DE2012978C3

DE2012978C3 - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE2012978C3
Application number: DE19702012978
Authority: DE
Inventors: Cornells Albertus Nijmegen Bosselaar (Niederlande)
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1969-03-25
Filing date: 1970-03-18
Publication date: 1976-12-23

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer an eine praktisch ebene Oberfläche des Körpers grenzenden ersten Zone vom ersten Leitungstyp, einer an diese Oberfläche grenzenden zweiten Zone vom zweiten Leitungstyp die innerhalb des Halbleiterkörpers in die erste Zone eingebettet ist, wobei der PN-Übergang zwischen der ersten und der zweiten Zone an der genannten Oberfläche endet, und zur Erhöhung der Durchbruchsspannung des PN-Übergangs mindestens einer neben der zweiten Zone liegenden weiteren Zone vom zweiten Leitungstyp, die an die genannte Oberfläche greiat und innerhalb des Halbleiterkörpers ebenfalls in die erste Zone eingebettet ist, wobei der PN-Übergang zwischen der ersten und der weiteren Zone an der Oberfläche endet und wobei die weitere Zone die zweite Zone umgibt, während auf der Oberfläche eine Isolierschicht angebracht ist, die mit einem Kontaktfenster versehen ist, in dem eine Kontaktschicht auf der zweiten Zone angebracht ist.

Eine derartige Halbleiteranordnung ist z. B. aus der US-PS 3391287 bekannt. Dabei ist die zweite Zone von einer oder mehreren weiteren Zonen umgeben, wobei jede folgende weitere Zone die zweite Zone und alle vorangehenden weiteren Zonen umgibt. Durch solche weiteren Zonen vom zweiten Leitungstyp konnte die Durchschlagsspannung zwischen der ersten und der zweiten Zone durch Verringerung des Einflusses der Oberflächenzustände auf den Durchschlag erheblich gesteigert werden.

Es hat sich aber gezeigt, daß solche Anordnungen unter Umständen nicht stabil sind, da beim Betrieb des Bauelements - wenn der PN-Übergang zwischen der ersten und der zweiten Zon ein Sperrichtung vorgespannt ist - die Isolierschicht elektrisch aufgeladen wird und dabei versucht, das Potential der Kontaktschicht anzunehmen. Dadurch kann in der ersten Zone eine Oberflächenschicht vom zweiten Leitungstyp, eine sogenannte Inversionsschicht, induziert werden, die die weiteren Zonen miteinander und mit der zweiten Zone verbindet, so daß die Wirkung der weiteren Zone neutralisiert und die Durchschlagsspan-

zwischen der ersten und der zweiten Zone her-" wird.

Die Unstabilität und die Herabsetzung der Durchschlagsspannung können auch dem Umstand zuzutreiben sein, daß die Übergänge zwischen P- und !^dotierten Gebieten Kristallfehlei' enthalten, die eine Herabsetzung der Durchschlagsfeldstärke der PN-Übergänge bewirken.

Weiter ist es möglich, daß sich an der Halbleiteroberfläche ?.*äch spontan eine Inversionsschicht bildet, die auch ohne das Anlegen von Spannungen vorhanden ist und die sich genauso nachteilig auswirkt wie die obengenannte Inversionsschicht.

Der Vollständigkeit halber sei hier erwähnt, daß es z.B. aus der US-PS 3405329 an sich bekannt ist, Diversionsschichten an der Oberfläche von Halbleiterkörpern unter Isolierschichten durch auf der Isolierschicht liegende Metallschichten zu beeinflussen.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiteranordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, bei der die Durchschlagsspannung zwischen der ersten und der zweiten Zone gegenüber den bekannten Anordnungen heraufgesetzt ist, und zwar auch dann, wenn sich zwischen der zweiten Zone und der weiteren Zone, bzw. den weiteren Zonen, spontan ein Inversionskanal bilden könnte.

Ausgehend davon, daß die elektrischen Eigenschaften der Halbleiteranordnung in erheblichem Maße dadurch verbessert werden können, daß mindestens eine der weiteren Zonen mit einer auf der Isolierschicht liegenden Metallschicht verbunden wird, wird die genannte Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf der Isolierschicht mindestens eine leitende Schicht angebracht ist, die die Kontaktschicht praktisch völlig umgibt und durch eine öffnung in der Isolierschicht nvt einem Oberflächenteil einer weiteren Zone verbunden ist, wobei der Oberflächenteil einen Abstand vom Außenumfang dieser weiteren Zone aufweist und die leitende Schicht sich sowohl über den Innenumfang als auch über den Außenumfang der weiteren Zone hinaus bis über die erste Zone erstreckt, und daß neben der weiteren Zone auf der Seite der Kontaktschicht eine Oberflächenzone vom ersten Leitungstyp derart an die weitere Zone angrenzt, daß der PN-Übergang zwischen der Oberflächenzone und der weiteren Zone an der Oberfläche von der leitenden Schicht wenigstens teilweise abgedeckt und praktisch kurzgeschlossen ist, und wobei die Oberflächenzone einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die erste Zone aufweist und die Kontaktschicht praktisch völlig umgibt und, parallel zu der Oberfläche gemessen, der Abstand der Kontaktschicht von der mit der weiteren Zone verbundenen leitenden Schicht kleiner ist als der Abstand der Kontaktschicht von der Oberflächenzone.

Durch das Anbringen einer leitenden Schicht wird die Durchschlagsspannung zwischen der ersten und der zweiten Zone und die Stabilität des Bauelements in erheblichem Maße gesteigert, und zwar auch bei Bildung einer spontanen Inversionsschicht, wobei die Anordnung trotzdem kompakt ausgebildet werden kann.

Da im Betriebszustand der PN-Übergang zwischen der weiteren Zone und der ersten Zone auf der Außenseite der weiteren Zone in Sperrichtung polarisiert ist, was an sich aus der US-PS 3 391287 bekannt ist, kann dieser sich über den Außenumfang der weiteren Zone erstreckende Teil der leitenden Schicht eine Inversionsschicht in dem darunter liegenden Gebiet der ersten Zone induzieren oder wenigstens eine derartige Feldverteilung herbeiführen, daß die Höchstfeldstärke an der Oberfläche in einem gewissen

Abstand von dem Übergang zwischen der weiteren Zone und der ersten Zone auftritt, der im allgemeinen Kristallfehler enthält, die eine Herabsetzung der Durchschlagsspannung bewirken können. Weiter ist die auch aus der genannten US-PS 3 391287 bekannte

ίο Tatsache von besonderer Bedeutung, daß der Strom, der im Betriebszustand in Sperrichtung über den PN-Übergang zwischen der ersten und der zweiten Zone längs der Halbleiteroberfläche fließt, die Polarisierung der der zweiten Zone zugewandten Seite—der Innen-

seite - des PN-Übergangs zwischen einer weiteren Zone und der ersten Zone in der Durchlaßrichtung herbeiführt, während dieser PN-Übergang auf der Außenseite der weiteren Zone in Sperrichtung polarisiert ist. Dadurch wird auf der Innenseite des PN-

ao Übergangs zwischen dieser weiteren Zone und der ersten Zone das elektrische Feld über der Erschöpfungsschicht nahezu gleich 0 und die mit dieser weiteren Zone verbundene leitende Schicht nimmt praktisch das Potential des an die Innenseite der wei teren Zone grenzenden Teils der ersten Zone an.

Die leitende Schicht, die wie oben erwähnt, praktisch das Potential des an den Innenumfang der weiteren Zone grenzenden Teils der ersten Zone aufweist, erstreckt sich über den erwähnten Innenumfang bis oberhalb der ersten Zone. Diese leitende Schicht kann dadurch als Feldkorrekturelektrode wirken und veranlaßt eine derartige Feldverteilung über der Isolierschicht, daß der Bildung einer Inversionsschicht entgegengewirkt wird, oder daß, wenn eine derartige Inversionsschicht bereits vorhanden ist, ohne daß Spannungen angelegt sind, eine Erweiterung dieser Schicht verhindert wird. Da jedoch der PN-Übergang zwischen der weiteren Zone und der ersten Zone auf der Außenseite der weiteren Zone in Sperrichtung polarisiert ist, wird die Gesamtsperrspannung zwischen der ersten und der zweiten Zone an der Oberfläche über die vorhandenen weiteren Zonen verteilt, wobei die Spannung zwischen einer leitenden Schicht und der ersten, bzw. der zweiten Zone, verhältnismä-

♦5 Big niedrig bleibt. Dadurch wird eine beträchtliche Erhöhung der Durchschlagsspannung und der zulässigen Betriebsspannung erreicht.

Um nun die spontane Bildung eines Inversionskanals zwischen der zweiten Zone und der bzw. den wei- teren Zonen zu vermeiden, grenzt neben mindestens einer weiteren Zone auf der Seite der Kontaktschicht eine Oberflächenzone vom ersten Leitungstyp derart an die die weitere Zone an, daß der PN-Übergang zwischen dieser Oberfiächenzone und der weiteren Zone an der Oberfläche von der leitenden Schicht wenigstens teilweise abgedeckt und kurzgeschlossen ist. Diese Oberflächenzone weist einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die erste Zone auf und umgibt die Kontaktschicht praktisch völlig. Parallel zu der

Oberfläche gemessen ist der Abstand der Kontaktschicht von der mit der weiteren Zone verbundenen leitenden Schicht kleiner als der Abstand der Kontaktschicht von dieser Oberflächenzone. Dadurch werden hinsichtlich der stabilisierenden Wirkung der leitenden Schicht sowohl am Innenumfang wie auch am Außenumfang des PN-Übergangs zwischen der weiteren Zone und der ersten Zone eindeutige Spannungsverhältnisse geschaffen. Gleichzeitig wirkt diese

Oberflächenzone als Kanalunterbrecher. mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet. Gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung Fig. 1 zeigt den Querschnitt eines Teils einer Halb

umgibt der Oberflächenteil der weiteren Zone, mit leiteranordnung nach der Erfindung. Die Anordnunj

dem die leitende Schicht verbunden ist, die Kontakt- ist rotationssymmetrisch zu der Linie M-M.

schicht praktisch vollständig. S Die Halbleiteranordnung umfaßt in dem darge

Eine etwa sich auf der Außenseite der äußeren wei- stellten Ausführungsbeispiel einen Transistor mit ei

teren Zone bildende Inversionsschicht kann dort noch nem Halbleiterkörper 1 aus Silizium mit einer prak

einen Durchschlag an der Oberfläche veranlassen, tisch ebenen Oberfläche 2. An diese Oberfläche ί

wenn auch nur bei viel höheren Spannungen zwischen grenzen eine erste P-leitende Zone 3 und eine zweite

der ersten und zweiten Zone als beim Fehlen der wei- io N-leitende Zone 4, die innerhalb des Halbleiterkör

teren Zone. pers völlig von der Zone 3 umgeben ist. Der PN

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfin- Übergang 5 zwischen den Zonen 3 und 4 endet ai

dung kann dieses dadurch verhindert werden, daß auf der Oberfläche 2.

der Isolierschicht eine weitere leitende Schicht liegt, Auf der ebenen Oberfläche 2 ist eine Isolier die die andere leitende Schicht praktisch völlig umgibt 15 schicht 6 aus Siliziumoxid angebracht, die mit einen und durch eine öffnung in der Isolierschicht elektrisch Kontaktfenster 7 versehen ist, in dem eine Alumini mit einem Oberflächenteil der ersten Zone verbunden umkontaktschicht 8 auf der zweiten Zone 4 ange ist, wobei, parallel zu der Oberfläche gemessen, der bracht ist. Die Ausführungsbeispiele nach den Fig. 1 Abstand der Kontaktschicht von der weiteren leiten- und 2 enthalten ferner eine P-leitende Zone 9, die den Schicht kleiner ist als der Abstand von dem ge- 20 über eine öffnung in der Oxidschicht 6 mit einer Alunannten Oberflächenteil. Diese weitere leitende miniumschicht 10 verbunden ist. Dabei bildet die Schicht kann wieder als Feldkorrekturelektrode wir- Zone 9 die Emitterzone, die Zone 4 die Basiszone und ken und dadurch der Bildung einer Inversionsschicht die Zone 3 die Kollektorzone eines Transistors. Eine entgegenwirken, während auf der Außenseite dieser Metallschicht 30 bildet einen praktisch ohmscher weiteren leitenden Schicht kein Inversionskanal indu- 25 Kontakt mit der Kollektorzone 3. Im Betriebszustand ziert wird. ist der PN-Übergang 5 zwischen den Zonen 3 und 4

Der Oberflächenteil der ersten Zone kann dabei in Sperrichtung vorgespannt, während der PN-Über-

die weitere Zone praktisch völlig umgeben. gang zwischen den Zonen 4 und 9 in Durchlaßrichtung

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfin- vorgespannt ist.

dung ist die weitere leitende Schicht - um einen guten 30 Die Anordnung enthält ferner zur Steigerung dei

elektrischen Kontakt mit der ersten Zone zu erhalten Kollektordurchschlagsspannung eine neben der zwei-

- mit einer an die Oberfläche grenzenden Kontakt- ten Zone 4 liegende weitere N-leitende Zone 15, die

zone vom ersten Leitungstyp verbunden, die in der an die Oberfläche 2 grenzt und innerhalb des Halblei-

ersten Zone angebracht ist und einen niedrigeren spe- terkörpers völlig von der ersten Zone 3 umgeben ist.

zifischen Widerstand als die erste Zone aufweist und ₃₅ Dabei endet der PN-Übergang zwischen der Zone 3

die erwähnten weiteren Zonen praktisch völlig um- und der Zone 15 gleichfalls an der Oberfläche 2. Die

gibt. Zone IS umgibt die zweite Zone 4.

Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfin- Die Kollektordurchschlagsspannung des auf diese dung wird die erste Kontaktschicht vorteilhaft so groß Weise gebildeten Transistors hat sich in der Praxis als ■gewählt, daß sie sich bis über die erste Zone erstreckt. 40 nicht stabil erwiesen, da beim Betrieb die Oxid-Dadurch wird auch am PN-Übergang zwischen der schicht 6 elektrisch aufgeladen wird. Dadurch kann ersten und der zweiten Zone der Punkt mit der hoch- in der P-leitenden Zone 3 an der Oberfläche eine N-sten Feldstärke an der Oberfläche derart verschoben, leitende Schicht (eine Inversionsschicht) gebildet daß er in einiger Entfernung von dem PN-Übergang werden, die die Zone 15 mit der zweiten Zone 4 verliegt, wodurch die oben beschriebenen Vorteile erhal- 45 bindet. Dadurch wird die Wirkung der Zone 15 neuten werden. tralisiert, wodurch die Durchschlagsspannung zwi-

Die erfindungsgemäße Ausbildung der Halbleiter- sehen den Zonen 3 und 4 abnimmt, anordnung ist dann von besonderem Vorteil, wenn Um diese Abnahme der Kollektordurchschlagsdie erste Zone aus P-leitendem Silizium besteht, da spannung zu verhindern, ist auf der Oxidschicht 6 eine die erwähnten spontanen Inversionskanäle sich leicht 50 elektrisch leitende Schicht 19 aus Aluminium angeauf diesem Material bilden, z.B. infolge thermischer bracht, die die Kontaktschicht 8 umgibt und durch Oxidation, wie sie bei der Herstellung planarer Struk- eine öffnung in der Oxidschicht 6 mit einem Oberfiäturen üblich ist. Die Erfindung ist weiterhin von be- chenteil der Zone 15 verbunden ist Diese Oberfläsonderer Bedeutung bei einer Halbleiteranordnung, chenteüe umgeben die Kontaktschicht 8 und liegen in der die erste Zone die Kollektorzone und die zweite ₅₅ auf Abstand von dem Außenumfang der weiteren Zone die Basiszone eines Hochspannungs-Transistors Zone 15. Dabei ist, parallel zu der Oberfläche 2 gebildet, messen, der Abstand der Kontaktschicht 8 von der

Zwei Ausführungsformen der Erfindung sind in der leitenden Schicht 19 kleiner als der Abstand der Kon-Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher taktschicht 8 von der Zone 15 und auch kleiner als beschrieben. Es zeigt _ΐο der Abstand der Kontaktschicht 8 von der öffnung

Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Halbleiteran- in der Oxidschicht 6 über der Zone 15. Ordnung nach der Erfindung und Dadurch, daß im Betriebszustand längs der Ober- Fig.2 eine besondere Ausfühningsform der fläche 2 ein gewisser Sperrstrom durch den Halblei- Scbicht 19 der Anordnung nach Fig. 1. terkörper (in üblichem Sinne von der Zone 3 zu der

Die Figuren sind schematisch und nicht maßstäblich 65 Zone 4) fließt, wird der PN-Übergang auf der Innengezeichnet, wobei insbesondere die Abmessungen in seite der Zone 15 in Durchlaßrichtung polarisiert, der Dickenrichtung der Deutlichkeit halber stark während dieser PN-Übergang auf der Außenseite der übertrieben dargestellt sind. Entsprechende Tefle sind Zone 15 in Sperrichtung polarisiert ist. Die Schicht

19 nimmt dadurch praktisch das Potential des an die Innenseite der Zone 15 grenzenden Teils der Zone 3 an. Die leitende Schicht 19 veranlaßt somit eine derartige Feldverteilung über der Isolierschicht, daß dadurch der Bildung einer Inversionsschicht der oben beschriebenen Art entgegengewirkt wird. Die Gesamtsperrspannung zwischen den Zonen 3 und 4 kann nicht nur von dem PN-Übergang S, sondern auch von dem auf der Außenseite in Sperrichtung polarisierten

schicht 8. Die Zone 41 wirkt als Kanalunterbrecher, während der auf der Seite der Kontaktschicht 8 oberhalb der Zone 3 liegende Teil der Schicht 19, wie oben erwähnt, als Feldkorrekturelektrode wirkt und dafür sorgt, daß die Inversionsschicht 42 (gestrichelt dargestellt) nicht weiter unter dem Einfluß von Ladungsverschiebungen in oder in der Nähe der Oxidschicht 6 verstärkt wird.

Der PN-Übergang 43 zwischen den Zonen 15 und

PN-Übergang 17 aufgenommen werden. Infolge die- io 41 wird durch die Schicht 19 kurzgeschlossen, so daß

ser Spannungsverteilung wird die Höchstfeldstärke an kein unerwünschter Potentialunterschied über dem

der Oberfläche verhältnismäßig niedrig gehalten und Übergang 43 auftreten kann, während außerdem der

außerdem der Potentialunterschied zwischen der zur Verfügung stehende Raum möglichst effektiv ausSchicht 19 und den Zonen 3 und 4 verhältnismäßig

gering. Als Folge davon ist die Durchschlagsspannung zwischen den Zonen 3 und 4 und somit die zulässige Kollektorspannung besonders hoch.

In dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel findet sich die öffnung, durch die die Schicht 19 mit der Zone 15 verbunden
dieser Zone.

genutzt wird.

In den oben beschriebenen Halbleiteranordnungen sind große Teile der Oberfläche mit Metall überzogen. Im Zusammenhang mit manchmal in der Oxidschicht vorkommenden Löchern kann dadurch unter Umständen Gefahr unerwünschter Kurzschlüsse zwischen

ist, völlig innerhalb 20 den Halbleitergebieten auftreten. Diese Gefahr kann dadurch stark verringert werden, daß die Metall-

Auf der Oxidschicht 6 ist ferner eine weitere lei- schichten mit öffnungen oder Aussparungen an dertende Schicht in Form einer Aluminiumschicht 25 an- artigen Stellen versehen werden, daß der Effekt der gebracht, die die leitende Schicht 19 umgibt und durch leitenden Schichten beibehalten wird. Fig. 2 zeigt eine Öffnung in der Oxidschicht 6 elektrisch mit einer 35 beispielsweise eine derartige Abwicklung der leitenzu der Zone 3 gehörigen diffundierten P ⁺-leitenden den Schicht 19. In der Schicht 19 sind auf der Innen-Kontaktzone 27 verbunden ist, die einen niedrigeren seite öffnungen 50 angebracht. Die Außenseite der

Schicht 19 wird vorzugsweise nicht mit öffnungen versehen, damit die induzierten Kanäle an allen Stellen aufrechterhalten werden.

Halbleiteranordnungen nach der Erfindung brauchen keineswegs rotationssymmetrisch zu sein. So können eine oder mehrere Zone oder Metallschichten quadratisch, rechteckig, oval usw. ausgebildet werden,

elektrode wirken und somit der Bildung einer Inver- 35 wobei vorzugsweise die Zwischenräume zwischen den sionsschicht in der darunterliegenden Halbleiterober- unterschiedlichen Metallschichten und die gegenseiti-

spezifischen Widerstand als die Zone 3 aufweist. Dabei ist, parallel zu der Oberfläche 2 gemessen, der Abstand der Kontaktschicht 8 von der weiteren leitenden Schicht 25 kleiner als der Abstand der Kontaktschicht 8 von der Zone 27, die die Zone 15 völlig umgibt. Die Zone 25 kann dabei, ebenso wie die Schicht 19, auf der Innenseite der Zone 15 als Feldkorrekturfläche entgegenwirken. Die Kontaktzone 27, die stärker als der übrige Teil der Zone 3 dotiert ist, verhindert außerdem die Bildung einer Inversionsschicht

gen Abstände der Zonen an ihrem gesamten Umfang gleich gewählt werden. Auch brauchen die Dotierungen und die Dicken von Zonen vom gleichen Lei-

außerhalb der Schicht 25 und dient als Kanalunter- 40 tungstyp nicht einander gleich zu sein. Ferner können

die Emitter- und Basiszonen erforderlichenfalls auf übliche Weise als kammförmige, ineinander eingreifende Zonen ausgebildet werden.

Weiter ist die Erfindung selbstverständlich nicht auf Transistoren beschränkt, sondern kann auch zur Steigerung der Durchschlagsspannung von PN-Übergängen in anderen Halbleiteranordnungen verwendet werden. So entsteht, wenn die Zone 9 und die Kontaktschicht 10 weggelassen werden, eine

brecher.

Dadurch, daß sich die Schicht 19 nicht oberhalb der Zone 4 erstreckt, werden unerwünschte Kapazitäten und unerwünscht hohe Spannungsunterschiede über der Oxidschicht 6 vermieden.

Die leitende Schicht 19 erstreckt sich auf der
Außenseite der Zone 15 bis oberhalb der Zone 3,
während sich auch die Kontaktschicht 8 bis oberhalb
der Zone 3 erstreckt. Dadurch kann, bei dem obenerwähnten Polarisationszustand, unter diesen hervorra- 50 Diode,
genden Teilen der Schichten 8 und 19 im darunterlie- Die dargestellten Ausführungsbeispiele lassen sich

genden Gebiet der Zone 3 eine Inversionsschicht auch so abändern, daß die Zonen 3, 9 und 27 als N-induziert werden oder wenigstens eine derartige Feld- leitende Zonen und die Zonen 4 und 15 als P-leitende verteilung herbeigeführt werden, daß die Höchstfeld- Zonen ausgebildet werden. Als Halbleitennateriä stärke an der Oberfläche in einem Abstand von den 55 können statt Silizium auch andere Materialien, z.B PN-Übergängen an der zweiten Zone und dem Germanium oder HI-V-Verbindungen, verwende ' ' ~~ ------ werden. Die Isolierschicht 6 kann statt aus Silizium

oxid aus anderen Materialien, wie Siliziumnitrid, ode mehreren aufeinanderliegenden Schichten aus ver

Weiter kann sich nun an der Oberfläche der P-lei- 60 schiedenen Materialien bestehen. Die Aluminium tenden Zone 3 spontan ein Inversionskanal bilden, schichten können durch Schichten aus anderen Metal

" ' len ersetzt werden.

Die Form und die Abmessungen der Anordnun sowie die Dotierungen können im Rahmen der Erfir Daher ist weiter eine in die Zone 15 eingreifende dif- 65 dung innerhalb weiter Grenzen geändert werden. Ins fundierte P-leitende Oberflächenzone 41 angebracht, besondere können die Leirungstypen der unterschied die einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die liehen Zonen alle, unter Umkehrung der anzuleger Zone 3 hat. Diese Zone 41 umgibt die Kontakt- den Vorspannungen, umgekehrt werden.

609 652Ί21

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Außenumfang der weiteren Zone 15 auftritt, in denen im allgemeinen Kristallfehler vorhanden sind, die die Durchschlagsspannung herabsetzen könnten.

der auch in Abwesenheit von Polarisationsspannungen vorhanden ist und der im allgemeinen nicht völlig von der Aluminiumschicht 19 eliminiert werden kann.

Claims

Patentansprüche:

1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterkörper mit einer an eine praktisch ebene OberEäehe des Körpers grenzenden ersten Zone vom ersten Leitungstyp, einer an diese Oberfläche grenzenden zweiten Zone vom zweiten Leitungstyp, die innerhalb des Halbleiterkörpers in die erste Zone eingebettet ist, wobei der PN-Übergang »9 zwischen der ersten und der zweiten Zone an der genannten Oberfläche endet,-und zur Erhöhung der Durchbruchsspannung des PN-Übergarigs mindestens einer neben d(*r zweiten Zone liegenden weiteren Zone vom zweiten Leitungstyp, die ¹S an die genannte Oberfläche grenzt und innerhalb des Halbleiterkörpers ebenfalls in die eiste Zone eingebettet ist, wobei der PN-Übergang zwischen der ersten und der weiteren Zone an der Obeifläche endet und wobei die weitere Zone die zweite »° Zone umgibt, während auf der Oberfläche eine Isolierschicht angebracht ist, die mit einem Kontaktfenster versehen ist, in dem eine Kontaktschicht auf der zweiten Zone angebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Isolier- »5 schicht (6) mindestens eine leitende Schicht (19) angebracht ist, die die Kontaktschicht (8) praktisch völlig umgibt und durch eine öffnung in der Isolierschicht mit einem Oberflächenteil einer weiteren Zone (15) verbunden ist, wobei der Oberflächenteil einen Abstand vom Außenumfang dieser weiteren Zone aufweist und die leitende Schicht sich sowohl über den Innenumfang als auch über den Außenumfang der weiteren Zone hinaus bis über die orste Zone (3) erstreckt, und daß neben der weiteren Zone (15) auf der Seite der Kontaktschicht (8) eine Oberflächenzone (41) vom ersten Leitungstyp derart an die weitere Zone (15) grenzt, daß der PN-Übergang zwischen der Oberflächenzone (41) und der weiteren Zone (15) an der Oberfläche von der leitenden Schicht (19) wenigstens teilweise abgedeckt und praktisch kurzgeschlossen ist, und wobei die Oberflächenzone (41) einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die erste Zone (3) aufweist und die Kontaktschicht praktisch völlig umgibt und, parallel zu der Oberfläche gemessen, der Abstand der Kontaktschicht (8) von der mit der weiteren Zone (15) verbundenen leitenden Schicht (19) kleiner ist als der Abstand der Kontaktsehicht (8) von der Oberflächenzone (41).

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Oberflächenteil der weiteren Zone (15) die Kontaktschicht (8) praktisch völlig umgibt.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Isolierschicht (6) eine weitere leitende Schicht (25) liegt, die die andere leitende Schicht (19) praktisch völlig umgibt und durch eine öffnung in der Isolierschicht (6) elektrisch mit einem Oberflächenteil (27) der ersten Zone (3) verbunden ist, wobei, parallel zu der Oberfläche gemessen, der Abstand der Kontaktschicht (8) von der weiteren leitenden Schicht (25) kleiner ist als der Abstand von dem £5 genannten Oberflächenteil (27).

4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Oberflächenteil

(27) der ersten Zone (3) die weitere Zone (15) praktisch völlig, umgibt.

5 Halbleiteranordnung nach Anspruch 3 oder 4 dadurch gekennzeichnet, daß die weitere leitende Schicht (25) mit einer an die Oberfläche grenzenden Kontaktzone (27) vom ersten Leitunestyp verbunden ist, die in die erste Zone (3) eingebettet ist und einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die erste Zone aufweist, und die weitere Zone (15) praktisch völlig umgibt.

6 Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, daß sich die Kontaktschicht (8) bis über die erste Zone (3) erstreckt.

7 Halbleiteranordnung nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zone (3) aus P-leitendem Silizium besteht.

8. Halbleiteranordnung nach emem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zone (3) die Kollektorzone und die zweite Zone (4) die Basiszone eines Hochspannungstransistors bilden.