufweist, so daß Beschädig~-ngen der Magnetschichten bei Temperaturschwankungen vermieden werden.The potting compound encloses the magnetic layer wire sections between the word loops. Because of the mostly different expansion coefficients of the magnetic layer wires and the casting compound, it can be useful if the magnetic yoke forming potting compound has permanently elastic properties, so that damage ~ -ngen of the magnetic layers can be avoided in the event of temperature fluctuations.

Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung wird der Träger durch eine elektrisch jedoch nicht magnetisch leitfähige Metallplatte gebildet, wobei die getrennten Auonahmeräume durch Nuten in der Oberfläcne der Metallplatte gebildet sind.According to a development of the invention, the carrier is through a electrically but not magnetically conductive metal plate formed, the separate Receiving spaces are formed by grooves in the surface of the metal plate.

Eine Verwendung eines solchen Trägers bietet hauptsächlich fertigungsterhnische Vorteile, da das Einbringen von Nuten in eine Metallplatte insbesondere bei größeren Abmessungen sehr viel leichter zu bewerkstelligen ist als bei einem bekanten Träger aus Ferrit.One use of such a carrier is mainly manufacturing-related Advantages, since the introduction of grooves in a metal plate in particular is much easier to do with larger dimensions than with one edged ferrite carrier.

Durch die Verwendung einer Vergußmasse zur Bildung geschlossener magletischer Kreise für die Felder der Wortleiter wird weiterhin ein anderer Aufbau einer Speichermatrix ermöglicht, bei dem ein Träger verwendet wird, der Rippen aus Isolierstoff aufweist, zwischen denen die Aufnahmeräume für die Magnetschichtdrähte gebildet sind Dabei können die Rippen einstückige Teile des Isolierstoffträgers sein.By using a potting compound to form closed magletic Circles for the fields of the word conductors will continue to be a different structure of a memory matrix made possible, in which a carrier is used which has ribs made of insulating material, between which the receiving spaces for the magnetic layer wires are formed the ribs can be integral parts of the insulating material carrier.

Wenn eine Metallplatte als Träger verwendet wird, ist es vorteilhaft, wenn die durch Nuten gebildete Aufnamneraume der Metallplatte etwa halbkreisförmigen niaerschnitt aufweisen, der größer als der Querschnitt der Magnetschichtdrähte ist.If a metal plate is used as a support, it is advantageous to if the receiving space of the metal plate formed by grooves is approximately semicircular Have nia section which is larger than the cross section of the magnetic layer wires.

Die in die Nuten eingelegten Magnetschichtdrähte können somit etwa mit der Oberkante der Nuten abschließen. Da der Querschnitt der Nuten größer als der der Magnetschichtdrehte ist, wird es auf einfache Weise ermöglicht, daß die Vergußmasse in die Nuten eindringen kann uncl die dort eingeleg ten Magnetschichtdrähte teilweise seitlich umschließt.The magnetic layer wires inserted into the grooves can thus be approximately end with the upper edge of the grooves. Since the cross-section of the grooves is larger than that the magnetic layer is rotated, it is made possible in a simple manner that the Sealing compound can penetrate into the grooves and the magnetic layer wires inserted there partially encloses laterally.

Die Metaliplatte kann in den Bereichen, die zur Aufnahme der iiagnetschichtdrähte dienen, mit einer Isolierschicht versehen sein, um die IEagnetschíchtdrahte von der Metallplatte galvanisch zu trennen.The metal plate can be used in the areas which are used to accommodate the iiagnetschichtdraht should be provided with an insulating layer to protect the magnetic wires from galvanically separate the metal plate.

Durch die Nuten der Metallplatte wird die Lage der Magnetschichtdrähte festgelegt. Auf die die Nuten enthaltende Oberfläche cler Metallplatte können orthogonal zu diesen Nuten verlaufend die Wortleiter aufgelegt werden.The position of the magnetic layer wires is determined by the grooves in the metal plate set. On the surface of the metal plate containing the grooves, orthogonal the word conductors are placed running towards these grooves.

Die Positionierung der Wortleiter kann ebenfalls durch Nuten erleichtert werden. Dies kann in einfacher Weise dadurch geschehen, daß die Metallplatte orthogonal zu den Nuten für die Magnetschichtdrähte weitere Nuten für die Wortleiter aufweist.The positioning of the word conductors can also be facilitated by grooves will. This can be done in a simple manner happen that the Metal plate orthogonal to the grooves for the magnetic layer wires for further grooves has the word conductor.

Um die Wortleiter von der Metallplatte galvanisch zu trennen, kann diese in den Bereichen, die zur Aufnahme der Wortleiter dienen, mit einer Isolierschicht versehen sein.In order to galvanically separate the word conductors from the metal plate, these in the areas that serve to accommodate the word conductors with an insulating layer be provided.

Das etwas aufwendige Aufbringen einzelner Isolierschichten zur galvanischen Trennung der Magnetschichtdrëhte von der Metallplatte sowie das Aufbringen einzelner Isolierschichten zur galvanischen Trennung der Wortleiter von der Metallplatte kann vermieden werden, wenn die den Magnetschichtdrähten und den Wortleitern zugewandte Seite der Metallplatte mit einer durchgehenden Isolierschicht versehen ist.The somewhat complex application of individual insulating layers for galvanic Separation of the magnetic layer wires from the metal plate and the application of individual ones Insulating layers for galvanic separation of the word conductors from the metal plate can can be avoided if the facing the magnetic layer wires and the word conductors Side of the metal plate is provided with a continuous insulating layer.

Die auf die mit den Magnetschichtdrä.hten bestückte Metallplatte aufgelegten Wortleiter müssen elektrisch von den Magrietschichtdrähten isoliert sein, was in einfacher Weise dadurch geschehen kann, daß man die Wortleiter einzeln mit einer Isolierschicht versieht.The placed on the metal plate equipped with the magnetic layer wires Word conductors must be electrically isolated from the magriet layer wires, which is what in can be done simply by having the word lines individually with a Insulating layer provides.

Die Wortleiter müssen nun in genauer Lage auf der Metallplatte festgelegt werden, was man dadurch erreichen kann, daß die Isolierschichten an den zur Auflage der Wortleiter dienenden Bereichen der Metallplatte mit den Isolierschichten der Wortleiter verbunden werden.The word conductors must now be set in a precise position on the metal plate become, which can be achieved in that the insulating layers on the to support the word conductor serving areas of the metal plate with the insulating layers of the Word conductors are connected.

Die Isolierschichten können miteinander verklebt werden.The insulating layers can be glued together.

Es ist aber auch möglich, die Isolierschichten miteinander zu verschweißen, was durch die Anwendung von Druck geschehen kann.But it is also possible to weld the insulating layers together, what can be done through the application of pressure.

Wie im vorangehenden bereits erwähnt, kann bei der erfindungsgemäßen Speichermatrix ans-telle der Metallplatte auch ein Träger verwendet werden, der Rippen aus Isolierstoff aufweist, zwischen denen Aufnahineräume für die thgnetschichtdrähte gebildet sind.As already mentioned above, in the case of the invention A carrier can also be used instead of the metal plate Ribs made of insulating material has, between which recording rooms for which plastic layer wires are formed.

Einen solchen Träger kann man aus parallel liegenden Isolierstoffrippen bilden, die durch die an einer Seite auf sie aufgebrachten orthogonal zu den Rippen verlaufenden Wortleiter miteinander verbunden sind, so daß Rippen und Wortleiter eine zusammenhängende Netzstruktur bilden. Zwischen den Rippen sind die Magnetschichtdrähte untergebracht; Um die Magnetschichtdrähte von den Wortleitern galvanisch zu trennen, können die Wortleiter an den Bereichen, die den-Aufnahmeräumen zugewandt sind, mit einer Isolierschicht versehen sein. Es kann bei dieser Ausführung weiterhin eine elektrisch leitfähige Platte vorges&nen sein, die auf der durch die Rippen gebildeten Aufnahmera'ume zugewandten Seite mit einer Isolierschicht versehen ist, und diese Rippen mit den dazwischen angeordneten Magnetschichtdrähten verschließt.Such a carrier can be made from parallel insulating ribs form by the orthogonal to the ribs applied to them on one side extending word lines are connected to each other, so that ribs and word lines form a coherent network structure. The magnetic layer wires are between the ribs housed; To galvanically separate the magnetic layer wires from the word conductors, can use the word conductors in the areas facing the recording rooms be provided with an insulating layer. It can still use a Electrically conductive plate provided on the one formed by the ribs Aufnahmera'ume facing side is provided with an insulating layer, and this Seals ribs with the interposed magnetic layer wires.

Von der Seite der Wortleiter her kann diese Speichermatrix nun mit einer magnetisch jedoch nicht elektrisch leitfähigen Vergußmasse vergossen werden1 wobei die Vergu?>masse zwischen die Wortleiter eindringt und die Magnetschichtdrähte teilweise seitlich umschließt.From the side of the word conductor, this memory matrix can now with a casting compound that is magnetically but not electrically conductive 1 whereby the casting compound penetrates between the word conductors and the magnetic layer wires partially encloses laterally.

Dabei kann die Isolierschicht der Platte mit den Rippen aus Isolierstoff verklebt oder verschweißt sein.The insulating layer of the plate with the ribs can be made of insulating material be glued or welded.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele erläutert.In the following, the invention is illustrated with reference to the figures Embodiments explained.

Es zeigen Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Speichermatrix, mit einer Metallplatte als Trager, wobei die den magnetischen Rückschluß bildende Vergußmasse nicht dargestellt ist, Fig. 2 einen Schnitt durch die Speichermatrix nach Fig. 1 senkrecht durch die Wortleiter mit Vergußmasse, Fig. 3 einen Schnitt durch die Speichermatrix nach Fig. 1 senkrecht durch die Magnetschichtdrähte, Fig. 4 eine perspektivische Ansicht einer Speichermatrix mit einem Träger mit Isolierstoffrippen, teilweise zerlegt und ohne Vergußmasse und Fig. 5 einen Schnitt durch die Speichermatrix nach Fig. 4 mit Vergußmasse.1 shows a perspective view of a memory matrix, with a metal plate as a carrier, which forms the magnetic yoke Potting compound not is shown, Fig. 2 is a section through the Memory matrix according to Fig. 1 vertically through the word conductor with potting compound, Fig. 3 shows a section through the memory matrix according to FIG. 1 perpendicularly through the magnetic layer wires, 4 shows a perspective view of a memory matrix with a carrier with ribs of insulating material, partially disassembled and without potting compound and FIG. 5 shows a section through the storage matrix according to Fig. 4 with potting compound.

Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht einer Speichermatrix, wobei die den magnetischen Rückschluß bildende Vergußmasse nicht eingezeichnet wurde.Fig. 1 shows a perspective view of a memory matrix, wherein the potting compound forming the magnetic yoke was not shown.

Als Trager ist eine mit einer Isolierschicht 3 versehene Metallplatte 1 zu erkennen, die halbkreisförmige Nuten 2 aufeist, in denen die Magnetschichtdrähte 4 untergebracht sind. Orthogonal zu den Magnetschichtdrähten 4 sind die jeweils mit einer Isolierschicht 6 versehenen Wortleiter 5 auf der Metallpiaite 1 angeordnet.A metal plate provided with an insulating layer 3 is used as the carrier 1 to see the semicircular grooves 2 in which the magnetic layer wires 4 are housed. Orthogonal to the magnetic layer wires 4 are each Word conductors 5 provided with an insulating layer 6 are arranged on the metal plate 1.

Fig. 2 und 3 zeigen die Anordnung nach Fig. 1 in zwei Schnitten, wobei nun zusätzlich die Vergußmasse 7 dargestellt wurde.2 and 3 show the arrangement of FIG. 1 in two sections, wherein now the potting compound 7 was also shown.

In die Nuten 2 der mit der Isolierschicht 3 versehenen Metallplatte í sind die Magnetschichtdrähte 4 eingelegt.In the grooves 2 of the metal plate provided with the insulating layer 3 The magnetic layer wires 4 are inserted.

Orthogonal zu den Magnetschichtdrahten 4 sind die Wortleiter 5 angeordnet, die von einer Isolierschicht 6 umgeben sind. In den Plguren ist in besonders deutlicher Weise die Vergußmasse 7 zu erkennen, die die in den Nuten 2 liegenden Magnetschichtdrahte 4 teilweise seitlich umschließt.The word conductors 5 are arranged orthogonally to the magnetic layer wires 4, which are surrounded by an insulating layer 6. In the plgurs it is particularly clear Way to recognize the potting compound 7, the magnetic layer wires lying in the grooves 2 4 partially encloses laterally.

In Fig. 2 ist durch Pfeile angedeutet, wie die gescr.lossenen magnetischen Kreise für die Felder der Wortleiter verlaufen. Das Feld eines Wortleiters verläuft meter dem Wortleiter zunächst in der Magnetschlcht des Ngnetschichtdrahtes, tritt in den durch die Yergußmasse gebildeten Wulst ein, verläuft um den Wortleiter herum und tritt über einen weiteren Wulst wieder in die Magnetschicht des Magnetschichtdrahtes ein.In Fig. 2 it is indicated by arrows how the closed magnetic Circles for the fields of the word ladder run. The field of a word conductor runs meter the word conductor first in the magnetic slot of the magnetic layer wire into the bead formed by the casting compound, runs around the word conductor and re-enters the magnetic layer of the magnetic layer wire via a further bead a.

Fig. 4 und 5 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Speichermatrix nach der Erfindung.FIGS. 4 and 5 show a further embodiment of a memory matrix according to the invention.

Eine perspektivische Ansicht dieser teilweise zerlegten Speichermatrix zeigt die Fig. 4, bei der die den magnetischen Rückschluß bildende Vergußmasse nicht eingezeichnet wurde.A perspective view of this partially disassembled memory array 4 shows, in which the casting compound forming the magnetic yoke is not was drawn.

Zunächst ist der Träger aus parallel angeordneten Rippen 13 aus Isolierstoff und die orthogonal dazu verlaufenden Wortleiter 9 mit darauf aufgebrachten Isolierschichten 10 zu erkennen. Die sortleit-er sind mit den Rippen fest verbunden, so daß Wortleiter und Rippen eine netzartige Struktur bilden.First of all, the carrier of ribs 13 arranged in parallel is made of insulating material and the word conductors 9 running orthogonally thereto with insulating layers applied thereon 10 to recognize. The sortleit-er are firmly connected to the ribs, so that word conductors and ribs form a reticulated structure.

Die Herstellung eines solchen eine Netzstruktur bildenden Trägers kann auf v£'rschiedenste Weise geschehen. Besonders zweckmäßig ist es, wenn man hierzu eine kupferkaschlerte Platte venjendet. Unter Anwendung der' Fotoätztechnik wird zunächst der Wortleiter hergestellt. Eine nochmalige Anwendung der Fotoätstechnik erlaubt di Herstellung der Rippen 18. Die Isolierschichten 10 können elektrophoretisch auf die Wortlelter 9 aufgebracht werden Weiterhin sind in dieser Figur die mit einer Magnetschicht versehenen Magnetschichtdrähte 11 und eine mit einer Isolierschicht 1- versehene Metallplatte 13 zu erkennen.The manufacture of such a carrier forming a network structure can be done in a variety of ways. It is particularly useful if you a copper-laminated plate is used for this. Using the 'photo etching technique the word conductor is first established. Another application of the photo etching technique allows the production of the ribs 18. The insulating layers 10 can be electrophoretically are applied to the word parent 9. Furthermore, in this figure are those with a Magnetic layered wires 11 provided with a magnetic layer and one with an insulating layer 1- metal plate 13 provided.

Die an den Magnetschlchtdrähten 11 und an der Platte 13 angebrachten Pfeile sollen den Zusammenbau dieser Speichermatrix verdeutlichen. In die Aufnahmeräume, die durch die Rippen18 gebildet werden, werden die Magnetschichtdrähte eingelegt. Anschließend werden die Aufnahmeräume durch die Platte 13 verschlossen, wobei die Isolierschicht 12 der Platte 13 mit den Rippen 18 entweder verklebt oder verschweißt werden kann. Those attached to the magnetic wires 11 and the plate 13 Arrows are intended to illustrate the assembly of this memory matrix. In the recording rooms which are formed by the ribs 18, the magnetic layer wires are inserted. Then the receiving spaces are closed by the plate 13, the The insulating layer 12 of the plate 13 is either glued or welded to the ribs 18 can be.

Fig. 5 zeigt die in Fig. 4 dargestellte Speichermatrix im Schnit-t, wobei nun zusätzlich die Vergußmasse 14 eingezeichnet wurde. Es sind in dieser Figur wieder die mit einer Isolierschicht 12 versehene Platte 13, die zwischen den Rippen 18 angeordneten Magnetschichtdrähte 11 und ein mit Isolierschicht 10 versehener Wortleiter 9 zu erkennen. Weiterhin ist die Vergußmasse 14 dargestellt, die in die durch die Rippen und den ltrortleiter gebildete Netzstrulctur hin-Mrchdringt und die Magnetschichten der Magnetschichtdrähte 11 teilweise seitlich umschließt.Fig. 5 shows the memory matrix shown in Fig. 4 in section, the potting compound 14 has now also been drawn in. There are in this figure again the plate 13 provided with an insulating layer 12 between the ribs 18 arranged magnetic layer wires 11 and one provided with an insulating layer 10 Word conductor 9 to be recognized. Furthermore, the potting compound 14 is shown, which is in the Mesh structure formed by the ribs and the ltrortleiter penetrates and penetrates the magnetic layers of the magnetic layer wires 11 partially surrounds the side.

Die Funktionsweise dieser Matrix ist die gleiche wie bei der in Fig. 1 bis 3 dargestellten Speichermatrix. Das Feld verläuft zunächst in der Magnetschicht eines Magnetschichtdrahtes 11, tritt in den durch die Vergußmasse gebildeten Wulst 15 ein und verläuft um den Wortleiter herum, bis es schließlich über einen weiteren Wulst in die Magnetschicht eines Magnetschichtdrahtes wieder eintritt, womit der magnetische Kreis geschlossen ist.The functioning of this matrix is the same as that of the one in Fig. 1 to 3 shown memory matrix. The field initially runs in the magnetic layer a magnetic layer wire 11, enters the bead formed by the potting compound 15 one and runs around the word conductor until it finally crosses another Bead re-enters the magnetic layer of a magnetic layer wire, with which the magnetic circuit is closed.

19 Patentansprüche 5 Figuren19 claims 5 figures

Claims (19)

Patentansprüche Speichermatrix mit parallel zueinander angeordneten Magnetschichtdrähten und ebenfalls parallel zueinander angeoaneten und orthogonal zu den Magnetschichtdrähten verlaufenden Wortleitern, wobei die Nagnetschichtdrähte in getrennten Aufnahmeräumen eines Trägers angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß ein Träger (1,18) aus magnetisch nicht leitfähigen Material verwendet wird, der magnetische Rückschluß für die Magnetschichtdrähte (4, 7) von einer auf den Träger aufgebrachten magnetisch jedoch nicht elektrisch leitfähigen Vergußmasse (7, 14) gebildet ist, die zwischen den Wortleitern (5, 9) hindurchtretend in direleter Verbindung mit den Magnetschichten der Drähte diese in den getrennten Aufnahmeräumen teilweise seitlich umschließt. Claims memory matrix with arranged parallel to each other Magnetic layer wires and also parallel to each other anoaneten and orthogonal word conductors running to the magnetic layer wires, the magnetic layer wires are arranged in separate receiving spaces of a carrier, characterized in that that a carrier (1.18) made of magnetically non-conductive material is used, the magnetic yoke for the magnetic layer wires (4, 7) from one to the Support applied magnetically but not electrically conductive potting compound (7, 14) is formed between the word conductors (5, 9) passing through in direleter Connection with the magnetic layers of the wires these in the separate receiving spaces partially encloses laterally. 2) Speichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die den magnetischen Ruckschluß bildende Vergußrnasse (7, 14) dauerelastische Eigenschaften aufweist. 2) memory matrix according to claim 1, characterized in that the The casting compound (7, 14) forming the magnetic back-link has permanently elastic properties having. 3) Steichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger durch eine elektrisch jedoch nicht magnetisch leitfähige Metallplatte (I) gebildet ist, wobei die getrennten Aufnahmeräume durch Nuten (2) in der Oberfläche der Metallplatte gebildet sind. 3) Steichermatrix according to claim 1, characterized in that the Carrier through an electrically but not magnetically conductive metal plate (I) is formed, the separate receiving spaces by grooves (2) in the surface the metal plate are formed. 4) Spelchermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger Rippen 08) aus Isolierstoff aufweist, zwischen denen die Aufnahmeräume für die Magnetschichtdrähte 11 gebildet sind. 4) Spelchermatrix according to claim 1, characterized in that the Support ribs 08) made of insulating material, between which the receiving spaces for the magnetic layer wires 11 are formed. 5) Speichermatrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger sus parallel angeordneten Rippen 08) besteht, dedurch ren LageZorthogcnal zu ihnen angeordnete Wortleiter (9) fixiert ist. 5) memory matrix according to claim 4, characterized in that the Supports ribs 08) arranged in parallel, due to their position Zorthogcnal arranged to them word conductor (9) is fixed. 6) Speichermatrix nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die durch Nuten (2) gebildeten Aufnahmeräume der Metallplatte \fa halbkreisförmigen Querschnitt aufweisen, der größer als der Querschnitt der Magnetschichtdrähte (4) ist. 6) memory matrix according to claim 3, characterized in that the by grooves (2) formed receiving spaces of the metal plate \ fa semicircular Have a cross-section that is larger than the cross-section of the magnetic layer wires (4) is. 7) Speichermatrlx nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallplatte (1) in den Bereichen, die zur Aufnahme der Magnetschichtdrähte dienen, mit einer Isolierschicht (3) versehen ist. 7) Speicherermatrlx according to claim 3, characterized in that the Metal plate (1) in the areas that are used to hold the magnetic layer wires, is provided with an insulating layer (3). 8) Speichermatrix nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Nuten (2) enthaltende Oberfläche der Metallplatte (1) orthogonal zu diesen Nuten verlaufend die Wortleiter (5) aufgelegt sind. 8) memory matrix according to claim 3, characterized in that on the surface of the metal plate (1) containing the grooves (2) orthogonal to these grooves running the word conductor (5) are placed. 9) Speichermatrix nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallplatte t1) orthogonal zu den Nuten (2) für die Magnetschichtdrähte (5) Nuten für die Wortleiter aufweist. 9) memory matrix according to claim 3, characterized in that the Metal plate t1) orthogonal to the grooves (2) for the magnetic layer wires (5) grooves for the word conductor. 10) Speichermatrix nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallpatte (1) in den Bereichen, die zur Aufnahme der Wortleiter (5) dienen, mit einer Isolnerschicht () ersehen ist.10) memory matrix according to claim 3, characterized in that the Metal plate (1) in the areas that are used to accommodate the word conductor (5) with an insulating layer () can be seen. 11) Speichermatrix nach Anspruch 7 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die den Magnetschichtdrähten (4) und den Wortleitern (5) zugewandte Seite der Metallplatte (1) mit einer durchgehenden Isolierschicht (3) versehen ist.11) memory matrix according to claim 7 and 10, characterized in that that the magnetic layer wires (4) and the word conductors (5) facing side of the Metal plate (1) is provided with a continuous insulating layer (3). 12) Speichermatrix nach Anspruch 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortleiter (5) einzeln mit einer Isolierschicht (6) versehen sind.12) memory matrix according to claim 7 and 8, characterized in that that the word conductors (5) are individually provided with an insulating layer (6). 13) Speichermatr= nach Anspruch 8 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (3) an den zur Auflage der Etortleiter dienenden Bereichen der Metallplatte (1) mit den Isolierschichten (6) der Wortleiter (5) verbunden ist.13) memory mat = according to claim 8 and 10, characterized in that that the insulating layer (3) on the areas serving to support the Etortleiter the metal plate (1) with the insulating layers (6) the word ladder (5) is connected. 14) Speichermatrix nach Anspruch 13, dadurch gekennzelcl2net, daß die Isolierschichten (3, 6) miteinander verklebt sind.14) memory matrix according to claim 13, characterized in that the insulating layers (3, 6) are glued together. 15) Speichermatrix nach Anspruch 13, dadurch gelLennzeichnet, daß die Isolierschichten (3, 6) miteinander verschweißt sind 15) memory matrix according to claim 13, characterized in that the insulating layers (3, 6) are welded to one another 16) Speichermatrix nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wortleiter (g) in den Bereichen, die den Aufnahmeräurien zugewandt sind, mit einer Isolierschicht (10) versehen sind.16) memory matrix according to Claim 4, characterized in that the word conductor (g) in the areas that facing the receiving acids, are provided with an insulating layer (10). 17) Speichermatrix nach Anspruch 4, dadurch gekennnzeichnet, daß eine elektrisch jedoch nicht magnetasc-h leitfähige Platte (13) vorgesehen ist, die auf der durch die Rippen (18) gebildeten Aufnahmeräume zugewandten Seite mit einer Isolierschicht (12) versehen ist und diese Aufnahmeräume mit den darin angeordneten Magnetschichtdrähten (ii) versch2ießt.17) memory matrix according to claim 4, characterized in that a electrically but not magnetasc-h conductive plate (13) is provided on the side facing the receiving spaces formed by the ribs (18) with an insulating layer (12) is provided and these receiving spaces with the magnetic layer wires arranged therein (ii) misses. 18) Speichermatrix nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht (12) der Platte (15) mit den Rippen ( verklebt ist.18) memory matrix according to claim 17, characterized in that the Insulating layer (12) of the plate (15) with the ribs (is glued. 19) ,Speichermatrix nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, oaß die Isolierschicht (12) der Platte (13) mit den Rippen (18) verschweißt ist.19), memory matrix according to claim 17, characterized in that oaß the insulating layer (12) of the plate (13) is welded to the ribs (18). 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