DE202005000979U1 - Electro-optical unit e.g. organic light emitting diode, for automobile industry, has hole transport and electroluminescence layers defining functional arrangement of unit, where layers have resistors perpendicular to layer level - Google Patents

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Abstract

The unit has a hole transport layer (HTL) (130) and electroluminescence (EL) layer (140) which define a functional arrangement of the optical unit. The HTL and the EL layer have resistors perpendicular to the layer level, where the resistors are varied in a horizontal direction along the layer level. Electrode layers (121, 122) have a contact surface for applying electrical voltage in the edge regions.

Description

Die Erfindung betrifft allgemein flächige oder zumindest in Teilbereichen flächige elektro-optische Elemente, und insbesondere flächige elektro-optische Elemente mit einer vorbestimmten Funktionalitätsverteilung, insbesondere einer über die Funktionsfläche gleichmässigen Funktionalitätsverteilung, sowie ein Substrat und ein Verfahren zu deren Herstellung.The The invention relates generally to planar or at least in some areas planar electro-optical elements, and in particular planar electro-optical elements with a predetermined distribution of functionality, in particular one over the functional area uniform Functionality distribution, and a substrate and a method for the production thereof.

Elektro-optische Elemente lassen sich vielfältig einsetzen, wie beispielsweise als Photovoltaik-Elemente, elektrochrome Elemente, Flüssigkristall-Elemente oder optoelektronische Sensoren. Ein besonders interessantes Einsatzgebiet sind ferner organische, elektro-optische Elemente, insbesondere organische lichtemittierende Dioden.Electro-optical Elements can be varied use, such as photovoltaic elements, electrochromic Elements, liquid crystal elements or optoelectronic sensors. A particularly interesting application are also organic, electro-optical elements, in particular organic light-emitting diodes.

Der elektrochrome Effekt beruht darauf, dass sich bei Verschieben der elektrischen Ladung innerhalb eines funktionalen Schichtverbundes durch Anlegen einer geeigneten Spannung die optischen Eigenschaften des Verbundes, wie beispielsweise der Transmissionsgrad, ändern. Dieser Effekt wird beispielsweise für elektrisch abblendbare Rückspiegel in der Automobilindustrie oder auch für großflächige Anzeigetafeln genutzt. Zunehmend werden auch in Gebäuden zur Steuerung der solaren Einstrahlung statt Jalousien, Rollos oder Markisen schaltbare Verglasungen auf der Basis elektrochromer Schichten verwendet.Of the electrochromic effect is based on that when moving the electrical charge within a functional layer composite by applying a suitable voltage, the optical properties of Composite, such as the transmittance, change. This Effect is for example for electrically dimming rearview mirror used in the automotive industry or for large-scale display panels. Increasingly are also used in buildings to control solar radiation instead of blinds, roller blinds or awnings Switchable glazings based on electrochromic layers used.

Photovoltaik-Elemente verwenden typischerweise geeignet dotierte Halbleiter, um die auf eine Fläche auftreffende Lichteinstrahlung in Strom umzuwandeln. Diese Elemente haben als Solarzellen weite Verbreitung gefunden.Photovoltaic elements typically use appropriately doped semiconductors in order to striking an area To convert light radiation into electricity. These elements have as Solar cells were widely used.

Für die Sensorik lassen sich verschiedene elektro-optische Effekte einsetzen. So kann ein Schichtsystem, das spannungsabhängig Licht emittiert, welches von einem darunter liegenden Array von Photodioden registriert wird, beispielsweise zur Fingerabdruckerkennung eingesetzt werden. Weit verbreitet sind ferner auf photovoltaischen Reaktionen basierende CMOS- oder CCD-Sensoren wie sie beispielsweise in Digitalkameras Verwendung finden.For the sensors Various electro-optical effects can be used. So can be a layer system that emits light depending on the voltage is registered by an underlying array of photodiodes, be used for example for fingerprint recognition. Far are also widespread based on photovoltaic reactions CMOS or CCD sensors such as those found in digital cameras Find use.

Ein besonders interessantes Einsatzgebiet ist das der organischen, elektro-optischen Elemente. Organische, elektro-optische Elemente, insbesondere organische Leuchtdioden (OLEDs), bestehen in der Regel aus zwei Elektrodenschichten mit dazwischen angeordneten organischen Schichten, die mindestens einen organischen elektrolumineszenten Leuchtstoff beinhalten. Die Schichten werden auf ein Trägermaterial (Substrat) aufgebracht, das typischerweise transparent ist. Vorzugsweise finden für diesen Zweck Glassubstrate Verwendung. Damit Licht substratseitig von dem Bauteil emittiert werden kann, muss die dem Substrat zugewandte Elektrode, typischerweise die Anode, ebenfalls transparent ausgeführt werden. Als Materialien werden in der Regel Halbleiterschichten mit hoher Leitfähigkeit, wie z.B. transparente leitfähige Oxide (TCO), insbesondere ITO (Indium-Zinn-Oxid), eingesetzt. OLEDs sind stromgetriebene Bauelemente, d.h. während des Betriebs fließt ein definierter Strom durch die Elektrodenschichten und führt hier zu lateralen Potentialunterschieden, bedingt durch die endlichen ohmschen Widerstände der Elektrodenschichten. Der Querstrom zwischen den Elektrodenschichten, der die organischen Leuchtschichten durchfließt, führt zur Lichterzeugung, die proportional zur Stromdichte ist. Lokale Unterschiede in der Stromdichte führen daher zu lokal unterschiedlicher Lichtemission.One particularly interesting field of application is that of organic, electro-optical Elements. Organic, electro-optical elements, in particular organic Light-emitting diodes (OLEDs) usually consist of two electrode layers with interposed organic layers that at least include an organic electroluminescent phosphor. The Layers are applied to a substrate (Substrate), which is typically transparent. Preferably find for this purpose glass substrates use. Thus light substrate side must be emitted from the component, which faces the substrate Electrode, typically the anode, are also made transparent. As materials are usually semiconductor layers with high Conductivity, such as. transparent conductive Oxides (TCO), in particular ITO (indium tin oxide) used. OLEDs are current driven devices, i. during operation, a defined flows Current through the electrode layers and leads to lateral potential differences, due to the finite ohmic resistances of the electrode layers. The cross-current between the electrode layers, the organic Luminescent layers flows through, leads to Light generation, which is proportional to the current density. Local differences in the current density lead therefore to locally different light emission.

Für Leucht- bzw. Beleuchtungselemente werden flache großflächige Leuchtquellen mit uniformer oder vorgegebener Leuchtdichteverteilung benötigt. Typischerweise können diese Bauelemente nur in der Randzone kontaktiert werden. Die Leitfähigkeit der zur Zeit bekannten besten Materialien zur Bildung transparenter Elektrodenschichten ist jedoch nicht hinreichend, um die Elektrodenschichten als Äquipotentialflächen beim Bauteildesign berücksichtigen zu können. Der signifikante lokale Widerstand der Elektroden bedingt Spannungsabfälle in den Elektrodenschichten, die zu unterschiedlichen Spannungsdifferenzen zwischen den Elektrodenschichten führen. Damit stellen sich, von außen nicht steuerbar, unterschiedliche lokale Stromdichten quer zu den Leuchtschichten ein, die zu lokal unterschiedlichen Leuchtdichten führen. Je größer die Leuchtflächen sind, desto stärker bilden sich die unerwünschten Inhomogenitäten der Leuchtdichteverteilung aus.For lighting or lighting elements are flat large-area light sources with uniform or predetermined luminance distribution required. Typically, these can Components are contacted only in the edge zone. The conductivity the currently known best materials for the formation of transparent electrode layers however, is not sufficient to cover the electrode layers as equipotential surfaces in device design consider to be able to. The significant local resistance of the electrodes causes voltage drops in the Electrode layers leading to different voltage differences lead between the electrode layers. With that arise, of Outside not controllable, different local current densities across the Luminescent layers, which are locally different luminance to lead. The bigger the luminous areas are the stronger the unwanted ones form inhomogeneities the luminance distribution.

Wünschenswert wären daher Elektroden mit möglichst kleinen Flächenwiderständen, die im Vergleich zu den Widerständen der organischen Schichten als Äquipotentialschichten betrachtet werden könnten. In diesem Fall ergäbe sich ein OLED-Bauelement, was bei uniformer Ausführung der Funktionalschichten uniform Licht emittieren würde. Außerdem wären die ohmschen Verluste des Stromflusses in den Elektroden entsprechend gering. Dies ist für die Kathode, die typischerweise als Metallschicht ausgeführt ist, weitgehend erfüllt. Die transparente Schicht jedoch weicht signifikant von dem Idealzustand ab.Desirable would be therefore Electrodes with as possible small surface resistances, the compared to the resistors the organic layers as equipotential layers could be considered. In this case would result an OLED device, which in the case of uniform execution of the functional layers uniform light would emit. Furthermore would that be Ohmic losses of current flow in the electrodes accordingly low. This is for the cathode, which is typically designed as a metal layer, largely fulfilled. The transparent layer, however, deviates significantly from the ideal state from.

Dementsprechend wurde versucht, die Flächenwiderstände der Elektrodenschichten durch eine größere Dicke der Schichten zu reduzieren. Typische, als Anode in OLEDs eingesetzte, ITO-Schichten weisen Schichtdicken von ca. 100 nm und Flächenwiderstände von 10 – 20 Ohm auf. Eine Erhöhung der Schichtdicke führt in der Regel zur Erhöhung der Absorptionsverluste in der transparenten Elektrodenschicht und damit zur Reduktion des emittierten Lichts. Weiterhin können sich bei dickeren ITO-Schichten Interferenzstrukturen einstellen, die ebenfalls zu Intensitätsreduktionen beziehungsweise zu lokalen Inhomogenitäten durch Variationen in der Interferenzwirkung führen können. Die Abscheidung dickerer Schichten führt außerdem zu einer Verlängerung der Prozesszeiten und damit zu einer Erhöhung der Bauteil-Herstellkosten.Accordingly was trying to get the surface resistances of the Electrode layers through a greater thickness of the layers too to reduce. Typical ITO layers used as anodes in OLEDs have layer thicknesses of about 100 nm and surface resistances of 10 - 20 ohms. An increase in the Layer thickness leads usually to increase the absorption losses in the transparent electrode layer and thus reducing the emitted light. You can continue For thicker ITO layers, set up interference structures that also to intensity reductions or to local inhomogeneities due to variations in the Cause interference effect can. The deposition of thicker layers also leads to an extension the process times and thus to an increase in component manufacturing costs.

Es wurden auch Versuche unternommen, die Leitfähigkeit der transparenten Elektrodenschicht auf andere Weise zu erhöhen. Jedoch führt eine hinreichende Erhöhung der Leitfähigkeit immer zu einer signifikanten Erhöhung der Absorptionsverluste in der transparenten Elektrodenschicht und damit zu einer deutlichen Reduktion des emittierten Lichts. Damit ergibt sich eine inakzeptable Effizienz des Bauteils beziehungsweise eine inakzeptable Leistungsaufnahme zur Erzielung einer gewünschten Lichtstärke.It Attempts have also been made to improve the conductivity of the transparent electrode layer to increase in another way. However, leads a sufficient increase the conductivity always to a significant increase the absorption losses in the transparent electrode layer and thus a significant reduction of the emitted light. In order to results in an unacceptable efficiency of the component or a unacceptable power consumption to achieve a desired Light intensity.

Aus WO 00/17911 A1 ist bekannt, den Flächenwiderstand der Elektroden durch leitfähige transparente Zusatzschichten zu reduzieren. Solche Zusatzschichten erhöhen jedoch den Herstellungsaufwand und damit die Kosten. Ein weiterer Nachteil liegt darin, dass diese Maßnahme nur zur Verbesserung der Uniformität der Leuchdichteverteilung eines vorgegebenen Bauteils geeignet ist. Sobald die Leuchtfläche vergrößert oder die Leuchtstärke insgesamt erhöht wird, stellen sich wieder größere Inhomogenitäten durch die sich dann ergebenden Spannungsabfälle in den Elektroden ein. Die Zusatzschichten dürfen außerdem selbst keine wesentliche Absorption im sichtbaren Spektrum aufweisen Aus EP 969517 A1 ist bekannt, den Flächenwiderstand der Elektroden durch Zusatzbeschichtung mit einem engmaschigen Metallgitter zu reduzieren. Nachteilig an diesem Ansatz ist zunächst wiederum der durch die Zusatzbeschichtung deutlich erhöhte Herstellungsaufwand und dadurch erhöhten Kosten für das OLED-Bauteil. Außerdem können durch das Metallgitter weitere Prozesse zur OLED-Bauteilherstellung signifikant beeinträchtigt werden. So können sich beispielsweise Schattenwürfe bei PVD-Beschichtungen oder Streifen bzw. Furchen bei Beschichtungen aus der Flüssigphase, beispielsweise mittels Spin Coating oder Dip Coating, bilden. Auch kann sich die Gefahr von Kurzschlüssen zwischen den Elektroden und damit der Totalzerstörung der Bauteile erhöhen. Weiterhin bildet die Gitterstruktur dunkle Bereiche in der Leuchtfläche des Bauteils, da unmittelbar unter der Gitterstruktur kein Licht emittiert wird.From WO 00/17911 A1 it is known to reduce the sheet resistance of the electrodes by means of conductive transparent additional layers. However, such additional layers increase the production costs and thus the costs. Another disadvantage is that this measure is only suitable for improving the uniformity of the luminance distribution of a given component. As soon as the luminous area is increased or the luminous intensity as a whole is increased, larger inhomogeneities again arise due to the resulting voltage drops in the electrodes. The additional layers themselves must not show any significant absorption in the visible spectrum EP 969517 A1 It is known to reduce the sheet resistance of the electrodes by additional coating with a close-meshed metal grid. A disadvantage of this approach is, in turn, the significantly increased by the additional coating manufacturing costs and thus increased costs for the OLED component. In addition, the metal grid can significantly affect other OLED device fabrication processes. For example, shadows may form in PVD coatings or streaks or grooves in liquid phase coatings, for example by spin coating or dip coating. Also, the risk of short circuits between the electrodes and thus the total destruction of the components increase. Furthermore, the lattice structure forms dark areas in the luminous area of the component, since no light is emitted directly under the lattice structure.

In EP 997058 A1 wird zur Verbesserung der Homogenität der Leuchtdichteverteilung vorgeschlagen, eine transparente Elektrode und eine Metallelektrode zu kombinieren, deren Flächenwiderstandsverhältnis bei etwa 1 liegt. Da sich der Flächenwiderstand der transparenten Elektrode nur bei gleichzeitig erhöhtem Lichtverlust reduzieren lässt, wird das Flächenwiderstandsverhältnis durch eine Erhöhung des Flächenwiderstandes der Metallelektrode erreicht. Dies führt jedoch zu einer signifikanten Erhöhung des inneren Leitungswiderstand des Bauelements und der hieraus resultierenden ohmschen Verluste um etwa einen Faktor 2.In EP 997058 A1 For improving the homogeneity of the luminance distribution, it is proposed to combine a transparent electrode and a metal electrode whose surface resistance ratio is about 1. Since the sheet resistance of the transparent electrode can be reduced only with a concomitant increase in light loss, the sheet resistance ratio is achieved by increasing the sheet resistance of the metal electrode. However, this leads to a significant increase of the inner line resistance of the device and the resulting ohmic losses by about a factor of 2.

Zusätzlich erhöht sich die erforderliche Betriebsspannung. Zudem hat der Angleich der Flächenwiderstände nur in sehr speziellen Kontaktierungskonfigurationen einen mindernden Einfluss auf die Leuchtdichteinhomogenität, bei symmetrischer Beschaltung des Bauteils hat das Widerstandsverhältnis keinerlei Einfluss. Ferner lassen sich die Inhomogenitäten durch angepasste Anoden- und Kathodenwiderstände gemäß der EP 997058 A1 nicht vollständig beseitigen, bei ausgedehnten Bauteilen sind diese im Gegenteil noch stark ausgeprägt.In addition, the required operating voltage increases. In addition, the adjustment of the surface resistances only in very special Kontaktierungskonfigurationen has a reducing effect on the luminance inhomogeneity, with symmetrical wiring of the component, the resistance ratio has no influence. Furthermore, the inhomogeneities can be adjusted by matched anode and cathode resistances according to the EP 997058 A1 on the contrary, they are still very pronounced for large components.

Eine homogenere Leuchtdichteverteilung lässt sich auch durch eine Unterteilung der Leuchtfläche des Bauteils in separate, kleine Leuchtbereiche erreichen. Eine nach diesem Prinzip aufgebaute OLED ist beispielsweise aus US 6,515,417 B1 bekannt. Diese Lösung erhöht jedoch den Herstellungsaufwand und damit die Kosten für das OLED-Bauteil ganz erheblich.A more homogeneous luminance distribution can also be achieved by dividing the luminous area of the component into separate, small luminous areas. For example, an OLED constructed according to this principle is made US 6,515,417 B1 known. However, this solution increases the production costs and thus the costs for the OLED component considerably.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Weg aufzuzeigen, wie ein kostengünstig und einfach herzustellendes, verbessertes elektro-optisches Element bereitgestellt werden kann, das eine Funktionsfläche mit einer definierten, insbesondere einer homogenen, Funktionalitätsverteilung aufweist.Of the The invention is therefore based on the problem of finding a way like a cost-effective and easy to manufacture, improved electro-optical element can be provided that has a functional area with a defined, in particular has a homogeneous, distribution of functionality.

Diese Aufgabe wird bereits in höchst überraschend einfacher Weise durch ein elektro-optisches Element gemäß Anspruch 1, sowie ein beschichtetes Substrat gemäß Anspruch 40 gelöst. Ferner wird die Aufgabe durch eine Verwendung gemäß der Ansprüche 44 und 45 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.These Task is already in the most surprising simple manner by an electro-optical element according to claim 1, as well as a coated substrate according to claim 40. Further the object is achieved by a use according to claims 44 and 45. advantageous Further developments are the subject of the respective subclaims.

Die Erfindung sieht ferner ein Verfahren zur Herstellung eines elektro-optischen Elements vor, umfassend das Bereitstellen eines Substrats, das Aufbringen einer ersten Elektrodenschicht, das Aufbringen zumindest einer Funktionsschicht, das Aufbringen einer zweiten Elektrodenschicht, sowie das Aufbringen zumindest einer Anpassungsschicht, durch welche eine Funktionalitätsverteilung des elektro-optischen Elementes definiert wird.The The invention further provides a method for producing an electro-optical Element, comprising providing a substrate, applying a first electrode layer, the application of at least one functional layer, the application of a second electrode layer, as well as the application at least one adaptation layer, by which a distribution of functionality the electro-optical element is defined.

Vorzugsweise wird die Anpassungsschicht als Widerstandsanpassungs-Schicht aufgebracht, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene variiert.Preferably the matching layer is applied as a resistance matching layer, which is an electrical resistance perpendicular to the layer plane having in at least one horizontal direction along the Layer plane varies.

Besonders vorteilhaft ist das Verfahren zur Herstellung eines organischen, elektro-optischen Elements, insbesondere einer organischen, lichtemittierenden Diode, angepasst. Hierfür umfasst das Aufbringen der Funktionsschicht das Aufbringen zumindest einer Schicht, welche ein organisches, elektro-optisches Material aufweist.Especially advantageous is the process for producing an organic, electro-optical element, in particular an organic, light-emitting Diode, adapted. Therefor the application of the functional layer comprises at least the application a layer which is an organic electro-optic material having.

Das Verfahren kann auch zur Herstellung eines elektrochromen Elements, wie beispielsweise eines elektrochromen Fensterelementes oder eines elektrochromen Spiegels, angepasst sein, wobei das Aufbringen der Funktionsschicht das Aufbringen zumindest einer elektrochromen Schicht umfasst. Geeignete Materialien für die elektrochrome Schicht sind beispielsweise WOX, NiOX, VOX oder NbOx.The method may also be adapted for producing an electrochromic element, such as an electrochromic window element or an electrochromic mirror, wherein the application of the functional layer comprises the application of at least one electrochromic layer. Suitable materials for the electrochromic layer are, for example, WO X , NiO X , VO X or NbO x .

Ferner kann das Verfahren auch das Aufbringen einer photovoltaischen Schicht als Funktionsschicht vorsehen. Vorteilhaft umfasst die Funktionsschicht weiterhin zumindest eine dotierte Halbleiterschicht, insbesondere ein Doppelschichtsystem mit einer p-dotierten und einer n- dotierten Halbleiterschicht. Derartige Funktionsschichten können zur Herstellung verschiedener elektro-optischer Elemente, wie beispielsweise Photovoltaik-Elemente oder optoelektronische Sensoren, eingesetzt werden.Further The method may also include applying a photovoltaic layer Provide as a functional layer. Advantageously, the functional layer comprises furthermore at least one doped semiconductor layer, in particular a double-layer system with a p-doped and an n-doped semiconductor layer. Such functional layers can for producing various electro-optical elements, such as Photovoltaic elements or optoelectronic sensors used become.

Durch Einfügen einer zusätzlichen lokal variierenden Widerstandsanpassungs-Schicht, beispielsweise mit lokal variierender Schichtdicke oder Leitfähigkeit, lassen sich auf einfache Art in weiten Bereichen vorgegebene Funktionalitätsverläufe, insbesondere uniforme Funktionalitätsverteilungen erzielen. Zu diesem Zweck kann die Widerstandsanpassungs-Schicht prinzipiell an beliebiger Stelle innerhalb des jeweiligen Schichtpakets angeordnet werden.By Insert an additional one locally varying resistance matching layer, for example With locally varying layer thickness or conductivity, can be easily Art given in a wide range of predetermined functionalities, especially uniform functionality distributions achieve. For this purpose, the resistance matching layer in principle at any point within the respective layer package to be ordered.

Insbesondere die Widerstände der Schichten eines organischen, elektro-optischen Elements sind typischerweise quer zur Schicht (typische Längendimension 0,1 μm) deutlich geringer als die Widerstände entlang der Schicht (typische Längendimension 100 μm), so dass hauptsächlich nur Stromleitung quer zur Schicht stattfindet.Especially the resistances the layers of an organic, electro-optical element are typically across the layer (typical 0.1 μm length dimension) less than the resistors along the layer (typical length dimension 100 μm), so that mainly only power line takes place across the layer.

Zweckmäßigerweise umfasst das Verfahren das Aufbringen von Kontaktflächen auf der ersten und der zweiten Elektrodenschicht, vorzugsweise in den Randbereichen der Schichten, zum Abgreifen oder Anlegen einer elektrischen Spannung zwischen den Elektrodenschichten. Vorteilhaft sind die Kontaktflächen in den Randbereichen der Elektrodenschichten angeordnet, um beispielsweise den Lichteintritt oder Lichtaustritt durch transparente Elektrodenschichten zu ermöglichen.Conveniently, For example, the method includes applying contact surfaces the first and the second electrode layer, preferably in the Edge regions of the layers, for tapping or applying an electrical Voltage between the electrode layers. Advantageous are the contact surfaces arranged in the edge regions of the electrode layers, for example the light entry or light emission through transparent electrode layers to enable.

Vorteilhaft sieht das Verfahren vor, eine Funktionalitätsverteilung der Funktionsfläche und einen Wert für die Betriebsspannung des elektro-optischen Elementes vorzugeben und die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass das elektro-optische Element bei Anlegen der vorgegebenen Betriebsspannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht im wesentlichen die vorgegebene Funktionalitätsverteilung aufweist. Im Betrieb kann die Betriebsspannung vom vorgegebenen Wert um ca.Advantageous provides the method, a functional distribution of the functional area and a value for specify the operating voltage of the electro-optical element and apply the at least one resistance matching layer in such a way that the electro-optical element upon application of the predetermined operating voltage between the first and second electrode layers substantially the given functionality distribution having. In operation, the operating voltage of the given Value by approx.

± 10 % abweichen, ohne dass dies wesentlich die vorgegebene Funktionalitätsverteilung beeinträchtigt.± 10% deviate, without this significantly the given distribution of functionality impaired.

Besonders vorteilhaft sieht das Verfahren vor, die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass die Lichtaustritts- oder Lichteintrittsfläche des elektro-optischen Elementes bei Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht eine im wesentlichen uniforme Funktionalitätsverteilung aufweist. Unter einer uniformen Funktionalitätsverteilung ist eine über die Funktionsfläche, typischerweise die Lichtaustritts- bzw. Lichteintrittsfläche, im wesentlichen konstante Funktionalitätsverteilung zu verstehen. Bei der Funktionalitätsverteilung kann es sich vorteilhaft beispielsweise um die Leuchtdichteverteilung eines lichtemittierenden Elementes, die Verteilung des Transmissionsgrades eines elektrochromen Elementes oder die Verteilung der Lichtempfindlichkeit handeln.Particularly advantageously, the method provides for applying the at least one resistance matching layer such that the light exit or light entry surface of the electro-optical element has a substantially uniform distribution of functionality when a voltage is applied between the first and second electrode layers. A uniform distribution of functionality means an essentially constant distribution of functionalities over the functional surface, typically the light exit surface or light entry surface. In the distribution of functionality, it may be advantageous, for example, the luminance distribution of a light-emitting element, the distribution of the transmittance of a electrochromic element or the distribution of photosensitivity act.

Der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht zum Erzielen einer vorgegebenen, insbesondere uniformen, Funktionalitätsverteilung ist abhängig von der Geometrie des elektro-optischen Elementes, von der Art der Kontaktierung der Elektrodenschichten und gegebenenfalls von den Betriebsparametern des elektro-optischen Elementes.Of the Resistance profile of the resistance matching layer to achieve a predetermined, in particular uniform, distribution of functionality depends on on the geometry of the electro-optical element, on the type of Contacting the electrode layers and optionally of the Operating parameters of the electro-optical element.

Für einfache Geometrien des elektro-optischen Elementes, wie beispielsweise rechteckige oder ovale Geometrien, bei welchen insbesondere Kontaktierungen entlang gegenüberliegender Kanten vorgesehen sind, lässt sich der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht mit Hilfe einfacher mathematischer Beziehungen angeben.For simple Geometries of the electro-optical element, such as rectangular or oval geometries, in which in particular contacts along the opposite side Edges are provided, leaves the resistance profile of the resistance matching layer with Specify help for simple mathematical relationships.

So kann das Verfahren vorteilhaft vorsehen, die Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass der Widerstand senkrecht zur Schichtebene an zumindest einem Punkt der Schichtebene minimal ist und in zumindest einer horizontalen Richtung von dem zumindest einen Punkt entlang der Schicht im wesentlichen zunimmt.So For example, the method can advantageously provide the resistance matching layer such that the resistance perpendicular to the layer plane at least at one point of the layer plane is minimal and in at least a horizontal direction from the at least one point along the layer substantially increases.

Besonders vorteilhaft nimmt der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene von dem zumindest einen Punkt mit minimalem Widerstand zum Rand der Schicht hin im wesentlichen quadratisch mit dem Abstand zu.Especially Advantageously, the resistance of the resistance matching layer increases perpendicular to the layer plane of the at least one point with minimal Resistance to the edge of the layer is substantially square with the distance to.

Für Elektrodenschichten mit über die Leuchtfläche uniformen Flächenwiderständen und bestimmte, insbesondere symmetrische, Geometrien sieht das Verfahren vorteilhaft vor, die Widerstandsanpassungs-Schicht derart aufzubringen, dass der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf aufweist, der im wesentlichen proportional zu

Figure 00100001
ist, mit

A:
Uniformer Flächenwiderstand der als Anode vorgesehenen Elektrodenschicht,
K:
Uniformer Flächenwiderstand der als Kathode vorgesehenen Elektrodenschicht,
r:
Abstand entlang der Schichtebene zu einem ausge zeichneten Punkt oder einer ausgezeichneten Kurve in der Schichtebene, wobei in dem ausgezeichneten Punkt beziehungsweise entlang der ausgezeichneten Kurve der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene minimal ist,
n:
Exponent mit n > 0, insbesondere mit n = 2,
m:
Relative Gewichtung der Elektrodenwiderstände, insbesondere mit m = 1.
For electrode layers with surface resistances uniform over the luminous area and certain, in particular symmetrical, geometries, the method advantageously provides for applying the resistive matching layer such that the resistance of the resistive matching layer has a course perpendicular to the layer plane in at least one horizontal direction along the layer plane, which is essentially proportional to
Figure 00100001
is with
A:
Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as anode,
K:
Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as a cathode,
r:
Distance along the layer plane to a selected point or curve in the layer plane, wherein in the excellent point or along the excellent curve, the resistance of the resistance matching layer is perpendicular to the layer plane,
n:
Exponent with n> 0, in particular with n = 2,
m:
Relative weighting of the electrode resistances, in particular with m = 1.

Die Widerstandsanpassungs-Schicht kann zusätzlich einen über die Schicht konstanten Widerstandsanteil aufweisen, so dass der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf aufweist, der im wesentlichen durch die Gleichung

Figure 00110001
beschrieben wird, mit

R:
Lokaler elektrischer Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene,
C1, C2:
Vom Abstand r unabhängige Konstanten, und mit A, K, r, n und m wie oben.
The resistance matching layer may additionally have a resistance component constant over the layer, such that the resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane in at least one horizontal direction along the layer plane has a course substantially determined by the equation
Figure 00110001
is described with
R:
Local electrical resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane,
C 1 , C 2 :
Constants independent of the distance r, and with A, K, r, n and m as above.

Weisen die Elektroden bekannte systematische Inhomogenitäten auf, z.B. abscheidebedingte Variationen der Metallkathode, so können diese ebenfalls durch geeignete Wahl der Ausprägung der Widerstandsanpassungs-Schicht vermindert oder sogar weitgehend kompensiert werden.Point the electrodes have known systematic inhomogeneities, e.g. Abscheidebedte variations of the metal cathode, so they can also by a suitable choice of the expression of the resistance matching layer be reduced or even largely compensated.

Für beliebige, unsymmetrische Formen und/oder symmetriezerstörende Kontaktierungen, wie zum Beispiel Punktkontakte bei rechteckigen Funktionsflächen, lassen sich in der Regel keine einfachen analytischen Ausdrücke für den Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs- Schicht angeben. In diesen Fällen kann die Bestimmung des Widerstandsverlauf mittels numerischer Verfahren bzw. mittels Simulationen erfolgen. Hierzu kann beispielsweise die "Finite Elemente"-Methode oder die Inversion von Feldgleichungssystemen eingesetzt werden.For arbitrary, asymmetrical shapes and / or symmetry-destructive contacts, such as point contacts in the case of rectangular functional areas, it is generally not possible to specify simple analytical expressions for the resistance profile of the resistance matching layer. In these cases The determination of the resistance profile can be carried out by means of numerical methods or by means of simulations. For this purpose, for example, the "finite element" method or the inversion of field equation systems can be used.

Das Aufbringen der Widerstandsanpassungs-Schicht umfasst vorteilhaft das Auftragen eines fluiden Beschichtungsmaterials, beispielsweise mittels Spin-Coating oder Tauchbeschichten.The Applying the resistance matching layer advantageously comprises the application of a fluid coating material, for example by spin coating or dip coating.

Besonders vorteilhaft sind Ausgestaltungen des Verfahrens, welche die gezielte lokale Variation der Widerstandsanpassungs-Schicht auf einfache und kostengünstige Weise ermöglichen. Insbesondere zur Erzielung von Schichtdickenvariationen sind Drucktechniken geeignet, wie Flexodruck, Siebdruck oder elektrophotographische Druckverfahren. Besonders geeignet sind auch Ink-jet-Druckverfahren oder andere Sprühverfahren.Especially advantageous embodiments of the method, which are the targeted local variation of the resistance matching layer to simple and cost-effective Allow way. In particular, to achieve layer thickness variations are printing techniques suitable, such as flexographic printing, screen printing or electrophotographic Printing process. Also particularly suitable are ink-jet printing processes or other spraying methods.

Zum Auftragen eines fluiden Beschichtungsmaterials umfasst das Verfahren dementsprechend vorteilhaft das Bedrucken mittels eines rechnergesteuerten Druckkopfes, insbesondere mittels eines Inkjet- Druckkopfes, das Bedrucken durch Siebdruck, das Bedrucken durch Flexodruck oder Gravurdruck, oder das Besprühen durch eine Maske.To the Application of a fluid coating material includes the method Correspondingly advantageous printing by means of a computer-controlled Printhead, in particular by means of an inkjet printhead, the Printing by screen printing, printing by flexographic printing or gravure printing, or spraying through a mask.

Zum Aufbringen der Widerstandsanpassungs-Schicht können neben den genannten Drucktechniken vorteilhaft auch im Prinzip alle bekannten Abscheideverfahren eingesetzt werden.To the Applying the resistance matching layer may be advantageous in addition to the printing techniques mentioned in principle, all known deposition methods are used.

Dementsprechend umfasst das Verfahren vorteilhaft das Abscheiden einer Schicht durch physikalische Dampfphasenabscheidung, insbesondere durch Aufdampfen oder Sputtern, oder durch chemische Dampfphasenabscheidung, insbesondere plasmainduzierte chemische Dampfphasenabscheidung. Auch können zum Aufbringen der Widerstandsanpassungs-Schicht verschiedene Verfahren kombiniert werden.Accordingly Advantageously, the method comprises depositing a layer physical vapor deposition, in particular by vapor deposition or sputtering, or by chemical vapor deposition, in particular plasma-induced chemical vapor deposition. Also, you can Applying the resistance matching layer various methods be combined.

Für die Variation des Widerstandes der Widerstandsanpassungs-Schicht gibt es verschiedene Möglichkeiten. Dementsprechend umfasst das Aufbringen der zumindest einen Widerstandsanpassungs-Schicht vorteilhaft das Aufbringen von Schichtbereichen mit unterschiedlicher Schichtdicke und/oder unterschiedlicher Schichtzusammensetzung und/oder unterschiedlicher Schichtmorphologie.For the variation The resistance of the resistance matching layer is different Options. Accordingly, the application of the at least one resistance matching layer advantageously comprises the application of layer areas with different layer thickness and / or different layer composition and / or different Film morphology.

Die einfachste und am besten kontrollierbare Art der Widerstandsvariation ist die Variation der Schichtdicke, da der lokale Querwiderstand direkt proportional zur lokalen Schichtdicke ist, ausgehend von einem spezifischen Widerstand der Schicht, der überall homogen und von der Schichtdicke unabhängig ist. Die oben genannten Beschichtungsverfahren wie Drucktechniken oder Sprühtechniken sind hierfür besonders geeignet, da diese Verfahren eine Variation der Schichtdicke auf einfache Weise zulassen.The simplest and most controllable type of resistance variation is the variation of the layer thickness, since the local transverse resistance is directly proportional to the local layer thickness, starting from a specific resistance of the layer, homogeneous everywhere and of the Layer thickness independently is. The above coating methods such as printing techniques or spraying techniques are for this particularly suitable, since these methods are a variation of the layer thickness to allow in a simple way.

Die Schichtdickenvariation kann zu einer zusätzlichen optischen Wirkung, beispielsweise zu Absorptions- oder Interferenzeffekten, führen. Diese Wirkung kann ebenfalls Variationen in der Funktionalitätsverteilung, insbesondere in der Leuchtdichteverteilung, zur Folge haben.The Layer thickness variation can lead to an additional optical effect, for example, to absorption or interference effects lead. These Effect can also be variations in the distribution of functionality, especially in the luminance distribution, result.

Dieser Effekt bietet eine weitere Möglichkeit zur Modulation der Funktionalitätsverteilung des elektrooptischen Bauteils. Die Bestimmung des Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht zur Erzielung einer vorgegebenen Funktionalitätsverteilung unter Ausnutzung dieses Effektes kann mittels gekoppelter elektro-optischer Simulationen unter Berücksichtigung von mikroskopischen Materialeigenschaften, Transport-, Rekombinations- und Lichterzeugungsvorgängen erfolgenThis Effect offers another possibility for modulating the distribution of functionality of the electro-optical component. The determination of the resistance profile the resistance matching layer to achieve a given functionality distribution Taking advantage of this effect can be achieved by means of coupled electro-optical Considering simulations of microscopic material properties, transport, recombination and light generation processes respectively

Bestimmte Widerstandsprofile können auch durch geeignete lateral unterschiedliche Dotierungen der leitfähigen Widerstandsanpassungs-Schicht mit Stoffen, welche die Leitfähigkeit beeinflussen, eingestellt werden. Diese Stoffe können während der Abscheidung der Widerstandsanpassungs-Schicht beigemischt sein oder anschließend über Diffusionsprozesse in die Schicht eingebracht werden. Letzteres kann über Thermotransfer, lokale Aktivierung, zum Beispiel über Temperatur, Licht oder mechanischen Energieeintrag, Bedruckung oder dergleichen erreicht werden. Vorteilhaft kann hier die Schichtdicke weitgehend konstant gehalten werden, so dass nachteilige lokale Interferenzeffekte stark unterdrückt werden können. Um eine Langzeitstabilität des Bauteils zu gewährleisten, sieht das Verfahren vorteilhaft vor, dass im fertigen Bauteil die Diffusionsprozesse nicht weiterlaufen.Certain Resistance profiles can also by suitable laterally different doping of the conductive resistance matching layer with substances showing the conductivity be adjusted. These substances can during the deposition of the resistance matching layer be admixed or subsequently via diffusion processes be introduced into the layer. The latter can be done via thermal transfer, local activation, for example via temperature, light or achieved mechanical energy input, printing or the like become. Advantageously, the layer thickness can be substantially constant here held, so that adverse local interference effects strong repressed can be. For long-term stability to ensure the component the method provides advantageous that in the finished component, the Diffusion processes do not continue.

Auch durch Variation der Morphologie der Widerstandsanpassungs-Schicht, insbesondere bei Polymerschichten, kann eine Variation des Widerstandes erreicht werden, da die Morphologie einen Einfluss auf den lokalen spezifischen Widerstand und damit auf den lokalen Querwiderstand hat. Gefügeänderungen können über Temperatureintragsprofile bei Ausbacken, über lokale Aktivierung zum Beispiel durch Temperatur, Licht, mechanischen Energieeintrag oder chemische Aktivatoren oder über bestimmte Materialzusammensetzungen eingestellt werden.Also, by varying the morphology of the resistance matching layer, especially in polymer layers, a variation of the resistance can be achieved, since the morphology has an influence on the local resistivity and thus on the local transverse resistance. Microstructural changes can be set via temperature entry profiles during baking, via local activation, for example, by temperature, light, mechanical energy input or chemical activators, or via certain material compositions.

Selbstverständlich können die beschriebenen Verfahren zur Variation des Widerstandes der Widerstandsanpassungs-Schicht auch miteinander kombiniert werden.Of course, the described method for varying the resistance of the resistance matching layer also with each other be combined.

Zur Lichtaus- und/oder Lichteinkopplung umfasst das Aufbringen der ersten und/oder der zweiten Elektrodenschicht vorteilhaft das Aufbringen einer zumindest teilweise transparenten, elektrisch leitfähigen Schicht, die insbesondere ITO (Indium-Zinn-Oxid) aufweist. Aufgrund der hohen Materialkosten von ITO wird die erste bzw. zweite Elektrodenschicht zumindest auf der Seite des elektro-optischen Elementes, auf der keine Lichtaus- und/oder Lichteinkopplung erforderlich ist, vorteilhaft als Metallschicht aufgebracht.to Lichtaus- and / or Lichteinkopplung includes the application of the first and / or the second electrode layer advantageously the application an at least partially transparent, electrically conductive layer, which in particular has ITO (indium tin oxide). Because of the high Material costs of ITO become the first or second electrode layer at least on the side of the electro-optical element, on the no light emission and / or Light coupling is required, advantageously as a metal layer applied.

Ferner weisen die erste und die zweite Elektrodenschicht des elektro-optischen Elementes vorteilhaft unterschiedliche Austrittsarbeiten auf.Further have the first and the second electrode layer of the electro-optical Elementes advantageous on different work functions.

Auch die Widerstandsanpassungs-Schicht wird vorteilhaft derart aufgebracht, dass die Austrittspotentiale auf die elektrischen Anforderungen der Funktionsschicht, im Falle eines organischen, elektro-optischen Elementes auf die des Elektrolumineszenz-Schichtpakets, abgestimmt sind.Also the resistance matching layer is advantageously applied in such a way that the outlet potentials on the electrical requirements the functional layer, in the case of an organic, electro-optical element matched to those of the electroluminescent layer package.

Je nach Position der Widerstandsanpassungs-Schicht in der Schichtfolge des elektro-optischen Elementes können sich unterschiedliche Anforderungen an die Transparenz der Widerstandsanpassungs-Schicht ergeben.ever by position of the resistance matching layer in the layer sequence of the electro-optical element may be different Requirements for the transparency of the resistance matching layer.

Weiterhin sind die Materialien und Herstellverfahren der Widerstandsanpassungs-Schicht vorzugsweise kompatibel mit den Anforderungen des elektro-optischen Elementes, beispielsweise bezüglich Temperaturbeschränkungen oder Lösungsmittelresistenz, und beeinträchtigen nicht die Elektrolumineszenz-Eigenschaften des Bauteils.Farther are the materials and manufacturing methods of the resistance matching layer preferably compatible with the requirements of the electro-optical Elementes, for example regarding temperature limits or solvent resistance, and affect not the electroluminescent properties of the device.

Prinzipiell sind alle leitfähigen Schichtmaterialien, die diese Randbedingungen erfüllen, geeignet. Beispiele geeigneter anorganischer Materialien umfassen ITO (Indium-Zinn-Oxid), SnOx, InOx, ZnOx, TiOx, a:C-H, sowie dotiertes Si. Geeignete organische Materialien, insbesondere für organische, elektrooptische Elemente, sind beispielsweise PEDOT (Poly(3,4-ethylendioxythiophen)), PEDOT/PSS (PSS: Poly(styrolsulfonsäure)), PANI (Polyanilin), Antrazen, Alq3 (Tris(8-oxychinolinato)-aluminium), TPD (Triphenyldiamin), CuPc (Kupferphtalocyanin), NPD (N,N'-Bis(1-naphtyl)-N,N'-diphenylbenzidin), sowie auch alle in der Literatur als Alternative zu PEDOT genannten Materialien.In principle, all conductive layer materials which fulfill these boundary conditions are suitable. Examples of suitable inorganic materials include ITO (indium tin oxide), SnO x, InO x, ZnO x, TiO x, a CH, and doped Si. Suitable organic materials, in particular for organic, electro-optical elements, are, for example, PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT / PSS (PSS: poly (styrenesulfonic acid)), PANI (polyaniline), antrazene, Alq 3 (tris (8 -oxychinolinato) -aluminum), TPD (triphenyldiamine), CuPc (copper phthalocyanine), NPD (N, N'-bis (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine), as well as all mentioned in the literature as an alternative to PEDOT Materials.

Bei organischen, elektrooptischen Elementen wird die Widerstandsanpassungs-Schicht besonders vorteilhaft als Lochleiterschicht, insbesondere als PEDOT- oder PANI-Schicht, aufgebracht, da eine solche Schicht bereits typischer Bestandteil beispielsweise von Polymer-OLED's ist und daher die durch die Widerstandsanpassungs-Schicht zu erzielende Korrekturfunktion zusammen mit der Lochleiterfunktionalität in einem Arbeitsschritt besonders einfach und kostengünstig erzeugt werden kann.at organic, electro-optical elements becomes the resistance matching layer particularly advantageous as a hole conductor layer, in particular as a PEDOT or PANI layer, applied, since such a layer is already typical component for example, of polymer OLEDs and therefore the one to be achieved by the resistance matching layer Correction function together with the hole conductor functionality in one Work step can be particularly easily and inexpensively generated.

Vorteilhaft kann das Verfahren ferner das Aufbringen einer oder mehrerer funktionaler Schichten vorsehen, wie beispielsweise Lochinjektionsschichten, Elektronenblockerschichten, Lochblockerschichten, Elektronleiterschichten, Lochleiterschichten und/oder Elektroneninjektionsschichten. Ferner kann das Verfahren auch das Aufbringen zumindest einer Ionenleiterschicht und/oder Ionenspeicherschicht umfassen.Advantageous the method may further comprise applying one or more functional Layers provide, such as hole injection layers, Electron blocker layers, hole blocker layers, electron conductor layers, Hole conductor layers and / or electron injection layers. Further The method may also include applying at least one ion conductor layer and / or ion storage layer.

Im Rahmen der Erfindung liegen ferner weitere Maßnahmen zur Erzielung einer vorgegebenen, insbesondere uniformen, Funktionalitätsverteilung eines elektro-optischen Elementes, welche jeweils einzeln, in Kombination miteinander sowie in Kombination mit der oben beschriebenen Widerstandsanpassungs-Schicht verwendet werden können.in the The scope of the invention are also further measures to achieve a predetermined, in particular uniform, distribution of functionality an electro-optical element, each individually, in combination used together and in combination with the resistance matching layer described above can be.

Eine erste solche Maßnahme ist die lokale Veränderung der Elektrodenleitfähigkeit zur Modulation der Stromverteilung.A first such action is the local change the electrode conductivity for modulation of the current distribution.

Prinzipiell ist eine Veränderung der Elektrodenleitfähigkeiten zur Erzielung uniformer oder fest vorgegebener Lichtverteilung möglich. Insbesondere führt die generelle Reduktion der Elektrodenwiderstände zu uniformerer Lichterzeugung.in principle is a change the electrode conductivities to achieve uniform or fixed light distribution possible. Especially leads the general reduction of electrode resistances to more uniform light generation.

Zu diesem Zweck sieht die Erfindung insbesondere vor, relativ hochohmige transparente Elektroden wie beispielsweise ITO-Elektroden, mit dünnen metallischen Hilfsleiterbahnen, sogenannten Busbars, zu durchsetzen. Diese können unter, in oder auf die Elektrodenschicht aufgebracht werden und dienen der Reduzierung des Flächenwiderstands.To For this purpose, the invention provides, in particular, relatively high-impedance transparent electrodes such as ITO electrodes, with thin metallic ones Auxiliary conductors, so-called busbars, to enforce. These can under, be applied in or on the electrode layer and serve the reduction of sheet resistance.

Die Bahnen werden vorzugsweise so gewählt, das sie den Strom gleichmäßiger auf die zwischenliegenden Bereiche der Elektrodenschicht verteilen, aber andererseits möglichst große freie Flächen zur Erzielung hoher Transparenz lassen.The Webs are preferably chosen to make the stream more uniform distribute the intermediate areas of the electrode layer, but on the other hand as possible size open spaces to achieve high transparency.

Alternativ können sehr dünne Leiterbahnstrukturen auch mit Abständen im Bereich der Lichtwellenlänge gewählt werden, so dass sie als Bragg-Interferenzgitter wirken und die Lichtauskopplung aus dem Bauteil beeinflussen. Diese Strukturen können linear mit 1-dimensionaler Gitterwirkung oder auch mit 2-dimensionaler Gitterwirkung, zum Beispiel über honigwabenartige Strukturen ausgelegt werden.alternative can very thin Trace structures are also chosen with distances in the range of the wavelength of light, so that they act as a Bragg interference grating and the light extraction from the component. These structures can be linear with 1-dimensional Lattice effect or with 2-dimensional grating effect, for example honeycomb-like Structures are designed.

Es ist ersichtlich, dass in der Regel die Modulation des Widerstandverlaufs der Elektroden zu keiner uniformen Leuchtdichteverteilung führt. Vorteilhaft kann diese Art der Modulation daher insbesondere im Falle spezieller vorgegebener Funktionalitätsverteilungen eingesetzt werden.It it can be seen that, as a rule, the modulation of the resistance curve the electrodes does not lead to a uniform luminance distribution. Advantageous Therefore, this type of modulation can be especially in the case of special given functionality distributions be used.

Die unterschiedliche lokale Ausbildung der Elektrodenschichten zur Erzielung lokal unterschiedlicher Elektrodenleitfähigkeiten kann beispielsweise auch über Schichtdickenvariation oder lokal unterschiedliche Dotierungen oder "Vergiftungen" erfolgen.The different local formation of the electrode layers to achieve locally different electrode conductivities, for example also over Layer thickness variation or locally different doping or "poisoning" done.

Dementsprechend sieht das erfindungsgemäße Verfahren bevorzugt vor, die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht mit einer horizontal entlang der Schichtebene variierenden Leitfähigkeit und/oder Schichtzusammensetzung aufzubringen.Accordingly sees the method according to the invention preferably before, the first and / or the second electrode layer with a horizontally varying conductivity along the layer plane and / or layer composition.

Eine weitere Maßnahme ist die lokale Veränderung der Elektrodenoberfläche zur Modulation der Ladungsträgerinjektion.A further consequences is the local change the electrode surface for the modulation of the charge carrier injection.

Insbesondere bei einer Elektrodenschicht, welche ITO aufweist, kann zur Variation der Ladungsträgerinjektion deren Austrittsarbeit gezielt eingestellt werden. Hierzu können Plasmaprozesse oder elektrochemische Vorbehandlungen eingesetzt werden. Vorteilhaft an einer Plasmabehandlung ist die Möglichkeit der kostengünstigen großtechnischen Umsetzung.Especially in an electrode layer comprising ITO, may be used for variation the charge carrier injection whose work is set specifically. This can be plasma processes or electrochemical pretreatments are used. Advantageous At a plasma treatment is the possibility of cost large-scale Implementation.

Weiterhin kann die Ladungsträgerdichte durch zusätzliche, insbesondere organische Anpassschichten beeinflusst werden.Farther can the charge carrier density through additional, In particular, organic matching layers are influenced.

Diese Zusatzschichten werden besonders vorteilhaft bei SM-OLEDs eingesetzt, da hier Mehrfachschichtsysteme durch die angewandte Aufdampftechnik leicht zu realisieren sind.These Additional layers are used particularly advantageously in SM-OLEDs, because here multilayer systems by the applied vapor deposition easy to realize.

Im Falle von Elektrodenschichten, welche ein Metall wie beispielsweise A1 oder eine Legierung wie beispielsweise Mg:Ag aufweisen, können zur Beeinflussung der Elektroneninjektion spezielle Übergangsschichten bzw. Übergangsmaterialien wie beispielsweise Ca, Ba oder LiF eingesetzt werden.in the Trap of electrode layers containing a metal such as A1 or an alloy such as Mg: Ag can, for Influence of the electron injection special transition layers or transition materials such as Ca, Ba or LiF can be used.

Dementsprechend sieht die Erfindung vorteilhaft vor, die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht derart aufzubringen, dass diese horizontal entlang der Schichtebene variierende Ladungsträgerinjektions-Eigenschaften aufweist.Accordingly the invention provides advantageous, the first and / or the second Apply electrode layer such that it horizontally along the layer plane has varying charge carrier injection properties.

Bei lichtemittierenden, elektro-optischen Elementen kann erfindungsgemäß ferner die Lichterzeugung selbst durch Aufbringen einer lokal variierenden Funktionsschicht manipuliert werden.at Light emitting electro-optical elements according to the invention further the light generation itself by applying a locally varying Functional layer to be manipulated.

So können beispielsweise gezielt Helligkeitsprofile eines organischen, elektro-optischen Elementes, durch Modulation der lichterzeugenden Schicht, d.h. in diesem Beispiel der EL-Schichteigenschaften, eingestellt werden. Zu diesem Zweck kann die EL-Schicht beispielsweise mit unterschiedlicher lokaler Dicke, Materialzusammensetzung oder Morphologie, z.B. Vernetzungsgrad, abgeschieden werden.So can For example, targeted brightness profiles of an organic, electro-optical Element, by modulation of the photogenerating layer, i. in this example of EL layer properties. For this purpose, the EL layer may, for example, with different local thickness, material composition or morphology, e.g. Degree of crosslinking, be deposited.

Ferner umfasst das Verfahren zur Herstellung organischer, elektro-optischer Elemente das Aufbringen zumindest einer Schicht, welche zumindest ein organisches, elektrooptisches Material aufweist, mit einer horizontal entlang der Schichtebene variierenden Stoffzusammensetzung und/oder horizontal entlang der Schichtebene variierenden Schichtdicke.Further includes the process for producing organic, electro-optical Elements applying at least one layer, which at least an organic, electro-optical material having a horizontal along the layer plane varying composition and / or horizontally along the layer plane varying layer thickness.

Die Erfindung sieht weiterhin vorteilhaft eine angepasste Rückseitenreflexion über eine leitfähige, optisch aktive Schicht vor. Vorzugsweise wird die leitfähige, optisch aktive Schicht in Form einer Interferenzschicht vor einer Metallelektrode angeordnet. Ferner kann vorteilhaft das Reflexionsvermögen einer Elektrode über einen gezielten lokalen Energieeintrag beispielsweise mit entsprechenden internen chemischen Reaktionen lokal individuell gesteuert werden.The The invention further advantageously provides an adapted backside reflection over a conductive, optically active layer. Preferably, the conductive, optical active layer in the form of an interference layer in front of a metal electrode arranged. Furthermore, the reflectivity of a Electrode over a targeted local energy input, for example, with appropriate Internal chemical reactions are controlled locally individually.

Weitere Vorteile einer Rückseitenreflexion liegen beispielsweise in einer möglichen Kontrastverstärkung oder einer Farbmischung. Bei organischen, elektro-optischen Elementen kann hierdurch auch eine verstärkte Fluoreszenz in der EL-Schicht erreicht werden.Further Advantages of a backside reflection lie, for example, in one possible contrast enhancement or a color mixture. For organic, electro-optical elements This can also be a reinforced Fluorescence can be achieved in the EL layer.

Ferner kann durch Farbkonversion mittels einer rückseitigen Fluoreszenzschicht "weißes Mischlicht" erzeugt werden.Further can be generated by color conversion by means of a backside fluorescent layer "white mixed light".

Eine nochmals weitere Maßnahme zur Erzielung einer vorgegebenen, insbesondere uniformen, Funktionalitätsverteilung eines elektro-optischen Elementes ist die lokal selektive Variation der Auskoppeleffizienz.A another action to achieve a given, in particular uniform, distribution of functionality of an electro-optical element is the locally selective variation the decoupling efficiency.

Ohne zusätzliche Maßnahmen wird ein großer Teil des erzeugten Lichts eines lichtemittierenden elektro-optischen Elementes an den Grenzflächen gegen Luft wieder ins Bauteil zurückreflektiert und sind außerhalb nicht zugänglich.Without additional activities will be a big one Part of the generated light of a light-emitting electro-optical Element at the interfaces Reflected back into the component against air and are outside inaccessible.

Zur Verbesserung der Auskoppeleffizienz ist eine Fülle von Maßnahmen bekannt, vgl. z.B. die Zusammenstellung von Klaus Meerholz & David Müller, Adv. Funct. Mater. 2001, 11, 250–253. Ein Beispiel sind strukturierte Klebefolien mit. Mikroprismenoberflächen zur Erhöhung der Auskoppeleffizienz.to Improving the decoupling efficiency is a wealth of measures known, cf. e.g. the compilation by Klaus Meerholz & David Müller, Adv. Funct. Mater. 2001 11, 250-253. An example is structured adhesive films with. Microprism surfaces for increase the decoupling efficiency.

Durch lokal angepasste Maßnahmen zur Steigerung der Auskoppeleffizient können Nichtuniformitäten einer Funktionalitätsverteilung, insbesondere einer Leuchtdichteverteilung kompensiert bzw. gezielt eingestellt werden.By locally adapted measures To increase the decoupling coefficient, nonuniformities of a Functionality distribution, in particular a luminance distribution compensated or targeted be set.

Insbesondere durch eine äußerliche Lichtabsorptionsschicht oder durch lokal selektive Variation der Auskoppeleffizienz in Kombination mit einer für uniforme Funktionalitätsverteilung, insbesondere Leuchtdichteverteilung, eingestellten Widerstandskorrekturschicht lassen sich die Vorteile dieser Korrektur, wie Gültigkeit über große dynamische Bereiche, Unabhängigkeit von vorgegebenen Arbeitspunkten, mit vorgegebenen prozentualen Helligkeitsverteilungen verbinden.Especially through an external Light absorption layer or by locally selective variation of the coupling-out efficiency in combination with a for uniform functional distribution, in particular luminance distribution, adjusted resistance correction layer Let's take advantage of this correction, such as validity over large dynamic ranges, independence from given operating points, with given percentage brightness distributions connect.

Mit besonderem Vorteil umfasst das Verfahren das Aufbringen einer Lichtabsorptionsschicht, insbesondere einer farbneutralen Lichtabsorptionsschicht, mit horizontal entlang der Schichtebene variierenden Lichtabsorptionseigenschaften.With Particularly advantageous, the method comprises applying a light absorption layer, in particular a color-neutral light absorption layer, with horizontal along the layer plane varying light absorption properties.

Besonders bevorzugt umfasst das Aufbringen der Lichtabsorptionsschicht das Aufbringen einer photosensitiven Schicht, das Belichten der photosensitiven Schicht und das Entwickeln der photosensitiven Schicht.Especially Preferably, the application of the light absorption layer comprises Applying a photosensitive layer, exposing the photosensitive Layer and developing the photosensitive layer.

Modulationstechniken wie zum Beispiel Maskierungen von uniformen Leuchtschichten zur Darstellung von Symbolen oder Schrift oder Farbgebungen können dazu eingesetzt werden, gezielte Funktionalitätsverteilungen, insbesondere Leuchtdichteverteilungen, einzustellen. Hierzu können die lichtabsorbierenden Schichten direkt auf das Bauteil aufgebracht werden.modulation techniques such as masks of uniform luminescent layers for Representation of symbols or writing or coloring can do this be used, targeted functionality distributions, in particular Luminance distributions to adjust. For this purpose, the light-absorbing Layers are applied directly to the component.

Besonders vorteilhaft ist die selbststeuernde Optimierung des Leuchtprofils lichtemittierender Bauteile individuell für jedes individuelle Bauteil zum Ausgleich von statistisch verteilten lokalen Unterschieden.Especially advantageous is the self-controlling optimization of the light profile Light emitting components individually for each individual component to compensate for statistically distributed local differences.

Eine selbststeuernde Optimierung des Leuchtprofils kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass zunächst eine photosensitive Schicht wie z.B. eine Photoemulsion aufgebracht wird, diese durch abgestimmtes Einschalten des lichtemittierenden, elektro-optischen Bauteils belichtet, entwickelt und damit optimal auf jedes individuelle Bauteil und dessen lokale Defekte wie Beschichtungsfehler oder Kurzschlüsse angepasst wird. Anschließend erfolgt eine Fixierung der photosensitiven Schicht und zweckmäßigerweise das Aufbringen einer Schutzbeschichtung, z.B. mit einem Lack.A self-controlling optimization of the light profile, for example be achieved by first a photosensitive layer such as. a photoemulsion is applied, this by coordinated Switching on the light-emitting, electro-optical component exposed, developed and thus optimally on each individual component and its local defects such as coating defects or short circuits adapted becomes. Subsequently there is a fixation of the photosensitive layer and expediently the application of a protective coating, e.g. with a paint.

Dementsprechend umfasst das Verfahren besonders vorteilhaft, dass das Belichten der photosensitiven Schicht durch Einschalten des elektro-optischen Elementes für eine vorgegebene Zeitdauer erfolgt, wobei das Einschalten durch Anlegen einer vorgegebenen Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht erfolgt.Accordingly, the method particularly advantageously comprises exposing the photosensitive layer by switching on the electro-optical element for a predetermined period of time, wherein the switching on by applying a predetermined voltage between the first and the second electro denschicht takes place.

Eine weitere Variante zur Optimierung des Leuchtprofils ist die aktiv gesteuerte individuelle Beschichtung. Dazu wird die Leuchtdichteverteilung der Austrittsleuchtfläche des elektro-optischen Bauteils mittels eines geeigneten Detektorsystems, beispielsweise mittels eines Kamerasystems mit Bildverarbeitung, erfasst und gespeichert. Aus der erfassten Leuchtdichteverteilung wird eine Absorptionsdichteverteilung zur optimalen lokalen Korrektur des Helligkeitsprofils berechnet. Entsprechend der berechneten Absorptionsdichteverteilung wird eine lokal variierende Absorptivschicht beispielsweise mittels eines Sprüh- oder Druckprozesses, wie z.B. Ink-jet Printing oder elektrophotographisches Drucken, auf die Lichtaustrittsfläche aufgebracht. Anschließend erfolgt wiederum eine Fixierung und zweckmäßigerweise das Aufbringen einer Schutzbeschichtung. Für die Absorptivschicht können verschiedene organische und anorganische Materialien eingesetzt werden, zum Beispiel Duroplaste, Thermoplaste, Sol-Gel-Lösungen oder Farben.A Another variant for optimizing the light profile is the active controlled individual coating. For this, the luminance distribution the exit light area the electro-optical component by means of a suitable detector system, for example by means of a camera system with image processing, captured and saved. From the recorded luminance distribution becomes an absorption density distribution for optimal local correction of the brightness profile. According to the calculated absorption density distribution is a locally varying absorptive layer, for example by means of a spray or printing process, such as Ink-jet printing or electrophotographic Print, applied to the light exit surface. Then done again a fixation and expediently the application of a Protective coating. For the Absorptive layer can various organic and inorganic materials used For example, thermosets, thermoplastics, sol-gel solutions or Colours.

Eine nochmals weitere Variante besteht in der aktiv gesteuerten individuellen Maskierung, bei der eine separate Maske auf Glas- oder Polymersubstrat hergestellt und auf der Frontseite des Bauteils fixiert wird.A Another variant is the actively controlled individual Masking, where a separate mask on glass or polymer substrate manufactured and fixed on the front side of the component.

Weitere Abwandlungen der Methode zur Erzeugung des Absorptionsprofils umfassen beispielsweise die aktiv gesteuerte individuelle Belichtung, bei der die Rohleuchtdichte erfasst, die Korrektur berechnet und eine Photoemulsion beispielsweise mittels eines geführten Lichtstrahls belichtet wird, sowie die aktiv gesteuerte individuelle Fixierung von absorptiven Materialien, bei der die Rohleuchtdichte erfasst, die Korrektur berechnet und zur Fixierung und Ausbildung der absorptiven Beschichtung ein Belag auf der Bauteiloberfläche belichtet wird.Further Modifications include the method for generating the absorption profile For example, the actively controlled individual exposure, at which detects the gross luminance, calculates the correction, and a Photoemulsion exposed for example by means of a guided light beam as well as the actively controlled individual fixation of absorptive Materials detecting the gross luminance, the correction calculated and for fixation and formation of the absorptive coating exposed a coating on the component surface becomes.

Eine weitere Variante umfasst das Aufbringen einer selbstregelnden phototropen Beschichtung.A Another variant involves the application of a self-regulating phototropic Coating.

Alle beschriebenen Verfahren zum Aufbringen einer Lichtabsorptionsschicht haben den Vorteil, dass jedes individuelle Bauteil hinsichtlich der vorgegebenen Leuchtdichteverteilung optimiert werden kann.All described method for applying a light absorption layer have the advantage that every individual component in terms of the predetermined luminance distribution can be optimized.

Abgewandelt kann die absorptive Korrekturschicht auch in das Bauteil integriert werden. Je nach Position in der Schichtfolge muss dann jedoch die Schicht noch zusätzliche Leitfähigkeit aufweisen und interferenzoptisch bzw. im Lichtbrechverhalten angepasst sein. Auch hier ist eine individuelle Einstellung des lokalen Absorptionsverhaltens durch das Aufbringen einer phototropen Beschichtung oder durch Einstellen der Absorption über einen Energieeintrag von außen, beispielsweise mittels eines Lasers, möglich.modified The absorptive correction layer can also be integrated into the component become. However, depending on the position in the sequence of layers, the Layer additional conductivity have and optical interference or adjusted in the light refraction behavior be. Here, too, is an individual adjustment of the local absorption behavior by applying a photochromic coating or by adjusting the absorption over an external energy input, for example by means of a laser possible.

Je nach Einsatzzweck des herzustellenden Bauteils kann das Verfahren ferner vorteilhaft den Schritt des Aufbringens einer zumindest teilweise spiegelnden Schicht oder eines zumindest teilweise spiegelnden Schichtsystems und/oder den Schritt des Aufbringens einer zumindest teilweise entspiegelnden Schicht oder eines zumindest teilweise entspiegelnden Schichtsystems umfassen.ever according to the purpose of the component to be produced, the method Advantageously, the step of applying at least partially reflecting layer or an at least partially reflecting layer system and / or the step of applying an at least partially anti-reflection Layer or an at least partially anti-reflective coating system include.

Im Rahmen der Erfindung liegt außerdem ein elektrooptisches Element, welches insbesondere mit dem oben beschriebenen Verfahren herstellbar ist.in the It is also within the scope of the invention an electro-optical element, which in particular with the above can be produced described method.

Ein erfindungsgemäßes elektro-optisches Element umfasst dementsprechend ein Substrat, eine erste Elektrodenschicht, zumindest eine Funktionsschicht, eine zweite Elektrodenschicht, und zumindest eine Anpassungsschicht, durch welche eine Funktionalitätsverteilung des elektrooptischen Elementes definiert wird.One inventive electro-optical Element accordingly comprises a substrate, a first electrode layer, at least one functional layer, a second electrode layer, and at least one matching layer, by which a functionality distribution the electro-optical element is defined.

Die Anpassungsschicht ist vorzugsweise als Widerstandsanpassungs-Schicht ausgebildet, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene variiert.The Matching layer is preferably as a resistance matching layer formed, which has an electrical resistance perpendicular to Layer has, in at least one horizontal direction varies along the layer plane.

Ein erfindungsgemäßes elektro-optisches Element kann auch aus mehreren oder einer Vielzahl separater Teilelemente zusammengesetzt sein, welche beispielsweise auf einem gemeinsamen Substrat angeordnet sind.One inventive electro-optical Element can also consist of several or a plurality of separate sub-elements be composed, for example, on a common Substrate are arranged.

Vorteilhaft ist das Element als organisches elektrooptisches Element, insbesondere als organische, lichtemittierende Diode, ausgebildet, wobei die Funktionsschicht zumindest ein organisches, elektrooptisches Material aufweist.Advantageous is the element as an organic electro-optical element, in particular as an organic, light-emitting diode, formed, wherein the Functional layer at least one organic, electro-optical material having.

Eine weitere vorteilhafte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elementes ist ein elektrochromes Element, bei welchem die zumindest eine Funktionsschicht zumindest eine elektrochrome Schicht umfasst. Bevorzugt weist die elektrochrome Schicht WOx auf, aber auch andere dem Fachmann bekannte Materilien wie beispielweise NiOx, VOx oder NbOx liegen im Rahmen der Erfindung.A further advantageous embodiment of an element according to the invention is an electrochromic element, in which the at least one functional layer at least one electrochromic layer summarizes. The electrochromic layer preferably has WO x , but other materials known to the person skilled in the art, for example NiO x , VO x or NbO x are also within the scope of the invention.

Ferner kann die Funktionsschicht bevorzugt eine photovoltaische Schicht umfassen. Für viele Einsatzzwecke ist auch eine Funktionsschicht vorteilhaft, welche zumindest eine dotierte Halbleiterschicht, insbesondere ein Doppelschichtsystem mit einer p-dotierten und einer n-dotierten Halbleiterschicht, umfasst.Further For example, the functional layer may be a photovoltaic layer include. For many purposes, a functional layer is also advantageous, which at least one doped semiconductor layer, in particular a Double layer system with a p-doped and an n-doped semiconductor layer, includes.

Typischerweise ist die als Anode wirkende Elektrodenschicht auf dem Substrat und die als Kathode wirkende Elektrodenschicht auf dem dazwischen liegenden Schichtsystem angeordnet. Selbstverständlich liegt aber auch ein invertiertes System, bei welchem die Kathode auf dem Substrat und die Anode auf dem dazwischen liegenden Schichtsystem aufgebracht ist, im Rahmen der Erfindung.typically, is the electrode layer acting as an anode on the substrate and the electrode layer acting as a cathode on the intermediate layer Layer system arranged. Of course, but is also one inverted system in which the cathode on the substrate and the anode is applied to the intermediate layer system is, within the scope of the invention.

Vorteilhaft weist die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht eines erfindungsgemäßen Elementes in den Randbereichen eine Kontaktfläche zum Anlegen und/oder Abgreifen einer elektrischen Spannung auf. Bei Anlegen einer Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht, welche innerhalb einer Toleranz von ± 10 % einer vorgegebenen Betriebsspannung entspricht, weist die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche des Elementes vorteilhaft im wesentlichen eine vorgegebene Funktionalitätsverteilung auf, wobei die Funktionalitätsverteilung besonders vorteilhaft einer uniformen Verteilung über die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche entspricht.Advantageous includes the first and / or the second electrode layer of an inventive element in the edge areas a contact surface for applying and / or tapping an electrical voltage. at Applying a voltage between the first and second electrode layers, which within a tolerance of ± 10% of a given Operating voltage corresponds, the light exit and / or Light entry surface the element advantageously substantially a predetermined distribution of functionality on, with the distribution of functionality particularly advantageous uniform distribution over the Light exit and / or light entry surface corresponds.

Der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht weist besonders vorteilhaft einen Verlauf wie oben für das Verfahren beschrieben auf. Dementsprechend nimmt der Widerstand senkrecht zur Schichtebene bevorzugt von einem Punkt minimalen Widerstands zum Rand der Schicht hin zu, insbesondere quadratisch.Of the Resistance of the resistance matching layer is particularly advantageous a course as above for the method described on. Accordingly, the resistance decreases perpendicular to the layer plane, preferably from a point of minimum resistance towards the edge of the layer towards, in particular square.

Besonders bevorzugt weist der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf auf, der im wesentlichen durch die Gleichung

Figure 00260001
beschrieben wird (verwendete Größen wie oben).Particularly preferably, the resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane in at least one horizontal direction along the layer plane on a curve, which essentially by the equation
Figure 00260001
is described (sizes used as above).

Vorteilhaft ist die Widerstandsanpassungs-Schicht mittels einem der folgenden Verfahren aufgebracht:

  • – Spin-Coating,
  • – Tauchbeschichten,
  • – Bedrucken mittels eines Inkjet- Druckkopfes,
  • – Bedrucken durch Siebdruck,
  • – Bedrucken durch Flexodruck oder Gravurdruck,
  • – Besprühen durch eine Maske,
  • – physikalische Dampfphasenabscheidung, insbesondere Aufdampfen oder Sputtern, oder
  • – chemische Dampfphasenabscheidung, insbesondere plasmainduzierte chemische Dampfphasenabscheidung,
Advantageously, the resistance matching layer is applied by one of the following methods:
  • - spin coating,
  • - dip coating,
  • Printing by means of an inkjet print head,
  • - printing by screen printing,
  • - printing by flexographic printing or gravure printing,
  • - spraying through a mask,
  • - Physical vapor deposition, in particular vapor deposition or sputtering, or
  • Chemical vapor deposition, in particular plasma-induced chemical vapor deposition,

Vorzugsweise weist die Widerstandsanpassungs-Schicht Schichtbereiche mit unterschiedlicher Schichtdicke und/oder unterschiedlicher Schichtzusammensetzung und/oder unterschiedlicher Schichtmorphologie auf.Preferably For example, the resistance matching layer has layer regions of different layer thickness and / or different layer composition and / or different Layer morphology on.

Beispiele geeigneter Materialien für die Widerstandsanpassungs-Schicht sind die oben im Zusammenhang mit dem Verfahren genannten.Examples suitable materials for the resistance matching layer are the ones above mentioned with the method.

Die Elektrodenschichten eines erfindungsgemäßen Elements sind vorteilhaft derart ausgebildet, dass die erste und die zweite Elektrodenschicht unterschiedliche Austrittsarbeiten aufweisen. Ferner sind die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht bevorzugt zumindest teilweise transparent, und weisen insbesondere Indium-Zinn-Oxid auf. Alternativ sind die erste und/oder zweite Elektrodenschicht vorteilhaft als Metallschicht ausgebildet. Für eine einseitige Lichtaus- und/oder Lichteinkopplung ist vorteilhaft eine der Elektrodenschichten als transparente ITO-Schicht und die andere als Metallschicht ausgebildet.The Electrode layers of an element according to the invention are advantageous formed such that the first and the second electrode layer have different work functions. Furthermore, the first and / or the second electrode layer preferably at least partially transparent, and in particular have indium tin oxide. Alternatively, the first and / or second electrode layer advantageously formed as a metal layer. For one one-sided Lichtaus- and / or Lichteinkopplung is advantageous one the electrode layers as a transparent ITO layer and the other designed as a metal layer.

Vorteilhaft umfasst das Element weiterhin zumindest eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Elektronenblockerschicht und/oder eine Lochblockerschicht und/oder eine Elektronleiterschicht und/oder eine Lochleiterschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht und/oder eine Ionenleiterschicht und/oder eine Ionenspeicherschicht.Advantageously, the element further comprises at least one hole injection layer and / or an electron blocker layer and / or a hole blocker layer and / or an electron conductor layer and / or a hole conductor layer and / or an electron injection layer and / or an ion conductor layer and / or an ion storage layer.

Die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht kann ferner vorteilhaft eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Leitfähigkeit aufweisen, beispielsweise in Form der oben beschriebenen Busbars.The The first and / or the second electrode layer may also be advantageous a horizontally varying conductivity along the layer plane have, for example in the form of the busbars described above.

Ferner weist die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht bevorzugt eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Schichtzusammensetzung und/oder variierende Ladungsträgerinjektions-Eigenschaften auf.Further Preferably, the first and / or the second electrode layer a layer composition varying horizontally along the layer plane and / or varying charge carrier injection properties on.

Ferner umfasst die zumindest eine Schicht eines organischen, elektro-optischen Elementes, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, vorteilhaft eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Stoffzusammensetzung und/oder horizontal entlang der Schichtebene variierende Schichtdicke.Further comprises the at least one layer of an organic, electro-optical Element containing at least one organic, electro-optical material advantageously, a horizontally varying along the layer plane Fabric composition and / or horizontally along the layer plane varying layer thickness.

Eine besonders bevorzugte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Elementes umfasst eine Lichtabsorptionsschicht, insbesondere eine farbneutrale Lichtabsorptionsschicht, mit horizontal entlang der Schichtebene variierenden Lichtabsorptionseigenschaften, welche insbesondere wie oben beschrieben hergestellt ist.A particularly preferred embodiment an element according to the invention comprises a light absorption layer, in particular a color neutral Light absorption layer, with horizontally along the layer plane varying light absorption properties, which in particular manufactured as described above.

Das Element umfasst ferner vorteilhaft weitere Funktionalschichten wie beispielsweise Antireflexschichten.The Element further advantageously comprises further functional layers such as for example antireflection coatings.

Die Form der Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche eines erfindungsgemäßen Elementes ist besonders vorteilhaft im wesentlichen symmetrisch, insbesondere rechteckig, rund oder oval.The Shape of the light exit and / or light entry surface of a element according to the invention is particularly advantageous substantially symmetrical, in particular rectangular, round or oval.

Für spezielle Einsatzzwecke, beispielsweise in der Automobilindustrie, umfasst die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche vorteilhaft zumindest einen spitzwinkligen Bereich. Dies ist zum Beispiel bei einer Fläche in Form eines Kreisausschnitts gegeben.For special Use purposes, for example in the automotive industry includes the light exit and / or light entry surface advantageously at least one acute-angled area. This is for example at a surface in shape given a circular section.

Insbesondere bei symmetrischen Formen weist die Widerstandsanpassungs-Schicht einen Widerstandsverlauf auf, welcher sich analytisch durch die oben angegebene Gleichung 1 ausdrücken lässt.Especially in symmetric forms, the resistance matching layer a resistance profile, which analytically through the expresses equation 1 above.

Je nach Einsatzzweck kann die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche eines erfindungsgemäßen Elementes auch eine freie, nicht symmetrische Formgebung aufweisen. In diesen Fällen ist der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht in der Regel nicht durch einen einfachen analytischen Ausdruck gegeben, sondern das Ergebnis numerischer Verfahren oder Simulationen, wie zum Beispiel der "Finite Elemente"-Methode oder der Inversion von Feldgleichungssystemen.ever According to purpose, the light exit and / or light entry surface of a element according to the invention also have a free, non-symmetrical shape. In these make is the resistance curve of the resistance matching layer in usually not given by a simple analytical expression, but the result of numerical methods or simulations, such as for example the "Finite Elements "method or the inversion of field equation systems.

Die Erfindung umfasst ferner ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats, mit den Schritten:

  • - Bereitstellen eines Substrats,
  • - Aufbringen zumindest einer Elektrodenschicht,
  • - Aufbringen zumindest einer Widerstandsanpassungs-Schicht
auf das Substrat, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in horizontaler Richtung entlang der Schichtebene variiert, wobei zumindest eine Teilfläche der Elektrodenschicht als Kontaktfläche vorgesehen wird und der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht vom Flächenwiderstand der Elektrodenschicht und von der Anordnung der zumindest einen Kontaktfläche abhängt.The invention further includes a method for producing a coated substrate, comprising the steps:
  • Providing a substrate,
  • Applying at least one electrode layer,
  • Applying at least one resistance matching layer
on the substrate, which has an electrical resistance perpendicular to the layer plane, which varies in the horizontal direction along the layer plane, wherein at least a partial surface of the electrode layer is provided as a contact surface and the resistance profile of the resistance matching layer of sheet resistance of the electrode layer and the arrangement of at least one Contact surface depends.

Vorteilhaft umfasst dabei das Aufbringen der zumindest einen Elektrodenschicht das Aufbringen einer zumindest teilweise transparenten, elektrisch leitfähigen Schicht umfasst, die insbesondere Indium-Zinn-Oxid aufweist.Advantageous comprises the application of the at least one electrode layer the application of an at least partially transparent, electrically conductive Layer comprising in particular indium-tin oxide.

Entsprechend umfasst die Erfindung ferner ein beschichtetes Substrat zur Herstellung eines elektro-optischen Elementes, insbesondere eines photovoltaischen Elementes, eines elektrochromen Elementes, oder einer OLED oder PLED, insbesondere hergestellt mit einem Verfahren wie oben beschrieben, umfassend zumindest eine Elektrodenschicht und zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in horizontaler Richtung entlang der Schichtebene variiert.Corresponding The invention further includes a coated substrate for manufacturing an electro-optical element, in particular a photovoltaic Element, an electrochromic element, or an OLED or PLED, in particular produced by a method as described above, comprising at least one electrode layer and at least one resistance matching layer, which is an electrical resistance perpendicular to the layer plane which varies in the horizontal direction along the layer plane.

Als Substratmaterial des beschichteten Substrats sind verschiedene Materialien geeignet, wie beispielsweise Glas, insbesondere Kalk-Natron Glas, Glaskeramik und/oder Kunststoff, insbesondere ein barrierebeschichteter Kunststoff, und/oder Kombinationen davon.When Substrate material of the coated substrate are various materials suitable, such as glass, in particular soda-lime glass, Glass-ceramic and / or plastic, in particular a barrier-coated Plastic, and / or combinations thereof.

Die Elektrodenschicht des beschichteten Substrats ist bevorzugt zumindest teilweise transparent ausgebildet und weist insbesondere Indium-Zinn-Oxid auf.The Electrode layer of the coated substrate is preferably at least partially transparent and has in particular indium tin oxide on.

Auf die beschriebene Weise kann ein vorkorrigiertes Substrat bereitgestellt werden, welches zur Erzielung uniformer Funktionalitätsverteilungen, insbesondere uniformer Leuchtdichteverteilungen, eingesetzt werden kann.On the described manner can provide a pre-corrected substrate which, in order to obtain uniform functional distributions, in particular uniform luminance distributions, are used can.

Das Substrat kann noch durch weitere Funktionalschichten wie z.B. Antireflexschichten veredelt werden.The Substrate can still be replaced by further functional layers, e.g. Antireflection coatings be refined.

Die Widerstandsanpassungs-Schicht kann in einem separaten Beschichtungsschritt abgeschieden oder beispielsweise in eine für ein organisches, elektro-optisches Element vorgesehene Lochleiterschicht integriert werden, welche beispielweise als PEDOT-Beschichtung ausgebildet ist. Die Integration in eine PEDOT-Beschichtung bietet den weiteren Vorteil, dass die Widerstandskorrekturschicht in der Austrittsarbeit sehr gut an die Anode angepasst ist.The Resistive matching layer may be in a separate coating step deposited or, for example, in one for an organic, electro-optical Element provided hole conductor layer can be integrated, which For example, is designed as a PEDOT coating. The integration in a PEDOT coating offers the further advantage that the Resistance correction layer in the work function very well to the Anode is adapted.

Vorteilhaft ist die Widerstandsanpassungs-Schicht derart ausgebildet, dass diese nicht durch nachfolgende Reinigungsvorgänge beeinträchtigt wird. Ferner ist die Widerstandsanpassungs-Schicht vorteilhaft gegen Lösungsmittel weiterer Flüssigbeschichtungen (beispielsweise bei Polymer-OLEDs) im wesentlichen resistent. Außerdem ist die Widerstandsanpassungs-Schicht vorteilhaft vakuumfest und weitgehend optisch inaktiv bezüglich Interferenzen oder Absorption.Advantageous the resistance matching layer is formed such that it not affected by subsequent cleaning operations. Furthermore, the Resistance-matching layer advantageous against solvents additional liquid coatings (for example, in polymer OLEDs) substantially resistant. Besides that is the resistance matching layer advantageously vacuum-resistant and largely optically inactive with respect to Interference or absorption.

Ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegt die Verwendung eines Substrates wie oben beschrieben zur Herstellung eines elektro-optischen Elementes, insbesondere eines photovoltaischen Elementes, eines elektrochromen Elementes, oder einer OLED oder PLED, sowie ferner die Verwendung eines elektro-optischen Elements wie oben beschrieben

  • – als Leuchtmittel,
  • – als Beleuchtungmittel,
  • – als Hinweis- oder Leuchttafel,
  • – als variables Hinweisschild,
  • – als Schalter- oder Sensorbeleuchtung,
  • – als hoch- oder niedrigauflösendes Display,
  • – als digitale Plakatwand oder Werbetafel,
  • – in Leuchtböden oder Leuchttischen,
  • – als Lichtfläche zur Ambientebeleuchtung,
  • – zur Hintergrundbeleuchtung von Displays,
  • – zur Spezialbeleuchtung, insbesondere in der Mikroskopie,
  • – zur Signalgebung oder Beleuchtung, insbesondere im Automobil-, Luftfahrt- Schiffahrts- oder Haushaltsbereich,
  • – als Photovoltaik-Element,
  • – als optolektronischen Sensor,
  • – als Flüssigkristall-Element,
  • – als elektrochromes Fensterelement, oder
  • – als elektrochromen Spiegel.
Also within the scope of the invention is the use of a substrate as described above for producing an electro-optical element, in particular a photovoltaic element, an electrochromic element, or an OLED or PLED, as well as the use of an electro-optical element as described above
  • As bulbs,
  • As a lighting agent,
  • - as a notice or lighting board,
  • - as a variable information sign,
  • - as switch or sensor lighting,
  • - as high or low resolution display,
  • - as a digital billboard or billboard,
  • - in illuminated floors or light tables,
  • - as a light surface for ambient lighting,
  • - for backlighting displays,
  • - for special lighting, especially in microscopy,
  • For signaling or lighting, in particular in the automotive, aviation, shipping or household sectors,
  • As a photovoltaic element,
  • As opto-electronic sensor,
  • As a liquid crystal element,
  • - As an electrochromic window element, or
  • - as electrochromic mirror.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsformen am Beispiel einer OLED und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben. Dabei bezeichnen gleiche Bezugszeichen in den Zeichnungen gleiche oder ähnliche Teile.The Invention will be described below with reference to preferred embodiments using the example of an OLED and with reference to the accompanying drawings described in more detail. The same reference numerals in the drawings designate the same or similar Parts.

Es zeigen jeweils schematisch:It each show schematically:

1a eine perspektivische Ansicht eines OLED-Bauteils nach dem Stand der Technik, 1a a perspective view of an OLED device according to the prior art,

1b eine Querschnittsansicht eines OLED-Bauteils nach dem Stand der Technik, 1b a cross-sectional view of an OLED device according to the prior art,

1c ein Ersatz-Widerstandsnetzwerk des OLED-Bauteils aus 1a und 1b, 1c a replacement resistor network of the OLED device 1a and 1b .

2 ein Ersatz-Widerstandsnetzwerk eines erfindungsgemäßen OLED-Bauteils, 2 a replacement resistance network of an OLED component according to the invention,

3a-f Vergleich eines OLED-Bauteils ohne und mit Widerstandsanpassungsschicht bei symmetrischer Kontaktierung, 3a -f comparison of an OLED device without and with a resistance matching layer with symmetrical contacting,

4a-f Vergleich eines OLED-Bauteils ohne und mit Widerstandsanpassungsschicht bei diagonaler Kontaktierung, 4a -f comparison of an OLED device without and with resistance matching layer in diagonal contacting,

5a-f Vergleich eines OLED-Bauteils ohne und mit Widerstandsanpassungsschicht bei einseitiger Kontaktierung, 5a -f comparison of an OLED device without and with a resistance matching layer in one-sided contacting,

6a-f Vergleich eines OLED-Bauteils ohne und mit Widerstandsanpassungsschicht bei beidseitiger Kontaktierung der Anode und einseitiger Kontaktierung der Kathode, 6a -f comparison of an OLED device without and with a resistance matching layer when contacting the anode on both sides and contacting the cathode on one side,

7a Potentialverläufe in einem OLED-Bauteil mit Widerstandsanpassungsschicht und symmetrischer Kontaktierung für unterschiedliche Stromstärken, 7a Potential curves in an OLED component with resistance matching layer and symmetrical contacting for different current intensities,

7b Leuchtstärken eines OLED-Bauteils mit Widerstandsanpassungsschicht und symmetrischer Kontaktierung für unterschiedliche Stromstärken, 7b Luminous intensities of an OLED component with a resistance matching layer and symmetrical contacting for different current intensities,

8 Leuchtstärkenverteilungen eines OLED-Bauteils mit randomisierten Abweichungen der Widerstandswerte der Widerstandsanpassungsschicht 8th Luminous intensity distributions of an OLED device with randomized deviations of the resistance values of the resistive matching layer

9 eine perspektivische Ansicht eines ersten erfindungsgemäßen rechteckigen OLED-Bauteils, 9 3 a perspective view of a first rectangular OLED component according to the invention,

10 eine perspektivische Ansicht eines zweiten erfindungsgemäßen rechteckigen OLED-Bauteils, 10 a perspective view of a second rectangular OLED device according to the invention,

11 eine perspektivische Ansicht eines dritten erfindungsgemäßen rechteckigen OLED-Bauteils, 11 3 a perspective view of a third rectangular OLED component according to the invention,

12 eine perspektivische Ansicht eines vierten erfindungsgemäßen rechteckigen OLED-Bauteils, 12 3 a perspective view of a fourth rectangular OLED component according to the invention,

13 eine perspektivische Ansicht eines ersten erfindungsgemäßen runden OLED-Bauteils, 13 a perspective view of a first round OLED device according to the invention,

14 eine perspektivische Ansicht eines zweiten erfindungsgemäßen runden OLED-Bauteils, 14 a perspective view of a second inventive round OLED component,

15 eine Querschnittsansicht des OLED-Bauteils aus 15 a cross-sectional view of the OLED component

14, 14 .

16 eine Aufsicht des OLED-Bauteils aus 14, 16 a view of the OLED component 14 .

17 eine perspektivische Ansicht eines erfindungsgemäßen spitzwinkligen OLED-Bauteils, 17 a perspective view of an acute angle OLED device according to the invention,

18 ein Ersatz-Widerstandsnetzwerk des OLED-Bauteils aus 17 ohne Widerstandsanpassungsschicht, 18 a replacement resistor network of the OLED device 17 without resistance matching layer,

19 ein Ersatz-Widerstandsnetzwerk des OLED-Bauteils aus 17 mit Widerstandsanpassungsschicht, 19 a replacement resistor network of the OLED device 17 with resistance matching layer,

20 eine perspektivische Ansicht eines ersten erfindungsgemäßen Substrats, 20 a perspective view of a first substrate according to the invention,

21 eine perspektivische Ansicht eines zweiten erfindungsgemäßen Substrats, 21 a perspective view of a second substrate according to the invention,

22 eine perspektivische Ansicht eines dritten erfindungsgemäßen Substrats, 22 a perspective view of a third substrate according to the invention,

23 eine perspektivische Ansicht eines vierten erfindungsgemäßen Substrats, 23 a perspective view of a fourth inventive substrate,

24 eine Querschnittsansicht eines elliptischen OLED-Bauteils, 24 a cross-sectional view of an elliptical OLED device,

25 eine Aufsicht des OLED-Bauteils aus 24. 25 a view of the OLED component 24 ,

Die 1a und 1b zeigen schematisch ein rechteckiges OLED-Bauteil 100 nach dem Stand der Technik. In 1 ist eine perspektivische Ansicht und in 2 eine Querschnittsansicht durch das Bauteil 100 dargestellt. Das OLED-Bauteil 100 ist in diesem Ausführungsbeispiel als Polymer-OLED (PLED) ausgebildet und weist dementsprechend 2 organische Schichten 130 und 140 auf.The 1a and 1b schematically show a rectangular OLED component 100 According to the state of the art. In 1 is a perspective view and in 2 a cross-sectional view through the component 100 shown. The OLED component 100 is formed in this embodiment as a polymer OLED (PLED) and accordingly has 2 organic layers 130 and 140 on.

Auf einem transparenten Substrat 110, beispielsweise ein Glassubstrat oder ein entsprechend passiviertes Polymersubstrat ist eine transparente leitfähige Elektrodenschicht 121 als Anode aufgebracht.On a transparent substrate 110 For example, a glass substrate or a corresponding passivated polymer substrate is a transparent conductive electrode layer 121 applied as an anode.

Darauf folgt eine Ausgleichsschicht 130 zum Ausgleichen von Substratunebenheiten, welche in diesem Ausführungsbeispiel auch als Lochleiterschicht (HTL, Hole Transport Layer) wirkt. Hierauf folgt die Elektrolumineszenzschicht 140 (EL-Schicht), welche beispielsweise licht-emittierende Polymere (LEP), wie z.B. PPV (poly-para-phenylene-venylene) oder Parylene, oder kurzkettigere organische Moleküle, wie z.B. Alq3 mit entsprechenden Dotierstoffen, umfasst. Die Polymere werden typischerweise aus der Flüssigphase, die kurzkettigeren organischen Moleküle aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen abgeschieden.This is followed by a leveling layer 130 to compensate for substrate unevenness, which in this embodiment also acts as a hole conductor layer (HTL, Hole Transport Layer). This is followed by the electroluminescent layer 140 (EL layer), which comprises, for example, light-emitting polymers (LEP), such as PPV (poly-para-phenylene-venylene) or parylene, or short-chain organic molecules, such as Alq 3 with corresponding dopants. The polymers are typically deposited from the liquid phase, the shorter-chain organic molecules from the gas phase by thermal evaporation.

Die OLED-Schichtfolge wird durch die Kathodenschicht 122 abgeschlossen. Das dargestellte Ausführungsbeispiel sieht eine symmetrische Beschaltung vor. Dementsprechend sind zur Kontaktierung des Bauteils 100 Kontaktflächen 151 und 152 auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Anodenschicht 121 und Kontaktflächen 153 und 154 auf zwei gegenüberliegenden Seiten der Kathodenschicht 122 angeordnet. Die Beschaltung mit einer Gleichspannungsquelle 10 und entsprechende Leitungen 20 ist in 1b dargestellt.The OLED layer sequence is through the cathode layer 122 completed. The illustrated embodiment provides a symmetrical circuit. Accordingly, for contacting the component 100 contact surfaces 151 and 152 on two opposite sides of the anode layer 121 and contact surfaces 153 and 154 on two opposite sides of the cathode layer 122 arranged. The wiring with a DC voltage source 10 and corresponding lines 20 is in 1b shown.

Die typischerweise vorgesehene Verkapselung zum Schutz der Funktionalschichten gegen Zerstörung durch Sauerstoff oder Wasser aus der Umgebung ist nicht dargestellt.The typically provided encapsulation to protect the functional layers against destruction by oxygen or water from the environment is not shown.

1c zeigt ein Ersatz-Widerstandsnetzwerk des in den 1a und 1b dargestellten OLED-Bauteils. In diesem idealisierten Netzwerk sind die Widerstände innerhalb der organischen Schichten vernachlässigt, da diese mit einer Längenskala im Bereich von μm bis mm typischerweise signifikant größer sind als die Flächenwiderstände der Elektrodenschichten bzw. die lokalen Querwiderstände zu den Schichten bei typischen Schichtdicken im Bereich von 100 nm. 1c shows a replacement resistor network in the 1a and 1b represented OLED component. In this idealized network, the resistances within the organic layers are neglected, since they are typically significantly larger with a length scale in the range of μm to mm than the surface resistances of the electrode layers or the local transverse resistances to the layers at typical layer thicknesses in the range of 100 nm.

Der lokale Querwiderstand durch die organischen Schichten ergibt sich aus der Summe der Querwiderstände durch die HTL- und die EL-Schicht zu: Ri = RHTL, i + REL, i (Ii) mit i = 1,..., n, (2) wobei der Widerstandswert der EL-Schicht von der durchfließenden Stromstärke Ii abhängt. Zusammen mit den Schichtwiderständen Ai, der Anode und Ki der Kathode lassen sich die Stromstärken Ii in den einzelnen Zweigen und die resultierenden Potentialdifferenzen zwischen den Elektroden berechnen. Die Schichtwiderstände der Elektrodenschichten können in der Regel entlang der Schichtebene als konstant angenommen werden. Die lokal emittierte Lichtstärke ist ebenfalls durch die vorherrschende Stromstärke bestimmt. Die Abhängigkeiten des Widerstands der EL-Schicht und der Lichtstärke von der Stromstärke REL (Ii) und LEL (Ii) können direkt an lateral kleinen Bauelementen (Pixel-Device) experimentell bestimmt werden. Da per se die einzelnen Stromstärken Ii und damit REL (Ii) unbekannt sind, erfolgt die Berechnung des Netzwerks iterativ.The local transverse resistance through the organic layers results from the sum of the transverse resistances through the HTL and the EL layer to: Ri = RHTL, i + REL, i (I i ) with i = 1, ..., n, (2) wherein the resistance of the EL layer depends on the current flowing through I i . Together with the sheet resistances A i , the anode and K i of the cathode, the current intensities I i in the individual branches and the resulting potential differences between the electrodes can be calculated. The layer resistances of the electrode layers can generally be assumed to be constant along the layer plane. The locally emitted light intensity is also determined by the prevailing current intensity. The dependencies of the resistance of the EL layer and the intensity of the current REL (I i ) and L EL (I i ) can be determined experimentally directly on laterally small components (pixel device). Since per se the individual currents I i and thus REL (I i ) are unknown, the calculation of the network is iterative.

Der Grundgedanke einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung ist es, durch eine Widerstandsanpassungs-Schicht Korrekturen vorzusehen, welche vorzugsweise eine konstante Leuchtdichte über die gesamte Leuchtfläche des OLED-Bauteils ermöglicht.Of the Basic idea of a particularly advantageous embodiment of the invention to make corrections through a resistance matching layer, which preferably has a constant luminance over the entire luminous area of the OLED component allows.

Es zeigt sich, dass die Dimensionierung der Widerstandsanpassungs-Schicht in der vorliegenden Näherung nur von den Flächenwiderständen der beiden Elektrodenschichten abhängt. Es gilt folgender parabelförmiger Widerstandsverlauf für die Schicht im Falle der in 2 dargestellten beidseitigen symmetrischen Beschaltung

Figure 00360001
mit
A = Ai = const., K = Ki = const., i ∊ {1,..., n – 1}, und
A0 = An = 2·A, K0 = Kn = 2·K It can be seen that the dimensioning of the resistance matching layer in the present approximation depends only on the surface resistances of the two electrode layers. The following parabolic resistance curve applies for the layer in the case of 2 illustrated bilateral symmetrical circuit
Figure 00360001
With
A = A i = const., K = K i = const., I ε {1, ..., n - 1}, and
A 0 = A n = 2 * A, K 0 = K n = 2 * K

In den 3 bis 6 sind die sich einstellenden Strom- und damit Leuchtdichteverteilungen für unterschiedlich kontaktierte OLED-Bauteile dargestellt. Für OLED-Bauteile nach dem Stand der Technik ergeben sich dabei immer Inhomogenitäten der Leuchtdichte. Es ist offensichtlich, dass mit keinem Beschaltungsansatz bei entsprechend ausgedehnten Bauelementen und/oder großen Leuchtstärken, d.h. bei großen Stromdichten und damit Spannungsabfällen, eine uniforme Leuchtdichteverteilung nach dem Stand der Technik erzielt werden kann.In the 3 to 6 are the self-adjusting current and thus luminance distributions for differently contacted OLED components shown. For OLED components according to the prior art, this always results in inhomogeneities of the luminance. It is obvious that with no wiring approach with correspondingly extended components and / or high luminous intensity, ie at high current densities and thus voltage drops, a uniform luminance distribution according to the prior art can be achieved.

Die in den 36 dargestellten Beschaltungsbeispiele und berechneten Verteilungen basieren jeweils auf einem wie in 2 dargestellten Ersatz-Widerstandsnetz für ein entsprechendes rechteckiges OLED-Bauteil mit entsprechender Beschaltung. Wie in 2 ist das Bauteil jeweils mit dem Substrat oben dargestellt (um 180° gedrehte Darstellung im Vergleich zu 1a und 1b). Die Beschaltung ist in den 3a, 3d, 4a, 4d, 5a, 5d, 6a und 6d jeweils durch entsprechende Pfeile dargestellt.The in the 3 - 6 Wiring examples and calculated distributions are based on a as in 2 illustrated replacement resistor network for a corresponding rectangular OLED component with appropriate circuitry. As in 2 the component is shown with the substrate at the top (rotated by 180 ° in comparison to 1a and 1b ). The wiring is in the 3a . 3d . 4a . 4d . 5a . 5d . 6a and 6d each represented by corresponding arrows.

Zur besseren Vergleichbarkeit der Ergebnisse werden die Querwiderstände jeweils als konstant und gleich angenommen. Den Rechnungen liegen ferner ein konstanter Kathodenwiderstand K von 1 Ohm, ein konstanter Anodenwiderstand A von 10 Ohm, ein konstanter Querwiderstand von 300 Ohm, Leitungs- und Kontaktwiderstände mit A0 = An = 2·A und K0 = Kn = 2·K, sowie ein Gesamtstrom von 100 mA durch das Bauelement zugrunde. Die für diesen Gesamtstrom jeweils erforderliche Betriebsspannung U0 ist jeweils angegeben.For better comparability of the results, the transverse resistances are assumed to be constant and equal. The calculations also show a constant cathode resistance K of 1 ohm, a constant anode resistance A of 10 ohms, a constant transverse resistance of 300 ohms, line and contact resistances with A 0 = A n = 2 * A and K 0 = K n = 2 K, as well as a total current of 100 mA through the device. The respective operating voltage U 0 required for this total current is indicated in each case.

3a zeigt ein OLED-Bauteil nach dem Stand der Technik wie beispielsweise in 1a dargestellt, welches beidseitig symmetrisch beschaltet ist. Die Lichtaustritts richtung weist nach oben, entsprechend befindet sich das Substrat 110 auf der oberen Seite des Bauteils. Zwischen der transparenten Anodenschicht 121 und der Kathodenschicht 122 sind die HTL-Schicht 130 und die EL-Schicht 140 angeordnet. 3a shows an OLED component according to the prior art such as in 1a shown, which is connected symmetrically on both sides. The light exit direction points upward, accordingly, there is the substrate 110 on the upper side of the component. Between the transparent anode layer 121 and the cathode layer 122 are the HTL layer 130 and the EL layer 140 arranged.

In 3b sind die Potentialverläufe 310 bzw. 320 der Anoden- bzw. Kathodenschicht dargestellt. Die resultierende Stromdichteverteilung 330 ist in 3c dargestellt.In 3b are the potential courses 310 respectively. 320 the anode or cathode layer shown. The resulting current density distribution 330 is in 3c shown.

Demgegenüber zeigt 3d ein OLED-Bauteil, welches ebenfalls beidseitig symmetrisch beschaltet ist, aber im Gegensatz zu dem in 3a dargestellten Bauteil zusätzlich zum Substrat 210, den Elektrodenschichten 221 und 222, sowie den HTL- und EL-Schichten 230 und 240 eine Widerstandsanpassungs-Schicht 262 aufweist.In contrast, shows 3d an OLED component, which is also connected symmetrically on both sides, but in contrast to the in 3a shown component in addition to the substrate 210 , the electrode layers 221 and 222 , as well as the HTL and EL layers 230 and 240 a resistance matching layer 262 having.

Die Widerstandsanpassungs-Schicht 262 weist einen lateral variierenden Widerstandsverlauf entsprechend der obigen Gleichung (3) auf. Die entsprechenden Potentialverläufe 410 bzw. 420 der Anoden- bzw. Kathodenschicht sind in 3e dargestellt. Durch die erfindungsgemäße Widerstandsanpassungs-Schicht 262 ergibt sich die in 3f dargestellte homogene Stromdichteverteilung 430. Dementsprechend weist ein auf diese Weise korrigiertes OLED-Bauteil eine homogene Leuchtdichteverteilung auf.The resistance matching layer 262 has a laterally varying resistance profile according to the above equation (3). The corresponding potential courses 410 respectively. 420 the anode or cathode layer are in 3e shown. By the resistance matching layer according to the invention 262 results in the 3f shown homogeneous current density distribution 430 , Accordingly, an OLED component corrected in this way has a homogeneous luminance distribution.

Die nachfolgenden 4a-f, 5a-f und 6a-f unterscheiden sich von den 3a-f nur durch eine jeweils andere Beschaltung der OLED-Bauteile.The following 4a -f, 5a -f and 6a -f are different from the ones 3a -f only by a different wiring of the OLED components.

Die Korrektur bei einer diagonalen Beschaltung eines OLEDs-Bauteil, wie in den 4a4f dargestellt, erfolgt ebenfalls mittels eines parabelförmigen Widerstandsverlaufs der Widerstandsapassungs-Schicht entsprechend der Gleichung

Figure 00390001
mit
A = Ai = const., K = Ki = const., i ∊ {1,..., n – 1}, und
A0 = An = 2·A , K0 = Kn = 2·KThe correction in a diagonal wiring of an OLEDs component, as in the 4a - 4f also takes place by means of a parabolic resistance curve of the resistance matching layer according to the equation
Figure 00390001
With
A = A i = const., K = K i = const., I ε {1, ..., n - 1}, and
A 0 = A n = 2 * A, K 0 = K n = 2 * K

Der durch den Parameter i0 definierte Scheitelpunkt der Parabel ist für den Fall, dass der Anodenwiderstand A grösser ist als der Kathodenwiderstand K, von der Mitte des Bauteils zum Kathodenanschluss-seitigen Bereich des Bauteils hin verschoben.The vertex of the parabola defined by the parameter i 0 is shifted from the center of the component to the cathode terminal-side region of the component in the event that the anode resistance A is greater than the cathode resistance K.

Auch in diesem Fall wird die Stärke des Korrekturwiderstandsverlaufs nur durch die Flächenwiderstände von Anode und Kathode bestimmt und ist unabhängig vom Wert des Gesamtstroms bzw. weiterer homogener widerstandsbehafteter Schichten, insbesondere der EL-Schichten. Die Lage des Scheitelpunkts i0 hingegen ist abhängig von Verhältnis der Elektrodenwiderstände. So liegt der Scheitelpunkt für den Fall A = K in der Mitte des Bauelements analog zur symmetrischen Beschaltung und für A » K verhält sich das Bauelement wie im Falle einseitiger Kontaktierung wie in 5a5f dargestellt, d.h. der Scheitelpunkt verlagert sich zu der Stirnseite mit Kathodenkontakt. Für A > K befindet sich i0 zwischen diesen Extrempositionen. Diese Lage ist unabhängig vom Gesamtstrom und dem Verhalten weiterer homogen ausgebildeter EL-Schichten.Also in this case, the strength of the correction resistance curve is determined only by the surface resistances of the anode and cathode and is independent of the value of the total current or other homogeneous resistive layers, in particular the EL layers. The position of the vertex i 0, however, depends on the ratio of the electrode resistances. So the vertex for the case A = K lies in the Middle of the device analogous to the symmetrical wiring and for A »K behaves the device as in the case of one-sided contacting as in 5a - 5f shown, ie the vertex shifts to the front side with cathode contact. For A> K, i 0 is between these extreme positions. This position is independent of the total current and the behavior of other homogeneously formed EL layers.

Mit anderen Worten entspricht die in den 5a5f dargestellte einseitige Beschaltung eines OLED-Bauteils schaltungstechnisch einem halbseitigen Bauteil entsprechend der in 3d dargestellten symmetrischen Beschaltung und kann daher mit dem gleichen parabelförmigen Widerstandsverlauf nach Ansatz (4) korrigiert werden, wenn der Scheitelpunkt der Parabel (i0) auf die der Kontaktseite gegenüberliegende Stirnseite gelegt wird.In other words, the equivalent in the 5a - 5f shown one-sided circuit of an OLED component circuit technology a half-side component according to the in 3d shown symmetric wiring and can therefore be corrected with the same parabolic resistance curve approach (4) when the vertex of the parabola (i 0 ) is placed on the opposite side of the contact side.

Wie aus Formel (3) hervorgeht liegt bei beidseitiger Kontaktierung eines symmetrisch aufgebauten Widerstandsnetzes der Scheitelpunkt in Bauteilmitte, d.h. bei

Figure 00400001
wobei n die Anzahl der Querwiderstände angibt.As can be seen from formula (3), the contact point in the middle of the component, that is, at two-sided contacting of a symmetrically constructed resistance network
Figure 00400001
where n indicates the number of transverse resistances.

Für das einseitig kontaktierte Widerstandsnetz liegt die Spiegelebene leicht außerhalb des letzten gegenüberliegenden Querwiderstands (zusätzlicher Abstand Δi = ½ ), da sonst dieser Widerstand auf sich selbst gespiegelt würde und nur für den halben Widerstandswert stände.For the one-sided contacted resistor network, the mirror plane is slightly outside the last opposite Transverse resistance (additional Distance Δi = ½), otherwise this resistance would be mirrored on itself and only for half resistance value.

Auch in diesem Fall wird die Stärke des Korrekturwiderstandsverlaufs nur durch die Flächenwiderstände von Anode und Kathode bestimmt und ist unabhängig vom Wert des Gesamtstroms bzw. weiterer homogener widerstandsbehafteter Schichten, ins. der EL-Schichten. Die Lage des Scheitelpunkts ist unabhängig von den Elektrodenwiderständen.Also in this case, the strength becomes of the correction resistance curve only by the surface resistances of Anode and cathode determines and is independent of the value of the total current or other homogeneous resistive layers, ins. of the EL layers. The location of the vertex is independent of the Electrode resistances.

Auch bei der in den 6a6f dargestellten Beschaltung mit beidseitiger Kontaktierung der Anodenschicht und einseitiger Kontaktierung der Kathodenschicht folgt der Wwiderstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht dem prinzipiell parabolischen Verlauf nach Gleichung (4) und hängt nur von den Elektrodenwiderständen A und K ab. Für K « A fällt der Widerstandsverlauf für diese Beschaltung mit dem für eine symmetrische Beschaltung entsprechend den 3a3f zusammen und der Scheitelpunkt i0 liegt in der Mitte des Bauelements. Mit Reduktion des Verhältnisses A/K verschiebt sich der Scheitelpunkt in Richtung der dem Kathodenkontakt abgewandten Seite des Bauelements.Also in the in the 6a - 6f shown circuit with double-sided contacting of the anode layer and one-sided contacting of the cathode layer follows the Wwiderstandsverlauf the resistance matching layer the principle parabolic curve according to equation (4) and depends only on the electrode resistors A and K. For K «A, the resistance curve for this circuit drops with that for a symmetrical circuit according to 3a - 3f together and the vertex i 0 is in the middle of the device. With reduction of the ratio A / K, the vertex shifts in the direction of the side of the component facing away from the cathode contact.

Auch in diesem Fall wird die Stärke des Korrekturwiderstandsverlaufs nur durch die Flächenwiderstände von Anode und Kathode bestimmt und ist unabhängig vom Wert des Gesamtstroms bzw. weiterer homogener widerstandsbehafteter Schichten, ins. der EL-Schichten.Also in this case, the strength becomes of the correction resistance curve only by the surface resistances of Anode and cathode determines and is independent of the value of the total current or other homogeneous resistive layers, ins. of the EL layers.

In den 7a und 7b sind jeweils die sich bei unterschiedlichen Gesamtstromstärken zwischen 20 und 500 mA für ein symmetrisch beschaltetes und mittels einer Widerstandsanpassungs-Schicht korrigiertes OLED-Bauteil ergebenden Potentialverläufe beziehungsweise Stromverteilungen dargestellt. Im Einzelnen sind dargestellt für eine Stromstärke von 50 mA in 7a der Potentialverlauf 502 und in 7b der Leuchtstärkeverlauf 512, für eine Stromstärke von 100 mA in 7a der Potentialverlauf 504 und in 7b der Leuchtstärkeverlauf 514, für eine Stromstärke von 200 mA in 7a der Potentialverlauf 506 und in 7b der Leuchtstärkeverlauf 516, und für eine Stromstärke von 500 mA in 7a der Potentialverlauf 508 und in 7b der Leuchtstärkeverlauf 518.In the 7a and 7b are each shown at different total currents between 20 and 500 mA for a symmetrically connected and corrected by means of a resistance matching layer OLED device resulting potential profiles or current distributions. In detail are shown for a current of 50 mA in 7a the potential course 502 and in 7b the luminosity course 512 , for a current of 100 mA in 7a the potential course 504 and in 7b the luminosity course 514 , for a current of 200 mA in 7a the potential course 506 and in 7b the luminosity course 516 , and for a current of 500 mA in 7a the potential course 508 and in 7b the luminosity course 518 ,

Den Rechnungen liegt ein konstanter Kathodenwiderstand von 1 Ohm, ein konstanter Anodenwiderstand von 10 Ohm, Leitungs- und Kontaktwiderstände A0, K0, An und Kn, welche doppelt so groß sind wie A und K, sowie ein Gesamtstrom durch das Bauelement von 100 mA zugrunde. Ferner liegt den Rechnungen eine reale OLED-Kennlinie zugrunde.The calculations show a constant cathode resistance of 1 ohm, a constant anode resistance of 10 ohms, line and contact resistances A 0 , K 0 , A n and K n , which are twice as large as A and K, and a total current through the device of 100 mA. Furthermore, the calculations are based on a real OLED characteristic.

Es zeigt sich, dass, der Verlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht unabhängig von der Gesamtstromstärke ist. Weiter können auf die Widerstandsanpassungs-Schicht beliebige weitere Schichten aufgebracht werden (PEDOT, EL, etc.) Solange diese Schichten in Summe einen uniformen Querwiderstand mit gleicher Stromabhängigkeit aufweisen, bleibt die Uniformität des Querstroms unverändert. Der gleichförmige Widerstand der weiteren Schichten führt in Verbindung mit der gleichförmigen Stromverteilung zu einer über die Fläche konstanten Potentialvergrößerung zwischen den beiden Elektrodenschichten.It shows that the course of the resistance matching layer is independent of the total current is. Next you can on the resistance matching layer any further layers be applied (PEDOT, EL, etc.) as long as these layers in Sum a uniform cross resistance with the same current dependence exhibit, the uniformity remains the cross-flow unchanged. The uniform Resistance of the further layers leads in connection with the uniform current distribution to one over the area constant potential increase between the two electrode layers.

Die Erzeugung uniformer Leuchtflächen mittels einer Widerstandsanpassungs-Schicht ist robust gegen Störungen der lokalen Bauteileigenschaften. Ein "Rauschen" der Korrekturwiderstandswerte und der OLED-Kennlinie um ± 5% führen nur zu einer Fluktuation der lokalen Helligkeiten um die Werte des ungestörten Falls, aber zu keiner signifikanten systematischen Abweichung von der Uniformität. Die Ergebnisse entsprechender Rechnungen zeigt 8, in der verschiedene Leuchtdichteverläufe 370 für um ± 5% gestörte Korrekturwiderstandswerte bzw. OLED-Kennlinien dargestellt sind. Die jeweiligen Mittelwerte 380 sowie das statistische Mittel 390 sind ebenfalls dargestellt.The production of uniform luminous surfaces by means of a resistance matching layer is robust against disturbances of the local component properties. A "noise" of the correction resistance values and the OLED characteristic of ± 5% only leads to a fluctuation of the local brightnesses by the values of the undisturbed case, but to no significant systematic deviation from the uniformity. The results of corresponding calculations shows 8th , in the different luminance courses 370 for ± 5% fault correction value or OLED characteristics are shown. The respective mean values 380 as well as the statistical mean 390 are also shown.

Für rechteckige Bauelemente lassen sich die oben beschriebenen Schaltnetze aus diskreten Widerständen auf kontinuierliche Schichtmodelle überführen, indem die diskreten Ansätze für die Korrekturwidersandsverläufe nach Gleichung (4) durch folgende Verallgemeinerung ersetzt werden:

Figure 00420001
mit

Rkorr:
Lokaler elektrischer Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene,
A:
Uniformer Flächenwiderstand der als Anode vorgesehenen Elektrodenschicht,
K:
Uniformer Flächenwiderstand der als Kathode vorgesehenen Elektrodenschicht,
x0:
Lage des Scheitelpunktes des Widerstandsverlaufes
x:
Koordinate entlang der Schichtebene zwischen den Anschlussseiten,
C1, C2:
Konstanten,
n:
Exponent mit n > 0 , insbesondere mit n = 2,
m:
Relative Gewichtung der Elektrodenwiderstände, insbesondere mit m = 1.
For rectangular devices, the discrete resistive switching networks described above may be transitioned to continuous layer models by replacing the discrete approaches to the correction resistance curves of equation (4) by the following generalization:
Figure 00420001
With
R corr :
Local electrical resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane,
A:
Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as anode,
K:
Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as a cathode,
x 0:
Location of the vertex of the resistance course
x:
Coordinate along the layer plane between the connection sides,
C 1 , C 2 :
constant,
n:
Exponent with n> 0, in particular with n = 2,
m:
Relative weighting of the electrode resistances, in particular with m = 1.

Die Konstante C2 beschreibt einen konstanten Widerstands-Sockelbeitrag, der beispielsweise beschichtungstechnisch bedingt ist. Zum Beispiel wird die Widerstandsanpassungs-Schicht in der Regel im Scheitelpunkt eine minimale Dicke größer Null aufweisen.The constant C 2 describes a constant resistance base contribution, which is, for example, coating technology. For example, the resistance matching layer will typically have a minimum thickness greater than zero at the vertex.

Voraussetzung für die Anwendbarkeit obiger Gleichung ist, dass die Kontaktierung über die ganze Länge der Bauteilseiten erfolgt bzw. der Flächenwiderstand im Kontaktierungsbereich klein gegen die typischen Widerstände der Elektrodenschicht ist.requirement for the Applicability of the above equation is that the contacting over the full length the component sides takes place or the sheet resistance in the contacting area small against the typical resistances of the electrode layer.

Bedingt durch Spannungsabfälle im Kontaktierungsbereich sind bei lokalen, beispielsweise im wesentlichen punktförmigen Kontakten ohne Gegenmaßnahmen Störungen der Leuchtdichteuniformität zu erwarten. Aber auch dieser Effekt kann durch eine geeignete Wahl der Ausprägung der Widerstandsanpassungs-Schicht korrigiert werden.conditioned by voltage drops in the contacting area are at local, for example substantially punctate Contacts without countermeasures disorders the luminance uniformity expected. But even this effect can be achieved by a suitable choice the expression the resistance matching layer are corrected.

9 zeigt schematisch eine perspektivische Ansicht eines erfindungsgemäßen rechteckigen OLED-Bauteils 202. In diesem Ausführungsbeispiel ist auf einem Substrat 210 eine erste als Anode vorgesehene Elektrodenschicht 221 angeordnet, welche zur symmetrischen Beschaltung an gegenüberliegenden Seiten Kontaktierungen 251 und 252 aufweist. Die Elektrodenschicht 221 ist für eine Lichtauskopplung durch das Substrat bevorzugt als transparente ITO-Schicht ausgebildet. Das OLED-Bauteil ist in diesem Ausführungsbeispiel als PLED ausgebildet und weist dementsprechend eine Lochleiterschicht 230 und eine Elektrolumineszenzschicht 240 auf. Zwischen der Elektrodenschicht 221 und der Lochleiterschicht 230 ist die Widerstandsanpassungs-Schicht 262 angeordnet. Die OLED-Schichtfolge wird durch die als Kathode vorgesehene Elektrodenschicht 222 abgeschlossen, welche zur symmetrischen Beschaltung an gegenüberliegenden Seiten Kontaktierungen 253 und 254 aufweist. Bei dem in 9 dargestellten OLED-Bauteil handelt es sich demnach im wesentlichen um das Bauteil aus 1a, welches zusätzlich die Widerstandsanpassungs-Schicht 262 aufweist. 9 schematically shows a perspective view of a rectangular OLED component according to the invention 202 , In this embodiment is on a substrate 210 a first electrode layer provided as an anode 221 arranged, which for the symmetrical wiring on opposite sides of contacts 251 and 252 having. The electrode layer 221 is preferably designed as a transparent ITO layer for a light extraction by the substrate. The OLED component is formed in this embodiment as a PLED and accordingly has a hole conductor layer 230 and an electroluminescent layer 240 on. Between the electrode layer 221 and the hole conductor layer 230 is the resistance matching layer 262 arranged. The OLED layer sequence is formed by the electrode layer provided as the cathode 222 completed, which for symmetrical wiring on opposite sides of contacts 253 and 254 having. At the in 9 Accordingly, the OLED component shown is essentially the component 1a which additionally includes the resistance matching layer 262 having.

In dem in 9 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Widerstandsanpassungs-Schicht 262 derart ausgebildet, dass der elektrische Widerstand durch Variation der Schichtdicke variiert wird. Der Widerstandsverlauf entspricht einem Verlauf gemäß obiger Gleichung (5) mit x die Koordinate auf einer Achse entlang der Schichtebene, welche die Kontaktierungen 251 und 252 verbindet und senkrecht zu deren Hauptachsen verläuft, und mit x0 in der Schichtmitte gelegen. Dementsprechend weist das OLED-Bauteil 202 eine im wesentlichen homogene Leuchtdichteverteilung über die gesamte Lichtaustrittsfläche auf.In the in 9 illustrated embodiment, the resistance matching layer 262 formed such that the electrical resistance is varied by varying the layer thickness. The resistance curve corresponds to a curve according to the above equation (5) with x being the coordinate on an axis along the layer plane, which shows the contacts 251 and 252 connects and runs perpendicular to their major axes, and located at x 0 in the middle of the layer. Accordingly, the OLED component 202 a substantially homogeneous luminance distribution over the entire light exit surface.

Statt durch Variation der Schichtdicke kann die Variation des Widerstandes der Widerstandsanpassungs-Schicht auch auf andere Weise erzielt werden, beispielsweise durch Variation der Schichtzusammensetzung und/oder der Schichtmorphologie. Dies ist in der in 10 dargestellten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen OLED-Bauteils 204 realisiert. Diese Ausführungsform 204 entspricht der in 9 dargestellten 202, wobei die Widerstandsanpassungs-Schicht 264 den gleichen Widerstandsverlauf aufweist wie die Schicht 262, mit dem Unterschied, dass die Schicht 264 eine entlang der Schichtebene variierende Schichtzusammensetzung bei gleichbleibender Schichtdicke aufweist. Die Variation der Schichtzusammensetzung kann beispielsweise derart erfolgen, dass unterschiedliche Zusammensetzungen von Schichtmaterialien durch geeignete Druckverfahren aufgebracht werden, wobei die unterschiedlichen Zusammensetzungen unterschiedliche spezifische Widerstände aufweisen.Instead of varying the layer thickness, the variation of the resistance of the resistance matching layer can also be achieved in other ways, for example by varying the layer together and / or the layer morphology. This is in the in 10 illustrated embodiment of an OLED component according to the invention 204 realized. This embodiment 204 corresponds to the in 9 shown 202 wherein the resistance matching layer 264 has the same resistance as the layer 262 , with the difference that the layer 264 a layer composition varying along the layer layer with the same layer thickness. The variation of the layer composition may, for example, be such that different compositions of layer materials are applied by suitable printing methods, the different compositions having different resistivities.

In den 11 und 12 sind bevorzugte Ausführungsformen erfindungsgemäßer OLED-Bauteile 206 und 208 dargestellt, bei welchen jeweils die HTL-Schicht und die Widerstandsanpassungs-Schicht zu einer korrigierten HTL-Schicht 232 bzw. 234 kombiniert sind. Dies bietet den besonderen Vorteil, dass für das Aufbringen der Widerstandsanpassungs-Schicht kein zusätzlicher Arbeitsschritt erforderlich ist.In the 11 and 12 are preferred embodiments of inventive OLED components 206 and 208 in which each of the HTL layer and the resistance matching layer to a corrected HTL layer 232 respectively. 234 combined. This offers the particular advantage that no additional operation is required for the application of the resistance matching layer.

Die in 11 dargestellte korrigierte HTL-Schicht 232 weist eine entlang der Schichtebene variierende Schichtdicke auf, durch deren Verlauf, welcher wiederum der Gleichung (5) entspricht, eine homogene Leuchtdichteverteilung des OLED-Bauteils erreicht wird. In dem in 12 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Widerstandsverlauf der korrigierten HTL-Schicht 234 durch eine Variation der Schichtzusammensetzung und/oder der Schichtmorphologie gegeben.In the 11 illustrated corrected HTL layer 232 has a layer thickness varying along the layer plane, through whose course, which in turn corresponds to equation (5), a homogeneous luminance distribution of the OLED component is achieved. In the in 12 illustrated embodiment, the resistance profile of the corrected HTL layer 234 given by a variation of the layer composition and / or the layer morphology.

Selbstverständlich liegen neben den in den 9 bis 12 dargestellten rechteckigen OLED-Bauteilen 202 bis 208 auch andere Bauformen im Rahmen der Erfindung.Of course, next to the in the 9 to 12 illustrated rectangular OLED components 202 to 208 Other types in the context of the invention.

In 13 ist schematisch eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform eines erfindungsgemäßen, runden OLED-Bauteils 600 dargestellt. Dieses Abuteil 600 umfasst ein rundes Substrat 610, auf welchem vollflächig eine Anodenschicht 621 angeordnet ist. Im Randbereich der Anodenschicht 621 ist zur Kontaktierung eine ringförmige Kontaktfläche 651 vorgesehen. Zwischen der Anodenschicht 621 und der darüber angeordneten Kathodenschicht 622 sind eine korrigierte HTL-Schicht 634 und eine Elektrolumineszenzschicht 640 angeordnet. In diesem Ausführungsbeispiel weist auch die Kathodenschicht 622 eine ringförmige Kontaktfläche 652 auf. Die korrigierte HTL-Schicht 634 weist einen geeigneten Widerstandsverlauf entlang der Schichtebene auf, welcher von der Schichtmitte zum Rand hin zunimmt, so dass das OLED-Bauteil 600 eine homogene Leuchtdichteverteilung aufweist.In 13 schematically is a perspective view of an embodiment of a round OLED device according to the invention 600 shown. This alien part 600 includes a round substrate 610 on which an entire surface of an anode layer 621 is arranged. In the edge region of the anode layer 621 is for contacting an annular contact surface 651 intended. Between the anode layer 621 and the cathode layer disposed above 622 are a corrected HTL layer 634 and an electroluminescent layer 640 arranged. In this embodiment also includes the cathode layer 622 an annular contact surface 652 on. The corrected HTL layer 634 has a suitable resistance profile along the layer plane, which increases from the layer center to the edge, so that the OLED component 600 has a homogeneous luminance distribution.

Das in 14 dargestellte runde OLED-Bauteil 700 umfasst ebenfalls ein Substrat 710, auf welchem eine Anodenschicht 721 mit ringförmiger Kontaktfläche 751 angeordnet ist. Auf der Anodenschicht 721 ist eine korrigierte HTL-Schicht 734 und eine EL-Schicht 740 angeordnet. Abgeschlossen wird die Schichtfolge wiederum durch die Kathodenschicht 722. Im Gegensatz zu der in 13 dargestellten Ausführungsform 600 weist die Kathodenschicht 722 des Bauteils 700 eine in der Schichtmitte angeordnete Kontaktfläche 752 auf. Die im wesentlichen punktförmige bzw. kleinflächige Kontaktfläche 752 vereinfacht die Kontaktierung des Bauteils 700.This in 14 illustrated round OLED component 700 also includes a substrate 710 on which an anode layer 721 with annular contact surface 751 is arranged. On the anode layer 721 is a corrected HTL layer 734 and an EL layer 740 arranged. The layer sequence is completed by the cathode layer 722 , Unlike the in 13 illustrated embodiment 600 has the cathode layer 722 of the component 700 a contact surface arranged in the middle of the layer 752 on. The substantially punctiform or small area contact surface 752 simplifies the contacting of the component 700 ,

Die 15 und 16 zeigen jeweils schematisch eine Querschnittsansicht bzw. eine Aufsicht des in 14 dargestellten Bauteils 700. Ebenfalls dargestellt ist jeweils eine Spannungsquelle 10, an welche das OLED-Bauteil 700 angeschlossen ist. Der in dieser Ausführungsform durch Variation der Schichtzusammensetzung und/oder der Schichtmorphologie realisierte Widerstandsverlauf der korrigierten HTL-Schicht 734 ist in 15 durch entsprechende Schraffuren angedeutet. Der Widerstand quer zur Schichtebene nimmt in diesem Ausführungsbeispiel von der Schichtmitte zum Rand hin im wesentlichen linear zu.The 15 and 16 each show schematically a cross-sectional view and a top view of the in 14 represented component 700 , Also shown is a voltage source in each case 10 to which the OLED component 700 connected. The resistance profile of the corrected HTL layer realized in this embodiment by varying the layer composition and / or the layer morphology 734 is in 15 indicated by corresponding hatchings. The resistance across the layer plane increases in this embodiment, from the middle of the layer to the edge substantially linearly.

17 zeigt eine besonders bevorzugte Ausführungsform eines erfindungsgemäßen OLED-Bauteils 900, welche eine spitzwinklige Bauform aufweist. Bei dem Bauteil 900 sind eine separate HTL-Schicht 930 und Widerstandsanpassungs-Schicht 964 vorgesehen. Abgesehen davon stellt das OLED-Bauteil 900 im wesentlichen ein Segment des in 14 bis 16 dargestellten runden OLED-Bauteils 700 dar. Dementsprechend umfasst das OLED-Bauteil 900 ein Substrat 910, eine darauf angeordnete Anodenschicht 921 mit einer am Rand angeordneten Kontaktierungsfläche 951, sowie eine oberhalb der Widerstandsanpasungs-Schicht 964 und der HTL-Schicht 930 angeordnete EL-Schicht 940. Abgeschlossen wird die Schichtfolge wiederum mit einer Kathodenschicht 922, welche in dieser Ausführungsform eine kleinflächige Kontaktierung 952 aufweist. 17 shows a particularly preferred embodiment of an OLED component according to the invention 900 which has an acute-angled design. In the component 900 are a separate HTL layer 930 and resistance matching layer 964 intended. Apart from that, the OLED component provides 900 essentially a segment of the in 14 to 16 illustrated round OLED component 700 Accordingly, the OLED component comprises 900 a substrate 910 , an anode layer disposed thereon 921 with a contacting surface arranged on the edge 951 , as well as one above the resistance matching layer 964 and the HTL layer 930 arranged EL layer 940 , The layer sequence is completed with a cathode layer 922 , which in this embodiment, a small-area contact 952 having.

Analog zu dem in 1c dargestellten Ersatz-Widerstandsnetzwerk zeigt 18 ein Ersatz-Widerstandsnetzwerk für das in 17 dargestellte OLED-Bauteil 900, jedoch ohne Widerstandsanpassungs-Schicht 964.Analogous to the in 1c shown replacement resistor network shows 18 a replacement resistor network for the in 17 represented OLED component 900 but without resistance matching layer 964 ,

Der lokale Querwiderstand durch die organischen Schichten ergibt sich aus der Summe der Querwiderstände durch die HTL- und die EL-Schicht entsprechend obiger Gleichung (2), wobei der Widerstandswert der EL-Schicht wiederum von der durchfließenden Stromstärke Ii abhängt. Zusammen mit den Schichtwiderständen Ai der Anodenschicht und Ki der Kathodenschicht und ausgehend von der angelegten Spannung U0 und dem Gesamtstrom I0 lassen sich die Stromstärken Ii in den einzelnen Zweigen und die resultierenden Potentialdifferenzen zwischen den Elektrodenschichten iterativ berechnen.The local transverse resistance through the organic layers results from the sum of the transverse resistances through the HTL and the EL layer according to equation (2) above, wherein the resistance value of the EL layer in turn depends on the current I i flowing through. Together with the layer resistances A i of the anode layer and K i of the cathode layer and on the basis of the applied voltage U 0 and the total current I 0 , the current intensities I i in the individual branches and the resulting potential differences between the electrode layers can be calculated iteratively.

Die Rechnungen ergeben zur Erzielung einer homogenen Leuchtdichteverteilung dieses Bauteils eine lineare oder näherungsweise lineare Abnahme der in 19 dargestellten Korrekturwiderstände R K / i (i = 1,...., n) mit steigendem i.To obtain a homogeneous luminance distribution of this component, the calculations give a linear or approximately linear decrease in the 19 shown correction resistances RK / i (i = 1, ...., n) with increasing i.

Da der Widerstandsverlauf der Widerstandsanpassungs-Schicht für eine homogene Leuchtdichteverteilung des OLED-Bauteils unabhängig von der Stromstärke ist, wie beispielsweise in 7b dargestellt, sieht die Erfindung besonders vorteilhaft ein vorkorrigiertes Substrat vor, welches mit einer Widerstandsanpassungs-Schicht beschichtet ist.Since the resistance profile of the resistance matching layer for a homogeneous luminance distribution of the OLED device is independent of the current intensity, such as in 7b As shown, the invention particularly advantageously provides a precorrected substrate which is coated with a resistance matching layer.

Verschiedene Ausführungsformen eines solchen erfindungsgemäßen Substrates sind in den 20 bis 23 dargestellt. Die dargestellten Substrate 802, 804, 806 und 808 umfassen jeweils ein Substrat 810 mit einer darauf aufgebrachten Elektrodenschicht 821, welche vorzugsweise als ITO-Schicht ausgebildet ist und Kontaktierungsflächen 851 und 852 aufweist.Various embodiments of such a substrate according to the invention are in the 20 to 23 shown. The illustrated substrates 802 . 804 . 806 and 808 each comprise a substrate 810 with an electrode layer applied thereon 821 which is preferably formed as an ITO layer and contacting surfaces 851 and 852 having.

Das Substrat 802 weist eine Widerstandsanpassungs-Schicht 862 auf, welche in der Schichtdicke entlang der Schichtebene variiert und vorzugsweise ebenfalls als transparente ITO-Schicht ausgebildet ist. Die Widerstandsanpassungs-Schicht 862 kann wie in 20 dargestellt zusätzlich beispielsweise mit einer HTL-Schicht 830 beschichtet sein, welche vorteilhaft als PEDOT-Schicht ausgebildet sein kann.The substrate 802 has a resistance matching layer 862 which varies in the layer thickness along the layer plane and is preferably likewise designed as a transparent ITO layer. The resistance matching layer 862 can be like in 20 additionally represented, for example, with an HTL layer 830 be coated, which can be advantageously designed as a PEDOT layer.

Bei der in 21 dargestellten Ausführungsform ist die Widerstandsanpassungs-Schicht 864 derart ausgebildet, dass die Widerstandsvariation entlang der Schichtebene durch eine Variation der Schichtzusammensetzung und/oder der Schichtmorphologie und/oder der Dichte der Schicht bei gleichbleibender Schichtdicke realisiert ist. Auch in diesem Ausführungsbeispiel ist eine HTL-Schicht 830 vorgesehen.At the in 21 The embodiment shown is the resistance matching layer 864 formed such that the resistance variation along the layer plane is realized by a variation of the layer composition and / or the layer morphology and / or the density of the layer with a constant layer thickness. Also in this embodiment is an HTL layer 830 intended.

Die Widerstandsanpassungs-Schicht kann auch vorteilhaft in die beispielsweise als PEDOT-Schicht ausgebildete HTL-Beschichtung integriert werden. Entsprechende Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen beschichteten Substrats 806 bzw 808 sind in den 22 bzw. 23 dargestellt. Das Substrat 806 umfasst eine durch Variation der Schichtdicke vorkorrigierte HTL-Schicht 832, das Substrat 808 eine durch Variation beispielsweise der Schichtmorphologie vorkorrigierte HTL-Schicht 834.The resistance matching layer can also be advantageously integrated into the HTL coating formed, for example, as a PEDOT layer. Corresponding embodiments of a coated substrate according to the invention 806 respectively 808 are in the 22 respectively. 23 shown. The substrate 806 includes a pre-corrected by varying the layer thickness HTL layer 832 , the substrate 808 a pre-corrected by variation, for example, the layer morphology HTL layer 834 ,

Vorteilhaft ist die Widerstandsanpassungs-Schicht 862 bzw. 864 bzw. die vorkorrigierte HTL-Schicht 832 bzw. 834 derart ausgebildet, dass diese nicht durch nachfolgende Reinigungsvorgänge beeinträchtigt wird und im wesentlichen gegen Lösungsmittel weiterer Flüssigbeschichtungen resistent ist. Ferner ist die Widerstandsanpassungs-Schicht vorteilhaft vakuumfest und weitgehend optisch inaktiv bezüglich Interferenzen oder Absorption ausgebildet.Advantageous is the resistance matching layer 862 respectively. 864 or the precorrected HTL layer 832 respectively. 834 designed so that it is not affected by subsequent cleaning operations and is substantially resistant to solvents of other liquid coatings. Furthermore, the resistance matching layer is advantageously vacuum-tight and largely optically inactive with respect to interference or absorption.

Ein Beispiel einer ovalen Bauform ist in 24 und 25 dargestellt. Das in den 24 und 25 jeweils schematisch als Querschnittsansicht bzw. als Aufsicht dargestellte elliptische OLED-Bauteil umfasst ein Substrat 710, auf welchem eine Anodenschicht 721 angeordnet ist, an deren Rand eine Kontaktfläche 751 vorgesehen ist. Auf der Anodenschicht 721 sind eine korrigierte HTL-Schicht 734 und eine EL-Schicht 740 angeordnet. Abgeschlossen wird die Schichtfolge durch die Kathodenschicht 722. Die Kathodenschicht 722 des Bauteils weist zwei jeweils in den Brennpunkten der Ellipse angeordnete Kontaktflächen 752 auf. Die im wesentlichen punktförmigen bzw. kleinflächigen Kontaktflächen 752 vereinfachen die Kontaktierung des Bauteils.An example of an oval design is in 24 and 25 shown. That in the 24 and 25 in each case schematically as a cross-sectional view or as a plan view shown elliptical OLED component comprises a substrate 710 on which an anode layer 721 is arranged, at the edge of a contact surface 751 is provided. On the anode layer 721 are a corrected HTL layer 734 and an EL layer 740 arranged. The layer sequence is completed by the cathode layer 722 , The cathode layer 722 of the component has two arranged in each case in the focal points of the ellipse contact surfaces 752 on. The substantially punctiform or small-area contact surfaces 752 simplify the contacting of the component.

1010
Spannungsquellevoltage source
2020
Anschlussleitungconnecting cable
100100
OLED-BauteilOLED component
110110
Substratsubstratum
121, 122121 122
Elektrodenschichtelectrode layer
130130
LochleiterschichtHole conductor layer
140140
Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
151 – 154151 - 154
Kontaktierungencontacts
202 – 208202-208
Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen OLED-Bauteils mit rechteckiger Bauformembodiments an inventive OLED component with rectangular design
210210
Substratsubstratum
221, 222221 222
Elektrodenschichtelectrode layer
230230
LochleiterschichtHole conductor layer
232, 234232 234
Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
240240
Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
251 – 254251 - 254
Kontaktierungencontacts
262, 264262 264
Widerstandsanpassungs-SchichtResistance matching layer
310310
Potentialverlauf entlang der Anodenschicht fürpotential curve along the anode layer for
unkorrigiertes Bauteiluncorrected component
320320
Potentialverlauf entlang der Kathodenschichtpotential curve along the cathode layer
für unkorrigiertes Bauteilfor uncorrected component
330330
Verlauf der Stromstärke quer zur Schichtebenecourse the current strength across the layer plane
in Abhängigkeit der Position entlang derin dependence the position along the
Elektrodenschichten für unkorrigiertes Bauteilelectrode layers for uncorrected component
370370
Leuchtdichteverläufe für um ± 5% gestörteLuminance courses for ± 5%
Korrekturwiderstandswerte bzw. OLED-KennlinienCorrection resistance values or OLED characteristics
380380
Mittelwert der gestörten LeuchtdichteverläufeAverage the disturbed Luminances
390390
Statistischer Mittelwertstatistical Average
410410
Potentialverlauf entlang der Anodenschicht fürpotential curve along the anode layer for
korrigiertes Bauteilcorrected component
420420
Potentialverlauf entlang der Kathodenschichtpotential curve along the cathode layer
für korrigiertes Bauteilfor corrected component
430430
Verlauf der Stromstärke quer zur Schichtebenecourse the current strength across the layer plane
in Abhängigkeit der Position entlang derin dependence the position along the
Elektrodenschichten für korrigiertes Bauteilelectrode layers for corrected component
502502
Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
einer Stromstärke von 50 mAone amperage of 50 mA
504504
Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
einer Stromstärke von 100 mAone amperage of 100 mA
506506
Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
einer Stromstärke von 200 mAone amperage of 200 mA
508508
Potentialverlauf für korrigiertes Bauteil beipotential curve for corrected Component at
einer Stromstärke von 500 mAone amperage of 500 mA
512512
Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
bei einer Stromstärke von 50 mAat a current strength of 50 mA
514514
Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
bei einer Stromstärke von 100 mAat a current strength of 100 mA
516516
Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
bei einer Stromstärke von 200 mAat a current strength of 200 mA
518518
Leuchtstärkeverlauf für korrigiertes BauteilLuminance profile for corrected component
bei einer Stromstärke von 500 mAat a current strength of 500 mA
600600
OLED-Bauteil mit runder BauformOLED component with round design
610610
Substratsubstratum
621, 622621 622
Elektrodenschichtelectrode layer
634634
Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
640640
Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
651, 652651, 652
Kontaktierungencontacts
700700
OLED-Bauteil mit runder BauformOLED component with round design
710710
Substratsubstratum
721, 722721 722
Elektrodenschichtelectrode layer
734734
Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
740740
Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
751,752751.752
Kontaktierungencontacts
802 – 808802-808
Ausführungsformen eines erfindungsgemäßenembodiments an inventive
beschichteten Substrats mit rechteckigercoated Substrate with rectangular
Bauformdesign
810810
Substratsubstratum
821821
Elektrodenschichtelectrode layer
830830
LochleiterschichtHole conductor layer
832, 834832 834
Korrigierte Lochleiterschichtcorrected Hole conductor layer
851, 852851, 852
Kontaktierungencontacts
862, 864862, 864
Widerstandsanpassungs-SchichtResistance matching layer
900900
OLED-Bauteil mit spitzwinkligem QuerschnittOLED component with acute-angled cross-section
910910
Substratsubstratum
921, 922921, 922
Elektrodenschichtelectrode layer
930930
LochleiterschichtHole conductor layer
964964
Widerstandsanpassungs-SchichtResistance matching layer
940940
Elektrolumineszenzschichtelectroluminescent
951, 952951, 952
Kontaktierungencontacts
A0 – An A 0 - A n
Anodenwiderständeanode resistors
K0 – Kn K 0 - K n
Kathodenwiderständecathode resistors
R1 – Rn R 1 - R n
Lokale Schichtwiderständelocal film resistors
I1 – In I 1 - I n
Lokale Stromstärkenlocal currents
RHTL,1 – RHTL,n R HTL, 1 - R HTL, n
Lokale Widerstände der Lochleiterschichtlocal resistors the hole conductor layer
REL,1 – REL,n R EL, 1 - R EL, n
Lokale Widerstände der Elektrolumineszenzschichtlocal resistors the electroluminescent layer
U0 U 0
Zwischen Anode und Kathode angelegte SpannungBetween Anode and cathode applied voltage
I0 I 0
Gesamtstromstärke durch das BauteilTotal current through the component
R K / i – R K / nR K / i - R K / n
Lokale Widerstände der Widerstandsanpassungsschichtlocal resistors the resistance matching layer

Claims (43)

Elektro-optisches Element umfassend – ein Substrat, – eine erste Elektrodenschicht, – zumindest eine Funktionsschicht und – eine zweite Elektrodenschicht, gekennzeichnet durch – zumindest eine Anpassungsschicht, durch welche eine Funktionalitätsverteilung des elektro-optischen Elementes definiert wird.Comprising an electro-optical element A substrate, - a first one Electrode layer, - at least a functional layer and - one second electrode layer, marked by - at least an adaptation layer, through which a distribution of functionality the electro-optical element is defined. Elektro-optisches Element nach Anspruch 1, wobei die zumindest eine Anpassungsschicht als Widerstandsanpassungs-Schicht ausgebildet ist, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene variiert.An electro-optical element according to claim 1, wherein the at least one matching layer as a resistance matching layer is formed, which is an electrical resistance perpendicular to the layer plane, in at least one horizontal direction varies along the layer plane. Element nach Anspruch 1 oder 2, welches als organisches elektro-optisches Element, insbesondere als organische, lichtemittierende Diode, ausgebildet ist, wobei die Funktionsschicht zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist.Element according to claim 1 or 2, which is organic electro-optical element, in particular as organic, light-emitting Diode is formed, wherein the functional layer at least one having organic, electro-optical material. Element nach Anspruch 1 oder 2, ausgebildet als elektrochromes Element, wobei die zumindest eine Funktionsschicht zumindest eine elektrochrome Schicht umfasst.Element according to claim 1 or 2, designed as electrochromic Element, wherein the at least one functional layer at least one electrochromic layer comprises. Element nach Anspruch 4, wobei die elektrochrome Schicht WOx, NiOx, VOx und/oder NbOx aufweist.The element of claim 4, wherein the electrochromic layer comprises WO x , NiO x , VO x and / or NbO x . Element nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zumindest eine Funktionsschicht zumindest eine photovoltaische Schicht umfasst.Element according to claim 1 or 2, wherein the at least a functional layer comprises at least one photovoltaic layer. Element nach Anspruch 1 oder 2, wobei die zumindest eine Funktionsschicht zumindest eine dotierte Halbleiterschicht, insbesondere ein Doppelschichtsystem mit einer p-dotierten und einer n-dotierten Halbleiterschicht, umfasst.Element according to claim 1 or 2, wherein the at least a functional layer at least one doped semiconductor layer, in particular a double-layer system with a p-doped and a n-doped semiconductor layer comprises. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder zweite Elektrodenschicht in den Randbereichen eine Kontaktfläche zum Anlegen oder Abgreifen einer elektrischen Spannung aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the first and / or second electrode layer in the edge regions a contact surface for applying or tapping an electrical voltage. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche des Elementes bei Anlegen einer Spannung mit dem Wert einer vorgegebenen Betriebsspannung ± 10 % zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht im wesentlichen eine vorgegebene Funktionalitätsverteilung aufweist.Element according to one of the preceding claims, wherein the light exit and / or light entry surface of the element when applying a voltage with the value of a predetermined operating voltage ± 10% between the first and the second electrode layer substantially a predetermined Funktionalitätsvertei ment has. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche des Elementes eine im wesentlichen uniforme Funktionalitätsverteilung aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the light exit and / or light entry surface of the element a substantially uniform distribution of functionality having. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Funktionalitätsverteilung eine Leuchtdichteverteilung ist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the distribution of functionality is a luminance distribution. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene an zumindest einem Punkt der Schichtebene minimal ist und in zumindest einer horizontalen Richtung von dem zumindest einen Punkt zum Rand der Schicht hin im wesentlichen zunimmt.An element according to any one of the preceding claims, wherein the resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane at least at one point of the layer plane is minimal and in at least a horizontal direction from the at least one point to the edge the layer increases substantially. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene an zumindest einem Punkt der Schichtebene minimal ist und in zumindest einer horizontalen Richtung von dem zumindest einen Punkt zum Rand der Schicht hin im wesentlichen quadratisch mit dem Abstand von dem zumindest einen Punkt zunimmt.An element according to any one of the preceding claims, wherein the resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane at least at one point of the layer plane is minimal and in at least a horizontal direction from the at least one point to the edge the layer is substantially square with the distance from which increases at least one point. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf aufweist, der im wesentlichen proportional zu
Figure 00560001
ist, mit A: Uniformer Flächenwiderstand der als Anode vorgesehenen Elektrodenschicht, K: Uniformer Flächenwiderstand der als Kathode vorgesehenen Elektrodenschicht, r: Abstand entlang der Schichtebene zu einem ausge zeichneten Punkt oder einer ausgezeichneten Kurve in der Schichtebene, wobei in dem ausgezeichneten Punkt beziehungsweise entlang der ausgezeichneten Kurve der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene minimal ist, n: Exponent mit n > 0, insbesondere mit n = 2, m: Relative Gewichtung der Elektrodenwiderstände, insbesondere mit m = 1.
An element according to any one of the preceding claims, wherein the resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane in at least one horizontal direction along the layer plane has a profile which is substantially proportional to
Figure 00560001
A: Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as an anode, K: Uniform sheet resistance of the electrode layer provided as a cathode, r: Distance along the layer plane to a point or an excellent curve in the layer plane, wherein in the excellent point or along the excellent curve the resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane is minimal, n: exponent with n> 0, in particular with n = 2, m: relative weighting of the electrode resistances, in particular with m = 1.
Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei der Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene in zumindest einer horizontalen Richtung entlang der Schichtebene einen Verlauf aufweist, der im wesentlichen durch die Gleichung
Figure 00570001
beschrieben wird, mit R: Lokaler elektrischer Widerstand der Widerstandsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schichtebene, A: Uniformer Flächenwiderstand der als. Anode vorgesehenen Elektrodenschicht, K: Uniformer Flächenwiderstand der als Kathode vorgesehenen Elektrodenschicht, r: Abstand entlang der Schichtebene zu einem aus gezeichneten Punkt oder einer ausgezeichneten Kurve in der Schichtebene, wobei in dem ausge zeichneten Punkt beziehungsweise entlang der ausgezeichneten Kurve der Widerstand der Wider standsanpassungs-Schicht senkrecht zur Schicht ebene minimal ist, C1, C2: Vom Abstand r unabhängige Konstanten n: Exponent mit n > 0, insbesondere mit n = 2, m: Relative Gewichtung der Elektrodenwiderstände, insbesondere mit m = 1.
An element according to any one of the preceding claims, wherein the resistance of the resistive matching layer perpendicular to the layer plane in at least one horizontal direction along the layer plane has a characteristic substantially defined by the equation
Figure 00570001
with R: Local electrical resistance of the resistance matching layer perpendicular to the layer plane, A: Uniform surface resistance of the as. An anode provided electrode layer, K: uniform sheet resistance of the electrode layer provided as a cathode, r: distance along the layer plane to a drawn-out point or an excellent curve in the layer plane, wherein in the extended point or along the excellent curve, the resistance of the oppo- Layer perpendicular to the layer plane is minimal, C 1 , C 2 : Constants n independent of the distance r: exponent with n> 0, in particular with n = 2, m: Relative weighting of the electrode resistances, in particular with m = 1.
Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht mittels eines fluiden Beschichtungsmaterials aufgebracht ist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the at least one resistance matching layer by means of a fluid Coating material is applied. Element nach Anspruch 16, wobei die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht mittels Spin-Coating oder Tauchbeschichten aufgebracht ist.The element of claim 16, wherein the at least one Resistance matching layer by spin coating or dip coating is applied. Element nach Anspruch 16, wobei die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht durch – Bedrucken mittels eines Inkjet- Druckkopfes, – Bedrucken durch Flexodruck oder Gravurdruck, – Bedrucken durch Siebdruck oder – Besprühen durch eine Maske aufgebracht ist.The element of claim 16, wherein the at least one resistive matching layer is formed by - printing by means of an inkjet printhead, - printing by flexographic printing or gravure printing, - Printing by screen printing or - Spraying is applied by a mask. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht durch physikalische Dampfphasenabscheidung, insbesondere durch Aufdampfen oder Sputtern, oder durch chemische Dampfphasenabscheidung, insbesondere plasmainduzierte chemische Dampfphasenabscheidung, aufgebracht ist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the at least one resistance matching layer by physical Vapor deposition, in particular by vapor deposition or sputtering, or by chemical vapor deposition, in particular plasma-induced chemical vapor deposition is applied. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht Schichtbereiche mit unterschiedlicher Schichtdicke und/oder unterschiedlicher Schichtzusammensetzung und/oder unterschiedlicher Schichtmorphologie aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the at least one resistance matching layer layer areas with different layer thickness and / or different layer composition and / or different layer morphology. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht zumindest eines der Materialien ITO, SnOx, InOx, ZnOx, TiOx, a:C-H, dotiertes Si, PEDOT, PEDOT/PSS, PANI, Antrazen, Alq3, TDP, CuPu oder NPD umfasst.Element according to any one of the preceding claims, wherein the at least one resistance matching layer, at least one of the materials ITO, SnO x, InO x, ZnO x, TiO x, a: CH, doped Si, PEDOT, PEDOT / PSS, PANI, anthracene, Alq 3 , TDP, CuPu or NPD. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Widerstandsanpassungs-Schicht als Lochleiterschicht ausgebildet ist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the at least one resistance matching layer as a hole conductor layer is trained. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und die zweite Elektrodenschicht unterschiedliche Austrittsarbeiten aufweisen.An element according to any one of the preceding claims, wherein the first and second electrode layers have different work functions exhibit. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht zumindest teilweise transparent ist, und insbesondere Indium-Zinn-Oxid aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the first and / or the second electrode layer at least partially is transparent, and in particular indium tin oxide. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder zweite Elektrodenschicht als Metallschicht ausgebildet ist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the first and / or second electrode layer is formed as a metal layer is. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch zumindest eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Elektronenblockerschicht und/oder eine Lochblockerschicht und/oder eine Elektronleiterschicht und/oder eine Lochleiterschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht.Element according to one of the preceding claims by at least one hole injection layer and / or an electron blocker layer and / or a hole blocker layer and / or an electron conductor layer and / or a hole conductor layer and / or an electron injection layer. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch zumindest eine Ionenleiterschicht und/oder eine Ionenspeicherschicht.Element according to one of the preceding claims by at least one ion conductor layer and / or an ion storage layer. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Leitfähigkeit aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the first and / or the second electrode layer a horizontal has varying conductivity along the layer plane. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Schichtzusammensetzung aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the first and / or the second electrode layer a horizontal along the layer plane varying layer composition. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die erste und/oder die zweite Elektrodenschicht horizontal entlang der Schichtebene variierende Ladungsträgerinjektions-Eigenschaften aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the first and / or the second electrode layer horizontally along the layer plane varying carrier injection properties having. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die zumindest eine Schicht, welche zumindest ein organisches, elektro-optisches Material aufweist, eine horizontal entlang der Schichtebene variierende Stoffzusammensetzung und/oder horizontal entlang der Schichtebene variierende Schichtdicke aufweist.An element according to any one of the preceding claims, wherein the at least one layer containing at least one organic, electro-optical Material, a horizontally along the layer plane varying composition of matter and / or horizontally along the layer plane varying layer thickness having. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Lichtabsorptionsschicht, insbesondere eine farbneutrale Lichtabsorptionsschicht, mit horizontal entlang der Schichtebene variierenden Lichtabsorptionseigenschaften.Element according to one of the preceding claims by a light absorption layer, in particular a color-neutral Light absorption layer, with horizontally along the layer plane varying light absorption properties. Element nach Anspruch 32, wobei die Lichtabsorptionsschicht durch – Aufbringen einer photosensitiven Schicht, – Belichten der photosensitiven Schicht und – Entwickeln der photosensitiven Schicht aufgebracht ist.The element of claim 32, wherein the light absorption layer by - Apply a photosensitive layer, - Exposing the photosensitive Layer and - Develop the photosensitive layer is applied. Element nach Anspruch 33, wobei das elektro-optische Element als lichtemittierendes Element ausgebildet ist und das Belichten der photosensitiven Schicht das Einschalten des elektro-optischen Elementes für eine vorgegebene Zeitdauer umfasst, wobei das Einschalten das Anlegen einer vorgegebenen Spannung zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht umfasst.The element of claim 33, wherein the electro-optic element is formed as a light-emitting element, and exposing the photosensitive layer comprises turning on the electro-optic element for a predetermined period of time, said turning on applying a predetermined voltage between comprises the first and the second electrode layer. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine zumindest teilweise spiegelnde Schicht oder ein zumindest teilweise spiegelndes Schichtsystem.Element according to one of the preceding claims by an at least partially reflective layer or at least partially reflective layer system. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine zumindest teilweise entspiegelnde Schicht oder ein zumindest teilweise entspiegelndes Schichtsystem.Element according to one of the preceding claims by an at least partially non-reflective layer or at least partially anti-reflective coating system. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine im wesentlichen symmetrische, insbesondere rechteckige, runde oder ovale, Form der Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche.Element according to one of the preceding claims by a substantially symmetrical, in particular rectangular, round or oval, shape of the light exit and / or light entry surface. Element nach einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche mit freier, nicht symmetrischer Formgebung.Element according to one of the preceding claims through a light exit and / or light entry surface with free, non-symmetrical shaping. Element nach einem der Ansprüche 37 oder 38, gekennzeichnet durch eine Lichtaustritts- und/oder Lichteintrittsfläche, welche zumindest einen spitzwinkligen Bereich umfasst.Element according to one of claims 37 or 38, characterized through a light exit and / or light entry surface, which comprises at least one acute-angled region. Beschichtetes Substrat zur Herstellung eines elektrooptischen Elementes, gekennzeichnet durch zumindest, eine Elektrodenschicht und eine Anpassungsschicht, durch welche eine Funktionalitätsverteilung des elektro-optischen Elementes definiert wird.Coated substrate for producing an electro-optical Element, characterized by at least one electrode layer and an adaptation layer, by which a functionality distribution the electro-optical element is defined. Beschichtetes Substrat nach Anspruch 40, wobei die Anpassungsschicht als Widerstandsanpassungs-Schicht ausgebildet ist, welche einen elektrischen Widerstand senkrecht zur Schichtebene aufweist, der in horizontaler Richtung entlang der Schichtebene variiert.The coated substrate of claim 40, wherein the Matching layer formed as a resistance matching layer which is an electrical resistance perpendicular to the layer plane which, in the horizontal direction along the layer plane varied. Beschichtetes Substrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat Glas, insbesondere Kalk-Natron Glas, eine Glaskeramik und/oder einen Kunststoff, insbesondere einen barrierebeschichteten Kunststoff, und/oder Kombinationen davon umfasst.Coated substrate according to any one of the preceding Claims, characterized in that the substrate glass, in particular soda lime Glass, a glass ceramic and / or a plastic, in particular a barrier coated plastic, and / or combinations thereof. Beschichtetes Substrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Elektrodenschicht zumindest teilweise transparent ist, und insbesondere Indium-Zinn-Oxid aufweist.Coated substrate according to any one of the preceding Claims, wherein the electrode layer is at least partially transparent, and in particular indium tin oxide having.
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