DE2056805C - Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung mit einer Flüssigkeitsverdampfungskühlung, bei der die den Hauptstrom führenden Oberflächen des Halbleiterkörpers jeweils mit einer dünnen, elektrisch und thermisch gut leitenden Elektrodenschicht versehen sind.

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Es ist bekannt, daß die Siliziumscheibe eines Lei- ' durch die Poien ein gasförmiges oder flüssiges Kühl-

stunes-Halbleiterbauelementes in guier thermischer mittel zirkulieren läßt. Als flüssiges Kühlmittel kom-

Verbindung zu einer Wärmesenke stehen maß. damit men ζ. B. azeotrope Mischungen wie Alkohol-Wasser

die beim Betrieb entstehenden Wärmemengen abge- in Frage. Die Kühlflüssigkeit kann verdampft und

führt weiden können, um so mehr als die Warme- 5 nach Kondensation durch die Kapillarwirkung wieder

kapazität der Siüziumscheibe sehr klein ist. rezirkuliert werden.

Da gute Wärmeleiter, wie Kupfer, jedoch einen \on Weiter ist es bekannt (deutsches Gebrauchsmuster

Silizium-ehr verschiedenen Wärmeausdehnungskoef- 1767 111), ein Halbleiterelement auf seinen den

fizienter haben, pflegte man wegen der unvJrmeid- Hauptstrom führenden Oberflächen stoffschlüssig mit

liehen iemperaturdifferenz bisher die Siliziumscheibe 10 zwei Metallplatten, insbesondere aus Molybdän, zu

stets zunächst mit einer dicken Metallschicht von verbinden, und diese Metallplatten mittels zu ver-

etwa gk-hem Wärmeausdehnungskoeffizienten, etwa dampfender Flüssigkeiten zu kühlen. Als Flüssigkei-

aus MoMulän cder Wolfram, zu kontaktieren. Diese ten kommen unter"anderem hochfluorierte, elektrisch

Metall;--!rieht wurde dann mit massiven Kupi'erelek- isolierende Flüssigkeiten wie Freon in Betracht. Die

troden - rlötet (z. B. Brown Bover: Mitteilungen 53 15 zu verdampfende Flüssigkeit kann unter dem Druck

[1966] - -ite 628/629) oder mittels einer Einspann- " eines chemisch tragen Gases stehen, wodurch der Sie-

vorric'-.ing druckkontaktiert (z. B. Sck-mia Electrica depunkt einstellbar ist. Auch diese bekannte Anord-

XII F ..4 [1966] Seite 117). Die Mo!\bdän- oder nung weist aber zwischen der Wärmequelle im HaIb-

W'oifr; Schichten bilden aber erhebliche Wärme- leitermaterial und der Kühlflüssigkeit erhebliche ther-

wider-■ "de. ao mische Wärmewiderstände auf.

Nt-., üngs sind auch elektronische Hauelemente Es ist auch bekannt (IBM Technical Disclosure _mit [; npe-Kühlung bekanntgeworden ι Nein Seien- Bull. Band 6, Nr. 2, Juli 1963, Seite 94 bis 95), Tuntist ί -irch 1970, 461), bei"welchen die Wärme neldioden oberhalb von Schichten aus Siliziummondurch rdampfung einer Flüssigkeit abgeführt wird, oxid und Chrom mit einer nicht oxidierbaren Schicht die c 1 die Kapillarwirkung entsprechen.! struktu- 35 aus Kupfer, Silber oder Gold zu bedecken. Bei dierierk schichten rezirkuliert wird. Auch, hier sind sem bekannten Element treten Kühlprobleme nicht aber .-chen Wärmequelle und Kühlmittel noch er- auf.

heb!·.-·. Wärmewiderstände vorhanden. Schließlich ist es noch ganz allgemein aus der

B nem anderen bekannten Vor-.chla- (deutsche Beam-Lead-Technik bekannt (Bell Labs. Record, OnV ungsschrift 1 514551) mit Verdampfungs- 30 1966, S. 299 bis 303), die Oberflächen von Halblei-

lcüh'·. ist der thermische übergangswiderstand terelementen mit Goldschichten zu versehen. Diese

dun. \nordnung einer elektrisch isolierenden Kera- Goldschichten haben aber keine unmittelbare Bezie-

mik icht zwischen Gehäuse und Kühlkörper beson- hung zu Fragen der Kühlung.

der oß. Durch die Wärmewiderstände der bekannten An-V. -.τ ist bekannt (deutsches Gebrauchsmuster 35 Ordnungen sind erhebliche Temperaturdifferenzen

17c >2), ein Leistungs-Halbleitcrbauelement da- innerhalb der Anordnung und starke Restriktionen

dur. 'U kühlen, daß dessen den Hauptstrom füh- bezüglich der abtransportierbaren Wärmemengen un-

ren Oberflächen mit Anschlußplatten, beispiels- vermeidbar, was zu den bekannten technologischen

we·. - aus Molybdän, stoffschlüssig verbunden sind, Schwierigkeiten mit dem Ergebnis einer verkürzten unc: .e Anschlußplatten mit einem zu verdampfen- 40 Lebensdauer oder begrenzten Leistungsfähigkeit der

der· . !ektrisch nicht leitenden Kühlmittel, z. B. hoch- Halbleiter-Anordnung führt.

flu. -rten flüssigen organischen Verbindungen ohne Die Erfindung hat die Aufgabe, Lustungs-Halb-

W;; -rstoff, in Kontakt stehen. Auch bei dfeser An- leiterbauelement-Anordnungen diesbezüglich zu ver-

ordi:mg ist der Wärmewiderstand zwischen Wärme- bessern.

que^::e und Kühlmittel noch erheblich, und es ergeben 45 Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelost, sieh demgemäß die schon weiter oben geschilderten daß bei einer Leistungs-Halbleiterbauelement-Anord-Prnhleme. nung der eingangs geschilderten Art die Elektroden-Weiter ist es bekannt (deutsche Offenlegungsschrift Schichtbereiche, unter denen sich in dem Halbleiter-1955 647), Halbleiterbauelemente dadurch zu küh- körper während des Stiomflusses die Hauptverlustlen. daß man sie mit einer Wärmesenke in thermischen 50 wanne entwickelt, unmittelbar an das zu verdarnp-Kontakt bringt, die aus einem mit einer elektrisch fende flüssige Kühlmittel angrenzen und daß die eleknicht leitenden Flüssigkeit wie Freon gefüllten Gefäß frischen Hauptanschlüsse mit den Elektrodenschichbesteht, welches an seinen Wandungen einen Schirm ten in denjenigen Bereichen in Kontakt stehen, unter mit kapillaren Zwischenräumen aufweist. Diese sor- welchen sich während des Stromzuflusses nicht die gen für eine Rezirkulation der kondensierten Kühl- 55 Ilauptverlustwärmt entwickelt, flüssigkeit der vom Halbleiterelement gebildeten Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus daß Wärmequelle. Damit sich ein gleichmäßiges Sieden die Verlustwärme sich in Halbleiter-Sperrschichtder Kühlflüssigkeit ergibt, ist die mit der Flüssigkeit Strukturen überwiegend nur in dem Raum des HaIbin Kontakt stehende Oberfläche des Gefäßes am Ort leiterkörpers entwickelt, wo Rekombinationen der des Wärmeübergangs vom Halbleiterbauelement zur 60 Ladungsträger stattfinden, bei Thyristoren oder pm-Flüssigkeit mit Kerben versehen. Auch diese bekannte Dioden also im Gebiet der beiden äußeren Zonen-Anordnung weist aber einen hohen Wärmewiderstand übergänge, die in einer Tiefe von etwa 10 bis M) μ zwischen Wärmequelle und Kühlmittel in Form eines parallel zu den beiden den Hauptstrom fuhrenden Stopfens auf, in welchem das zu kühlende Halbleiter- Oberflächen liegen. Auf die Oberflachenbereicrie, element gehaltert ist. 65 durch die diese Verlustwärme strömt, wirkt das Kühl-Weiter ist es bekannt (deutsche Patentschrift mittel unmittelbar ein, während, jedenfalls bei eietc-913 557), Hochleistungswiderstände u.dgl. dadurch irisch nicht oder schlecht leitenden Kühlmitteln αιβ wirksam zu kühlen, daß man sie porös ausbildet und elektrischen Anschlüsse mit der Elektrodenscnicnt in

den restlichen Bereichen verbunden sind. Auf diese tür des Halhlciterelenientes 1 der Strom im weseiu- _unc

Weise werden die Wärmewiderstände zwischen Halb- liehen auf die Bereiche 6 und 7 beschränkt wird. <jer

leiterkörper und Kühlmittel erheblich vermindert und Die Hauptanschlüsse 12> 13 sind voneinander durch _sat

es kann eine ganz beträchtliche Wärmeleistung abge- einen Isolator 14 getrennt. Zur Zündung des Thyri- fl,_e|

führt werden. Dadurch kann das Halbleiterelement 5 stors 1 ist eine Steuerelektrode 15 vorgesehen, die ς

nicht nur mit großer Leistung betrieben werden, ohne durch den Isolator 14 nach außen geführt ist. t,_el"

daß die zulässige Temperatur übersehritten wird, son- Wenn die Rekombination der Ladungsträger 50 μ g_rc

dcrn es wird auch das interne Temperaturgcfälle mi- unter den Oberflächen 2, 3 stattfindet, beträgt für eine ^_εΓ

nimiert, wodurch sich eine Erhöhung der Lebens- Halbleiterscheibe von etwa 25 mm Durchmesser der _: j_m

dauer auf Grund der Vermeidung der thermisch- io Wärrnewiderxtand nach außen etwa 0,65 grd/kW. _tj_nr

mechanischen Beanspruchung ergibt. Eine Elektrodenschicht aus Silbe·- weist bei diesem ' _mj_t

Die Bereiche, in denen sich die Hauptvcrlustwärmc Maß und 130 μ Dicke einen Wärmewiderstand von ^j_e;

entwickelt, können durch geeignete geometrische 0,58 grd/kW auf. Der elektrische transversale Wider- ; _ner.

Strukturen oder geeignete Dotierungen gezielt fest- stund beträgt etwa 10"·« Q. Wird bei diesen Maßen ^₃J

gelegt werden. Die Elektrodenschicht braucht nur so 15 eine Struktur nach F i g. 1 mit Wasser bei 175 C f_a\\

dick zu sein, daß sie einen ausreichend geringen trans- gekühlt, so werden von jeder Oberfläche 2, 3 750 W

versalen elektrischen Widerstand aufweist. Dies ist Wärmeleistung abtransportiert. Mit Methylalkohol p_eJ

für gute Leiter, wie Silber, Kupfer oder Gold schon bei 100 C ergibt sich auf jeder Seite ein Wärmeab- ]

für sehr kleine Dicken, etwa 100 _μ, der Fall. transport von 430 W. _fluj

Die als Kühlmittel wirkende zu verdampfendeFlüs- ao Aus den Zahlenbcispielen ergibt sich, daß die Tem- _Ei_e

sigkeit legt die Betriebstemperatur durch ihren Ver- pcratur innerhalb des Halbleiterkörpers 1 nur wenige _ejgj

dampfungspunkt fest. In den Fällen, in denen die Be- Grad über der Temperatur der gekühlten Oberfläche ^

triebstemperaturen zur Verdampfung von Metallen der Heatpipe liegi.

(z.B. Hg, Cs. Na, K, Si u.dgl.) ausreichen, können In F 1 g. 2 ist ?ine schwerkraftabhängige Anordsolche als Kühlmittel zur Anwendung kommen. Die as nung dargestellt. Der Halbleiterkörper 1, hier eine elektrischen Hauptanschlüsse brauchen dann nicht pin-Diode, also eine Diode mit einer p- und einer mehr zwingend mit den Elektrodenschichten verbun- η-leitenden Außenzone unc! einer hochuhmigen Inden sein, sondern können in das Kühlmittel eintau- nenzone. ist auf seinen den Hauptstroin führenden chen. Die Elektrodenschichten werden dann so aus- Oberflächen 2, 3 wiederum mit dünnen, elektrisch und gebildet, daß sie einen definierten Ohmschen Kontakt 3° thermisch gut leitenden, metallischen Schichten 4, 5, und eine gute Benetzung mit dem Künlmittel gewähr- beispielsweise aus Kupfer, kontaktiert. Der Halbleileisten. Sie können auflegierte Metallschichten oder terkörper 1 ist, wie auch der in Fig. 1, kreiszylinhöchstdotierte Randschichten zwecks Bildung von drisch und rotationssymmetrisch. Die Bereiche, in degenerierten Übergängen sein. welchen die Schichten 4, 5 mit den elektrischen An-Mögliche Ausgestaltungen und Weiterbildungen 35 Schlüssen 12,13 verbunden sind, liegen hier übci der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekenn- ringförmigen Randzonen 18,19 des Halbleiters, in zeichnet. welchen dieser schwächer dotiert ist. Auf diese Weise Oie Erfindung wird an Hand von Ausführungsbei- werden die Stromlinien in die Halblciterbcrciche spielen in den Figuren erläutert. Hierbei zeigt außerhalb der Randzonen 18,19 gedrängt, so daß die F i g. 1 eine Anordnung, die schwerkraftunabhän- 4° Hauptverlustwärme dicht unterhalb der Elektrodengig ist. da die verdampfte Kühlflüssigkeit mittels einer Schichtbereiche 6. 7 entsteht. Statt die Randzonen 18. Kapillarstruktur rezirkuliert wird, und 19 schwächer zu dotieren, können in diesen auch Fig. 2 eine Anordnung, bei welcher die Rezirku- kompensierend wirkende Dotierungsstoffe entgegenlation der Kühlflüssigkeit durch die Schwerkraft er- gesetzter Polarität vorgesehen werden, folgt. 45 Die Bereiche 6, 7 der Elektrodenschichten 4, 5 stein F i g. 1 ist ein Vierschicht-Halbleiterkörper 1 hen in unmittelbarer Verbindung mit der Kühlflüssigdargestellt, ein Thyristor, welcher an seinen den keit 24, die sich in einem wie dargestellt gestalteten Hauptstrom führenden Oberflächen 2, 3 mit dünnen. Gefäß befindet und die elektrischen Anschlüsse 12. elektrisch und thermisch gut leitenden, metallischen 13 über öffnungen 20, 21 durchtreten kann. Die be-Schichten 4, 5, beispielsweise aus Silber, stoffschlüssig 5° schriebene Anordnung befindet sich in einem Behälkontaktiert ist. Der Halbleiterkörper 1 weist im Quer- ter 22, der oben mit Kühlrippen 23 versehen ist. Die schnitt ein Fischschwanzprofil, das heißt, an seinem elektrischen Anschlüsse 12,13 sind symbolisch mit Rand eine Einkerbung, auf. Dadurch entwickelt sich Ableitungen 25, 26 versehen. Das Gefäß 22 wird die Hauptverlustwärme dicht unter den Oberflächen unten durch eine isolierende Bodenplatte 27 abge-2, 3 im wesentlichen in den Bereichen 6 und 7. Diese 55 schlossen.

Bereiche 6, 7 werden duroh eine in den voneinander Bei elektrischer Belastung des Halbleiterkörpers 1

getrennten Hohlräumen 8, 9 befindliche zu verdamp- wird die Flüssigkeit 24 an den Schichten 4, 5 in den

fende Flüssigkeit gekühlt, die durch Schichten 10,11 Bereichen 6, 7 verdampft. Die Flüssigkeit weist

mit Kapillarstruktur jeweils zu den Bereichen 6, 7 re- zweckmäßigerweise eine geringe Oberflächenspan-

zirkuliert wird. Die Anordnung ist also im wesent- 60 nung gegenüber ihrer Dampfphase auf. Dadurch kön-

lichen schwerkraftunabhängig. nen keine großen zusammenhängenden Blasen die zu

In den nach Abzug der Bereiche 6, 7 verbleibenden kühlenden Oberflächen bedecken und die Geschwin-

Bereichen 16,17 sind die Elektrodenschichten 4. 5 digkcit des Wärmeabtransportes wird weiter verb s

mit uen gleichzeitig als mechanische Halteelemente sert. Zur Vermeidung eines etwaigen Siedever.'v.szes

dienenden Hauptanschlüssen 12,13 durch Lötung 65 sind die Schichten 4. 5 mindestens in ihren Berei-

oder Druckkontaktierung verbunden. Unterhalb die- eher, 6, 7 an der Oberfläche rauh,

ser ringförmigen Bereiche entwickelt sich praktisch Die an den Bereichen 6, 7 gebildeten Dampfbläs-

keine Verlustwarme, da durch die geometrischeStruk- chen perlen durch die öffnungen 20, 21 nach oben

und werden an der Wand des Behälters 22 im Bereich der Kühlrippen 23 wieder kondensiert. Das Kondensat kann dann wieder in die Flüssigkeit 24 zurückfließen.

Sehr zweckmäßig ist die Anwendung der Erfindung bei Thyristoren mit Emitterkurzschliissen (vgl. z. B. Brown Boveri Mitteilungen 53 [1966] S. 616). Bei derartigen Thyristoren wird die Hauptver!ustwärme im Bereich der Emitterzonen gebildet, und es wird dann die Elektrodenschicht in diesen Bereichen unmittelbar mit dem Kühlmittel beaufschlagt. Die verbleibenden Bereiche der Elektrodenschicht, unter denen also eine innere Zone an die Oberfläche tritt, sind dann für die elektrischen Anschlüsse und gegebenenfalls mechanische Halteelemente vorgesehen.

Zur Vermeidung eines Siedeverzuges können auch Feststoffe in der Kühlnüsigkeit suspendiert sein.

Im in F i g. 2 dargestellten Fall muß die Kühlflüssigkeit ein elektrischer Isolator sein, damit die Elektroden 12,13 nicht kurzgeschlossen werden. Geeignet sind beispielsweise fluorierte organische Verbindungen. In der Flüssigkeit können dann auch wei

tere zu kühlende Elemente untergebracht werden, beispielsweise weitere Dioden oder Thyristoren, die mit dem dargestellten Element 1 verschaltet sind, oder Trigger-Elemente.

In der in F i g. 1 dargestellten Anordnung künneii die verwendeten Kühlflüssigkeit.^ elektrisch leitend sein, beispielsweise Wasser, Ammoniak oder Alkohole, oder, wie oben geschildert, bei der Betriebstemperatur verdampfende Metalle.

to Die Wärmeleistungsabfuhr wird weiter verbessert, wenn thermisch dissoziierbare Kühlflüssigkeiten verwendet werden. Beispielsweise besteht in dem System HjO/NH, eine starke Bindung zwischen den Komponenten, die nur unter hohem Wärmeverbrauch aufbrechbar ist.

Statt chemischer Verbindungen können auch Flüssigkeitsgemische, insbesondere azeotrope, für die Kühlnüssigkeit verwendet werden. Wie aus der Heatpipe-Technik bekannt, können inerte Gase in den die

ao Kühlflüssigkeit enthaltenden Räumen die Temperatur der zu kühlenden Oberfläche für einen breiten Wertebereich von Wärmeströmen stabilisieren.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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Claims (19)

Patentansprüche:

1. Leistungs-Haibleiterbauelement-Anordnung mit einer Flüssigkeitsverdampfungskühiung. bei. der die den Hauptstrom führenden Oberflächen des Halbleiterkörpers jeweils mit einer dünnen, elektrisch nd thermisch gut leitenden Elektrodenschicht versehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenschichtbereiche (6, 7), unter denen sich in dem Halbleiterkörper (1) während des Stromflusses die Hauptverlustwärme entwickelt, unmittelbar in das zu verdampfende, flüssige Kühlmittel angrenzen und daß die elektrischen Hauptanschlüsse (12, 13) mit den Elektrodenschichten (4, S) in denjenigen Bereichen (16, i⁷) in Kontakt stehen, unter weichen sich während des Stromflusses nicht die Hauptverlustwärme entwickelt.

2. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenschichtbereiche (6, 7), unter denen sich während des Stromflusses, die Hauptverlustwärme entwickelt, durch eine geeignete geometrische Struktur des Halbleiterkörpers (1) festgelegt sind.

3. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung nach Ansprucn 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenschichtbereichc (6, 7), unter welchen sich während des Stiomflusses die Hauptverlustwärme entwickelt, durch geeignete Dotierungsmaßnahmen (18, 19) im Halbleiterkörper (1) festgelegt sind.

4. Leistungs-Halbleiteibauelement-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicken der Elektrodenschichten (4, 5) nur so groß sind, wie zur Erzielung eines ausreichend geringen transversalen elektrischen Widerstandes nötig ist.

5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenschichten (4, 5) aus Silber, Kupfer oder Gold bestehen und eine Dicke der Größenordnung 100 μ aufweisen.

6. Leistungs-Halbleiterbaueiement-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Kühlmittel eine elektrisch leitende Flüssigkeit vorgesehen ist und die elektrischen Hauptanschlüsse mit den Elektrodenschichten gegebenenfalls nur über dieses Kühlmittel in elektrischem Kontakt stehen.

7. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Kühlmittel flüssige Metalle Verwendung finden, die bei der Betriebstemperatur des Halbleiterbauelements verdampfen.

8. Leistunj's-Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die verdampfte Flüssigkeit durch eine Schicht (10, 11) mit Kapillarstruktur zu den zu kühlenden Elektrodenschichtbereichen (6, 7) des Halbleiterkörpers (1) zurückgeführt wird.

9. Leistungs-HalWeiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) an seinem Rand eine oder mehrere Einkerbungen aufweist, und die gleichzeitig als mechanische Halteelemente dienenden elektrischen Hauptanschlüsse (12,13) mit ücr Elektrodenschicht (4, 5) nur in den Bereichen

(16. 17) verbunden sinü, die über den Einkerbungen liegen.

10. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, d:*.ß die dt"n Hauptstrom führenden Oberflächen des Halbleiterkörpers (1) in den für die elektrischen Hauptanschlüsse (12,13) vorgesehenen Bereichen (18, 19) schwächer oder invers dotiert sind.

11. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnunn nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, da<5 die Elektrodenschichten (4, 5) zur ErleidUeruru der Dampfblasenbildung in den zu kühlenden Bereichen (6, 7) eine rauhe Oberfläche aufweisen.

12. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnui); nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, d::l in der zu verdampfenden Flüssigkeit zwecks erleichterter Bildung von Dampfblasen FeststoiV suspendiert sind.

13. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnt:·: nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet. d;u die zu verdampfende Flüssigkeit ein elektrisch..: Isolator ist.

14. Leistung?- Halbleiterbauelement-Anordmü _ nach Anspruch I₁ dadurch gekennzeichnet, d ; zur Kühlung an Stelle der zu verdampfenden FIi; sigkeit eine bei der Betriebstemperatur des HaK leiterbauelements dissoziierbare Flüssigkeit Vc. wendung findet.

15. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnu!' nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, <.'.-... als dissoziierbare Flüssigkeit eine wäßrige Amm niaklösung zur Anwendung kommt.

16. Leistungs-Halbleiterbauelement-Ancrdnuinach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, da die zu verdampfende Flüssigkeit gegenüber ihr... Dampfphase eine geringe Oberflächenspannur hat.

17 Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnui■■·.. nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, d;r die zu verdampfende Flüssigkeit eine azeotrop. Mischung ist.

IS. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, drivin dem die zu verdampfende Flüssigkeit entha! tenden Raum zwecks Stabilisierung der Temperatur ein inertes Gas vorgesehen ist.

19. Leistungs-Halbleiterbauelement-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daü das zu kühlende Halbleiterbauelement ein Thyristor mit Emitterkurzschlüssen ist und die Hauptanschlüsse in den Bereichen mit der Elektrodenschicht verbunden sind, wo die innere Zone an die Oberfläche tritt, während die Bereiche der Elektrodenschicht, unter denen die Emitterzonen liegen, unmittelbar mit dem zu verdampfenden Kühlmittel beaufschlagt werden.