DE19960573A1 - Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von Halbleiterscheiben - Google Patents
Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von HalbleiterscheibenInfo
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von Schichten, insbesondere von Halbleiterschichten, welche beim Naßätzen entstehen. Durch Hinzufügung eines zweiten schnellen Abspülprozesses unter einem anderen Winkel kann die Rate von fehlerhaften Chips verkleinert werden und kann die Ausbeute des Reinigungsprozesses in hohem Maße vergrößert werden. Der Prozeß umfaßt die Schritte: Ausführen wenigstens eines chemischen Eintauchschrittes, Ausführen eines ersten schnellen Abspülprozesses unter Verwendung von DI-Wasser, Drehen der Schichten um einen vorbestimmten Winkel und dann Ausführen eines zweiten schnellen Abspülprozesses unter Verwendung von DI-Wasser und schließlich Ausführen eines letzten Abwasch- und Trocknungsprozesses.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen
von festen Rückständen auf Schichtoberflächen von Halbleiter
scheiben und insbesondere ein Reinigungsverfahren zum Entfer
nen von festen Rückständen, die in Kontaktbereichen und in
Durchgängen nach einem Ätzprozeß vorliegen.
Die Reinigung von Halbleiterschichten stellt seit vielen Jah
ren einen wichtigen und kritischen Schritt bei der Herstellung
von Halbleitern dar. Insbesondere erfordert das ULSI-Verfahren
(Ultragrößtintegration), die eine Mikro-Tieftechnologie anwen
det, eine schärfere und zuverlässigere Einrichtung zur Steue
rung der Oberflächenglattheit und zur Entfernung von Partikeln
und Verunreinigungen auf der Oberfläche der Siliziumschicht
und in Kontaktbereichen und Durchgängen.
Die Hauptaufgabe des Reinigungsprozesses besteht darin, Verun
reinigungen, Partikel, organische und metallische Rückstände
und andere Verunreinigungen der Schichtoberfläche zu entfer
nen, damit die Anforderungen an die elektrischen und physika
lischen Parameter gut erreicht werden können. Die bekannten
Reinigungsprozesse umfassen chemische Naßreinigungsprozesse,
physikalische Reinigungsprozesse und trockene Reinigungspro
zesse.
Auf der Basis der bekannten chemischen Naßreinigungsprozesse
werden eine Menge von mit einem Schichthalter eingegebenen
Schichten durch einige aufeinanderfolgende Reinigungsschritte
in verschiedenen Behältern naß gereinigt. Die Fig. 1 zeigt
einen Verfahrensablauf eines chemischen Naßreinigungsprozesses
zur Reinigung von Halbleiterschichten. Zuerst werden drei Ein
tauchschritte aufeinanderfolgend in zwei Chemiebehältern 100
und 200 mit ACT (ACT ist die Abkürzung für ACT 935, das von
der Firma Ashland Company geliefert wird und in seiner chemi
schen Struktur Hydroxydsäure enthält) und einem Behälter 300
mit IPA - Isopropyl Alkohol ausgeführt. Nach einem Prozeß 400
des schnellen Abwaschens bzw. Abspülens unter Verwendung DI-
Wasser, werden aufeinanderfolgend ein Endspülschritt 500 und
ein Marangoni-Trocknungsprozeß 600 ausgeführt, um den gesamten
Reinigungsprozeß zu beenden. Der chemische Naßreinigungspro
zeß, der oben erwähnt wurde, kann die Schichtoberfläche bei
gewöhnlichen Situationen reinigen. Seine Reinigungsmöglichkeit
ist jedoch während der Reinigung nach der Ausführung eines
Prozesses zur Öffnung von Kontaktbereichen oder von Durch
gangsöffnungen nur begrenzt. Der Reinigungsprozeß ist beson
ders schwierig, wenn ein Unterätzungsphänomen am Boden eines
Kontaktloches oder eines Durchganges auftritt. Die schlechte
Reinigung in dem Kontaktloch führt häufig zu einem Ausfall des
Halbleiterplättchens bzw. Chips. Die Produktionsrate wird da
durch verschlechtert.
Gemäß der Fig. 2 zeigt ein SEM-Bild (Rasterelektronen
mikroskop-Bild) einen Teilbereich einer Schicht mit mehreren
Kontaktdurchgängen 10 und einem verschmutzen Durchgang 11. Die
Fig. 3 zeigt ein Querschnittsbild eines verschmutzten Durch
ganges 11. Der Rückstand 111 in dem verschmutzen Durchgang 11
ist ein Kolloid, das von der Kombination der Verschmutzung in
dem Kontaktdurchgang und den Chemikalien von vom Reinigungs
prozeß herrührt. Der nachfolgende Wolfram-Stopfen in dem
Durchgang 11 wird wegen des Vorhandenseins des Rückstandes 111
unterbrochen, so daß die Verbindung zwischen zwei metallischen
Schichten unterbrochen ist. Als Ergebnis davon fällt das Halb
leiterplättchen bzw. der Chip mit dem verschmutzten Durchgang
aus. Außerdem zeigt die Fig. 3 eine erste Oxidschicht 21, ei
ne Metallschicht 22, eine Titannitridschicht 23, eine zweite
Oxidschicht 24 und den verschmutzten Durchgang 11, der in der
zweiten Oxidschicht 24 ausgebildet ist. Ein tiefes Loch 231
ist am Boden des verschmutzten Durchganges 11 durch die Titan
nitridschicht 23 hindurch zur Metallschicht 22 ausgebildet.
Ein Rückstand 111 ist in dem verschmutzen Durchgang 11 ange
ordnet. Im allgemeinen weist der Rückstand 111 die Form eines
Kolloids auf, das von der Verbindung der Metallverschmutzung
von der Metallschicht 22 und der Chemikalien des Reinigungs
prozesses herrührt.
Eine Prüfung der schlechten Reinigungsfunktion zeigt, daß die
ersten drei Reinigungsschritte 100, 200 und 300 nur statische
Eintauchschritte zum Lösen und Entfernen von Verschmutzungen
von der Schichtoberfläche sind. Der Reinigungsschritt, der die
Verschmutzung und Chemikalien gründlich entfernt ist der Pro
zeß des schnellen Abspülens 400. Aus diesem Grund sollte eine
weitere Untersuchung dieses Prozesses 400 erfolgen, um die
Reinigungsfunktion zu verbessern.
Die Fig. 4 zeigt ein schematisches Bild des Systems zur Aus
führung des Prozesses zum schnellen Abspülen bzw. Abspritzen,
der in der Fig. 1 mit 400 bezeichnet ist. Während des Reini
gungsprozesses sind eine Menge von Schichten Seite an Seite in
einem Schichthalter 31 gestapelt. Der Schichthalter 31 ist an
einem Gestell 41 in einem Reinigungsbehälter 40 befestigt. Ein
Sprinkler 43 ist unter dem Gestell 41 in dem Reinigungsbehäl
ter 40 angeordnet. DI-Wasser wird von dem Sprinkler 43 zu al
len Schichten 30 in dem Schichthalter 31 nach oben heraus ge
spritzt. Die Verunreinigung und Chemikalien auf der Oberfläche
der Schichten 30 werden daher durch den DI-Wasserstrom ent
fernt.
Wegen der Struktur des Reinigungsbehälters 40 wirken jedoch
der Schichthalter 31 und das Gestell 41 in der Form, daß sie
den Strom blockieren. Während des Reinigungsprozesses wird
zwar DI-Wasser von dem Sprinkler 43 nach oben gespritzt, teil
weise jedoch durch den Schichthalter 31 und das Gestell 41 be
hindert, so daß es kinetische Energie verliert. Die Folge ist
am Übergang 45 zwischen dem Schichthalter 31 und dem Gestell
41 besonders ernst, weil der Schichthalter 31 und das Gestell
41 an diesem Übergangsbereich 45 den größten Querschnitt be
sitzen. Als Ergebnis wird hinter dem Übergangsbereich 45 zwi
schen dem Schichthalter 31 und dem Gestell 41 ein Verwirbe
lungsbereich mit der geringsten kinetischen Energie (in der
Fig. 4 oben) ausgebildet. Diejenigen Teile der Schichten 30
in dem Verwirbelungsbereich (die nachfolgend als Seitenberei
che bezeichnet werden) sind daher wahrscheinlich nicht sauber
genug, so daß die Möglichkeit der Entstehung von verschmutzten
Durchgängen an den Seitenbereichen sehr viel größer ist. Dies
hat zur Folge, das mehr fehlerhafte Chips an den Seitenberei
chen ausgebildet werden.
Die Fig. 5 zeigt ein Testergebnis der Rate des bekannten Rei
nigungsprozesses, wie er oben erwähnt wurde, wobei die fehler
haften Chips 33 in der Figur schwarz dargestellt sind. Wie
dies die Fig. 5 zeigt, sind beinahe alle fehlerhaften Chips
33 über die Seitenbereiche der Schicht 30 verteilt. Dies be
deutet, das beinahe alle fehlerhaften Chips 33 während des
schnellen Abspülprozesses hinter dem Übergangsbereich 45 zwi
schen dem Schichthalter 31 und dem Gestell 41 angeordnet sind.
Diese Schlußfolgerung bestätigt die oben genannte Hypothese.
Es könnte versucht werden, das Reinigungssystem zu modifizie
ren, um den Nachteil des bekannten Reinigungsprozesses zu
überwinden und auf diese Weise die Produktionsrate zu verbes
sern. Es ist jedoch notwendig sich zu überlegen, wie groß die
Möglichkeit zur Modifizierung des Systems ist. Außerdem werden
dann, wenn die Modifizierung etwas mit dem Schichthalter zu
tun hat, die anderen Prozeßsysteme ebenfalls beeinflußt. Aus
diesem Grunde würde die Modifizierung des Reinigungssystems
die Wartungskosten vergrößern und ein großes Risiko bedeuten.
Es ist daher nicht ratsam, daß ein IC-Hersteller die Modifi
zierung ausführt.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin,
ein Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Ober
flächen von Halbleiterschichten bzw. -scheiben, welche insbe
sondere beim Naßätzen entstehen, zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des
Patentanspruches 1 gelöst.
Der wesentliche Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht
darin, daß durch die Hinzufügung eines zweiten schnellen Ab
spülprozesses unter einem anderen Winkel das Verhältnis von
fehlerhaften Halbleiterplättchen bzw. Chips abnimmt und die
Ausbeute des Reinigungsprozesses in großem Maße verbessert
wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt die folgenden Schtitte:
Ausführen wenigstens eines chemischen Eintauchschrittes. Aus
führen eines ersten schnellen Abspül- bzw. Abspritzprozesses
unter Verwendung von DI-Wasser bzw. deionisiertem Wasser. Dre
hen der Schichten bzw. Scheiben um einen vorbestimmten Winkel
und danach Ausführen eines zweiten schnellen Abspül- bzw. Ab
spritzprozesses unter Verwendung DI-Wasser bzw. deionisiertem
Wasser. Schließlich Ausführen eines letzten Abwaschprozesses
und eines Trocknungsprozesses.
Gemäß der vorliegenden Erfindung besteht der Schritt der Dre
hung der Schichten darin, die Seitenbereiche der Schichten von
dem Verwirbelungsbereich weg zu drehen, der hinter dem Verbin
dungsbereich des Schichthalters und des Gestells liegt. Die
Drehung kann entweder im Uhrzeigersinn oder entgegen dem Uhr
zeigersinn in einem Bereich von zwischen 75 bis 100° erfolgen,
so daß die Seitenbereiche der Schichten von dem Verwirbelungs
bereich weg gedreht werden.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung können die
Schichten durch manuell betätigte Werkzeuge, Zusatzgeräte oder
andere Werkzeuge gedreht werden.
Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
werden nach der Ausführung des ersten schnellen Abspülprozes
ses ein Abwaschprozeß und ein Trocknungsprozeß zuerst ausge
führt. Danach werden die Schichten in dem Reinigungsbehälter
oder an einem anderen geeigneten Ort gedreht. Nachdem alle
Schichten bis zum vorbestimmten Winkel gedreht wurden, wird
der zweite Abspülprozeß dann durch DI-Wasser in dem Reini
gungsbehälter ausgeführt.
Gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
werden die Schichten in dem Reinigungsbehälter oder an anderen
geeigneten Orten nach der Ausführung des ersten schnellen Ab
spülprozesses gedreht. Nachdem alle Schichten zu dem vorbe
stimmten Winkel gedreht wurden, wird der zweite Abspülprozeß
dann durch DI-Wasser in dem Reinigungsbehälter ausgeführt.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfin
dung wird zuerst wenigstens ein chemischer Eintauchschritt
ausgeführt. Danach wird ein schneller Abspülprozeß unter Ver
wendung von DI-Wasser ausgeführt, während sich die Winkelbe
ziehung zwischen den Schichten und der Spritzrichtung des DI-
Wassers durch Drehung durch einen Antrieb ununterbrochen än
dert. Schließlich werden ein letzter Abwaschprozeß und ein
Trocknungsprozeß ausgeführt.
Gemäß dieser Ausführungsform kann der Drehantrieb alternativ
betätigt werden, um die Schichten zu drehen, um die Spritz
richtung des DI-Wassers zu ändern oder um die Schichten zu
drehen und die Spritzrichtung des DI-Wassers zu ändern. Tat
sächlich sollten die Schichten um wenigstens 75° gedreht wer
den, um eine gute Reinigungsfunktion zu erreichen.
Im folgenden werden die Erfindungen deren Ausgestaltungen im
Zusammenhang mit den Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Prozeßablauf des chemischen Naßreini
gungsprozesses für Halbleiterschichten gemäß
einem bekannten Reinigungsprozeß;
Fig. 2 ein SEM-Bild, das einen Teilbereich einer
Schicht mit mehreren Kontaktdurchgängen und
einem verschmutzten Durchgang gemäß dem Pro
zeßablauf der Fig. 1 zeigt;
Fig. 3 das SEM-Bild eines Querschnittes eines ver
schmutzten Durchganges gemäß der Fig. 2;
Fig. 4 ein schematisches Bild des Systems zur Aus
führung des schnellen Abspülprozesses der
Fig. 1;
Fig. 5 das Testergebnis der Ausbeute gemäß einem
bekannten Reinigungsprozeß;
Fig. 6 den Prozeßablauf gemäß einer ersten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 ein Beispiel der Drehung von Schichten ent
gegen dem Uhrzeigersinn um 90° gemäß der Fig. 6;
Fig. 8 den Prozeßablauf zur Ausführung einer
Schichtdrehung und des zweiten schnellen Ab
spülprozesses gemäß der Fig. 6;
Fig. 9 ein Testergebnis der Ausbeute gemäß der vor
liegenden Erfindung (entsprechend der Kombi
nation der Fig. 6 und 8);
Fig. 10 einen Prozeßablauf gemäß der zweiten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung und
Fig. 11 den Prozeßablauf gemäß der dritten Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen
von festen Rückständen an Oberflächen von Schichten, insbeson
dere von Halbleiterscheiben, die insbesondere beim Naßätzen
entstehen. Durch das erfindungsgemäße Verfahren sollen die
Nachteile der bekannten Reinigungsverfahren vermieden werden
und es sollen die harten bzw. festen Rückstände (insbesondere
in Kontaktbereichen und Durchgängen) gründlich von den Schich
ten entfernt werden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung werden eine Menge von Schich
ten Seite an Seite in einem Schichthalter gestapelt und wird
der Schichthalter in einem Reinigungsbehälter während des Rei
nigungsprozesses angeordnet.
In der folgenden Beschreibung werden bereits oben genannte
Teile beziehungsweise Elemente in der selben Weise bezeichnet.
Gemäß Fig. 6 stellt sich die vorliegende Erfindung in der
folgenden Weise dar.
- a) Chemisches Eintauchen 710: Es wird wenigsten ein chemi scher Eintauchschritt mit den Schichten ausgeführt. Beim chemischen Eintauchschritt kann in einen ACT-Behälter oder einen IPA-Behälter eingetaucht werden oder das Ein tauchen kann in anderer geeigneter Weise erfolgen.
- b) Erstes schnelles Abspülen bzw. Abspritzen 720: Der Schritt 720 entspricht dem Schritt 400 des bekannten Verfahrens der Fig. 1.
- c) Drehen der Schicht und zweites Abspülen bzw. Abspritzen 730: Die Schichten werden zuerst um einen vorbestimmten Winkel gedreht und dann wird der zweite Abspülprozeß mit DI-Wasser ausgeführt.
- d) Letztes Abwaschen und Marangoni-Trocknen 740: Diese Schritte entsprechen den Schritten 500 und 600 des bekann ten Verfahrens.
Das Schlüsselmerkmal der vorliegenden Erfindung besteht im
Schritt c). Gemäß Fig. 7 besteht der Zweck des Schrittes,
bei dem die Schichten gedreht werden, darin, die Seitenberei
che der Schichten 30 aus den Verwirbelungsbereich, d. h. dem
Bereich der hinter dem Verbindungsbereich des Schichthalters
31 und dem Gestell 41 liegt, wegzudrehen. Dies bedeutet, daß
die Schichten aus der Position in der linken Figur der Fig. 7
zur Position der rechten Figur der Fig. 7 gedreht werden. Die
Drehung kann entweder im Uhrzeigersinn oder entgegen dem Uhr
zeigersinn in einem Bereich zwischen 75 bis 105° erfolgen, so
daß die Seitenbereiche der Schichten 30 von dem Verwirbelungs
bereich weg gedreht werden. Als ein Ergebnis befinden sich die
ursprünglichen Seitenbereiche der Schichten 30 während des
zweiten schnellen Abspülprozesses in einer guten Position, so
daß die Rückstände an den ursprünglichen Seitenbereichen der
Schichten 30 vollständig entfernt werden können. Entsprechend
der Winkeländerung der Kerbenposition zeigt die Fig. 7 ein
Beispiel der Drehung der Schichten entgegen dem Uhrzeigersinn
um 90°. Tatsächlich wird es zur Erzielung der besten Reini
gungsfunktion bevorzugt, die Schichten um 90° entweder entge
gen dem Uhrzeigersinn oder im Uhrzeigersinn zu drehen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung können die Schichten durch
manuelle Werkzeuge, Zusatzgeräte oder andere Werkzeuge gedreht
werden.
Die Fig. 8 zeigt die erste Ausführungsform des Schrittes c)
zur Ausführung der Schichtdrehung und des zweiten schnellen
Abspülprozesses 730. Nach dem Schritt b) zur Ausführung des
ersten schnellen Abspülprozesses 720, werden ein Ab
waschschritt und ein Trocknungsschritt 731 zuerst ausgeführt.
Danach wird der Schritt 733 zur Schichtdrehung in dem Reini
gungsbehälter oder an anderen geeigneten Orten ausgeführt.
Nachdem alle Schichten zu dem vorbestimmten Winkel gedreht
wurden, wird der zweite Abspülprozeß 735 durch DI-Wasser in
dem Reinigungsbehälter ausgeführt. Gemäß dieser Ausführungs
form besteht der Zweck der Abwasch- und Trocknungsschritte
darin, die Bewegung der Schichten durch manuelle Werkzeuge
oder Hilfswerkzeuge aus dem Reinigungsbehälter zu erleichtern.
Die Abwasch- und Trocknungsschritte 731 begleiten die Reini
gungsschritte des bekannten Verfahrens, wobei die Kombination
der Schritte 710, 720 und 731 dieser Ausführungsform dem be
kannten Reinigungsprozeß gemäß der Fig. 1 entspricht. Nachdem
alle Schichten losweise zum vorbestimmten Winkel gedreht wur
den, werden die nachfolgenden Schritte (733, 735 und 740) aus
geführt.
Die Fig. 9 zeigt das Testergebnis der Ausbeute gemäß der vor
liegenden Erfindung (Kombination der Fig. 6 und 8), wobei
die fehlerhaften Chips 33 in der Figur wieder schwarz darge
stellt sind. Im Vergleich zu Fig. 5 ist klar erkennbar, daß
die Konzentration der fehlerhaften Chips 33 an den Seitenbe
reichen der Schichten des bekannten Prozesses verschwinden und
daß die Anzahl der fehlerhaften Chips 33 deutlich abnimmt. Die
Produktionsausbeute ist bei der vorliegenden Erfindung wenig
stens um 5% höher als früher.
Die Fig. 10 zeigt eine zweite Ausführungsform des Schrittes
c) zur Ausführung der Schichtdrehung und des zweiten schnellen
Abspülprozesses 730. Nach dem Schritt b) zur Ausführung des
ersten schnellen Abspülprozesses 720 wird der Schritt 733 zur
Schichtdrehung in dem Reinigungsbehälter oder an anderen ge
eigneten Orten ausgeführt. Nachdem alle Schichten zum vorbe
stimmten Winkel gedreht wurden, wird der zweite Abspülprozeß
735 durch DI-Wasser in dem Reinigungsbehälter ausgeführt. In
Übereinstimmung mit dieser Ausführungsform wird eine Vorrich
tung zur Drehung der Schichten in nächster Nähe zum Reini
gungsbehälter installiert, so daß die Schichten direkt gedreht
werden können, ohne daß sie zuvor abgewaschen und getrocknet
wurden. Danach wird der zweite schnelle Abspülprozeß ausge
führt. Gemäß dieser Ausführungsform werden die Schichtmengen
nicht aus dem Reinigungsbehälter entfernt, bis der ganze Rei
nigungsprozeß ausgeführt ist. Diese Art unterscheidet sich von
der ersten Ausführungsform. Bei der tatsächlichen Anwendung
handelt es sich bei der Vorrichtung zur Drehung der Schichten
um ein automatisches Transfersystem, ähnlich einem Roboter.
Im Zusammenhang mit der Fig. 11 wird nun eine weitere Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung erläutert.
- 1. Chemischer Eintauchprozeß 710: Wenigstens ein chemischer Eintauchprozeß wird an den Schichten ausgeführt. Der che mische Eintauchprozeß kann durch Eintauchen in einen ACT- Behälter, durch Eintauchen in einen IPA-Behälter oder durch anderes geeignetes Eintauchen ausgeführt werden.
- 2. Schnelles Abspülen während des Rotationsbetriebes 750: Ein schneller Abspülprozeß ähnlich dem Schritt 400 der Fig. 1 wird während eines Drehungszustandes ausgeführt.
- 3. Letztes Abwaschen und Marangoni-Trocknen 740: Schritte ähnlich dem letzten Abwaschschritt 500 und einem Marangoni- Trocknungsschritt 600, die bereits oben erwähnt wurden, werden ausgeführt.
Der Schlüsselpunkt dieser Ausführungsform besteht darin, die
Drehung der Schichten und das schnelle Abspülen gleichzeitig
auszuführen. Dies bedeutet, daß bei der vorliegenden Ausfüh
rungsform die Änderung der Winkelbeziehung zwischen den
Schichten und der Spritzrichtung des DI-Wassers durch einen
Rotationsantrieb aufrecht erhalten werden. Gemäß dieser Aus
führungsform kann der Rotationsantrieb betätigt werden, um die
Schichten zu drehen, um die Spritzrichtung des DI-Wassers zu
ändern (um den Sprinkler 43 der Fig. 4 zu modifizieren, so
daß er eine Option besitzt, sich nach links oder rechts, nach
vorne und hinten oder anderweitig zu drehen), oder um die
Schichten zu drehen und die Spritzrichtung des DI-Wassers al
ternativ zu verändern. In Übereinstimmung mit dieser Ausfüh
rungsform sollten die Schichten um wenigstens 75° gedreht wer
den, um eine gute Reinigungsfunktion zu erzielen.
Wie dies oben beschrieben wurde, wird gemäß der vorliegenden
Erfindung ein Schritt, bei dem die Schichten gedreht werden
und ein zweiter schneller Abspülprozeß hinzugefügt, um die fe
sten Rückstände auf der Oberfläche von Schichten gründlich zu
entfernen. Obwohl der Prozeß verlängert wird, nehmen Fehler
der Chips in großem Maße ab und ist die Produktionsausbeute
sehr viel größer. Es ist klar erkennbar, daß die vorliegende
Erfindung zur Verbesserung des Reinigungsprozesses im Hinblick
auf die gesamte Ausführung sicher und positiv ist.
Es wird darauf hingewiesen, daß die vorliegende Erfindung im
Zusammenhang mit besonders bevorzugten Ausführungsformen er
läutert wurde. Es wird jedoch darauf hingewiesen, daß zahlrei
che Modifikationen, Änderungen und Anpassungen im Rahmen des
Schutzbereiches der vorliegenden Erfindung, der durch die An
sprüche bestimmt wird, ausgeführt werden können.
Claims (14)
1. Verfahren zur Entfernung von festen Rückständen auf Ober
flächen von Schichten, insbesondere von Halbleiterschei
ben, wobei die Schichten (30) Seite an Seite in einem
Schichthalter (41) gestapelt sind, gekennzeichnet durch,
die folgenden Schritte:
- a) Ausführen wenigsten eines chemischen Eintauchschrittes (710),
- b) Ausführen eines ersten schnellen Abspülprozesses (720), vorzugsweise unter Verwendung von deionisiertem Wasser,
- c) Drehen der Schichten (30) um einen vorbestimmten Winkel und danach Ausführen eines zweiten schnellen Abspülprozes ses, vorzugsweise unter Verwendung von deionisiertem Was ser (733) und
- d) Ausführen eines letzten Abwasch- und Trocknungsprozesses (740).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
vorbestimmte Winkel beim Schritt c) in einem Bereich von
75 bis 105° im Uhrzeigersinn liegt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
vorbestimmte Winkel beim Schritt c) 90° beträgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
vorbestimmte Winkel beim Schritt c) in einem Bereich von
75 bis 105° entgegen dem Uhrzeigersinn liegt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der
vorbestimmte Winkel beim Schritt c) 90° beträgt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Schritt c) die folgenden Unter
schritte umfaßt:
- 1. Ausführen eines Abwasch- und Trocknungsschrittes (731);
- 2. Drehen der Schichten (30) um einen vorbestimmten Winkel (733) und
- 3. Ausführen eines zweiten schnellen Abspülprozesses, vor zugsweise unter Verwendung von deionisiertem Wasser.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der
Schritt c2) durch eine manuelle Operation ausgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der
Schritt c2) durch eine Vorrichtung zur Drehung der Schich
ten ausgeführt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Schritt c) die folgenden Unter
schritte umfaßt:
- 1. Drehen der Schichten (30) um einen vorbestimmten Winkel (733) und
- 2. Ausführen eines zweiten schnellen Abspülprozesses, vor zugsweise unter Verwendung deionisiertem Wasser (735).
10. Verfahren zur Entfernung von festen Rückständen auf Ober
flächen von Schichten, insbesondere von Halbleiterschei
ben, welche insbesondere beim Naßätzen entstehen, wobei
die Schichten Seite an Seite in einem Schichthalter (41)
gestapelt werden, gekennzeichnet durch die folgenden
Schritte:
- a) Ausführen wenigstens eines chemischen Eintauchschrittes (710)
- b) Ausführen eines schnellen Abspülprozesses, vorzugsweise unter Verwendung deionisiertem Wasser, während die Winkel beziehung zwischen den Schichten (30) und der Spritzrich tung des deionisierten Wassers durch einen Rotationsan trieb ununterbrochen geändert wird (750) und
- c) Ausführen eines letzten Abwasch- und Trocknungsprozesses (740).
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
der Rotationsantrieb zum Drehen der Schichten (30) verwen
det wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1 oder 11, dadurch gekennzeichnet,
daß die Schichten (30) um wenigstens 75° im Uhrzeigersinn
gedreht werden.
13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß
die Schichten (30) um wenigstens 75° entgegen dem Uhrzei
gersinn gedreht werden.
14. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
der Rotationsantrieb beim Schritt b) verwendet wird, um
die Spritzrichtung des deionisierten Wassers zu verändern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1999160573 DE19960573C2 (de) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von Halbleiterscheiben |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE1999160573 DE19960573C2 (de) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von Halbleiterscheiben |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19960573A1 true DE19960573A1 (de) | 2001-06-28 |
| DE19960573C2 DE19960573C2 (de) | 2002-10-10 |
Family
ID=7932801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1999160573 Expired - Fee Related DE19960573C2 (de) | 1999-12-15 | 1999-12-15 | Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von Halbleiterscheiben |
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| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19960573C2 (de) |
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- 1999-12-15 DE DE1999160573 patent/DE19960573C2/de not_active Expired - Fee Related
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| Title |
|---|
| JP 61-189647 A. In: Patent Abstracts of Japan * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19960573C2 (de) | 2002-10-10 |
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