DE2153304C3

DE2153304C3 - Wire storage covered with a magnetic thin layer

Info

Publication number: DE2153304C3
Application number: DE19712153304
Authority: DE
Inventors: Seihin; Torii Michihiro; Jojima Takehiko; Shizuoka Kobayashi (Japan)
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1970-10-28
Filing date: 1971-10-26
Publication date: 1977-03-31

Description

4040

Die Erfindung betrifft einen mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogenen Drahtspeicher mit einer Anzahl von Magnetdrähten, von denen jeder aus einem mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogenen Leitungsdraht besteht, und mit einer Anzahl von Steuerdrähten, die U-förmig um die Magnetdrähte geführt sind.The invention relates to a magnetic thin layer coated wire storage device with a The number of magnet wires each of which is one coated with a magnetic thin film This is made up of lead wire, and with a number of control wires that are U-shaped around the magnet wires are led.

Bei einem derartigen aus der DT-AS 12 77 922 bekannten Drahtspeicher besteht die Gefahr einer Wechselwirkung der magnetischen Treiberfelder benachbarter Kreuzungspunkte zwischen den Steuerdrähten und den Magnetdrähten, wenn die Zwischenräume zwischen den Drähten, insbesondere zwischen den Steuerdrähten, kleiner gewählt werden. Dadurch wird der Magnetisierungszustand gestört. Derartige Wechselwirkungen begrenzen daher die mögliche Anordnungsdichte der Speicherelemente.With such a wire memory known from DT-AS 12 77 922 there is the risk of a Interaction of the magnetic driver fields of neighboring crossing points between the control wires and the magnet wires, if the spaces between the wires, in particular between the Control wires, smaller can be chosen. This disturbs the state of magnetization. Such interactions therefore limit the possible arrangement density of the storage elements.

Eine nicht zum Stande der Technik gehörende Weiterentwicklung hat zu einem Drahtspeicher der eingangs genannten Art geführt, bei dem ein Magnetträger aus einem Material hoher magnetischer Permeabilität vorgesehen ist, der eine Anzahl von tiefen Rillen und flachen Rillen in seiner Oberfläche aufweist, wobei sich die tiefen und flachen Rillen im rechten Winkel zueinander kreuzen und die Steuerdrähte in den tiefen Rillen und die Magnetdrähte in den flachen Rillen des Magnetträgers vorgesehen sind. Steuerdrähte und Magnetdrähte sind elektrisch gegeneinander isoliert.A further development that does not belong to the state of the art has to a wire storage device initially mentioned, in which a magnet carrier made of a material of high magnetic permeability is provided which has a number of deep grooves and shallow grooves in its surface, wherein the deep and shallow grooves cross at right angles to each other and the control wires in the deep ones Grooves and the magnet wires are provided in the shallow grooves of the magnet carrier. Control wires and Magnet wires are electrically isolated from each other.

Bei einem derartigen Drahtspreicher mit einem mit Rillen versehenen Magnetträger konnte die Anordnungsdichte der Steuer- und Magnetdrähte bereits erhöht werden.In such a wire spreader with a grooved magnet carrier, the arrangement density could the control and magnet wires are already increased.

Aus der US-PS 34 05 400 ist weiterhin ein Plattenspeicher bekannt, bei dem magnetische Platten als Speicherelemente diener. Dieser Speicher besteht aus einer unteren Platte aus einem magnetischen Material, darauf angeordneten Speicherplatten, die von gekreuzten in den Rillen zwischen den Speicherplatten untergebrachten Steuerdrähten umgeben sind, einer Zwischenplatte und einer darauf angeordneten oberen Platte aus einem magnetischen Material. Die bei diesem Speicher vorgesehenen Platten aus einem magnetischen Material haben die Aufgabe, für einen geschlossenen magnetischen Fluß zu sorgen, der um die Steuerdrähte herum durch die untere Platte, die Zwischenplatte, die obere Platte und anschließend durch die Zwischenplatte zur unteren Platte zurückführt.From US-PS 34 05 400 a disk storage is also known in which magnetic disks as Storage elements servant. This memory consists of a lower plate made of a magnetic material, storage disks arranged thereon, which are crossed in the grooves between the storage disks housed control wires are surrounded, an intermediate plate and an upper arranged on it Plate made of a magnetic material. The disks provided in this memory are made of a magnetic Material have the task of creating a closed magnetic flux around the control wires around through the lower plate, the intermediate plate, the upper plate and then through the intermediate plate leads back to the lower plate.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe liegt demgegenüber darin, bei einem Drahtspeicher der eingangs genannten Art die Anordnungsdichte der Speicherelemente bei geringerer Wechselwirkung zwischen angrenzenden Speicherelementen zu vergrößern.The object on which the invention is based is, on the other hand, in a wire storage device type mentioned the arrangement density of the storage elements with less interaction between to enlarge adjacent storage elements.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen ersten Magnetträger aus einem Material hoher magnetischer Permeabilität, der in seiner Oberfläche eine Anzahl von tiefen und flachen Rülen aufweist, die sich im ,-echten Winkel zueinander kreuzen, und einen weiteren Magnetträger aus einem Material hoher magnetischer Permeabilität gelöst, der in seiner Unterfläche eine Anzahl paralleler Rillen aufweist, die in derselben Richtung und direkt unter den tiefen Rillen des ersten Magnetträgers verlaufen, wobei die Magnetdrähte in den flachen Rillen des ersten Magnetträgers angeordnet sind und die Su-ulm drähte in den tiefen Rillen des ersten Magnetträgers vorgesehen und in den Rillen des weiteren Magnetträgers rückgeführt sind, wobei der weitere Magnetträger derart auf den ersten Magnetlager geschichtet ist, daß die Unterfläche des erstci en die Oberfläche des letzteren berührt und wobei ein leitfähiges Teil mit einer Vielzahl von öffnungen in jeden der beiden Magnetträger eingebettet ist.According to the invention, this object is achieved by a first magnet carrier made of a material magnetic permeability, which has a number of deep and shallow ridges in its surface, the cross each other in the right angle, and one Another magnet carrier made of a material of high magnetic permeability solved in its Lower surface has a number of parallel grooves running in the same direction and just below the deep grooves of the first magnet carrier, the magnet wires in the shallow grooves of the first magnet carrier are arranged and the su- ulm wires are in the depths Grooves of the first magnet carrier are provided and returned in the grooves of the further magnet carrier, wherein the further magnetic carrier is layered on the first magnetic bearing that the lower surface of the first touching the surface of the latter and being a conductive part with a multitude of openings in it each of the two magnet carriers is embedded.

Durch eine derartige Ausbildung sind die Magnetdrähte überall, außer an den Kreuzungspunkten mit den Steuerdrähten von einem magnetischen Material hoher magnetischer Permeabilität umgeben, das eine Konzentration des magnetischen Treiberfeldes um diese Kreuzungspunkte herum bewirkt und die räumliche Ausdehnung dieses magnetischen Feldes begrenzt. Damit ist auch der Magnetisierungsbereich genau begrenzt, so daß Wechselwirkungen zwischen benachbarten Kreuzungspunkten auch bei einer sehr dichten Anordnung der Speicherelemente vermieden werden können.With such a design, the magnet wires are everywhere, except at the points of intersection with the Control wires surrounded by a magnetic material of high magnetic permeability, which has a concentration of the magnetic driving field around these crossing points and the spatial Expansion of this magnetic field is limited. This means that the magnetization range is also accurate limited, so that interactions between neighboring crossing points even with a very dense one Arrangement of the storage elements can be avoided.

Im folgenden wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutertThe following is a preferred embodiment the invention explained in more detail with reference to the drawing

F i g. 1 zeigt die Ausführungsform in einer perspektivischen Ansicht vor ihrer Montage,F i g. 1 shows the embodiment in a perspective view before its assembly,

F i g. 2 zeigt in einer perspektivischen Ansicht, wie der Magnetträger einen Magnetdraht an einer Stelle, an der er nicht von einem Steuerdraht gekreuzt wird, völlig umschließt,F i g. 2 shows in a perspective view how the magnet carrier attaches a magnet wire at a point where it is not crossed by a control wire, completely encloses,

F i g. 3 zeigt die Ausführungsform im teilweise montierten Zustand in einer Schnittansicht,F i g. 3 shows the embodiment in the partially assembled state in a sectional view,

F i g. 4 zeigt eine perspektivische Ansicht des in F i g. 3 dargestellten leitfähigen Teils,F i g. 4 shows a perspective view of the FIG. 3 shown conductive part,

Fig.5 zeigt in einer perspektivischen Ansicht ein Gitter aus Leitermetall, das als leitfähiges Teil verwendet werden kann.5 shows a perspective view of a grid made of conductor metal, which as a conductive part can be used.

Der in den F i g. 1 und 2 dargestellte Drahtspeicher weist einen oberen Magnetträger 6 und einen unteren Magnetträger 1 auf, die beide aus einem Material hoher magnetischer Permeabilität bestehen. Der untere Magnetträger 1 ist mit einer Anzahl von tiefen Rillen 2 und flachen Rillen 4 in seiner Oberfläche versehen, die sich im rechten Winkel zueinander kreuzen. Jeda der tiefen Rillen enthält einen flachen Steuerdraht 3 einer solchen Hohe, daß die Oberfläche des flachen Steuerdrahtes 3 genau auf der gleichen Höhe oder etwas unterhalb der Grundfläche der flachen Rillen 4 liegt. Jede der flachen Rillen 4 enthält einen Magnetdraht 5, der aus einem mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogenen Leitungsdraht besteht, wobei die Vorzugsachse der Magnetisierung in Umfangsrichtung des Drahtes liegt. Der obere Magnetträger 6 weist eine Anzahl von parallelen Rillen 7 in der gleichen Richtung und direkt über den liefen Rillen 2 im unteren Magnetträger 1 auf. Die flachen Steuerdrähte 3 in den tiefen Rillen 2 im unteren Magnetträger 1 sind an einem ihrer Enden umgebogen und in den Rillen 7 im oberen Magnetträger 6 zurückgeführt. Der obere Magnetträger 6 ist derart auf den unteren Magnetträger 1 geschichtet, daß, wie in F i g. 1 dargestellt, die Unterfläche 6 bis I des oberen Magnetträgers 6 mit der Oberfläche 1 bis 1 des unteren Magnetträgers 1 in Berührung steht.The in the F i g. 1 and 2 shown wire storage has an upper magnet carrier 6 and a lower magnet carrier 1, both of which consist of a material of high magnetic permeability. The lower magnet carrier 1 is provided with a number of deep grooves 2 and shallow grooves 4 in its surface which cross at right angles to each other. Each of the deep grooves contains a flat control wire 3 of such a height that the surface of the flat control wire 3 is exactly at the same level or slightly below the base of the shallow grooves 4. Each of the shallow grooves 4 contains a magnet wire 5 composed of a conductive wire coated with a magnetic thin film, the easy axis of magnetization being in the circumferential direction of the wire. The upper magnet carrier 6 has a number of parallel grooves 7 in the same direction and directly above the running grooves 2 in the lower magnet carrier 1. The flat control wires 3 in the deep grooves 2 in the lower magnet carrier 1 are bent over at one of their ends and returned to the grooves 7 in the upper magnet carrier 6. The upper magnet carrier 6 is layered on the lower magnet carrier 1 in such a way that, as shown in FIG. 1, the lower surface 6 to I of the upper magnet carrier 6 is in contact with the surface 1 to 1 of the lower magnet carrier 1.

Durch die Rückführung der Steuerdrähte in den Rillen des oberen Magnetträgers 6 kann bei einem Drahtspeicher der Steuerstrom auf die Hälfte verringert werden. Da die Magnetdrähte 5 vollständig von dem unteren und dem oberen Magnetträger an den Stellen, an denen sie nicht von den Steuerdrähten 3 gekreuzt werden, umgeben sind, wie es in Fig. 2 dargestellt ist, sind sie an diesen Stellen völlig frei von einer Beeinflussung durch äußere magnetische Felder. Dementsprechend sind nur die Kreuzungspunkte der Magnetdrähte 5 mit den Steuerdrähten 3 genügend magnetisiert, wodurch der Magnetisierungsbereich genau begrenzt ist und die Wechselwirkungen der Magnetfelder benachbarter Kreuzungspunkte herabgesetzt sind.By returning the control wires in the grooves of the upper magnet carrier 6 can in a Wire storage the control current can be reduced by half. Since the magnet wires 5 completely from the lower and the upper magnet carrier at the points where they are not crossed by the control wires 3 are surrounded, as shown in Fig. 2, they are completely free of one at these points Influence from external magnetic fields. Accordingly, only the crossing points are the Magnetic wires 5 sufficiently magnetized with the control wires 3, whereby the magnetization area is precisely limited and the interactions of the magnetic fields of neighboring intersection points are reduced are.

Wenn ein mit einer dünnen Schicht überzogener Drahtspeicher hergestellt wird, der überzogene Magnetdrähte mit einem Durchmesser von 0,1 mm, in Gummi gefaßte Steuerdrähte und einen oberen und einen unteren Magnetträger aufweist, der aus einem ungeglühten biegsamen Blech aus einem Ferrit vom Nickelzinktyp hergestellt ist, kann der Zwischenraum zwischen benachbarten Steuerdrähten auf 0,4 min verrringert werden, was bei weitem geringer ist als die 1,2 mm bei herkömmlichen Drahtspeichern, wodurch die Anordnungsdichte der Speicherelemente verbessert ist.When making a wire memory coated with a thin layer, the coated magnet wires 0.1 mm in diameter, control wires encased in rubber and an upper and has a lower magnet carrier, which is made of an unannealed flexible sheet of a ferrite from Nickel-zinc type is made, the gap between adjacent control wires can be 0.4 min can be decreased, which is far less than that 1.2 mm in conventional wire storage systems, which improves the arrangement density of the storage elements is.

Bei einer zweiten Ausführungsform, die in F i g. 3 und 4 gezeigt ist, sind durchbohrte Leitermetallplatten 8 und 9 in den unteren und oberen Magnetträger 1 und 6 jeweils eingebettet. Jede der durchbohrten Platten 8 und 9 ist aus einer Leiterplatte mit einer Dicke von 0,06 mm hergestellt, in die Löcher mit einem Durchmesser von etwa 0,1 mm mit einem Abstand voneinander von 0,3 mm geätzt worden sind, wie F i g. 4 zeigt. Anstelle der durchbohrten Platten 8 und 9 können Leitermetallgitter 10 verwandt werden, die durch Verknüpfen extrem dünner Drähte hergestellt sind.In a second embodiment, which is shown in FIG. 3 and 4 are pierced conductor metal plates 8 and 9 embedded in the lower and upper magnet carriers 1 and 6, respectively. Each of the pierced plates 8 and 9 is made of a printed circuit board with a thickness of 0.06 mm, in the holes with a diameter of about 0.1 mm have been etched 0.3 mm apart, as shown in FIG. 4 shows. Instead of the perforated plates 8 and 9 can be used conductor metal grids 10, which are linked by linking extremely thin wires are made.

Obwohl die durchbohrten Platten 8 und 9 vollständig in die Magnetträger 1 und 6 in der in Fi g. 3 gezeigten Ausführungsform eingebettet sind, können sie auch teilweise in den Magnetträger so eingebettet sein, daß eine ihrer Seiten zur Außenseite des Magnetträgers freiliegt.Although the perforated plates 8 and 9 completely in the magnet carriers 1 and 6 in the in Fi g. 3 are embedded in the embodiment shown, they can also be partially embedded in the magnet carrier so that one of their sides is exposed to the outside of the magnet carrier.

Bei dem mit einer dünnen magnetischen Schicht überzogenen Drahtspeicher gemäß der zweiten Ausführungsform wird der zusätzliche Vorteil erhalten, daß die durchbohrten Leiterplatten 8 oder 9 oder die Gitter JO, die als Grundplatten dienen, sich nicht vom Magnetträger I und 6 während der Montage und nach Vollendung der Montage lösen und den Magnetträger elastisch verstärken.In the wire memory coated with a thin magnetic layer according to the second embodiment the additional advantage is obtained that the perforated circuit boards 8 or 9 or the grids JO, which serve as base plates, do not move away from the magnet carrier I and 6 during assembly and after completion undo the assembly and elastically reinforce the magnet carrier.

Weitere Änderungen können vorgenommen werden. Zum Beispiel können die Leiterdrähte im oberen Magnetträger von denen im unteren Magnetträger getrennt sein, und beide Leiterdrähte im oberen und im unteren Magnetträger elektrisch miteinander verbunden sein.Further changes can be made. For example, the conductor wires can be in the top Magnet carrier be separated from those in the lower magnet carrier, and both conductor wires in the upper and in the lower magnet carrier be electrically connected to each other.

Ein mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogener Drahtspeicher umfaßt einen ersten Magnetträger, der von einem zweiten Magnetträger bedeckt wird. Beide Träger weisen eine hohe magnetische Permeabilität auf. Der erste Magnetträger ist auf seiner Oberfläche mit einer Anzahl von tiefen und flachen Rillen versehen, die sich im rechten Winkel zueinander kreuzen. Jede der tiefen und flachen Rillen enthält einen Steuerdraht und einen Magnetdraht jeweils. Der zweite Magnetträger weist eine Anzahl paralleler Rillen an seiner unteren Fläche in der gleichen Richtung und direkt über den tiefen Rillen im ersten Magnetträger auf. Diese parallelen Rillen enthalten Steuerdrähte, die elektrisch an einem Ende davon mit den Steuerdrähten in den tiefen Rillen im ersten Magnetträger verbunden sind.A wire storage device coated with a magnetic thin layer comprises a first magnetic carrier, which is covered by a second magnetic carrier. Both carriers have a high magnetic permeability on. The first magnet carrier is provided on its surface with a number of deep and shallow grooves, which cross at right angles to each other. Each of the deep and shallow grooves contains a control wire and one magnet wire each. The second magnet carrier has a number of parallel grooves on its lower one Face in the same direction and just above the deep grooves in the first magnet carrier. This parallel grooves contain control wires that are electrically connected to the control wires in the at one end thereof deep grooves are connected in the first magnet carrier.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings

Claims

Patent claims:

1. With a magnetic thin layer coated wire storage with a number of magnet wires, each of which consists of one with one magnetic thin layer coated conductor wire, and with a number of Control wires that are U-shaped around the magnet wires, characterized by a first magnet carrier (1) made of a material of high magnetic permeability, which is in its surface has a number of deep and shallow grooves (2, 4) which are at right angles to each other cross, and by a further magnet carrier (6) made of a material of high magnetic permeability, which in its unier surface has a number of parallel grooves (7) in the same direction and run directly under the deep grooves (2) of the first magnet carrier (1), the magnet wires (5) are arranged in the shallow grooves (4) of the first magnet carrier (1) and the control wires in the deep grooves (2) of the first magnet carrier (1) and in the grooves (7) of the further magnet carrier (6) are returned, the further magnet carrier (6) in such a way on the first Magnet carrier (1) is layered that the lower surface (6 to 1) of the former is the surface (1 to I) of the the latter touches and wherein a conductive part (18) with a plurality of openings in each of the two Magnet carrier (1.6) is embedded.

2. Wire storage device according to claim 1, characterized in that the conductive part has a pierced one Plate (8) is.

3. Wire storage device according to claim 1, characterized in that the conductive part is a grid (10) is made of lead wire.