DE202005011805U1 - Weiße Leuchtdiode - Google Patents
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- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
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Abstract
Weiße Leuchtdiode,
die einen Träger (10)
aufweist, auf dem ein Chip (20) aufliegt, der ein Ultraviolett-Licht
aussendet und auf dem sich ein flaches, dünnes Plättchen (30) befindet, wobei
das dünne
Plättchen (30)
derart hergestellt oder herstellbar ist, dass Wirtskristall und
Fluoreszenzfarbstoffe gründlich
gemischt sind, damit das dünne
Plättchen
(30) eine gleichmäßige Dicke
und die Fluoreszenzfarbstoffe eine gleichmäßige Verteilungsdichte aufweist,
so dass sich ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne
Halobildung und photochrome Unterschiede ergibt, wenn das vom Chip
(20) ausgesendete Ultraviolettlicht durch das dünne Plättchen (30) hindurchgeht.
Description
- Die Erfindung betrifft eine weiße Leuchtdiode, insbesondere eine Leuchtdiode, welche ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne Halobildung und photochrome Unterschiede aussendet.
- Im Jahr 1996 ist eine weiße Leuchtdiode von einer Firma (Nichia Chemical Industries, Ltd.) entwickelt worden. Um mit Leuchtdioden weißes Licht zu erzeugen, wird ein Teil des Lichtes blauer LED Anregung von geeigneten Fluoreszenzfarbstoffen in gelbes Licht umgewandelt und die Mischung ergibt weiß. In der nahen Zukunft wird die weiße Leuchtdiode mit hoher Lichtausbeute Glühlampen und Leuchtstoffröhren buchstäblich in den Schatten stellen.
- Das weiße Licht ist eigentlich ein Mischlicht aus mehreren Farben. Das sichtbare weiße Licht ergibt sich aus einem Mischlicht, das wenigstens zwei Wellenlängen aufweist. Werden die Augen Rot-, Grün- und Blaulichtstrahlen sowie Blau- und Gelblichtstrahlen ausgesetzt, kann können sie weißes Licht wahrnehmen. Durch diesen Grundsatz kann die weiße Leuchtdiode hergestellt werden. Beim Herstellen der herkömmlichen weißen Leuchtdioden mit drei Wellenlängen werden mehr als drei Fluoreszenzfarbstoffe verwendet, um ihre Farbwiedergabeeigenschaft zu verbessern. Dies führt jedoch zur schwierigen Auswahl von Fluoreszenzfarbstoffen.
- Eine herkömmliche Konstruktion von Weißlicht-Leuchtdioden weist, wie aus
3 ersichtlich, einen Chip B einer bestimmten Farbe, wie Blaulicht-Chip, auf, der in einer Aussparung eines Kontaktfußes A aufgenommen ist. Der Chip B wird durch einen Bondraht C zu einem weiteren Kontaktfuß D kontaktiert. Der in der Aussparung befindliche Chip B wird mit einer Fluoreszenzfarbstoffschicht F bedeckt. Danach werden die oberen Abschnitte der Kontaktfüße A, D mit einer lichtdurchlässigen Schicht E umhüllt. So ist die Herstellung der weißen Leuchtdiode fertig. Der Fluoreszenzfarbstoff in der Fluoreszenzfarbstoffschicht F hat unterschiedliche Depositionsgeschwindigkeit, was zu ungleichmäßiger Verteilungsdichte der Fluoreszenzfarbstoffe in der Fluoreszenzfarbstoffschicht F führt. Hierdurch kommen Unterschiede der Dicke der Fluoreszenzfarbstoffschicht F zustande. Nach dem Anlegen der Durchlassspannung entstehen Halobildung und Lichtfarbenunterschiede bei der weißen Leuchtdiode. Dies ist als nicht optimal anzusehen. - Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine weiße Leuchtdiode zu schaffen, welche ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne Halobildung und photochrome Unterschiede aussendet.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine weiße Leuchtdiode, die die in Ansprüche 1 und 2 angegebenen Merkmale aufweist. Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor.
- Im Folgenden werden Aufgaben, Merkmale und Funktionsweise der Erfindung anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele und der beigefügten Zeichnungen näher erläutert werden. Es zeigen:
-
1 einen Teilschnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Leuchtdiode; -
2 einen Teilschnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Leuchtdiode; und -
3 einen Teilschnitt durch eine weiße Leuchtdiode nach dem Stand der Technik. - Wie aus
1 ersichtlich, weist eine erfindungsgemäße weiße Leuchtdiode einen Träger10 auf, auf dem ein Chip20 aufliegt, der ein Ultraviolett-Licht mit einer Wellenlänge von 390 bis 410 Nanometer aussendet. Auf dem Chip20 befindet sich ein flaches, dünnes Plättchen30 , das derart hergestellt ist, dass Wirtskristall und geschmolzener Stoff gleichmäßig gemischt sind. Der geschmolzene Stoff ist als Fluoreszenzfarbstoff ausgeführt. Bei der Ausführungsform nach1 besteht der Wirtskristall aus Glas. Beim Kontaktieren des Chips20 über Bonddrähte40 zum Träger10 oder anderen nicht näher dargestellten Kontaktfüßen muss das dünne Plättchen30 kleiner dimensioniert sein als der Chip20 , damit der Chip20 vorsteht, um ein einfaches Drahtbonden zu erlauben. Danach werden die oben erwähnten Elemente mit durchlässigem Stoff umhüllt. So ist die erfindungsgemäße Montage fertig. - Nach dem Anlegen der Durchlassspannung geht das vom Chip
20 ausgesendete Ultraviolettlicht durch das flache, dünne Plättchen30 hindurch. Das dünne Plättchen30 weist eine gleichmäßige Dicke auf. Außerdem besitzt der aus Fluoreszenzfarbstoffen bestehende, geschmolzene Stoff eine gleichmäßige Dichte. Gleichzeitig hat das dünne Plättchen30 einen konstanten Abstand zum Chip20 . Hierdurch ergibt sich ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne Halobildung und photochrome Unterschiede. - Nachfolgend wird auf
2 Bezug genommen. Der Chip20 kann auf Flip-Chip-Bauweise über Sn- oder Au-Bondhügel mit dem Träger10 kontaktiert sein. Bei der Ausführungsform nach2 finden beispielsweise Sn-Bondhügel50 Verwendung. Der Chip20 befindet sich über die Sn-Bondhügel50 auf dem Träger10 . Auf dem Chip20 liegt ein dünnes Plättchen30 auf. Unter Verwendung der Flip-Chip-Montage erübrigt sich das Drahtbonden. So kann das dünne Plättchen30 gleich oder größer sein wie bzw. als der Chip20 . - Neben Glas kann der Wirtskristall des dünnen Plättchens
30 aus einer Gruppe ausgewählt sein, die Silikonmasse, Epoxidharz, siliziumhaltigen Epoxidharz, lichtdurchlässiges Polymer, andere Kunststoffmasse aufweist. - Zusammenfassend weist die weiße Leuchtdiode einen Träger
10 auf, auf dem ein Chip20 aufliegt, der ein Ultraviolett-Licht oder ein blaues Licht aussendet und auf dem sich ein flaches, dünnes Plättchen30 befindet, wobei das dünne Plättchen30 derart hergestellt ist oder sein kann, dass Wirtskristall und Fluoreszenzfarbstoffe gründlich gemischt sind, damit das dünne Plättchen30 eine gleichmäßige Dicke und die Fluoreszenzfarbstoffe eine gleichmäßige Verteilungsdichte aufweist, wodurch sich ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne Halobildung und photochrome Unterschiede ergibt, wenn das vom Chip20 ausgesendete Ultraviolettlicht durch das dünne Plättchen30 hindurchgeht. - Zusammengefasst lassen sich mit der erfindungsgemäßen weißen Leuchtdiode beispielsweise folgende Vorteile realisieren:
- 1. Das erfindungsgemäße dünne Plättchen
30 weist eine gleichmäßige Dicke auf und ist gleichmäßig mit dem geschmolzenen Stoff vermischt. Liegt das dünne Plättchen30 auf dem Chip20 , kann ein gleichmäßig photochromes Licht ausgestrahlt werden. - 2. Außerdem
besitzt der im Inneren des dünnen Plättchens
30 befindliche, geschmolzene Stoff eine gleichmäßige Dichte. Wird das Plättchen der Bestrahlung des Chips ausgesetzt, ergibt sich ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne Halobildung und photochrome Unterschiede. - Obwohl die Erfindung in Bezug auf obige Beispiele beschrieben wurde, welche derzeit als praktikabelste und bevorzugteste Ausführungsformen betrachtet werden, versteht es sich, dass die Erfindung nicht auf die offenbarten Ausführungsbeispiele beschränkt ist. Im Gegenteil sind verschiedene Modifikationen und ähnliche Anordnungen abgedeckt, die sich im Umfang der beigefügten Ansprüche befinden.
- Stand der Technik
- A
- Kontaktfuß
- B
- Chip
- C
- Bondraht
- D
- Kontaktfuß
- E
- lichtdurchlässige Schicht
- F
- Fluoreszenzfarbstoffschicht
- Die vorliegende Erfindung
- 10
- Träger
- 20
- Chip
- 30
- Plättchen
- 40
- Bonddraht
- 50
- Sn-Bondhügel
Claims (10)
- Weiße Leuchtdiode, die einen Träger (
10 ) aufweist, auf dem ein Chip (20 ) aufliegt, der ein Ultraviolett-Licht aussendet und auf dem sich ein flaches, dünnes Plättchen (30 ) befindet, wobei das dünne Plättchen (30 ) derart hergestellt oder herstellbar ist, dass Wirtskristall und Fluoreszenzfarbstoffe gründlich gemischt sind, damit das dünne Plättchen (30 ) eine gleichmäßige Dicke und die Fluoreszenzfarbstoffe eine gleichmäßige Verteilungsdichte aufweist, so dass sich ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne Halobildung und photochrome Unterschiede ergibt, wenn das vom Chip (20 ) ausgesendete Ultraviolettlicht durch das dünne Plättchen (30 ) hindurchgeht. - Weiße Leuchtdiode, die einen Träger (
10 ) aufweist, auf dem ein Chip (20 ) aufliegt, der ein blaues Licht aussendet und auf dem sich ein flaches, dünnes Plättchen (30 ) befindet, wobei das dünne Plättchen (30 ) derart hergestellt oder herstellbar ist, dass Wirtskristall und Fluoreszenzfarbstoffe gründlich gemischt sind, damit das dünne Plättchen (30 ) eine gleichmäßige Dicke und die Fluoreszenzfarbstoffe eine gleichmäßige Verteilungsdichte aufweist, wodurch sich ein gleichmäßiges, weißes Licht ohne Halobildung und photochrome Unterschiede ergibt, wenn das vom Chip (20 ) ausgesendete Ultraviolettlicht durch das dünne Plättchen (30 ) hindurchgeht. - Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wirtskristall des dünnen Plättchens (
30 ) aus Glas besteht. - Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wirtskristall des dünnen Plättchens (
30 ) aus Silikonmasse besteht. - Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wirtskristall des dünnen Plättchens (
30 ) aus Epoxidharz besteht. - Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wirtskristall des dünnen Plättchens (
30 ) aus siliziumhaltigem Epoxidharz besteht. - Leuchtdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Chip (
20 ) ein Ultraviolett-Licht mit einer Wellenlänge von 390 bis 410 Nanometer aussendet. - Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das auf dem Chip (
20 ) aufliegende, dünne Plättchen (30 ) kleiner dimensioniert ist als der Chip (20 ) , wenn der Chip (20 ) durch Drahtbonden kontaktiert ist. - Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wirtskristall des dünnen Plättchens (
30 ) aus lichtdurchlässigem Polymer besteht. - Leuchtdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wirtskristall des dünnen Plättchens (
30 ) aus Kunststoffmasse besteht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE202005011805U DE202005011805U1 (de) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | Weiße Leuchtdiode |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE202005011805U DE202005011805U1 (de) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | Weiße Leuchtdiode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE202005011805U1 true DE202005011805U1 (de) | 2005-10-20 |
Family
ID=35220345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE202005011805U Expired - Lifetime DE202005011805U1 (de) | 2005-07-27 | 2005-07-27 | Weiße Leuchtdiode |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE202005011805U1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011151156A1 (de) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonversionselement, optoelektronisches bauelement mit einem wellenlängenkonversionselement und verfahren zur herstellung eines wellenlängenkonversionselements |
DE102011104302A1 (de) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verwendung eines derartigen Halbleiterbauelements |
-
2005
- 2005-07-27 DE DE202005011805U patent/DE202005011805U1/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011151156A1 (de) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenkonversionselement, optoelektronisches bauelement mit einem wellenlängenkonversionselement und verfahren zur herstellung eines wellenlängenkonversionselements |
DE102011104302A1 (de) * | 2011-06-16 | 2012-12-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verwendung eines derartigen Halbleiterbauelements |
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---|---|---|---|
R207 | Utility model specification |
Effective date: 20051124 |
|
R150 | Term of protection extended to 6 years |
Effective date: 20080819 |
|
R151 | Term of protection extended to 8 years | ||
R151 | Term of protection extended to 8 years |
Effective date: 20111130 |
|
R152 | Term of protection extended to 10 years | ||
R152 | Term of protection extended to 10 years |
Effective date: 20130812 |
|
R071 | Expiry of right |