DE2035703C3 - Verfahren zur Verbesserung der Strahlungsresistenz von Siliziumtransistoren mit Siliziumoxiddeckschicht - Google Patents

Verfahren zur Verbesserung der Strahlungsresistenz von Siliziumtransistoren mit Siliziumoxiddeckschicht

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DE2035703C3 DE2035703A DE2035703A DE2035703C3 DE 2035703 C3 DE2035703 C3 DE 2035703C3 DE 2035703 A DE2035703 A DE 2035703A DE 2035703 A DE2035703 A DE 2035703A DE 2035703 C3 DE2035703 C3 DE 2035703C3
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Description

55
Die Erfindung betrifft ein Verfahren /ur Verbesserung der Strahllingsresistenz von Sili/itimlraiisisloren mit Siliziumoxiddcckschicht, bei dem ein Transistor oder eine Siliziumscheibe mit mehreren Transistor-Strukturen einer die Grenzschicht zwischen Silizium und Siliziumoxiddcckschicht erreichenden Elektronen-Strahlung ausgesetzt wird und erwärmt wird.
Erdsatelliten und andere Raumfahrzeuge sind während ihres Einsatzes der Einwirkung von Partikel- und Quantcnstrahlung ausgesetzt. Beispielsweise tritt im Bereich des Strahlengürtels der Erde, des sogenannten Viui-Allen-Giirtels., eine durchdringende Protonen- und Elektrotienstmhlung auf. Transistoren, die in solchen Raumfahrzeugen Anwendung finden, sind durch diese Strahlung besonders gefährdet, da die elektrischen Kenndaten der Transistoren durch die unter Strahlungseinwirkung auftretende Ionisierung verändert werden. Insbesondere die Stromverstärkung der Transistoren kann unter Sirahlungseinwirkung stark abnehmen. Ähnliche Verhältnisse können auch bei der Anwendung von Transistoren bei Teilchenbeschleunigern, Kernreaktoren, Röntgenanlagen und anderen Anlagen auftreten, bei denen ionisierende Strahlung entsteht. Um eine zu starke Funklionsminderung der mit den Transistoren bestückten Schaltungen zu verhindern, seilten die Transistoren daher eine möglichst hohe Strahlungsresistenz besitzen.
Durch einen Aufsatz in der Zeitschrift »IEEE Transactions on Nuclear Science«, Bd. NS-16 (1969), Heft 6, S. 195 bis 202, ist bereits ein Verfahren bekannt, bei dem MOS-Transistoren einer niederenergetischen Elektronenstrahlung von 1 bis 20 keV ausgesetzt werden, welche die Grenzschicht zwischen der SiIiziumoxidschicht und dem Siliziunisubstrat des MOS-Transistors erreicht. Dieses Verfahren dient jedoch lediglich /ur Untersuchung des Einflusses von Elektronenstrahlung auf MOS-Transistoren und hat eine Verschlechterung der Eigenschaften der MOS-Transistoren, nicht aber eine Verbesserung von deren Strahlungsresistenz, zur Folge.
Ferner" ist durch die LISA.-Patentschrift 2 891 203 ein Verfahren bekannt, bei welchem die Oberfläche eines Sili/iumkörpers in einer Sauerstoffatmosphäre mit Sauersioffionen bestrahlt und dabei gleichzeitig auf Temperaturen bis zu 300 C erwärmt wird. Dieses Verfahren ist jedoch kein Verfahren zur Behandlung von Sili/iumtraiisisloren mit Siliziumoxiddeckschicht. sondern dient zur Erzeugungeiner inerten Schutzschicht auf der Oberfläche des Sili/iumkörpers. der dann insbesondere als Halbleiterkörper für einen Punklkontaklgieichrichter verwendet werden kann.
In der deutschen Patentschrift 1 904 763 ist bereits ein Verfahren zum Behandeln von Siliziumtransistoren mit Siliziumoxiddcckschichten vorgeschlagen, bei dem der Transistor einer ionisierenden Röntgen-, Gamma- oder Elektronenstrahlung so hoher Energie ausgesetzt wird, daß die Sili/iumoxiddeckschicht wenigstens von einem Teil der Strahlung durchdrungen wird. Hei diesem Verfahren wird der Transistor einer wiederholten Folge von Bestrahlung und elektrischer Belastung der pn-tJbergänge ohne Strahlungseinwirkung unterworfen, wobei ti ic verwendete Strahlungsdosis im Bereich .'.wischen K)1 und H)9 rad liegt und wobei infolge uer elektrischen Belastung eine Sperrschichttemperalur /wischen etwa 50 bis 250 C auftritt. Die elektrische Belastung kann dabei auch während der Bestrahlung andauern.
Dieses bereits vorgeschlagene Verfahren liefert /war gute Ergebnisse hinsichtlich der Verbesserung der Strahliing^rchiitcnz von Sili/iumtransisioren mit SiIi-/iumoxiddeckschicht, ist jedoch wegen der erforderlichen mehrfachen Bestrahlung und elektrischen Belastung ohne Sirahlungseinwirkung noch verhältnismäßig aufwendig.
Aufgabe der Erfindung ist es, die Verbesserung der Strahlungsresistcnz von Siliziumtransistoren mit SiIi-/iumoxiddeckschicht gegenüber dem bereits vorgeschlagenen Verfahren weiter zu vereinfachen und in ihrer Wirksamkeit noch zu erhöhen.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei dem eingangs genunnten Verfahren erfindungsgemäß der Transistor 'oder die Siliziumscheibe während der Bestrahlung mit Elektronen einer Energie unterhalb von 150 keV und einer Dosis an der Grenzschicht zwischen Silizium und Siliziumoxiddeckschicht zwischen 10e und 10'-rad auf einer Temperatur zwischen 150 und 45OrC gehalten.
Das erfindungsgemäße Verfahren weist eine Vielzahl von Vorteilen auf. Es erfordert gegenüber dem bereits vorgeschlagenen Verfahren nur eine einzige Bestrahlung und ist daher wesentlich vereinfacht und für eine Einschaltung in den Fertigungsprozeß der Transistoren noch besser geeignet. Ferner kann es, je nachdem wie ^er pertigungsprozeß dies erlaubt, an verschiedenen Stellen des Fertigungsprozesses eingeschaltet werden. Es können sowohl fertige Transistoren, zweckmäßigerweise bei noch offenem Gehäuse, als auch bereits Siliziumscheiben bestrahlt werden, die eine Vielzahl von Transistorstrukturen enthalten und noch nicht in ein/eine Transistoren aufgeteilt sind. Die Bestrahlung solcher Siliziumscheiben kann ferner vor oder nach dein Aufbringen der elektrischen Ko itakte auf die Tni'isistorstrukturen erfolgen.
Li ist zwar bereits bekannt, daß bei Siliziumplanartrai"Listoren die bei Einwirkung einer ionisierenden Sti..hlung niedrigerer Strahlungsdosis auftretende Abna'mne der Stromverstärkung in vielen Fällen durch eine nach der Strahlungscinwirkung erfolgende Wärmebehandlung oder elektrische Belastung insbesondere de- Emitter-Basis-Überganges des Transistors in Durchlaßrichtung teilweise oder sogar vollständig wieder usgeheilt werden kann (IEEE Transactions on Nu.iear Science, Bd. N 5-13, 1966, Heft 6, S. 188 bi·- 196 u. 197 bis 206). Völlig überraschend ist es jed'i'.h, daß bei Einwirkung von Strahlungsdosen zwischen IO9 und 1012 rad und gleichzeitiger Erhitzung der Transistoren auf Temperaturen zwischen 150 bis 4*0 C die Ionisationsschä«1:gungen ausgeheilt werden können und darüber hinaus gleichzeitig die Strahlur^-resistenz der Transistoren erheblich erhöht wird. Während zu erwarten war, daß he. so hohen Strah-
Trann, zeigte
45 schicht hindurch bis in die Grenzschicht ^ Siliziumoxid-Deckschicht und Silizium einörl^\; 7 tronenstrahlung mit Energien von mehr als lau sev-m nicht geeignet, da bei so h?he" ^2" "™ j"s Schädigungen im Inneren des ^"»"/"^Pf" u Transistors durch Verlagerung von Gitteraitomen au tretende, ^-^
oxid-Deckschicht nicht mehr zu durchdringe sein Die erforderliche StrahlunEsdos.s z^^hen £,. j 10'* rad muß an der Grenzschicht zw sehen S.l.zium und Siliziumoxid-Deckschicht erreicht werden. M.t großer Wahrscheinlichst *™* ί^Γ^Χ£ Strahlungsres.stenz auf einer durch das eriiwaung gemäße Verfahren erzielten VernnincieruriB der ^on zentration vonGrenzflächenzustandenand.eserGrenz
schicht. fertieen bipolaren
Um be. der Bestrahlung von fertigerι wpo Transistoren die üblichen Trans.sto ^runge^ und -anschlüsse verwenden zu können fl « ™r f j den Transistor während d,r Bestrahlung nur a me Temperatur zwischen 150 und 300> L zue Dabei w,rd zwar m jedemiFa.ltr eme. y^™^ Strahlungsres.stenz errej=ht Jedoch b ständen die Geiahr, daß die be. der betende Strahlungsschad.gung durch^ nicht vollstand.g,ausgeheIt ».rd ° ^aU der nach der Behandlung cine.a.*as. ^'"t™ taml Eine Stärkung aufweist als im ^^£f^ kann vö l.ge Aushebung der ^^"g^chad *J g jedoch auch η diesem ηicdrigeη emp , jch.
m,t_ S.cherhe.t d^^^^Emitter- und zeitig m.t der Bestrahlung ζ*'^ρεη Baisanschluß ^s Trans.stors emej ^ in Durchlaßrichtung angelegt vmU υ Ρ
soll mogl.chs hoch sem der ^ch«zulJ f ht über. wert des Bas.sstromes soll dabei jedocn
schritten werden. Piner elektrischen Span-
Durch -satzhches Antegern«ne^k d^Ä£n^tor. nung in Du^rchlaßr.chtung zwischen oem
und dem B«'Mn*^des J™"^«' hochstzulass,^"^.^^f^ len können zu-
Stiahlungsresislenz der Transistoren besonders stark verbessert wird. Als besonders vorteilhaft haben sich dabei Strahlungsdoocn zwischen 5 · 109 und 2 · 1010 rad ervv ies.cn.
Die Verbesserung der Strahlungsrcsistenz der Transistoren zeigt sich insbesondere darin, daß die Strcmverstärkung eines nach dem crfindungsgemäßcn Verfahren behandelten Transistors bei einer Testbestrahlung nur auf einen Wert absinkt, der wesentlich größer ist als der Wert, auf den die Stromverstärkung des Transistors ohne Behandlung nach dem criindungsgemäßen Verfahren bei einer gleichen Tcstbeslrahhmg absinkt. Unter Stromverstärkung ist hierbei jeweils die statische Stromverstärkung, d. h. der Quotient aus Kollektorstrom und Basisstrom zu verstehen, der die wichtigste Kenngröße eines Transistors darstellt.
Die Energie der anzuwendenden Elektronenstrahlung hängt von der Dicke der Siliziumoxid-Deckschicht des Transistors bzw. der Siliziumscheibe ab. Die Energie sollte dabei entsprechend der bekannten Encrgie-
··■ ■■ . ... 1 ._ .4..η a:„ schaden günstig ^"f'ug ^„,."Vransistoren unter Be. der Bes rahlung b polarer , ra .^^
^^^J^^ 250" C als vorteil-
haft erwiesen. Bestrahlung von Silizium-
l^^J^^S^nai nicht oder nur
scheiben m.t Tra"SISt""™ , Aufwand elektrisch
m.t sem großem appara ·ν=" ^" f die zu be.
belastet werden konn,er «t^es ^«malt ^^
strahlenden Te,^f ^J^n ^ a lind V C m Roheren Temperatur zwsche^, vor_
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^ ^ ^1 '^5 mischen 200 und
*5 strah ""JJ"" ^ £'„^Zn an Stelle einer clek-250 L»Jaken werden k Bestrahlung dic Teile
SS^ÄSS-n. noch getempert werden. Das
Tempern erfolgt dabei vorteilhaft bei einer Temperatur zwischen 300 und 350 C nud dauert wenigstens 10 Stunden.
Das erfindungsgemäßc Verfahren ist insbesondere auf Siliziumplanarlransistorcn. sowohl mit PNI'- als auch mit NPN-Struktur anwendbar, eignet sich jedoch auch für andere Siliziumtransistoren mit Sili/.iumoxid-Deckschicht, beispielsweise für MOS (mctal-oxidsil icon)-Feldeffekt-Transistoren.
An Hand von Figuren und Ausführungsbeispielen soll die Erfindung noch näher erläutert werden.
Fig. 1 zeigt die Stromverstärkung von Siliziumplanartransistorcn in Abhängigkeit vom Kollektorstrom vor und nach einer Behandlung nach einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfallrens sowie nach Testbestrahlungen.
F i g. 2 zeigt die Stromverstärkung von Siliziumplanartransistoren in Abhängigkeit vom Kollektorstrorn vor und nach einer Behandlung nach einem anderen Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie nach Testbcstrahlungcn.
Beispiel I
Als Beispiel für eine besonders vorteilhaftes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens soll zunächst die Behandlung eines Silizium-NPN-Planartransistors (Type BCY 59) näher erläutert werden.
Der Transistor wurde zunächst mit geöffnetem Gehäuse bzw. ohne Kappe in eine heiz- und kühlbarc Plattcnhalterung eingesetzt, die aus einer mit Löchern zum Einsetzen der Transistoren versehenen Kupferplatte bestand. Ein guter Wärmekontakt zwischen Transistor und Kupferplatte wurde dabei durch festes Andrücken der Grundplatte des Transislorgehäuscs an die Kupferplatte gesichert. Die Kupfcrplatte wurde in den cvakuierbaren Bestrahlungsraum eines Eleklroncnbcschleunigcrs eingebaut. Emitter-, Basis- und Kollektoranschluß des Transistors wurden über vakuumdichte Durchführungen aus dem Bestrahlungsraum herausgeführt.
Nach dem Evakuieren des Bestrahlungsraumes bis auf einen Restgasdruck von etwa 10 5 Torr wurde der Transistor mit Elektronen einer Energie von 25 keV und einer Strahlstromdichtc von 1 |xA/cmz etwa 1,5 Stunden lang bestrahlt, bis an der Grenzfläche zwischen Silizium und Siliziumoxid-Dcckschicht eine Strahlungsdosis von etwa 10in rad erreicht war. Die Bestrahlung erfolgte dabei durch die Siliziumoxid-Deckschicht hindurch. Die Dicke dieser Deckschicht betrug etwa 0,2 bis 0.5 μ. Während der Bestrahlung wurde der Transistor durch Heizen der Kupferplatte auf einer Temperatur von etwa 220' C gehalten. Zwischen Emitter- und Basisanschluß und zwischen Kollektor- und Basisanschluß des Transistors wurde gleichzeitig jeweils eine elektrische Spannung von etwa 0.7 V in Durchlaßrichtungangelegt. Nach einer Bestrahlungsdauer von etwa 1,5 Stunden wurde zunächst die Bestrahlung abgeschaltet. Dann wurden die Plattenheizung und die elektrische Belastung des Transistors abgeschaltet und die Kupferplatte mit dem Transistor auf Raumtemperatur abgekühlt.
Die verbesserte Strahlungsresistenz des so behandelten Transistors ist aus Fig. 1 zu ersehen. In dieser Figur ist an der Ordinate die Stromverstärkung B und an der Abszisse der Kollektorstrom Ic in Ampere jeweils in !ogarilhmischem Maßstab aufgetragen. Zur Ermittlung der Kurven I bis 4 wurde jeweils die Stromverstärkung eines Transistors bei verschiedenen Kollektorströmen Λ gemessen. Vor der Behandlung nach dem Ausführungsbeispiel 1 des erfindungsgemäßen Verfahrens entsprach die Stromverstärkung de* Transistors der Kurve I. F.in nicht nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelter gleichartiger Transistor wurde zu Vergleichs/wecken mit einer Testbe strahlung (Flcktroncnslrahlung) mit einer Dosis voi 10" rad bestrahlt. Die Stromverstärkung sank dabc von der vor der Teslbcstrahluiig gültigen Kurve I au die Werte der Kurve 2 ab.
Der gemäß dem Ausführuiigsbcispiel 1 des erfin dungsgemäßen Verfahrens behandelte Transistor hatte nach der Behandlung eine Stromverstärkung, die wie derum der Kurve 1 entsprach. Durch die Behandlunj wurde also die ursprünglich vorhandene Stromver Stärkung nicht verschlechtert. Auch dieser Transistoi wurde einer Testbestrahlung mit einer Dosis vor IO7 rad unterzogen. Die Stromverstärkung sank dabe nur auf die Werte der Kurve 3 ab. war also nach dei Tcstbcstrahlung insbesondere im Bereich kleiner KoI lcktorströmc zwischen 10 ' und 10 β A um mehr al: den Faktor 10 höher als die durch die Kurve 2 gegc bent Stromverstärkung des unbchandcltcn Transistor: nach der gleichen Testbcstrahlung.
Die unterbrochen gezeichnete Kurve 4 zeigt zun weiteren Vergleich die Stromverstärkung eines gleich artigen Transistors, der zunächst bei Zimmcrtcmpe ratur mit ElcktronenstrahUmg einer Slrahlungsdosi: von etwa 10in rad bestrahlt und erst nach der Bestrah lung auf etwa 200 C erhitzt und durch Anlegen elek Irischer Spannungen in Flußrichtung zwischen Emitter und Basisanschluß und Kollektor- und Basisanschlul elektrisch belastet wurde und nach dieser vom crfin dungsgcmäßen Verfahren abweichenden Behandlunj ebenfalls einer Testbestrahlung mit einer Dosis voi 10" rad unterzogen wurde. Die Kuvcr 4 liegt zwa oberhalb der Kurve 2. aber weit unterhalb der Kurve 3 Ein Vergleich der Kurven 3 und 4 zeigt das völlii unerwartete Ergebnis, daß bei gleichzeitiger Anwcn dung von Bestrahlung, erhöhter Temperatur und clck Irischer Belastung eine wesentlich höhere Strahlungs rcsistenz des Transistors erzielt wird als bei aufein andcrfolgcnden Schritten von Bestrahlung cincrscit und Anwendung erhöhter Temperatur und elektrische Belastung andererseits. Die Kurven 1 bis 4 in Fig.
betreffen nicht nur Messungen an einzelne.1 Transis toren, sondern wurden durch Untersuchungen an eine Vielzahl von Transistoren bestätigt. Bei allen Testbe Strahlungen waren die Transistoranschlüsse kurzge schlossen.
Beispiel 2
Hier soll ein Ausführungsbeispiel des erfindungs gemäßen Verfahrens ohne elektrische Belastung nähe erläutert werden. Ein NPN-Siliziumplanartransisto (Typ BCY 59) wurde in gleicher Weise in der Be slrahlungskammer eines Elektronenbeschleuniger montiert, wie bereits im Betspiel 1 beschrieben wurde Die Kollektor-, Basis- und Emittcranschlüssc wurdei jedoch offengelassen. Der Transistor wurde mit Elek tronen einer Energie von 25 keV und einer Strahl stromdichte von I μ A/cm2 etwa 1.5 Stunden lang be strahlt, bis an der Grenzfläche zwischen Silizium um Siliziumoxid-Deckschicht eine Strahlungsdosis voi etwa IO10 rad erreicht war. Während der Bestrahlun wurde der Transistor auf einer Temperatur von 350 ( gehalten. Nach der Bestrahlung wurde der Transisto
noch etwa 50 Stunden lang bei einer Temperatur von etwa 350 C getempert.
Die durch diese Behandlung erzielte Verbesserung der Strahlungsrcsisten/ ties Transistors ist aus Fig. 2 zu ersehen, in der wiederum an der Ordinate die 'itromverstärkung B und an der Abszisse i\cr Kollektorstrom /c in Ampere jeweils in logarithmischem Maßstab aufgetragen sind.
Vor und nach der Behandlung nach dem Ausfiihrungsbeispiel 2 des erfindungsgemäßen Verfahrens entsprach die Stromverstärkung des Transistors der Kurve 10. Die Stromverstärkung wurde also durch die Behandlung nicht beeinträchtigt. Der Transistor wurde dann einer Testbestrahlung von K)7 rad unterzogen. Dabei sank die Stromverstärkung auf die Werte der Kurve 11 ab. Zu Vergleichszweckcn wurde auch ein unbehandcltcr Transistor der Tcstbcslrahlung von I07 rad unterzogen. Die Stromverstärkung dieses Transistors sank von Kurve 10 auf die Werte der Kurve 12 ab. Durch das Ausfiihrungsbcispicl 2 des erfindungsgemäßen Verfahrens wurde also ebenfalls eine erhebliche Verbesserung der Strahlungsresistcnz des Transistors erzielt. Auch die Kurven 10 bis 12 wurden durch Messungen an mehreren Transistoren bestätigt.
Weitere Untersuchungen zeigten, daß bei vergleichbaren Transistoren, die im unbcstrahlten Zustand eine niedrigere Stromverstärkung aufwiesen als die in den Beispielen 1 und 2 verwendeten Transistoren, durch das erfindungsgemäße Verfahren nicht nur die Slrahlungsresistenz verbessert, sondern auch noch die Stromverstärkung über die Ausgangswerlc erhöht werden konnte.
Versuche an PNP-Siliziumplanartransistoren lieferten ähnliche F.rgebnissc wie die Versuche an den NPN-Siliziumplanartransistoren. Auch bei Tcslbcstrahlun-
ίο gen mit anderen Strahlungsdoscn, beispielsweise mit 10" oder K)8 rad, wurde die ei liebliche Verbesserung der Strahlungsresistcnz der Transistoren durch das erfindungsgemäße Verfahren bestätigt.
Bei der Bestrahlung von Siliziumscheiben, die eine Vielzahl von Transislorstruklurcn enthalten, kann vorteilhaft gemäß dem Beispiel 2 verfahren werden. Die Siliziumscheiben können dabei zweckmäßig auf die heizbare Kupferplattc aufgelegt werden. Das Tempern nach der Bestrahlung kann, ebenso wie bei fertigen Transistoren, beispielsweise auch in einem geeigneten Ofen erfolgen. Die Bestrahlung von Siliziumscheiben hat insbesondere den Vorteil, daß bei einmaliger Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens gleichzeitig eine große Anzahl von Transistoren erfaßt werden kann. Bei den Transistorstrukturen kann es sich auch um Transistoren von integrierten Schaltkreisen handeln.
Hierzu I Blatt Zeichnungen
. 409 628/329

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Verbesserung tier Sirahlungsresistenz von Siliziumtransistoren mit Siliciumoxiddeckschicht, bei dem ein Transistor oder eine Siliziumscheibe mit mehreren Transistorstrukturen einer die Grenzschicht zwischen Silizium und Siliziumoxiddeckschicht erreichenden Elektronenstrahlung ausgesetzt wird und erwärmt wird, d a - >° durch gekennzeichnet, dall der Transistor oder die Siliziumscheibe während der Bestrahlung mit Elektronen einer Energie unterhalb von 150 keV und einer Dosis an der Grenzschicht zwischen Silizium und Siliziumoxiddeckschicht zwischen 109 und 10'2 rad auf einer Temperatur zwischen 150 und 4501C gehalten wird.
2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß eine Strahlungsdosis zwischen 5 - 10Q und 2 · 10'° rad angewandt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß während der Bestrahlung eines bipolaren Transistors der Transistor auf einer Temperatur /wischen 150 und 300 C gehalten wird und daü gleichzeitig /wischen Limitier- und Uasisanschluß des Transistors eine elektrische Spannung in Durchlaßrichtung derart angelegt wird, daß der höchstzulässige Grenzwert des Basisstromes nicht überschritten ·λird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekenn- 3» zeichnet, dal.1 zusätzlich zwischen Kollektor- und Basisanschluß des Transistors eine elektrische Spannung in Durchlaßrichtung der:-.-t angelegt wird, daß die hochstzulässigen Gr:n/werte von Basis- und Kollektorstrom nicht überschreien werden.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor während der Bestrahlung auf einer Temperatur zwischen 200 und 250 C gehalten wird.
(). Verfahren nach Anspruch 1 oder 2. dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor oder die SiIi-/iumscheibe während der Bestrahlung auf einer Temperatur von 300 bis 400 C gehallen und nach Beendigimg der Bestrahlung wenigstens 10 Stunden lang bei einer Temperatur zwischen 300 und 400 C getempert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor oder die Siliziumscheibe während der Bestrahlung auf einer Temperatur zwischen 200 und 250 C gehalten und nach der Beendigung der Bestrahlung wenigstens 10 Stunden lang bei einer Temperatur zwischen 300 und 350 C getempert wird.
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