DE202005000979U1 - Electro-optical unit e.g. organic light emitting diode, for automobile industry, has hole transport and electroluminescence layers defining functional arrangement of unit, where layers have resistors perpendicular to layer level - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft allgemein flächige oder zumindest in Teilbereichen flächige elektro-optische Elemente, und insbesondere flächige elektro-optische Elemente mit einer vorbestimmten Funktionalitätsverteilung, insbesondere einer über die Funktionsfläche gleichmässigen Funktionalitätsverteilung, sowie ein Substrat und ein Verfahren zu deren Herstellung.The The invention relates generally to planar or at least in some areas planar electro-optical elements, and in particular planar electro-optical elements with a predetermined distribution of functionality, in particular one over the functional area uniform Functionality distribution, and a substrate and a method for the production thereof.
Elektro-optische Elemente lassen sich vielfältig einsetzen, wie beispielsweise als Photovoltaik-Elemente, elektrochrome Elemente, Flüssigkristall-Elemente oder optoelektronische Sensoren. Ein besonders interessantes Einsatzgebiet sind ferner organische, elektro-optische Elemente, insbesondere organische lichtemittierende Dioden.Electro-optical Elements can be varied use, such as photovoltaic elements, electrochromic Elements, liquid crystal elements or optoelectronic sensors. A particularly interesting application are also organic, electro-optical elements, in particular organic light-emitting diodes.
Der elektrochrome Effekt beruht darauf, dass sich bei Verschieben der elektrischen Ladung innerhalb eines funktionalen Schichtverbundes durch Anlegen einer geeigneten Spannung die optischen Eigenschaften des Verbundes, wie beispielsweise der Transmissionsgrad, ändern. Dieser Effekt wird beispielsweise für elektrisch abblendbare Rückspiegel in der Automobilindustrie oder auch für großflächige Anzeigetafeln genutzt. Zunehmend werden auch in Gebäuden zur Steuerung der solaren Einstrahlung statt Jalousien, Rollos oder Markisen schaltbare Verglasungen auf der Basis elektrochromer Schichten verwendet.Of the electrochromic effect is based on that when moving the electrical charge within a functional layer composite by applying a suitable voltage, the optical properties of Composite, such as the transmittance, change. This Effect is for example for electrically dimming rearview mirror used in the automotive industry or for large-scale display panels. Increasingly are also used in buildings to control solar radiation instead of blinds, roller blinds or awnings Switchable glazings based on electrochromic layers used.
Photovoltaik-Elemente verwenden typischerweise geeignet dotierte Halbleiter, um die auf eine Fläche auftreffende Lichteinstrahlung in Strom umzuwandeln. Diese Elemente haben als Solarzellen weite Verbreitung gefunden.Photovoltaic elements typically use appropriately doped semiconductors in order to striking an area To convert light radiation into electricity. These elements have as Solar cells were widely used.
Für die Sensorik lassen sich verschiedene elektro-optische Effekte einsetzen. So kann ein Schichtsystem, das spannungsabhängig Licht emittiert, welches von einem darunter liegenden Array von Photodioden registriert wird, beispielsweise zur Fingerabdruckerkennung eingesetzt werden. Weit verbreitet sind ferner auf photovoltaischen Reaktionen basierende CMOS- oder CCD-Sensoren wie sie beispielsweise in Digitalkameras Verwendung finden.For the sensors Various electro-optical effects can be used. So can be a layer system that emits light depending on the voltage is registered by an underlying array of photodiodes, be used for example for fingerprint recognition. Far are also widespread based on photovoltaic reactions CMOS or CCD sensors such as those found in digital cameras Find use.
Ein besonders interessantes Einsatzgebiet ist das der organischen, elektro-optischen Elemente. Organische, elektro-optische Elemente, insbesondere organische Leuchtdioden (OLEDs), bestehen in der Regel aus zwei Elektrodenschichten mit dazwischen angeordneten organischen Schichten, die mindestens einen organischen elektrolumineszenten Leuchtstoff beinhalten. Die Schichten werden auf ein Trägermaterial (Substrat) aufgebracht, das typischerweise transparent ist. Vorzugsweise finden für diesen Zweck Glassubstrate Verwendung. Damit Licht substratseitig von dem Bauteil emittiert werden kann, muss die dem Substrat zugewandte Elektrode, typischerweise die Anode, ebenfalls transparent ausgeführt werden. Als Materialien werden in der Regel Halbleiterschichten mit hoher Leitfähigkeit, wie z.B. transparente leitfähige Oxide (TCO), insbesondere ITO (Indium-Zinn-Oxid), eingesetzt. OLEDs sind stromgetriebene Bauelemente, d.h. während des Betriebs fließt ein definierter Strom durch die Elektrodenschichten und führt hier zu lateralen Potentialunterschieden, bedingt durch die endlichen ohmschen Widerstände der Elektrodenschichten. Der Querstrom zwischen den Elektrodenschichten, der die organischen Leuchtschichten durchfließt, führt zur Lichterzeugung, die proportional zur Stromdichte ist. Lokale Unterschiede in der Stromdichte führen daher zu lokal unterschiedlicher Lichtemission.One particularly interesting field of application is that of organic, electro-optical Elements. Organic, electro-optical elements, in particular organic Light-emitting diodes (OLEDs) usually consist of two electrode layers with interposed organic layers that at least include an organic electroluminescent phosphor. The Layers are applied to a substrate (Substrate), which is typically transparent. Preferably find for this purpose glass substrates use. Thus light substrate side must be emitted from the component, which faces the substrate Electrode, typically the anode, are also made transparent. As materials are usually semiconductor layers with high Conductivity, such as. transparent conductive Oxides (TCO), in particular ITO (indium tin oxide) used. OLEDs are current driven devices, i. during operation, a defined flows Current through the electrode layers and leads to lateral potential differences, due to the finite ohmic resistances of the electrode layers. The cross-current between the electrode layers, the organic Luminescent layers flows through, leads to Light generation, which is proportional to the current density. Local differences in the current density lead therefore to locally different light emission.
Für Leucht- bzw. Beleuchtungselemente werden flache großflächige Leuchtquellen mit uniformer oder vorgegebener Leuchtdichteverteilung benötigt. Typischerweise können diese Bauelemente nur in der Randzone kontaktiert werden. Die Leitfähigkeit der zur Zeit bekannten besten Materialien zur Bildung transparenter Elektrodenschichten ist jedoch nicht hinreichend, um die Elektrodenschichten als Äquipotentialflächen beim Bauteildesign berücksichtigen zu können. Der signifikante lokale Widerstand der Elektroden bedingt Spannungsabfälle in den Elektrodenschichten, die zu unterschiedlichen Spannungsdifferenzen zwischen den Elektrodenschichten führen. Damit stellen sich, von außen nicht steuerbar, unterschiedliche lokale Stromdichten quer zu den Leuchtschichten ein, die zu lokal unterschiedlichen Leuchtdichten führen. Je größer die Leuchtflächen sind, desto stärker bilden sich die unerwünschten Inhomogenitäten der Leuchtdichteverteilung aus.For lighting or lighting elements are flat large-area light sources with uniform or predetermined luminance distribution required. Typically, these can Components are contacted only in the edge zone. The conductivity the currently known best materials for the formation of transparent electrode layers however, is not sufficient to cover the electrode layers as equipotential surfaces in device design consider to be able to. The significant local resistance of the electrodes causes voltage drops in the Electrode layers leading to different voltage differences lead between the electrode layers. With that arise, of Outside not controllable, different local current densities across the Luminescent layers, which are locally different luminance to lead. The bigger the luminous areas are the stronger the unwanted ones form inhomogeneities the luminance distribution.
Wünschenswert wären daher Elektroden mit möglichst kleinen Flächenwiderständen, die im Vergleich zu den Widerständen der organischen Schichten als Äquipotentialschichten betrachtet werden könnten. In diesem Fall ergäbe sich ein OLED-Bauelement, was bei uniformer Ausführung der Funktionalschichten uniform Licht emittieren würde. Außerdem wären die ohmschen Verluste des Stromflusses in den Elektroden entsprechend gering. Dies ist für die Kathode, die typischerweise als Metallschicht ausgeführt ist, weitgehend erfüllt. Die transparente Schicht jedoch weicht signifikant von dem Idealzustand ab.Desirable would be therefore Electrodes with as possible small surface resistances, the compared to the resistors the organic layers as equipotential layers could be considered. In this case would result an OLED device, which in the case of uniform execution of the functional layers uniform light would emit. Furthermore would that be Ohmic losses of current flow in the electrodes accordingly low. This is for the cathode, which is typically designed as a metal layer, largely fulfilled. The transparent layer, however, deviates significantly from the ideal state from.
Dementsprechend wurde versucht, die Flächenwiderstände der Elektrodenschichten durch eine größere Dicke der Schichten zu reduzieren. Typische, als Anode in OLEDs eingesetzte, ITO-Schichten weisen Schichtdicken von ca. 100 nm und Flächenwiderstände von 10 – 20 Ohm auf. Eine Erhöhung der Schichtdicke führt in der Regel zur Erhöhung der Absorptionsverluste in der transparenten Elektrodenschicht und damit zur Reduktion des emittierten Lichts. Weiterhin können sich bei dickeren ITO-Schichten Interferenzstrukturen einstellen, die ebenfalls zu Intensitätsreduktionen beziehungsweise zu lokalen Inhomogenitäten durch Variationen in der Interferenzwirkung führen können. Die Abscheidung dickerer Schichten führt außerdem zu einer Verlängerung der Prozesszeiten und damit zu einer Erhöhung der Bauteil-Herstellkosten.Accordingly was trying to get the surface resistances of the Electrode layers through a greater thickness of the layers too to reduce. Typical ITO layers used as anodes in OLEDs have layer thicknesses of about 100 nm and surface resistances of 10 - 20 ohms. An increase in the Layer thickness leads usually to increase the absorption losses in the transparent electrode layer and thus reducing the emitted light. You can continue For thicker ITO layers, set up interference structures that also to intensity reductions or to local inhomogeneities due to variations in the Cause interference effect can. The deposition of thicker layers also leads to an extension the process times and thus to an increase in component manufacturing costs.
Es wurden auch Versuche unternommen, die Leitfähigkeit der transparenten Elektrodenschicht auf andere Weise zu erhöhen. Jedoch führt eine hinreichende Erhöhung der Leitfähigkeit immer zu einer signifikanten Erhöhung der Absorptionsverluste in der transparenten Elektrodenschicht und damit zu einer deutlichen Reduktion des emittierten Lichts. Damit ergibt sich eine inakzeptable Effizienz des Bauteils beziehungsweise eine inakzeptable Leistungsaufnahme zur Erzielung einer gewünschten Lichtstärke.It Attempts have also been made to improve the conductivity of the transparent electrode layer to increase in another way. However, leads a sufficient increase the conductivity always to a significant increase the absorption losses in the transparent electrode layer and thus a significant reduction of the emitted light. In order to results in an unacceptable efficiency of the component or a unacceptable power consumption to achieve a desired Light intensity.
Aus
WO 00/17911 A1 ist bekannt, den Flächenwiderstand der Elektroden
durch leitfähige
transparente Zusatzschichten zu reduzieren. Solche Zusatzschichten
erhöhen
jedoch den Herstellungsaufwand und damit die Kosten. Ein weiterer
Nachteil liegt darin, dass diese Maßnahme nur zur Verbesserung
der Uniformität
der Leuchdichteverteilung eines vorgegebenen Bauteils geeignet ist.
Sobald die Leuchtfläche
vergrößert oder
die Leuchtstärke
insgesamt erhöht
wird, stellen sich wieder größere Inhomogenitäten durch
die sich dann ergebenden Spannungsabfälle in den Elektroden ein.
Die Zusatzschichten dürfen
außerdem
selbst keine wesentliche Absorption im sichtbaren Spektrum aufweisen
Aus
In
Zusätzlich erhöht sich
die erforderliche Betriebsspannung. Zudem hat der Angleich der Flächenwiderstände nur
in sehr speziellen Kontaktierungskonfigurationen einen mindernden
Einfluss auf die Leuchtdichteinhomogenität, bei symmetrischer Beschaltung
des Bauteils hat das Widerstandsverhältnis keinerlei Einfluss. Ferner
lassen sich die Inhomogenitäten
durch angepasste Anoden- und Kathodenwiderstände gemäß der
Eine
homogenere Leuchtdichteverteilung lässt sich auch durch eine Unterteilung
der Leuchtfläche
des Bauteils in separate, kleine Leuchtbereiche erreichen. Eine
nach diesem Prinzip aufgebaute OLED ist beispielsweise aus
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Weg aufzuzeigen, wie ein kostengünstig und einfach herzustellendes, verbessertes elektro-optisches Element bereitgestellt werden kann, das eine Funktionsfläche mit einer definierten, insbesondere einer homogenen, Funktionalitätsverteilung aufweist.Of the The invention is therefore based on the problem of finding a way like a cost-effective and easy to manufacture, improved electro-optical element can be provided that has a functional area with a defined, in particular has a homogeneous, distribution of functionality.
Diese Aufgabe wird bereits in höchst überraschend einfacher Weise durch ein elektro-optisches Element gemäß Anspruch 1, sowie ein beschichtetes Substrat gemäß Anspruch 40 gelöst. Ferner wird die Aufgabe durch eine Verwendung gemäß der Ansprüche 44 und 45 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.These Task is already in the most surprising simple manner by an electro-optical element according to claim 1, as well as a coated substrate according to claim 40. Further the object is achieved by a use according to claims 44 and 45. advantageous Further developments are the subject of the respective subclaims.
Die Erfindung sieht ferner ein Verfahren zur Herstellung eines elektro-optischen Elements vor, umfassend das Bereitstellen eines Substrats, das Aufbringen einer ersten Elektrodenschicht, das Aufbringen zumindest einer Funktionsschicht, das Aufbringen einer zweiten Elektrodenschicht, sowie das Aufbringen zumindest einer Anpassungsschicht, durch welche eine Funktionalitätsverteilung des elektro-optischen Elementes definiert wird.The The invention further provides a method for producing an electro-optical Element, comprising providing a substrate, applying a first electrode layer, the application of at least one functional layer, the application of a second electrode layer, as well as the application at least one adaptation layer, by which a distribution of functionality the electro-optical element is defined.
Vorzugsweise wird die Anpassungsschicht als Widerstandsanpassungs-Schicht aufgebracht, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene variiert.Preferably the matching layer is applied as a resistance matching layer, which is an electrical resistance perpendicular to the layer plane having in at least one horizontal direction along the Layer plane varies.
Besonders vorteilhaft ist das Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektro-optischen Elements, insbesondere einer organischen, lichtemittierenden Diode, angepasst. Hierfür umfasst das Aufbringen der Funktionsschicht das Aufbringen zumindest einer Schicht, welche ein organisches, elektro-optisches Material aufweist.Especially advantageous is the process for producing an organic, electro-optical element, in particular an organic, light-emitting Diode, adapted. Therefor the application of the functional layer comprises at least the application a layer which is an organic electro-optic material having.
Das Verfahren kann auch zur Herstellung eines elektrochromen Elements, wie beispielsweise eines elektrochromen Fensterelementes oder eines elektrochromen Spiegels, angepasst sein, wobei das Aufbringen der Funktionsschicht das Aufbringen zumindest einer elektrochromen Schicht umfasst. Geeignete Materialien für die elektrochrome Schicht sind beispielsweise WOX, NiOX, VOX oder NbOx.The method may also be adapted for producing an electrochromic element, such as an electrochromic window element or an electrochromic mirror, wherein the application of the functional layer comprises the application of at least one electrochromic layer. Suitable materials for the electrochromic layer are, for example, WO X , NiO X , VO X or NbO x .
Ferner kann das Verfahren auch das Aufbringen einer photovoltaischen Schicht als Funktionsschicht vorsehen. Vorteilhaft umfasst die Funktionsschicht weiterhin zumindest eine dotierte Halbleiterschicht, insbesondere ein Doppelschichtsystem mit einer p-dotierten und einer n- dotierten Halbleiterschicht. Derartige Funktionsschichten können zur Herstellung verschiedener elektro-optischer Elemente, wie beispielsweise Photovoltaik-Elemente oder optoelektronische Sensoren, eingesetzt werden.Further The method may also include applying a photovoltaic layer Provide as a functional layer. Advantageously, the functional layer comprises furthermore at least one doped semiconductor layer, in particular a double-layer system with a p-doped and an n-doped semiconductor layer. Such functional layers can for producing various electro-optical elements, such as Photovoltaic elements or optoelectronic sensors used become.
Durch Einfügen einer zusätzlichen lokal variierenden Widerstandsanpassungs-Schicht, beispielsweise mit lokal variierender Schichtdicke oder Leitfähigkeit, lassen sich auf einfache Art in weiten Bereichen vorgegebene Funktionalitätsverläufe, insbesondere uniforme Funktionalitätsverteilungen erzielen. Zu diesem Zweck kann die Widerstandsanpassungs-Schicht prinzipiell an beliebiger Stelle innerhalb des jeweiligen Schichtpakets angeordnet werden.By Insert an additional one locally varying resistance matching layer, for example With locally varying layer thickness or conductivity, can be easily Art given in a wide range of predetermined functionalities, especially uniform functionality distributions achieve. For this purpose, the resistance matching layer in principle at any point within the respective layer package to be ordered.
Insbesondere die Widerstände der Schichten eines organischen, elektro-optischen Elements sind typischerweise quer zur Schicht (typische Längendimension 0,1 μm) deutlich geringer als die Widerstände entlang der Schicht (typische Längendimension 100 μm), so dass hauptsächlich nur Stromleitung quer zur Schicht stattfindet.Especially the resistances the layers of an organic, electro-optical element are typically across the layer (typical 0.1 μm length dimension) less than the resistors along the layer (typical length dimension 100 μm), so that mainly only power line takes place across the layer.
Zweckmäßigerweise umfasst das Verfahren das Aufbringen von Kontaktflächen auf der ersten und der zweiten Elektrodenschicht, vorzugsweise in den Randbereichen der Schichten, zum Abgreifen oder Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen den Elektrodenschichten. Vorteilhaft sind die Kontaktflächen in den Randbereichen der Elektrodenschichten angeordnet, um beispielsweise den Lichteintritt oder Lichtaustritt durch transparente Elektrodenschichten zu ermöglichen.Conveniently, For example, the method includes applying contact surfaces the first and the second electrode layer, preferably in the Edge regions of the layers, for tapping or applying an electrical Voltage between the electrode layers. Advantageous are the contact surfaces arranged in the edge regions of the electrode layers, for example the light entry or light emission through transparent electrode layers to enable.
Vorteilhaft sieht das Verfahren vor, eine Funktionalitätsverteilung der Funktionsfläche und einen Wert für die Betriebsspannung des elektro-optischen Elementes vorzugeben und die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass das elektro-optische Element bei Anlegen der vorgegebenen Betriebsspannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht im wesentlichen die vorgegebene Funktionalitätsverteilung aufweist. Im Betrieb kann die Betriebsspannung vom vorgegebenen Wert um ca.Advantageous provides the method, a functional distribution of the functional area and a value for specify the operating voltage of the electro-optical element and apply the at least one resistance matching layer in such a way that the electro-optical element upon application of the predetermined operating voltage between the first and second electrode layers substantially the given functionality distribution having. In operation, the operating voltage of the given Value by approx.
± 10 % abweichen, ohne dass dies wesentlich die vorgegebene Funktionalitätsverteilung beeinträchtigt.± 10% deviate, without this significantly the given distribution of functionality impaired.
Besonders vorteilhaft sieht das Verfahren vor, die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass die Lichtaustritts- oder Lichteintrittsfläche des elektro-optischen Elementes bei Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht eine im wesentlichen uniforme Funktionalitätsverteilung aufweist. Unter einer uniformen Funktionalitätsverteilung ist eine über die Funktionsfläche, typischerweise die Lichtaustritts- bzw. Lichteintrittsfläche, im wesentlichen konstante Funktionalitätsverteilung zu verstehen. Bei der Funktionalitätsverteilung kann es sich vorteilhaft beispielsweise um die Leuchtdichteverteilung eines lichtemittierenden Elementes, die Verteilung des Transmissionsgrades eines elektrochromen Elementes oder die Verteilung der Lichtempfindlichkeit handeln.Particularly advantageously, the method provides for applying the at least one resistance matching layer such that the light exit or light entry surface of the electro-optical element has a substantially uniform distribution of functionality when a voltage is applied between the first and second electrode layers. A uniform distribution of functionality means an essentially constant distribution of functionalities over the functional surface, typically the light exit surface or light entry surface. In the distribution of functionality, it may be advantageous, for example, the luminance distribution of a light-emitting element, the distribution of the transmittance of a electrochromic element or the distribution of photosensitivity act.
Der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht zum Erzielen einer vorgegebenen, insbesondere uniformen, Funktionalitätsverteilung ist abhängig von der Geometrie des elektro-optischen Elementes, von der Art der Kontaktierung der Elektrodenschichten und gegebenenfalls von den Betriebsparametern des elektro-optischen Elementes.Of the Resistance profile of the resistance matching layer to achieve a predetermined, in particular uniform, distribution of functionality depends on on the geometry of the electro-optical element, on the type of Contacting the electrode layers and optionally of the Operating parameters of the electro-optical element.
Für einfache Geometrien des elektro-optischen Elementes, wie beispielsweise rechteckige oder ovale Geometrien, bei welchen insbesondere Kontaktierungen entlang gegenüberliegender Kanten vorgesehen sind, lässt sich der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht mit Hilfe einfacher mathematischer Beziehungen angeben.For simple Geometries of the electro-optical element, such as rectangular or oval geometries, in which in particular contacts along the opposite side Edges are provided, leaves the resistance profile of the resistance matching layer with Specify help for simple mathematical relationships.
So kann das Verfahren vorteilhaft vorsehen, die Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass der Widerstand senkrecht zur Schichtebene an zumindest einem Punkt der Schichtebene minimal ist und in zumindest einer horizontalen Richtung von dem zumindest einen Punkt entlang der Schicht im wesentlichen zunimmt.So For example, the method can advantageously provide the resistance matching layer such that the resistance perpendicular to the layer plane at least at one point of the layer plane is minimal and in at least a horizontal direction from the at least one point along the layer substantially increases.
Besonders vorteilhaft nimmt der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene von dem zumindest einen Punkt mit minimalem Widerstand zum Rand der Schicht hin im wesentlichen quadratisch mit dem Abstand zu.Especially Advantageously, the resistance of the resistance matching layer increases perpendicular to the layer plane of the at least one point with minimal Resistance to the edge of the layer is substantially square with the distance to.
Für Elektrodenschichten mit über die Leuchtfläche uniformen Flächenwiderständen und bestimmte, insbesondere symmetrische, Geometrien sieht das Verfahren vorteilhaft vor, die Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf aufweist, der im wesentlichen proportional zu ist, mit
- A:
- Uniformer Flächenwiderstand der als Anode vorgesehenen Elektrodenschicht,
- K:
- Uniformer Flächenwiderstand der als Kathode vorgesehenen Elektrodenschicht,
- r:
- Abstand entlang der Schichtebene zu einem ausge zeichneten Punkt oder einer ausgezeichneten Kurve in der Schichtebene, wobei in dem ausgezeichneten Punkt beziehungsweise entlang der ausgezeichneten Kurve der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene minimal ist,
- n:
- Exponent mit n > 0, insbesondere mit n = 2,
- m:
- Relative Gewichtung der Elektrodenwiderstände, insbesondere mit m = 1.
- A:
- Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as anode,
- K:
- Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as a cathode,
- r:
- Distance along the layer plane to a selected point or curve in the layer plane, wherein in the excellent point or along the excellent curve, the resistance of the resistance matching layer is perpendicular to the layer plane,
- n:
- Exponent with n> 0, in particular with n = 2,
- m:
- Relative weighting of the electrode resistances, in particular with m = 1.
Die Widerstandsanpassungs-Schicht kann zusätzlich einen über die Schicht konstanten Widerstandsanteil aufweisen, so dass der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf aufweist, der im wesentlichen durch die Gleichung beschrieben wird, mit
- R:
- Lokaler elektrischer Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene,
- C1, C2:
- Vom Abstand r unabhängige Konstanten, und mit A, K, r, n und m wie oben.
- R:
- Local electrical resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane,
- C 1 , C 2 :
- Constants independent of the distance r, and with A, K, r, n and m as above.
Weisen die Elektroden bekannte systematische Inhomogenitäten auf, z.B. abscheidebedingte Variationen der Metallkathode, so können diese ebenfalls durch geeignete Wahl der Ausprägung der Widerstandsanpassungs-Schicht vermindert oder sogar weitgehend kompensiert werden.Point the electrodes have known systematic inhomogeneities, e.g. Abscheidebedte variations of the metal cathode, so they can also by a suitable choice of the expression of the resistance matching layer be reduced or even largely compensated.
Für beliebige, unsymmetrische Formen und/oder symmetriezerstörende Kontaktierungen, wie zum Beispiel Punktkontakte bei rechteckigen Funktionsflächen, lassen sich in der Regel keine einfachen analytischen Ausdrücke für den Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs- Schicht angeben. In diesen Fällen kann die Bestimmung des Widerstandsverlauf mittels numerischer Verfahren bzw. mittels Simulationen erfolgen. Hierzu kann beispielsweise die "Finite Elemente"-Methode oder die Inversion von Feldgleichungssystemen eingesetzt werden.For arbitrary, asymmetrical shapes and / or symmetry-destructive contacts, such as point contacts in the case of rectangular functional areas, it is generally not possible to specify simple analytical expressions for the resistance profile of the resistance matching layer. In these cases The determination of the resistance profile can be carried out by means of numerical methods or by means of simulations. For this purpose, for example, the "finite element" method or the inversion of field equation systems can be used.
Das Aufbringen der Widerstandsanpassungs-Schicht umfasst vorteilhaft das Auftragen eines fluiden Beschichtungsmaterials, beispielsweise mittels Spin-Coating oder Tauchbeschichten.The Applying the resistance matching layer advantageously comprises the application of a fluid coating material, for example by spin coating or dip coating.
Besonders vorteilhaft sind Ausgestaltungen des Verfahrens, welche die gezielte lokale Variation der Widerstandsanpassungs-Schicht auf einfache und kostengünstige Weise ermöglichen. Insbesondere zur Erzielung von Schichtdickenvariationen sind Drucktechniken geeignet, wie Flexodruck, Siebdruck oder elektrophotographische Druckverfahren. Besonders geeignet sind auch Ink-jet-Druckverfahren oder andere Sprühverfahren.Especially advantageous embodiments of the method, which are the targeted local variation of the resistance matching layer to simple and cost-effective Allow way. In particular, to achieve layer thickness variations are printing techniques suitable, such as flexographic printing, screen printing or electrophotographic Printing process. Also particularly suitable are ink-jet printing processes or other spraying methods.
Zum Auftragen eines fluiden Beschichtungsmaterials umfasst das Verfahren dementsprechend vorteilhaft das Bedrucken mittels eines rechnergesteuerten Druckkopfes, insbesondere mittels eines Inkjet- Druckkopfes, das Bedrucken durch Siebdruck, das Bedrucken durch Flexodruck oder Gravurdruck, oder das Besprühen durch eine Maske.To the Application of a fluid coating material includes the method Correspondingly advantageous printing by means of a computer-controlled Printhead, in particular by means of an inkjet printhead, the Printing by screen printing, printing by flexographic printing or gravure printing, or spraying through a mask.
Zum Aufbringen der Widerstandsanpassungs-Schicht können neben den genannten Drucktechniken vorteilhaft auch im Prinzip alle bekannten Abscheideverfahren eingesetzt werden.To the Applying the resistance matching layer may be advantageous in addition to the printing techniques mentioned in principle, all known deposition methods are used.
Dementsprechend umfasst das Verfahren vorteilhaft das Abscheiden einer Schicht durch physikalische Dampfphasenabscheidung, insbesondere durch Aufdampfen oder Sputtern, oder durch chemische Dampfphasenabscheidung, insbesondere plasmainduzierte chemische Dampfphasenabscheidung. Auch können zum Aufbringen der Widerstandsanpassungs-Schicht verschiedene Verfahren kombiniert werden.Accordingly Advantageously, the method comprises depositing a layer physical vapor deposition, in particular by vapor deposition or sputtering, or by chemical vapor deposition, in particular plasma-induced chemical vapor deposition. Also, you can Applying the resistance matching layer various methods be combined.
Für die Variation des Widerstandes der Widerstandsanpassungs-Schicht gibt es verschiedene Möglichkeiten. Dementsprechend umfasst das Aufbringen der zumindest einen Widerstandsanpassungs-Schicht vorteilhaft das Aufbringen von Schichtbereichen mit unterschiedlicher Schichtdicke und/oder unterschiedlicher Schichtzusammensetzung und/oder unterschiedlicher Schichtmorphologie.For the variation The resistance of the resistance matching layer is different Options. Accordingly, the application of the at least one resistance matching layer advantageously comprises the application of layer areas with different layer thickness and / or different layer composition and / or different Film morphology.
Die einfachste und am besten kontrollierbare Art der Widerstandsvariation ist die Variation der Schichtdicke, da der lokale Querwiderstand direkt proportional zur lokalen Schichtdicke ist, ausgehend von einem spezifischen Widerstand der Schicht, der überall homogen und von der Schichtdicke unabhängig ist. Die oben genannten Beschichtungsverfahren wie Drucktechniken oder Sprühtechniken sind hierfür besonders geeignet, da diese Verfahren eine Variation der Schichtdicke auf einfache Weise zulassen.The simplest and most controllable type of resistance variation is the variation of the layer thickness, since the local transverse resistance is directly proportional to the local layer thickness, starting from a specific resistance of the layer, homogeneous everywhere and of the Layer thickness independently is. The above coating methods such as printing techniques or spraying techniques are for this particularly suitable, since these methods are a variation of the layer thickness to allow in a simple way.
Die Schichtdickenvariation kann zu einer zusätzlichen optischen Wirkung, beispielsweise zu Absorptions- oder Interferenzeffekten, führen. Diese Wirkung kann ebenfalls Variationen in der Funktionalitätsverteilung, insbesondere in der Leuchtdichteverteilung, zur Folge haben.The Layer thickness variation can lead to an additional optical effect, for example, to absorption or interference effects lead. These Effect can also be variations in the distribution of functionality, especially in the luminance distribution, result.
Dieser Effekt bietet eine weitere Möglichkeit zur Modulation der Funktionalitätsverteilung des elektrooptischen Bauteils. Die Bestimmung des Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht zur Erzielung einer vorgegebenen Funktionalitätsverteilung unter Ausnutzung dieses Effektes kann mittels gekoppelter elektro-optischer Simulationen unter Berücksichtigung von mikroskopischen Materialeigenschaften, Transport-, Rekombinations- und Lichterzeugungsvorgängen erfolgenThis Effect offers another possibility for modulating the distribution of functionality of the electro-optical component. The determination of the resistance profile the resistance matching layer to achieve a given functionality distribution Taking advantage of this effect can be achieved by means of coupled electro-optical Considering simulations of microscopic material properties, transport, recombination and light generation processes respectively
Bestimmte Widerstandsprofile können auch durch geeignete lateral unterschiedliche Dotierungen der leitfähigen Widerstandsanpassungs-Schicht mit Stoffen, welche die Leitfähigkeit beeinflussen, eingestellt werden. Diese Stoffe können während der Abscheidung der Widerstandsanpassungs-Schicht beigemischt sein oder anschließend über Diffusionsprozesse in die Schicht eingebracht werden. Letzteres kann über Thermotransfer, lokale Aktivierung, zum Beispiel über Temperatur, Licht oder mechanischen Energieeintrag, Bedruckung oder dergleichen erreicht werden. Vorteilhaft kann hier die Schichtdicke weitgehend konstant gehalten werden, so dass nachteilige lokale Interferenzeffekte stark unterdrückt werden können. Um eine Langzeitstabilität des Bauteils zu gewährleisten, sieht das Verfahren vorteilhaft vor, dass im fertigen Bauteil die Diffusionsprozesse nicht weiterlaufen.Certain Resistance profiles can also by suitable laterally different doping of the conductive resistance matching layer with substances showing the conductivity be adjusted. These substances can during the deposition of the resistance matching layer be admixed or subsequently via diffusion processes be introduced into the layer. The latter can be done via thermal transfer, local activation, for example via temperature, light or achieved mechanical energy input, printing or the like become. Advantageously, the layer thickness can be substantially constant here held, so that adverse local interference effects strong repressed can be. For long-term stability to ensure the component the method provides advantageous that in the finished component, the Diffusion processes do not continue.
Auch durch Variation der Morphologie der Widerstandsanpassungs-Schicht, insbesondere bei Polymerschichten, kann eine Variation des Widerstandes erreicht werden, da die Morphologie einen Einfluss auf den lokalen spezifischen Widerstand und damit auf den lokalen Querwiderstand hat. Gefügeänderungen können über Temperatureintragsprofile bei Ausbacken, über lokale Aktivierung zum Beispiel durch Temperatur, Licht, mechanischen Energieeintrag oder chemische Aktivatoren oder über bestimmte Materialzusammensetzungen eingestellt werden.Also, by varying the morphology of the resistance matching layer, especially in polymer layers, a variation of the resistance can be achieved, since the morphology has an influence on the local resistivity and thus on the local transverse resistance. Microstructural changes can be set via temperature entry profiles during baking, via local activation, for example, by temperature, light, mechanical energy input or chemical activators, or via certain material compositions.
Selbstverständlich können die beschriebenen Verfahren zur Variation des Widerstandes der Widerstandsanpassungs-Schicht auch miteinander kombiniert werden.Of course, the described method for varying the resistance of the resistance matching layer also with each other be combined.
Zur Lichtaus- und/oder Lichteinkopplung umfasst das Aufbringen der ersten und/oder der zweiten Elektrodenschicht vorteilhaft das Aufbringen einer zumindest teilweise transparenten, elektrisch leitfähigen Schicht, die insbesondere ITO (Indium-Zinn-Oxid) aufweist. Aufgrund der hohen Materialkosten von ITO wird die erste bzw. zweite Elektrodenschicht zumindest auf der Seite des elektro-optischen Elementes, auf der keine Lichtaus- und/oder Lichteinkopplung erforderlich ist, vorteilhaft als Metallschicht aufgebracht.to Lichtaus- and / or Lichteinkopplung includes the application of the first and / or the second electrode layer advantageously the application an at least partially transparent, electrically conductive layer, which in particular has ITO (indium tin oxide). Because of the high Material costs of ITO become the first or second electrode layer at least on the side of the electro-optical element, on the no light emission and / or Light coupling is required, advantageously as a metal layer applied.
Ferner weisen die erste und die zweite Elektrodenschicht des elektro-optischen Elementes vorteilhaft unterschiedliche Austrittsarbeiten auf.Further have the first and the second electrode layer of the electro-optical Elementes advantageous on different work functions.
Auch die Widerstandsanpassungs-Schicht wird vorteilhaft derart aufgebracht, dass die Austrittspotentiale auf die elektrischen Anforderungen der Funktionsschicht, im Falle eines organischen, elektro-optischen Elementes auf die des Elektrolumineszenz-Schichtpakets, abgestimmt sind.Also the resistance matching layer is advantageously applied in such a way that the outlet potentials on the electrical requirements the functional layer, in the case of an organic, electro-optical element matched to those of the electroluminescent layer package.
Je nach Position der Widerstandsanpassungs-Schicht in der Schichtfolge des elektro-optischen Elementes können sich unterschiedliche Anforderungen an die Transparenz der Widerstandsanpassungs-Schicht ergeben.ever by position of the resistance matching layer in the layer sequence of the electro-optical element may be different Requirements for the transparency of the resistance matching layer.
Weiterhin sind die Materialien und Herstellverfahren der Widerstandsanpassungs-Schicht vorzugsweise kompatibel mit den Anforderungen des elektro-optischen Elementes, beispielsweise bezüglich Temperaturbeschränkungen oder Lösungsmittelresistenz, und beeinträchtigen nicht die Elektrolumineszenz-Eigenschaften des Bauteils.Farther are the materials and manufacturing methods of the resistance matching layer preferably compatible with the requirements of the electro-optical Elementes, for example regarding temperature limits or solvent resistance, and affect not the electroluminescent properties of the device.
Prinzipiell sind alle leitfähigen Schichtmaterialien, die diese Randbedingungen erfüllen, geeignet. Beispiele geeigneter anorganischer Materialien umfassen ITO (Indium-Zinn-Oxid), SnOx, InOx, ZnOx, TiOx, a:C-H, sowie dotiertes Si. Geeignete organische Materialien, insbesondere für organische, elektrooptische Elemente, sind beispielsweise PEDOT (Poly(3,4-ethylendioxythiophen)), PEDOT/PSS (PSS: Poly(styrolsulfonsäure)), PANI (Polyanilin), Antrazen, Alq3 (Tris(8-oxychinolinato)-aluminium), TPD (Triphenyldiamin), CuPc (Kupferphtalocyanin), NPD (N,N'-Bis(1-naphtyl)-N,N'-diphenylbenzidin), sowie auch alle in der Literatur als Alternative zu PEDOT genannten Materialien.In principle, all conductive layer materials which fulfill these boundary conditions are suitable. Examples of suitable inorganic materials include ITO (indium tin oxide), SnO x, InO x, ZnO x, TiO x, a CH, and doped Si. Suitable organic materials, in particular for organic, electro-optical elements, are, for example, PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT / PSS (PSS: poly (styrenesulfonic acid)), PANI (polyaniline), antrazene, Alq 3 (tris (8 -oxychinolinato) -aluminum), TPD (triphenyldiamine), CuPc (copper phthalocyanine), NPD (N, N'-bis (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine), as well as all mentioned in the literature as an alternative to PEDOT Materials.
Bei organischen, elektrooptischen Elementen wird die Widerstandsanpassungs-Schicht besonders vorteilhaft als Lochleiterschicht, insbesondere als PEDOT- oder PANI-Schicht, aufgebracht, da eine solche Schicht bereits typischer Bestandteil beispielsweise von Polymer-OLED's ist und daher die durch die Widerstandsanpassungs-Schicht zu erzielende Korrekturfunktion zusammen mit der Lochleiterfunktionalität in einem Arbeitsschritt besonders einfach und kostengünstig erzeugt werden kann.at organic, electro-optical elements becomes the resistance matching layer particularly advantageous as a hole conductor layer, in particular as a PEDOT or PANI layer, applied, since such a layer is already typical component for example, of polymer OLEDs and therefore the one to be achieved by the resistance matching layer Correction function together with the hole conductor functionality in one Work step can be particularly easily and inexpensively generated.
Vorteilhaft kann das Verfahren ferner das Aufbringen einer oder mehrerer funktionaler Schichten vorsehen, wie beispielsweise Lochinjektionsschichten, Elektronenblockerschichten, Lochblockerschichten, Elektronleiterschichten, Lochleiterschichten und/oder Elektroneninjektionsschichten. Ferner kann das Verfahren auch das Aufbringen zumindest einer Ionenleiterschicht und/oder Ionenspeicherschicht umfassen.Advantageous the method may further comprise applying one or more functional Layers provide, such as hole injection layers, Electron blocker layers, hole blocker layers, electron conductor layers, Hole conductor layers and / or electron injection layers. Further The method may also include applying at least one ion conductor layer and / or ion storage layer.
Im Rahmen der Erfindung liegen ferner weitere Maßnahmen zur Erzielung einer vorgegebenen, insbesondere uniformen, Funktionalitätsverteilung eines elektro-optischen Elementes, welche jeweils einzeln, in Kombination miteinander sowie in Kombination mit der oben beschriebenen Widerstandsanpassungs-Schicht verwendet werden können.in the The scope of the invention are also further measures to achieve a predetermined, in particular uniform, distribution of functionality an electro-optical element, each individually, in combination used together and in combination with the resistance matching layer described above can be.
Eine erste solche Maßnahme ist die lokale Veränderung der Elektrodenleitfähigkeit zur Modulation der Stromverteilung.A first such action is the local change the electrode conductivity for modulation of the current distribution.
Prinzipiell ist eine Veränderung der Elektrodenleitfähigkeiten zur Erzielung uniformer oder fest vorgegebener Lichtverteilung möglich. Insbesondere führt die generelle Reduktion der Elektrodenwiderstände zu uniformerer Lichterzeugung.in principle is a change the electrode conductivities to achieve uniform or fixed light distribution possible. Especially leads the general reduction of electrode resistances to more uniform light generation.
Zu diesem Zweck sieht die Erfindung insbesondere vor, relativ hochohmige transparente Elektroden wie beispielsweise ITO-Elektroden, mit dünnen metallischen Hilfsleiterbahnen, sogenannten Busbars, zu durchsetzen. Diese können unter, in oder auf die Elektrodenschicht aufgebracht werden und dienen der Reduzierung des Flächenwiderstands.To For this purpose, the invention provides, in particular, relatively high-impedance transparent electrodes such as ITO electrodes, with thin metallic ones Auxiliary conductors, so-called busbars, to enforce. These can under, be applied in or on the electrode layer and serve the reduction of sheet resistance.
Die Bahnen werden vorzugsweise so gewählt, das sie den Strom gleichmäßiger auf die zwischenliegenden Bereiche der Elektrodenschicht verteilen, aber andererseits möglichst große freie Flächen zur Erzielung hoher Transparenz lassen.The Webs are preferably chosen to make the stream more uniform distribute the intermediate areas of the electrode layer, but on the other hand as possible size open spaces to achieve high transparency.
Alternativ können sehr dünne Leiterbahnstrukturen auch mit Abständen im Bereich der Lichtwellenlänge gewählt werden, so dass sie als Bragg-Interferenzgitter wirken und die Lichtauskopplung aus dem Bauteil beeinflussen. Diese Strukturen können linear mit 1-dimensionaler Gitterwirkung oder auch mit 2-dimensionaler Gitterwirkung, zum Beispiel über honigwabenartige Strukturen ausgelegt werden.alternative can very thin Trace structures are also chosen with distances in the range of the wavelength of light, so that they act as a Bragg interference grating and the light extraction from the component. These structures can be linear with 1-dimensional Lattice effect or with 2-dimensional grating effect, for example honeycomb-like Structures are designed.
Es ist ersichtlich, dass in der Regel die Modulation des Widerstandverlaufs der Elektroden zu keiner uniformen Leuchtdichteverteilung führt. Vorteilhaft kann diese Art der Modulation daher insbesondere im Falle spezieller vorgegebener Funktionalitätsverteilungen eingesetzt werden.It it can be seen that, as a rule, the modulation of the resistance curve the electrodes does not lead to a uniform luminance distribution. Advantageous Therefore, this type of modulation can be especially in the case of special given functionality distributions be used.
Die unterschiedliche lokale Ausbildung der Elektrodenschichten zur Erzielung lokal unterschiedlicher Elektrodenleitfähigkeiten kann beispielsweise auch über Schichtdickenvariation oder lokal unterschiedliche Dotierungen oder "Vergiftungen" erfolgen.The different local formation of the electrode layers to achieve locally different electrode conductivities, for example also over Layer thickness variation or locally different doping or "poisoning" done.
Dementsprechend sieht das erfindungsgemäße Verfahren bevorzugt vor, die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht mit einer horizontal entlang der Schichtebene variierenden Leitfähigkeit und/oder Schichtzusammensetzung aufzubringen.Accordingly sees the method according to the invention preferably before, the first and / or the second electrode layer with a horizontally varying conductivity along the layer plane and / or layer composition.
Eine weitere Maßnahme ist die lokale Veränderung der Elektrodenoberfläche zur Modulation der Ladungsträgerinjektion.A further consequences is the local change the electrode surface for the modulation of the charge carrier injection.
Insbesondere bei einer Elektrodenschicht, welche ITO aufweist, kann zur Variation der Ladungsträgerinjektion deren Austrittsarbeit gezielt eingestellt werden. Hierzu können Plasmaprozesse oder elektrochemische Vorbehandlungen eingesetzt werden. Vorteilhaft an einer Plasmabehandlung ist die Möglichkeit der kostengünstigen großtechnischen Umsetzung.Especially in an electrode layer comprising ITO, may be used for variation the charge carrier injection whose work is set specifically. This can be plasma processes or electrochemical pretreatments are used. Advantageous At a plasma treatment is the possibility of cost large-scale Implementation.
Weiterhin kann die Ladungsträgerdichte durch zusätzliche, insbesondere organische Anpassschichten beeinflusst werden.Farther can the charge carrier density through additional, In particular, organic matching layers are influenced.
Diese Zusatzschichten werden besonders vorteilhaft bei SM-OLEDs eingesetzt, da hier Mehrfachschichtsysteme durch die angewandte Aufdampftechnik leicht zu realisieren sind.These Additional layers are used particularly advantageously in SM-OLEDs, because here multilayer systems by the applied vapor deposition easy to realize.
Im Falle von Elektrodenschichten, welche ein Metall wie beispielsweise A1 oder eine Legierung wie beispielsweise Mg:Ag aufweisen, können zur Beeinflussung der Elektroneninjektion spezielle Übergangsschichten bzw. Übergangsmaterialien wie beispielsweise Ca, Ba oder LiF eingesetzt werden.in the Trap of electrode layers containing a metal such as A1 or an alloy such as Mg: Ag can, for Influence of the electron injection special transition layers or transition materials such as Ca, Ba or LiF can be used.
Dementsprechend sieht die Erfindung vorteilhaft vor, die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht derart aufzubringen, dass diese horizontal entlang der Schichtebene variierende Ladungsträgerinjektions-Eigenschaften aufweist.Accordingly the invention provides advantageous, the first and / or the second Apply electrode layer such that it horizontally along the layer plane has varying charge carrier injection properties.
Bei lichtemittierenden, elektro-optischen Elementen kann erfindungsgemäß ferner die Lichterzeugung selbst durch Aufbringen einer lokal variierenden Funktionsschicht manipuliert werden.at Light emitting electro-optical elements according to the invention further the light generation itself by applying a locally varying Functional layer to be manipulated.
So können beispielsweise gezielt Helligkeitsprofile eines organischen, elektro-optischen Elementes, durch Modulation der lichterzeugenden Schicht, d.h. in diesem Beispiel der EL-Schichteigenschaften, eingestellt werden. Zu diesem Zweck kann die EL-Schicht beispielsweise mit unterschiedlicher lokaler Dicke, Materialzusammensetzung oder Morphologie, z.B. Vernetzungsgrad, abgeschieden werden.So can For example, targeted brightness profiles of an organic, electro-optical Element, by modulation of the photogenerating layer, i. in this example of EL layer properties. For this purpose, the EL layer may, for example, with different local thickness, material composition or morphology, e.g. Degree of crosslinking, be deposited.
Ferner umfasst das Verfahren zur Herstellung organischer, elektro-optischer Elemente das Aufbringen zumindest einer Schicht, welche zumindest ein organisches, elektrooptisches Material aufweist, mit einer horizontal entlang der Schichtebene variierenden Stoffzusammensetzung und/oder horizontal entlang der Schichtebene variierenden Schichtdicke.Further includes the process for producing organic, electro-optical Elements applying at least one layer, which at least an organic, electro-optical material having a horizontal along the layer plane varying composition and / or horizontally along the layer plane varying layer thickness.
Die Erfindung sieht weiterhin vorteilhaft eine angepasste Rückseitenreflexion über eine leitfähige, optisch aktive Schicht vor. Vorzugsweise wird die leitfähige, optisch aktive Schicht in Form einer Interferenzschicht vor einer Metallelektrode angeordnet. Ferner kann vorteilhaft das Reflexionsvermögen einer Elektrode über einen gezielten lokalen Energieeintrag beispielsweise mit entsprechenden internen chemischen Reaktionen lokal individuell gesteuert werden.The The invention further advantageously provides an adapted backside reflection over a conductive, optically active layer. Preferably, the conductive, optical active layer in the form of an interference layer in front of a metal electrode arranged. Furthermore, the reflectivity of a Electrode over a targeted local energy input, for example, with appropriate Internal chemical reactions are controlled locally individually.
Weitere Vorteile einer Rückseitenreflexion liegen beispielsweise in einer möglichen Kontrastverstärkung oder einer Farbmischung. Bei organischen, elektro-optischen Elementen kann hierdurch auch eine verstärkte Fluoreszenz in der EL-Schicht erreicht werden.Further Advantages of a backside reflection lie, for example, in one possible contrast enhancement or a color mixture. For organic, electro-optical elements This can also be a reinforced Fluorescence can be achieved in the EL layer.
Ferner kann durch Farbkonversion mittels einer rückseitigen Fluoreszenzschicht "weißes Mischlicht" erzeugt werden.Further can be generated by color conversion by means of a backside fluorescent layer "white mixed light".
Eine nochmals weitere Maßnahme zur Erzielung einer vorgegebenen, insbesondere uniformen, Funktionalitätsverteilung eines elektro-optischen Elementes ist die lokal selektive Variation der Auskoppeleffizienz.A another action to achieve a given, in particular uniform, distribution of functionality of an electro-optical element is the locally selective variation the decoupling efficiency.
Ohne zusätzliche Maßnahmen wird ein großer Teil des erzeugten Lichts eines lichtemittierenden elektro-optischen Elementes an den Grenzflächen gegen Luft wieder ins Bauteil zurückreflektiert und sind außerhalb nicht zugänglich.Without additional activities will be a big one Part of the generated light of a light-emitting electro-optical Element at the interfaces Reflected back into the component against air and are outside inaccessible.
Zur Verbesserung der Auskoppeleffizienz ist eine Fülle von Maßnahmen bekannt, vgl. z.B. die Zusammenstellung von Klaus Meerholz & David Müller, Adv. Funct. Mater. 2001, 11, 250–253. Ein Beispiel sind strukturierte Klebefolien mit. Mikroprismenoberflächen zur Erhöhung der Auskoppeleffizienz.to Improving the decoupling efficiency is a wealth of measures known, cf. e.g. the compilation by Klaus Meerholz & David Müller, Adv. Funct. Mater. 2001 11, 250-253. An example is structured adhesive films with. Microprism surfaces for increase the decoupling efficiency.
Durch lokal angepasste Maßnahmen zur Steigerung der Auskoppeleffizient können Nichtuniformitäten einer Funktionalitätsverteilung, insbesondere einer Leuchtdichteverteilung kompensiert bzw. gezielt eingestellt werden.By locally adapted measures To increase the decoupling coefficient, nonuniformities of a Functionality distribution, in particular a luminance distribution compensated or targeted be set.
Insbesondere durch eine äußerliche Lichtabsorptionsschicht oder durch lokal selektive Variation der Auskoppeleffizienz in Kombination mit einer für uniforme Funktionalitätsverteilung, insbesondere Leuchtdichteverteilung, eingestellten Widerstandskorrekturschicht lassen sich die Vorteile dieser Korrektur, wie Gültigkeit über große dynamische Bereiche, Unabhängigkeit von vorgegebenen Arbeitspunkten, mit vorgegebenen prozentualen Helligkeitsverteilungen verbinden.Especially through an external Light absorption layer or by locally selective variation of the coupling-out efficiency in combination with a for uniform functional distribution, in particular luminance distribution, adjusted resistance correction layer Let's take advantage of this correction, such as validity over large dynamic ranges, independence from given operating points, with given percentage brightness distributions connect.
Mit besonderem Vorteil umfasst das Verfahren das Aufbringen einer Lichtabsorptionsschicht, insbesondere einer farbneutralen Lichtabsorptionsschicht, mit horizontal entlang der Schichtebene variierenden Lichtabsorptionseigenschaften.With Particularly advantageous, the method comprises applying a light absorption layer, in particular a color-neutral light absorption layer, with horizontal along the layer plane varying light absorption properties.
Besonders bevorzugt umfasst das Aufbringen der Lichtabsorptionsschicht das Aufbringen einer photosensitiven Schicht, das Belichten der photosensitiven Schicht und das Entwickeln der photosensitiven Schicht.Especially Preferably, the application of the light absorption layer comprises Applying a photosensitive layer, exposing the photosensitive Layer and developing the photosensitive layer.
Modulationstechniken wie zum Beispiel Maskierungen von uniformen Leuchtschichten zur Darstellung von Symbolen oder Schrift oder Farbgebungen können dazu eingesetzt werden, gezielte Funktionalitätsverteilungen, insbesondere Leuchtdichteverteilungen, einzustellen. Hierzu können die lichtabsorbierenden Schichten direkt auf das Bauteil aufgebracht werden.modulation techniques such as masks of uniform luminescent layers for Representation of symbols or writing or coloring can do this be used, targeted functionality distributions, in particular Luminance distributions to adjust. For this purpose, the light-absorbing Layers are applied directly to the component.
Besonders vorteilhaft ist die selbststeuernde Optimierung des Leuchtprofils lichtemittierender Bauteile individuell für jedes individuelle Bauteil zum Ausgleich von statistisch verteilten lokalen Unterschieden.Especially advantageous is the self-controlling optimization of the light profile Light emitting components individually for each individual component to compensate for statistically distributed local differences.
Eine selbststeuernde Optimierung des Leuchtprofils kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass zunächst eine photosensitive Schicht wie z.B. eine Photoemulsion aufgebracht wird, diese durch abgestimmtes Einschalten des lichtemittierenden, elektro-optischen Bauteils belichtet, entwickelt und damit optimal auf jedes individuelle Bauteil und dessen lokale Defekte wie Beschichtungsfehler oder Kurzschlüsse angepasst wird. Anschließend erfolgt eine Fixierung der photosensitiven Schicht und zweckmäßigerweise das Aufbringen einer Schutzbeschichtung, z.B. mit einem Lack.A self-controlling optimization of the light profile, for example be achieved by first a photosensitive layer such as. a photoemulsion is applied, this by coordinated Switching on the light-emitting, electro-optical component exposed, developed and thus optimally on each individual component and its local defects such as coating defects or short circuits adapted becomes. Subsequently there is a fixation of the photosensitive layer and expediently the application of a protective coating, e.g. with a paint.
Dementsprechend umfasst das Verfahren besonders vorteilhaft, dass das Belichten der photosensitiven Schicht durch Einschalten des elektro-optischen Elementes für eine vorgegebene Zeitdauer erfolgt, wobei das Einschalten durch Anlegen einer vorgegebenen Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht erfolgt.Accordingly, the method particularly advantageously comprises exposing the photosensitive layer by switching on the electro-optical element for a predetermined period of time, wherein the switching on by applying a predetermined voltage between the first and the second electro denschicht takes place.
Eine weitere Variante zur Optimierung des Leuchtprofils ist die aktiv gesteuerte individuelle Beschichtung. Dazu wird die Leuchtdichteverteilung der Austrittsleuchtfläche des elektro-optischen Bauteils mittels eines geeigneten Detektorsystems, beispielsweise mittels eines Kamerasystems mit Bildverarbeitung, erfasst und gespeichert. Aus der erfassten Leuchtdichteverteilung wird eine Absorptionsdichteverteilung zur optimalen lokalen Korrektur des Helligkeitsprofils berechnet. Entsprechend der berechneten Absorptionsdichteverteilung wird eine lokal variierende Absorptivschicht beispielsweise mittels eines Sprüh- oder Druckprozesses, wie z.B. Ink-jet Printing oder elektrophotographisches Drucken, auf die Lichtaustrittsfläche aufgebracht. Anschließend erfolgt wiederum eine Fixierung und zweckmäßigerweise das Aufbringen einer Schutzbeschichtung. Für die Absorptivschicht können verschiedene organische und anorganische Materialien eingesetzt werden, zum Beispiel Duroplaste, Thermoplaste, Sol-Gel-Lösungen oder Farben.A Another variant for optimizing the light profile is the active controlled individual coating. For this, the luminance distribution the exit light area the electro-optical component by means of a suitable detector system, for example by means of a camera system with image processing, captured and saved. From the recorded luminance distribution becomes an absorption density distribution for optimal local correction of the brightness profile. According to the calculated absorption density distribution is a locally varying absorptive layer, for example by means of a spray or printing process, such as Ink-jet printing or electrophotographic Print, applied to the light exit surface. Then done again a fixation and expediently the application of a Protective coating. For the Absorptive layer can various organic and inorganic materials used For example, thermosets, thermoplastics, sol-gel solutions or Colours.
Eine nochmals weitere Variante besteht in der aktiv gesteuerten individuellen Maskierung, bei der eine separate Maske auf Glas- oder Polymersubstrat hergestellt und auf der Frontseite des Bauteils fixiert wird.A Another variant is the actively controlled individual Masking, where a separate mask on glass or polymer substrate manufactured and fixed on the front side of the component.
Weitere Abwandlungen der Methode zur Erzeugung des Absorptionsprofils umfassen beispielsweise die aktiv gesteuerte individuelle Belichtung, bei der die Rohleuchtdichte erfasst, die Korrektur berechnet und eine Photoemulsion beispielsweise mittels eines geführten Lichtstrahls belichtet wird, sowie die aktiv gesteuerte individuelle Fixierung von absorptiven Materialien, bei der die Rohleuchtdichte erfasst, die Korrektur berechnet und zur Fixierung und Ausbildung der absorptiven Beschichtung ein Belag auf der Bauteiloberfläche belichtet wird.Further Modifications include the method for generating the absorption profile For example, the actively controlled individual exposure, at which detects the gross luminance, calculates the correction, and a Photoemulsion exposed for example by means of a guided light beam as well as the actively controlled individual fixation of absorptive Materials detecting the gross luminance, the correction calculated and for fixation and formation of the absorptive coating exposed a coating on the component surface becomes.
Eine weitere Variante umfasst das Aufbringen einer selbstregelnden phototropen Beschichtung.A Another variant involves the application of a self-regulating phototropic Coating.
Alle beschriebenen Verfahren zum Aufbringen einer Lichtabsorptionsschicht haben den Vorteil, dass jedes individuelle Bauteil hinsichtlich der vorgegebenen Leuchtdichteverteilung optimiert werden kann.All described method for applying a light absorption layer have the advantage that every individual component in terms of the predetermined luminance distribution can be optimized.
Abgewandelt kann die absorptive Korrekturschicht auch in das Bauteil integriert werden. Je nach Position in der Schichtfolge muss dann jedoch die Schicht noch zusätzliche Leitfähigkeit aufweisen und interferenzoptisch bzw. im Lichtbrechverhalten angepasst sein. Auch hier ist eine individuelle Einstellung des lokalen Absorptionsverhaltens durch das Aufbringen einer phototropen Beschichtung oder durch Einstellen der Absorption über einen Energieeintrag von außen, beispielsweise mittels eines Lasers, möglich.modified The absorptive correction layer can also be integrated into the component become. However, depending on the position in the sequence of layers, the Layer additional conductivity have and optical interference or adjusted in the light refraction behavior be. Here, too, is an individual adjustment of the local absorption behavior by applying a photochromic coating or by adjusting the absorption over an external energy input, for example by means of a laser possible.
Je nach Einsatzzweck des herzustellenden Bauteils kann das Verfahren ferner vorteilhaft den Schritt des Aufbringens einer zumindest teilweise spiegelnden Schicht oder eines zumindest teilweise spiegelnden Schichtsystems und/oder den Schritt des Aufbringens einer zumindest teilweise entspiegelnden Schicht oder eines zumindest teilweise entspiegelnden Schichtsystems umfassen.ever according to the purpose of the component to be produced, the method Advantageously, the step of applying at least partially reflecting layer or an at least partially reflecting layer system and / or the step of applying an at least partially anti-reflection Layer or an at least partially anti-reflective coating system include.
Im Rahmen der Erfindung liegt außerdem ein elektrooptisches Element, welches insbesondere mit dem oben beschriebenen Verfahren herstellbar ist.in the It is also within the scope of the invention an electro-optical element, which in particular with the above can be produced described method.
Ein erfindungsgemäßes elektro-optisches Element umfasst dementsprechend ein Substrat, eine erste Elektrodenschicht, zumindest eine Funktionsschicht, eine zweite Elektrodenschicht, und zumindest eine Anpassungsschicht, durch welche eine Funktionalitätsverteilung des elektrooptischen Elementes definiert wird.One inventive electro-optical Element accordingly comprises a substrate, a first electrode layer, at least one functional layer, a second electrode layer, and at least one matching layer, by which a functionality distribution the electro-optical element is defined.
Die Anpassungsschicht ist vorzugsweise als Widerstandsanpassungs-Schicht ausgebildet, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene variiert.The Matching layer is preferably as a resistance matching layer formed, which has an electrical resistance perpendicular to Layer has, in at least one horizontal direction varies along the layer plane.
Ein erfindungsgemäßes elektro-optisches Element kann auch aus mehreren oder einer Vielzahl separater Teilelemente zusammengesetzt sein, welche beispielsweise auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind.One inventive electro-optical Element can also consist of several or a plurality of separate sub-elements be composed, for example, on a common Substrate are arranged.
Vorteilhaft ist das Element als organisches elektrooptisches Element, insbesondere als organische, lichtemittierende Diode, ausgebildet, wobei die Funktionsschicht zumindest ein organisches, elektrooptisches Material aufweist.Advantageous is the element as an organic electro-optical element, in particular as an organic, light-emitting diode, formed, wherein the Functional layer at least one organic, electro-optical material having.
Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elementes ist ein elektrochromes Element, bei welchem die zumindest eine Funktionsschicht zumindest eine elektrochrome Schicht umfasst. Bevorzugt weist die elektrochrome Schicht WOx auf, aber auch andere dem Fachmann bekannte Materilien wie beispielweise NiOx, VOx oder NbOx liegen im Rahmen der Erfindung.A further advantageous embodiment of an element according to the invention is an electrochromic element, in which the at least one functional layer at least one electrochromic layer summarizes. The electrochromic layer preferably has WO x , but other materials known to the person skilled in the art, for example NiO x , VO x or NbO x are also within the scope of the invention.
Ferner kann die Funktionsschicht bevorzugt eine photovoltaische Schicht umfassen. Für viele Einsatzzwecke ist auch eine Funktionsschicht vorteilhaft, welche zumindest eine dotierte Halbleiterschicht, insbesondere ein Doppelschichtsystem mit einer p-dotierten und einer n-dotierten Halbleiterschicht, umfasst.Further For example, the functional layer may be a photovoltaic layer include. For many purposes, a functional layer is also advantageous, which at least one doped semiconductor layer, in particular a Double layer system with a p-doped and an n-doped semiconductor layer, includes.
Typischerweise ist die als Anode wirkende Elektrodenschicht auf dem Substrat und die als Kathode wirkende Elektrodenschicht auf dem dazwischen liegenden Schichtsystem angeordnet. Selbstverständlich liegt aber auch ein invertiertes System, bei welchem die Kathode auf dem Substrat und die Anode auf dem dazwischen liegenden Schichtsystem aufgebracht ist, im Rahmen der Erfindung.typically, is the electrode layer acting as an anode on the substrate and the electrode layer acting as a cathode on the intermediate layer Layer system arranged. Of course, but is also one inverted system in which the cathode on the substrate and the anode is applied to the intermediate layer system is, within the scope of the invention.
Vorteilhaft weist die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht eines erfindungsgemäßen Elementes in den Randbereichen eine Kontaktfläche zum Anlegen und/oder Abgreifen einer elektrischen Spannung auf. Bei Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht, welche innerhalb einer Toleranz von ± 10 % einer vorgegebenen Betriebsspannung entspricht, weist die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche des Elementes vorteilhaft im wesentlichen eine vorgegebene Funktionalitätsverteilung auf, wobei die Funktionalitätsverteilung besonders vorteilhaft einer uniformen Verteilung über die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche entspricht.Advantageous includes the first and / or the second electrode layer of an inventive element in the edge areas a contact surface for applying and / or tapping an electrical voltage. at Applying a voltage between the first and second electrode layers, which within a tolerance of ± 10% of a given Operating voltage corresponds, the light exit and / or Light entry surface the element advantageously substantially a predetermined distribution of functionality on, with the distribution of functionality particularly advantageous uniform distribution over the Light exit and / or light entry surface corresponds.
Der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht weist besonders vorteilhaft einen Verlauf wie oben für das Verfahren beschrieben auf. Dementsprechend nimmt der Widerstand senkrecht zur Schichtebene bevorzugt von einem Punkt minimalen Widerstands zum Rand der Schicht hin zu, insbesondere quadratisch.Of the Resistance of the resistance matching layer is particularly advantageous a course as above for the method described on. Accordingly, the resistance decreases perpendicular to the layer plane, preferably from a point of minimum resistance towards the edge of the layer towards, in particular square.
Besonders bevorzugt weist der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf auf, der im wesentlichen durch die Gleichungbeschrieben wird (verwendete Größen wie oben).Particularly preferably, the resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane in at least one horizontal direction along the layer plane on a curve, which essentially by the equation is described (sizes used as above).
Vorteilhaft ist die Widerstandsanpassungs-Schicht mittels einem der folgenden Verfahren aufgebracht:
- – Spin-Coating,
- – Tauchbeschichten,
- – Bedrucken mittels eines Inkjet- Druckkopfes,
- – Bedrucken durch Siebdruck,
- – Bedrucken durch Flexodruck oder Gravurdruck,
- – Besprühen durch eine Maske,
- – physikalische Dampfphasenabscheidung, insbesondere Aufdampfen oder Sputtern, oder
- – chemische Dampfphasenabscheidung, insbesondere plasmainduzierte chemische Dampfphasenabscheidung,
- - spin coating,
- - dip coating,
- Printing by means of an inkjet print head,
- - printing by screen printing,
- - printing by flexographic printing or gravure printing,
- - spraying through a mask,
- - Physical vapor deposition, in particular vapor deposition or sputtering, or
- Chemical vapor deposition, in particular plasma-induced chemical vapor deposition,
Vorzugsweise weist die Widerstandsanpassungs-Schicht Schichtbereiche mit unterschiedlicher Schichtdicke und/oder unterschiedlicher Schichtzusammensetzung und/oder unterschiedlicher Schichtmorphologie auf.Preferably For example, the resistance matching layer has layer regions of different layer thickness and / or different layer composition and / or different Layer morphology on.
Beispiele geeigneter Materialien für die Widerstandsanpassungs-Schicht sind die oben im Zusammenhang mit dem Verfahren genannten.Examples suitable materials for the resistance matching layer are the ones above mentioned with the method.
Die Elektrodenschichten eines erfindungsgemäßen Elements sind vorteilhaft derart ausgebildet, dass die erste und die zweite Elektrodenschicht unterschiedliche Austrittsarbeiten aufweisen. Ferner sind die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht bevorzugt zumindest teilweise transparent, und weisen insbesondere Indium-Zinn-Oxid auf. Alternativ sind die erste und/oder zweite Elektrodenschicht vorteilhaft als Metallschicht ausgebildet. Für eine einseitige Lichtaus- und/oder Lichteinkopplung ist vorteilhaft eine der Elektrodenschichten als transparente ITO-Schicht und die andere als Metallschicht ausgebildet.The Electrode layers of an element according to the invention are advantageous formed such that the first and the second electrode layer have different work functions. Furthermore, the first and / or the second electrode layer preferably at least partially transparent, and in particular have indium tin oxide. Alternatively, the first and / or second electrode layer advantageously formed as a metal layer. For one one-sided Lichtaus- and / or Lichteinkopplung is advantageous one the electrode layers as a transparent ITO layer and the other designed as a metal layer.
Vorteilhaft umfasst das Element weiterhin zumindest eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Elektronenblockerschicht und/oder eine Lochblockerschicht und/oder eine Elektronleiterschicht und/oder eine Lochleiterschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht und/oder eine Ionenleiterschicht und/oder eine Ionenspeicherschicht.Advantageously, the element further comprises at least one hole injection layer and / or an electron blocker layer and / or a hole blocker layer and / or an electron conductor layer and / or a hole conductor layer and / or an electron injection layer and / or an ion conductor layer and / or an ion storage layer.
Die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht kann ferner vorteilhaft eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Leitfähigkeit aufweisen, beispielsweise in Form der oben beschriebenen Busbars.The The first and / or the second electrode layer may also be advantageous a horizontally varying conductivity along the layer plane have, for example in the form of the busbars described above.
Ferner weist die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht bevorzugt eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Schichtzusammensetzung und/oder variierende Ladungsträgerinjektions-Eigenschaften auf.Further Preferably, the first and / or the second electrode layer a layer composition varying horizontally along the layer plane and / or varying charge carrier injection properties on.
Ferner umfasst die zumindest eine Schicht eines organischen, elektro-optischen Elementes, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, vorteilhaft eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Stoffzusammensetzung und/oder horizontal entlang der Schichtebene variierende Schichtdicke.Further comprises the at least one layer of an organic, electro-optical Element containing at least one organic, electro-optical material advantageously, a horizontally varying along the layer plane Fabric composition and / or horizontally along the layer plane varying layer thickness.
Eine besonders bevorzugte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elementes umfasst eine Lichtabsorptionsschicht, insbesondere eine farbneutrale Lichtabsorptionsschicht, mit horizontal entlang der Schichtebene variierenden Lichtabsorptionseigenschaften, welche insbesondere wie oben beschrieben hergestellt ist.A particularly preferred embodiment an element according to the invention comprises a light absorption layer, in particular a color neutral Light absorption layer, with horizontally along the layer plane varying light absorption properties, which in particular manufactured as described above.
Das Element umfasst ferner vorteilhaft weitere Funktionalschichten wie beispielsweise Antireflexschichten.The Element further advantageously comprises further functional layers such as for example antireflection coatings.
Die Form der Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche eines erfindungsgemäßen Elementes ist besonders vorteilhaft im wesentlichen symmetrisch, insbesondere rechteckig, rund oder oval.The Shape of the light exit and / or light entry surface of a element according to the invention is particularly advantageous substantially symmetrical, in particular rectangular, round or oval.
Für spezielle Einsatzzwecke, beispielsweise in der Automobilindustrie, umfasst die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche vorteilhaft zumindest einen spitzwinkligen Bereich. Dies ist zum Beispiel bei einer Fläche in Form eines Kreisausschnitts gegeben.For special Use purposes, for example in the automotive industry includes the light exit and / or light entry surface advantageously at least one acute-angled area. This is for example at a surface in shape given a circular section.
Insbesondere bei symmetrischen Formen weist die Widerstandsanpassungs-Schicht einen Widerstandsverlauf auf, welcher sich analytisch durch die oben angegebene Gleichung 1 ausdrücken lässt.Especially in symmetric forms, the resistance matching layer a resistance profile, which analytically through the expresses equation 1 above.
Je nach Einsatzzweck kann die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche eines erfindungsgemäßen Elementes auch eine freie, nicht symmetrische Formgebung aufweisen. In diesen Fällen ist der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht in der Regel nicht durch einen einfachen analytischen Ausdruck gegeben, sondern das Ergebnis numerischer Verfahren oder Simulationen, wie zum Beispiel der "Finite Elemente"-Methode oder der Inversion von Feldgleichungssystemen.ever According to purpose, the light exit and / or light entry surface of a element according to the invention also have a free, non-symmetrical shape. In these make is the resistance curve of the resistance matching layer in usually not given by a simple analytical expression, but the result of numerical methods or simulations, such as for example the "Finite Elements "method or the inversion of field equation systems.
Die Erfindung umfasst ferner ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats, mit den Schritten:
- - Bereitstellen eines Substrats,
- - Aufbringen zumindest einer Elektrodenschicht,
- - Aufbringen zumindest einer Widerstandsanpassungs-Schicht
- Providing a substrate,
- Applying at least one electrode layer,
- Applying at least one resistance matching layer
Vorteilhaft umfasst dabei das Aufbringen der zumindest einen Elektrodenschicht das Aufbringen einer zumindest teilweise transparenten, elektrisch leitfähigen Schicht umfasst, die insbesondere Indium-Zinn-Oxid aufweist.Advantageous comprises the application of the at least one electrode layer the application of an at least partially transparent, electrically conductive Layer comprising in particular indium-tin oxide.
Entsprechend umfasst die Erfindung ferner ein beschichtetes Substrat zur Herstellung eines elektro-optischen Elementes, insbesondere eines photovoltaischen Elementes, eines elektrochromen Elementes, oder einer OLED oder PLED, insbesondere hergestellt mit einem Verfahren wie oben beschrieben, umfassend zumindest eine Elektrodenschicht und zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in horizontaler Richtung entlang der Schichtebene variiert.Corresponding The invention further includes a coated substrate for manufacturing an electro-optical element, in particular a photovoltaic Element, an electrochromic element, or an OLED or PLED, in particular produced by a method as described above, comprising at least one electrode layer and at least one resistance matching layer, which is an electrical resistance perpendicular to the layer plane which varies in the horizontal direction along the layer plane.
Als Substratmaterial des beschichteten Substrats sind verschiedene Materialien geeignet, wie beispielsweise Glas, insbesondere Kalk-Natron Glas, Glaskeramik und/oder Kunststoff, insbesondere ein barrierebeschichteter Kunststoff, und/oder Kombinationen davon.When Substrate material of the coated substrate are various materials suitable, such as glass, in particular soda-lime glass, Glass-ceramic and / or plastic, in particular a barrier-coated Plastic, and / or combinations thereof.
Die Elektrodenschicht des beschichteten Substrats ist bevorzugt zumindest teilweise transparent ausgebildet und weist insbesondere Indium-Zinn-Oxid auf.The Electrode layer of the coated substrate is preferably at least partially transparent and has in particular indium tin oxide on.
Auf die beschriebene Weise kann ein vorkorrigiertes Substrat bereitgestellt werden, welches zur Erzielung uniformer Funktionalitätsverteilungen, insbesondere uniformer Leuchtdichteverteilungen, eingesetzt werden kann.On the described manner can provide a pre-corrected substrate which, in order to obtain uniform functional distributions, in particular uniform luminance distributions, are used can.
Das Substrat kann noch durch weitere Funktionalschichten wie z.B. Antireflexschichten veredelt werden.The Substrate can still be replaced by further functional layers, e.g. Antireflection coatings be refined.
Die Widerstandsanpassungs-Schicht kann in einem separaten Beschichtungsschritt abgeschieden oder beispielsweise in eine für ein organisches, elektro-optisches Element vorgesehene Lochleiterschicht integriert werden, welche beispielweise als PEDOT-Beschichtung ausgebildet ist. Die Integration in eine PEDOT-Beschichtung bietet den weiteren Vorteil, dass die Widerstandskorrekturschicht in der Austrittsarbeit sehr gut an die Anode angepasst ist.The Resistive matching layer may be in a separate coating step deposited or, for example, in one for an organic, electro-optical Element provided hole conductor layer can be integrated, which For example, is designed as a PEDOT coating. The integration in a PEDOT coating offers the further advantage that the Resistance correction layer in the work function very well to the Anode is adapted.
Vorteilhaft ist die Widerstandsanpassungs-Schicht derart ausgebildet, dass diese nicht durch nachfolgende Reinigungsvorgänge beeinträchtigt wird. Ferner ist die Widerstandsanpassungs-Schicht vorteilhaft gegen Lösungsmittel weiterer Flüssigbeschichtungen (beispielsweise bei Polymer-OLEDs) im wesentlichen resistent. Außerdem ist die Widerstandsanpassungs-Schicht vorteilhaft vakuumfest und weitgehend optisch inaktiv bezüglich Interferenzen oder Absorption.Advantageous the resistance matching layer is formed such that it not affected by subsequent cleaning operations. Furthermore, the Resistance-matching layer advantageous against solvents additional liquid coatings (for example, in polymer OLEDs) substantially resistant. Besides that is the resistance matching layer advantageously vacuum-resistant and largely optically inactive with respect to Interference or absorption.
Ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegt die Verwendung eines Substrates wie oben beschrieben zur Herstellung eines elektro-optischen Elementes, insbesondere eines photovoltaischen Elementes, eines elektrochromen Elementes, oder einer OLED oder PLED, sowie ferner die Verwendung eines elektro-optischen Elements wie oben beschrieben
- – als Leuchtmittel,
- – als Beleuchtungmittel,
- – als Hinweis- oder Leuchttafel,
- – als variables Hinweisschild,
- – als Schalter- oder Sensorbeleuchtung,
- – als hoch- oder niedrigauflösendes Display,
- – als digitale Plakatwand oder Werbetafel,
- – in Leuchtböden oder Leuchttischen,
- – als Lichtfläche zur Ambientebeleuchtung,
- – zur Hintergrundbeleuchtung von Displays,
- – zur Spezialbeleuchtung, insbesondere in der Mikroskopie,
- – zur Signalgebung oder Beleuchtung, insbesondere im Automobil-, Luftfahrt- Schiffahrts- oder Haushaltsbereich,
- – als Photovoltaik-Element,
- – als optolektronischen Sensor,
- – als Flüssigkristall-Element,
- – als elektrochromes Fensterelement, oder
- – als elektrochromen Spiegel.
- As bulbs,
- As a lighting agent,
- - as a notice or lighting board,
- - as a variable information sign,
- - as switch or sensor lighting,
- - as high or low resolution display,
- - as a digital billboard or billboard,
- - in illuminated floors or light tables,
- - as a light surface for ambient lighting,
- - for backlighting displays,
- - for special lighting, especially in microscopy,
- For signaling or lighting, in particular in the automotive, aviation, shipping or household sectors,
- As a photovoltaic element,
- As opto-electronic sensor,
- As a liquid crystal element,
- - As an electrochromic window element, or
- - as electrochromic mirror.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsformen am Beispiel einer OLED und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen in den Zeichnungen gleiche oder ähnliche Teile.The Invention will be described below with reference to preferred embodiments using the example of an OLED and with reference to the accompanying drawings described in more detail. The same reference numerals in the drawings designate the same or similar Parts.
Es zeigen jeweils schematisch:It each show schematically:
Die
Auf
einem transparenten Substrat
Darauf
folgt eine Ausgleichsschicht
Die
OLED-Schichtfolge wird durch die Kathodenschicht
Die typischerweise vorgesehene Verkapselung zum Schutz der Funktionalschichten gegen Zerstörung durch Sauerstoff oder Wasser aus der Umgebung ist nicht dargestellt.The typically provided encapsulation to protect the functional layers against destruction by oxygen or water from the environment is not shown.
Der
lokale Querwiderstand durch die organischen Schichten ergibt sich
aus der Summe der Querwiderstände
durch die HTL- und die EL-Schicht zu:
Der Grundgedanke einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist es, durch eine Widerstandsanpassungs-Schicht Korrekturen vorzusehen, welche vorzugsweise eine konstante Leuchtdichte über die gesamte Leuchtfläche des OLED-Bauteils ermöglicht.Of the Basic idea of a particularly advantageous embodiment of the invention to make corrections through a resistance matching layer, which preferably has a constant luminance over the entire luminous area of the OLED component allows.
Es
zeigt sich, dass die Dimensionierung der Widerstandsanpassungs-Schicht
in der vorliegenden Näherung
nur von den Flächenwiderständen der
beiden Elektrodenschichten abhängt.
Es gilt folgender parabelförmiger
Widerstandsverlauf für
die Schicht im Falle der in
A
= Ai = const., K = Ki =
const., i ∊ {1,..., n – 1},
und
A0 = An =
2·A,
K0 = Kn = 2·K It can be seen that the dimensioning of the resistance matching layer in the present approximation depends only on the surface resistances of the two electrode layers. The following parabolic resistance curve applies for the layer in the case of
A = A i = const., K = K i = const., I ε {1, ..., n - 1}, and
A 0 = A n = 2 * A, K 0 = K n = 2 * K
In
den
Die
in den
Zur besseren Vergleichbarkeit der Ergebnisse werden die Querwiderstände jeweils als konstant und gleich angenommen. Den Rechnungen liegen ferner ein konstanter Kathodenwiderstand K von 1 Ohm, ein konstanter Anodenwiderstand A von 10 Ohm, ein konstanter Querwiderstand von 300 Ohm, Leitungs- und Kontaktwiderstände mit A0 = An = 2·A und K0 = Kn = 2·K, sowie ein Gesamtstrom von 100 mA durch das Bauelement zugrunde. Die für diesen Gesamtstrom jeweils erforderliche Betriebsspannung U0 ist jeweils angegeben.For better comparability of the results, the transverse resistances are assumed to be constant and equal. The calculations also show a constant cathode resistance K of 1 ohm, a constant anode resistance A of 10 ohms, a constant transverse resistance of 300 ohms, line and contact resistances with A 0 = A n = 2 * A and K 0 = K n = 2 K, as well as a total current of 100 mA through the device. The respective operating voltage U 0 required for this total current is indicated in each case.
In
Demgegenüber zeigt
Die
Widerstandsanpassungs-Schicht
Die
nachfolgenden
Die
Korrektur bei einer diagonalen Beschaltung eines OLEDs-Bauteil, wie in den
A = Ai =
const., K = Ki = const., i ∊ {1,...,
n – 1},
und
A0 = An =
2·A ,
K0 = Kn = 2·KThe correction in a diagonal wiring of an OLEDs component, as in the
A = A i = const., K = K i = const., I ε {1, ..., n - 1}, and
A 0 = A n = 2 * A, K 0 = K n = 2 * K
Der durch den Parameter i0 definierte Scheitelpunkt der Parabel ist für den Fall, dass der Anodenwiderstand A grösser ist als der Kathodenwiderstand K, von der Mitte des Bauteils zum Kathodenanschluss-seitigen Bereich des Bauteils hin verschoben.The vertex of the parabola defined by the parameter i 0 is shifted from the center of the component to the cathode terminal-side region of the component in the event that the anode resistance A is greater than the cathode resistance K.
Auch
in diesem Fall wird die Stärke
des Korrekturwiderstandsverlaufs nur durch die Flächenwiderstände von
Anode und Kathode bestimmt und ist unabhängig vom Wert des Gesamtstroms
bzw. weiterer homogener widerstandsbehafteter Schichten, insbesondere
der EL-Schichten. Die Lage des Scheitelpunkts i0 hingegen
ist abhängig
von Verhältnis
der Elektrodenwiderstände.
So liegt der Scheitelpunkt für
den Fall A = K in der Mitte des Bauelements analog zur symmetrischen
Beschaltung und für
A » K
verhält
sich das Bauelement wie im Falle einseitiger Kontaktierung wie in
Mit
anderen Worten entspricht die in den
Wie aus Formel (3) hervorgeht liegt bei beidseitiger Kontaktierung eines symmetrisch aufgebauten Widerstandsnetzes der Scheitelpunkt in Bauteilmitte, d.h. bei wobei n die Anzahl der Querwiderstände angibt.As can be seen from formula (3), the contact point in the middle of the component, that is, at two-sided contacting of a symmetrically constructed resistance network where n indicates the number of transverse resistances.
Für das einseitig kontaktierte Widerstandsnetz liegt die Spiegelebene leicht außerhalb des letzten gegenüberliegenden Querwiderstands (zusätzlicher Abstand Δi = ½ ), da sonst dieser Widerstand auf sich selbst gespiegelt würde und nur für den halben Widerstandswert stände.For the one-sided contacted resistor network, the mirror plane is slightly outside the last opposite Transverse resistance (additional Distance Δi = ½), otherwise this resistance would be mirrored on itself and only for half resistance value.
Auch in diesem Fall wird die Stärke des Korrekturwiderstandsverlaufs nur durch die Flächenwiderstände von Anode und Kathode bestimmt und ist unabhängig vom Wert des Gesamtstroms bzw. weiterer homogener widerstandsbehafteter Schichten, ins. der EL-Schichten. Die Lage des Scheitelpunkts ist unabhängig von den Elektrodenwiderständen.Also in this case, the strength becomes of the correction resistance curve only by the surface resistances of Anode and cathode determines and is independent of the value of the total current or other homogeneous resistive layers, ins. of the EL layers. The location of the vertex is independent of the Electrode resistances.
Auch
bei der in den
Auch in diesem Fall wird die Stärke des Korrekturwiderstandsverlaufs nur durch die Flächenwiderstände von Anode und Kathode bestimmt und ist unabhängig vom Wert des Gesamtstroms bzw. weiterer homogener widerstandsbehafteter Schichten, ins. der EL-Schichten.Also in this case, the strength becomes of the correction resistance curve only by the surface resistances of Anode and cathode determines and is independent of the value of the total current or other homogeneous resistive layers, ins. of the EL layers.
In
den
Den Rechnungen liegt ein konstanter Kathodenwiderstand von 1 Ohm, ein konstanter Anodenwiderstand von 10 Ohm, Leitungs- und Kontaktwiderstände A0, K0, An und Kn, welche doppelt so groß sind wie A und K, sowie ein Gesamtstrom durch das Bauelement von 100 mA zugrunde. Ferner liegt den Rechnungen eine reale OLED-Kennlinie zugrunde.The calculations show a constant cathode resistance of 1 ohm, a constant anode resistance of 10 ohms, line and contact resistances A 0 , K 0 , A n and K n , which are twice as large as A and K, and a total current through the device of 100 mA. Furthermore, the calculations are based on a real OLED characteristic.
Es zeigt sich, dass, der Verlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht unabhängig von der Gesamtstromstärke ist. Weiter können auf die Widerstandsanpassungs-Schicht beliebige weitere Schichten aufgebracht werden (PEDOT, EL, etc.) Solange diese Schichten in Summe einen uniformen Querwiderstand mit gleicher Stromabhängigkeit aufweisen, bleibt die Uniformität des Querstroms unverändert. Der gleichförmige Widerstand der weiteren Schichten führt in Verbindung mit der gleichförmigen Stromverteilung zu einer über die Fläche konstanten Potentialvergrößerung zwischen den beiden Elektrodenschichten.It shows that the course of the resistance matching layer is independent of the total current is. Next you can on the resistance matching layer any further layers be applied (PEDOT, EL, etc.) as long as these layers in Sum a uniform cross resistance with the same current dependence exhibit, the uniformity remains the cross-flow unchanged. The uniform Resistance of the further layers leads in connection with the uniform current distribution to one over the area constant potential increase between the two electrode layers.
Die
Erzeugung uniformer Leuchtflächen
mittels einer Widerstandsanpassungs-Schicht ist robust gegen Störungen der
lokalen Bauteileigenschaften. Ein "Rauschen" der Korrekturwiderstandswerte und der OLED-Kennlinie
um ± 5%
führen
nur zu einer Fluktuation der lokalen Helligkeiten um die Werte des
ungestörten
Falls, aber zu keiner signifikanten systematischen Abweichung von
der Uniformität.
Die Ergebnisse entsprechender Rechnungen zeigt
Für rechteckige Bauelemente lassen sich die oben beschriebenen Schaltnetze aus diskreten Widerständen auf kontinuierliche Schichtmodelle überführen, indem die diskreten Ansätze für die Korrekturwidersandsverläufe nach Gleichung (4) durch folgende Verallgemeinerung ersetzt werden: mit
- Rkorr:
- Lokaler elektrischer Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene,
- A:
- Uniformer Flächenwiderstand der als Anode vorgesehenen Elektrodenschicht,
- K:
- Uniformer Flächenwiderstand der als Kathode vorgesehenen Elektrodenschicht,
- x0:
- Lage des Scheitelpunktes des Widerstandsverlaufes
- x:
- Koordinate entlang der Schichtebene zwischen den Anschlussseiten,
- C1, C2:
- Konstanten,
- n:
- Exponent mit n > 0 , insbesondere mit n = 2,
- m:
- Relative Gewichtung der Elektrodenwiderstände, insbesondere mit m = 1.
- R corr :
- Local electrical resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane,
- A:
- Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as anode,
- K:
- Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as a cathode,
- x 0:
- Location of the vertex of the resistance course
- x:
- Coordinate along the layer plane between the connection sides,
- C 1 , C 2 :
- constant,
- n:
- Exponent with n> 0, in particular with n = 2,
- m:
- Relative weighting of the electrode resistances, in particular with m = 1.
Die Konstante C2 beschreibt einen konstanten Widerstands-Sockelbeitrag, der beispielsweise beschichtungstechnisch bedingt ist. Zum Beispiel wird die Widerstandsanpassungs-Schicht in der Regel im Scheitelpunkt eine minimale Dicke größer Null aufweisen.The constant C 2 describes a constant resistance base contribution, which is, for example, coating technology. For example, the resistance matching layer will typically have a minimum thickness greater than zero at the vertex.
Voraussetzung für die Anwendbarkeit obiger Gleichung ist, dass die Kontaktierung über die ganze Länge der Bauteilseiten erfolgt bzw. der Flächenwiderstand im Kontaktierungsbereich klein gegen die typischen Widerstände der Elektrodenschicht ist.requirement for the Applicability of the above equation is that the contacting over the full length the component sides takes place or the sheet resistance in the contacting area small against the typical resistances of the electrode layer.
Bedingt durch Spannungsabfälle im Kontaktierungsbereich sind bei lokalen, beispielsweise im wesentlichen punktförmigen Kontakten ohne Gegenmaßnahmen Störungen der Leuchtdichteuniformität zu erwarten. Aber auch dieser Effekt kann durch eine geeignete Wahl der Ausprägung der Widerstandsanpassungs-Schicht korrigiert werden.conditioned by voltage drops in the contacting area are at local, for example substantially punctate Contacts without countermeasures disorders the luminance uniformity expected. But even this effect can be achieved by a suitable choice the expression the resistance matching layer are corrected.
In
dem in
Statt
durch Variation der Schichtdicke kann die Variation des Widerstandes
der Widerstandsanpassungs-Schicht auch auf andere Weise erzielt
werden, beispielsweise durch Variation der Schichtzusammensetzung
und/oder der Schichtmorphologie. Dies ist in der in
In
den
Die
in
Selbstverständlich liegen
neben den in den
In
Das
in
Die
Analog
zu dem in
Der lokale Querwiderstand durch die organischen Schichten ergibt sich aus der Summe der Querwiderstände durch die HTL- und die EL-Schicht entsprechend obiger Gleichung (2), wobei der Widerstandswert der EL-Schicht wiederum von der durchfließenden Stromstärke Ii abhängt. Zusammen mit den Schichtwiderständen Ai der Anodenschicht und Ki der Kathodenschicht und ausgehend von der angelegten Spannung U0 und dem Gesamtstrom I0 lassen sich die Stromstärken Ii in den einzelnen Zweigen und die resultierenden Potentialdifferenzen zwischen den Elektrodenschichten iterativ berechnen.The local transverse resistance through the organic layers results from the sum of the transverse resistances through the HTL and the EL layer according to equation (2) above, wherein the resistance value of the EL layer in turn depends on the current I i flowing through. Together with the layer resistances A i of the anode layer and K i of the cathode layer and on the basis of the applied voltage U 0 and the total current I 0 , the current intensities I i in the individual branches and the resulting potential differences between the electrode layers can be calculated iteratively.
Die
Rechnungen ergeben zur Erzielung einer homogenen Leuchtdichteverteilung
dieses Bauteils eine lineare oder näherungsweise lineare Abnahme
der in
Da
der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht für eine homogene
Leuchtdichteverteilung des OLED-Bauteils unabhängig von der Stromstärke ist,
wie beispielsweise in
Verschiedene
Ausführungsformen
eines solchen erfindungsgemäßen Substrates
sind in den
Das
Substrat
Bei
der in
Die
Widerstandsanpassungs-Schicht kann auch vorteilhaft in die beispielsweise
als PEDOT-Schicht ausgebildete HTL-Beschichtung integriert werden. Entsprechende
Ausführungsformen
eines erfindungsgemäßen beschichteten
Substrats
Vorteilhaft
ist die Widerstandsanpassungs-Schicht
Ein
Beispiel einer ovalen Bauform ist in
- 1010
- Spannungsquellevoltage source
- 2020
- Anschlussleitungconnecting cable
- 100100
- OLED-BauteilOLED component
- 110110
- Substratsubstratum
- 121, 122121 122
- Elektrodenschichtelectrode layer
- 130130
- LochleiterschichtHole conductor layer
- 140140
- Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
- 151 – 154151 - 154
- Kontaktierungencontacts
- 202 – 208202-208
- Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen OLED-Bauteils mit rechteckiger Bauformembodiments an inventive OLED component with rectangular design
- 210210
- Substratsubstratum
- 221, 222221 222
- Elektrodenschichtelectrode layer
- 230230
- LochleiterschichtHole conductor layer
- 232, 234232 234
- Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
- 240240
- Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
- 251 – 254251 - 254
- Kontaktierungencontacts
- 262, 264262 264
- Widerstandsanpassungs-SchichtResistance matching layer
- 310310
- Potentialverlauf entlang der Anodenschicht fürpotential curve along the anode layer for
- unkorrigiertes Bauteiluncorrected component
- 320320
- Potentialverlauf entlang der Kathodenschichtpotential curve along the cathode layer
- für unkorrigiertes Bauteilfor uncorrected component
- 330330
- Verlauf der Stromstärke quer zur Schichtebenecourse the current strength across the layer plane
- in Abhängigkeit der Position entlang derin dependence the position along the
- Elektrodenschichten für unkorrigiertes Bauteilelectrode layers for uncorrected component
- 370370
- Leuchtdichteverläufe für um ± 5% gestörteLuminance courses for ± 5%
- Korrekturwiderstandswerte bzw. OLED-KennlinienCorrection resistance values or OLED characteristics
- 380380
- Mittelwert der gestörten LeuchtdichteverläufeAverage the disturbed Luminances
- 390390
- Statistischer Mittelwertstatistical Average
- 410410
- Potentialverlauf entlang der Anodenschicht fürpotential curve along the anode layer for
- korrigiertes Bauteilcorrected component
- 420420
- Potentialverlauf entlang der Kathodenschichtpotential curve along the cathode layer
- für korrigiertes Bauteilfor corrected component
- 430430
- Verlauf der Stromstärke quer zur Schichtebenecourse the current strength across the layer plane
- in Abhängigkeit der Position entlang derin dependence the position along the
- Elektrodenschichten für korrigiertes Bauteilelectrode layers for corrected component
- 502502
- Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
- einer Stromstärke von 50 mAone amperage of 50 mA
- 504504
- Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
- einer Stromstärke von 100 mAone amperage of 100 mA
- 506506
- Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
- einer Stromstärke von 200 mAone amperage of 200 mA
- 508508
- Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
- einer Stromstärke von 500 mAone amperage of 500 mA
- 512512
- Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
- bei einer Stromstärke von 50 mAat a current strength of 50 mA
- 514514
- Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
- bei einer Stromstärke von 100 mAat a current strength of 100 mA
- 516516
- Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
- bei einer Stromstärke von 200 mAat a current strength of 200 mA
- 518518
- Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
- bei einer Stromstärke von 500 mAat a current strength of 500 mA
- 600600
- OLED-Bauteil mit runder BauformOLED component with round design
- 610610
- Substratsubstratum
- 621, 622621 622
- Elektrodenschichtelectrode layer
- 634634
- Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
- 640640
- Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
- 651, 652651, 652
- Kontaktierungencontacts
- 700700
- OLED-Bauteil mit runder BauformOLED component with round design
- 710710
- Substratsubstratum
- 721, 722721 722
- Elektrodenschichtelectrode layer
- 734734
- Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
- 740740
- Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
- 751,752751.752
- Kontaktierungencontacts
- 802 – 808802-808
- Ausführungsformen eines erfindungsgemäßenembodiments an inventive
- beschichteten Substrats mit rechteckigercoated Substrate with rectangular
- Bauformdesign
- 810810
- Substratsubstratum
- 821821
- Elektrodenschichtelectrode layer
- 830830
- LochleiterschichtHole conductor layer
- 832, 834832 834
- Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
- 851, 852851, 852
- Kontaktierungencontacts
- 862, 864862, 864
- Widerstandsanpassungs-SchichtResistance matching layer
- 900900
- OLED-Bauteil mit spitzwinkligem QuerschnittOLED component with acute-angled cross-section
- 910910
- Substratsubstratum
- 921, 922921, 922
- Elektrodenschichtelectrode layer
- 930930
- LochleiterschichtHole conductor layer
- 964964
- Widerstandsanpassungs-SchichtResistance matching layer
- 940940
- Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
- 951, 952951, 952
- Kontaktierungencontacts
- A0 – An A 0 - A n
- Anodenwiderständeanode resistors
- K0 – Kn K 0 - K n
- Kathodenwiderständecathode resistors
- R1 – Rn R 1 - R n
- Lokale Schichtwiderständelocal film resistors
- I1 – In I 1 - I n
- Lokale Stromstärkenlocal currents
- RHTL,1 – RHTL,n R HTL, 1 - R HTL, n
- Lokale Widerstände der Lochleiterschichtlocal resistors the hole conductor layer
- REL,1 – REL,n R EL, 1 - R EL, n
- Lokale Widerstände der Elektrolumineszenzschichtlocal resistors the electroluminescent layer
- U0 U 0
- Zwischen Anode und Kathode angelegte SpannungBetween Anode and cathode applied voltage
- I0 I 0
- Gesamtstromstärke durch das BauteilTotal current through the component
- R K / i – R K / nR K / i - R K / n
- Lokale Widerstände der Widerstandsanpassungsschichtlocal resistors the resistance matching layer
Claims (43)
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EP06706332A EP1839347A2 (en) | 2005-01-20 | 2006-01-20 | Electro-optical element comprising a controlled, in particular, uniform functionality distribution |
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-
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