DE2014769A1

DE2014769A1 - Regelschaltung für Heizvorrichtungen

Info

Publication number: DE2014769A1
Application number: DE19702014769
Authority: DE
Inventors: Peter Princeton N.J. Lauck (V.St.A.). P B23k
Original assignee: J.P. Stevens & Co. Inc., New York, N.Y. (V.St.A.)
Priority date: 1969-03-27
Filing date: 1970-03-26
Publication date: 1970-10-08
Also published as: FR2040063A5; ES377685A1; US3544767A; AU1275970A

Description

PATENTAN W> LTt DIFL-ING. GURT WALLACH DIPL.-ING. GONTHER KOCH 2014769 DR. TINO HAIBACH

8 München * 2 R jißz. 1970

UNSEBZEICHEN: -J2 544

J.P, STEVENS AND Co., INO New York, N.Y., V.St.A.

Regelschaltung für Hei2Vorrichtungen

Die Erfindung bessieht eich auf Regelschaltungen und betrifft insbesondere Regelschaltungen zur Verwendung in Verbindung mit elektrischen Heizdecken und anderen elektrisch beheiebaren Stoffen wie Vorhängen^ Bodenbelägen und dergleichen· ■■■-.." '■"-..-' "..;/_- ".-"; ''-.'.;■ Γ . ; ;. -■■■· -' .-..:

Λ Es sind: bereits HeizYor3?ichtungen fiir_; flexible Decken oder dergleichen bekannt, bei denen das Heizeleiaent einen Bimetallschalter oder einen !Thermostaten umfaßt. Bei dem auf Temperaturänderungen ansprechenden Element handelt es sich normalerweise um ein mechanisches Bimetallelement, das in einem zentral angeordneten Kasten untergebracht ist, welcher von dem Heizelement getrännt angeordnet iöt. Dieses Element bewirkt somit eine Regelung in Abhängigkeit von der Umgebungsoder Raumtemtemperatur und nicht etwa der (Temperatur der zu beheizenden Zone, Daher ist es schwierig, ständig eine genaue Regelung der Temperatur der zu heizenden Zone zu erzielen· Außerdem treten bei solchen' mechanischen Bimetallschaltern Ermüdungserscheinungen in dem metallischen Werkstoff auf, und die Kontakte werden durch die nicht vermeidbare Shznkenbildung angefressen. Diese unvollkommenen Verfahren werden bei Heizvorrichtungen und insbesondere bei elektrischen Heiz-

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decken seit etwa zwei Jahrzehnten verwendet. Ferner ist zu bemerken, daß die erwähnten auf Temperaturänderungen ansprechenden Elemente normalerweise träge arbeiten, daß sie viel Raum beanspruchen, und daß der Stromverbrauch ziemlich groß ist.

Weiterhin sind gesteuerte Siliziumgleichrichter bekannt, die man bei der einer Heizvorrichtung zugeordneten Regelschaltung verwenden kann; solche Gleichrichter können jeweils in einer solchen bestimmten ?.:" ohtung leitfähig gemacht werden, und sie werden mit Hilf*, i-ο.α transistorisierten Triggerfc Schaltungen gezündet, um das Heizelement nach Bedarf einzuschalten·

Erfindungen, die mit der vorliegenden Erfindung in Beziehung stehen, sind in den U.S.A.-Patentschriften 3 385 958, 3 422 244 und 3 427 792 sowie in dem "SCR Manual 4th Edition of General Electric Company" (Fig.9-ΊO) beschrieben. Die vorliegende Erfindung sieht jedoch eine Schaltung vor, die sich von den in den genannten Veröffentlichungen beschriebenen Schaltungen unterscheidet, da bei ihr ein einsiger Doppelbasistransistor vorgesehen ist, der einen Siliziumgleichrichter steuert, während die U,S.A.-Patentschrift 3 427 792 . die direkte Steuerung einee Triacs (triac) beschreibt, und Jg da keine transistorisierte Traggervorrichtung vorgesehen ist, wie sie in der U.S.A.-Patentschrift 3 422 244 beschrieben ist. Gemäß der Erfindung wird ein Doppelbaeistransistor verwendet, um den gesteuerten Siliziumgleichrichter zu triggern, der seinerseits den Verbraueherstromkreis steuert. Im Gegensatz zu den Angaben in der vorstehend genannten Druckschrift sieht die Erfindung.auf vorteilhafte Weise eine Einwegschaltung zum Steuern eines einzigen Siliziumgleichrichters vor, der durch einen Doppelbasistransistor getriggert wird und mit einem Temperaturfühler, einem Kondensator und einem verstellbaren Widerstand kombiniert ist.

> Die Erfindung sieht nunmehr eine besondere Ausführungsform einer mit einem Doppelbasistransistor arbeitenden

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BAD ORIGfNAL

Triggerschaltung für einen gesteuerten -Siliziumgleichrichter vor^ die so ausgebildet ist, daß sie als Steuerschaltung für eine Heizvorrichtung auf eine optimale"Weise arbeitet. Allgemein gesprochen umfaßt die Steuerschaltung einen gesteuerten Siliziumgleichrichter, der mit dem Stromverbraucher, z.B. dem Heizelement einer Heizdecke, in Eeihe geschaltet ist. Da nur ein einziger gesteuerter Siliziumgleichrichter vorgesehen ist, kann die Schaltung .nur nach dem Halbwellen- oder Einwegprinzip arbeiten» Der gesteuerte Siliziumgleichrichter wird durch einen Doppelbasistransistor gesteurt, der leitfähig wird und einen Ausgangsimpuls erzeugt, wenn der Kondensator im Emitterkreis auf einen Spannungswert aufgeladen I wird, der der Zündspannung des Transistors entspricht. Der Punkt, an dem der Kondensator in einem hinreichenden Ausmaß aufgeladen ist, wird durch einen verstellbaren Widerstand Ep bestimmt, der mit dem Kondensator in Reihe geschaltet ist, sowie durch einen mit dem Kondensator parallelgeschalteten Temperaturfühler. Ein solcher Temperaturfühler hat definitionsgemäß die Aufgabe, eine Temperatur zu fühlen und die elektronische Regelschaltung abzugleichen und zu steuern« Der Temperaturfühler hat entweder einen positiven oder einen negativen Temperaturbeiwert, und er kann in Verbindung mit weiteren variablen Widerständen und/oder Kondensatoren benutzt werden, um die den gesteuerten Siliziumgleichrichter enthaltende f

Schaltung sehr genau zu triggern bzw« zu steuern.

Die Erfindung und vorteilhafte Einzelheiten der Erfindung werden im folgenden an Hand schematischer Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher erläutert.

Fig. 1 und 2 zeigen in schematischen Schaltbildern zwei Ausführungsformen der Erfindung.

In Fig. 1 ist eine Wechselstromquelle bekannter Art angedeutet, die an Eingangsklemmen Λ und 2 angeschlossen werden kann. Eine Reihenschaltung, die eine Diode D^ und einen Widerstand R^. umfaßt, ist gemäß Fig.. 1 an die Knoten-

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punkte Δ und B der Schaltung angeschlossen. Zwischen der Eingangsklemme 1 und dem Knotenpunkt A ist vorzugsweise eine Sicherung F vorgesehen. Eine Zenerdiode D₇, liegt zwischen dem Knotenpunkt B und der Eingangskiemme 2. Ferner sind ein verstellbarer Widerstand Rp und eine weitere Diode Do mit dem Kondensator C in Eeihe geschaltet» Der Temperaturfühler T ist mit dem Kondensator C parallelgeschaltet. Die gemeinsame Verbindung zwischen der Kathode der Diode D~, dem Temperaturfühler T und dem Kondensator C ist an den Emitter eines Doppelbasxstransxstors UJT angeschlossen. Die Basis 1 dieses Transistors ist mit dem Knotenpunkt B der Schaltung verbunden, während die Basis 2 an die Steuerelekt ode des Siliziumgleichrichters SCR angeschlossen ist. Ein Widerstand R, liegt zwischen der Basis 2 des Transistors UJT und der Eingangsklemme 2. Die Heizvorrichtung L ist mit der Anode und der Kathode des Siliziumgleichrichters in Reihe geschaltet und diese Reihenschaltung liegt zwischen dem Knotenpunkt A und der Eingangskiemme 2. Bei der Heizvorrichtung L kann es sich z.B. um eine Heizwicklung oder dergleichen handeln»

Bei der Schaltung nach Pig. 1 hat der T mperaturfühler T einen negativen Temperaturbeiwert, und die elektrischen Werte der Widerstände R^, Rg, des Temperaturfühlers T und des Kondensators C sind so gewählt, daß sie die Einschaltdauer des Siliziumgleichrichters in Abhängugkeit von der gewählten Temperatur regeln, auf die die Heizvorrichtung mit Hilfe des variablen Widerstandes R2 eingestellt worden ist, sowie in Abhängigkeit von der tatsächlichen Temperatur der mit Hilfe der Heizvorrichtung zu beheizenden Zone, welche die Temperatur des Fühlers T beeinflußt.

Die in Fig. 2 gezeigte Schaltung umfaßt einen Temperaturfühler T mit einem positiven Temperaturbeiwert, und die Triggerschaltung arbeitet auf eine etwas andere Weise. Gemäß Fig. 2 ist die obere Klemme des Temperaturfühlers mit dem Knotenpunkt B und der oberen Klemme des Widerstände« R₂ verbunden, und der Temperaturfühler ist mit der oberen Klemme

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des Kondensators C in Reihe geschaltet, wobei er den verstellbaren Widerstand E₂ überbrückt. Bei dieser Schaltung wird ein Temperaturfühler mit einem positiven Temperaturbeiwert benötigt, und in diesem Fall muß die Schaltung etwas abgeändert werden. Die übrigen Teile der Schaltung bleiben unverändert und entsprechen der Darstellung in Fig. 1.

Bekanntlich ist ein gesteuerter Siliziumgleichrichter ein Schaltungselement, das einen Strom nur in einer Sichtung durchläßt. Auß rdem muß man eine Energiemenge, die mindestens gleich der Schwellenergie der Steuerelektrode des Siliziumgleichrichters ist, der Steuerelektrode während der positiven Halbperiode des Wechselstroms zuführen, der der Anode und der Kathode zugeführt wird, um den Gleichrichter zu zünden und ihn leitfähig zu machen. Ein solcher Smliziumgleichrichter bleibt während des verbleibenden Teils der positiven Halbperiode nach dem Zünden selbst dann weiter leitfähig, wenn danach seiner Steuerelektrode eine Energiemenge zugeführt wird, die kleiner ist als die Schwellenergie, und der Gleichrichter bleibt leitfähig, bis seine Anode und Kathode in der Gegenrichtung vorgespannt werden·

Die einen Doppelbasistransistor umfassende Triggerschaltung ermöglicht in Verbindung mit dem gesteuerten Siliziumgleichrichter eine Halbweg-Phasenregelung für den Be- λ trieb der Heizvorrichtung L, Der der Steuerlekörode des Siliziumgleichrichters zugeführte Strom kann der an der Anode und der Kathode liegenden Spannung um maximal 90° vorauseilen, was sich Jeweils nach den elektrischen Werten der Widerstände E^j, Rg, des Temperaturfühlers oder Heißleiters T und des Kondensatprs 0 richtet. Durch Ändern der relativen Größe der elektrischen Werte der Widerstände und des Kondensators ist es möglich, den Zündwinkel, d.h. den Punkt im Verlauf der positiven Halbperiode, in dem der Siliziumgleichrichter gezündet wird, und damit auch die Einschaltzei.t des Siliziumgleichrichters entsprechend zu variieren.

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Die Diode D,- bewirkt eine Halbweggleichrichtung des zugeführten Wechselstroms. Die Zenerdiode D, beschneidet und regelt die Spannung sowie die Spitzen der Signale, die an dem Knotenpunkt B und der Eingangsklemme 2 erscheinen. Die Widerstände E_x. und R₂ bestimmen in Verbindung mit dem Temperaturfühler oder Heißleiter T und dem Kondensator C die Arbeitskennlinie des Doppelbasistransistors UJT. Genauer gesagt bestimmen die relativen elektrischen Werte dieser Schaltungselemente in Verbindung mit der Amplitude des zugeführten Wechselstroms die Geschwindigkeit, mit der der Kondensator C aufgeladen wird, and daher auch das Leitfähigkeitsverhalten des Doppslbasistransistors. Wenn dieser

ψ Transistor UJT leitfähig gemacht wird, läßt er an dem Widerstand R, eine Spannung erscheinen, die ausreicht, um den gesteuerten Siliziumgleichrichter zu zünden. Vergrößert man den Widerstandswert des verstellbaren Widerstandes Rp, wird der Doppelbasistransistor in einem späteren Zeitpunkt leitfähig gemacht, und daher wird der gesteuerte Siliziumgleichrichter veranlaßt, während der positiven Halbperiode des zugeführten Wechselstroms in einem späteren Zeitpunkt zu zünden. Hierdurch, wird die Einschaltzeit des Siliziumgleichrichters' verkürzt, eo daß die Heizvorrichtung L je Zeiteinheit eine kleinere Wärmemenge erzeugt. Verringert man dagegen den Widerstandswert des verstellbaren Widerstandes R₂, wird

^ die Einschaltzeit des Siliziumgleichrichters entsprechend verlängert. Somit bestimmt die Einstellung des variablen Widerstandes R₂ in Verbindung mit dem Temperaturfühler T die Einschaltzeit des Siliziumgleichrichters, die daher nach Bedarf variiert werden kann, um die gewünschte Temperatur zu erzielen.

Der in Pig. 1 gezeigte Temperaturfühler T hat einen negativen Temperaturbeiwert, und er steuert den Doppelbasistransistor UJT so, daß der Transistor den Siliziumgleichrichter nicht veranlaßt, zu zünden, wenn die tatsächliche Temperatur, auf die der Temperaturfühler T anspricht, die . mit Hilfe des variablen Widerstandes Rp eingestellte bzw.

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gewählte Temperatur erreicht oder überschreitet. In diesem Fall ist die Einsehaltzeit des Siliziumgleichrichters gleich Null, und die Heizvorrichtung L erzeugt keine Wärme. Somit bewirkt eine Änderung des Widerstandes des Temperaturfühlers T in Abhängigkeit von der durch die Heizvorrichtung L hervorgerufenen tatsächlichen Temperatur, daß die Einschaltzeit des gesteuerten Siliziumgleichrichters in der beschriebenen Weise geregelt wird.

Wenn der Temperaturfühler T mit dem verstellbaren Widerstand Ep gemäß Fig. 2 parallelgeschaltet ist, kann man einen Temperaturfühler mit einem.positiven Temperaturbeiwert ver- ä wenden, doch arbeitet die Schaltung nach Fig. 2 ähnlich wie diejenige nach Fig. 1.

Nimmt man an, daß die gewählte Temperatur niedriger ist als^ die tatsächliche Temperatur, spannt der entsprechende Widerstand des Temperaturfühlers T gemäß Fig. 1 den Doppelbasistransistor UJT so vor, daß r leitfähig wird, um den Siliziumgleichrichter zu veranlassen, an einem bestimmten Punkt während der positiven Halbperiode zu zünden» Wenn dies geschieht, wird die Heizvorrichtung L veranlaßt, eine weitere Erhöhung der tatsächlichen Temperatur zu bewirken, woraufhin der Widerstand des Temperaturfühlers T bei der Schaltung nach Fig. 1 wieder abnimmt. Bei der Schaltung nach Fig. 2 nimmt | der Widerstand des Temperaturfühlers dagegen zu, und die wirksame Ladezeit des Kondensators C nimmt ebenfalls zu, so daß der Doppelbasistransistor UJT den Siliziumgleichrichter SCE veranlaßt, in einem späteren Zeitpunkt während der posi- · tiven Halbperiode zu zünden, so daß die Einschalt ze it verkürzt wird. Dieser Vorgang setzt sich fort, bis die gewählte Temperatur gleich der tatöächliclien Temperatur ist oder diese überschreitet» Sobald dies geschieht, wird der Widerstand des Temperaturfühlers T bei den beiden Schaltungen in einem hinreichenden Ausmaß verkleinert bzw. vergrößert, um zu bewirken, daß die Einschaltzeit des Siliziumgleichrichters gleich Null wird. Dieser Betriebszustand bleibt so lange, bestehen, wie die tatsächliche Temperatur die vorgewählte

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- 8 Temperatur überschreitet.

Allgemein gesprochen bildet der gesteuerte Siliziumgleichrichter SCR eine Tor- oder Gatterschaltung, durch die die Heizvorrichtung L eingeschaltet wird, wenn die Gatterschaltung leitfähig ist, und durch die die Heizvorrichtung abgeschaltet wird, sobald die Gatterschaltung ihre Leitfähigkeit verliert. Je länger die Einschaltzeit des Siliziumgleichrichters ist, desto länger wird daher die Einschaltzeit der Heizvorrichtung L, und die Heizvorrichtung erzeugt eine entsprechend größere Wärmemenge. Somit hält die Regelschaltung die tatsächliche Temperatur relativ konstant auf dam gewählten Wert, und zwar insbesondere d· shalb, weil der Siliziumgleichrichter schnell auf Änderungen der seiner Steuerelektrode zugeführten Energiemenge anspricht.

Natürlich kann man zur Verwendung in Verbindung mit der beschriebenen Regelschaltung einen Ein- und Ausschalter sowie eine Anzeigelampe vorsehen. Diese Schaltungselemente sind von bekannter Art und daher in den Zeichnungen nicht dargestellt. Ferner kann man den verstellbaren Widerstand R₂ durch ein Potentiometer ersetzen, und, wie erwähnt, kann man einen Heißleiter mit einem negativen Temperaturbeiwert oder einen Temperaturfühler mit einem positiven Temperaturbeiwert verwenden, wenn man die Triggerschaltung entsprechend abändert .

Ansprüche:

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Claims

ANSPRÜCHE

Vi. ) Regel Schaltung für eine Heizvorrichtung aus flexiblem Material, gekennzeichnet durch eihenStromquelle mit einer ersten und einer zweiten Klemme (1, 2), ein Heizelement (L), einen gesteuerten Siliziumgleichrichter (SCR) mit einer Anode, einer Kathode und einer Steuerelektrode, wobei das Heizelement und die Anode sowie die Kathode des · . Siliziumgleichrichters in Reihe geschaltet und' an die erste und die zweite Klemme angeschlossen sind, einen Doppelbasistransistor (UJT) mit einer ersten und einer zweiten Basis (1, 2) und einer Steuerelektrode, erste Gleichrichtermittel .(D,,), die zwischen einer der erwähnten Klemmen und der ersten Bcsis (1) des Doppelbasistransistors angeschlossen sind, um dieser Basis nur positive Signale zuzuführen-, sowie durch einen !Temperaturfühler (T) mit einem variablen Widerstand, der mit einem zweiten verstellbaren Widerstand (Rg) ^UD-ä einem Kondensator (C) verbunden ist und dazu dient, den Doppelbasis-Triggertransistor zu steuern.
2. Regelschaltung für eine Heizvorrichtung aus flexiblem ~ . Material, gekennzeichnet durch eine Stromquelle mit einer ersten und einer zweiten Klemme, ein Heizelement (L), einen gesteuerten Siliziumgleichrichter (SCR) mit einer Anode, einer Kathode und einer Steuerelektrode, wobei das Heizelement sowie die Anode und die Kathode des Siliziumgleichrichters zwischen.den erwähnten Klemmen in Reihe geschaltet sind, einen Doppelbasistransistor (UJT) mit einer ersten und einer zweifcen Basis (1, 2) und einer Steuerelektrode, erste Gleichrichtermittel (D.*), die zwischen einer der erwähnten Klemmen und der ersten B; sis des Doppelbaais«= transistors angeschlossen sind* um dieser Basis nur"positive

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Signale zuzuführen, sowie durch, eine Reihenschaltung, die variable Widerstandsmittel umfaßt, welche mit kapazitiven Mitteln (C) in Reihe geschaltet sind, wobei ein Temperaturfühler (T) mit den kapazitiven Mitteln parallelgeschaltet ist, wobei der Temperaturfühler und die kapazitiven Mittel zwischen der ersten Basis des Doppelbasistransistors und der anderen der erwähnten Klemmen angeschlossen sind, wobei der Knotenpunkt zwischen den variablen Widerstandsmitteln, dem Temperaturfühler und den 'kapazitiven Mitteln mit der Steuerelektrode verbunden sino... und wobei die zweite Basis des Doppelbasistransistors über ein Vorspannetzwerk mit der Steuerelektrode des Siliziumgleichrichters verbunden ist.
3. Regelschaltung: für eine Heizvorrichtung aus flexiblem Material, gekennzeichnet durch, eine Stromquelle mit einer ersten und einer zweiten Klemme, ein Heizelement (L), einen gesteuerten Siliziumgleichrichter (SCR) mit einer Anode, einer Kathode und einer Steuerelektrode, wobei das Heizelement sowie die Anode und die Kathode des Siliziumgleichrichters in Reihe geschaltet und mit den erwähnten Klemmen verbunden sind, einen Doppelbasistransistor (UJT) mit einer ersten und einer zweiten Basis (1, 2) und einer Steuerelektrode, erste Gleichrichtermittel (D,.), die zwischen einer der erwähnten Klemmen und der ersten B:sis des Doppelbasistransistors angeschlossen sind, um dieser Basis nur positive Signale zuzuführen, sowie durch variable Widerstandsmittel (Rp)» die mit einem Temperaturfühler (T) parallelgeschaltet und mit kapazitiven Mitteln (C) in Reihe geschaltet sind, wobei der Temperaturfühler, die kapazitiven Mittel und die variablen Widerstandsmittel gemeinsam mit der Steuerelektrode verbunden sind, wobei eine Klemme des Temperaturfühlers und der variablen Widerstandsmitfcel mit einer Bdsis des Doppelbasisfcransistors verbunden sind, und wobei die andere Klemme des Kondensators mit der zweiten der erwähnten Klemmen verbunden ist.

(J Γ! ν B A 1 / t ? 3 7 BAD ORIGINAL

'ti
4. Eegelschaltung nach Anspruch 1, gekennz eic h η e t durch eine zwischen der ersten Be.sis (1) des Doppelbasistransistors (UJT) und der anderen der erwähnten Klemmen angeschlossene Zenerdiode (D,) ο
5· Eegelschaltung nach Anspruch 2,gekenn- ■ zeichnet durch eine zwischen der ersten Basis (1) des Doppelbasistransistors (UJT) und der anderen der erwähnten Klemmen angeschlossene Zenerdiode (D,). · ■
6. Eegelschaltung nach Anspruch 3» gekennzeichnet durch eine zwischen der ersten Basis (1) des Doppelbasistransistors (UJT) und der andere der erwähnten Klemmen angeschlossene Zenerdiode (D^) ·
7. . Eegelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Vorspannetzwerk zwischen der zweiten ^asis (2) und der anderen der erwähnten Klemmen angeschlossene Widerstandsmittel (E,) umfaßt.
8. Eegelschaltung nach Anspruch 2, dadurch g e k e η η zeichne t , daß das Vorspannetzwerk zwischen der zweiten Basis (2) und der anderen der erwähnten Klemmen angeschlossene Widerstandsmittel (E,) umfaßt.
9 ο Eegel schaltung nach Anspruch 31 dadurch gekennzeichnet ,· daß as Vorspannetzwerk zwischen der zweiten Basis (2) und der anderen der erwähnten Klemmen angeschlossene Widerstandsmittel (E,) umfaßt. ·
10. Regelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem variablen Widerstand eine thermostatische Hegelvorrichtung zusammenarbeitet.
11 ο Regelschaltung nach Anspruch 2, dadurch g e k e η η ze ichnet , daß mit dem variablen Widerstand eine thermostatisehe Regelvorrichtung zusammenarbeitet.
12„ Eegelschaltung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet , daß der variable Widerstand mit einer thermostatischen If-celvorrichtung zusammenarbeitet. ^:- ^:"· ^: ' 009841 /1 297 \

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13. Regelschaltung nach Anspruch 1, gekenn-

z eichnet durch zweite Gleichrichtermittel, die so gepolt sind, daß sie verhindern, daß an dem gemeinsamen Knotenpunkt erscheinende positive Signale den Widerstandsmitteln zugeführt werden, die zwischen letzteren und dem gemeinsamen Knotenpunkt angeordnet sind.
14. Regelschaltung nach Anspruch 2, gekenn-

z eichnet durch zweite Gleichrichtermittel, die so gepolt sind, daß sie verhindern, daß an dem gemeinsamen Knotenpunkt erscheinende positive Signale den zwischen ihnen und dem gemeinsamen Knotenpunkt angeordneten variablen Widerstandsmitteln zugeführt werden.
15. Regelschaltung nach Anspruch 3, gekenn-

z eichnet durch zweite Gleichrichtermittel, die so gepolt sind, daß sie verhindern, daß an dem gemeinsamen Knotenpunkt erscheinende positive Signale den zwischen ihnen und dem gemeinsamen Knotenpunkt angeordneten variablen Widerstandsmitteln zugeführt werden.

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