Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine spannungsfeste Schnittstellenschaltung, wie sie in elektronischen Geräten, wie beispielsweise in Vorschaltgeräten für Leuchtmittel eingesetzt wird. Über die Schnittstellenschaltung können Daten – und/oder Steuerbefehle zwischen einer Steuereinheit für die Leuchtmittel und einem Vorschaltgerät für Leuchtmittel ausgetauscht werden.The present invention relates to a voltage-resistant interface circuit, as used in electronic devices, such as in ballasts for lighting. Data and / or control commands can be exchanged between a control unit for the lighting means and a ballast for lighting means via the interface circuit.
Allgemein sind solche Schnittstellenschaltungen häufig dort anzutreffen, wo unterschiedliche elektronische Schaltanordnungen, beispielsweise über ein Bussystem oder Signalleitungen, verbunden sind. Dabei kann es sein, dass die über die Schnittstellenschaltung gekoppelten elektronischen Schaltungen mit unterschiedlich hohen Betriebsspannungen operieren. Beispielsweise kann bei Vorschaltgeräten für Leuchtmittel das Vorschaltgerät einerseits über eine hohe Betriebsspannung zum Betreiben der Leuchtmittel verfügen, andererseits können aber elektronische Schaltungsteile, beispielsweise zur Ansteuerung der Helligkeit der Lampe, mit einem Bus- oder Signalleitungssystem verbunden sein, an dem im Vergleich zur Betriebsspannung der Leuchtmittel eine relativ kleine Spannung anliegen kann.In general, such interface circuits are frequently encountered where different electronic switching arrangements, for example via a bus system or signal lines, are connected. It may be that the electronic circuits coupled via the interface circuit operate with different high operating voltages. For example, in ballasts for bulbs, the ballast on the one hand have a high operating voltage for operating the bulbs, but on the other hand electronic circuit parts, for example, to control the brightness of the lamp to be connected to a bus or signal line system, compared to the operating voltage of the bulbs a relatively small voltage can be applied.
Heutzutage sind dabei Schnittstellenschaltungen gebräuchlich, die sowohl digitale Signale wie DALI als auch netzspannungsgebundene Signale wie beispielsweise über einen mit der Netzspannung verbundenen Taster empfangen und verarbeiten können.Nowadays interface circuits are commonly used which can receive and process both digital signals such as DALI and mains-voltage-bound signals such as, for example, via a button connected to the mains voltage.
Da es bei der Installation solcher Beleuchtungssysteme zu Verwechslungen der Anschlussleitungen oder auch im Betrieb zu Überspannungen und Spannungspulsen auf dem Bussystem kommen kann, wäre es wünschenswert, eine spannungsfeste Schnittstellenschaltung mit hoher Spannungsfestigkeit einzusetzen. Beispielsweise kann es bei Betätigung eines mit der Netzspannung verbundenen Tasters an den Signalleitungen, durch sogenanntes Tastenprellen, oder durch Schaltvorgänge mit größeren Lastinduktivitäten, hervorgerufen durch Transformatoren, Drosseln usw., die an die Bus- oder Signalleitungen gekoppelt sind, zu Spannungspulsen an der Schnittstellenschaltung kommen. Deshalb ist es wünschenswert, eine spannungsfeste Schnittstellenschaltung zu schaffen, so dass es selbst bei Unachtsamkeiten während der elektrischen Installation oder auch aufgrund von anderen Spannungspulsen, die im Bussystem entstehen können, nicht zu einer Zerstörung der Schnittstellenschaltung kommen kann.Since in the installation of such lighting systems can lead to confusion of the connection lines or in operation to overvoltages and voltage pulses on the bus system, it would be desirable to use a voltage-resistant interface circuit with high dielectric strength. For example, upon actuation of a mains voltage connected switch on the signal lines, by so-called key bouncing, or by switching operations with larger load inductances caused by transformers, chokes, etc., coupled to the bus or signal lines, voltage pulses may occur at the interface circuit , Therefore, it is desirable to provide a voltage-proof interface circuit, so that it can not lead to destruction of the interface circuit even with carelessness during the electrical installation or due to other voltage pulses that may arise in the bus system.
Eine Schnittstellenschaltung mit einem schnellen Überspannungsdetektor, der durch eine Zenerdiode und einen Schalttransistor gebildet wird, ist in der Patentschrift DE 101 13 36 C1 offenbart.An interface circuit having a fast overvoltage detector formed by a zener diode and a switching transistor is disclosed in the specification DE 101 13 36 C1 disclosed.
Andere Schnittstellenschaltungen nach dem Stand der Technik verwenden häufig einen Thyristor, um eine Netzspannungsfestigkeit sicherzustellen. In 7 ist eine solche Schnittstellenschaltung mit einem Thyristor in einem Schaltungsplan dargestellt.Other prior art interface circuits often use a thyristor to ensure line withstand voltage. In 7 Such an interface circuit with a thyristor is shown in a circuit diagram.
Die Schnittstellenschaltung 10 in 7 weist Anschlussterminals 1 für Signalleitungen bzw. ein Bussystem auf. Die Signalleitungen werden über eine Gleichrichterschaltung, die durch vier Dioden D1 bis D4 in Grätzschaltungsanordnung gebildet wird, an die restliche Schnittstellenschaltung gekoppelt. Die Netzspannungsfestigkeit der Schnittstellenschaltung 10 wird über den Thyristor X11 sichergestellt. Der Thyristor X11 ist mit einem Transistor Q34 in Serie geschaltet. Ferner umfasst die Schnittstellenschaltung Optokoppler U7 und U8, sowie eine Konstantstromquelle, welche durch die Transistoren Q2, Q20 und den Widerständen R31 und R34 gebildet wird. Die Optokoppler U7 und U8 sind mit einem Mikroprozessor gekoppelt, was durch das Symbol μC angedeutet ist, so dass über die Schnittstellenschaltung 10 zwischen den Terminals 1 und dem Mikroprozessor, der an den mit μC bezeichneten Punkten angeschlossen ist, Daten und Steuerbefehle übertragen werden können. Der Optokoppler U7 steuert in dem Rückkanal Schalter Q34, der in Serie mit dem Thyristor X11 angeordnet ist, an. Der Schalter Q34 ist als Niedervoltschalter ausgeführt, wo hingegen der Thyristor, wie oben bereits erwähnt, die Netzspannungsfestigkeit der Schaltung sicherstellen soll. Das Senden von dem Mikroprozessor zu den Terminals 1 über die Schnittstellenschaltung 10 erfolgt dadurch, dass über den Optokoppler U7 der Schalter Q34 gesteuert wird. Wenn der Schalter Q34 eingeschaltet, also durchgesteuert ist, wird das Potential an der Kathode von dem Thyristor X11 auf ein niedriges Potential gezogen. Falls nun an den Terminals 1 eine Spannung anliegt, wird der Thyristor durchgesteuert und der Knoten 5 an der Gleichrichterschaltung in Richtung eines Massepotentials gezogen. In anderen Worten, es wird eine niederohmige Verbindung zwischen den Anschlussterminals 1 hergestellt. Dadurch kann ein Signal über das Bussystem gesendet werden, wenn an den Terminals 1 eine Spannung anliegt. Das Durchsteuern des Thyristors X11 erfolgt, da am kathodenseitigen Gate des Thyristors eine Spannung über dem Pfad bezüglich des Widerstandes R101 und R100 anliegt, die höher als an der Kathode des Thyristors ist.The interface circuit 10 in 7 has connection terminals 1 for signal lines or a bus system. The signal lines are coupled to the remainder of the interface circuit via a rectifier circuit formed by four diodes D1 to D4 in a coarse circuit arrangement. The mains voltage resistance of the interface circuit 10 is ensured via the thyristor X11. The thyristor X11 is connected in series with a transistor Q34. Further, the interface circuit includes optocouplers U7 and U8, and a constant current source formed by the transistors Q2, Q20 and the resistors R31 and R34. The optocouplers U7 and U8 are coupled to a microprocessor, which is indicated by the symbol μC, so that via the interface circuit 10 between the terminals 1 and the microprocessor, which is connected to the points designated μC, data and control commands can be transmitted. The optocoupler U7 drives in the return channel switch Q34 which is arranged in series with the thyristor X11. The switch Q34 is designed as a low-voltage switch, whereas the thyristor, as mentioned above, to ensure the line withstand voltage of the circuit. Sending from the microprocessor to the terminals 1 via the interface circuit 10 takes place in that the switch Q34 is controlled via the optocoupler U7. When the switch Q34 is turned on, that is turned on, the potential at the cathode of the thyristor X11 is pulled to a low potential. If now at the terminals 1 a voltage is applied, the thyristor is turned on and the node 5 pulled at the rectifier circuit in the direction of a ground potential. In other words, there will be a low-resistance connection between the connection terminals 1 produced. This allows a signal to be sent over the bus system when at the terminals 1 a voltage is applied. The through-controlling of the thyristor X11 takes place because a voltage across the path with respect to the resistor R101 and R100 is present at the cathode-side gate of the thyristor, which voltage is higher than at the cathode of the thyristor.
Wenn nun beispielsweise die Schnittstellenschaltung 10 auf Seiten der Terminals 1, beispielsweise über einen Taster oder Schalter an eine Netzspannung geschaltet wird, kann es durch Tastenprellen zur Entstehung relativ enger bzw. zeitlich kurzer Störimpulse bis in den Kilovoltbereich kommen. Bei diesen Spannungspulsen spricht man von den sogenannten Signalfolge oder Burstpulsen und bei einer entsprechenden Spannungsfestigkeit einer Schaltung von einer Burstfestigkeit. Bei den Burstpulsen handelt es sich um schnelle transiente Störgrößen, die in der Stromversorgung oder in den Signaleingängen eingekoppelt werden. Diese Burstimpulse können sich durch kurze Wiederholrate und eine niedrige Energie der Kurzzeitstörung auszeichnen. Diese Burstimpulse können durchaus auch zu einer Zerstörung der Schnittstellenschaltung führen, wenn keine Schutzschaltung wie beispielsweise eine Filterschaltung vorgesehen ist.For example, if the interface circuit 10 on the side of the terminals 1 , For example, is switched to a mains voltage via a button or switch, it may come by key bouncing to the emergence of relatively narrow or temporally short glitches in the kilovolt range. These voltage pulses are referred to as the so-called signal sequence or burst pulses and with a corresponding dielectric strength of a Circuit of a burst resistance. The burst pulses are fast transient disturbances that are coupled into the power supply or in the signal inputs. These burst pulses can be characterized by a short repetition rate and a low energy of the short-term disturbance. These burst pulses may well lead to destruction of the interface circuit, if no protection circuit such as a filter circuit is provided.
Falls jedoch größere (Last-)Induktivitäten, wie z. B. Transformatoren, Drosseln, usw. über eine Steuerleitung an die Terminals 1 gekoppelt sind und diese geschaltet werden, können energiereiche Überspannungspulse oder Surgepulse, mit Spannungen ebenfalls bis in den Kilovoltbereich entstehen. Bei den Surgepulsen handelt es sich um energiereiche transiente Spannungspulse, die sich als transiente Überspannungen bzw. Stoßspannungen, wie sie bei Schalthandlungen in den entsprechenden Leitungen entstehen können, bemerkbar machen.However, if larger (load) inductors, such. As transformers, chokes, etc. via a control line to the terminals 1 are coupled and these are switched, high-energy overvoltage pulses or Surgepulse, with voltages also up to the kilovolt range arise. Surge pulses are high-energy transient voltage pulses which can be seen as transient overvoltages or surge voltages, such as can occur during switching operations in the corresponding lines.
Zur Filterung bzw. Dämpfung dieser Burst- bzw. Surgepulse kann einer Schnittstellenschaltung ein Filter vorgeschaltet sein. Das Filter kann so dimensioniert sein, dass Burstpulse bis zu einer Spannungserhöhung von einigen 10 Volt eliminiert werden. Bei den Surgepulsen kann dies jedoch schwieriger sein. Diese können zwar typischerweise durch das Filter in der Spannungsamplitude stark reduziert werden, aber beispielsweise kann ein 2 kV Spannungspuls trotzdem noch mit einer Amplitude von beispielsweise 1 kV an die Schnittstellenschaltung gelangen. Bei der Verwendung eines Thyristors nach dem Stand der Technik kann nun durch eine steile Flanke solch eines Surgepulses der Thyristor ganz oder teilweise durchgeschaltet werden, da es sich bei dem Thyristor um ein mitgekoppeltes Element handelt. Das „Zünden” des Thyristors kann nun zur sofortigen Zerstörung des nachgeschalteten Transistors Q34 führen, der in Folge der benötigten Stromverstärkung ein Niederspannungstyptransistor, mit einer Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von beispielsweise 45 bis 80 Volt, sein kann. Während dieses Zerstörungsvorganges wird nun der Thyristor X11 endgültig vollständig durchgeschaltet und kann dann ebenfalls zerstört werden. Zwar lässt sich mit schaltungstechnischen Maßnahmen dieses Durchschalten bzw. Überkopfzünden des Thyristors etwas beeinflussen, indem beispielsweise eine Kapazität direkt vom Gate an die Kathode des Thyristors geschaltet wird, allerdings kann das Überkopfzünden oft nicht im ausreichenden Maße unterdrückt werden. Der Thyristor X11 wird dann meistens nicht in Folge hoher Spannung, sondern in Folge Leistungsüberlastung zerstört.For filtering or damping of these burst or surge pulses, an interface circuit may be preceded by a filter. The filter can be dimensioned to eliminate burst pulses up to a voltage increase of a few tens of volts. However, this can be more difficult with the surge pulses. Although these can typically be greatly reduced by the filter in the voltage amplitude, but for example, a 2 kV voltage pulse still reach the interface circuit with an amplitude of, for example, 1 kV. With the use of a thyristor according to the prior art, the thyristor can now be completely or partially switched through by a steep flank of such a surge pulse, since the thyristor is a coupled element. The "firing" of the thyristor can now lead to the immediate destruction of the downstream transistor Q34, which may be due to the required current gain, a low voltage type transistor, with a collector-emitter dielectric strength of, for example, 45 to 80 volts. During this destruction process, the thyristor X11 is finally completely switched through and can then also be destroyed. Although this switching-through or overhead ignition of the thyristor can be somewhat influenced by circuitry measures, for example by a capacitance is switched directly from the gate to the cathode of the thyristor, but the overhead ignition can often not be suppressed to a sufficient extent. The thyristor X11 is then usually destroyed not as a result of high voltage, but as a result of power overload.
In Anbetracht der obigen Ausführungen ist es daher wünschenswert, eine spannungsfeste Schnittstellenschaltung mit einer hohen Spannungsfestigkeit und geringem schaltungstechnischen Aufwand zu schaffen, welche die oben beschriebenen Nachteile vermeidet.In view of the above, it is therefore desirable to provide a voltage-resistant interface circuit having a high withstand voltage and low circuit complexity, which avoids the disadvantages described above.
Es ist die daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Schnittstellenschaltung mit verbesserter Spannungsfestigkeit und mit einer relativ einfachen schaltungstechnischen Umsetzung zu schaffen.It is therefore the object of the present invention to provide an interface circuit with improved dielectric strength and with a relatively simple circuit implementation.
Diese Aufgabe wird durch die erfindungsgemäße spannungsfeste Schnittstellenschaltung gemäß Schutzanspruch 1, sowie durch das Vorschaltgerät mit Schnittstellenschaltung gemäß Anspruch 15 und das Beleuchtungssystem für Leuchtmittel gemäß Schutzanspruch 17 gelöst.This object is achieved by the voltage-resistant interface circuit according to the invention according to protection claim 1, and by the ballast with interface circuit according to claim 15 and the lighting system for lighting according to protection claim 17.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind dann in den Unteransprüchen angegeben.Advantageous developments of the invention are specified in the subclaims.
Ein Kerngedanke der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine spannungsfeste Schnittstellenschaltung mit Hilfe einer Darlingtonschaltung zu schaffen, wobei sich eine hohe Spannungsfestigkeit auf schaltungstechnisch relativ einfache Weise durch Verwendung, von gegenüber einem Thyristor preislich günstigeren, spannungsfesten Transistoren erreichen lasst, die zu dem eine ausreichende Stromverstärkung aufweisen können, um in Abhängigkeit eines Ansteuersignals bestimmte Signalpegel an einem Eingang der Schnittstellenschaltung zu ermöglichen.A central idea of the present invention is to provide a voltage-proof interface circuit using a Darlington circuit, wherein a high voltage resistance on circuit technology relatively simple manner by using, compared to a thyristor cheaper priced, voltage-resistant transistors can achieve that have a sufficient current gain to the can, in response to a drive signal to enable certain signal levels at an input of the interface circuit.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:Preferred embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the accompanying drawings. Show it:
1 eine schematische Darstellung einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 1 a schematic representation of a voltage-resistant interface circuit according to an embodiment of the present invention;
2 eine schematische Darstellung einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 2 a schematic representation of a voltage-resistant interface circuit according to another embodiment of the present invention;
3 einen Schaltplan einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel; 3 a circuit diagram of a voltage-resistant interface circuit according to another embodiment;
4 einen Schaltplan einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel; 4 a circuit diagram of a voltage-resistant interface circuit according to another embodiment;
5 eine schematische Darstellung eines Vorschaltgerätes für Leuchtmittel mit einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 5 a schematic representation of a ballast for lighting with a voltage-resistant interface circuit according to an embodiment of the present invention;
6a–b Beleuchtungssysteme mit Vorschaltgeräten, welche eine spannungsfeste Schnittstellenschaltung aufweisen; und 6a -B lighting systems with ballasts having a voltage-resistant interface circuit; and
7 eine Schnittstellenschaltung mit Thyristor nach dem Stand der Technik. 7 an interface circuit with thyristor according to the prior art.
Bezüglich der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sollte beachtet werden, dass in den unterschiedlichen Figuren für funktional identische bzw. gleichwirkende oder funktionsgleiche, äquivalente Elemente oder Schritte zur Vereinfachung in der gesamten Beschreibung die gleichen Bezugszeichen verwendet werden. Diese Elemente mit gleichen Bezugszeichen sind somit in den verschiedenen Ausführungsbeispielen untereinander austauschbar.With respect to the following description of the embodiments of the present invention, it should be noted that the same reference numerals are used throughout the specification in the different figures for functionally identical or functionally equivalent equivalent elements or steps for simplicity. These elements with the same reference numerals are thus interchangeable in the various embodiments.
In 1 ist ein schematisches Blockschaltbild einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 weist eine Gleichrichterschaltung 20 auf, die ausgebildet ist, um in Abhängigkeit einer an Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a, 20b anliegenden Gleichrichtereingangsspannung an Gleichrichteranschlüssen 20c, 20d eine gleichgerichtete Gleichrichterausgangsspannung bereitzustellen. Ferner weist die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 eine Darlingtonschaltung 30 mit zumindest zwei Transistoren Q3 und Q4 auf, wobei die Darlingtonschaltung 30 einen in Abhängigkeit von einem Ansteuersignal 62 steuerbaren ausgangsseitigen Strompfad 35 aufweist. Der ausgangsseitige steuerbare Strompfad 35 ist zwischen die Gleichrichterausgangsanschlüsse 20c und 20d gekoppelt. Ferner ist der ausgangsseitige steuerbare Strompfad 35 ausgebildet, um zwischen den Gleichrichterausgangsanschlüssen 20c und 20d eine in Abhängigkeit von dem Ansteuersignal 62 veränderbare elektrische Last zu bilden. Das heißt, in Abhängigkeit von dem Ansteuersignal kann der Darlingtontransistor 32 mit dem ausgangsseitigen steuerbaren Strompfad 35 durchsteuern, so dass die Gleichrichterausgangsanschlüsse 20c und 20d zumindest näherungsweise „kurz geschlossen” werden. In Abhängigkeit von dem Ansteuersignal 62 können die Gleichrichterausgangsanschlüsse 20c und 20d über die Darlingtonschaltung 30 also „niederohmig” verbunden werden, in dem Sinne, dass bei einer vorgegebenen Spannung über den ausgangseitigen steuerbaren Strompfad ein vergleichsweiser großer Strom durch den steuerbaren Strompfad 35 fließt. Falls an dem Bussystem 15 eine Spannungsquelle mit einem bestimmten Innenwiderstand angeschlossen ist, kann durch diesen „Kurzschluss” an den Gleichrichtereingangsanschlüssen ein erster Signalpegel mit niedriger Spannung erzeugt werden. Durch das Ansteuersignal 62 kann also die Darlingtonschaltung durchgesteuert werden, so dass, falls eine Spannung an den Gleichrichtereingangsanschlüssen anliegt, ein vergleichsweise großer Strom fließen, der dann dazu führt, dass an den Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a und 20b eine Gleichrichtereingangsspannung erzeugt wird, die einem ersten Signalpegel entspricht.In 1 is a schematic block diagram of a voltage-resistant interface circuit 100 according to an embodiment of the present invention. The voltage-resistant interface circuit 100 has a rectifier circuit 20 which is designed to be a function of a rectifier input terminals 20a . 20b applied rectifier input voltage at rectifier terminals 20c . 20d to provide a rectified rectifier output voltage. Furthermore, the voltage-resistant interface circuit 100 a Darlington circuit 30 with at least two transistors Q3 and Q4, the Darlington circuit 30 one in response to a drive signal 62 controllable output current path 35 having. The output-side controllable current path 35 is between the rectifier output terminals 20c and 20d coupled. Furthermore, the output side controllable current path 35 designed to be between the rectifier output terminals 20c and 20d one in response to the drive signal 62 to make changeable electrical load. That is, depending on the drive signal, the Darlington transistor 32 with the output side controllable current path 35 through, so that the rectifier output terminals 20c and 20d at least approximately "short closed". In dependence on the drive signal 62 can rectifier output terminals 20c and 20d over the Darlington circuit 30 Thus, "low resistance" are connected, in the sense that at a predetermined voltage across the output side controllable current path a comparatively large current through the controllable current path 35 flows. If on the bus system 15 a voltage source having a certain internal resistance is connected, this "short circuit" at the rectifier input terminals can produce a first low voltage signal level. By the drive signal 62 Thus, the Darlington circuit can be turned on, so that if a voltage is applied to the rectifier input terminals, a comparatively large current flow, which then leads to that at the rectifier input terminals 20a and 20b a rectifier input voltage is generated, which corresponds to a first signal level.
In Abhängigkeit von dem Ansteuersignal 62 kann die Darlingtonschaltung 30 auch so angesteuert werden, dass die Gleichrichterausgangsanschlüsse 20c und 20d über die Darlingtonschaltung und damit über den in diesem Fall inaktiven steuerbaren ausgangsseitigen Strompfad 35 nur hochohmig bzw. sehr hochohmig verbunden sind und deshalb kein „Kurzschluss” oder Spannungseinbruch an den Gleichrichterausgangsanschlüssen und damit an den Gleichrichtereingangsanschlüssen stattfindet. Damit bleibt eine an den Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a und 20b anliegende Spannung auf einem zweiten Signalpegel, der einem zweiten Zustand einer digitalen Informationsübertragung entspricht.In dependence on the drive signal 62 Can the Darlington circuit 30 Also be controlled so that the rectifier output terminals 20c and 20d via the Darlington circuit and thus over the in this case inactive controllable output-side current path 35 are only connected to high impedance or very high impedance and therefore no "short circuit" or voltage dip takes place at the rectifier output terminals and thus at the rectifier input terminals. This leaves one at the rectifier input terminals 20a and 20b applied voltage at a second signal level, which corresponds to a second state of a digital information transmission.
Handelt es sich beispielsweise bei den Spannungs- oder Signalleitungen 15, die an die Gleichtrichtereingangsanschlüsse 20a und 20c der spannungsfesten Schnittstellenschaltung 100 angeschlossen sind, um ein Digital-Adressierbares-Licht-Schnittstellen (Digital-Addressable-Lighting-Interface = DALI)-Bussystem, wie es im Bereich der Beleuchtungstechnik eingesetzt wird, so kann ein erster Signalpegel einem physikalischen Niedrig(Low)-Pegel mit einem Spannungsbereich von –4,5 V bis +4,5 V entsprechen, wohingegen ein zweiter Signalpegel einem Hoch(High)-Pegel mit einem Spannungsbereich von +9,5 V bis + 22,5 Volt, also z. B. 16 V, oder von –9,5 V und –22,5V zugeordnet sein kann. Grundsätzlich funktioniert bei einem DALI-Bussystem die Datenübertragung so, dass im Falle eines Sendens eines Bits die Spannung auf einer entsprechenden Datenleitung beispielsweise in Bezug auf eine Referenzdatenleitung auf Null Volt bzw. zumindest näherungsweise auf Null Volt gezogen wird, während im Ruhezustand, also falls kein Bit gesendet wird, eine Spannung auf der entsprechenden Datenleitung im Spannungsintervall von 9,5 bis 22,5 V, also z. B. 16 V bzw. zwischen –9,5 V und –22,5 V, anliegt. In einem DALI-Bussystem werden also Daten- und/oder Steuerbefehle durch einen Aktiv-Niedrigpegel(Active-Low)-Übertragung übertragen. Denkbar ist natürlich auch, dass die spannungsfeste Schnittstellenschaltung zusätzlich oder auch alleine für eine Aktiv-Hochpegel(Active High)-Übertragung, wie sie beispielsweise von einer Digital-Seriellen Schnittstelle (Digital-Serial-Interface = DSI) aus der Beleuchtungstechnik bekannt ist, ausgelegt ist.For example, is it the voltage or signal lines 15 connected to the rectifier input terminals 20a and 20c the voltage-resistant interface circuit 100 are connected to a Digital Addressable Lighting Interface (DALI) bus system, as is used in the field of lighting technology, so a first signal level may be at a physical low (low) level Voltage range from -4.5 V to +4.5 V, whereas a second signal level a high (high) level with a voltage range of +9.5 V to +22.5 volts, ie z. B. 16 V, or of -9.5 V and -22.5V can be assigned. In principle, in the case of a DALI bus system, the data transmission functions such that, in the case of a bit transmission, the voltage on a corresponding data line is pulled to zero volts, or at least approximately zero volts, with respect to a reference data line, while in the idle state, ie if no Bit is sent, a voltage on the corresponding data line in the voltage interval of 9.5 to 22.5 V, ie z. B. 16 V or between -9.5 V and -22.5 V, is applied. In a DALI bus system, therefore, data and / or control commands are transmitted by an active-low level (active-low) transmission. Of course, it is also conceivable that the voltage-resistant interface circuit additionally or even alone for an active high-level transmission (Active High) transmission, as it is known for example from a digital-serial interface (digital serial interface = DSI) from lighting technology is.
Gemäß weiteren Ausführungsbeispielen können an die spannungsfeste Schnittstellenschaltung über die Gleichrichtereingangsanschlüsse 20a, 20b auch zusätzliche Tastersignale bzw. Schaltsignale, also einfache Impulssignale oder DSI-Signale, das heißt Signale gemäß einem digitalen Protokoll, gekoppelt werden. Diese Taster- oder Schaltersignale können über das Bussystem 15 übertragen werden, das heißt, es wird ein Taster an die Netzspannung gekoppelt. Sobald der Taster betätigt wird, wird kurzzeitig die Netzspannung an den Schnittstelleneingang, also an die Gleichrichtereingangsanschlüsse 20a, 20b, durchgeschaltet. Die Dauer dieses Anliegens der Netzspannung kann dann von einer Steuereinheit (nicht dargestellt in 1) ausgewertet werden, wobei zwischen diese Steuereinheit und das Bus- oder Leitungssystem 15 die Schnittstellenschaltung 100 gekoppelt ist.According to further embodiments, the voltage-resistant interface circuit may be connected via the rectifier input terminals 20a . 20b also additional probe signals or switching signals, ie simple pulse signals or DSI signals, the means signals according to a digital protocol to be coupled. These push-button or switch signals can be transmitted via the bus system 15 be transmitted, that is, it is coupled to a button to the mains voltage. As soon as the button is pressed, the mains voltage is briefly applied to the interface input, ie to the rectifier input terminals 20a . 20b , through-connected. The duration of this concern of the mains voltage can then by a control unit (not shown in 1 ) are evaluated, between this control unit and the bus or line system 15 the interface circuit 100 is coupled.
Wie in 2 in einem weiteren Blockschaltbild dargestellt ist, kann die erfindungsgemäße spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 ferner mehrere weitere optionale Schaltungsanordnungen aufweisen. Neben der bereits im Zusammenhang mit der 1 beschriebenen Gleichrichterschaltung 20 und der Darlingtonschaltung 30 kann die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 eine Stromquelle 40, eine Schaltungsanordnung 50 zur galvanischen Trennung, die als Optokoppler ausgebildet sein kann, und einen zweiten Optokoppler 60 aufweisen. Der erste Optokoppler 50 und der zweite Optokoppler 60 können ausgebildet sein, einen bidirektionalen Daten- und/oder Steuersignale zwischen einem Mikroprozessor μC und dem Bussystem 15, zwischen die die spannungsfeste Schnittstelle gekoppelt ist, zu ermöglichen. Beispielsweise kann also der Optokoppler 50 ausgebildet sein, um Informationen, die an dem Bus- oder Leitungssystem 15 anliegen, an den Mikroprozessor μC zu senden. Andererseits werden Daten und Informationen des Mikroprozessors μC mit Hilfe des Optokopplers 60 von der spannungsfesten Schnittstelle empfangen und basierend auf diesen Ansteuersignalen 62 die Informationen an das Bussystem bzw. Leitungssystem 15 übertragen.As in 2 is shown in a further block diagram, the inventive voltage-resistant interface circuit 100 further comprise a plurality of further optional circuit arrangements. In addition to the already related to the 1 described rectifier circuit 20 and the Darlington circuit 30 can be the voltage-resistant interface circuit 100 a power source 40 , a circuit arrangement 50 for galvanic isolation, which may be designed as an optocoupler, and a second optocoupler 60 exhibit. The first optocoupler 50 and the second optocoupler 60 may be formed, a bidirectional data and / or control signals between a microprocessor μC and the bus system 15 to allow between which the voltage-proof interface is coupled. For example, so the optocoupler 50 be trained to send information to the bus or line system 15 to send to the microprocessor μC. On the other hand, data and information of the microprocessor μC using the optocoupler 60 received from the voltage-proof interface and based on these drive signals 62 the information to the bus system or line system 15 transfer.
Die Stromquelle 40 kann ausgebildet sein, um an einem Ansteueranschluss 30a der Darlingtonschaltung 30 eine eingangsseitige Ansteuerspannung zur Verfügung zu stellen, falls über dem Optokoppler 60 ein Signal in Richtung des Bussystems 15 übertragen werden soll, und damit der Phototransistor auf der Ausgangsseite des Optokopplers 60 beleuchtet ist, so dass der ausgangsseitige steuerbare Strompfad 35 durchgesteuert wird. Daraufhin wird, wie oben bereits im Zusammenhang mit 1 erläutert wurde, eine Last zwischen den Gleichrichterausgangsanschlüssen 20c und 20d verändert. Wenn es zu einem „Kurzschluss” zwischen den Gleichrichterausgangsanschlüssen 20c und 20d kommt, wird dieser auf die Gleichrichtereingangsanschlüsse 20a und 20b übertragen und die Spannung an auf dem Bussystem bricht zusammen, was einem Low-Pegel in dem Übertragungsprotokoll zwischen an dem Bussystem 15 angeschlossenen Schaltungen und dem Mikroprozessor entsprechen kann. Auf diese Weise können die Daten- und/oder Steuerbefehle an das Bussystem 15 übertragen werden.The power source 40 may be configured to be connected to a drive terminal 30a the Darlington circuit 30 to provide an input side drive voltage if over the optocoupler 60 a signal in the direction of the bus system 15 is to be transferred, and thus the phototransistor on the output side of the optocoupler 60 is lit, so that the output side controllable current path 35 is controlled. Thereupon, as already mentioned above in connection with 1 has been explained, a load between the rectifier output terminals 20c and 20d changed. If there is a "short circuit" between the rectifier output terminals 20c and 20d comes, this is on the rectifier input terminals 20a and 20b and the voltage on the bus system collapses, causing a low level in the transmission protocol between the bus system 15 connected circuits and the microprocessor can correspond. In this way, the data and / or control commands to the bus system 15 be transmitted.
Im Folgenden wird an Hand eines Schaltungsplanes in 3 ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen spannungsfesten Schnittstellenschaltung detaillierter beschrieben.The following is based on a circuit diagram in 3 an embodiment of the voltage-resistant interface circuit according to the invention described in more detail.
Bei der Gleichrichterschaltung 20 kann es sich beispielsweise um vier Dioden D1 bis D4, die in einer Grätzschaltungsanordnung verschaltet sind, handeln. An die Gleichrichtereingangsanschlüsse 20a und 20b kann ein Bussystem 15 koppelbar sein. Bei dem Bussystem 15 kann es sich beispielsweise um ein DALI-Bussystem handeln. Wie oben bereits beschrieben, kann in einem Ruhezustand des Bussystems eine Gleichrichtereingangsspannung, welche einem High-Pegel im DALI-System entspricht, an den Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a und 20b anliegen. Dementsprechend wird dann eine gleichgerichtete Gleichrichterausgangsspannung an den Anschlüssen 20c und 20d des Gleichrichters 20 bereitgestellt. Zwischen den Gleichtrichterausgangsanschlüssen 20c und 20d kann nun die Darlingtonschaltung 30 mit ihren mindestens zwei Transistoren Q3 und Q4 gekoppelt sein, so dass ein ausgangsseitiger steuerbarer Strompfad 35 der Darlingtonschaltung, die als Stromverstärkungsschaltung wirkt, zwischen den Gleichrichterausgangsanschlüssen gekoppelt ist. In diesem Ausführungsbeispiel sind die Transistoren Q3 und Q4 als npn-Bipolartransistoren ausgebildet. Der eingangsseitige Bipolartransistor Q4 ist in diesem Ausführungsbeispiel mit seinem Kollektoranschluss an dem Gleichrichterausgangsanschluss 20c gekoppelt und mit seinem Emitteranschluss an die Basis des ausgangsseitigen Transistors Q3. Die entsprechende Basis zur Steuerung des Bipolartransistors Q4 ist über einen Knoten 82 mit einem Widerstand R4 der Ansteuerschaltung 80, der einen Widerstandswert von 10 kΩ aufweist und mit seinem zweiten Anschluss an ein Massepotential 90 geschlossen ist, und dem Optokoppler Q5 verbunden. Über den Optokoppler Q5 und der Ansteuerschaltung kann dann ein Ansteuersignal 62 an den Basis- bzw. Steueranschluss des Transistors Q4 angelegt werden. Der ausgangsseitige Transistor Q3 ist mit seiner Basis zum einen über ein RC-Glied der Ansteuerschaltung 80 mit dem Massepotential 90 verbunden und zum anderen mit dem Emitteranschluss des Transistors Q4. Der steuerbare ausgangseitige Strompfad 35, also der steuerbare Strompfad zwischen Kollektor und Emitter des Transistors Q3, ist zwischen den Gleichrichterausgangsanschlüssen 20c und 20d gekoppelt. Dabei ist der Kollektoranschluss des Bipolartransistors Q3 an den Gleichrichterausgangsanschluss 20c gekoppelt und der Emitteranschluss an den Gleichrichterausgangsanschluss 20d. Sowohl der Gleichrichterausgangsanschluss 20d, als auch der Emitteranschluss des Transistors Q3 liegen beide auf einem Bezugspotential, das im vorliegenden Ausführungsbeispiel das Massepotential 90 sein kann. In weiteren Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung kann die Darlingtonschaltung 30 auch mehr als zwei Bipolartransistoren aufweisen. Außerdem kann es sich bei den Transistoren beispielsweise auch um Feldeffekttransistoren, wie z. B. MOS-FET Transistoren, handeln.In the rectifier circuit 20 it may, for example, four diodes D1 to D4, which are interconnected in a Grätzschaltungsanordnung act. To the rectifier input terminals 20a and 20b can be a bus system 15 be coupled. In the bus system 15 it may, for example, be a DALI bus system. As described above, in a quiescent state of the bus system, a rectifier input voltage corresponding to a high level in the DALI system can be applied to the rectifier input terminals 20a and 20b issue. Accordingly, then a rectified rectifier output voltage at the terminals 20c and 20d of the rectifier 20 provided. Between the rectifier output terminals 20c and 20d can now the Darlington circuit 30 be coupled to their at least two transistors Q3 and Q4, so that an output side controllable current path 35 Darlington circuit, which acts as a current amplifying circuit is coupled between the rectifier output terminals. In this embodiment, the transistors Q3 and Q4 are formed as npn bipolar transistors. The input-side bipolar transistor Q4 is in this embodiment with its collector terminal at the rectifier output terminal 20c coupled and with its emitter terminal to the base of the output-side transistor Q3. The corresponding base for controlling the bipolar transistor Q4 is via a node 82 with a resistor R4 of the drive circuit 80 , which has a resistance of 10 kΩ and with its second terminal to a ground potential 90 is closed, and connected to the optocoupler Q5. About the optocoupler Q5 and the drive circuit can then be a drive signal 62 be applied to the base or control terminal of the transistor Q4. The output-side transistor Q3 is with its base on the one hand via an RC element of the drive circuit 80 with the ground potential 90 connected and on the other with the emitter terminal of the transistor Q4. The controllable output-side current path 35 , That is, the controllable current path between the collector and emitter of the transistor Q3, is between the rectifier output terminals 20c and 20d coupled. Here, the collector terminal of the bipolar transistor Q3 is connected to the rectifier output terminal 20c coupled and the emitter terminal to the rectifier output terminal 20d , Both the rectifier output terminal 20d , as well as the emitter terminal of the transistor Q3 are both on one Reference potential, the ground potential in the present embodiment 90 can be. In further embodiments of the present invention, the Darlington circuit 30 also have more than two bipolar transistors. In addition, it may be the transistors, for example, to field effect transistors, such as. B. MOS-FET transistors, act.
Die Darlingtonschaltung 30 wird in diesem Ausführungsbeispiel über eine Ansteuerschaltungsanordnung 60, 80 angesteuert. Die Ansteuerschaltungsanordnung 80 weist einen Widerstand R4 mit einem Widerstandswert von einigen kΩ auf, der zwischen einen Ansteueranschluss der Darlingtonschaltung 30, also beispielsweise dem Basisanschluss des eingangsseitigen Bipolartransistor Q4 der Darlingtonschaltung und einem Bezugspotentialleiter 90 geschaltet ist, wobei der Bezugspotentialleiter mit einem bezugspotentialseitigen Anschluss des steuerbaren ausgangseitigen Strompfades 35 gekoppelt sein kann. Bei dem Bezugspotential kann es sich beispielsweise um das Massepotential 90 handeln. Der Widerstand R4 ist ausgebildet ist, um im Ruhezustand, also wenn kein Ansteuersignal 62 anliegt und damit kein Bit an das Bussystem 15 gesendet werden soll, einen Knoten 82 in Richtung eine Massepotentials 90 zu ziehen. Ferner weist die Ansteuerschaltungsanordnung 80 das bereits oben erwähnte RC-Glied auf, welches aus einem Widerstand R3 mit einem Widerstandswert im kΩ Bereich und einen Kondensator C1 mit einer Kapazität von weniger als 1 μF besteht, auf. Das RC-Glied ist an einem Anschluss mit der Basis des Transistors Q3 und dem Emitteranschluss des Transistors Q4 verbunden und über seinen zweiten Anschluss an das Bezugspotential, also beispielsweise an das Massepotential 90 gekoppelt. Um nun die Spannungsfestigkeit der Schnittstellenschaltung 100 im Vergleich zu den nach dem Stand der Technik verwendeten Thyristoren (siehe Bild 7) zu verbessern, kann es sich bei den mindestens zwei Transistoren Q3 und Q4 der Darlingtonschaltung um spannungsfeste Transistoren handeln. Beispielsweise können die mindestens zwei Transistoren in der Darlingtonschaltung eine Spannungsfestigkeit von zumindest 100 Volt, zumindest 600 Volt oder zumindest 1000 Volt aufweisen. Für die Bipolartransistoren Q3 und Q4 kann beispielsweise eine Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von zumindest 100 Volt, zumindest 600 Volt oder zumindest 1000 Volt gegeben sein.The Darlington circuit 30 is in this embodiment via a drive circuitry 60 . 80 driven. The drive circuitry 80 has a resistor R4 having a resistance of a few kΩ between a drive terminal of the Darlington circuit 30 , Thus, for example, the base terminal of the input-side bipolar transistor Q4 of the Darlington circuit and a reference potential conductor 90 is connected, wherein the reference potential conductor with a Bezugspotentialseitigen connection of the controllable output-side current path 35 can be coupled. The reference potential may be, for example, the ground potential 90 act. The resistor R4 is designed to be at rest, ie when no drive signal 62 is present and thus no bit to the bus system 15 should be sent, a node 82 towards a ground potential 90 to draw. Furthermore, the drive circuit arrangement 80 the already mentioned above RC element, which consists of a resistor R3 with a resistance in the kΩ range and a capacitor C1 with a capacity of less than 1 uF on. The RC element is connected at one terminal to the base of the transistor Q3 and the emitter terminal of the transistor Q4 and via its second terminal to the reference potential, that is, for example, to the ground potential 90 coupled. Now to the dielectric strength of the interface circuit 100 Compared to the thyristors used in the prior art (see FIG. 7), the at least two transistors Q3 and Q4 of the Darlington circuit can be voltage-resistant transistors. For example, the at least two transistors in the Darlington circuit may have a withstand voltage of at least 100 volts, at least 600 volts, or at least 1000 volts. For bipolar transistors Q3 and Q4, for example, a collector-emitter dielectric strength of at least 100 volts, at least 600 volts or at least 1000 volts may be present.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Darlingtonschaltung 30 spannungsfeste Transistoren mit einer Spannungsfestigkeit größer 600 V umfassen. Die Transistoren der Darlingtonschaltung sind bevorzugt so gewählt, dass eine Stromverstärkung der Darlingtonschaltung größer 1500 oder größer 2000 ist, wobei beim Durchschalten der Darlingtonschaltung ein Kollektorstrom in einem Bereich von 1 mA bis 300 mA in dem ausgangseitigen steuerbaren Strompfad 35 verfügbar ist. Beispielsweise kann der Transistor Q3 vorteilhafterweise eine Stromverstärkung größer 80 in einem Kollektorstrombereich von 1 mA bis 300 mA aufweisen. Der Treibertransistor Q4 in der Darlingtonschaltung 30 kann einen Strombereich für die Stromverstärkung von beispielsweise 1 mA bis 4 mA aufweisen. Um eine Spannung für einen Low-Pegel in einem DALI-Bussystem im zulässigen Bereich der Schnittstellenspannung für einen Low-Pegel von ±4,5 V zu halten, kann es zusätzlich nötig sein den Widerstand R2 der Stromquelle 40 im Eingangskanal der spannungsfesten Schnittstelleschaltung, im Gegensatz zu dem Widerstand R34 der bisherigen Schaltung mit Thyristor (7), auf Masse zu legen.According to one embodiment, the Darlington circuit 30 include voltage-resistant transistors with a dielectric strength greater than 600 V. The transistors of the Darlington circuit are preferably selected so that a current gain of the Darlington circuit is greater than 1500 or greater than 2000, wherein when switching the Darlington circuit a collector current in a range of 1 mA to 300 mA in the output side controllable current path 35 is available. For example, the transistor Q3 may advantageously have a current gain larger 80 in a collector current range from 1 mA to 300 mA. The driver transistor Q4 in the Darlington circuit 30 may have a current range for current amplification of, for example, 1 mA to 4 mA. In order to maintain a voltage for a low level in a DALI bus system within the permissible range of the interface voltage for a low level of ± 4.5 V, it may additionally be necessary to use the resistor R2 of the current source 40 in the input channel of the voltage-proof interface circuit, in contrast to the resistor R34 of the previous circuit with thyristor ( 7 ) to ground.
In einem Ausführungsbeispiel können also die Bipolartransistoren Q4 und Q3 zusammen eine zumindest 1500-fache oder zumindest 2000-fache Stromverstärkung aufweisen, so dass in einem durchgesteuerten Zustand der Darlingtonschaltung in dem ausgangsseitigen steuerbaren Strompfad ein Strom zwischen 1 mA und 300 mA verfügbar ist.In one embodiment, therefore, the bipolar transistors Q4 and Q3 together may have at least 1500 times or at least 2000 times current amplification, so that in a through-controlled state of the Darlington circuit in the output side controllable current path, a current between 1 mA and 300 mA is available.
Vorteilhafter Weise kann in der erfindungsgemäßen spannungsfesten Schnittstellenschaltung an einem oder an mehreren Transistorbasisanschlüssen oder Steueranschlüssen der Transistoren der Darlingtonschaltung 30 ferner ein oder mehrere Kondensatoren geschaltet sein. Diese Kondensatoren können zwischen den Basisanschlüssen und beispielsweise einem Massepotential 90 gekoppelt sein und ein Durchsteuern der jeweiligen Transistoren in Folge eines Spannungspulses über die jeweiligen Miller-Kapazitäten, also der Kapazität zwischen dem Kollektoranschluss und dem Basisanschluss, verhindern. Beispielsweise kann also der Kondensator C1 der Ansteuerschaltung 80 zwischen dem Basisanschluss des ausgangseitigen Transistors, also z. B. dem Bipolartransistor Q3, und einem Bezugspotential, wie dem Massepotential 90, geschaltet sein. Alternativ oder zusätzlich kann auch ein zweiter Kondensator zwischen dem Basisanschluss des eingangsseitigen Transistors also z. B. dem Bipolartransistor Q4 und einem entsprechenden Bezugspotential geschaltet sein.Advantageously, in the voltage-resistant interface circuit according to the invention at one or more transistor base terminals or control terminals of the transistors of the Darlington circuit 30 further, one or more capacitors may be connected. These capacitors may be between the base terminals and, for example, a ground potential 90 be coupled and prevent a driving through the respective transistors as a result of a voltage pulse across the respective Miller capacitances, so the capacity between the collector terminal and the base terminal. For example, therefore, the capacitor C1 of the drive circuit 80 between the base terminal of the output side transistor, so z. B. the bipolar transistor Q3, and a reference potential, such as the ground potential 90 , be connected. Alternatively or additionally, a second capacitor between the base terminal of the input-side transistor so z. B. be connected to the bipolar transistor Q4 and a corresponding reference potential.
Durch diesen Kondensator C1 kann dann die Spannungsfestigkeit der spannungsfesten Schnittstellenschaltung wesentlich verbessert werden. In dem Ausführungsbeispiel in 3 ist beispielsweise der Kondensator C1 zwischen die Transistorbasis des Bipolartransistors Q3 und dem Massepotential 90 gekoppelt. Der Kondensator C1 weist in diesem Ausführungsbeispiel einen Kapazitätswert von unter 1 μF auf, der relativ groß gegenüber einer typischen Miller-Kapazität eines Bipolartransistors, welche im Pico-Farad Bereich liegt, ist.By this capacitor C1 then the dielectric strength of the voltage-resistant interface circuit can be substantially improved. In the embodiment in 3 For example, the capacitor C1 between the transistor base of the bipolar transistor Q3 and the ground potential 90 coupled. The capacitor C1 in this embodiment has a capacitance value of less than 1 μF, which is relatively large compared to a typical Miller capacitance of a bipolar transistor, which is in the pico Farad range.
Allgemein kann der Kapazitätswert eines solchen Kondensators, z. B des Kondensators C1 auf die Miller-Kapazität des angeschlossenen Transistors und die gewünschte Spannungsfestigkeit der Schnittstellenschaltung 100 abgestimmt sein. Die Kapazität eines Kondensators zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit kann beispielsweise mindestens 100-mal oder 200-mal so groß sein, wie die Miller-Kapazität eines Transistors der Darlingtonschaltung, mit dem der Kondensator zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit gekoppelt ist. Beispielsweise kann eine Kapazität des Kondensators der mit einer Basis bzw. einem Steueranschluss eines Transistors der Darlingtonschaltung verbunden ist, so gewählt sein, dass ein Spannungspuls von 500 V, von 1000 V, von 2000 V oder sogar von einer höheren Spannung über den ausgangsseitigen steuerbaren Strompfad 35 bei einem inaktiven Ansteuersignal an der Darlingtonschaltung nicht zu einem Durchsteuern des ausgangsseitigen steuerbaren Strompfades 35 führt. Bei Anliegen einer entsprechend dimensionierten Kapazität an einem Basis- oder Steueranschluss eines Transistors der Darlingtonschaltung kann das Durchsteuern des ausgangsseitigen steuerbaren Strompfades verhindert wird. Die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 kann also in Ausführungsbeispielen ferner zumindest einen Kondensator C1 aufweisen, der mit einem Steueranschluss eines Transistors Q3 und/oder Q4 der Darlingtonschaltung 30 gekoppelt ist, und der ausgelegt ist, um einer Änderung in einem gesteuerten Strompfad des entsprechenden Transistors Q3 und/oder Q4 entgegenzuwirken. In general, the capacitance value of such a capacitor, for. B of the capacitor C1 to the Miller capacitance of the connected transistor and the desired dielectric strength of the interface circuit 100 be coordinated. For example, the capacitance of a capacitor to increase withstand voltage may be at least 100 times or 200 times greater than the Miller capacitance of a transistor of the Darlington circuit to which the capacitor is coupled for increasing the dielectric strength. For example, a capacitance of the capacitor connected to a base or a control terminal of a transistor of the Darlington circuit may be selected such that a voltage pulse of 500 V, of 1000 V, of 2000 V or even of a higher voltage via the output-side controllable current path 35 in the case of an inactive drive signal on the Darlington circuit, not for controlling the output-side controllable current path 35 leads. When a correspondingly dimensioned capacitance is applied to a base or control terminal of a transistor of the Darlington circuit, the control of the output-side controllable current path can be prevented. The voltage-resistant interface circuit 100 Thus, in embodiments, it may further include at least one capacitor C1 connected to a control terminal of a transistor Q3 and / or Q4 of the Darlington circuit 30 is coupled, and which is designed to counteract a change in a controlled current path of the corresponding transistor Q3 and / or Q4.
Vorteilhafterweise gibt es bei dem Einsatz einer Darlingtonschaltung im Vergleich zu einer Schnittstellenschaltung mit Thyristor nicht den für Thyristoren typischen Kippeffekt, der dazu führt, dass nach dem „Zünden” des Thyristor ein Abschalten des Thyristors schwerer zu handhaben ist.Advantageously, when using a Darlington circuit compared to an interface circuit with thyristor there is not typical for thyristors tilt effect, which means that after the "ignition" of the thyristor switching off the thyristor is difficult to handle.
Die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 kann ferner eine Stromquelle 40 aufweisen, die zwischen den ersten Gleichrichterausgangsanschluss 20c und einem Knoten 70 gekoppelt ist. Die Stromquelle 40 weist zwei pnp-Bipolartransistoren Q1 und Q2 auf, sowie einen ersten Widerstand R1 mit einem Widerstandswert einigen hundert Ω und einen zweiten Widerstand R2 mit einem Widerstandswert von ca. hundert kΩ. Der Bipolartransistor Q1 kann als Regelungstransistor für den Bipolartransistor Q2 wirken, da er über seinen steuerbaren Strompfad mit dem Basisanschluss des Transistors Q2 gekoppelt ist. Der Emitteranschluss des Transistors Q1 und der Widerstand R1 sind an den Gleichrichterausgangsanschluss 20c angeschlossen und ein Basisanschluss des Transistors Q1 ist zwischen dem weiteren Anschluss des Widerstandes R1 und dem Emitteranschluss des Transistors Q2 geschaltet. Der Kollektoranschluss des Transistors Q1 ist zum einen an den Basisanschluss des Transistors Q2 gekoppelt und zum anderen über den Widerstand R2 mit einem Bezugspotential, wie z. B. dem Massepotential 90. Der Widerstand R2 ist zwischen einem Bezugspotential, wie z. B. dem Massepotential 90, und dem Basisanschluss des Transistors Q2 geschaltet. Der Kollektoranschluss des Transistors Q2 ist über den Knoten 70 mit der Schaltanordnung zur Spannungsbegrenzung 50 und mit dem Optokoppler 60 verbunden.The voltage-resistant interface circuit 100 can also be a power source 40 between the first rectifier output terminal 20c and a node 70 is coupled. The power source 40 has two pnp bipolar transistors Q1 and Q2, and a first resistor R1 having a resistance of a few hundred Ω and a second resistor R2 having a resistance of about one hundred kΩ. The bipolar transistor Q1 can act as a control transistor for the bipolar transistor Q2, since it is coupled via its controllable current path to the base terminal of the transistor Q2. The emitter terminal of the transistor Q1 and the resistor R1 are connected to the rectifier output terminal 20c and a base terminal of the transistor Q1 is connected between the other terminal of the resistor R1 and the emitter terminal of the transistor Q2. The collector terminal of the transistor Q1 is coupled on the one hand to the base terminal of the transistor Q2 and the other via the resistor R2 to a reference potential, such as. B. the ground potential 90 , The resistor R2 is between a reference potential, such. B. the ground potential 90 , and the base terminal of the transistor Q2. The collector terminal of transistor Q2 is across the node 70 with the switching arrangement for voltage limiting 50 and with the optocoupler 60 connected.
Dar der zweite Widerstand R2 dabei an das Massepotential 90 angeschlossen ist, kann ein Basisstrom des Transistors Q2 bei kleinen Eingangsspannungen, die einem Low-Pegel entsprechen können, an der spannungsfesten Schnittstellenschaltung 100, wegen der um die Zenerdiode Z3 und der Optokopplerspannung der Schaltungsanordnung 50 erhöhten Spannung an dem Widerstand R2, entscheidend erhöht werden. Die Schalteranordnung 50 weist in diesem Ausführungsbeispiel nämlich einen Optokoppler Q6 und eine in Sperrrichtung betriebene Zenerdiode Z3 auf, die mit ihrem kathodenseitigen Anschluss mit dem Kollektoranschluss des Transistors Q2 verbunden ist. Der Anodenanschluss der Zenerdiode Z3 ist hingegen an einen Anodenanschluss einer Leuchtdiode des Optokopplers geschaltet und der entsprechende Kathodenanschluss der Leuchtdiode an das Bezugs- bzw. Massepotential 90 gelegt.Dar the second resistor R2 while the ground potential 90 is connected, a base current of the transistor Q2 at low input voltages, which may correspond to a low level, to the voltage-resistant interface circuit 100 due to the Zener diode Z3 and the optocoupler voltage of the circuit arrangement 50 increased voltage across the resistor R2, be increased significantly. The switch arrangement 50 Namely, in this embodiment has an opto-coupler Q6 and a reverse-biased Zener diode Z3, which is connected with its cathode-side terminal to the collector terminal of the transistor Q2. The anode terminal of the zener diode Z3, however, is connected to an anode terminal of a light-emitting diode of the optocoupler and the corresponding cathode terminal of the light-emitting diode to the reference or ground potential 90 placed.
Wie in 3 dargestellt ist, kann die Stromquelle 40 zwischen dem ersten Gleichrichterausgangsanschluss 20c und einem Ansteueranschluss 30a der Darlingtonschaltung 30 gekoppelt sein. Dieser Ansteueranschluss 30a kann beispielsweise der Basis- oder der Steueranschluss des Transistors Q4 sein.As in 3 is shown, the power source 40 between the first rectifier output terminal 20c and a drive terminal 30a the Darlington circuit 30 be coupled. This drive connection 30a For example, it may be the base or control terminal of transistor Q4.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist zwischen die Stromquelle 40 und die Darlingtonschaltung 30 ferner der Optokoppler 60 gekoppelt. Liegt nun beispielsweise am Eingang der spannungsfesten Schnittstellschaltung ein Active-Low-Signal eines DALI-Protokolls an, das heißt, ein Spannungspegel zwischen –4,5 V und +4,5 V, so sollte ein Strom über den Transistor Q2 der Stromquelle 40 und dem Optokoppler Q5, der auf ein Ansteuersignal von einem Mikroprozessor durchgesteuert sein kann, größer als 150 μA sein, damit der ausgangsseitige durchsteuerbare Strompfad 35 des Transistors Q3 der Darlingtonschaltung 30 ungefähr 250 mA Strom ziehen kann. Dadurch kann sichergestellt werden, dass ein von dem Mikroprozessor gesendetes Bit über die Gleichrichterschaltung 20 an das Bussystem 15 übertragen werden kann.In the present embodiment is between the power source 40 and the Darlington circuit 30 also the optocoupler 60 coupled. If, for example, an active-low signal of a DALI protocol is present at the input of the voltage-resistant interface circuit, that is to say a voltage level between -4.5 V and +4.5 V, then a current should flow through the transistor Q2 of the current source 40 and the optocoupler Q5, which may be controlled by a drive signal from a microprocessor, be greater than 150 μA, so that the output-side steerable current path 35 of the transistor Q3 of the Darlington circuit 30 can draw approximately 250 mA of current. This can ensure that a bit transmitted by the microprocessor is transmitted through the rectifier circuit 20 to the bus system 15 can be transferred.
Die Schalteranordnung 50 weist in diesem Ausführungsbeispiel einen Optokoppler Q6 und die Zenerdiode Z3 auf, die ist über den Knoten 70 mit der Stromquelle 40 und dem Optokoppler Q5 verbunden sind. Der Optokoppler Q6 dient dazu, Daten oder Steuersignale, die an den Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a, 20b anliegen, an eine entsprechende Steuereinheit oder einen Mikroprozessor zu übertragen. Eine Leuchtdiode (LED) eines Optokopplers kann dazu ausgebildet sein, um basierend auf den an den Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a, 20b anliegenden Signalen einen Photoempfänger, wie z. B. einen Phototransistor oder eine Photodiode, des Optokopplers anzuregen. Die Steuereinheit bzw. der Mikroprozessor kann ausgebildet sein, um nach einem DALI-Protokoll Daten- und/oder Steuersignale bidirektional über die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 zu senden und zu empfangen.The switch arrangement 50 has in this embodiment, an optocoupler Q6 and the Zener diode Z3, which is about the node 70 with the power source 40 and the optocoupler Q5 are connected. The optocoupler Q6 serves to transmit data or control signals to the Rectifier input terminals 20a . 20b concerns to transfer to a corresponding control unit or a microprocessor. A light emitting diode (LED) of an opto-coupler may be configured to be based on that at the rectifier input terminals 20a . 20b applied signals a photoreceiver, such. B. a phototransistor or a photodiode to excite the optocoupler. The control unit or the microprocessor can be designed to bidirectional data and / or control signals via the voltage-resistant interface circuit according to a DALI protocol 100 to send and receive.
Durch die Schaltungsanordnung 50 mit dem Optokoppler Q6, der eine Leuchtdiode (LED) aufweist, und der in Sperrrichtung geschalteten Zenerdiode Z3 kann eine Spannungsbegrenzung im Knoten 70 erreicht werden. Dies wird durch den definierten Spannungsabfall an der Zenerdiode und der LED erreicht. Damit kann dann auch, falls der Optokoppler Q5 durchgeschaltet ist, eine definierte Ansteuerspannung an dem Ansteueranschluss 30a der Darlingtonschaltung, nämlich dem Basis- bzw. dem Steueranschluss des Transistors Q4, erzielt werden. Die Basis von dem Transistor Q4 der Darlingtonschaltung ist also bezüglich einem Spannungspuls über den Eingangskanal, das heißt, über die Stromquelle 40 und die Schaltungsanordnung 50, geschützt.By the circuit arrangement 50 with the opto-coupler Q6, which has a light-emitting diode (LED), and the reverse-connected Zener diode Z3, a voltage limitation in the node 70 be achieved. This is achieved by the defined voltage drop across the zener diode and the LED. This can then, if the optocoupler Q5 is turned on, a defined drive voltage to the drive terminal 30a the Darlingtonschaltung, namely the base or the control terminal of the transistor Q4 can be achieved. The base of the transistor Q4 of the Darlington circuit is thus with respect to a voltage pulse across the input channel, that is, via the current source 40 and the circuit arrangement 50 protected.
Der Optokoppler Q6 kann ausgebildet sein, um, wie in dem Schaltplan in der 3 dargestellt ist, Daten- und/oder Steuerbefehle gemäß einem DALI-Protokoll an einen nachfolgenden Mikroprozessor μC, der beispielsweise in einem Vorschaltgerät für Leuchtmittel integriert sein kann, zu übertragen. Der Optokoppler Q5 kann im Gegenzug so ausgebildet sein, um ein Ansteuersignal 62 von einem Mikroprozessor μC eines Vorschaltgerätes zu empfangen und daraufhin eine entsprechende digitale Information mit Hilfe der Darlingtonschaltung an den Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a, 20b zur Verfügung zu stellen. Diese digitalen Informationen können dann über ein Bus- oder Leitungssystem 15 beispielsweise an eine zentrale Steuereinheit eines Beleuchtungssystems weitergegeben werden.The optocoupler Q6 may be configured to, as in the circuit diagram in the 3 is shown, data and / or control commands according to a DALI protocol to a subsequent microprocessor μC, which may be integrated, for example, in a ballast for lighting. The opto-coupler Q5 can in turn be designed to be a drive signal 62 from a microprocessor μC a ballast to receive and then a corresponding digital information using the Darlington circuit to the rectifier input terminals 20a . 20b to provide. This digital information can then be transmitted over a bus or line system 15 For example, be forwarded to a central control unit of a lighting system.
In 4 ist der Schaltplan einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung 100 gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel dargestellt. Die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 weist wiederum eine Gleichrichterschaltung 20, eine Stromquelle 40, eine Empfangsschaltungsanordnung 50, eine Darlingtonschaltung 30, sowie einen Optokoppler Q5 auf, wie sie bereits im Zusammenhang mit der 3 beschrieben wurden, weshalb diese an dieser Stelle nicht noch einmal erläutert werden. Wie in 4 weiter dargestellt ist, kann den Gleichrichtereingangsanschlüssen 20a und 20b der spannungsfesten Schnittstellenschaltung 100 ein Filter 85 vorgeschaltet sein. Der Zweck des Filters ist, wie oben bereits erläutert, die Filterung bzw. die Dämpfung von Spannungspulsen, wie z. B. den oben erwähnten Burst- oder Surgepulsen. Die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 kann also in diesem Ausführungsbeispiel ferner ein Filter umfassen, das unerwünschte Spannungspulse filtert bzw. dämpft. Das Filter 85 besteht in diesem Ausführungsbeispiel aus einer Induktivität L1 mit einem Induktivitätswert von 10 μH, einem Kondensator C2 mit einer Kapazität von einigen Hundert pF und einem 300 V Varistor VDR. Der Kondensator C2 und der Varistor VDR sind dabei als RC-Glied zwischen die Gleichrichtereingangsanschlüsse 20a und 20b geschaltet, während die Induktivität L1 in Serie zu dem RC-Glied und dem Gleichrichtereingangsanschluss 20a gekoppelt ist.In 4 is the circuit diagram of a voltage-resistant interface circuit 100 illustrated according to another embodiment. The voltage-resistant interface circuit 100 again has a rectifier circuit 20 , a power source 40 , a receiving circuit arrangement 50 , a Darlington circuit 30 , as well as a Q5 optocoupler, as already related to the 3 why they will not be explained again at this point. As in 4 is further illustrated, the rectifier input terminals 20a and 20b the voltage-resistant interface circuit 100 a filter 85 be upstream. The purpose of the filter is, as already explained above, the filtering or attenuation of voltage pulses, such as. As the above-mentioned burst or Surgepulsen. The voltage-resistant interface circuit 100 Thus, in this exemplary embodiment, it may further comprise a filter which filters or damps unwanted voltage pulses. The filter 85 consists in this embodiment of an inductor L1 with an inductance of 10 μH, a capacitor C2 with a capacity of a few hundred pF and a 300 V varistor VDR. The capacitor C2 and the varistor VDR are as RC element between the rectifier input terminals 20a and 20b while the inductor L1 is connected in series with the RC element and the rectifier input terminal 20a is coupled.
Das Filter 85 kann so dimensioniert sein, dass beispielsweise Burstpulse bis auf eine Spannungserhöhung von einigen 10 Volt eliminiert werden. Problematischer kann dies hingegen bei den energiereichen Surgepulsen sein, bei denen die Spannungserhöhung durch das Filter nicht so stark eliminiert wird. Surgepulse werden zwar durch das Filter mit dem Varistor VDR in der Spannungsamplitude stark reduziert, aber dennoch kann ein Surgespannungspuls von beispielsweise 2 kV trotz Filter 85 noch mit einer Amplitude von beispielsweise bis zu einem kV an die Gleichtrichtereingangsanschlüsse der Schnittstellenschaltung gelangen. Wie oben bereits erwähnt wurde, würde nun durch die steile Flanke solch eines Surgepulses eine Schnittstellenschaltung mit Thyristor nach dem Stand der Technik ganz oder teilweise durchschalten, da es sich bei dem Thyristor um ein mitgekoppeltes Element handelt. Dies kann zur Zerstörung der Schaltung führen.The filter 85 can be dimensioned so that, for example, burst pulses are eliminated except for a voltage increase of a few 10 volts. On the other hand, this can be more problematic in the case of high-energy surge pulses, in which the voltage increase through the filter is not so much eliminated. Surge pulses are indeed greatly reduced by the filter with the varistor VDR in the voltage amplitude, but still a surge voltage pulse of, for example, 2 kV despite filter 85 still reach the common-rectifier input terminals of the interface circuit with an amplitude of, for example, up to one kV. As already mentioned above, the steep flank of such a surge pulse would now completely or partially switch through an interface circuit with a thyristor according to the prior art, since the thyristor is a coupled element. This can lead to the destruction of the circuit.
Durch die erfindungsgemäße Verwendung der Darlingtonschaltung mit spannungsfesten Transistoren in einer Schnittstellenschaltung 100 und durch die Verwendung mindestens eines Kondensators, der zwischen einen Basisanschluss bzw. einen Steueranschluss eines Transistors der Darlingtonschaltung und einem Bezugspotential 90 gekoppelt ist, können im Vergleich zu Schnittstellenschaltungen mit Thyristorschaltungen viel höhere Spannungspulse angelegt werden, ohne dass die Schaltung zerstört wird. So kann beispielsweise eine Schnittstellenschaltung mit Thyristorschaltung, wie sie im Zusammenhang mit 7 beschrieben wurde, schon bei einem Surgepuls von 500 V zerstört werden, während, wie in Tests gezeigt wurde, die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 mit Darlingtonschaltung Spannungspulsen, also z. B. Surgespannungen von über 2 kV standhalten kann, ohne dass die Schaltung zerstört wird. Zudem ist der Einsatz von 300 V Varistoren VDR an Stelle von 275 V Varistoren in Schnittstellenschaltungen mit Thyristorschaltung schlecht möglich, da eine Spannung durch die Verwendung eines 300 V Varistors VDR in dem Filter am Thyristor dementsprechend erhöht werden würde, weshalb in einer Thyristorschaltung im Gegensatz zu der erfindungsgemäßen spannungsfesten Schnittstellenschaltung typischerweise nur 275 V Varistoren VDR eingesetzt werden können. Das heißt jedoch, dass vorteilhafterweise mit der erfindungsgemäßen spannungsfesten Schnittstellenschaltung Varistoren VDR größer 275 V in dem Filter 85 verwendet werden können.By the inventive use of the Darlington circuit with voltage-proof transistors in an interface circuit 100 and by using at least one capacitor connected between a base terminal and a control terminal of a transistor of the Darlington circuit and a reference potential 90 is coupled, much higher voltage pulses can be applied compared to interface circuits with thyristor circuits, without the circuit being destroyed. For example, an interface circuit with a thyristor circuit, as associated with 7 has already been destroyed at a surge pulse of 500 V, while, as shown in tests, the voltage-resistant interface circuit 100 with Darlington circuit voltage pulses, so z. B. Surge voltages of more than 2 kV can withstand without the circuit is destroyed. In addition, the use of 300V varistors VDR in place of 275V varistors in thyristor circuit interface circuits is poorly possible because a voltage is correspondingly increased by the use of a 300V varistor VDR in the filter on the thyristor why, in contrast to the voltage-resistant interface circuit according to the invention, typically only 275 V varistors VDR can be used in a thyristor circuit. However, this means that, advantageously with the voltage-resistant interface circuit according to the invention, varistors VDR greater than 275 V in the filter 85 can be used.
Typischerweise werden an einem Netzeingang eines elektrischen Vorschaltgerätes für Leuchtmittel 300 V Varistoren eingesetzt. Aus den obigen Ausführungen ist klar, dass diese 300 V Varistoren vorteilhafterweise nun auch für das Filter einer spannungsfesten Schnittstellenschaltung in dem elektrischen Vorschaltgerät eingesetzt werden kann. Dadurch ergeben sich Kostenvorteile beim Einkauf der Varistoren und der Herstellung der Vorschaltgeräte mit der Schnittstellenschaltung, sowie eine vereinfachte und schnellere Bestückung der Vorschaltgeräte in der Produktion, da keine zwei unterschiedlichen Varistorentypen verwendet werden müssen.Typically, 300 V varistors are used at a mains input of an electrical ballast for lamps. From the above, it is clear that these 300 V varistors can now advantageously be used for the filter of a voltage-resistant interface circuit in the electric ballast. This results in cost advantages when purchasing the varistors and the production of the ballasts with the interface circuit, as well as a simplified and faster assembly of the ballasts in production, since no two different varistor types must be used.
In dem in 4 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Ansteuereinrichtung 80 neben dem Kondensator C1, der einen Kapazitätswert von einigen nF aufweist, und dem Widerstand R3 mit einem Widerstandswert im kΩ-Bereich, ferner einen zweiten Kondensator C7 mit einem Widerstandswert von einigen nF und einem zweiten Widerstand R4 mit einem Widerstandswert im kΩ Bereich auf. Der Kondensator C1 und der Widerstand R3 sind parallel zwischen der Basis bzw. dem Steueranschluss des Transistors Q3 und einer Bezugspotentialleitung bzw. einem Massepotential 90 angeordnet. Der Kondensator C7 und der Widerstand R4 sind in diesem Ausführungsbeispiel zusätzlich an die Basis bzw. den Steueranschluss des zweiten Transistors Q4 der Darlingtonschaltung 30 angeschlossen und zwar bevorzugt in einer Parallelschaltung zwischen dem Basisanschluss des Transistors Q4 und einer Bezugspotentialleitung, die auf einem Massepotential 90 liegen kann. In diesen Ausführungsbeispielen wird also an jede Transistorbasis der Darlingtonschaltung eine Kapazität geschaltet, die ein Durchsteuern des jeweiligen Transistors in Folge eines Spannungspulses über ihre entsprechenden Kollektor-Basiskapazitäten bzw. ihren Miller-Kapazitäten verhindern soll. Durch das Verschalten der entsprechenden Transistorbasisanschlüsse der zwei Transistoren der Darlingtonschaltung mit einem oder mehreren Kondensatoren kann, wie oben bereits näher erläutert wurde, einem Durchsteuern des ausgangsseitigen steuerbaren Strompfades 35 und damit einer möglichen Zerstörung bei Überspannung entgegengewirkt werden.In the in 4 illustrated embodiment, the drive device 80 in addition to the capacitor C1, which has a capacitance value of a few nF, and the resistor R3 with a resistance value in the kΩ range, furthermore a second capacitor C7 with a resistance value of a few nF and a second resistor R4 with a resistance value in the kΩ range. The capacitor C1 and the resistor R3 are connected in parallel between the base and the control terminal of the transistor Q3 and a reference potential line and a ground potential, respectively 90 arranged. In this exemplary embodiment, the capacitor C7 and the resistor R4 are additionally connected to the base or the control terminal of the second transistor Q4 of the Darlington circuit 30 connected, and preferably in a parallel circuit between the base terminal of the transistor Q4 and a reference potential line, which at a ground potential 90 can lie. In these exemplary embodiments, therefore, a capacitance is connected to each transistor base of the Darlington circuit, which is intended to prevent the respective transistor from being turned on as a result of a voltage pulse across its corresponding collector base capacitances or their Miller capacitances. By interconnecting the corresponding transistor base terminals of the two transistors of the Darlington circuit with one or more capacitors can, as already explained in more detail above, a Durchsteuern the output side controllable current path 35 and thus a possible destruction of overvoltage counteracted.
Wie in dem Blockschaltbild in 4 dargestellt ist kann die spannungsfeste Schnittstellenschaltung ferner eine Schaltungsanordnung 88 zur Einstellung einer Flankensteilheit der auf das Bussystem 15 zu übertragenden Signale aufweisen.As in the block diagram in 4 As shown, the voltage resistant interface circuit may further include circuitry 88 for setting a slope of the on the bus system 15 have to be transmitted signals.
In 5 ist nun schematisch ein Ausführungsbeispiel für eine Anwendung der erfindungsgemäßen spannungsfesten Schnittstellenschaltung 100 dargestellt. Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann ein elektrisches Vorschaltgerät 200 für Leuchtmittel 210 eine im Zusammenhang mit den 1 bis 4 beschriebene spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 aufweisen. Bei dem durch das Vorschaltgerät gesteuerte Leuchtmittel kann es sich beispielsweise um eine Glühlampe oder eine Gasentladungslampe handeln. Das Vorschaltgerät 200 kann ferner eine Steuereinheit bzw. einen Mikroprozessor oder Mikrocontroller aufweisen, der ausgebildet ist, den Betriebszustand des Leuchtmittels 210 über einen Steuerschaltkreis zu steuern. Solch ein Betriebszustand kann beispielsweise ein bestimmter einzustellender Helligkeitswert des Leuchtmittels 210 sein. Das Vorschaltgerät kann über einen eigenen Spannungsversorgungsanschluss 220 verfügen. Das Leuchtmittel kann also beispielsweise bei 220 V betrieben werden, während das oben erwähnte Bussystem 15 bei einer Spannung in einem Bereich von –22,5 V bis +22,5 V betrieben werden kann. Die Einstellung eines bestimmten Betriebszustandes kann durch einen Steuerbefehl veranlasst werden. Dieser Steuerbefehl kann von dem Bussystem 15 über die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 an die Steuereinheit μC, die dann die entsprechende Ansteuerung eines Steuerschaltkreises 230 übernimmt, übertragen werden. Beispielsweise kann also von einer zentralen Steuereinheit oder einem Taster bzw. einem Sensor, die an das Bussystem 15 angeschlossen sind, ein Steuerbefehl zum Einstellen eines bestimmten Helligkeitswertes über die spannungsfeste Schnittstellenschaltung an die Steuereinheit μC des Vorschaltgerätes 200 weitergegeben werden. Diese kann dann beispielweise veranlassen, dass durch eine Änderung einer Frequenz und/oder eines Tastverhältnisses eine von einem Wechselrichter gelieferte getaktete Wechselspannung für das Leuchtmittel 210 im Steuerschaltkreis 230 so verändert wird, dass der gewünschte Helligkeitswert eingestellt wird. Bei dem Leitungs- bzw. Bussystem 15 kann es sich um das DALI-Bussystem handeln, in dem Daten und/oder Steuerbefehle gemäß einem DALI-Protokoll übertragen werden. Die Steuereinheit bzw. der Mikrocontroller μC kann so ausgebildet sein, dass er anhand der Signalstruktur der Signale, die ihm über die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 zugeführt werden erkennen kann, ob es sich beispielsweise um Tastersignale, das heißt, einfache Impulssignale oder beispielsweise auch um Digital-Serial-Schnittstelle(DSI)-Signale, das heißt, Signale gemäß einem bestimmten digitalen Protokoll, handelt. Abhängig von der Art der Daten bzw. Steuerbefehle können diese dann unterschiedlich verarbeitet werden.In 5 is now schematically an embodiment of an application of the voltage-resistant interface circuit according to the invention 100 shown. According to one embodiment, an electric ballast 200 for bulbs 210 one related to the 1 to 4 described voltage-resistant interface circuit 100 exhibit. The light source controlled by the ballast may be, for example, an incandescent lamp or a gas discharge lamp. The ballast 200 may further comprise a control unit or a microprocessor or microcontroller, which is designed, the operating state of the lighting means 210 to control via a control circuit. Such an operating state can, for example, be a specific brightness value of the luminous means to be set 210 be. The ballast can have its own power supply connection 220 feature. The light source can thus be operated for example at 220 V, while the above-mentioned bus system 15 can be operated at a voltage in a range of -22.5 V to +22.5 V. The setting of a specific operating state can be initiated by a control command. This control command can be from the bus system 15 via the voltage-resistant interface circuit 100 to the control unit μC, which then the appropriate control of a control circuit 230 takes over, be transferred. For example, so from a central control unit or a button or a sensor connected to the bus system 15 are connected, a control command for setting a specific brightness value via the voltage-resistant interface circuit to the control unit .mu.C of the ballast 200 be passed on. This can then cause, for example, that by a change in a frequency and / or a duty cycle supplied by an inverter clocked AC voltage for the light source 210 in the control circuit 230 is changed so that the desired brightness value is set. In the line or bus system 15 it can be the DALI bus system in which data and / or control commands are transmitted according to a DALI protocol. The control unit or the microcontroller .mu.C can be designed in such a way that it uses the signal structure of the signals supplied to it via the voltage-resistant interface circuit 100 can be detected, whether it is, for example, probe signals, that is, simple pulse signals or, for example, digital serial interface (DSI) signals, that is, signals according to a particular digital protocol is. Depending on the type of data or control commands, these can then be processed differently.
Wie in den 6a–b schematisch dargestellt ist, umfasst die Erfindung allgemein auch ein Beleuchtungssystem 300 zur Steuerung von Leuchtmitteln mit einer zentralen Steuereinheit 310, welche ausgebildet ist, einen Betriebszustand eines Leuchtmittels einzustellen oder abzufragen. Ferner weist das Beleuchtungssystem 300 zumindest ein Vorschaltgerät 200 für Leuchtmittel auf, wobei das Vorschaltgerät eine spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100, wie sie im Zusammenhang mit den 1 bis 5 beschrieben wurde, aufweist. Die zentrale Steuereinheit 310 und das elektrische Vorschaltgerät 200 können über das Bussystem 15 zur Übertragung von Daten- und/oder Steuersignalen elektrisch miteinander gekoppelt sein. Das Bussystem kann, wie im Zusammenhang mit den 1 bis 5 beschrieben ist, an die Schnittstellenschaltung 100 elektrisch gekoppelt sein. Bei dem Bussystem 15 kann es sich beispielsweise um ein DALI-Bussystem handeln, auf dem Daten- und/oder Steuersignale gemäß einem DALI-Protokoll zwischen der zentralen Steuereinheit 310 und dem Vorschaltgerät übertragen werden können. Denkbar ist jedoch auch, dass es sich um ein anderes Bussystem handelt. Die Übertragung kann bidirektional erfolgen, weshalb die spannungsfeste Schnittstellenschaltung 100 ausgebildet sein kann, entsprechende Daten- und/oder Steuersignale bidirektional zwischen einem Vorschaltgerät und der zentralen Steuereinheit 310 zu übertragen. As in the 6a -B is shown schematically, the invention generally also includes a lighting system 300 for controlling lamps with a central control unit 310 , which is designed to set or interrogate an operating state of a luminous means. Furthermore, the lighting system 300 at least one ballast 200 for lighting, wherein the ballast a voltage-resistant interface circuit 100 as related to the 1 to 5 has been described. The central control unit 310 and the electric ballast 200 can over the bus system 15 be electrically coupled to each other for the transmission of data and / or control signals. The bus system can, as related to the 1 to 5 is described, to the interface circuit 100 be electrically coupled. In the bus system 15 it may be, for example, a DALI bus system, on the data and / or control signals according to a DALI protocol between the central control unit 310 and the ballast can be transmitted. It is also conceivable, however, that it is a different bus system. The transmission can be bidirectional, which is why the voltage-resistant interface circuit 100 may be formed, corresponding data and / or control signals bidirectionally between a ballast and the central control unit 310 transferred to.
Gemäß einigen Ausführungsbeispielen können auch andere Elemente zur Steuerung eines Betriebszustandes eines Leuchtmittels an das Bussystem angeschlossen sein. Dabei kann es sich beispielsweise um Schalter, Kontrolltafeln, Taster, Sensoren usw. handeln. Wie in 6a dargestellt ist, können dabei Sensoren und Bedienelemente 320 über separate Verbindungen direkt an die zentrale Steuereinheit 310 angebunden sein oder aber die Sensoren und Bedienelemente 320 können über das DALI-Bussystem 15 an die zentrale Steuereinheit 310 und die Vorschaltgeräte 200 angeschlossen sein, wie in der 6b schematisch dargestellt ist.According to some embodiments, other elements for controlling an operating state of a light source may be connected to the bus system. These may be, for example, switches, control panels, buttons, sensors, etc. As in 6a is shown, sensors and controls 320 via separate connections directly to the central control unit 310 be connected or the sensors and controls 320 can be done via the DALI bus system 15 to the central control unit 310 and the ballasts 200 be connected, as in the 6b is shown schematically.
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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DE 1011336 C1 [0005] DE 1011336 C1 [0005]
