DE2143395C3

DE2143395C3 - Wire storage covered with a magnetic, thin layer

Info

Publication number: DE2143395C3
Application number: DE19712143395
Authority: DE
Inventors: Seihin; Tora Michihiro; Jojima Takehiko; Okuda Masanao; Shizuoka Kobayashi (Japan)
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1970-08-29
Filing date: 1971-08-30
Publication date: 1976-10-21

Description

Die Erfindung betrifft einen mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogenen Drahtspeicher, der einen Magnetträger, eine Anzahl von parallel auf dem Magnetträger angeordneten Steuerdrähten und eine Anzahl von auf dem Magnetträger angeordneten Magnetdrähten umfaßt, die die Steuerdrähte im rechten Winkel kreuzen. The invention relates to a wire storage device coated with a magnetic thin film, the one Magnet carrier, a number of control wires arranged in parallel on the magnet carrier and a number comprised of magnet wires arranged on the magnet carrier and crossing the control wires at right angles.

Bei einem derartigen bekannten Drahtspeicher bildet der magnetische Fluß, der um den Steuerdraht herum erzeugt wird, wenn durch diesen ein Steuerstrom fließt, einen geschlossenen Weg an den Kreuzungspunkten mit den Magnetdrähten. An anderen Stellen isi der Weg des magnetischen Flusses nicht geschlossen. An diesen Stellen ist der Fluß durch das entmagnetisierende Feld des Magnetträgers deformiert und verbreitert. Der verbreiterte magnetische Fluß wirkt auf den magnetischen Fluß an den Kreuzungspunkten ein und deformiert und verbreitert ihn. Die magnetischen Flüsse an angrenzenden Kreuzungspunkten wirken daher aufeinander ein, was sich nachteilig auf die Speichercharakteristik auswirkt.In such a known wire storage device, the magnetic flux forms around the control wire is generated when a control current flows through it, a closed path at the crossing points with the magnet wires. In other places the path of the magnetic flux is not closed. On In these places the flux is deformed and broadened by the demagnetizing field of the magnet carrier. The widened magnetic flux acts on the magnetic flux at the crossing points and is deformed and widen it. The magnetic fluxes at adjacent crossing points therefore act on one another a, which has a negative effect on the storage characteristics.

Um diese Wechselwirkungen an den Krcuzungspunkten zu vermeiden, mußten die Zwischenräume zwischen zwei benachbarten Steuerdrähten bei herkömmlichen Drahtspeichern relativ groß gemacht werden, so daß die Anordnungsdichte der Speicherelemente relativ klein war. Um die Anordnungsdichte der Speicherelemente bei herkömmlichen Speicher zu erhöhen, mußte der Steuerstrom, der an die Steuerdrähte gelegt ist, erniedrigt werden, was zu einer unbefriedigenden Arbeitsweise der Speicherelemente führt.In order to avoid these interactions at the points of intersection, the gaps had to be can be made relatively large between two adjacent control wires in conventional wire storage systems, so that the arrangement density of the memory elements was relatively small. To determine the density of the To increase storage elements in conventional storage, the control current had to be applied to the control wires is placed, are lowered, which leads to unsatisfactory operation of the memory elements.

Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, die Anordnungsdichte der Speicherelemente bei einem Drahtspeicher der eingangs genannten Art zu erhöhen, wobei jedoch die Einwirkung des vom Steuerstrom eines Elementes hervorgerufenen Magnetfeldes auf die Nachbarelemente so gering sein soll, daß eine Erniedrigurtg des Steuerstromes nicht erforderlich ist und somit eine Beeinträchtigung der Arbeitsweise der Speicherelemente vermieden ist.It is therefore the object of the invention to improve the arrangement density of the memory elements in a wire memory of the type mentioned to increase, but the action of the control current of a Element caused magnetic field on the neighboring elements should be so small that a lowering belt of the control current is not required and thus an impairment of the operation of the storage elements is avoided.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Magnetträger in Form einer Grundplatte *5 mit ei.ier Anzahl von langgestreckten Vorsprüngen ausgebildet ist, die Vorsprünge feste Abstände voneinander besitzen und die Magnetdrähte zwischen den Vorsprüngen eingelagert sind, und daß die Steuerdrähte so in die Grundplatte eingelagert sind, daß ihre Oberfläche in den durch die Vorsprünge gebildeten Rinnen auf der Außenseite der Grundplatte des Magnetträgers frei liegt.According to the invention, this object is achieved in that the magnet carrier is in the form of a base plate * 5 with a number of elongated protrusions is formed, the projections have fixed distances from each other and the magnet wires between the Projections are embedded, and that the control wires are embedded in the base plate that their Surface in the grooves formed by the projections on the outside of the base plate of the magnet carrier is exposed.

Bei einem derart ausgebildeten Drahtspeicher ist die Wechselwirkung zwischen benachbarten Steuerdrähten an den Kreuzungspunkten auf ein Minimum erniedrigt, so daß er mit hohen Steuerströmen betrieben werden kann und eine höhere Anordnungsdichte der Speicherelemente aufweisen kann. In einer Weiterbildungaform sind diese Speicherelemente mit einem verstärkten Magnetträger ausgeführt.In a wire storage device designed in this way, the interaction between adjacent control wires is lowered to a minimum at the crossing points, so that it operated with high control currents and can have a higher arrangement density of the memory elements. In a further training form these storage elements are designed with a reinforced magnetic carrier.

Iin folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der zugehörigen Zeichnungen näher erläutert;The following are preferred embodiments the invention explained in more detail with reference to the accompanying drawings;

F i g. la zeigt eine perspektivische Ansicht eines Teiles eines herkömmlichen mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogenen Drahtspeichers;F i g. la shows a perspective view of a part a conventional wire memory coated with a magnetic thin film;

Fig. Ib zeigt eine Querschnittsansicht, die den magnetischen Fluß um die Steuerdrähte längs der Linie b-b'in Fi g. la zeigt;Fig. Ib shows a cross-sectional view showing the magnetic flux around the control wires along the line b-b 'in Fig . la shows;

Fig. Ic zeigt eine Querschnittsansicht, die den magnetischen Fluß um die Steuerdrähte längs der Linie oc'nx F i g. la zeigt; Fig. Ic shows a cross-sectional view showing the magnetic flux around the control wires along the line oc'nx F i g. la shows;

F i g. 2a ist eine perspektivische Ansicht eines Teils einer ersten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Drahtspeichers;F i g. 2a is a perspective view of part of a first embodiment of the invention Wire storage;

F i g. 2b und 2c zeigen Querschnittsansichten des in F i g. 2a dargestellten Drahtspeichers, die den Verlauf des magnetischen Flusses an den den F i g. la und 1b entsprechenden Stellen zeigen;F i g. 2b and 2c show cross-sectional views of the FIG. 2a shown wire storage, the course of the magnetic flux to the F i g. la and 1b show corresponding locations;

*° F i g. 3 zeigt eine perspektivische Ansicht einer zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Drahtspeichers; * ° F i g. 3 shows a perspective view of a second Embodiment of the wire store according to the invention;

F i g. 4 zeigt einen Teil eines mit einer magnetischen dünnen Schicht überzogenen Drahtspeichers gemäß einer Weiterbildung der Erfindung in einer Querschnittsansicht; F i g. Fig. 4 shows part of a wire memory coated with a magnetic thin film according to Fig. 4 a further development of the invention in a cross-sectional view;

F i g. 5 und 6 zeigen eine perforierte Leitermetallplatte und ein entsprechendes Drahtnetz zum Einla- F i g. 5 and 6 show a perforated metal conductor plate and a corresponding wire mesh for loading

gern im Magnetträger, der in F i g. 4 dargestellt ist.like in the magnet carrier shown in FIG. 4 is shown.

Verweist man zuerst auf den herkömmlichen, mit einer magnetischen, dünnen Schicht überzogenen Drahtspeicher, wie er in Fig. la gezeigt wird, so umfaßt er eine Anzahl von Magnetd' iihten 1, eine Anzahl 5 von bandförmigen Steuerdrähten 2 einer Breite von-0,13 mm, die die Magnetdrähte im rechten Winkel kreuzen, und einen Magnetträger 3, der dicht an den Steuerdrihten anliegt. Jeder Magnetdraht 1 besteht aus einem Leitungsdraht, der einen Durchmesser von z. B. 0,1 mm aufweist, und einer dünnen Schicht, die den Leitungsdraht bedecke Die dünne Schicht besteht aus Nikkelpermalloy und ist elektrisch so aufgebracht, daß die leichte Achse der Magnetisierung in der Umfangsrichtung der Schicht liegt. Der Magnetträger ist aus Ferritstaub mit einer hohen magnetischen Permeabilität und einem organischen Bindemittel gefertigt.If you first refer to the conventional one, coated with a thin magnetic layer Wire storage, as shown in Fig. La, includes He has a number of magnetic wires 1, a number 5 of strip-shaped control wires 2 with a width of -0.13 mm, which cross the magnet wires at right angles, and a magnet carrier 3 that is close to the Control wire is applied. Each magnet wire 1 consists of a lead wire having a diameter of, for. B. 0.1 mm, and a thin layer covering the lead wire. The thin layer is made of nickel permalloy and is electrically applied so that the easy axis of magnetization is in the circumferential direction the layer lies. The magnet carrier is made of ferrite dust with a high magnetic permeability and made of an organic binder.

Wenn in einem solchen mit einer magnetischen, dünnen Schicht überzogenen Drahtspeicher ein Steuerimpuls an die Steuerdrähte 2 angelegt ist, bildet der magnetische Fluß 10 einen geschlossenen Kraftflußweg durch den Magnetträger 3 und den Magnetdraht 1 an Kreuzungspunkten der Steuerdrähte 2 mit den Magnetdrähten 1, wie F i g. Ib zeigt. Jedoch ist der Kraftnußweg 11 nicht geschlossen, sondern offen an allen anderen Stellen als den Kreuzungspunkten, da nur der Magnetträger 3 eine hohe magnetische Permeabilität um den Steuerdiaht 2 aufweist, wie F i g. Ic zeigt Der Kraftflußweg 11 ist entsprechend dem entmagnetisierenden Feld des Magnetträgers 3 deformiert und verbreiten. Das magnetische Feld um den Steuerdraht 2 oder 2' an Kreuzungspunkten oder anderen Stellen setzt sich längs des Drahtes 2 oder 2' fort, so daß Wechselwirkungen zwischen den Flüssen an Kreuzungspunkten und anderen Stellen auftreten, mit dem Ergebnis, daß der Kraftflußweg an den Kreuzungspunkten deformiert und unerwünscht verbreitert ist. When in such a wire storage device coated with a magnetic, thin layer a control pulse is applied to the control wires 2, the magnetic flux 10 forms a closed force flux path through the magnet carrier 3 and the magnet wire 1 at points of intersection of the control wires 2 with the magnet wires 1, as in FIG. Ib shows. However, the Kraftnußweg 11 is not closed, but open to all other places than the crossing points, since only the magnet carrier 3 has a high magnetic permeability has around the control wire 2, as shown in FIG. Ic shows the Power flow path 11 is deformed and spread according to the demagnetizing field of the magnet carrier 3. The magnetic field around the control wire 2 or 2 'at crossing points or other places continues along the wire 2 or 2 ', so that interactions between the rivers at crossing points and other places occur, with the result that the force flow path is deformed and undesirably widened at the crossing points.

Demgemäß wechselwirken die magnetischen Flüsse an benachbarten Kreuzungspunkten miteinander, was sich nachteilig auf die Speichercharakteristik auswirkt.Accordingly, the magnetic fluxes interact with each other at neighboring crossing points, what adversely affects the storage characteristics.

Um solche Wechselwirkungen zu vermeiden, müssen zwischen benachbarten Steuerdrähten in herkömmlichen, mit einer magnetisch dünnen Schicht versehenen Speichern relativ große Zwischenräume bestehen, so daß die Ancrdnungsdichte der Speicherelemente relativ klein ist.In order to avoid such interactions, between adjacent control wires in conventional, With a magnetically thin layer of memory there are relatively large gaps, so that the arrangement density of the storage elements is relative is small.

Verweist man nun auf einen mit einer magnetischen, dünnen Schicht überzogenen Drahtspeicher gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung, wie sie in F i g. 2a gezeigt wird, so umfaßt der Magnetträger 3 eine Grundplatte 3' und eine Anzahl von langgestreckten Vorsprüngen 3", die feste Abstände voneinander haben, so daß sie dazwischen Rinnen 4 bilden. Die Grundplatte und die Vorsprünge bestehen aus einem Stück. Im Magnetträger 3 sind eine Anzahl von flachen Steuerdrähten 2 eingebettet, die im rechten Winkel die langgestreckten Vorsprünge 3" kreuzen. Ihre Oberfläche liegt in den Rinnen 4 zwischen den langgestreckten Vorsprüngen 3" an der Außenseite der Grundplatte 3' des Magnetträgers frei. Jede Rinne 4 enthält eng einen (*> Magnetdraht 1, bei dem die leichte Achse in der Richtung des Umfanges liegt. Der Magnetdraht 1 besteht nach herkömmlicher Weise aus einem Leitungsdraht, der elektrisch mit Nickelpermalloy überzogen ist. Der Magnetträger 3 besitzt dieselbe Zusammensetzung wie ⁶S der herkömmliche.If one now refers to a wire storage device coated with a magnetic, thin layer according to a first embodiment of the invention, as shown in FIG. 2a, the magnet carrier 3 comprises a base plate 3 'and a number of elongated projections 3 "which are fixedly spaced from one another so that they form grooves 4 therebetween. The base plate and the projections consist of one piece embedded a number of flat control wires 2 which cross the elongated projections 3 "at right angles. Its surface is exposed in the grooves 4 between the elongated projections 3 "on the outside of the base plate 3 'of the magnet carrier. Each groove 4 closely contains a (*> magnet wire 1, the easy axis of which lies in the direction of the circumference. The magnet wire 1 is composed according to a conventional manner from a lead wire which is electrically coated with Nickelpermalloy. the magnet carrier 3 has the same composition as the conventional ⁶ S.

Beim Betrieb, wenn ein Steuerstrom an einen ausgewählten Sleuerdraht 2 angelegt ist, wird ein geschlossener Kraftflußweg 12 am Kreuzungspunkt des Steuerdrahtes 2 mit dem Magnetdraht 1 erzeugt, wie in einem herkömmlichen, mit einer dünnen Schicht versehenen Drahtspeicher, wie F i g. 2b zeigt An anderen Stellen als den Kreuzungspunkten wird ebenfalls ein geschlossener Kraftflußweg 13 in den Vorsprüngen 3" des Magnetträgers ausgebildet (F i g. 2c).In operation, when a control current is applied to a selected sleuer wire 2, it becomes a closed one Power flow path 12 generated at the intersection of the control wire 2 with the magnet wire 1, as in one conventional wire storage provided with a thin layer, such as FIG. 2b shows elsewhere as the crossing points there is also a closed power flow path 13 in the projections 3 ″ of the magnet carrier formed (Fig. 2c).

Demgemäß wird das entmagnetisierende Feld im Magnetträger 3, das die Deformation und Verbreiterung des magnetischen Flusses im herkömmlichen Speicher bewirkt hat, auf ein Minimum verringert. Daraus folgt, daß die Magnetisierungsenergie um die Steuerdrähte 2 wächst, und der magnetische Fluß sich an den Kreuzungspunkten nur schwer verbreitert.Accordingly, the demagnetizing field in the magnet carrier 3, the deformation and widening of the magnetic flux in conventional storage is reduced to a minimum. From it it follows that the magnetization energy around the control wires 2 increases and the magnetic flux increases Difficult to widen at the crossing points.

Wenn nun ein mit einer magnetischen, dünnen Schicht versehener Drahtspeicher, wie F i g. 2a zeigt, unter der Verwendung von Magnetdrähten 1 mit einem Durchmesser von 0,1 mm, bandförmigen SteuerdrähtenIf a wire storage device provided with a magnetic, thin layer, such as FIG. 2a shows using magnet wires 1 with a diameter of 0.1 mm, ribbon-shaped control wires

2, die einen rechteckigen Querschnitt von 0,05 mm χ 0,1 mm besitzen, und einem elastischen Ferrit-Magnetträger 3 mit einer Dicke von 0,1 mm hergestellt wird, können die Zwischenräume zwischen benachbarten Steuerdrähten 0,4 mm betragen, was bei weitem weniger ist, als bei herkömmlichen Speichern, bei denen ein Zwischenraum von 1 mm notwendig war. Daher kann die Anordnungsdichte der Speicherelemente bei einem Speicher gemäß der Erfindung bemerkenswert vergrößert werden.2, which have a rectangular cross-section of 0.05 mm χ 0.1 mm, and an elastic ferrite magnet carrier 3 is made with a thickness of 0.1 mm, the gaps between adjacent control wires can be 0.4 mm, which is at is far less than with conventional accumulators, where a gap of 1 mm was necessary. Therefore, the arrangement density of the memory elements can be remarkably increased in a memory according to the invention.

Bei einer zweiten Ausführungsform, die in F i g. 3 gezeigt wird, umfaßt ein mit einer magnetisch dünnen Schicht überzogener Drahtspeicher zwei MagnetträgerIn a second embodiment, which is shown in FIG. 3 includes one with a magnetically thin Layer of coated wire storage two magnet carriers

3, die aufeinandergelegt sind, so daß sich die Vorsprünge 3" der Magnetträger berühren. An einem Ende sind die Steuerdrähte 2, die oben und unten benachbart sind, gebogen und elektrisch verbunden, wie F i g. 3 zeigt. Der mit einer magnetisch dünnen Schicht überzogene Drahtspeicher der zweiten Ausführungsform ist so konstruiert, daß der magnetische Fluß um die Steuerdrähte wirkungsvoll auf die Magnetdrähte konzentriert ist. Zusätzlich können die Rinnen jedes Magnetträgers flacher als die in der ersten Ausführungsform sein, da die beiden Magnetträger die Magnetdrähte gemeinsam umschließen. Diese flachen Rinnen können leichter hergestellt werden.3, which are laid one on top of the other so that the projections 3 "of the magnet carriers touch each other. Are at one end the control wires 2, which are adjacent above and below, bent and electrically connected, as shown in FIG. 3 shows. The wire memory coated with a magnetically thin film of the second embodiment is like this designed so that the magnetic flux around the control wires is efficiently concentrated on the magnet wires is. In addition, the grooves of each magnet carrier can be shallower than those in the first embodiment, because the two magnet carriers enclose the magnet wires together. These shallow gutters can be made more easily will.

Bei der Weiterbildungsform, die in F i g. 4 bis 6 gezeigt wird, ist ein perforiertes Leiterblech 14 oder ein Gitter 15 in den Magnetträger 3 eingebettet. Das perforierte Blech 14 besteht aus einer Leiterplatte 16 einer Dicke von 0,06 mm, in die Löcher 17 mit einem Durchmesser von 0,1 mm in einem Abstand von 0,3 mm voneinander geätzt sind, wie F i g. 5 zeigt. An Stelle der perforierten Platte 14 kann auch ein metallenes Leitergitter 15 verwandt werden, das dur:h Verknüpfen von äußert dünnen Drähten hergestellt wird.In the case of the form of further training shown in FIG. 4-6 is a perforated conductor plate 14 or a Grid 15 embedded in magnet carrier 3. The perforated sheet 14 consists of a circuit board 16 a Thickness of 0.06 mm, in the holes 17 with a diameter of 0.1 mm at a distance of 0.3 mm from each other are etched, as shown in FIG. 5 shows. Instead of the perforated plate 14, a metal ladder grid can also be used 15 can be used, which is made by: h linking extremely thin wires.

Obwohl die perforierte Platte 14 vollständig in dem Magnetträger 3 der Weiterbildungsform, die Fig.4 zeigt, eingebettet ist, kann sie auch nur teilweise im Magnetträger 3 eingebettet sein, so daß ihre Unterseite an der Außenseite des Magnetträgers 3 frei liegt.Although the perforated plate 14 is completely in the magnet carrier 3 of the further development, the FIG shows, is embedded, it can also be only partially embedded in the magnet carrier 3, so that its underside is exposed on the outside of the magnet carrier 3.

Bei einem mit einer magnetischen, dünnen Schicht versehenen Drahtspeicher gemäß der Weiterbildungsform erhält man den zusätzlichen Vorteil, daß die perforierte Leiterplatte 14 oder das Gitter 15 als Grundplatte dient, sich nicht vom Magnetträge«· 3 während und nach der Montage löst und den Magnetträger 3 elastisch verstärkt. Die Grundplatte dient als Abschirmung gegen äußere elektromagnetische Störeinflüsse.In the case of a wire storage device provided with a magnetic, thin layer according to the further development, the additional advantage is that the perforated Printed circuit board 14 or the grid 15 serves as a base plate, and does not move away from the magnetic carrier «· 3 during and loosens after assembly and elastically reinforces the magnet carrier 3. The base plate serves as a shield against external electromagnetic interference.

Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf be-The present invention has been made in view of

vor/.ugte Ausführungsformen beschrieben, so daß viele Änderungen vorgenommen werden können. Zum Beispiel jeder Steuerdraht 2 aus einem Paar von Drähten oder bei der Ausführungsform nach F i g. 3 aus einer Vielzahl von Schleifen bestehen.before / .ugte embodiments described, so that many Changes can be made. For example, each control wire 2 is made up of a pair of wires or in the embodiment according to FIG. 3 consist of a variety of loops.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims

Patent claims:

1. Wire storage device covered with a magnetic thin layer, which contains a magnetic carrier, a number of control wires arranged in parallel on the magnet carrier and a number of on the magnet carrier arranged comprises magnet wires, which the control wires at right angles cross, characterized in that the magnet carrier (3) in the form of a base plate (3 ') is formed with a number of elongated projections (3 "), the projections at fixed intervals each other and the magnet wires (1) embedded between the projections sinci, and that the control wires (2) are embedded in the base plate that their surface in the through the projections formed grooves on the outside of the base plate of the magnet carrier is exposed.

2. With a magnetic, thin layer coated wire storage according to claim 1, characterized characterized in that the memory has an additional second magnet carrier (3) which, as the first magnet carrier, in one piece a base plate (3 ') and a number of elongated Has projections (3 "), the second magnet carrier is mounted on the first so that the projections of the two carriers touch each other, and a number of control wires (2) in the second magnet carrier is embedded, each of these control wires in the second magnet carrier at one of its ends (6) is electrically connected to the lower adjacent control wire in the first magnet carrier.

3. Wire storage device according to claim 1, characterized by one from below into the magnet carrier (3) embedded perforated plate (14).

4. Wire storage device according to claim 1, characterized by a from below in the magnet carrier (3) embedded wire mesh (15).

5. wire storage device according to claim 1, characterized in that a control wire (2) consists of one Pair of lead wires is made.

6. wire storage device according to claim 2, characterized in that a control wire (2) consists of several Grinding consists.