DE2033444B2 - Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial - Google Patents
Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus HalbleitermaterialInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in
Scheiben aus Halbleitermaterial, mit einem beheizbaren, mindestens einseitig offenen Rohr aus Halbleitermaterial, einem an der offenen Seite des Rohres wenigstens
annähernd senkrecht zur Rohrachse liegenden Planschliff und mit einem ebenfalls mit einem Planschliff
versehenen Verschluß, wobei Mittel vorgesehen sind, die beide Planschliffe aufeinanderdrücken.
Eine solche Vorrichtung ist beispielsweise im französischen Patent 15 11 998 beschrieben worden. Zur
Erzielung eines dichten Abschlusses wird das offene Ende des Halbleiterrohres geschliffen, und auf die
geschliffene Fläche wird ein Deckel aufgesetzt. Der Deckel drückt auf die geschliffene Fläche und dichtet
das Innere des Halbleiterrohres gegen die äußere Atmosphäre ab.
Nachteilig an dieser Vorrichtung ist, daß die Dichtwirkung lageabhängig ist und nur in senkrechter
Lage des Halbleiterrohres funktioniert.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs genannten Art
so weiterzubilden, daß eine einwandfreie unschwierige Abdichtung von Rohren aus Halbleitermaterial gegen
ίο das Eindringen von Verunreinigungen und Sauerstoff
bei allen Betriebszuständen und Lagen des Halbleiterrohres möglich ist.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel aus einem mit dem Inneren des Rohres
verbundenen Absaugrohr und einer mit diesem verbundenen Absaugvorrichtung bestehen.
Weiterbildungen der .Erfindung sind Gegenstand der
Unteransprüche.
Die Erfindung wird anhand dreier Ausführungsbei
spiele in Verbindung mit den F i g. 1 bis 3 näher
erläutert.
In der F i g. 1 ist ein Rohr aus Halbleitermaterial, zum Beispiel aus Silicium, gezeigt und mit 1 bezeichnet.
Dieses Rohr weist an seinem oberen, offenen Rand
einen Planschliff 2 auf, auf dem ein Deckel 14 liegt. Der
Deckel 14 weist an der Fläche, mit der er auf dem Planschliff 2 liegt, einen Planschliff 4 auf. Im Rohr 1 sind
Halbleiterscheiben 5 aufgestapelt, die durch eine Abschlußscheibe 7 getragen werden. Diese Abschluß
scheibe 7 ist nicht genau dem Innendurchmesser des
Rohres 1 angepaßt, so daß der in einer Dotierquelle 8 enthaltende Dotierstoff Zutritt zu den Halbleiterscheiben 5 hat. Das Rohr 1 und der Deckel 14 sind in einem
Diffusionsofen 12 angeordnet, der mit einer nur
schematisch angedeuteten Heizwicklung 13 versehen
ist. Der obere Teil des Rohres 1 liegt in einem weiteren Rohr 10, das mit einem Rohrstutzen 11 versehen ist.
Zur Vorbereitung der Diffusion werden zunächst die Dotierungsquelle 8, die Abschlußscheibe 7 und die
Halbleiterscheiben 5 in das Innere des Rohres 1 eingelegt. Dann wird das Rohr 1 durch den Deckel 14
abgeschlossen, der das Rohrinnere durch sein Gewicht über die Planschliffe 2 und 4 abdichtet. Dabei wird
zweckmäßigerweise das Innere des Rohres 1 vor dem
Auflegen des Deckels mit einem inerten Gas gespült, um
den im Rohr vorhandenen Sauerstoff zu entfernen. Vorzugsweise wird durch den Stutzen 11 in das Rohr 10
ein inertes Gas eingeblasen, das die Planschliffe 2 und 4 umspült und so ein Eindringen von Verunreinigungen
oder Sauerstoff mit Sicherheit ausschließt. Das aus dem unteren Ende des Rohres 10 austretende inerte Gas
kann über das Innere des Diffusionsofens 12 ins Freie entweichen. Unter diesen Bedingungen ist eine Diffusion möglich, deren Qualität durch keinerlei äußere
Ein anderes Ausfuhrungsbeispiel ist in F i g. 2 gezeigt. Dabei sind gleiche Teile wie in F i g. 1 mit gleichen
Bezugszeichen versehen. Der Diffusionsofen mit den Heizwicklungen wurde hier der Einfachheit halber
weggelassen. Das Halbleiterrohr 1 weist an seiner oberen, offenen Seite einen Planschliff 2 auf, auf den ein
Deckel 15 liegt. Die Flächen des Deckels 15, die auf dem Planschliff 2 des Rohres 1 aufsitzen, sind ebenfalls als
Planschliff ausgebildet. Auf seiner dem Rohr 1
abgewandten Seite ist der Deckel 15 mit einem
Planschliff 16 versehen, an dem ein Absaugrohr 3 anliegt. Das Absaugrohr 3 ist an seinem unteren Ende
mit einem Planschliff 17 versehen.
Das Innere des Rohres t ist über eine öffnung 18 im
Deckel 15 über den Innenraum des Absaugrohres 3 mit einer Absaugvorrichtung 9 verbunden, die in der Figur
nur schematisch angedeutet ist. Nach dem Einbringen der Dotierungsquelle 8, der Abschlußscheibe 7 und der
Halbleiterscheiben 5 sowie einer weiteren Abschlußscheibe 6, wird der Deckel IS mit seinem Planschliff 4
auf den Planschliff 2 des Rohres 1 gesetzt. Dann wird das Absaugrohr 3 auf den Deckel 15 gesetzt. Hierauf
wird die Absaugvorrichtung 9 in Betrieb gesetzt, die im Inneren des aus dem Rohr I, dem Deckel 15 und dem
Absaugrohr 3 bestehenden Systems ein Vakuum erzeugt. Dadurch werden die Planschliffe 2,4 und 16,17
aufeinandergepreßt und das Rohr 1 nach außen abgedichtet. Sollten jedoch dennoch Verunreinigungen
oder Sauerstoff in das Innere des Rohres 1 eindringen, so werden diese von der Absaugvorrichtung 9 ebenfalls
weitgehend abgesaugt. Die weitere Abschlußscheibe 6 hat eine etwas kleinere Fläche als der Innenraum des
Rohres 1. Sie sollte jedoch nicht so klein sein, daß die Absaugvorrichtung den Dotierstoff größtenteils absaugt,
sondern noch eine Drosselwirkung aufweisen.
Zur weiteren Verbesserung der Anordnung können die Planschliffe 2, 4 und 16, 17 ähnlich wie in der
Anordnung nach F i g. 1 in einem Rohr liegen, durch das ein inertes Gas geblasen wird. Dieses inerte Gas
umspült die Planschliffe und verhindert so mit Sicherheit das Eindringen schädlicher Stoffe in das Rohr 1.
Wenn das Absaugrohr 3 aus Quarz besteht, so empfiehlt es sich, nur denjenigen Teil des Halbleiterrohres
1 auf die Diffusionstemperatur zu erhitzen, in dem die Halbleiterscheiben 5 untergebracht sind. Damit wird
verhindert, daß das Absaugrohr 3 weich wird und vom äußeren Luftdruck zusammengedrückt wird. Eine
übermäßige Erwärmung des Absaugrohres 3 läßt sich beispielsweise dadurch vermeiden, daß dieses außerhalb
des Ofens angeordnet wird, während sich im Diffusionsofen nur das Halbleiterrohr 1 befindet. Es kann jedoch
auch ein Diffusionsofen mit entsprechendem Temperaturgefälle verwendet werden. Dies ist in F i g. 1 dadurch
angedeutet, daß die Heizwicklungen 13 nur im unteren Teil des Diffusionsofen 12 liegen. Als Absaugrohr läßt
sich z. B. auch ein Rohr aus Alumitiiumoxyd AI2O3 verwenden.
In F i g. 3 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem gleiche Teile die gleichen Bezugsziffern wie in
den F i g. 1 und 2 aufweisen. Bei der in F i g. 3 gezeigten Anordnung hat das Rohr 1 keinen Deckel mehr,
vielmehr ist auf dem Planschliff 2 des Rohres 1 ein Absaugrohr 18 direkt aufgesetzt. Das Absaugrohr 18
weist an der Fläche, mit der es auf dem PJanschliff 2 des Rohres 1 aufsitzt, einen Planschliff 19 auf. Die
Anordnung nach F i g. 3 unterscheidet sich von der nach Fig.2 darüber hinaus dadurch, daß sie waagrecht
angeordnet ist. Dementsprechend ist im Halbleiterrohr 1 eine weitere Abschlußscheibe 6 angeordnet, die
einerseits verhindert, daß die Halbleiterscheiben 5 umfallen und andererseits die oben erwähnte Drosselwirkung
aufweist. Die in Fig.3 gezeigte Anordnung kann selbstverständlich auch in senkrechter Lage
betrieben werden. Entsprechend kann auch die Anordnung nach Fig.2 in waagrechter Lage getrieben
werden. Die senkrechte Lage bringt jedoch den Vorteil, daß jedes Verkanten der Halbleiterscheiben und damit
jede Störung im Kristallgitter der Halbleiterscheiben vermieden werden.
Die gemäß der Erfindung verwendeten Planschliffe haben die Eigenschaft, daß sich bei Erwärmung der
aneinanderstoßenden Rohre von im allgemeinen unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
keine in radialer Richtung wirkenden Kräfte auf das Halbleiterrohr übertragen können. In diesem Sinne ist
auch ein leicht konischer, in sich planer Schliff brauchbar, dessen Ebene in bezug auf die Längsachse
des Rohres nur wenige Grade vom rechten Winkel abweicht. Ebenso ist es möglich, statt eines Planschliffes
oder eines leicht konischen Schliffes auch einen Kugelschliff anzuwenden. Planschliff und konischer
Schliff können dabei als Sonderfall eines Kugelschliffes für einen gegen unendlich gehenden Krümmungsradius
betrachtet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Vorrichtung zum Eindiffundieren von Dotierstoffen in Scheiben aus Halbleitermaterial, mit einem
beheizbaren, mindestens einseitig offenen Rohr aus Halbleitermaterial, einem an der offenen Seite des
Rohres wenigstens annähernd senkrecht zur Rohrachse liegenden Planschliff und mit einem ebenfalls
mit einem Planschliff versehenen Verschluß, wobei Mittel vorgesehen sind, die beide Planschliffe
aufeinanderdrücken, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel aus einem mit dem Inneren des
Rohres verbundenen Absaugrohr (3) und einer mit diesem verbundenen Absaugvorrichtung (9) bestehen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Absaugrohr (3) gasdicht mit einer
öffnung (IS) eines am offenen Ende des Rohres (1)
vorgesehenen Deckeis (15) verbunden ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das mit der öffnung des Deckels
verbundene Ende des Absaugrohres (3) einen Planschliff (17) aufweist, daß dieser Planschliff auf
einer die öffnung des Deckels umgebenden Fläche aufsitzt und daß diese Fläche ebenfalls mit einem
Planschliff (16) versehen ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Absaugrohr einen wenigstens
annähernd senkrecht zu seiner Längsachse liegenden Planschliff (19) aufweist, der auf dem Planschliff
(2) des Roh res (1) aufsitzt.
5. Vorrichtung nach den Ansprüchen 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr aus Silicium
und das Absaugrohr aus Quarz oder Aluminiumoxid besteht.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschliffe (2, 4; 16, 17) und das
Absaugrohr (3) eine niedrigere Temperatur aufweisen als derjenige Bereich des Rohres, in dem die
Halbleiterscheiben (S) angeordnet sind.
7. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die Anschliffe (2, 4; 16, 17) von einem weiteren Rohr (10)
umgeben sind, durch das ein Schutzgas strömt.
8. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß im Rohr (1) auf der der
Absaugvorrichtung (9) zugewandten Seite eine Abschlußscheibe (6) vorgesehen ist, die für den
Dotierstoff eine Drossel bildet.
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Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2324365C3 (de) * | 1973-05-14 | 1978-05-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Reaktionsgefäß zum Abscheiden von Halbleitermaterial auf erhitzte Trägerkörper |
BE817066R (fr) * | 1973-11-29 | 1974-10-16 | Enceinte de reaction pour le depot de matiere semi-concuctrice sur des corps de support chauffes | |
JPS51119592A (en) * | 1975-04-12 | 1976-10-20 | Hitachi Zosen Corp | Polishing-sweeping head |
JPS51119591A (en) * | 1975-04-12 | 1976-10-20 | Hitachi Zosen Corp | Device of injecting polishing-sweeping material |
DE2518853C3 (de) * | 1975-04-28 | 1979-03-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas |
US4018184A (en) * | 1975-07-28 | 1977-04-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for treatment of semiconductor wafer |
EP0077408A1 (de) * | 1981-10-16 | 1983-04-27 | Helmut Seier GmbH | Verfahren und Gerät zum thermischen Behandeln von Halbleiterkörpern |
FR2670219B1 (fr) * | 1990-12-07 | 1993-03-19 | Europ Propulsion | Appareil et creuset pour depot en phase vapeur. |
KR930008872B1 (ko) * | 1991-02-18 | 1993-09-16 | 삼성전자 주식회사 | Open-Tube형 불순물 확산장치 |
JP3971810B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2007-09-05 | 三星電子株式会社 | 縦型拡散炉 |
DE69835216T2 (de) | 1997-07-25 | 2007-05-31 | Nichia Corp., Anan | Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung |
JP3770014B2 (ja) | 1999-02-09 | 2006-04-26 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
WO2000052796A1 (fr) | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Nichia Corporation | Element de laser semiconducteur au nitrure |
JP4301564B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-07-22 | 株式会社山寿セラミックス | 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置 |
TWI362769B (en) | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3202485A (en) * | 1962-05-01 | 1965-08-24 | Alton F Armington | Sublimation apparatus |
US3367303A (en) * | 1963-05-29 | 1968-02-06 | Monsanto Co | Chemical equipment |
DE1244733B (de) * | 1963-11-05 | 1967-07-20 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner Halbleitermaterialschichten auf einkristallinen Grundkoerpern |
DE1262244B (de) * | 1964-12-23 | 1968-03-07 | Siemens Ag | Verfahren zum epitaktischen Abscheiden einer kristallinen Schicht, insbesondere aus Halbleitermaterial |
DE1297086B (de) * | 1965-01-29 | 1969-06-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer Schicht von einkristallinem Halbleitermaterial |
US3394390A (en) * | 1965-03-31 | 1968-07-23 | Texas Instruments Inc | Method for making compond semiconductor materials |
US3371995A (en) * | 1965-07-09 | 1968-03-05 | Corning Glass Works | Method of making macroscopic silicon carbide fibers with a silica sheath |
DE1521494B1 (de) * | 1966-02-25 | 1970-11-26 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Eindiffundieren von Fremdstoffen in Halbleiterkoerper |
-
1970
- 1970-07-06 DE DE2033444A patent/DE2033444C3/de not_active Expired
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-
1971
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- 1971-06-02 GB GB1861671*[A patent/GB1302993A/en not_active Expired
- 1971-06-18 AT AT528771A patent/AT336679B/de active
- 1971-06-25 CS CS4725A patent/CS149456B2/cs unknown
- 1971-07-05 FR FR7124419A patent/FR2100223A5/fr not_active Expired
- 1971-07-06 CA CA117,471A patent/CA944869A/en not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AT336679B (de) | 1977-05-25 |
JPS4910190B1 (de) | 1974-03-08 |
CS149456B2 (de) | 1973-07-05 |
CA944869A (en) | 1974-04-02 |
DE2033444A1 (de) | 1972-01-20 |
US3705567A (en) | 1972-12-12 |
FR2100223A5 (de) | 1972-03-17 |
CH524252A (de) | 1972-06-15 |
ATA528771A (de) | 1976-09-15 |
BE764513A (fr) | 1971-08-16 |
NL7109322A (de) | 1972-01-10 |
GB1302993A (de) | 1973-01-10 |
SE377286B (de) | 1975-06-30 |
DE2033444C3 (de) | 1979-02-15 |
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