DE2102920A1 - Verfahren zum Eloxieren von Aluminium - Google Patents

Verfahren zum Eloxieren von Aluminium

Info

Publication number
DE2102920A1
DE2102920A1 DE19712102920 DE2102920A DE2102920A1 DE 2102920 A1 DE2102920 A1 DE 2102920A1 DE 19712102920 DE19712102920 DE 19712102920 DE 2102920 A DE2102920 A DE 2102920A DE 2102920 A1 DE2102920 A1 DE 2102920A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
aluminum
vacuum bell
bell jar
oxygen
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712102920
Other languages
English (en)
Inventor
Richard C G North Palm Beach Penton Jack I West Palm Beach Fla Swann (V St A )
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche ITT Industries GmbH filed Critical Deutsche ITT Industries GmbH
Publication of DE2102920A1 publication Critical patent/DE2102920A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02258Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by anodic treatment, e.g. anodic oxidation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02244Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of a metallic layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)

Description

Deutsche ITT Industries GmbH. R.C.G. Swann et al 14-3 78 Freiburg i.B.,Hans-Bunte-Str.19 Pat.Go/Th. - Fl 665
21. Januar 1971
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG
FREIBURG I.B.
Verfahren zum Eloxieren von Aluminium
Die Priorität der Anmeldung Nr. 5,640 Gruppe 114 in den Vereinigten Staaten von Amerika vom 26. Januar 1970 wird beansprucht.
Die Erfindung nimmt Bezug auf ein Verfahren zum Eloxieren von Aluminium und die Herstellung von Metall-Oxyd-Halbleiterbaueleraenten unter Verwendung von Aluminiumdioxyd als Gitter-Isolator.
Gleichstrom-Eloxiervorrichtungen, welche Verwendung von inneren Elektroden und hohen Gleichstrompotentialen machen, wurden von Miles und Smith in "The Journal of the Electro-Chemical Society" (Dezember 1963) und von Waxman und Zainunger in "Transistor Electronic Devices" (April 1969) beschrieben. Es wurde jedoch gefunden, daß die zur Ionisierung von Sauerstoff verwendeten inneren Elektroden sprühen und möglicherweise Verunreinigungsmaterial zerstäuben, welches auf die Oberfläche des zu eloxierenden Substrats abgeschieden werden kann. Dies kann besonders schädlich sein, wenn das zu eloxierende Material Aluminium ist, welches vorher auf einen Halbleitergrundkörper abgeschieden wird, wobei diese Verunreinigungen durch das Aluminium diffundieren und in schädlicher Weise die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterkörpers verändern können.
109833/1760
Fl 665 ■ R.C.G. Swann et al 14-3 :
Bei Metall-Oxyd-Halbleiterbauelementen, welche Verwendung von Siliciumdioxyd als Gitter-IsolationsmateriaT inachen, bildet sich eine positive Ladung an der Zwischenfläche zwischen dem Silier iumhalbleiterkör per und dem Siliciumdioxydisolator aus. Die Ausbildung einer positiven Ladung macht das Anlegen eines negativen Potentials an die Gitter-Elektrode zum Betrieb des Bauelementes erforderlich. Aluminiumoxyd ergibt dagegen eine negative Ladung an der Silicium-Isolator-Zwischenflache, was die Herstellung von n-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isolierter Gitterelektrode vom Anreichungstyp möglich macht. Diese Bauelemente haben zwei Hauptvorteile gegenüber den gegenwärtigen p-Kanal-Feldeffekttransistoren mit isolierter Gitter-Elektrode (IGFETS), d.h. 1. vollständige Austauschbarkeit bezüglich den Spannungspolaritäten von bipolaren integrierten Schaltungen und 2. doppelte Geschwindigkeit bezüglich den gegenwärtig hergestellten p-Kanal-Bauelementen.
Ein verbessertes Verfahren zum Eloxieren von Aluminium ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung.
Ferner soll ein Verfahren zum Eloxieren einer Aluminiumschicht auf einem Halbleitergrundkörper ohne nachteilige Beeinträchtigung der elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials angegeben werden.
Ein weiteres Ziel ist ein Metall-Oxyd-Halbleiterbauelement, welches zum Betrieb das Anlegen eines positiven Potentials an die Gitter-Elektrode benötigt.
Ferner soll durch die Erfindung die Möglichkeit der Herstellung eines Metall-Oxyd-Halbleiterbauelementes mit Aluminiumoxyd als Gitter-Isolator geschaffen werden.
109833/1760
- 21Q292Q
Fl 665 ' R.C.G. Swann et al 14-3
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Eloxieren von innerhalb einer Vakuumglocke angeordnetem Aluminium. Die vorstehend genannten Herstellungsprobleme werden erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß innerhalb der Sauerstoff enthaltenden Vakuumglocke mittels einer elektrodenlosen Glimmentladung die Erzeugung von negativ ionisierter Sauerstoffmolekühle angeregt wird, daß zum Abscheiden der negativen Ionen aus der Vakuumglocke unter Erzeugung eines Flusses der negativen Ionen quer durch das Aluminium ein positives Potential an das Aluminium angelegt wird und daß durch teilweise Reaktion mit den Ionen unter der Oberfläche liegende Teile unter Bildung von Aluminiumoxyd eloxiert werden. Ferner gibt die Erfindung die Herstellungsmöglichkeit für ein i Metall-Oxyd-Halbleiterbauelement mit Emitter- und Kollektorzone des einen Leitfähigkeitstyps innerhalb eines Siliciumkörpers des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und einer dielektrischen Schicht aus Aluminiumoxyd auf der Oberfläche des Siliciumkörpers, welche sich zwischen der Emitter- und Kollektorzone unter Ausbildung einer negativen Zwischenflächenladung zwischen der dielektrischen Schicht und dem Siliciumkörper erstreckt, und einer auf der dielektrischen Schicht angeordneten Gitter-Elektrode, an die ein die Schwellspannung des Bauelements übersteigendes Signal von positivem Potential zum Betrieb des Bauelements angelegt werden muß.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, " in der
die Fig. 1 die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung zum Eloxieren von Aluminium, die Fig. 2 eine Form eines zu eloxierenden Substrats und die Fig. 3 ein Metall-Oxyd-Halbleiterbauelement zeigen,
welches von Aluminiumdioxyd als Gitter-Isolator Verwendung macht.
109833/1760
BAD ORIGINAL
Fl 665 R.C.G. Swann et al 14-3
Die Vorrichtung gemäß der Fig. 1, anhand derer das bevorzugte Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben werden soll, enthält eine normale Vakuumglocke "1, eine Tragsäule 2 und einen Auflagetisch 3 innerhalb der Vakuumglocke, auf den die Substrate 4 aufgelegt werden können. Die Grundplatte der Vakuumglocke kann bei 11 geerdet werden. Die Substrate 4 können einfach ein Streifen aus Aluminium oder ein Halbleiterkörper mit einer darauf angeordneten Aluminiumschicht sein. Die Elektrodenwindungen 5 werden außerhalb der Vakuumglocke angeordnet und mit der Energiequelle 6 verbunden. Die Energiequelle 6 kann aus einem Hochfrequenzgenerator mit einer Betriebsfrequenz im Radiofrequenabereicht, d.h. oberhalb von 10 kHz, innerhalb eines Spannungsbereichs von 1 kV bis 5 kV, bestehen. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel war die Betriebsfrequenz 1 MHz und die angelegte Spannung lag zwischen 2 und 3 kV. Diese Betriebsfrequenz und die angelegte Spannung ergibt die Anregungsenergie zur Erzeug ingeiner Glimmentladung innerhalb der Vakuumglocke. Diese Entladung erwirkt die Anregung zur Ionisierung von Sauerstoffgas, welches vom Sauerstoffeinlaß 7 in die Vakuumglocke geülasen wurde,
Beim praktischen Betrieb wird die Vakuumglocke unter Verwendung einer Vakuumpumpe an 8 auf einen Druck von weniger als 10 ,um Quecksilbersäule evakuiert. Dann wird durch den Einlaß 7 Sauerstoff zur Einstellung eines Druckes von etwa 1/2 mm eingelassen. Als nächstes wird der Energiequellengenerator 6 auf eine Spannung von etwa 2 bis 3 kV und einer Frequenz von oberhalb 1 MHz zur Anfachung der Glimmtentladung gebracht. Diese Glimmentladung ergibt die Energie, um die Sauerstoffmoleküle in der Atmosphäre der Vakuumglocke negativ zu ionisieren. Nunmehr muß das Gleichstrompotential 9 entweder unmittelbar an das Substrat 4 oder über den Halter 2 und den Tisch 3 an das Substrat 4 angelegt werden. Das Substrat 4 kann in Form eines Halbleiterkörpers 10
• - 5 -
109833/1760
- 5 Fl 665 R.C.G. Swann et al 14-3
vorliegen und eine Aluminiumschicht 11 auf dem Halbleiterkörper gemäß der Fig. 2 gebildet sein. Das positive Gleichstrompotential sollte etwa 200 bis 300 V betragen. Sein Hauptzweck ist die Entziehung der negativen Sauerstoffionen aus der Atmosphäre der Vakuumglocke. Das positive Gleichstrompotential zieht die negativen Sauerstoffionen zur Oberfläche des Substrats 4 an und bewirkt einen Ionisationsstrom durch das Substrat 4 und Potentialquelle 9 zur Erdung 10. Zur Erleichterung der Überwachung des durch, die Potentialquelle 9 zur Erdung 10 fließenden Ionenstroms ist zur Ausfilterung des Hochfrequenzsignals zwischen der Gleichstrompotentialquelle 9 und dem Substrat 4 ein Filter 20 eingefügt. Zunächst wird die Oberfläche des Substrats 4 oxydiert, sobald J einige der negativen Ionen mit der Aluminiumoberfläche unter Bildung einer Haut aus Aluminiumdioxyd reagieren. Mit fortlaufendem Prozeß diffundieren die negativen Sauerstoffionen durch das Oberflächenoxyd und reagieren im fortlaufenden Prozeß mit den darunter-* liegenden Aluminiummolekülen. Bei Verwendung der Frequenz und des Potentials, wie oben erwähnt, setzt sich der Eloxierprozeß mit einer Geschwindigkeit vom 100 R/Min fort bis entweder das Gleich-1 strompotential oder die Anregungsspannung des Anregungsfeldes abgestellt wird.
Da die durch dieses Verfahren gebildete Aluminiumdioxydschicht eine negative Ladung zwischen sich und einem Siliciumkörper an ihrer Zwischenfläche ergibt, kann diese Eigenschaft in vorteil- f hafter Weise bei einem Metall-Oxyd-Halbleiterbauelement gemäß der Fig. 3 ausgenutzt werden. Dies kann erreicht werden, indem in einem p-leitenden Siliciumkörper Emitterzone 13 und Kollektorzone 14 von entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp gebildet werden. Unter Anwendung der oben beschriebenen elektrodenIosen iohisie* rungstechiiik kann darauf die Aluminiumdioxydschicht 1!> von etwa lOOO bis 10.000 $ hergestellt werden. Unter Anwendung herkömmlicher Verfahren- der Photolithographic, des Ätzens und der Me-
109833/ 1760
- 6 Fl 665 R.C.G. Swann et al 14-3
tallisierung zum Abscheiden von Aluminium, Gold oder eines anderen geeigneten Kontaktmetalls durch Löcher in der Aluminiumdioxydschicht 15 können an die entsprechenden Emitter- und Kollektorzonen die Emitterelektrode 16 und die Kollektorelektrode 17 angebracht werden. Auf jenem Teil der Aluminiumdioxydsehicht 15, der den zwischen der Emitter- und Kollektorzone sich erstreckenden Gitter-Isolator 19 darstellt, kann wiederum unter Anwendung herkömmlicher Metallisierungsverfahren die Gitter-Elektrode 18 aufgebracht werden. Dieses Bauelement kann angemessen in Verbindung mit Systemen verwendet werden, welche zum Betrieb des Bauelements die Verwendung eines positiven Steuerpotentials an der Gitter-Elektrode 18 erforderlich machen, da gefunden wurde, daß eine negative Zwischenflächenladung von 2,5 χ 10 Ladungen pro cm bei diesem Äusführungsbeispiel an der Zwischenfläche zwischen der Aluminivundioxydschicht und der Siliciumflache vorhanden ist.
109833/1760

Claims (5)

  1. ?r
    Fl 665 R.C.G. Swann et al 14-3
    PATENTANSPRÜCHE
    Verfahren zum Eloxieren von innerhalb einer Vakuumglocke
    angeordnetem Aluminium, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb der sauerstoffenthaltenden Vakuumglocke mittels einer elektrodenlosen Glimmentladung die Erzeugung von negativ
    ionisierten Sauerstoffmolekülen angeregt wird, daß zum Abscheiden der negativen Ionen aus der Vakuumglocke und der
    Erzeugung eines Flusses von negativen Ionen quer durch das Aluminium ein positives Potential an das Aluminium angelegt wird und daß durch teilweise Reaktion mit den Ionen sukzessiv unter der Oberfläche liegende Teile unter Bildung von Aluminiumoxyd eloxiert werden»
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Sauerstoff bei einem Druck von 1/2 mm Quecksilbersäule in die
    Vakuumglocke eingelassen wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrodenlose Glimmentladung durch Anlegen eines Hochfrequenzsignals an außerhalb der Vakuumglocke angeordneten
    Elektroden angefacht wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz des Hochfrequenzsignals 1 MHz bei einer Spannung ' von etwa 2 bis 3 kV beträgt.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleichstrompotential etwa 200 bis 300 V beträgt.
    109833/1760
    Fl 665 ■ R.C.G. Swann et al 14-3
    6t Anwendung eines Verfahrens nach Ansprüchen 1 bis 5 zum Herstellen einer dielektrischen Schicht aus Aluminiumdioxyd zwischen einem Siliciumkörper und einer Gitter-Elektrode eines Metall-Oxyd-Halbleiterbauelements mit der dielektrischen Schicht aus Aluminiumdioxyd zwischen einer Emitter-und einer Kollektorzone des einen Leitfähigkeitstyps, an welche Gitter-Elektrode ein positives Potential oberhalb einer Schwellspannung zum Betrieb des Bauelements gelegt werden muß.
    109833/1760
DE19712102920 1970-01-26 1971-01-22 Verfahren zum Eloxieren von Aluminium Pending DE2102920A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US564070A 1970-01-26 1970-01-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2102920A1 true DE2102920A1 (de) 1971-08-12

Family

ID=21716924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712102920 Pending DE2102920A1 (de) 1970-01-26 1971-01-22 Verfahren zum Eloxieren von Aluminium

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS4949100B1 (de)
AU (1) AU2295970A (de)
DE (1) DE2102920A1 (de)
FR (1) FR2077336A7 (de)
NL (1) NL7100968A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53146000U (de) * 1977-04-20 1978-11-17
GB2458507A (en) 2008-03-20 2009-09-23 Tecvac Ltd Oxidation of non ferrous metal components

Also Published As

Publication number Publication date
NL7100968A (de) 1971-07-28
AU2295970A (en) 1972-06-08
JPS4949100B1 (de) 1974-12-25
FR2077336A7 (en) 1971-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1515294C3 (de) Trioden-Anordnung zur Zerstäubung von Stoffen mittels einer elektrischen Niederspannungsentladung
DE2425382C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren
DE1564963C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Halbleiterbauelements
DE1515323A1 (de) Verfahren zum Erzeugen eines Schutzfilmes auf einer festen Unterlage
DE2303574B2 (de) Verfahren zum herstellen von feldeffekttransistoren mit isolierter gate- elektrode
DE2716143A1 (de) Lichtemittierendes halbleiterbauelement
DE2925667A1 (de) Vorrichtung zur erzeugung von ozon
DE1640486C3 (de) Verfahren zum reaktiven Zerstäuben von elementarem Silicium
US2530546A (en) Electrophoretic deposition of insulating coating
DE1690276B1 (de) Kathodenzerstaeubungsvrfahren zur herstellung ohmscher kontakte auf einem halbleitersubstrat und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE1514359B1 (de) Feldeffekt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1764757B2 (de) Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors mit isolierter gateelektrode
DE1515310A1 (de) Verfahren zum Herstellen gleichfoermiger duenner Schichten hoher Guete aus leitenden oder halbleitenden Materialien und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
EP1568077A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur vorbehandlung der oberflächen von zu bondenden substraten
DE2220086C3 (de) Vorrichtung zur Aufbringung eines Materials
DE2102920A1 (de) Verfahren zum Eloxieren von Aluminium
DE4114769A1 (de) Entladungselement, verfahren zu dessen herstellung und vorrichtung mit dem entladungselement
DE2257649C3 (de) Verfahren zum Bestimmen von fehlerhaften Isolierschichten auf Halbleitern -
DE2449731A1 (de) Aetzverfahren
DE2723933A1 (de) Verfahren zur erzeugung definierter boeschungswinkel bei einer aetzkante
DE2641334C2 (de) Verfahren zur Herstellung integrierter MIS-Schaltungen
DE2820331C3 (de) Dünnschicht-Feldeffekttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3887740T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung, bei dem Photolack von einer Siliciumoxidschicht auf einem Halbleitersubstrat entfernt wird.
DE1515307A1 (de) Verfahren zum UEberziehen der Oberflaeche einer Unterlage mit isolierendem Material durch Zerstaeubung
DE1764756A1 (de) Duennschicht-Feldeffekt-Halbleiterbauelement